JP2001056912A - 薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】工程中において、絶縁劣化、絶縁破壊を防止で
きると共に、絶縁特性測定の可能な薄膜磁気ヘッド集合
体、及び、その処理方法を提供する。 【解決手段】第１のシールド膜３は基体１の上に積層さ
れ、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上に積層
されている。磁気抵抗効果素子９、第１及び第２の電極
膜１１、１３は、第１の絶縁膜７１の上に備えられる。
第１及び第２の電極膜１１、１３は、磁気抵抗効果素子
９の端部に接続されている。第２のシールド膜５は、第
２の絶縁膜７２の上に備えられている。導体膜１９１
は、第１の電極膜１１と、第２のシールド膜５とに電気
的に接続されている。導体１９１の中間部は、第２のシ
ールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２だけ離れた位置にあ
る。
きると共に、絶縁特性測定の可能な薄膜磁気ヘッド集合
体、及び、その処理方法を提供する。 【解決手段】第１のシールド膜３は基体１の上に積層さ
れ、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上に積層
されている。磁気抵抗効果素子９、第１及び第２の電極
膜１１、１３は、第１の絶縁膜７１の上に備えられる。
第１及び第２の電極膜１１、１３は、磁気抵抗効果素子
９の端部に接続されている。第２のシールド膜５は、第
２の絶縁膜７２の上に備えられている。導体膜１９１
は、第１の電極膜１１と、第２のシールド膜５とに電気
的に接続されている。導体１９１の中間部は、第２のシ
ールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２だけ離れた位置にあ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド集
合体及びその処理方法に関する。本発明において、薄膜
磁気ヘッド集合体は、ウエハ状及びバー状の両タイプを
含む。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体は
ウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素はこの基体上に行列
状に配列されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体にお
いて、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基
体の長手方向に沿って配列されている。バー状薄膜磁気
ヘッド集合体は、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切
断によって切り出されたものである。
合体及びその処理方法に関する。本発明において、薄膜
磁気ヘッド集合体は、ウエハ状及びバー状の両タイプを
含む。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体において、基体は
ウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素はこの基体上に行列
状に配列されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体にお
いて、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッド要素は、基
体の長手方向に沿って配列されている。バー状薄膜磁気
ヘッド集合体は、ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切
断によって切り出されたものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気異方性抵抗効果膜、スピンバルブ
膜、または、強磁性トンネル接合効果素子等の磁気抵抗
効果素子を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッド
では、磁気抵抗効果素子及びその電極膜を、アルミナ等
でなる絶縁膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両
側には第１のシールド膜及び第２のシールド膜が備えら
れている。
膜、または、強磁性トンネル接合効果素子等の磁気抵抗
効果素子を、読み取り素子として用いた薄膜磁気ヘッド
では、磁気抵抗効果素子及びその電極膜を、アルミナ等
でなる絶縁膜に埋設した構造になっている。絶縁膜の両
側には第１のシールド膜及び第２のシールド膜が備えら
れている。
【０００３】上記構造において、電極膜と、第１のシー
ルド膜または第２のシールド膜との間に存在する絶縁膜
に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電気雑音
が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化する等
の問題を生じる。
ルド膜または第２のシールド膜との間に存在する絶縁膜
に、絶縁劣化または絶縁破壊等が発生すると、電気雑音
が大きくなったり、あるいは電磁変換特性が悪化する等
の問題を生じる。
【０００４】絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊等を防止
する手段として、特開平８ー２９３０１８号公報は、ウ
エハ工程の間は電極膜とシールド膜との間の電気的接続
を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を切
断する技術を開示している。
する手段として、特開平８ー２９３０１８号公報は、ウ
エハ工程の間は電極膜とシールド膜との間の電気的接続
を維持し、ウエハ工程終了後に両者間の電気的接続を切
断する技術を開示している。
【０００５】しかし、ウエハ工程において、電極膜とシ
ールド膜との間に存在する絶縁膜の電気絶縁特性を測定
することができない。薄膜磁気ヘッドとして取り出され
た後に、電気絶縁特性測定作業を行わなければならな
い。従って、ウエハ工程において、電極膜とシールド膜
との間に存在する絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊を
生じても、それを知ることができない。このため、歩留
の低下を招くとともに、薄膜磁気ヘッド毎の個別的な絶
縁特性測定作業が必要になるために、その作業が著しく
面倒になる。
ールド膜との間に存在する絶縁膜の電気絶縁特性を測定
することができない。薄膜磁気ヘッドとして取り出され
た後に、電気絶縁特性測定作業を行わなければならな
い。従って、ウエハ工程において、電極膜とシールド膜
との間に存在する絶縁膜に、絶縁劣化または絶縁破壊を
生じても、それを知ることができない。このため、歩留
の低下を招くとともに、薄膜磁気ヘッド毎の個別的な絶
縁特性測定作業が必要になるために、その作業が著しく
面倒になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、工程
中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の絶縁劣化ま
たは絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その処理方法を提供することである。
中に、シールド膜と電極膜との間の絶縁膜の絶縁劣化ま
たは絶縁破壊を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その処理方法を提供することである。
【０００７】本発明のもう一つの課題は、工程中に、シ
ールド膜と電極膜との間の絶縁特性を測定し得る薄膜磁
気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供することで
ある。
ールド膜と電極膜との間の絶縁特性を測定し得る薄膜磁
気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供することで
ある。
【０００８】本発明の更にもう一つの課題は、電極膜を
シールド膜から電気的に分離する場合、シールド膜に損
傷を与えない薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法を
提供することである。
シールド膜から電気的に分離する場合、シールド膜に損
傷を与えない薄膜磁気ヘッド集合体及びその処理方法を
提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体は、基体上に複
数の薄膜磁気ヘッド要素を有する。前記薄膜磁気ヘッド
要素のそれぞれは、第１のシールド膜と、第１の絶縁膜
と、磁気抵抗効果素子と、第１の電極膜と、第２の電極
膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド膜とを含む。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体は、基体上に複
数の薄膜磁気ヘッド要素を有する。前記薄膜磁気ヘッド
要素のそれぞれは、第１のシールド膜と、第１の絶縁膜
と、磁気抵抗効果素子と、第１の電極膜と、第２の電極
膜と、第２の絶縁膜と、第２のシールド膜とを含む。
【００１０】前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド
膜の上に備えられており、前記磁気抵抗効果素子は、前
記第１の絶縁膜の上に備えられている。
膜の上に備えられており、前記磁気抵抗効果素子は、前
記第１の絶縁膜の上に備えられている。
【００１１】前記第１及び第２の電極膜は、前記第１の
絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の両端部
に接続されている。
絶縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の両端部
に接続されている。
【００１２】前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、
前記第２の電極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆ってい
る。前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に
備えられている。
前記第２の電極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆ってい
る。前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に
備えられている。
【００１３】前記導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設
けられ、前記第１及び第２のシールド膜のうち、少なく
とも前記第２のシールド膜の膜面の外部を通って導か
れ、前記第１及び第２の電極膜の少なくとも一方と、前
記第１及び前記第２のシールド膜の少なくとも一方とに
電気的に接続されている。
けられ、前記第１及び第２のシールド膜のうち、少なく
とも前記第２のシールド膜の膜面の外部を通って導か
れ、前記第１及び第２の電極膜の少なくとも一方と、前
記第１及び前記第２のシールド膜の少なくとも一方とに
電気的に接続されている。
【００１４】上述したように、薄膜磁気ヘッド要素のそ
れぞれにおいて、第１の絶縁膜は、第１のシールド膜の
上に備えられており、第１の絶縁膜の上に磁気抵抗効果
素子、第１の電極膜及び第２の電極膜が備えられている
から、磁気抵抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜
は、磁気ヘッドに加工した時に磁気抵抗効果素子は、第
１のシールド膜によってシールドされる。
れぞれにおいて、第１の絶縁膜は、第１のシールド膜の
上に備えられており、第１の絶縁膜の上に磁気抵抗効果
素子、第１の電極膜及び第２の電極膜が備えられている
から、磁気抵抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜
は、磁気ヘッドに加工した時に磁気抵抗効果素子は、第
１のシールド膜によってシールドされる。
【００１５】第２の絶縁膜は、第１の電極膜、第２の電
極膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、第２のシール
ド膜は第２の絶縁膜の上に備えられているから、磁気抵
抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜が、第２のシー
ルド膜によってシールドされる。
極膜及び磁気抵抗効果素子を覆っており、第２のシール
ド膜は第２の絶縁膜の上に備えられているから、磁気抵
抗効果素子並びに第１及び第２の電極膜が、第２のシー
ルド膜によってシールドされる。
【００１６】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体におい
て、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、導
体膜を含んでいる。この導体膜は、前記第１の絶縁膜の
上に設けられ、前記第１及び第２のシールド膜のうち、
少なくとも前記第２のシールド膜の膜面の外部を通って
導かれ、前記第１及び第２の電極膜の少なくとも一方
と、前記第１及び前記第２のシールド膜の少なくとも一
方とに電気的に接続されている。説明の簡単化のため
に、導体膜が、第１の電極膜と、第２のシールド膜とに
接続されている場合を例に採って説明する。この場合に
は、第１の電極膜は、第２のシールド膜と電気的に等電
位になる。第２の電極膜は、第１の電極膜と、磁気抵抗
効果素子を介して、等電位となるから、第２の電極膜
も、第２のシールド膜と電気的に等電位になる。このた
め、工程において、第１及び第２の電極膜と、第２のシ
ールド膜との間に存在する第２の絶縁膜に電圧が加わる
ことがないから、第２の絶縁膜に絶縁劣化または絶縁破
壊を生じるのを防止できる。
て、複数の薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、導
体膜を含んでいる。この導体膜は、前記第１の絶縁膜の
上に設けられ、前記第１及び第２のシールド膜のうち、
少なくとも前記第２のシールド膜の膜面の外部を通って
導かれ、前記第１及び第２の電極膜の少なくとも一方
と、前記第１及び前記第２のシールド膜の少なくとも一
方とに電気的に接続されている。説明の簡単化のため
に、導体膜が、第１の電極膜と、第２のシールド膜とに
接続されている場合を例に採って説明する。この場合に
は、第１の電極膜は、第２のシールド膜と電気的に等電
位になる。第２の電極膜は、第１の電極膜と、磁気抵抗
効果素子を介して、等電位となるから、第２の電極膜
も、第２のシールド膜と電気的に等電位になる。このた
め、工程において、第１及び第２の電極膜と、第２のシ
ールド膜との間に存在する第２の絶縁膜に電圧が加わる
ことがないから、第２の絶縁膜に絶縁劣化または絶縁破
壊を生じるのを防止できる。
【００１７】導体膜が、第１の電極膜と、第１のシール
ド膜に電気的に導通している場合には、第１及び第２の
電極膜は、第１のシールド膜と電気的に等電位になる。
このため、ウエハ工程において、第１及び第２の電極膜
と、第１のシールド膜との間に存在する第１の絶縁膜に
電圧が加わることがないから、第１の絶縁膜に絶縁劣化
または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
ド膜に電気的に導通している場合には、第１及び第２の
電極膜は、第１のシールド膜と電気的に等電位になる。
このため、ウエハ工程において、第１及び第２の電極膜
と、第１のシールド膜との間に存在する第１の絶縁膜に
電圧が加わることがないから、第１の絶縁膜に絶縁劣化
または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００１８】好ましくは、導体膜は、第１または第２の
電極膜と、第１及び第２のシールド膜とに接続する。こ
の場合には、第１及び第２の電極膜が第１及び第２のシ
ールド膜と電気的に等電位になる。このため、工程にお
いて、第１及び第２の電極膜と、第１のシールド膜との
間に存在する第１の絶縁膜、及び、第１及び第２の電極
膜と、第２のシールド膜との間に存在する第２の絶縁膜
に電圧が加わることがないから、第１及び第２の絶縁膜
に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
電極膜と、第１及び第２のシールド膜とに接続する。こ
の場合には、第１及び第２の電極膜が第１及び第２のシ
ールド膜と電気的に等電位になる。このため、工程にお
いて、第１及び第２の電極膜と、第１のシールド膜との
間に存在する第１の絶縁膜、及び、第１及び第２の電極
膜と、第２のシールド膜との間に存在する第２の絶縁膜
に電圧が加わることがないから、第１及び第２の絶縁膜
に絶縁劣化または絶縁破壊を生じるのを防止できる。
【００１９】別の好ましい例では、導体膜は、第１及び
第２の電極膜の両者に電気的に接続させる。この場合に
は、磁気抵抗効果素子が、第１の電極膜、第２の電極
膜、及び、導体膜を介して、短絡された状態になるの
で、磁気抵抗効果素子を保護することもできる。
第２の電極膜の両者に電気的に接続させる。この場合に
は、磁気抵抗効果素子が、第１の電極膜、第２の電極
膜、及び、導体膜を介して、短絡された状態になるの
で、磁気抵抗効果素子を保護することもできる。
【００２０】導体膜を、第１及び第２の電極膜の両者に
電気的に接続させる構成は、薄膜磁気ヘッド集合体とし
ての上述した有用性の他、薄膜磁気ヘッド集合体の処理
方法においても、極めて有用性が高い。即ち、導体膜を
切断することにより、第１または第２の電極膜を、第１
または第２のシールド膜から電気的に分離することがで
