RU2014129612A - Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные - Google Patents
Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014129612A RU2014129612A RU2014129612A RU2014129612A RU2014129612A RU 2014129612 A RU2014129612 A RU 2014129612A RU 2014129612 A RU2014129612 A RU 2014129612A RU 2014129612 A RU2014129612 A RU 2014129612A RU 2014129612 A RU2014129612 A RU 2014129612A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cmp composition
- type
- cmp
- copolymer
- dispersing agent
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 34
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 title claims 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 13
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims abstract 13
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract 9
- ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N vinylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C=C ZTWTYVWXUKTLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims abstract 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims abstract 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims abstract 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims abstract 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 8
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical class CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 abstract 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 abstract 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
1. Композиция для химико-механического полирования (ХМП), содержащая:(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,(B) по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR)(OR)) или фосфоновой кислоты (-P(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп,где Rпредставляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,Rпредставляет собой H, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,и(C) водную среду.2. Композиция ХМП по п. 1, где композиция ХМП не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.3. Композиция ХМП по п. 1, в которой(B) представляет собой по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоновой кислоты (-Р(=O)(OH)) или их депротонированные формы в качестве боковых групп.4. Композиция ХМП по п. 1, в которой(B) представляет собой(B1) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,и/или(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего(M1) винилфосфоновую кислоту и(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.5. Композиция ХМП по п. 1, в которой(B) представляет собой(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего(M1) винилфосфоновую кислоту и(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в кач
Claims (16)
1. Композиция для химико-механического полирования (ХМП), содержащая:
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,
(B) по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR1)(OR2)) или фосфоновой кислоты (-P(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп,
где R1 представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R2 представляет собой H, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
и
(C) водную среду.
2. Композиция ХМП по п. 1, где композиция ХМП не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
3. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоновой кислоты (-Р(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп.
4. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B1) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,
и/или
(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
5. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
6. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2A) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип мономера, выбираемого из группы, состоящей из винилароматических соединений, винилзамещенных гетероциклических соединений, акрилатов, метакрилатов, акриламидов, метакриламидов, акриловой кислоты, метакриловой кислоты, простых виниловых эфиров, винилзамещенных соединений сахаров,
в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
7. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2a) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
8. Композиция ХМП по п. 1, в которой среднемассовая молекулярная масса (B) находится в интервале от 1000 до 20000 Дальтон, как определено с помощью гельпроникающей хроматографии.
9. Композиция ХМП по п. 1, в которой частицы (A) являются частицами диоксида церия.
10. Композиция ХМП по п. 1, в которой частицы (A) обладают средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света.
11. Композиция ХМП по п. 1, в которой значение pH композиции ХМП составляет от 5,5 до 9.
12. Композиция по любому из пп. 1-11, в которой композиция ХМП дополнительно содержит сахарный спирт в качестве подавителя полирования SiN (D1).
13. Композиция ХМП по п. 1 или 2, содержащая:
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I), или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду.
14. Композиция ХМП по п. 1 или 2, содержащая:
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) сополимер, содержащий винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду.
15. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий в себя химико-механическое полирование субстрата в присутствии композиции ХМП, определенной в любом из пп. 1-14.
16. Применение композиции ХМП, определенной в любом из пп. 1-14 для химико-механического полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/IB2011/055864 WO2013093557A1 (en) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | Chemical mechanical polishing composition comprising polyvinyl phosphonic acid and its derivatives |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014129612A true RU2014129612A (ru) | 2016-02-10 |
| RU2598046C2 RU2598046C2 (ru) | 2016-09-20 |
Family
ID=48667833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014129612/05A RU2598046C2 (ru) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9487675B2 (ru) |
| EP (1) | EP2794790B1 (ru) |
| JP (1) | JP6013504B2 (ru) |
| KR (1) | KR101931926B1 (ru) |
| CN (1) | CN103998547A (ru) |
| IL (1) | IL232794B (ru) |
| MY (1) | MY166785A (ru) |
| RU (1) | RU2598046C2 (ru) |
| SG (1) | SG11201403354RA (ru) |
| TW (1) | TWI567147B (ru) |
| WO (1) | WO2013093557A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2776518B1 (en) | 2011-11-10 | 2015-08-12 | Basf Se | Paper coating slip additive comprising acid monomer, associative monomer and nonionic monomer |
| JP6243791B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-12-06 | 信越化学工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
