JP6082097B2 - 酸化物および窒化物に選択的な高除去速度および低欠陥のcmp組成物 - Google Patents

酸化物および窒化物に選択的な高除去速度および低欠陥のcmp組成物 Download PDF

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Description

基材の表面を平坦化もしくは研磨する組成物および方法は、当技術分野でよく知られている。
研磨組成物(研磨スラリーとしても知られている)は、典型的には液体担体中に研磨材を含み、そして表面を、研磨組成物で飽和された研磨パッドと接触させることによって、表面に適用される。典型的な研磨材としては、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、および酸化スズが挙げられる。例えば、米国特許第5,527,423号明細書には、表面を、水性の媒体中に高度に純粋な微細な金属酸化物粒子を含む研磨スラリーと接触させることによって、金属層を化学機械的に研磨する方法が記載されている。研磨組成物は、典型的には、研磨パッド(例えば、研磨布またはディスク)とともに用いられる。好適な研磨パッドが、例えば米国特許第6,062,968号、第6,117,000号、および第6,126,532号明細書中に記載されており、それらは、解放セルの多孔質網目を有する焼結ポリウレタン研磨パッドの使用を開示しており、そして米国特許第5,489,233号明細書に記載されており、それには表面肌理(texture)またはパターンを有する固体研磨パッドの使用が開示されている。研磨組成物中に懸濁される代わりに、またはそれに加えて、研磨材は、研磨パッド中に組み込むことができる。米国特許第5,958,794号明細書には、研磨材が固定された研磨パッドが開示されている。
半導体装置の素子を分離する方法として、浅いトレンチ分離(STI)プロセスに、多くの注目が向けられており、そこでは、窒化ケイ素層が、シリコン基材上に形成され、浅いトレンチが、エッチングもしくは写真平版技術によって形成され、そして誘電体層(例えば、酸化物)が、それらのトレンチを充填するように堆積される。この方法で形成された、トレンチの深さ、または線の変化のために、典型的には、過剰の誘電体材料を、基材の上面に堆積して、全てのトレンチの完全な充填を確実にすることが必要である。この過剰の誘電体材料は、次いで、典型的には化学機械平坦化プロセスによって除去されて、窒化ケイ素層が露出される。窒化ケイ素層が露出されると、化学機械研磨組成物に曝露される基材の最も大きな面積は、窒化ケイ素を含んでおり、それは、次いで高度に平坦で、そして均一な表面を得るように研磨されなければならない。
一般的に、過去の粒子は、窒化ケイ素研磨に優先して、酸化物研磨への選択性を重視していた。従って、窒化ケイ素層の露出で、全体の研磨速度が減少するので、窒化ケイ素層は、化学機械平坦化プロセスの間に、停止層として作用していた。例えば、米国特許第6,544,892号明細書およびそこに引用された参照文献には、窒化ケイ素に対する二酸化ケイ素の選択性を与える研磨組成物が記載されている。また、米国特許第6,376,381号明細書には、酸化ケイ素と窒化ケイ素層の間の研磨選択性を向上させるための特定のノニオン性界面活性剤の使用が記載されている。
最近では、ポリシリコン研磨に優先する酸化物研磨への選択性もまた重要視されている。例えば、一連のBRIJ(商標)およびポリエチレンオキシド界面活性剤、ならびにPLURONIC(商標)L-64、HLBが15のエチレンオキシド−プロピレンオキシド−エチレンオキシドトリブロック共重合体の添加が、ポリシリコンに対する酸化物の研磨選択性を向上させるとされている(Leeら、「化学機械研磨の間のポリシリコンに対する酸化物の選択性へのノニオン性界面活性剤の効果」("Effects of Nonionic Surfactants on Oxide- to-Polysilicon Selectivity during Chemical Mechanical Polishing")、J. Eleclrochem. Soc、149(8): G477-G481 (2002) を参照)。また、米国特許第6,626,968号明細書では、ポリビニルメチルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレン23ラウリルエーテル、ポリプロピオン酸、ポリアクリル酸、およびポリエーテルグリコールビス(エーテル)から選ばれた親水性および疎水性官能基を有するポリマー添加剤の使用によって、ポリシロキサンに対する酸化ケイ素の研磨選択性を得るとしている。
STI基材は、典型的には、慣用の研磨媒体および研磨剤を含有する研磨スラリーを用いて研磨される。しかしながら、慣用の研磨媒体および研磨剤を含有する研磨スラリーでのSTI基材の研磨は、基材表面の過剰な研磨もしくはSTIフィーチャーにおけるくぼみの形成および他の表面構造上の(topographical)欠陥、例えば基材表面上の微細な引掻き傷をもたらすことが観察されている。過剰な研磨およびSTIフィーチャーのくぼみの形成のこの現象は、ディッシングと称されている。また、ディッシングは、他の種類のフィーチャーにおける過剰な研磨およびくぼみの形成を表すのに用いられる。基材フィーチャーのディッシングは、トランジスタおよびトランジスタ部品の相互の絶縁の破壊を引き起こして、短絡をもたらすことによって、装置の製造に、悪影響を与える可能性があるために、ディッシングは望ましくない。更に、基材の過剰な研磨はまた、酸化物の減損および、下にある酸化物が露出されて研磨もしくは化学的な活性から損傷を受けることをもたらし、それが、装置の品質および性能に悪影響を与える。
米国特許出願公開第2009/0246956号、第2009/0221145号、第2008/0242091号、および第2007/0200089号明細書には、向上したディッシング性能を与えるとしている、種々のトリアゾール、テトラゾール、インドール、およびインダゾール化合物を含む化学機械研磨組成物が開示されている。
それらの研磨組成物および方法にもかかわらず、当技術分野では、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびポリシリコンの所望の選択性を与えることができ、そして好適な除去速度、低欠陥、および好適なディッシング性能を有する、研磨組成物および方法への必要性がなお存在している。本発明は、そのような組成物および方法を提供する。本発明のそれらの利点および他の利点、ならびに更なる本発明の特徴は、本明細書に与えられる発明の詳細な説明から明らかとなるであろう。
本発明は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、随意選択的に1種もしくは2種以上のホスホン酸、随意選択的に窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的に1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、随意選択的にアニオン性共重合体、随意選択的に、第四級アミンを含む1種もしくは2種以上のポリマー、随意選択的に、化学機械研磨組成物のpHを調整する1種もしくは2種以上の化合物および水を含む、から本質的になる、またはからなる化学機械研磨組成物を提供する。本発明は、本発明の化学機械研磨組成物で、基材を化学機械研磨する方法を更に提供する。典型的には、基材は、酸化ケイ素、窒化ケイ素および/またはポリシリコンを含んでいる。
本発明による化学機械研磨組成物は、酸化ケイ素、窒化ケイ素および/またはポリシリコンの所望の選択性を示す(例えば、酸化ケイ素に高い除去速度を、そして窒化ケイ素とポリシリコンには低い除去速度を示す)。更に、本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法によって基材を研磨した場合に低い粒子欠陥および好適なディッシング性能ならびに好適なディッシング性能を示す。更に、本発明による研磨組成物の少なくとも幾つかの態様では、低い固形分含有量を有しており、それによって相対的に低コストである。
本発明は、化学機械研磨(CMP)組成物および基材を化学機械研磨する方法を提供し、この研磨組成物は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、随意選択的に1種もしくは2種以上のホスホン酸、随意選択的に窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的に1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、随意選択的にアニオン性共重合体、随意選択的に、第四級アミンを含む1種もしくは2種以上のポリマー、随意選択的に、化学機械研磨組成物のpHを調整する1種もしくは2種以上の化合物および水を含む、から本質的になる、またはからなる。
本発明の化学機械研磨組成物は、セリア研磨剤を含む。当業者に知られているように、セリアは、希土類金属セリウムの酸化物であり、そしてセリウム酸化物、酸化セリウム(例えば、セリウム(IV)酸化物)または二酸化セリウムとしても知られている。セリウム(IV)酸化物は、シュウ酸セリウムまたは水酸化セリウムをか焼することによって形成することができる。また、セリウムは、セリウム(III)酸化物、例えば、CeおよびCeOを形成し、ここでCeOは、典型的には室温および大気条件下で、最も安定である。セリア研磨剤は、それらのまたは他のセリアの酸化物のいずれかの1種もしくは2種以上であることができる。
セリア研磨剤は、いずれかの好適な形態であることできる。ここで用いられる「湿式法」セリアは、沈降、縮合重合、または同様のプロセス(例えば、ヒュームドまたは熱分解法セリアに対立するものとして)によって調製されたセリアを表している。湿式法セリア研磨剤を含む本発明の研磨組成物は、典型的には、本発明の方法によって基材を研磨する場合に、より低い欠陥を示すことが見出された。特定の理論によって拘束されることは望まないが、湿式法セリアは、球状のセリア粒子および/またはより小さい凝集セリア粒子を形成し、それによって、本発明の方法に用いられた場合には、より小さい基材の欠陥をもたらすことが信じられる。例示的な湿式法セリアとしては、Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標)がある。
セリア粒子は、いずれかの好適な平均粒径を有することができる(すなわち、平均粒子直径)。平均のセリア粒子径が小さ過ぎる場合には、研磨組成物は、十分な除去速度を示さない可能性がある。対照的に、平均のセリア粒子径が大き過ぎる場合には、研磨組成物は、望ましくない研磨性能、例えば劣った基材欠陥を示す可能性がある。従って、セリア粒子は、10nm以上、例えば15nm以上、20nm以上、25nm以上、または50 nm以上の平均粒子径を有することができる。あるいは、または加えて、セリア粒子は、10000nm以下、例えば7500nm以下、5000nm以下、1000nm以下、750nm以下、500nm以下、250nm以下、150nm以下、100nm以下、75nm以下、または50nm以下の平均粒子径を有することができる。従って、セリアは、前記の端点のいずれかの2つによって定められた平均粒子径を有することができる。例えば、セリアは、10nm〜10000nm、10nm〜7500nm、15nm〜5000nm、20nm〜1000nm、50nm〜250nm、または50nm〜150nmの平均粒子径を有することができる。非球形セリア粒子では、粒子径は、その粒子を取り囲む最小の球の直径である。セリアの粒子径は、いずれかの好適な技術を用いて、例えば、レーザー回析法を用いて、測定することができる。好適な粒子径測定機器が、例えばMalvern Instruments(Malvern、英国)から入手可能である。
セリア粒子は、好ましくは本発明の研磨組成物中でコロイド状に安定である。用語コロイドは、液体担体(例えば、水)中のセリア粒子の懸濁液を表している。コロイド安定性は、その懸濁液の経時の維持を表している。本発明の関連では、研磨剤が100mLのメスシリンダ中に容れられ、そして撹拌なしで2時間静置させたときに、メスシリンダの底部50mL中の粒子の濃度(g/mLで[B])と、メスシリンダの上部50mL中の粒子の濃度(g/mLで[T])との間の差を、研磨剤組成物中の初期の粒子の濃度(g/mLで[C])で割り算した値が0.5以下である場合(すなわち、{[B]−[T]}/[C]≦0.5)には、研磨剤は、コロイド状に安定であると考えられる。より好ましくは、[B]−[T]/[C]の値は、0.3以下、そして最も好ましくは0.1以下である。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のセリア研磨剤を含むことができる。本発明の研磨組成物が、少な過ぎるセリア研磨剤を含む場合には、その組成物は、十分な除去速度を示すことができない可能性がある。対照的に、研磨組成物が、多過ぎるセリア研磨剤を含む場合には、その研磨組成物は、望ましくない研磨性能を示す可能性があり、および/または費用効率がよくない可能性があり、および/または安定性を欠く可能性がある。本研磨組成物は、10質量以下のセリア、例えば9質量以下、8質量以下、7質量以下、6質量以下、5質量以下、4質量以下、3質量以下、2質量以下、1質量以下、0.9質量以下、0.8質量以下、0.7質量以下、または0.6質量以下のセリアを含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、0.1質量以上、0.2質量以上、0.3質量以上、0.4質量以上、0.5質量以上、または1質量以上のセリアを含むことができる。従って、本研磨組成物は、前記の端点のいずれか2つによって定められる量のセリアを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、0.1質量%〜10質量%のセリア、0.2質量%〜9質量%、0.3質量%〜8質量%、0.4質量%〜7質量%、0.5質量%〜6質量%、0.6質量%〜5質量%のセリア、0.7質量%〜4質量%、または0.8質量%〜3質量%のセリアを含むことができる。1つの態様では、本研磨組成物は、使用の地点で、0.2質量%〜0.6質量%のセリア(例えば、0.4質量%のセリア)を含んでいる。他の態様では、本研磨組成物は、濃縮物として、2.4質量%のセリアを含んでいる。
本発明の化学機械研磨組成物は、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーを含んでいる。本発明の態様によれば、本研磨組成物は、ポリアルキレングリコール、ポリエーテルアミン、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体、親水性ノニオン性ポリマー、多糖類、およびそれらの混合物からなる群から選ばれた1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーを含んでいる。ノニオン性ポリマーは、好ましくは水溶性であり、そして本研磨組成物の他の成分と相溶性である。ノニオン性ポリマーは、ポリシリコンの除去速度を低下させるのを援けることが見出された。基材のポリシリコン部分は、典型的には、酸化ケイ素および窒化ケイ素よりも機械的に柔らかく、そして従って、酸化ケイ素および/または窒化ケイ素を含む基材に好適な研磨組成物を用いて研磨した場合には、過剰な機械的磨滅を経験する。いずれかの特定の理論によって拘束されることは望まないが、ノニオン性ポリマーは、基材のポリシリコン部分の上に吸着され、それによって潤滑膜を形成し、それが研磨剤粒子および研磨組成物中の他の成分と、ポリシリコン表面との接触を低減させることが信じられる。幾つかの態様では、ノニオン性ポリマーは、界面活性剤および/または湿潤剤として機能する。本発明の研磨組成物中のノニオン性ポリマーの存在は、有利には、ポリシリコンの除去速度を低下させながら、酸化ケイ素および/または窒化ケイ素の有用な除去速度を可能にする。
ノニオン性ポリマーは、いずれかの好適な分子量を有することができる。ノニオン性ポリマーの分子量が低過ぎる場合には、ノニオン性ポリマーの使用によって利益は得られない。あるいは、ノニオン性ポリマーの分子量が高過ぎる場合には、酸化ケイ素の除去速度は、実用的でない低水準に低下する可能性がある。