きる。切断工程が終了した段階で、絶縁膜の絶縁特性を
測定する。上述した切断及び絶縁特性測定はウエハまた
はバー上で行うことができる。このため、絶縁特性測定
作業が著しく簡単になる。
電気的に接続させる構成は、薄膜磁気ヘッド集合体とし
ての上述した有用性の他、薄膜磁気ヘッド集合体の処理
方法においても、極めて有用性が高い。即ち、導体膜を
切断することにより、第１または第２の電極膜を、第１
または第２のシールド膜から電気的に分離することがで
きる。切断工程が終了した段階で、絶縁膜の絶縁特性を
測定する。上述した切断及び絶縁特性測定はウエハまた
はバー上で行うことができる。このため、絶縁特性測定
作業が著しく簡単になる。
【００２１】しかも、導体膜は、第１及び第２のシール
ド膜のうち、少なくとも第２のシールド膜の膜面の外部
を通る。従って、導体膜の切断に当たって、少なくと
も、第２のシールド膜に影響を与えない領域において、
導体膜を切断することができる。このため、第２のシー
ルド膜の切断による導電性物質の発生を回避し、切断部
において、第２の電極膜の切断面と、第２のシールド膜
との間が、導電性付着物によって短絡するのを阻止する
ことができる。更に好ましくは、導体膜は、第１及び第
２のシールド膜の両者の膜面の外部を通る。この構成に
よれば、第１及び第２のシールド膜の両者に影響を与え
ない領域において、導体膜を切断することができる。
ド膜のうち、少なくとも第２のシールド膜の膜面の外部
を通る。従って、導体膜の切断に当たって、少なくと
も、第２のシールド膜に影響を与えない領域において、
導体膜を切断することができる。このため、第２のシー
ルド膜の切断による導電性物質の発生を回避し、切断部
において、第２の電極膜の切断面と、第２のシールド膜
との間が、導電性付着物によって短絡するのを阻止する
ことができる。更に好ましくは、導体膜は、第１及び第
２のシールド膜の両者の膜面の外部を通る。この構成に
よれば、第１及び第２のシールド膜の両者に影響を与え
ない領域において、導体膜を切断することができる。
【００２２】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の
態様として、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第３の
絶縁膜と、第１の端子導体と、第２の端子導体と、第３
の端子導体とを含むことができる。前記第３の絶縁膜
は、最外側層を構成する。
態様として、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第３の
絶縁膜と、第１の端子導体と、第２の端子導体と、第３
の端子導体とを含むことができる。前記第３の絶縁膜
は、最外側層を構成する。
【００２３】前記第１の端子導体は、前記第２のシール
ド膜に導通し、前記第３の絶縁膜によって覆われてい
る。前記第２の端子導体は、前記第１の電極膜に導通し
前記第３の絶縁膜によって覆われている。前記第３の端
子導体は、前記第２の電極膜に導通し前記第３の絶縁膜
によって覆われている。
ド膜に導通し、前記第３の絶縁膜によって覆われてい
る。前記第２の端子導体は、前記第１の電極膜に導通し
前記第３の絶縁膜によって覆われている。前記第３の端
子導体は、前記第２の電極膜に導通し前記第３の絶縁膜
によって覆われている。
【００２４】上記構造の薄膜磁気ヘッド集合体の場合、
第１、第２及び第３の端子導体の、端面を、例えば研摩
等の手段によって第３の絶縁膜の表面に露出させること
により、第１〜第３の端子導体の配置パターンに応じた
プローブ．アレイを、第１〜第３の端子導体の端面に同
時に接触させ、多数の薄膜磁気ヘッド要素について、電
気絶縁特性を一挙に測定することができる。
第１、第２及び第３の端子導体の、端面を、例えば研摩
等の手段によって第３の絶縁膜の表面に露出させること
により、第１〜第３の端子導体の配置パターンに応じた
プローブ．アレイを、第１〜第３の端子導体の端面に同
時に接触させ、多数の薄膜磁気ヘッド要素について、電
気絶縁特性を一挙に測定することができる。
【００２５】導体膜を切断し、電気絶縁特性を測定した
後、薄膜磁気ヘッド集合体は、導体ペースト層を含むこ
とができる。前記導体ペースト層は、前記第３の絶縁膜
の表面及び前記第１の端子導体、第２の端子導体及び前
記第３の端子導体の端面に付着され、前記第１、第２及
び第３の端子導体を電気的に導通させる。
後、薄膜磁気ヘッド集合体は、導体ペースト層を含むこ
とができる。前記導体ペースト層は、前記第３の絶縁膜
の表面及び前記第１の端子導体、第２の端子導体及び前
記第３の端子導体の端面に付着され、前記第１、第２及
び第３の端子導体を電気的に導通させる。
【００２６】この構造の薄膜磁気ヘッド集合体の場合、
第１及び第２の電極膜に導通する第１及び第２の端子導
体と、第１及び第２のシールド膜に導通する第３の端子
導体とが、導体ペースト層によって電気的に導通する。
従って、第１及び第２の電極と、第１及び第２のシール
ド膜とを等電位に保つことができる。このため、電気絶
縁特性測定に続く他のプロセスにおいて、第１の絶縁
膜、及び、磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止すること
ができる。
第１及び第２の電極膜に導通する第１及び第２の端子導
体と、第１及び第２のシールド膜に導通する第３の端子
導体とが、導体ペースト層によって電気的に導通する。
従って、第１及び第２の電極と、第１及び第２のシール
ド膜とを等電位に保つことができる。このため、電気絶
縁特性測定に続く他のプロセスにおいて、第１の絶縁
膜、及び、磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止すること
ができる。
【００２７】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の更に
別の態様として、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少
なくとも一つの金属膜とを含むことができる。前記金属
膜は、前記導体膜の中間部に対応する位置において、前
記第１の絶縁膜の上に設けられ、前記第３の絶縁膜によ
って覆われる。
別の態様として、薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少
なくとも一つの金属膜とを含むことができる。前記金属
膜は、前記導体膜の中間部に対応する位置において、前
記第１の絶縁膜の上に設けられ、前記第３の絶縁膜によ
って覆われる。
【００２８】上述した薄膜磁気ヘッド集合体の製造に当
たっては、前記第３の絶縁膜を表面から研削して、前記
金属膜の端面を露出させ、次に前記金属膜をエッチング
によって除去する。次に前記金属膜の除去跡を通して、
前記導体膜を、前記中間部の部分で切断する。
たっては、前記第３の絶縁膜を表面から研削して、前記
金属膜の端面を露出させ、次に前記金属膜をエッチング
によって除去する。次に前記金属膜の除去跡を通して、
前記導体膜を、前記中間部の部分で切断する。
【００２９】更に追加的な処理工程として、導体膜を中
間部で切断した後、第１の端子導体と、第２の端子導体
または第３の端子導体の少なくとも一つとの間で、第１
または第２の絶縁膜の絶縁抵抗値を測定する工程を含む
ことができる。これにより、第１または第２の絶縁膜の
電気絶縁特性を測定することができる。
間部で切断した後、第１の端子導体と、第２の端子導体
または第３の端子導体の少なくとも一つとの間で、第１
または第２の絶縁膜の絶縁抵抗値を測定する工程を含む
ことができる。これにより、第１または第２の絶縁膜の
電気絶縁特性を測定することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体に、ウエハ状及びバー状の両タイプが含まれることは
既に述べた通りである。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体
において、基体はウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素は
この基体上に行列状に配列されている。バー状薄膜磁気
ヘッド集合体では、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッ
ド要素は、基体の長手方向に沿って配列（一般には１
列）されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体は、ウエ
ハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切断によって切り出され
たものである。この明細書では、主に、ウエハ状薄膜磁
気ヘッド集合体について説明する。ウエハ状薄膜磁気ヘ
ッド集合体についての説明の大部分は、バー状薄膜磁気
ヘッド集合体にも適用可能である。
体に、ウエハ状及びバー状の両タイプが含まれることは
既に述べた通りである。ウエハ状薄膜磁気ヘッド集合体