| EP3020689A1 (en) | 2014-11-12 | 2016-05-18 | Rhodia Operations | Cerium oxide particles and method for production thereof |
| US9803109B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-10-31 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP composition for silicon nitride removal |
| CN107533967A (zh) * | 2015-03-30 | 2018-01-02 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
| RU2681623C2 (ru) * | 2016-11-25 | 2019-03-11 | 3М Инновейтив Пропертиз Компани | Морозоустойчивые водные композиции, содержащие частицы оксидов металлов |
| KR102475282B1 (ko) | 2017-03-29 | 2022-12-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 |
| US20200002607A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Versum Materials Us, Llc | Low Oxide Trench Dishing Chemical Mechanical Polishing |
| US11078417B2 (en) * | 2018-06-29 | 2021-08-03 | Versum Materials Us, Llc | Low oxide trench dishing chemical mechanical polishing |
| KR20200069446A (ko) | 2018-12-06 | 2020-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터와 그것을 구비한 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법 |
| US11608451B2 (en) * | 2019-01-30 | 2023-03-21 | Versum Materials Us, Llc | Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4134458B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2008-08-20 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法 |
| JP2008155368A (ja) * | 1999-06-23 | 2008-07-10 | Jsr Corp | 研磨用組成物、および研磨方法 |
| JP4224659B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2009-02-18 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体部品用洗浄剤 |
| JP2001107089A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
| JP4123685B2 (ja) | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| KR100378180B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
| US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
| US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
| US20050271602A1 (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-08 | Nebojsa Milanovich | Method for inhibiting chemical staining of teeth |
| KR100674927B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | Ｃｍｐ용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한기판 연마 방법 |
| KR101126124B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2012-03-30 | 주식회사 동진쎄미켐 | 연마 평탄도를 향상시킨 산화 세륨 슬러리 조성물 |
| US20070077865A1 (en) | 2005-10-04 | 2007-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for controlling polysilicon removal |
| WO2009058274A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing and wafer cleaning composition comprising amidoxime compounds and associated method for use |
| DE102008024451A1 (de) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Elektrisch leitende Schichtstruktur und Verfahren zu deren Herstellung |
| TW201038690A (en) * | 2008-09-26 | 2010-11-01 | Rhodia Operations | Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same |
| CN101735730A (zh) * | 2008-11-12 | 2010-06-16 | 长兴开发科技股份有限公司 | 化学机械研磨组合物和方法 |
| JP5394861B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-01-22 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| CN102108260B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-05-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液 |
| WO2012032467A1 (en) | 2010-09-08 | 2012-03-15 | Basf Se | Process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric films and polysilicon and/or silicon nitride films |
| US9070632B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-06-30 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers |
| SG10201510122PA (en) | 2010-12-10 | 2016-01-28 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
| US10407594B2 (en) | 2011-03-22 | 2019-09-10 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a polymeric polyamine |
-
2011
- 2011-12-21 US US14/362,510 patent/US9487675B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 KR KR1020147019532A patent/KR101931926B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-21 JP JP2014548233A patent/JP6013504B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-21 MY MYPI2014001795A patent/MY166785A/en unknown
- 2011-12-21 RU RU2014129612/05A patent/RU2598046C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-12-21 SG SG11201403354RA patent/SG11201403354RA/en unknown
- 2011-12-21 WO PCT/IB2011/055864 patent/WO2013093557A1/en active Application Filing
- 2011-12-21 CN CN201180075487.4A patent/CN103998547A/zh active Pending
- 2011-12-21 EP EP11878201.0A patent/EP2794790B1/en not_active Not-in-force
-
2012
- 2012-12-21 TW TW101149111A patent/TWI567147B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-05-26 IL IL232794A patent/IL232794B/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL232794B (en) | 2019-03-31 |
| MY166785A (en) | 2018-07-23 |
| EP2794790B1 (en) | 2018-02-21 |
| CN103998547A (zh) | 2014-08-20 |
| KR20140107447A (ko) | 2014-09-04 |
| WO2013093557A1 (en) | 2013-06-27 |
| EP2794790A4 (en) | 2015-07-29 |
| TWI567147B (zh) | 2017-01-21 |
| US20150159050A1 (en) | 2015-06-11 |
| SG11201403354RA (en) | 2014-09-26 |
| JP2015506386A (ja) | 2015-03-02 |
| EP2794790A1 (en) | 2014-10-29 |
| US9487675B2 (en) | 2016-11-08 |
| TW201333132A (zh) | 2013-08-16 |
| RU2598046C2 (ru) | 2016-09-20 |
| KR101931926B1 (ko) | 2018-12-24 |
| IL232794A0 (en) | 2014-07-31 |
| JP6013504B2 (ja) | 2016-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014129612A (ru) | Композиция для химико-механического полирования, содержащая поливинилфосфоновую кислоту и ее производные | |
| JP2017519098A5 (ru) | ||
| JP2008527077A5 (ru) | ||
| JP2013253245A5 (ru) | ||
| RU2012148752A (ru) | Растворимые изделия единичной дозы, содержащие катионный полимер | |
| JP2013185119A5 (ru) | ||
| JP2017025071A5 (ru) | ||
| JP2013241606A5 (ru) | ||
| JP2013504672A5 (ru) | ||
| JP2012527505A5 (ja) | 疎水的に付随するコポリマー | |
| JP2008510038A5 (ru) | ||
| JP2013534981A5 (ru) | ||
| JP2013211566A5 (ru) | ||
| MX2014003844A (es) | Materiales de fosforo y dispositivos relacionados. | |
| JP2015501791A5 (ru) | ||
| JP2013537874A5 (ru) | ||
| RU2006145880A (ru) | Амфифильные полимерные композиции и их применение | |
| JP2019121641A5 (ru) | ||
| JP2010500432A5 (ru) | ||
| RU2010112996A (ru) | Замасливающая композиция для стекловолокон в виде физического геля, полученные стекловолокна и композитные материалы, содержащие указанные волокна | |
| JP5766218B2 (ja) | 樹脂組成物およびその用途 | |
| TR201819054T4 (tr) | Uzun Ömürlü Kolay Yıkanan Kozmetik Bileşimler | |
| JP2014076971A5 (ru) | ||
| JP2012144481A5 (ru) | ||
| CN109072011A (zh) | 用于抛光磷酸盐玻璃或氟磷酸盐玻璃基底的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161222 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20171006 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191222 |