本研磨組成物は、使用の地点で、いずれかの好適な量のノニオン性ポリマーを含んでいる。多量のノニオン性ポリマーの使用は、ポリシリコンおよび窒化ケイ素層以外の基材層の研磨速度の不必要な抑制をもたらす可能性がある。従って、本研磨組成物は、望ましくは、液体担体およびその中に溶解もしくは懸濁されているいずれかの成分の総質量を基準として、1ppm〜3000ppmのノニオン性ポリマーを含んでいる。本研磨組成物は、5ppm以上、50ppm以上、100ppm以上、150ppm以上、200ppm以上、250ppm以上、300ppm以上、400ppm以上、500ppm以上、750ppm以上、1000ppm以上、または1500ppm以上のノニオン性ポリマーを含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、2500ppm以下、2000ppm以下、または1750ppm以下のノニオン性ポリマーを含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められる量で、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、1ppm〜2500ppm、5ppm〜2000ppm、50ppm〜1500ppmなどのノニオン性ポリマーを含むことができる。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、ポリアルキレングリコールを含む、またはポリアルキレングリコールである。ポリアルキレングリコールは、いずれかの好適な分子量を有することができる。ポリアルキレングリコールは、300g/モル以上、例えば500g/モル以上、1000g/モル以上、1500g/モル以上、2000g/モル以上、2500g/モル以上、3000g/モル以上、3500g/モル以上、4000g/モル以上、4500g/モル以上、5000g/モル以上、5500g/モル以上、6000g/モル以上、6500g/モル以上、7000g/モル以上、または7500g/モル以上の平均分子量を有することができる。あるいは、または加えて、ポリアルキレングリコールは、15000g/モル以下、例えば14500g/モル以下、14000g/モル以下、13500g/モル以下、13000g/モル以下、12500g/モル以下、12000g/モル以下、11500g/モル以下、11000g/モル以下、10500g/モル以下、10000g/モル以下、9500g/モル以下、9000g/モル以下、8500g/モル以下、または8000g/モル以下の平均分子量を有することができる。従って、ポリアルキレングリコールは、上記の端点のいずれかの2つで定められる平均分子量を有することができる。例えば、ポリアルキレングリコールは、300g/モル〜15000g/モル、500g/モル〜14500g/モル、1000g/モル〜14000g/モルの平均分子量を有することができる。
例示的なポリアルキレングリコールとしては、例えばポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールおよびその混合物が挙げられる。1つの態様では、ポリアルキレングリコールとしては、8000g/モルの平均分子量を有するポリエチレングリコールである。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、ポリエーテルアミンを含む、またはポリエーテルアミンである。好適なポリエーテルアミン化合物としては、本研磨組成物の他の成分と相溶性であるもの、および所望の研磨特性を示すものが挙げられる。例示的なポリエーテルアミンとしては、Huntsman Performance Productsから商業的に入手可能なJEFFAMINE(商標)のアミン群が挙げられる。JEFFAMINE(商標)ポリエーテルアミンは、モノアミンジアミン、ジアミンおよびトリアミンからなっており、それらは5000g/モル以下の範囲の種々の分子量で入手可能である。JEFFAMINE(商標)ポリエーテルアミンは、ポリエーテル主鎖の末端に結合した第1級アミノ基を含むポリアルキレンアミンである。ポリエーテル主鎖は、ポリプロピレンオキシド(PO)、エチレンオキシド(EO)または混合EO/PO(例えば、O,O’−ビス(2−アミノプロピル)ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール)のいずれかを基にしている。ポリエーテルアミンの反応性は、第1級アミンに障害を付与することにより、または第2級アミン官能価によって変性することができる。
幾つかの態様では、ノニオン性ポリマーは、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体(”PEO/PPO共重合体”)を含む、またはである。存在する場合には、PEO/PPO共重合体は、好ましくは、本研磨組成物の他の成分(例えば、セリア研磨剤、ノニオン性ポリマー、ホスホン酸など)と相溶性であり、そして所望の研磨性能を示す。PEO/PPO共重合体は、いずれかの好適なPEO/PPO共重合体であることができ、好ましくは第1級ヒドロキシル基もしくは第2級ヒドロキシル基で末端官能化されている。PEO/PPO共重合体は、好ましくは、25以下の親水性−親油性平衡(HLB)値を有している。従って、PEO/PPO共重合体中のエチレンオキシド繰り返し単位の数は、典型的にはポリプロピレンオキシド繰り返し単位の数よりも少ない。好ましくは、エチレンオキシド単位の数は、PEO/PPO共重合体の40質量%未満、30質量%未満、25質量%未満、または更には20質量%未満である。PEO/PPO共重合体は、好ましくは23以下、18以下、12以下、10以下、9以下、8以下、7以下、6以下、または5以下のHLBを有している。好ましくは、PEO/PPO共重合体は、1以上(例えば、1〜23、1〜18、1〜12、1〜10、1〜9、1〜8、1〜7、1〜6、または1〜5)、または2以上(例えば、2〜23、2〜18、2〜12、2〜10、2〜8、2〜6、または2〜5)、または3以上(例えば、3〜23、3〜18、3〜12、3〜9、3〜7、3〜6、または3〜5)のHLBを有している。
PEO/PPO共重合体は、いずれかの好適な分子量を有することができる。好ましくはPEO/PPO共重合体は、4000g/モル以下(例えば、3500g/モル以下、3000g/モル以下、2500g/モル以下、2250g/モル以下、2000g/モル以下、1750g/モル以下、1500g/モル以下、または更には1250g/モル以下)の分子量を有する。あるいは、または加えて、PEO/PPO共重合体は、200g/モル以上(例えば、300g/モル以上、400g/モル以上、または500g/モル以上の分子量を有する。従って、PEO/PPO共重合体は、200g/モル〜4000g/モル、300g/モル〜3000g/モル、または500g/モル〜2500g/mol)の分子量を有することができる。別の好ましい態様では、PEO/PPO共重合体の分子量は、2500g/モル、1950g/モル、1900g/モル、1850g/モル、および1100g/モルである。
比較的に多量のPEO/PPO共重合体を用いることは、ポリシリコン層以外の基材層の研磨速度の望ましくない抑制をもたらす可能性があるけれども、本研磨組成物は、使用の地点で、いずれかの好適な量のPEO/PPO共重合体を含むことができる。従って、本研磨組成物は、液体担体およびそれに溶解もしくは懸濁されているいずれかの成分の総量を基準として、1ppm〜5000ppmのPEO/PPO共重合体を含むことができる。本研磨組成物は、5ppm以上、50ppm以上、100ppm以上、250ppm以上、500ppm以上、1000ppm以上、1500ppm以上、2000ppm以上、または2500ppm以上のPEO/PPO共重合体を含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、4500ppm以下、4000ppm以下、3500ppm以下、または3000ppm以下のPEO/PPO共重合体を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれか2つによって定められた量でPEO/PPO共重合体を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、1ppm〜5000ppm、5ppm〜4500ppm、50ppm〜4000ppmのPEO/PPO共重合体を含むことができる。
1つの態様では、本研磨組成物は、使用の地点で、1000ppmのPEO/PPO共重合体を含んでいる。他の態様では、本研磨組成物は、4700ppmのPEO/PPO共重合体を含んでいる。更に他の態様では、本研磨組成物は、2700ppmのPEO/PPO共重合体を含んでいる。
PEO/PPO共重合体は、BASFから商業的に入手可能なPLURONIC(商標)共重合体を含むことができる、またはであることができる。PLURONIC(商標)製品は、エチレンオキシドおよびポリプロピレンオキシドを基にしたブロック共重合体である。例示的なPLURONIC(商標)共重合体としては、PLURONIC(商標)10R5、PLURONIC(商標)L31、PLURONIC(商標)L35、PLURONIC(商標)L43、およびPLURONIC(商標)L62が挙げられる。好ましい態様では、PEO/PPO共重合体は、PLURONIC(商標)L31共重合体である。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、ポリアクリルアミドを含む、またはポリアクリルアミドである。いずれかの特定の理論に拘束されることは望まないが、ポリアクリルアミドは、セリア研磨剤粒子を安定化するように機能することが信じられる。ポリアクリルアミドは、いずれかの好適な分子量を有することができる。望ましくは、ポリアクリルアミドは、それが、セリア粒子の安定性に有益な効果を示すような分子量を有する。1つの態様では、ポリアクリルアミドは、8000g/モル以上、例えば10000g/モルの平均分子量を有する。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のポリアクリルアミドを含むことができる。研磨組成物中のポリアクリルアミドの量が少な過ぎる場合には、セリア研磨剤の安定性に有益な効果が得られない。対照的に、研磨組成物中のポリアクリルアミドの量が多過ぎる場合には、その研磨組成物は、望ましくない研磨特性を示す可能性があるか、および/または費用効率が低い可能性がある。従って、本研磨組成物は、0.5質量%以下のポリアクリルアミド、例えば、0.4質量%以下、0.3質量%以下、0.2質量%以下、0.1質量%以下、または0.05質量%以下のポリアクリルアミドを含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、0.001質量%以上のポリアクリルアミド、例えば、0.002質量%以上、0.01質量%以上、0.02質量%以上、0.0375質量%以上、0.05質量%以上、0.075質量%以上、または0.1質量%以上のポリアクリルアミドを含むことができる。従って、本研磨組成物は、前記の端点のいずれか2つによって定められる量でポリアクリルアミドを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、0.01質量%〜0.5質量%、0.02質量%〜0.4質量%、または0.0375質量%〜0.3質量%の1種もしくは2種以上のポリアクリルアミドを含むことができる。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、ポリビニルピロリドンを含むまたはポリビニルピロリドンである。ポリビニルピロリドンは、いずれかの好適な分子量を有することができる。望ましくは、ポリビニルピロリドンは、セリア粒子の安定性に有益な効果を示すような分子量を有している。ポリビニルピロリドンは、10000g/モル以上、例えば、15000g/モル以上、20000g/モル以上、または25000g/モル以上の平均分子量を有することができる。あるいは、ポリビニルピロリドンは、40000g/モル以下、例えば、35000g/モル以下、または30000g/モル以下の平均分子量を有することができる。従って、ポリビニルピロリドンは、前記の端点のいずれか2つによって定められる平均分子量を有することができる。例えば、ポリビニルピロリドンは、10,000g/モル〜40,000g/モルなどの平均分子量を有することができる。
本研磨組成物は、いづれかの好適な量のポリビニルピロリドンを含むことができる。研磨組成物中のポリビニルピロリドンの量が少な過ぎる場合には、セリア研磨剤の安定性に有益な効果が得られない。対照的に、研磨組成物中のポリビニルピロリドンの量が多過ぎる場合には、その研磨組成物は、望ましくない研磨特性を示す可能性があるか、および/または費用効果が高くない可能性がある。従って、本研磨組成物は、0.5質量%以下のポリビニルピロリドン、例えば、0.4質量%以下、0.3質量%以下、0.2質量%以下、0.1質量%以下、または0.05質量%以下のポリビニルピロリドンを含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、0.001質量%以上のポリビニルピロリドン、例えば、0.002質量%以上、0.01質量%以上、0.02質量%以上、0.0375質量%以上、0.05質量%以上、0.075質量%以上、または0.1質量%以上のポリビニルピロリドンを含むことができる。従って、本研磨組成物は、前記の端点のいずれか2つによって定められた量でポリビニルピロリドンを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、0.01質量%〜0.5質量%、0.02質量%〜0.4質量%、または0.0375質量%〜0.3質量%の1種もしくは2種以上のポリビニルピロリドンを含むことができる。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含む、またはシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体である。いずれかの特定の理論によって拘束されることは望まないが、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体もまた、界面活性剤および/または湿潤剤として作用することが信じられる。シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、いずれかの好適な分子量を有することができる。望ましくは、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、それが、セリア粒子の安定性に有益な効果を示すような分子量を有している。1つの態様では、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、500g/モル以上、例えば、750g/モル以上、1,000g/モル以上、1,250g/モル以上、1,500g/モル以上、1,750g/モル以上、2,000g/モル以上、2,250g/モル以上、2,500g/モル以上、3,000g/モル以上、3,500g/モル以上、4,000g/モル以上、4,500g/モル以上、または5,000g/モル以上の平均分子量を有している。他の態様では、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、20,000g/モル以下、例えば、19,000g/モル以下、18,000g/モル以下、17,000g/モル以下、16,000g/モル以下、または15,000g/モル以下の分子量を有している。従って、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、前記の端点のいずれか2つによって定められた平均分子量を有することができる。例えば、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体は、500g/モル〜20000g/モルなどの平均分子量を有することができる。