において、基体はウエハであり、薄膜磁気ヘッド要素は
この基体上に行列状に配列されている。バー状薄膜磁気
ヘッド集合体では、基体はバー状であり、薄膜磁気ヘッ
ド要素は、基体の長手方向に沿って配列（一般には１
列）されている。バー状薄膜磁気ヘッド集合体は、ウエ
ハ状薄膜磁気ヘッド集合体から切断によって切り出され
たものである。この明細書では、主に、ウエハ状薄膜磁
気ヘッド集合体について説明する。ウエハ状薄膜磁気ヘ
ッド集合体についての説明の大部分は、バー状薄膜磁気
ヘッド集合体にも適用可能である。
【００３１】図１は本発明に係るウエハ状薄膜磁気ヘッ
ド集合体の斜視図である。図示された薄膜磁気ヘッド集
合体は、略円形状のウエハ基体１上に多数の薄膜磁気ヘ
ッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを有する。ウエハ基体１は、周
知のセラミック材料によって構成される。代表的にはAl
TiC系セラミック材料が用いられる。薄膜磁気ヘッド要
素Ｑ１１〜Ｑｎｍはｎ行ｍ列の格子状に配列されてい
る。
ド集合体の斜視図である。図示された薄膜磁気ヘッド集
合体は、略円形状のウエハ基体１上に多数の薄膜磁気ヘ
ッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを有する。ウエハ基体１は、周
知のセラミック材料によって構成される。代表的にはAl
TiC系セラミック材料が用いられる。薄膜磁気ヘッド要
素Ｑ１１〜Ｑｎｍはｎ行ｍ列の格子状に配列されてい
る。
【００３２】図２は薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍ
の一つを示す分解斜視図、図３は図２に示された薄膜磁
気ヘッド要素から誘導型磁気変換素子を除き、導電部分
だけを抽出して示す平面図、図４は図３の４ー４線に沿
った断面図、図５は図３の５ー５線に沿った断面図、図
６は図３の６ー６線に沿った断面図、図７は図３の７ー
７線に沿った断面図である。これらの図を参照すると、
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、第１
のシールド膜３と、第１の絶縁膜７１と、磁気抵抗効果
素子９と、第２の電極膜１３と、第１の電極膜１１と、
第２のシールド膜５と、第２の絶縁膜７２と、導体膜１
９１とを含む。
の一つを示す分解斜視図、図３は図２に示された薄膜磁
気ヘッド要素から誘導型磁気変換素子を除き、導電部分
だけを抽出して示す平面図、図４は図３の４ー４線に沿
った断面図、図５は図３の５ー５線に沿った断面図、図
６は図３の６ー６線に沿った断面図、図７は図３の７ー
７線に沿った断面図である。これらの図を参照すると、
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、第１
のシールド膜３と、第１の絶縁膜７１と、磁気抵抗効果
素子９と、第２の電極膜１３と、第１の電極膜１１と、
第２のシールド膜５と、第２の絶縁膜７２と、導体膜１
９１とを含む。
【００３３】第１のシールド膜３はウエハ基体１の上に
積層され、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上
に積層されている。第１のシールド膜３は例えばパーマ
ロイ膜として構成される。
積層され、第１の絶縁膜７１は第１のシールド膜３の上
に積層されている。第１のシールド膜３は例えばパーマ
ロイ膜として構成される。
【００３４】磁気抵抗効果素子９は、第１の絶縁膜７１
の上に備えられている。磁気抵抗効果素子９は、磁気異
方性磁気抵抗効果膜、または、スピンバルブ膜、ペロブ
スカイト型磁性体もしくは強磁性トンネル接合を用いた
巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）によって構成することが
できる。
の上に備えられている。磁気抵抗効果素子９は、磁気異
方性磁気抵抗効果膜、または、スピンバルブ膜、ペロブ
スカイト型磁性体もしくは強磁性トンネル接合を用いた
巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）によって構成することが
できる。
【００３５】第１及び第２の電極膜１１、１３は、第１
の絶縁膜７１の上に備えられ、磁気抵抗効果素子９の端
部に接続され、一端側が磁気抵抗効果素子９から取出方
向に導かれている。この場合の取出方向は、薄膜磁気ヘ
ッドとして用いられた場合、空気ベアリング面とは反対
側に向かう方向に一致する。
の絶縁膜７１の上に備えられ、磁気抵抗効果素子９の端
部に接続され、一端側が磁気抵抗効果素子９から取出方
向に導かれている。この場合の取出方向は、薄膜磁気ヘ
ッドとして用いられた場合、空気ベアリング面とは反対
側に向かう方向に一致する。
【００３６】第２のシールド膜５は、第２の絶縁膜７２
の上に備えられている。第２のシールド膜５は、例え
ば、パーマロイ膜を含む単層または複数層の磁性膜とし
て構成される。
の上に備えられている。第２のシールド膜５は、例え
ば、パーマロイ膜を含む単層または複数層の磁性膜とし
て構成される。
【００３７】導体膜１９１は、第１の絶縁膜７１の上に
備えられ、第１の電極膜１１と、第１及び第２のシール
ド膜３、５とに電気的に接続されている。導体膜１９１
は、必ずしも第１の電極膜１１と同一の材料で構成する
必要はない。図示では、導体膜１９１は、磁気抵抗効果
素子９を基準にして、外部取出方向とは逆方向の前方側
に導かれ、その端部が第１及び第２のシールド膜３、５
に電気的に導通されている。導体膜１９１の中間部は、
第１及び第２のシールド膜３、５のうち、少なくとも第
２のシールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２（図３参照）
だけ離れた位置に導出する。
備えられ、第１の電極膜１１と、第１及び第２のシール
ド膜３、５とに電気的に接続されている。導体膜１９１
は、必ずしも第１の電極膜１１と同一の材料で構成する
必要はない。図示では、導体膜１９１は、磁気抵抗効果
素子９を基準にして、外部取出方向とは逆方向の前方側
に導かれ、その端部が第１及び第２のシールド膜３、５
に電気的に導通されている。導体膜１９１の中間部は、
第１及び第２のシールド膜３、５のうち、少なくとも第
２のシールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２（図３参照）
だけ離れた位置に導出する。
【００３８】実施例では、更に、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ
１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、書き込み素子となる誘導型
磁気変換素子３３を有する。誘導型磁気変換素子３３の
構造は周知である。典型的には、第２のシールド膜５に
よって構成される第１の磁性膜、この第１の磁性膜とと
もに薄膜磁気回路を構成する第２の磁性膜３５、コイル
膜３７、ギャップ膜３９及び絶縁膜４１などを有してい
る（図２、４参照）。第１の磁性膜５及び第２の磁性膜
３５の先端部は微小厚みのギャップ膜３９を隔てて対向
するポール部を構成する。第２のシールド膜５から分離
された第１の磁性膜を有することもある。
１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、書き込み素子となる誘導型
磁気変換素子３３を有する。誘導型磁気変換素子３３の
構造は周知である。典型的には、第２のシールド膜５に
よって構成される第１の磁性膜、この第１の磁性膜とと
もに薄膜磁気回路を構成する第２の磁性膜３５、コイル
膜３７、ギャップ膜３９及び絶縁膜４１などを有してい
る（図２、４参照）。第１の磁性膜５及び第２の磁性膜
３５の先端部は微小厚みのギャップ膜３９を隔てて対向
するポール部を構成する。第２のシールド膜５から分離
された第１の磁性膜を有することもある。
【００３９】第１の磁性膜５及び第２の磁性膜３５は、
そのヨーク部がポール部とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜４１の上に、ヨーク部の結合部のまわ
りを渦巻状にまわるように、コイル膜を形成してある。
コイル膜３７の両端は、端子導体４３、４５に接続され
ている。端子導体４３、４５も第３の絶縁膜２１によっ
て覆う。
そのヨーク部がポール部とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜４１の上に、ヨーク部の結合部のまわ
りを渦巻状にまわるように、コイル膜を形成してある。
コイル膜３７の両端は、端子導体４３、４５に接続され
ている。端子導体４３、４５も第３の絶縁膜２１によっ
て覆う。
【００４０】上述したように、ウエハ基体１上に備えら
れた薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれにお
いて、第１の絶縁膜７１は、第１のシールド膜３の上に
備えられており、第１の絶縁膜７１の上に磁気抵抗効果
素子９、第１の電極膜１１及び第２の電極膜１３が備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３が、第１のシールド膜３によって
シールドされる。
れた薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれにお
いて、第１の絶縁膜７１は、第１のシールド膜３の上に
備えられており、第１の絶縁膜７１の上に磁気抵抗効果
素子９、第１の電極膜１１及び第２の電極膜１３が備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３が、第１のシールド膜３によって
シールドされる。
【００４１】第２の絶縁膜７２は、第１の電極膜１１、
第２の電極膜１３及び磁気抵抗効果素子９を覆ってお
り、第２のシールド膜５は第２の絶縁膜７２の上に備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３は、第２のシールド膜５によって
シールドされる。
第２の電極膜１３及び磁気抵抗効果素子９を覆ってお
り、第２のシールド膜５は第２の絶縁膜７２の上に備え
られているから、磁気抵抗効果素子９並びに第１及び第
２の電極膜１１、１３は、第２のシールド膜５によって
シールドされる。
【００４２】また、導体膜１９１は、第１の電極膜１１
と、第１及び第２のシールド膜３、５とに接続されてい
る。従って、第１の電極膜１１が、第１及び第２のシー
ルド膜３、５と電気的に等電位になる。第１の電極膜１
１は、第２の電極膜１３と、磁気抵抗効果素子９を介し
て、等電位となるから、第２の電極膜１３も、第１及び
第２のシールド膜３、５と電気的に等電位になる。この
ため、ウエハ工程において、第１及び第２の電極膜１
１、１３と、第１及び第２のシールド膜３、５との間に
存在する第１及び第２の絶縁膜７１、７２に電圧が加わ
ることがないから、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の
絶縁劣化または絶縁破壊を防止できる。第１及び第２の
電極膜１１、１３は、第１及び第２のシールド膜３、５
の何れか一方と接続されていてもよい。このような構造
においても、第１及び第２のシールド膜３、５が互いに
導通していれば、上記作用効果を奏する。
と、第１及び第２のシールド膜３、５とに接続されてい
る。従って、第１の電極膜１１が、第１及び第２のシー
ルド膜３、５と電気的に等電位になる。第１の電極膜１
１は、第２の電極膜１３と、磁気抵抗効果素子９を介し
て、等電位となるから、第２の電極膜１３も、第１及び
第２のシールド膜３、５と電気的に等電位になる。この
ため、ウエハ工程において、第１及び第２の電極膜１
１、１３と、第１及び第２のシールド膜３、５との間に
存在する第１及び第２の絶縁膜７１、７２に電圧が加わ
ることがないから、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の
絶縁劣化または絶縁破壊を防止できる。第１及び第２の
電極膜１１、１３は、第１及び第２のシールド膜３、５
の何れか一方と接続されていてもよい。このような構造
においても、第１及び第２のシールド膜３、５が互いに
導通していれば、上記作用効果を奏する。
【００４３】上述したように、導体膜１９１によって、
第１の電極膜１１と、第１及び第２のシールド膜３、５
とを、電気的に接続させてある。従って、この導体膜１
９１を切断することにより、第１及び第２の電極膜１
１、１３を、第１及び第２のシールド膜３、５から電気
的に分離することができる。この導体膜１９１の切断
は、ウエハ上で行うことができる。
第１の電極膜１１と、第１及び第２のシールド膜３、５
とを、電気的に接続させてある。従って、この導体膜１
９１を切断することにより、第１及び第２の電極膜１
１、１３を、第１及び第２のシールド膜３、５から電気
的に分離することができる。この導体膜１９１の切断
は、ウエハ上で行うことができる。
【００４４】実施例の場合、導体膜１９１の中間部が、
第２のシールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２だけ離れた
位置に導出されている。この構造によれば、第１の電極
膜１１を、導体膜１９１で切断する際、少なくとも第２
のシールド膜５の外部で行うことができるから、第２の
シールド膜５の切断による導電性物質の発生を回避し、
切断部において、第１の電極膜１１の切断面と、第２の
シールド膜５との間が、導電性付着物によって短絡する
のを阻止することができる。この点については、後で、
更に詳しく説明する。
第２のシールド膜５の膜端縁から間隔△Ｇ２だけ離れた
位置に導出されている。この構造によれば、第１の電極
膜１１を、導体膜１９１で切断する際、少なくとも第２
のシールド膜５の外部で行うことができるから、第２の
シールド膜５の切断による導電性物質の発生を回避し、
切断部において、第１の電極膜１１の切断面と、第２の
シールド膜５との間が、導電性付着物によって短絡する
のを阻止することができる。この点については、後で、
更に詳しく説明する。
【００４５】第１の電極膜１１を、第１及び第２のシー
ルド膜３、５から電気的に分離した後は、第１及び第２
の電極膜１１、１３と、第１のシールド膜３または第２
のシールド膜５との間で、第１及び第２の絶縁膜７１、
７２の電気絶縁特性を測定することができる。この電気
絶縁特性の測定も、ウエハ上で行うことができる。
ルド膜３、５から電気的に分離した後は、第１及び第２
の電極膜１１、１３と、第１のシールド膜３または第２
のシールド膜５との間で、第１及び第２の絶縁膜７１、
７２の電気絶縁特性を測定することができる。この電気
絶縁特性の測定も、ウエハ上で行うことができる。
【００４６】実施例では、ウエハ上に設けられた薄膜磁
気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれが、第３の絶縁
膜２１と、第１の端子導体２３と、第２の端子導体２５
と、第３の端子導体２７とを含む。最外側層を構成する
第３の絶縁膜２１は、例えばアルミナ等で構成され、通
常は保護膜と称される。
気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれが、第３の絶縁
膜２１と、第１の端子導体２３と、第２の端子導体２５
と、第３の端子導体２７とを含む。最外側層を構成する
第３の絶縁膜２１は、例えばアルミナ等で構成され、通
常は保護膜と称される。
【００４７】第１の端子導体２３は第２のシールド膜５
の上に形成され、第３の絶縁膜２１によって覆われてい
る。第２の端子導体２５は第１の電極膜１１に導通し、
第３の絶縁膜２１によって覆われている。第３の端子導
体２７は、第２の電極膜１３に導通し、第３の絶縁膜２
１によって覆われている。第１の端子導体２３の役割に
ついては後で述べる。
の上に形成され、第３の絶縁膜２１によって覆われてい
る。第２の端子導体２５は第１の電極膜１１に導通し、
第３の絶縁膜２１によって覆われている。第３の端子導
体２７は、第２の電極膜１３に導通し、第３の絶縁膜２
１によって覆われている。第１の端子導体２３の役割に
ついては後で述べる。
【００４８】実施例では、更に、ウエハ上に設けられた
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、金属
膜２９を含む。金属膜２９は、第１の電極膜１１の導体
膜１９１の中間部に対応する位置において、第１の絶縁
膜７１の上に設けられ、第３の絶縁膜２１によって覆わ
れる。図示はされていないが、誘導型磁気変換素子３３
の端子導体４３、４５（図２参照）も第３の絶縁膜２１
によって覆う。金属膜２９の役割についても後で詳しく
述べる。
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、金属
膜２９を含む。金属膜２９は、第１の電極膜１１の導体
膜１９１の中間部に対応する位置において、第１の絶縁
膜７１の上に設けられ、第３の絶縁膜２１によって覆わ
れる。図示はされていないが、誘導型磁気変換素子３３
の端子導体４３、４５（図２参照）も第３の絶縁膜２１
によって覆う。金属膜２９の役割についても後で詳しく
述べる。
【００４９】図８は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体
の別の実施例を示す図、図９は図８の９ー９線に沿った
断面図、図１０は図９の１０ー１０線に沿った断面図、
図１１は図８の１１ー１１線に沿った断面図である。図
において、図１〜図７に現れた構成部分と同一の構成部
分については、同一の参照符号を付してある。この実施
例の特徴は、導体膜１９１、１９２が、第１及び第２の
電極膜１１、１３のそれぞれに電気的に接続されている
ことである。導体膜１９１、１９２は、連結部１８によ
って、電気的に互いに導通している。連結部１８は、第
１及び第２のシールド膜３、５と電気的に導通されてい
る。第１の端子導体２３は連結部１８の上方において、
第２のシールド膜５の上に備えられている。実施例で
は、導体膜１９１、１９２の中間部の両者を、第１及び