例示的なシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体としては、Momentive Performance Chemicalsから商業的に入手可能なSILWET(商標)L-7604がある。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。研磨組成物中のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体の量が少な過ぎる場合には、セリア研磨剤の安定性に有益な効果を得ることができない。対照的に、研磨組成物中のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体の量が多過ぎる場合には、その研磨組成物は、望ましくない研磨特性を示す可能性があるか、および/または費用効率が高くない可能性がある。従って、本研磨組成物は、0.5質量%以下のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、例えば、0.4質量%以下、0.3質量%以下、0.2質量%以下、0.1質量%以下、または0.05質量%以下のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、0.001質量%以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、例えば、0.002質量%以上、0.01質量%以上、0.02質量%以上、0.0375質量%以上、0.05質量%以上、0.075質量%以上、または0.1質量%以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体含むことができる。従って、本研磨組成物は、前記の端点のいずれかの2つによって定められる量で、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、0.01質量%〜0.5質量%、0.02質量%〜0.4質量%、または0.0375質量%〜0.3質量%の1種もしくは2種以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。
典型的には、本研磨組成物は、1ppm以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含んでいる。例えば、本研磨組成物は、5ppm以上、10ppm以上、25ppm以上、50ppm以上、75ppm以上、100ppm以上、125ppm以上、150ppm以上、200ppm以上、250ppm以上、または300ppm以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、1000ppm以下のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、例えば、900ppm以下、800ppm以下、700ppm以下、600ppm以下、500ppm以下、または400ppm以下のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められる量でシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を、例えば、1ppm〜1000ppm、5ppm〜900ppmなどのシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を、含むことができる。1つの態様では、本発明の研磨組成物は、使用の地点で、150ppm〜600ppmのシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含んでいる。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含む、または、である。例示的な疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体としては、ポリエチレングリコール側鎖を有するポリアクリル酸主鎖を含むポリマーが挙げられる。例示的な疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体としては、AkzoNobelから商業的に入手可能なAGRILAN(商標)700がある。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含むことができる。疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体の量が少な過ぎる場合には、有益な効果が観られない。対照的に、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体が多過ぎる場合には、本研磨組成物は、望ましくない研磨特性を示す可能性があり、および/または費用効率が高くない可能性がある。典型的には、本研磨は、2000ppm以下の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体、例えば、1750ppm以下、1500ppm以下、または1250ppm以下の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含んでいる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、500ppm以上の1種もしくは2種以上の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体、例えば750ppm以上、または1000ppm以上の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた量、例えば500ppm〜2000ppm、または750ppm〜1750ppmなどで、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含むことができる。1つの態様では、本研磨組成物は、1000ppmの1種もしくは2種以上の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体を含んでいる。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、親水性のノニオン性ポリマーを含んでいる、または、親水性のノニオン性ポリマーである。例示的な親水性のノニオン性ポリマーとしては、ポリ(2−エチル−2−オキサゾリン)が挙げられる。本研磨組成物は、いずれかの好適な量の親水性のノニオン性ポリマーを含むことができる。親水性のノニオン性ポリマーの量が少な過ぎる場合には、有益な効果は観られない。対照的に、親水性のノニオン性ポリマーの量が多過ぎる場合には、本研磨組成物は、望ましくな研磨特性を示す可能性があり、および/または費用効率が高くない可能性がある。
典型的には、本研磨組成物は1000ppm以下の親水性のノニオン性共重合体、例えば、900ppm以下、800ppmppm以下、700ppm以下、または600ppm以下の親水性のノニオン性共重合体を含んでいる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、50ppm以上の1種もしくは2種以上の親水性のノニオン性ポリマー、例えば、100ppm以上、150ppm以上、200ppm以上、250ppm以上、300ppm以上、350ppm以上、400ppm以上、450ppm以上、または500ppm以上の親水性のノニオン性ポリマーを含むことができる。1つの態様では、本研磨組成物は、250ppm以上の1種もしくは2種以上の親水性のノニオン性ポリマーを含んでいる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められる量、例えば、50ppm〜1000ppm、または100ppm〜900ppmなどで、親水性のノニオン性ポリマーを含むことができる。
典型的には、親水性のノニオン性ポリマーは、50000g/モルの分子量を有している。
1つの態様では、ノニオン性ポリマーは、多糖を含む、または、多糖である。例示的な多糖としては、例えば、ヒドロキシアルキルセルロース、デキストラン、カルボキシメチルデキストラン、スルホン化デキストラン、キトサン、キサンタンガム、カルボキシメチルセルロース、カラギーナン、およびそれらの混合物が挙げられる。
本研磨組成物は、好適な量の多糖を含んでいる。典型的には、本研磨組成物は、使用の地点で、1000ppm以下の多糖を含んでいる。例えば、本研磨組成物は、例えば、使用の地点で、900ppm以下の多糖、800ppm以下、700ppm以下、600ppm以下、500ppm以下、400ppm以下、300ppm以下、200ppm以下、または100ppm以下の多糖を含むことができる。
ヒドロキシアルキルセルロースの限定するものではない例としては、変性セルロースエーテル、例えばメチルヒドロキシエチルセルロース(HEMC)、メチルヒドロキシプロピルセルロース(HPMC)、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、およびヒドロキシプロピルセルロース(HPC)が挙げられる。
好ましい態様では、多糖としては、ヒドロキシエチルセルロース、例えばDow Chemical Companyから商業的に入手可能なCELLOSIZE(商標)QP-09Lヒドロキシエチルセルロースがある。ヒドロキシエチルセルロースは、好適な粘度を有している。典型的には、ヒドロキシエチルセルロースは、水中の5%溶液として、25℃で測定した場合に、50センチポアズの粘度を有している。例えば、ヒドロキシエチルセルロースは、75cP以上または100cP以上の粘度を有することができる。あるいは、または加えて、ヒドロキシエチルセルロースは、150cP以下、例えば125cP以下の粘度を有することができる。従って、ヒドロキシエチルセルロースは、上記の端点のいずれかの2つによって定められた粘度、例えば50cP〜150cP、75cP〜125cPなど、を有することができる。この粘度は、当業者によって知られているいずれかの好適な方法を用いて測定することができる。
本発明の研磨組成物は、1種以上のノニオン性ポリマーを含むことができる。例えば、幾つかの態様では、本研磨組成物は、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体およびポリビニルピロリドンを含んでいる。あるいは、または加えて、研磨組成物は、多糖およびポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体を含むことができる。
幾つかの態様では、本発明の化学機械研磨組成物は、1種もしくは2種以上のホスホン酸を含んでいる。いずれかの特定の理論に拘束されることは望まないが、ホスホン酸は、本研磨組成物中でキレート化剤として作用し、そして基材表面および研磨用具上への残渣の蓄積を低減するのを援けることが信じられる。例示的なホスホン酸としては、Dequestから商業的に入手可能なDEQUEST(商標)ホスホネート、例えばDEQUEST(商標)P9030、DEQUEST(商標)2000EG、およびDEQUEST(商標)2010が挙げられる。
好ましい態様では、ホスホン酸は、1−ヒドロキシエチリレン−1,1−ジホスホン酸、アミノトリ(メチレン)ホスホン酸、アミノトリ(メチレン)ホスホン酸、メチルホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタキス(メチルホスホン酸)、ヘキサメチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラキス(メチルホスホン酸)、イミノジ(メチルホスホン酸)、(アミノメチル)ホスホン酸、N−(ホスホノメチル)グリシン、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる。
本研磨組成物は、いずれかの好適な量のホスホン酸を含むことができる。ホスホン酸の量が少な過ぎる場合には、有益な効果が観られない。対照的に、ホスホン酸の量が多過ぎる場合には、酸化ケイ素の除去速度を低下させることができる。従って、本研磨組成物は、典型的には、0.001質量%以上、例えば、0.002質量%、0.003質量%、0.004質量%、0.005質量%、0.0075質量%、0.01質量%、0.05質量%、0.1質量%以上、0.2質量%以上、または0.5質量%以上のホスホン酸を含んでいる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、2質量%以下、例えば1.5質量%以下、または1質量%以下のホスホン酸を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた量のホスホン酸を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、0.001質量%〜2質量%、0.002質量%〜1.5質量%、または0.003質量%〜1質量%のホスホン酸を含むことができる。
他の態様では、本研磨組成物は、1000ppm以下のホスホン酸、例えば、900ppm以下、800ppm以下、700ppm以下、600ppmppm以下、500ppm以下、400ppm以下、300ppm以下、200ppm以下、または100ppm以下のホスホン酸を含んでいる。他の態様では、本研磨組成物は、150ppmのホスホン酸、125ppmのホスホン酸、50ppmのホスホン酸、および25ppmのホスホン酸を含んでいる。
幾つかの態様では、本発明の化学機械研磨組成物は、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物を含んでいる。両性イオン性化合物であることができるこの窒素含有化合物は、特定のpHで両性イオン性化合物であることができる窒素含有化合物である。両性イオン性化合物は、非隣接の原子上に形式反対電荷を有する中性の化合物である。両性イオン性化合物は、典型的には酸性部分と塩基性部分の両方を含んでおり、酸部分のpKaは塩基部分のpKaと異なっており、そのために、この化合物は、pHが、酸部分のpKaと塩基部分のpKaとの間にある場合に、両性イオン性である。また、両性イオン性化合物は、分子内塩と表される。例えば、アミノ酸(例えば、リシン)は、両性イオン性化合物であることができる窒素含有化合物であるが、両性イオン性化合物であることができる窒素含有化合物は、アミノ酸である必要はない。例えば、ベタイン、ピリジンエタンスルホン酸、ピリジンスルホン酸、ピリジル酢酸、3−(3−ピリジル)プロピオン酸、ピラジンカルボン酸、1−(3−スルホプロピル)ピリジニウムヒドロキシド、およびピコリン酸は、両性イオン性化合物であることができる窒素含有化合物である。本研磨組成物に有用である両性イオン性化合物である更なる窒素含有化合物としては、スルファニル酸、ドデシルジメチル(3−スルホプロピル)アンモニウムヒドロキシド(ラウリルスルホベタイン)、(カルボキシメチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(ベタイン)、2−(N−モルフォリノ)エタンスルホン酸、N−2−アセトアミドイミド二酢酸、1,3−ビス[トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ]プロパン、N−2−アセトアミド−2−アミノエタンスルホン酸、3−(N−モルホリン)プロパンスルホン酸、N−トリス(ヒドロキシメチル)メチル−2−アミノエタンスルホン酸、N−2−ヒドロキシエチルピペラジン−N’−2−エタンスルホン酸、N−2−ヒドロキシエチルピペラジン−N’−3−プロパンスルホン酸、N−トリス(ヒドロキシメチル)メチルグリシン、シクロヘキシルアミノエタンスルホン断、3−(シクロヘキシルアミノ)プロパンスルホン酸、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、それらの塩、およびそれらの混合物が挙げられる。本研磨組成物は、存在する場合には、好適な量の1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物を含んでいる。窒素含有両性イオン性化合物の量が少な過ぎる場合には、有益な効果が観られない。対照的に、窒素含有両性イオン性化合物が多過ぎる場合には、その研磨組成物は、望ましくな研磨特性を示す可能性があるか、および/または費用効率が高くない可能性がある。本研磨組成物は、使用の地点で、1ppm以上の窒素含有両性イオン性化合物、例えば、5ppm以上、10ppm以上、15ppm以上、25ppm以上、50ppm以上、75ppm以上、100ppm以上、125ppm以上、150ppm以上、175ppm以上、200ppm以上、250ppm以上、300ppm以上、350ppm以上、400ppm以上、450ppm以上、または500ppm以上の窒素含有両性イオン性化合物を含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、1000ppm以下の窒素含有両性イオン性化合物、例えば、950ppm以下、900ppm以下、850ppm以下、800ppm以下、750ppm以下、700ppm以下、650ppm以下、600ppm以下、または550ppm以下の窒素含有両性イオン性化合物を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた量、例えば1ppm〜1000ppm、5ppm〜950ppmなどで、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物を含むことができる。