第２のシールド膜３、５の膜端縁から間隔△Ｇ１、△Ｇ
２（図１０参照）だけ離れた位置に導出してある。
の別の実施例を示す図、図９は図８の９ー９線に沿った
断面図、図１０は図９の１０ー１０線に沿った断面図、
図１１は図８の１１ー１１線に沿った断面図である。図
において、図１〜図７に現れた構成部分と同一の構成部
分については、同一の参照符号を付してある。この実施
例の特徴は、導体膜１９１、１９２が、第１及び第２の
電極膜１１、１３のそれぞれに電気的に接続されている
ことである。導体膜１９１、１９２は、連結部１８によ
って、電気的に互いに導通している。連結部１８は、第
１及び第２のシールド膜３、５と電気的に導通されてい
る。第１の端子導体２３は連結部１８の上方において、
第２のシールド膜５の上に備えられている。実施例で
は、導体膜１９１、１９２の中間部の両者を、第１及び
第２のシールド膜３、５の膜端縁から間隔△Ｇ１、△Ｇ
２（図１０参照）だけ離れた位置に導出してある。
【００５０】図８〜図１１に示した実施例によれば、図
２〜図７に示した実施例と、同様の作用効果を得ること
ができる他、磁気抵抗効果素子９が、第１、第２の電極
膜１１、１３、導体膜１９１、１９２及び連結部１８に
よって短絡された構造になるため、磁気抵抗効果素子９
が保護される。
２〜図７に示した実施例と、同様の作用効果を得ること
ができる他、磁気抵抗効果素子９が、第１、第２の電極
膜１１、１３、導体膜１９１、１９２及び連結部１８に
よって短絡された構造になるため、磁気抵抗効果素子９
が保護される。
【００５１】次に、図１２〜２２を参照して、図８〜１
１に図示された磁気ヘッドウエハの処理方法を、更に具
体的に説明する。図２〜図７に示した磁気ヘッドウエハ
の処理方法については、図１２〜図２２を援用するもの
とし、詳細な説明は省略する。
１に図示された磁気ヘッドウエハの処理方法を、更に具
体的に説明する。図２〜図７に示した磁気ヘッドウエハ
の処理方法については、図１２〜図２２を援用するもの
とし、詳細な説明は省略する。
【００５２】まず、図１２〜１５を参照して説明する。
図１２は図８の１２ー１２線切断に対応する断面図、図
１３は図９（図８の９ー９線断面図）に対応する断面
図、図１４は図１０（図８の１０ー１０線断面図）に対
応する断面図、図１５は図１１（図８の１１ー１１線断
面図）に対応する断面図である。図示するように、第３
の絶縁膜２１を、表面から研削して、第１、第２及び第
３の端子導体２３、２５、２７の端面とともに、第１及
び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させる。図示は
されていないが、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４
３、４５（図２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表
面に露出させる。これにより、第１〜第３の端子導体２
３〜２７を、ウエハ上で電気絶縁特性を行う場合の端子
として用いることができるようになる。
図１２は図８の１２ー１２線切断に対応する断面図、図
１３は図９（図８の９ー９線断面図）に対応する断面
図、図１４は図１０（図８の１０ー１０線断面図）に対
応する断面図、図１５は図１１（図８の１１ー１１線断
面図）に対応する断面図である。図示するように、第３
の絶縁膜２１を、表面から研削して、第１、第２及び第
３の端子導体２３、２５、２７の端面とともに、第１及
び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させる。図示は
されていないが、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４
３、４５（図２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表
面に露出させる。これにより、第１〜第３の端子導体２
３〜２７を、ウエハ上で電気絶縁特性を行う場合の端子
として用いることができるようになる。
【００５３】次に、第３の絶縁膜２１の表面にフォトレ
ジスト膜を塗布する。そして、このフォトレジスト膜に
対しフォトリソグラフィ工程を実行し、必要なパターン
となるように、露光、現像する。図１６〜図１８は現像
後のフォトレジストパターンを示している。
ジスト膜を塗布する。そして、このフォトレジスト膜に
対しフォトリソグラフィ工程を実行し、必要なパターン
となるように、露光、現像する。図１６〜図１８は現像
後のフォトレジストパターンを示している。
【００５４】まず、図１６に示すように、フォトレジス
ト膜４７は、第１の端子導体２３をカバーするようにパ
ターンニングされる。図示はされていないが、第２及び
第３の端子導体２５、２７及び誘導型磁気変換素子３３
の端子導体４３、４５（図２参照）もフォトレジスト膜
４７によって覆われるようにパターンニングされる。
ト膜４７は、第１の端子導体２３をカバーするようにパ
ターンニングされる。図示はされていないが、第２及び
第３の端子導体２５、２７及び誘導型磁気変換素子３３
の端子導体４３、４５（図２参照）もフォトレジスト膜
４７によって覆われるようにパターンニングされる。
【００５５】一方、フォトレジスト膜４７は、図１７、
１８に示すように、第１及び第２の金属膜２９、３１の
端面を露出させるようにパターンニングされる。
１８に示すように、第１及び第２の金属膜２９、３１の
端面を露出させるようにパターンニングされる。
【００５６】次に、図１９、２０に示すように、第１及
び第２の金属膜２９、３１を、選択的エッチング等の手
段によって除去する。これにより、第１及び第２の金属
膜２９、３１の除去跡２８、３０が生じる。
び第２の金属膜２９、３１を、選択的エッチング等の手
段によって除去する。これにより、第１及び第２の金属
膜２９、３１の除去跡２８、３０が生じる。
【００５７】次に、図２１、２２に示すように、除去跡
２８、３０を通して、導体膜１９１、１９２を切断す
る。除去跡２８、３０がそれぞれ、第１の切断部２８及
び第２の切断部３０となる。切断手段としては、イオン
ミリング等のドライエッチング法またはウエットエッチ
ング法を採用することができる。図２３は切断処理が終
了した後の状態を示す図であり、導体膜１９１、１９２
が、第１の切断部２８及び第２の切断部３０において、
適当な幅で切断されている。
２８、３０を通して、導体膜１９１、１９２を切断す
る。除去跡２８、３０がそれぞれ、第１の切断部２８及
び第２の切断部３０となる。切断手段としては、イオン
ミリング等のドライエッチング法またはウエットエッチ
ング法を採用することができる。図２３は切断処理が終
了した後の状態を示す図であり、導体膜１９１、１９２
が、第１の切断部２８及び第２の切断部３０において、
適当な幅で切断されている。
【００５８】既に述べたように、実施例の場合、導体膜
１９１、１９２の中間部が、第１及び第２のシールド膜
３、５の膜端縁から間隔△Ｇ１、△Ｇ２だけ離れた位置
に導出されているから、導体膜１９１、１９２を切断す
る際、第１及び第２のシールド膜３、５の外部で行うこ
とができる。このため、第１及び第２のシールド膜３、
５の切断による導電性物質の発生を回避し、切断部にお
いて、導体膜１９１、１９２の切断面と、第１及び第２
のシールド膜５との間が、導電性付着物によって短絡す
るのを阻止することができる。
１９１、１９２の中間部が、第１及び第２のシールド膜
３、５の膜端縁から間隔△Ｇ１、△Ｇ２だけ離れた位置
に導出されているから、導体膜１９１、１９２を切断す
る際、第１及び第２のシールド膜３、５の外部で行うこ
とができる。このため、第１及び第２のシールド膜３、
５の切断による導電性物質の発生を回避し、切断部にお
いて、導体膜１９１、１９２の切断面と、第１及び第２
のシールド膜５との間が、導電性付着物によって短絡す
るのを阻止することができる。
【００５９】上記切断によって、第１及び第２の電極膜
１１、１３が、第１及び第２のシールド膜３、５から電
気的に分離される。従って、ウエハ上で、第１の端子導
体２３と、第２の端子導体２５または第３の端子導体２
７との間で、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の電気絶
縁特性を測定することができる。図示実施例では、第
１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２７の端面が
第３の絶縁膜２１の表面に露出しているから、ウエハの
面上から、第１〜第３の端子導体２３〜２７の配置パタ
ーンに応じたプローブ．アレイを、第１〜第３の端子導
体２３〜２７の端面に同時に接触させることにより、多
数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍについて、電気
絶縁特性測定を一挙に行うことができる。
１１、１３が、第１及び第２のシールド膜３、５から電
気的に分離される。従って、ウエハ上で、第１の端子導
体２３と、第２の端子導体２５または第３の端子導体２