好ましい態様では、本研磨組成物は、ピコリン酸を含んでいる。本研磨組成物は、使用の地点で、典型的には100ppm以下のピコリン酸、例えば使用の地点で、90ppm以下、85ppm以下、80ppm以下、75ppm以下、70ppm以下、65ppm以下、60ppm以下、55ppm以下のピコリン酸を含んでいる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、使用の地点で、15ppm以上のピコリン酸、例えば、20ppm以上、25ppm以上、30ppm以上、35ppm以上、40ppm以上、45ppm以上、または50ppm以上のピコリン酸を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた量で、ピコリン酸を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、使用の地点で、15ppm〜100ppmのピコリン酸、20ppm〜95ppm、25ppm〜90ppm、30ppm〜85ppmのピコリン酸などを含むことができる。
他の好ましい態様では、本研磨組成物は、ベタインを含んでいる。本研磨組成物は、典型的には、使用の地点で、1000ppm以下のベタイン、使用の地点で、例えば、950ppm以下、900ppm以下、850ppm以下、800ppm以下、750ppm以下、700ppm以下、650ppm以下、600ppm以下、550ppm以下のベタインを含んでいる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、使用の地点で、100ppm以上のベタイン、使用の地点で、例えば150ppm以上、200ppm以上、250ppm以上、300ppm以上、350ppm以上、400ppm以上、450ppm以上、または500ppm以上のベタイン含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められる量で、ベタインを含むことができる。例えば、本研磨組成物は、使用の地点で100ppm〜1000ppmのベタイン、150ppm〜950ppm、200ppm〜900ppm、250ppm〜850ppm、300ppm〜800ppmのベタインなどを含むことができる。
幾つかの態様では、本発明の研磨組成物は、2種以上の窒素含有両性イオン性化合物を含んでいる。例えば、幾つかの態様では、本研磨組成物は、ピコリン酸およびベタインおよび/またはアミノ酸(例えば、リシン)を含んでいる。
幾つかの態様では、本化学機械研磨組成物は、1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体を含んでいる。例示的なスルホン酸共重合体としては、アクリル酸および2−アクリルアミド−2−メチルプロピルスルホン酸(AMPS)の共重合体がある。1つの態様では、スルホン酸共重合体は、15000g/モル以上、例えば、25000g/モル以上、50000g/モル以上、75000g/モル以上、100000g/モル以上、125000g/モル以上、150000g/モル以上、200000g/モル以上、225000g/モル以上、または250000g/モル以上の平均分子量を有するポリ(アクリル酸)−コ−ポリ−(AMPS)である。あるいは、または加えて、ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体は、500000g/モル以下、450000g/モル以下、400000g/モル以下、350000g/モル以下、または300000g/モル以下の平均分子量を有している。従って、ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた平均分子量、例えば15000g/モル〜500000g/モルなどの平均分子量を有することができる。
また、スルホン酸共重合体は、スルホン化多元共重合体、例えば三元共重合体を含むことができる。スルホン化多元共重合体の例示的な例としては、AkzoNobel(Chicago、イリノイ州)のALCOFLOW(商標)270およびLubrizol(Cleveland、オハイオ州)のCARBOSPERSE(商標)K-797Dが挙げられる。
本研磨組成物は、存在する場合には、使用の地点で、いずれかの好適な量のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を含むことができる。ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体の量が少な過ぎる場合には、基材の微細構造(topography)に有益な効果が得られない。対照的に、ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体の量が多過ぎる場合には、その研磨組成物は、望ましくない研磨特性を示す可能性があり、および/または費用効率が高くない可能性がある。従って、本研磨組成物は、使用の地点で、液体担体およびそれに溶解もしくは懸濁されたいずれかの成分の総質量を基準として、1ppm以上のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を含むことができる。例えば、本研磨組成物は、5ppm以上、50ppm以上、100ppm以上、250ppm以上、500ppm以上、1000ppm以上、または1250ppm以上のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を含むことができる。あるいは、または加えて、本研磨組成物は、2000ppm以下のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体、例えば、1750ppm以下、または1500ppm以下のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を含むことができる。従って、本研磨組成物は、上記の端点のいずれかの2つによって定められた量で、ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を、例えば、1ppm〜2000ppm、5ppm〜1500ppm、50ppm〜1250ppmなどのポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)共重合体を含むことができる。
本発明の化学機械研磨組成物は、1種もしくは2種以上のアニオン性共重合体を含むことができる。いずれかの好適なアニオン性共重合体を用いることができる。アニオン性共重合体は、アニオン性モノマーの共重合体を含むことができる。アニオン性モノマーの例としては、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、4−スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、およびビニルホスホン酸が挙げられる。アニオン性モノマーは、いずれかの好適な有機酸と重合することができる。好適な有機酸の例としては、アクリル酸、メタクリル酸およびマレイン酸が挙げられる。それらのアニオン性モノマーと有機酸とのいずれかの組合わせは、好適なアニオン性ポリマーと考えることができる。例示的なアニオン性共重合体としては、ポリ(マレイン酸)−コ−ポリ(スチレン−4−スルホン酸)(Akzo Nobelから商業的に入手可能なVERSA TL(商標)-4)がある。
本発明の化学機械研磨組成物は、第四級アミンを含むポリマーを含むことができる。第四級アミンを含むポリマーは、存在するのであれば、第四級アミンを含むいずれかの好適なポリマーであることができ、そして本研磨組成物中に、いずれかの好適な量で存在することができる。好適なモノマーの例としては、メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ジメチルアミノ(メタ)アクリレートおよびジアリルジメチルアンモニウムクロリドが挙げられる。
本発明の化学機械研磨組成物は、本研磨組成物のpHを調整する(すなわち、調節する)ことができる1種もしくは2種以上の化合物(すなわち、pH調整化合物)を含むことができる。本研磨組成物のpHは、本研磨組成物のpHを調整することができるいずれかの好適な化合物を用いて調整することができる。pH調整化合物は、望ましくは水溶性かつ、本研磨組成物の他の成分と相溶性である。典型的には、本化学機械研磨組成物は、使用の地点で、5.5〜8.5のpHを有している。幾つかの態様では、pHを調整することができる化合物は、本研磨組成物の酸性のpHを緩衝することができることが望ましい。従って、それらの態様では、本研磨組成物のpHは、7.0未満(例えば、6.5±0.5、6.0±0.5、5.5±0.5、5.0±0.5、4.5±0.5、4.0±0.5、3.5±0.5、3.0±0.5、2.5±0.5、または2.0±0.5)であることが望ましい。典型的には、それらの態様における本研磨組成物のpHは、使用の地点で、5.5である。従って、本研磨組成物のpHを調整することができる化合物は、典型的には、25℃で測定した場合に、5〜7のpKaを有する少なくとも1種のイオン化可能基を有している。
他の態様では、pHを調整することができる化合物は、塩基性のpHを緩衝することができることが望ましい。従って、それらの態様では、本研磨組成物のpHは、7.0超(例えば、7.3±0.2、7.5±0.3、7.8±0.5、8.0±0.5、8.3±0.5、8.5±0.5、8.8±0.5、または9.0±0.5)であることが望ましい。典型的には、それらの態様では、本研磨組成物のpHは、使用の地点で、7〜9である。
1つの態様では、pHを調整することができる化合物は、アンモニウム塩、アルカリ金属塩、カルボン酸、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、ホウ酸塩、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる。
本発明の化学機械研磨組成物は、随意選択的に、1種もしくは2種以上の添加剤を更に含んでいる。例示的な添加剤としては、軟化剤(conditioners)、酸(例えば、スルホン酸)、錯化剤(例えば、アニオン性ポリマー錯化剤)、キレート化剤、殺生物剤、スケール防止剤、分散剤などが挙げられる。
殺生物剤は、存在する場合には、いずれかの好適な殺生物剤であることができ、そして本研磨組成物中にいずれかの好適な量で存在することができる。好適な殺生物剤としては、イソチアゾリンオン殺生物剤がある。本研磨組成物に用いられる殺生物剤の量は、典型的には1〜50ppm、好ましくは10〜20ppmである。
酸、塩基、または塩(例えば、有機カルボン酸、塩基および/またはアルカリ金属炭酸塩など)である、本研磨組成物のいずれかの成分は、本研磨組成物の水中に溶解されている場合には、カチオンおよびアニオンとして解離した形態で存在することができることが理解されるであろう。ここに記載されている本研磨組成物中に存在するそのような化合物の量は、本研磨組成物の調製に用いられる、解離されていない化合物の質量を指していると理解されるであろう。
本研磨組成物は、いずれかの好適な技術によって生成することができ、その多くは、当業者に知られている。本研磨組成物は、バッチ法または連続法で調製することができる。通常は、本研磨組成物は、本研磨組成物の成分を混合することによって調製することができる。ここで用いられる用語「成分」は、個々の原料(例えば、セリア研磨剤、ノニオン性ポリマー、ホスホン酸、窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的なポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、随意選択的な1種もしくくは2種以上のスルホン酸共重合体、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、および/またはいずれかの随意選択的な添加剤)ならびに原料のいずれかの組合わせ(例えば、セリア研磨剤、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体など)を含んでいる。
例えば、本研磨組成物は、(i)液体担体の全てもしくは一部を準備すること、(ii)セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーのポリマー類、随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、および本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、を、そのような分散液を調整するのに好適ないずれかの手段を用いて、分散すること、(iii)この分散液のpHを適切に調整すること、ならびに(iv)随意選択的に、好適な量のいずれかの他の随意選択的な成分および/また添加剤をこの混合物に加えること、によって調製することができる。
あるいは、本研磨組成物は、(i)セリア酸化物スラリー中の1種もしくは2種以上の成分(例えば、液体担体、セリア研磨剤および1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、および1種もしくは2種以上の随意選択的な成分)を準備すること、(ii)添加剤溶液中の1種もしくは2種以上の成分(例えば、液体担体、1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、および1種もしくは2種以上の随意選択的な成分)を準備すること、(iii)この分散液のpHを適切に調整すること、ならびに(iv)随意選択的に、好適な量のいずれかの他の随意選択的な添加剤を、この混合物に加えること、によって調製することができる。
本研磨組成物は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、ならびに水を含む、一体の包装系として、提供することができる。あるいは、2容器、または3もしくは4以上の容器の、本研磨組成物の成分の組合わせは、当業者の知識の範囲内である。随意選択的な成分、例えば、殺生物剤は、必要に応じて、第1および/または第2の容器、あるいは第3の容器中に配置することができる。更に、第1または第2容器中の成分は、乾燥形態であることができ、一方で、他の容器中の成分は、存在するならば、水性分散液の形態であることができる。更に、第1または第2の容器中の成分は、異なる、実質的に同様の、または更には等しいpH値を有することができる。随意選択的な成分および/または添加剤、例えばアニオン性ポリマー錯化剤が固体である場合には、それは、乾燥形態で、または液体担体中の混合物のいずれかで供給することができる。
あるいは、本発明の研磨組成物は、セリア酸化物スラリーおよび添加剤溶液を含む2包装系として提供され、セリア酸化物スラリーは、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、ならびに水から本質的になる、またはからなり、そして添加剤溶液は、随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、随意選択的なノニオン性ポリマーおよび随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体から本質的になる、またはからなる。2包装系は、その2つの包装、すなわちセリア酸化物スラリーと添加剤溶液の混合比率を変更することによって、基材の全体的な平坦化特性および研磨速度の調整を可能にする。
種々の方法を、そのような2包装研磨系を使用するために用いることができる。例えば、セリウム酸化物スラリーおよび添加剤溶液は、異なる管によって供給することができ、それらは供給管の出口で結合および連結されて、研磨台上に混合物を供給するか、または、セリウム酸化物スラリーおよび添加剤溶液は、研磨の少し前もしくは直前に混合することができ、または研磨台上に同時に供給することができる。更に、2包装を混合する場合には、所望により、脱イオン水を加えることができ、研磨組成物および結果として得られる基材の研磨特性を調整することができる。
貯蔵装置中に容れられた成分を混合して、使用の場所で、もしくはその近傍で、研磨組成物を生成させるために、その貯蔵装置は、典型的には、それぞれの貯蔵設備から、研磨組成物の使用の地点(例えば、プラテン、研磨パッド、または基材表面)へと導く、1つもしくは2種以上の流れ経路を与えられる。ここで用いられる用語「使用の地点」は、研磨組成物が基材の表面に適用される場所(例えば、研磨パッドまたは基材の表面自体)を表している。本研磨組成物が、使用の地点での混合を用いて生成される場合には、本研磨組成物の成分は、必要に応じて、2つもしくは3つ以上の貯蔵装置中に別々に貯蔵される。用語「流れの経路」は、個々の貯蔵容器からの、そこに貯蔵された成分の、使用の地点への流れの経路を意味している。1つもしくは2つ以上の流れの経路は、それぞれが直接に使用の地点に導くことができ、または1つ以上の流れの経路が用いられる場合には、2つもしくは3つ以上の流れの経路が、いずれかの地点で単一の流れの経路へと一体化されることができ、それが使用の地点に導く。更には、1つもしくは2つ以上の流れの経路のいずれか(例えば、個々の流れの経路または一体化された流れの経路)は、その成分の使用の地点に到達する前に、他の装置(例えば、ポンプ装置、計量装置、混合装置など)の1つもしくは2つ以上に先ず導くことができる。