７との間で、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の電気絶
縁特性を測定することができる。図示実施例では、第
１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２７の端面が
第３の絶縁膜２１の表面に露出しているから、ウエハの
面上から、第１〜第３の端子導体２３〜２７の配置パタ
ーンに応じたプローブ．アレイを、第１〜第３の端子導
体２３〜２７の端面に同時に接触させることにより、多
数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍについて、電気
絶縁特性測定を一挙に行うことができる。
【００６０】図２４は本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合
体の別の実施例を示す図である。この実施例は、電気絶
縁特性測定後の薄膜磁気ヘッド集合体の一態様を示し、
導体ペースト層４９を有する。導体ペースト層４９は、
第３の絶縁膜２１の表面及び第１の端子導体２３、第２
の端子導体２５及び第３の端子導体２７の端面に付着さ
れ、第１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２７を
電気的に導通させる。
体の別の実施例を示す図である。この実施例は、電気絶
縁特性測定後の薄膜磁気ヘッド集合体の一態様を示し、
導体ペースト層４９を有する。導体ペースト層４９は、
第３の絶縁膜２１の表面及び第１の端子導体２３、第２
の端子導体２５及び第３の端子導体２７の端面に付着さ
れ、第１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２７を
電気的に導通させる。
【００６１】この構造の薄膜磁気ヘッド集合体の場合、
第１及び第２の電極膜１１、１３に導通する第２及び第
３の端子導体２５、２７と、第１及び第２のシールド膜
３、５に導通する第１の端子導体２３とが、導体ペース
ト層４９によって電気的に導通する。従って、第１及び
第２の切断部２８、３０があるにもかかわらず、第１及
び第２の電極１１、１３と、第１及び第２のシールド膜
３、５とを等電位に保つことができる。このため、電気
絶縁特性測定に続く他のプロセスにおいて、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化及び絶縁破壊を防止す
ることができる。
第１及び第２の電極膜１１、１３に導通する第２及び第
３の端子導体２５、２７と、第１及び第２のシールド膜
３、５に導通する第１の端子導体２３とが、導体ペース
ト層４９によって電気的に導通する。従って、第１及び
第２の切断部２８、３０があるにもかかわらず、第１及
び第２の電極１１、１３と、第１及び第２のシールド膜
３、５とを等電位に保つことができる。このため、電気
絶縁特性測定に続く他のプロセスにおいて、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化及び絶縁破壊を防止す
ることができる。
【００６２】図２〜図２４に示された実施例では、導体
膜１９１、１９２を、磁気抵抗効果素子９の前方に延長
し、前方位置に第１の端子導体２３を設けてある。薄膜
磁気ヘッドとして用いる場合、切断位置Ｃ１（図３、
８、２３参照）まで切断されるので、磁気抵抗効果素子
９の前方に位置する第１の端子導体２３、及び、導体膜
１９１、１９２または連結部１８は、薄膜磁気ヘッドに
は残らない。
膜１９１、１９２を、磁気抵抗効果素子９の前方に延長
し、前方位置に第１の端子導体２３を設けてある。薄膜
磁気ヘッドとして用いる場合、切断位置Ｃ１（図３、
８、２３参照）まで切断されるので、磁気抵抗効果素子
９の前方に位置する第１の端子導体２３、及び、導体膜
１９１、１９２または連結部１８は、薄膜磁気ヘッドに
は残らない。
【００６３】図２５は、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集
合体の別の態様において、誘導型磁気変換素子を除き、
導電部分だけを抽出して示す平面図、図２６は図２５の
２６ー２６線に沿った断面図、図２７は図２５の２７ー
２７線に沿った断面図ある。図において、先に示された
図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同
一の参照符号を付してある。この実施例では、第１及び
第２の電極膜１１、１３に電気的に接続された導体膜１
９１、１９２は、磁気抵抗効果素子９の後方に延長さ
れ、連結部１８で互いに接続されている。第１のシール
ド膜３及び第２のシールド膜５は連結部１８を介して、
互いに電気的に導通する。第１の端子導体２３は、磁気
抵抗効果素子９の後方において、第２のシールド膜５の
上に備えられている。
合体の別の態様において、誘導型磁気変換素子を除き、
導電部分だけを抽出して示す平面図、図２６は図２５の
２６ー２６線に沿った断面図、図２７は図２５の２７ー
２７線に沿った断面図ある。図において、先に示された
図面に現れた構成部分と同一の構成部分については、同
一の参照符号を付してある。この実施例では、第１及び
第２の電極膜１１、１３に電気的に接続された導体膜１
９１、１９２は、磁気抵抗効果素子９の後方に延長さ
れ、連結部１８で互いに接続されている。第１のシール
ド膜３及び第２のシールド膜５は連結部１８を介して、
互いに電気的に導通する。第１の端子導体２３は、磁気
抵抗効果素子９の後方において、第２のシールド膜５の
上に備えられている。
【００６４】この実施例に示す薄膜磁気ヘッド集合体の
場合も、先に示した実施例と同様の作用効果を得ること
ができる。更に、切断位置Ｃ１まで切断した場合、磁気
抵抗効果素子９の後方に位置する第１の端子導体２３
が、薄膜磁気ヘッドに残る。従って、先に示した実施例
と異なって、薄膜磁気ヘッドとしても、第１及び第２の
シールド膜３、５と、第１及び第２の電極１１、１３と
の間の絶縁特性を測定できるという利点が得られる。
場合も、先に示した実施例と同様の作用効果を得ること
ができる。更に、切断位置Ｃ１まで切断した場合、磁気
抵抗効果素子９の後方に位置する第１の端子導体２３
が、薄膜磁気ヘッドに残る。従って、先に示した実施例
と異なって、薄膜磁気ヘッドとしても、第１及び第２の
シールド膜３、５と、第１及び第２の電極１１、１３と
の間の絶縁特性を測定できるという利点が得られる。
【００６５】図２８〜３２は、図２５〜２７に図示され
た磁気ヘッドウエハの処理方法を説明する。まず、図２
８に図示するように、第３の絶縁膜２１を、表面から研
削して、第１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２
７（図２５参照）の端面とともに、第１及び第２の金属
膜２９、３１の端面を露出させる。図示はされていない
が、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４３、４５（図
２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表面に露出させ
る。これにより、第１〜第３の端子導体２３〜２７を、
ウエハ上で電気絶縁特性を行う場合の端子として用いる
ことができるようになる。
た磁気ヘッドウエハの処理方法を説明する。まず、図２
８に図示するように、第３の絶縁膜２１を、表面から研
削して、第１、第２及び第３の端子導体２３、２５、２
７（図２５参照）の端面とともに、第１及び第２の金属
膜２９、３１の端面を露出させる。図示はされていない
が、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４３、４５（図
２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表面に露出させ
る。これにより、第１〜第３の端子導体２３〜２７を、
ウエハ上で電気絶縁特性を行う場合の端子として用いる
ことができるようになる。
【００６６】次に、第３の絶縁膜２１の表面にフォトレ
ジスト膜を塗布する。そして、このフォトレジスト膜に
対しフォトリソグラフィ工程を実行し、必要なパターン
となるように、露光、現像する。
ジスト膜を塗布する。そして、このフォトレジスト膜に
対しフォトリソグラフィ工程を実行し、必要なパターン
となるように、露光、現像する。
【００６７】図２９は現像後のフォトレジストパターン
を示している。図示するように、フォトレジスト膜４７
は、第１及び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させ
るようにパターンニングされる。図示は省略してある
が、フォトレジスト膜４７は、第１、第２及び第３の端
子導体２３、２５、２７及び誘導型磁気変換素子３３の
端子導体４３、４５（図２参照）がフォトレジスト膜４
７によって覆われるようにパターンニングされる。
を示している。図示するように、フォトレジスト膜４７
は、第１及び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させ