本研磨組成物の成分は、使用の地点に独立して供給することができる(例えば、これの成分は、基材の表面い供給して、そこでそれらの成分は、研磨プロセスの間に混合される)か、または1種もしくは2種以上の成分を、使用の地点への供給の前に、例えば、使用の地点への供給の少し前もしくは直前に、混合することができる。成分が、プラテン上に混合された形態で加えられる前の5分間以内に、例えば、4分間以内、3分間以内、2分間以内、1分間以内、45秒間以内、30秒間以内、10秒間以内、または更には使用の地点でのこれらの成分の供給と同時に(例えば、これらの成分は供給器で混合される)混合される場合には、成分は、「使用の地点への供給の直前」に混合されている。また、成分が、使用の地点の5m以内、例えば、使用の地点の1m以内、または更には使用の地点の10cm以内(例えば、使用の地点の1cm以内)で混合される場合には、成分は「使用の地点への供給の直前」に混合されている。
本研磨組成物の2種もしくは3種以上の成分が、使用の地点に到達する前に混合される場合には、それらの成分は、流れの経路内で混合され、そして混合装置の使用なしに、使用の地点に供給されることができる。あるいは、1つもしくは2以上の流れの経路は、混合装置中に導いて、2種もしくは3種以上の成分の混合を促進することができる。いずれかの好適な混合装置を用いることができる。例えば、混合装置は、ノズルまたはジェット(例えば、高圧ノズルまたはジェット)であることができ、それを通して、2種もしくは3種以上の成分が流れる。あるいは、混合装置は、容器型の混合装置であることができ、1つもしくは2つ以上の入口(それによって研磨スラリーの2種もしくは3種以上の成分がこの混合器へと導入され)、および少なくとも1つの出口を有しており、それを通して混合された成分は混合器を出て、直接にまたはこの設備の他の要素を経由して(例えば、1つもしくは2つ以上の流れの経路を経由して)のいずれかで、使用の地点へと供給される。更に、混合装置は、2つ以上のチャンバを含むことができ、それぞれのチャンバは少なくとも1つの入口および少なくとも1つの出口を有しており、2種もしくは3種以上の成分がそれぞれのチャンバ中で混合される。容器型の混合装置が用いられる場合には、混合装置は、これらの成分の混合を更に促進するように、好ましくは混合機構を含んでいる。混合機構は、当技術分野で通常知られており、そして攪拌機(stirrers)、混合器、攪拌機(agitators)、パドル翼、ガススパージャシステム、振動機などが挙げられる。
また、本研磨組成物は、濃縮物として提供することができ、これは、使用の前に、適切な量の水で希釈されることが意図されている。そのような態様では、本研磨組成物濃縮物は、この濃縮物の、適切な量の水での希釈によって、本研磨組成物のそれぞれの成分が、本研磨組成物中に、それぞれの成分についての上記の適切な範囲内の量で存在するように、本研磨組成物の成分を含んでいる。例えば、セリア研磨剤、ノニオン性ポリマー、随意選択的なホスホン酸、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的なポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、随意選択的なスルホン酸共重合体、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な化合物、および随意選択的な添加剤は、それぞれの成分についての上記の濃度よりも2倍(例えば、3倍、4倍、または5倍)多い量で濃縮物中にそれぞれ存在することができ、それによって、この濃縮物が等体積の水(例えば、それぞれ2等体積の水、3等体積の水、または4等体積の水)で希釈された場合にそれぞれの成分が、本研磨組成物中に、それぞれの成分について、上記で説明した範囲内の量で存在することになる。更には、当業者には理解されるように、濃縮物は、セリア研磨剤、ノニオン性ポリマー、随意選択的なホスホン酸、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的なポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、随意選択的なスルホン酸共重合体、本研磨組成物のpHを調整することができる随意選択的な化合物、および随意選択的な添加剤が、この濃縮物中に少なくとも部分的に、または完全に溶解することを確実にするために、最終の研磨組成物中に存在する水の適切な一部を含むことができる。
本発明の研磨組成部は、望ましくは、本発明の方法によって酸化ケイ素を含む基材を研磨する場合には、高い除去速度を示す。例えば、本発明の態様に従って、高密度プラズマ(HDP)酸化物および/またはプラズマ促進テトラエチルオルトケイ酸塩(PETEOS)および/またはテトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)を含むシリコンウエハを研磨する場合には、本研磨組成物は、望ましくは、500Å/分以上、700Å/分以上、1000Å/分以上、1250Å/分以上、1500Å/分以上、1750Å/分以上、2000Å/分以上、2500Å/分以上、3000Å/分以上、3500Å/分以上、の酸化ケイ素除去速度を示す。1つの態様では、酸化ケイ素の除去速度は、4000Å/分以上、4500Å/分以上、または5000Å/分以上であることができる。
更に、本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは本発明の方法によって窒化ケイ素を含む基材を研磨する場合には、低い除去速度を示す。例えば、本発明の態様によって窒化ケイ素を含むシリコンウエハを研磨する場合には、本研磨組成物は、望ましくは250Å/分以下、例えば、200Å/分以下、150Å/分以下、100Å/分以下、75Å/分以下、50Å/分以下、または更には25Å/分以下の窒化ケイ素の除去速度を示す。
更に、本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは本発明の方法によってポリシリコンを含む基材を研磨する場合には、低い除去速度を示す。例えば、本発明の態様によってポリシリコンを含むシリコンウエハを研磨する場合には、本研磨組成物は、望ましくは1000Å/分以下、750Å/分以下、500Å/分以下、250Å/分以下、100Å/分以下、50Å/分以下、25Å/分以下、10Å/分以下、または更には5Å/分以下のポリシリコンの除去速度を示す。
更に、本発明の研磨組成物は、望ましくは好適な技術によって定められたように基材を研磨する場合には、少ない粒子欠陥を示す。好ましい態様では、本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは少ない欠陥に寄与する湿式法セリアを含む。本発明の研磨組成物で研磨された基材上の粒子欠陥は、いずれかの好適な技術によって測定することができる。例えば、レーザー光散乱法、例えば暗視野法線ビームコンポジット(dark field normal beam composite)(DCN)および暗視野傾斜ビームコンポジット(dark field oblique beam composite)(DCO)を、研磨された基材上の粒子欠陥を測定するのに用いることができる。粒子欠陥を評価するための計測機器は、例えばLA-Tencorから入手可能である(例えば、SURFSCAN(商標)SP1設備で、120nmの閾値で、または160nmの閾値で運転される)。
本発明の研磨組成物で研磨された、基材、特に酸化ケイ素および/または窒化ケイ素および/またはポリシリコンを含むシリコンは、望ましくは、20000カウント以下、例えば、17500カウント以下、15000カウント以下、12500カウント以下、3500カウント以下、3000カウント以下、2500カウント以下、2000カウント以下、1500カウント以下、または1000カウント以下のDCN値を有している。好ましくは、本発明の態様によって研磨された基材は、750カウント以下、500カウント以下、250カウント以下、125カウント以下、または更には、100カウント以下のDCN値を有している。あるいは、または加えて、本発明の化学機械研磨組成物は、望ましくは、基材を研磨した場合に、好適な技術によって測定して、少ない引掻き傷を示す。例えば、本発明の態様によって研磨されたシリコンウエハは、望ましくは、当技術分野で知られたいずれかの好適な方法によって測定して、250以下の引掻き傷、または125以下の引掻き傷を含んでいる。
本発明の研磨組成物は、特定の薄層材料に選択的な、所望の研磨範囲での効率的な研磨を与えるように誂えることができ、一方で、同時に、表面の不完全性、欠陥、腐食、浸食および停止層の除去を最小化する。選択性は、ある程度は、本研磨組成物の成分の相対的な濃度を変更することによって制御することができる。所望であれば、本発明の方法は、二酸化ケイ素のポリシリコンに対する、5:1もしくはそれ以上(例えば、10:1もしくはそれ以上、15:1もしくはそれ以上、25:1もしくはそれ以上、50:1もしくはそれ以上、100:1もしくはそれ以上、または150:1もしくはそれ以上)の研磨選択性で、基材を研磨するのに用いることができる。また、本発明の方法は、窒化ケイ素のポリシリコンに対する2:1もしくはそれ以上(4:1もしくはそれ以上、または6:1もしくはそれ以上)の研磨選択性で、基材を研磨するのに用いることができる。特定の配合では、更に高い二酸化ケイ素のポリシリコンに対する選択性、例えば20:1もしくはそれ以上、または更には30:1もしくはそれ以上を示すことができる。好ましい態様では、本発明の方法は、二酸化ケイ素と窒化ケイ素の、ポリシリコンに対する選択的な研磨を同時に与える。
また、本発明は、以下の工程、
(i)基材を、研磨パッドおよびここで記載したような化学機械研磨組成物と接触させること、
(ii)この研磨パッドを、基材に対して、それらの間に本化学機械研磨組成物を備えて、動かすこと、および、
(iii)基材の少なくとも一部を削り取って、基材を研磨すること、
を含む基材の化学機械研磨方法を提供する。
本化学機械研磨組成物は、いずれかの好適な基材を研磨するのに用いることができ、そして低誘電性材料からなる少なくとも1つの層(典型的には表面層)を含む基材を研磨するために特に有用である。好適な基材としては、半導体工業で用いられるウエハが挙げられる。これらのウエハは、典型的には、例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、金属複合材、金属合金、低誘電性材料、またはそれらの組合わせを含む、またはからなる。本発明の方法は、酸化ケイ素、窒化ケイ素および/またはポリシリコン、例えば前記の材料のいずれかの1つ、2つまたは特には3つ全て、を含む基材を研磨するために特に有用である。例えば、本研磨組成物は、電子工業で用いられるシリコンウエハを研磨するのに用いることができる。この点について、シリコンは、ドーブされていないシリコンであることができ、またはそれは、ホウ素もしくはアルミニウムがドープされたp−型シリコンであることができる。更には、シリコンは、ポリシリコンであることができる。
基材は、望ましくは、酸化ケイ素および/または窒化ケイ素と組合わせて、ポリシリコンを含んでいる。ポリシリコンは、いずれかの好適なポリシリコンであることができ、それらの多くは当技術分野において知られている。ポリシリコンは、いずれかの好適な相を有することができ、そして無定形、結晶性、またはそれらの組合わせであることができる。酸化ケイ素は、同様にいずれかの好適な酸化ケイ素であることができ、それらの多くは当技術分野において知られている。酸化ケイ素の好適な種類としては、ホウリンケイ酸ガラス(BPSG)、PETEOS、熱酸化物、ドープされていないケイ酸塩ガラス、およびHDP酸化物が挙げられるが、それらには限定されない。他の好適な金属酸化物としては、部分安定化ジルコニア(PSZ)が挙げられる。
有利には、本発明の研磨方法を用いて研磨されたシリコン基材は、低表面粗さおよび低粒子欠陥を示す。表面粗さ(Ra)は、ここでは平面性からの偏差の算術平均として定義されるが、いずれかの好適な技術を用いて測定することができる。好適な技術としては、例えば、Veeco Instruments (Plainview、ニューヨーク州)から入手可能な機器を用いた、触針形状測定(stylus profilometry)および光学的形状測定(optical profilometry)、ならびに原子間力顕微鏡法が挙げられる。典型的には、本発明の研磨方法は、シリコンウエハ上に、光学的形状測定を用いて測定した場合に、20Å以下(例えば、14Å以下、または12Å以下、または10Å以下、または更には8Å以下)の表面粗さを生成する。
本発明の研磨組成物および方法は、化学機械研磨装置と組み合わせた使用に特に好適である。典型的には、この装置は、プラテン(これは、使用時には、動作し、そして軌道、直線、または円形の動きからもたらされる速度を有する)、プラテンと接触し、そして動作時にはプラテンと共に動く研磨パッド、ならびに研磨される基材を、基材を研磨パッドの表面に対して接触させ、そして動かすことによって保持する支持体、を含んでいる。基材の研磨は、基材を研磨パッドおよび本発明の研磨組成物と接触させるように配置し、そして次いで研磨パッドを基材に対して動かして、基材の少なくとも一部を削り取って、基材を研磨することによって起こる。
基材は、いずれかの好適な研磨パッド(例えば、研磨表面)を用いて、化学機械研磨組成物で研磨することができる。好適な研磨パッドとしては、例えば、織物の、および不織の研磨パッドが挙げられる。更には、好適な研磨パッドは、種々の密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮への反発能力、および圧縮弾性率のいずれかの好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共形成された製品、およびそれらの混合物が挙げられる。軟質ポリウレタン研磨パッドは、本発明の研磨方法と共に、特に有用である。典型的なパッドとしては、SURFIN(商標)000、SURFIN(商標)SSW1、SPM3100(例えば、Eminess Technologiesから商業的に入手可能)、POLITEX(商標)、およびFujibo POLYPAS(商標)27が挙げられるが、それらには限定されない。特に好ましい研磨パッドとしては、Cabot Microelectronicsから商業的に入手可能なEPIC(商標)D 100パッドがある。
望ましくは、化学機械研磨装置は、その場での研磨終点検知器を更に含んでおり、それらの多くは、当技術分野において知られている。研磨されている基材の表面から反射される光または他の輻射線を解析することによって研磨プロセスを検査および監視するための技術は、当技術分野において知れらている。そのような方法は、例えば、米国特許第5,196,353号、米国特許第5,433,651号、米国特許第5,609,511号、米国特許第5,643,046号、米国特許第5,658,183号、米国特許第5,730,642号、米国特許第5,838,447号、米国特許第5,872,633号、米国特許第5,893,796号、米国特許第5,949,927号、米国特許第5,964,643号明細書中に開示されている。望ましくは、研磨されている基材に対する研磨プロセスの進行の検査または監視は、研磨の終点の決定、すなわち、特定の基材に対して研磨プロセスを何時停止するかの決定を可能にする。
以下の例は、本発明を更に説明するが、しかしながら、その範囲を限定するものとは決して解釈されてはならない。
以下の省略形が、例を通して用いられる:除去速度(RR);テトラエチルオルトシリケート(TEOS);窒化ケイ素(SiN);ポリシリコン(polySi);分子量(MW);ヒドロキシエチルセルロース(HEC);ホスホン酸(PA);ポリエチレングリコール(PEG);プラズマ促進テトラエチルオルトシリケート(PETEOS);ポリビニルピロリドン(PVP);ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体(PEO/PPO);ポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロピルスルホン酸(PAA−AMPS)、およびシロキサンポリアルケンオキシド共重合体(SiO/PAO)。
以下の例では、基材は、MIRRA(商標)(Applied Materials, Inc.)またはREFLEXION(商標)(Applied Materials, Inc.)の機器のいずれかを用いて研磨した。IC 1010(商標)研磨パッド(Rohm and Haas Electronic Materials)を、全ての条件において同じ研磨パラメータで、用いた。除去速度は、分光偏光解析法(spectroscopic elipsometry)を用いて膜厚を測定し、そして初期の厚さから最終的な厚さを引き算することにによって計算された。
例1
この例は、本発明の研磨組成物を示しており、これはセリア研磨剤、1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、随意選択的な1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、および水を含んでおり、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なpolySi選択性を備えたTEOSの好適な除去速度、を示すことができる。
TEOSおよびpolySiを含むシリコンウエハは、表1中に明示したように研磨組成物1A〜1Mで、同じ条件下で研磨された。それぞれの研磨組成物は、0.4質量%の湿式法セリア(Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標))を含んでいた。それぞれの研磨組成物は、表1中に明示したように、PEG(Dow Corporationから商業的に入手可能な8,000 MW)、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体(PLURONIC(商標)L31)、ホスホン酸(DEQUEST(商標)D2000EG)を含んでいた。研磨組成物1I〜1Mは、128ppmのピコリン酸を更に含んでいた。それぞれの研磨組成物のpHは、5.5であった。対照の組成物は、0.4質量%の湿式法セリアおよび水のみを含んでいた。
TEOSとpolySiの除去速度は、それぞれの研磨組成物について測定され、そして表1中に明記した。
Figure 0006082097
表1に示した結果から明らかなように、湿式法セリア研磨剤、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ホスホン酸、随意選択的な窒素含有両性イオン性化合物、および水を含む研磨組成物は、良好な総合的な基材研磨特性を示すことができ、例えば1000Å/分超の、そして4000Å/分までのTEOS除去速度で、50Å/分未満の高いpolySi除去速度を備えていて、従って高いTEOS:polySi選択性を有する。
例2
この例は、本発明の研磨組成物を示しており、それは、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、ピコリン酸、および水を含んでおり、良好な総合的な基材研磨特性、例えば良好なpolySi選択性を備えながら好適なTEOSの除去速度、を示すことができる。
TEOSおよびpolySiを含むシリコンウエハを、表2に示したように、研磨組成物2A〜2Eと明記した5種の異なる研磨組成物で、同じ条件下で研磨した。それぞれの研磨組成物は、0.4質量%の、Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標)湿式法セリアを含んでいた;シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体(SiO/PAO)は、Momentive Performance Chemicalsによって製造されたSILWET(TM) L-7604であった;PVPは、Sigma-Aldrich製であった;ホスホン酸源は、DEQUEST(商標)D2000EGであった;そしてピコリン酸は、Yuki Gosei Kogyo USA, Inc.製であった。研磨組成物2Aは、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体を含まないが、しかしながら1667ppmのPEG(Dow Corporationから商業的に入手可能な8,000 MW)を含んでいた。
TEOS、SiN、およびpolySi除去速度が、それぞれの研磨組成物について測定され、そして表3中に示した。
Figure 0006082097
Figure 0006082097
研磨組成物のディッシング性能を、外形にわたって厚さを測定することによってパターン化されたウエハ上で評価した。ディッシング性能の結果を表4に示した。
Figure 0006082097
表3に示した結果から明らかなように、湿式法セリア研磨剤、シロキサンポリアルキレン共重合体、1種もしくは2種以上のホスホン酸、ピコリン酸、および水を含む研磨組成物(研磨組成物2B〜2E)は、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なTEOS:SiNおよびTEOS:polySi選択性を備えた、TEOSの好適な除去速度を示すことができる。更に、表4に示した結果から明らかなように、そのような研磨組成物(研磨組成物2B〜2E)は、残っているトレンチ厚さの増加(300〜400Åの研磨組成物2Aと比較して)によって証明されるように、好適なディッシング性能を示す。
例3
この例は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、および水を含む、本発明の研磨剤組成物が、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なpolySiおよびSiNの選択性を備えた、好適なTEOSの除去速度、を示すことができることを示している。
TEOS、polySi、およびSiNを含むシリコンウエハを、研磨組成物3A〜3Dと明記された4つの異なる研磨組成物で、同じ条件下で研磨した。それぞれの研磨組成物は、使用の地点で、0.4質量%の、Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標)湿式法セリアを含んでいた。また、研磨組成物は、Shandong TaiHe Water Treatment Co., Ltd.製のポリ(アクリル酸)−コ−ポリ(AMPS)(PAA/AMPS)、DEQUEST(商標)D2000EGの形態のホスホン酸(PA)、およびYuki Gosei Kogyo USA, Inc.製のピコリン酸を、表5中に示した量で、含んでいた。研磨組成物3Aは、1667ppmのPEG(8,000 MW)を含んでおり、そしてHECまたはスルホン酸共重合体のいずれをも含んでいなかった。研磨組成物3B〜3Dは、表5中に示したように、異なる量の、Dow Chemical Companyから商業的に入手可能なCELLOSIZE(TM) QP-09Lヒドロキシエチルセルロース(HEC)を含んでいた。それぞれの研磨組成物のpHは、7〜8であった。
TEOS、SiN、およびpolySiの除去速度は、それぞれの研磨組成物について測定され、そして表6中に示した。更に、研磨組成物3A、3C、および3Dの研磨特性を、パターン化されたウエハ上で測定し、そしてそれらの結果を表7中に示した。
Figure 0006082097
Figure 0006082097
Figure 0006082097
表6に示した結果から明らかなように、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、および水を含む研磨組成物(研磨組成物3A〜3D)は、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なTEOS:SiNおよびTEOS:polySi選択性を備えた、TEOSの好適な除去速度、ならびに好適なディッシング性能、を示している。例えば、研磨組成物3A〜3Dは、それぞれHECをノニオン性ポリマーとして含んでおり、好適なTEOS:polySi選択性を示している。更に、研磨組成物3Cおよび3Dのそれぞれは、フィーチャ寸法(例えば、2100〜2500Åのトレンチ厚さ)の範囲に亘って低いトレンチ損失を示した。
例4
この例は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、および水を含む、本発明の研磨組成物は、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なpolySiおよびSiN選択性を備えた、TEOSの好適な除去速度を、示すことができる。
TEOS、polySi、およびSiNを含むシリコンウエハは、Applied Materialsから商業的に入手可能なREFLEXION(商標)設備を用いて、研磨組成物4Aおよび4Bとして示された2つの異なる研磨組成物で、同じ条件下で研磨された。それぞれの研磨組成物4Aおよび4Bは、0.4質量%の、Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標)湿式法セリア、1000ppmのポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体(PLURONIC(商標)L31)、64ppmのホスホン酸(PA)、16ppmのピコリン酸、および1667ポリエチレングリコールを含んでいた。研磨組成物4Aはベタインを含んでいなかったが、研磨組成物4Bは100ppmのベタインを含んでいた。それぞれの研磨組成物のpHは、7〜8であった。
TEOS、SiN、およびpolySiの除去速度を、それぞれの研磨組成物について測定し、そして表8に示した。
Figure 0006082097
表8に示した結果から明らかなように、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上のホスホン酸、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、および水を含む研磨組成物は、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なTEOS:SiNおよびTEOS:polySi選択性を備えた、TEOSの好適な除去速度を示している。更に、ベタインを含むそのような研磨組成物(研磨組成物4B)は、より高いTEOS除去速度ならびに良好なTEOS:SiNおよびTEOS:polySi選択性を示している。
例5
この例は、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、随意選択的な1種もしくは2種以上のアニオン性ポリマー、および水を含む本発明の研磨組成物が、良好な総合的な基材研磨特性、例えば、良好なpolySiおよびSiN選択性を備えた、好適なTEOS除去速度、を示すことができることを示している。
TEOS、polySi、およびSiNを含むシリコンウエハを、表9に示したように、研磨組成物5A〜5Hで、同じ条件下で研磨した。それぞれの研磨組成物5A〜5Hは、0.4質量%の、Rhodiaから商業的に入手可能なHC-60(商標)湿式法セリア、Dow Corporationから商業的に入手可能な50ppmのPEG(8,000 MW)、および500ppmのピコリン酸を含んでいた。この例で用いられた疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体(ここでは櫛型ポリマー(comb polymers)と称される)は、PEG側鎖を備えたポリ(アクリル酸)主鎖からなっている(Akzo Nobel製のAGRILAN(商標)700)。アニオン性共重合体は、ポリ(マレイン酸)−コ−ポリ(スチレン−4−スルホン酸)(Akzo Nobel製のVERSA(商標)TL-4)であった。
TEOS、SiN、およびpolySiの除去速度を、それぞれの研磨組成物について測定し、そしてそれらの結果を表10に示した。それぞれの研磨組成物のディッシング性能を測定し、そしてそれらの結果を表11に示した。
Figure 0006082097
Figure 0006082097
Figure 0006082097
表10および11に示した結果によって明らかなように、セリア研磨剤、1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、随意選択的な1種もしくは2種以上のアニオン性ポリマー、および水を含む研磨組成物は、良好なSiN損失性能および好適なディッシング性能を示している。
本発明は、以下の態様を含んでいる。
(1)下記の(a)〜(i)から本質的になる化学機械研磨組成物。
(a)セリア研磨剤、
(b)ポリアルキレングリコール、ポリエーテルアミン、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ポリアルキルアミド、ポリビニルピロリドン、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体、親水性ノニオン性ポリマー、多糖、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、
(c)1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、
(d)随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、
(e)随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、
(f)随意選択的な1種もしくは2種以上のアニオン性共重合体、
(g)随意選択的な1種もしくは2種以上の、第四級アミンを含むポリマー、
(h)該研磨組成物のpHを調整する、随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、および、
(i)水
(2)前記セリア研磨剤が、湿式法セリアである、(1)記載の研磨組成物。
(3)前記湿式法セリアが、前記研磨組成物の0.1質量%〜10質量%の量で存在する、(2)記載の研磨組成物。
(4)前記1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーが、前記研磨組成物の1ppm〜3000ppmの量で存在する、(1)記載の研磨組成物。
(5)1種もしくは2種以上のポリアルキレングリコールが、前記研磨組成物中に存在する、(1)記載の研磨組成物。
(6)前記1種もしくは2種以上のポリアルキレングリコールが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる、(5)記載の研磨組成物。
(7)ポリエチレングリコールが、前記研磨組成物中に存在する、(6)記載の研磨組成物。
(8)前記ポリエチレングリコールが、300g/モル〜15000g/モルの平均分子量を有する、(7)記載の研磨組成物。
(9)1種もしくは2種以上のポリエーテルアミンが、前記研磨組成物中に存在する、(1)記載の研磨組成物。
(10)1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体が、前記研磨組成物中に存在する、(1)記載の研磨組成物。
(11)前記ポリエチレン/ポリプロピレンオキシド共重合体が、使用の地点で、1ppm〜5000ppmの量で存在する、(10)記載の研磨組成物。
(12)前記1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体の平均分子量が、200g/モル〜4000g/モルである、(10)記載の研磨組成物。
(13)1種もしくは2種以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体が、前記研磨組成物中に存在する、(1)記載の研磨組成物。
(14)1種もしくは2種以上の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体が存在する、(1)記載の研磨組成物。
(15)前記1種もしくは2種以上の疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体が、ポリエチレングリコール側鎖を有するポリアクリル酸主鎖を含むポリマーである、(14)記載の研磨組成物。
(16)前記1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物が、ピコリン酸である、(1)記載の研磨組成物。
(17)基材を化学機械研磨する方法であって、
(I)基材を、研磨パッドおよび下記の(a)〜(i)から本質的になる化学機械研磨組成物と接触させること、
(a)セリア研磨剤、
(b)ポリアルキレングリコール、ポリエーテルアミン、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ポリアルキルアミド、ポリビニルピロリドン、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、疎水性に変性されたポリアクリレート共重合体、親水性ノニオン性ポリマー、多糖、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、
(c)1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、
(d)随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、
(e)随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、
(f)随意選択的な1種もしくは2種以上のアニオン性共重合体、
(g)随意選択的な1種もしくは2種以上の、第四級アミンを含むポリマー、
(h)該研磨組成物のpHを調整する、随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、および、
(i)水、
(II)該研磨パッドを、該基材に対して、該化学機械研磨組成物をそれらの間に備えて動かすこと、ならびに、
(III)該基材の少なくとも一部を削り取って、該基材を研磨すること、
を含んでなる方法。
(18)前記1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物が、ピコリン酸である、(17)記載の方法。
(19)前記基材が、シリコンを含む、(17)記載の方法。
(20)前記シリコンが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびポリシリコン、ならびにそれらの組合わせからなる群から選ばれる、(19)記載の方法。

Claims (17)

  1. 下記の(a)〜(i)から本質的になる化学機械研磨組成物。
    (a)セリア研磨剤、
    (b)ポリアルキレングリコール、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ポリビニルピロリドン、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、ヒドロキシエチルセルロース、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、
    (c)1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、該窒素含有両性イオン性化合物は、ピコリン酸、ベタインまたはリシンである、
    (d)随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、
    (e)随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、
    (f)ポリ(アクリル酸−アクリルアミド−メチルプロピルスルホン酸)
    (g)随意選択的な1種もしくは2種以上の、第四級アミンを含むポリマー、
    (h)該研磨組成物のpHを調整する、随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、および、
    (i)水
  2. 前記セリア研磨剤が、湿式法セリアである、請求項1記載の研磨組成物。
  3. 前記湿式法セリアが、前記研磨組成物の0.1質量%〜10質量%の量で存在する、請求項2記載の研磨組成物。
  4. 前記1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマーが、前記研磨組成物の1ppm〜3000ppmの量で存在する、請求項1記載の研磨組成物。
  5. 1種もしくは2種以上のポリアルキレングリコールが、前記研磨組成物中に存在する、請求項1記載の研磨組成物。
  6. 前記1種もしくは2種以上のポリアルキレングリコールが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項5記載の研磨組成物。
  7. ポリエチレングリコールが、前記研磨組成物中に存在する、請求項6記載の研磨組成物。
  8. 前記ポリエチレングリコールが、300g/モル〜15000g/モルの平均分子量を有する、請求項7記載の研磨組成物。
  9. 1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体が、前記研磨組成物中に存在する、請求項1記載の研磨組成物。
  10. 前記ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体が、使用の地点で、1ppm〜5000ppmの量で存在する、請求項記載の研磨組成物。
  11. 前記1種もしくは2種以上のポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体の平均分子量が、200g/モル〜4000g/モルである、請求項記載の研磨組成物。
  12. 1種もしくは2種以上のシロキサンポリアルキレンオキシド共重合体が、前記研磨組成物中に存在する、請求項1記載の研磨組成物。
  13. 前記1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物が、ピコリン酸である、請求項1記載の研磨組成物。
  14. 基材を化学機械研磨する方法であって、
    (I)基材を、研磨パッドおよび下記の(a)〜(i)から本質的になる化学機械研磨組成物と接触させること、
    (a)セリア研磨剤、
    (b)ポリアルキレングリコール、ポリエチレンオキシド/ポリプロピレンオキシド共重合体、ポリビニルピロリドン、シロキサンポリアルキレンオキシド共重合体、ヒドロキシエチルセルロース、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる1種もしくは2種以上のノニオン性ポリマー、
    (c)1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物、該窒素含有両性イオン性化合物は、ピコリン酸、ベタインまたはリシンである、
    (d)随意選択的な1種もしくは2種以上のホスホン酸、
    (e)随意選択的な1種もしくは2種以上のスルホン酸共重合体、
    (f)ポリ(アクリル酸−アクリルアミド−メチルプロピルスルホン酸)
    (g)随意選択的な1種もしくは2種以上の、第四級アミンを含むポリマー、
    (h)該研磨組成物のpHを調整する、随意選択的な1種もしくは2種以上の化合物、および、
    (i)水、
    (II)該研磨パッドを、該基材に対して、該化学機械研磨組成物をそれらの間に備えて動かすこと、ならびに、
    (III)該基材の少なくとも一部を削り取って、該基材を研磨すること、
    を含んでなる方法。
  15. 前記1種もしくは2種以上の窒素含有両性イオン性化合物が、ピコリン酸である、請求項14記載の方法。
  16. 前記基材が、シリコンを含む、請求項14記載の方法。
  17. 前記シリコンが、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびポリシリコン、ならびにそれらの組合わせからなる群から選ばれる、請求項16記載の方法。
JP2015500597A 2012-03-14 2013-03-14 酸化物および窒化物に選択的な高除去速度および低欠陥のcmp組成物 Active JP6082097B2 (ja)

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Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2794733B1 (en) * 2011-12-21 2019-05-15 Basf Se Method for manufacturing cmp composition and application thereof
EP2826827B1 (en) * 2013-07-18 2019-06-12 Basf Se CMP composition comprising abrasive particles containing ceria
US9281210B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
US9279067B2 (en) * 2013-10-10 2016-03-08 Cabot Microelectronics Corporation Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto
JP6352060B2 (ja) * 2014-06-06 2018-07-04 花王株式会社 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物
JP6170027B2 (ja) * 2014-10-09 2017-07-26 信越化学工業株式会社 Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法
JP6422325B2 (ja) * 2014-12-15 2018-11-14 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US9593261B2 (en) * 2015-02-04 2017-03-14 Asahi Glass Company, Limited Polishing agent, polishing method, and liquid additive for polishing
JP2016154208A (ja) * 2015-02-12 2016-08-25 旭硝子株式会社 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
WO2016132951A1 (ja) * 2015-02-19 2016-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US9505952B2 (en) * 2015-03-05 2016-11-29 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria abrasive
US9758697B2 (en) * 2015-03-05 2017-09-12 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing cationic polymer additive
US10414947B2 (en) 2015-03-05 2019-09-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition containing ceria particles and method of use
CN107533967A (zh) 2015-03-30 2018-01-02 福吉米株式会社 研磨用组合物
JP6393231B2 (ja) * 2015-05-08 2018-09-19 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤及び合成石英ガラス基板の研磨方法
CN107735471B (zh) * 2015-07-10 2021-02-12 费罗公司 用于抛光有机聚合物基眼用基材的浆液组合物和添加剂以及方法
CN107851568B (zh) * 2015-07-13 2021-10-08 Cmc材料股份有限公司 用于加工介电基板的方法及组合物
US9597768B1 (en) * 2015-09-09 2017-03-21 Cabot Microelectronics Corporation Selective nitride slurries with improved stability and improved polishing characteristics
KR101628878B1 (ko) 2015-09-25 2016-06-16 영창케미칼 주식회사 Cmp용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법
US10844333B2 (en) * 2015-12-22 2020-11-24 Basf Se Composition for post chemical-mechanical-polishing cleaning
CN108473918B (zh) * 2015-12-22 2021-11-30 巴斯夫欧洲公司 用于化学机械抛光后清洁的组合物
KR20180099902A (ko) * 2016-01-25 2018-09-05 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 양이온성 중합체 첨가제를 포함하는 연마용 조성물
EP3475375B1 (en) * 2016-06-22 2023-11-15 CMC Materials, Inc. Polishing composition comprising an amine-containing surfactant
CN108250972B (zh) * 2016-12-28 2021-09-21 安集微电子科技(上海)股份有限公司 一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液
WO2018142516A1 (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
CN106947396B (zh) * 2017-03-23 2019-02-26 河南联合精密材料股份有限公司 研磨液用悬浮体系、研磨液及其制备方法
US10584265B2 (en) 2017-09-28 2020-03-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions selective for nitride removal in polishing and methods of using them
US11186748B2 (en) 2017-09-28 2021-11-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous anionic functional silica slurry and amine carboxylic acid compositions for selective nitride removal in polishing and methods of using them
US10711158B2 (en) 2017-09-28 2020-07-14 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of using them
US10508221B2 (en) 2017-09-28 2019-12-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Aqueous low abrasive silica slurry and amine carboxylic acid compositions for use in shallow trench isolation and methods of making and using them
US11043151B2 (en) 2017-10-03 2021-06-22 Cmc Materials, Inc. Surface treated abrasive particles for tungsten buff applications
KR20190074594A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR20190074597A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
US11549034B2 (en) * 2018-08-09 2023-01-10 Versum Materials Us, Llc Oxide chemical mechanical planarization (CMP) polishing compositions
KR102258296B1 (ko) * 2018-08-31 2021-06-01 주식회사 이엔에프테크놀로지 실리콘 질화막 식각 조성물
KR102679492B1 (ko) * 2018-11-15 2024-07-01 솔브레인 주식회사 연마 첨가제 조성물, 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 절연막의 연마 방법
US20200172761A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for silicon nitride cmp
KR102185070B1 (ko) * 2018-12-20 2020-12-01 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR20200076991A (ko) * 2018-12-20 2020-06-30 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
KR102279324B1 (ko) * 2018-12-21 2021-07-21 주식회사 케이씨텍 연마 슬러리 조성물
CN111378383B (zh) * 2018-12-28 2022-05-13 安集微电子(上海)有限公司 一种聚醚胺化合物在pi介电材料抛光中的用途
US20200263056A1 (en) * 2019-02-19 2020-08-20 AGC Inc. Polishing composition and polishing method
US10787592B1 (en) * 2019-05-16 2020-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I Chemical mechanical polishing compositions and methods having enhanced defect inhibition and selectively polishing silicon nitride over silicon dioxide in an acid environment
JP7041714B2 (ja) * 2019-06-26 2022-03-24 花王株式会社 酸化珪素膜用研磨液組成物
WO2021041694A1 (en) 2019-08-30 2021-03-04 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Composition and method for conducting a material removing operation
CN114286846B (zh) 2019-08-30 2023-06-06 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于进行材料去除操作的流体组合物及方法
CN113004799A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 安集微电子科技(上海)股份有限公司 一种化学机械抛光液
KR102316237B1 (ko) * 2019-12-19 2021-10-25 주식회사 케이씨텍 멀티선택비 구현이 가능한 연마용 슬러리 조성물
JP7327518B2 (ja) * 2020-01-16 2023-08-16 株式会社レゾナック 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法
KR102213533B1 (ko) * 2020-04-24 2021-02-09 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
EP4157955A4 (en) * 2020-05-29 2024-08-21 Versum Mat Us Llc LOW OXIDE BUMPING CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION POLISHING COMPOSITIONS FOR SHALLOW TRENCH ISOLATION APPLICATIONS AND METHODS OF MAKING THE SAME
CN113411925B (zh) * 2021-06-28 2022-05-31 安徽天康(集团)股份有限公司 抗撕裂串联恒功率电伴热带
KR20240089287A (ko) * 2021-10-05 2024-06-20 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 얕은 트렌치 분리를 위한 화학 기계적 평탄화 연마
CN115505389B (zh) * 2022-08-22 2023-04-28 福建天甫电子材料有限公司 一种ito蚀刻液及其使用方法
KR20240062237A (ko) * 2022-10-28 2024-05-09 솔브레인 주식회사 화학적 기계적 연마 슬러리 조성물 및 반도체 소자의 제조 방법
US20240166915A1 (en) * 2022-11-10 2024-05-23 Entegris, Inc. Amine-based compositions for use in cmp with high polysilicon rate
WO2024190532A1 (ja) * 2023-03-14 2024-09-19 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の濃縮液および研磨方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3257342A (en) * 1962-02-19 1966-06-21 Minnesota Mining & Mfg Epoxy resins cured with polyaminopoly-amides from diaminopolyethers and dicarboxylicacids
US5114437A (en) 1990-08-28 1992-05-19 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polishing composition for metallic material
US5196353A (en) 1992-01-03 1993-03-23 Micron Technology, Inc. Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer
US5560858A (en) * 1992-07-15 1996-10-01 The Procter & Gamble Company Dye transfer inhibiting compositions containing a metallocatalyst, a bleach and polyamine N-oxide polymer
JPH06214365A (ja) * 1992-12-14 1994-08-05 Eastman Kodak Co 漂白促進剤、漂白組成物及び写真要素
US6614529B1 (en) 1992-12-28 2003-09-02 Applied Materials, Inc. In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization
US5658183A (en) 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5647997A (en) * 1993-09-03 1997-07-15 Birko Corporation Waste water treatment with peracid compositions
US5433651A (en) 1993-12-22 1995-07-18 International Business Machines Corporation In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing
JP3270282B2 (ja) 1994-02-21 2002-04-02 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US5489233A (en) 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JP3313505B2 (ja) 1994-04-14 2002-08-12 株式会社日立製作所 研磨加工法
US5527423A (en) 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
US5964643A (en) 1995-03-28 1999-10-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations
US5893796A (en) 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5838447A (en) 1995-07-20 1998-11-17 Ebara Corporation Polishing apparatus including thickness or flatness detector
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
US5872633A (en) 1996-07-26 1999-02-16 Speedfam Corporation Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization
US6126532A (en) 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
CN1258241A (zh) 1997-04-18 2000-06-28 卡伯特公司 用于半导体底物的抛光垫
US6117000A (en) 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US6376381B1 (en) 1999-08-31 2002-04-23 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions, planarizing machines, and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
US6491843B1 (en) 1999-12-08 2002-12-10 Eastman Kodak Company Slurry for chemical mechanical polishing silicon dioxide
KR100378180B1 (ko) 2000-05-22 2003-03-29 삼성전자주식회사 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
AU2002359356A1 (en) 2001-11-16 2003-06-10 Ferro Corporation Particles for use in cmp slurries and method for producing them
US6527622B1 (en) * 2002-01-22 2003-03-04 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
US20040077295A1 (en) * 2002-08-05 2004-04-22 Hellring Stuart D. Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
US20050090104A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Kai Yang Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films
KR100640600B1 (ko) * 2003-12-12 2006-11-01 삼성전자주식회사 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학기계적연마공정를포함하는 반도체 소자의 제조방법
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR20060016498A (ko) * 2004-08-18 2006-02-22 삼성전자주식회사 슬러리 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 가공물의연마방법
US7504044B2 (en) * 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
JP4027929B2 (ja) * 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US20060216935A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Ferro Corporation Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication
KR20070088245A (ko) 2006-02-24 2007-08-29 후지필름 가부시키가이샤 금속용 연마액
US20070210278A1 (en) * 2006-03-08 2007-09-13 Lane Sarah J Compositions for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR100814416B1 (ko) * 2006-09-28 2008-03-18 삼성전자주식회사 고 평탄화 슬러리 조성물 및 이를 이용한 화학 기계적 연마방법
DE102006061891A1 (de) * 2006-12-28 2008-07-03 Basf Se Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid
JP5121273B2 (ja) 2007-03-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 金属用研磨液及び研磨方法
JP2008277723A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
JP5403924B2 (ja) 2008-02-29 2014-01-29 富士フイルム株式会社 金属用研磨液、および化学的機械的研磨方法
JP5202258B2 (ja) 2008-03-25 2013-06-05 富士フイルム株式会社 金属研磨用組成物、及び化学的機械的研磨方法
JP5459466B2 (ja) * 2008-06-05 2014-04-02 Jsr株式会社 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板
TW201038690A (en) * 2008-09-26 2010-11-01 Rhodia Operations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
KR101191427B1 (ko) * 2009-11-25 2012-10-16 주식회사 엘지화학 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
JP2011142284A (ja) * 2009-12-10 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
KR101469258B1 (ko) * 2009-12-31 2014-12-09 제일모직주식회사 Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
WO2011081503A2 (en) 2009-12-31 2011-07-07 Cheil Industries Inc. Chemical mechanical polishing slurry compositions and polishing method using the same
KR101480179B1 (ko) * 2011-12-30 2015-01-09 제일모직주식회사 Cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법

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