るようにパターンニングされる。図示は省略してある
が、フォトレジスト膜４７は、第１、第２及び第３の端
子導体２３、２５、２７及び誘導型磁気変換素子３３の
端子導体４３、４５（図２参照）がフォトレジスト膜４
７によって覆われるようにパターンニングされる。
【００６８】次に、図３０に示すように、第１及び第２
の金属膜２９、３１を、選択的エッチング等の手段によ
って除去する。これにより、第１及び第２の金属膜２
９、３１の除去跡２８、３０が生じる。
の金属膜２９、３１を、選択的エッチング等の手段によ
って除去する。これにより、第１及び第２の金属膜２
９、３１の除去跡２８、３０が生じる。
【００６９】次に、図３１に示すように、除去跡２８、
３０を通して、導体膜１９１、１９２を切断する。この
ときの切断手段としては、イオンミリング等のドライエ
ッチング法またはウエットエッチング法を採用すること
ができる。次に、図３２に示すように、フォトレジスト
を除去する。
３０を通して、導体膜１９１、１９２を切断する。この
ときの切断手段としては、イオンミリング等のドライエ
ッチング法またはウエットエッチング法を採用すること
ができる。次に、図３２に示すように、フォトレジスト
を除去する。
【００７０】図３３は上述した切断工程を終了した後の
薄膜磁気ヘッド集合体において、薄膜磁気ヘッド要素か
ら導電部分だけを抽出して示す平面図であり、除去跡２
８、３０を通して、導体膜１９１、１９２が切断されて
いる。
薄膜磁気ヘッド集合体において、薄膜磁気ヘッド要素か
ら導電部分だけを抽出して示す平面図であり、除去跡２
８、３０を通して、導体膜１９１、１９２が切断されて
いる。
【００７１】上記構造の薄膜磁気ヘッド集合体の場合、
第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び第２のシ
ールド膜３、５とが、電気的に分離される。従って、ウ
エハ上で、第１の端子導体２３と、第２の端子導体２５
または第３の端子導体２７との間で、第１及び第２の絶
縁膜７１、７２の電気絶縁特性を測定することができ
る。
第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び第２のシ
ールド膜３、５とが、電気的に分離される。従って、ウ
エハ上で、第１の端子導体２３と、第２の端子導体２５
または第３の端子導体２７との間で、第１及び第２の絶
縁膜７１、７２の電気絶縁特性を測定することができ
る。
【００７２】第１、第２及び第３の端子導体２３、２
５、２７は、端面が第３の絶縁膜２１の表面に露出して
いるから、ウエハの面上から、第１〜第３の端子導体２
３〜２７の配置パターンに応じたプローブ．アレイを、
第１〜第３の端子導体２３〜２７の端面に同時に接触さ
せることにより、多数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑ
ｎｍについて、電気絶縁特性測定を一挙に行うことがで
きる。
５、２７は、端面が第３の絶縁膜２１の表面に露出して
いるから、ウエハの面上から、第１〜第３の端子導体２
３〜２７の配置パターンに応じたプローブ．アレイを、
第１〜第３の端子導体２３〜２７の端面に同時に接触さ
せることにより、多数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑ
ｎｍについて、電気絶縁特性測定を一挙に行うことがで
きる。
【００７３】図３４は、本発明に係る薄膜磁気ヘッド集
合体の更に別の態様において、誘導型磁気変換素子を除
き、導電部分だけを抽出して示す平面図、図３５は図３
４の３５ー３５線に沿った断面図である。図において、
先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部分に
ついては、同一の参照符号を付してある。
合体の更に別の態様において、誘導型磁気変換素子を除
き、導電部分だけを抽出して示す平面図、図３５は図３
４の３５ー３５線に沿った断面図である。図において、
先に示された図面に現れた構成部分と同一の構成部分に
ついては、同一の参照符号を付してある。
【００７４】この実施例では、第１の端子導体２３と、
第４の端子導体５１とを含む。第１の端子導体２３は、
磁気抵抗効果素子９の前方において、第２のシールド膜
５上に備えられ、第４の端子導体５１は、磁気抵抗効果
素子９の後方において第２のシールド膜５の上に備えら
れている。第２のシールド膜５は、前方側では、連結部
１８を介して、第１のシールド膜３に接続され、後方側
では、直接的に、第１のシールド膜３に接続されてい
る。
第４の端子導体５１とを含む。第１の端子導体２３は、
磁気抵抗効果素子９の前方において、第２のシールド膜
５上に備えられ、第４の端子導体５１は、磁気抵抗効果
素子９の後方において第２のシールド膜５の上に備えら
れている。第２のシールド膜５は、前方側では、連結部
１８を介して、第１のシールド膜３に接続され、後方側
では、直接的に、第１のシールド膜３に接続されてい
る。
【００７５】図３６〜４１は、図３４、３１に図示され
た磁気ヘッドウエハの処理方法を説明する図である。ま
ず、図３６〜４０に図示するように、第３の絶縁膜２１
を、表面から研削して、第１、第２、第３及び第４の端
子導体２３、２５、２７、５１の端面とともに、第１及
び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させる。図示は
されていないが、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４
３、４５（図２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表
面に露出させる。これにより、第１〜第４の端子導体２
３、２５、２７、５１を、ウエハ上で電気絶縁特性を行
う場合の端子として用いることができるようになる。
た磁気ヘッドウエハの処理方法を説明する図である。ま
ず、図３６〜４０に図示するように、第３の絶縁膜２１
を、表面から研削して、第１、第２、第３及び第４の端
子導体２３、２５、２７、５１の端面とともに、第１及
び第２の金属膜２９、３１の端面を露出させる。図示は
されていないが、誘導型磁気変換素子３３の端子導体４
３、４５（図２参照）の端面も、第３の絶縁膜２１の表
面に露出させる。これにより、第１〜第４の端子導体２
３、２５、２７、５１を、ウエハ上で電気絶縁特性を行
う場合の端子として用いることができるようになる。
【００７６】この後、図２９〜図３２等に示した処理工
程を経ることにより、第１及び第２の電極膜１１、１３
に電気的に接続されている導体膜１９１、１９２を切断
する。図４１は上述した切断処理が終了した後の状態を
示す図であり、導体膜１９１、１９２が、第１及び第２
の切断部２８、３０により、適当な幅で切断されてい
る。
程を経ることにより、第１及び第２の電極膜１１、１３
に電気的に接続されている導体膜１９１、１９２を切断
する。図４１は上述した切断処理が終了した後の状態を
示す図であり、導体膜１９１、１９２が、第１及び第２
の切断部２８、３０により、適当な幅で切断されてい
る。
【００７７】上記構造の薄膜磁気ヘッド集合体の場合
も、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び第２
のシールド膜３、５とが、電気的に分離される。従っ
て、ウエハ上で、第１の端子導体２３と、第２の端子導
体２５または第３の端子導体２７との間で、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２の電気絶縁特性を測定することが
できる。
も、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び第２
のシールド膜３、５とが、電気的に分離される。従っ
て、ウエハ上で、第１の端子導体２３と、第２の端子導
体２５または第３の端子導体２７との間で、第１及び第
２の絶縁膜７１、７２の電気絶縁特性を測定することが
できる。
【００７８】第１、第２、第３及び第４の端子導体２
３、２５、２７、５１は、端面が第３の絶縁膜２１の表
面に露出しているから、ウエハの面上から、第１〜第４
の端子導体２３、２５、２７、５１の端面に、プロー
ブ．アレイを同時に接触させることにより、多数の薄膜
磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍについて、電気絶縁特性
を一挙に測定することができる。
３、２５、２７、５１は、端面が第３の絶縁膜２１の表
面に露出しているから、ウエハの面上から、第１〜第４
の端子導体２３、２５、２７、５１の端面に、プロー
ブ．アレイを同時に接触させることにより、多数の薄膜
磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍについて、電気絶縁特性
を一挙に測定することができる。
【００７９】薄膜磁気ヘッドとして用いる場合、切断位
置Ｃ１まで切断されるので、磁気抵抗効果素子９の前方
に位置する第１の端子導体２３、第１及び第２の電極膜
１１、１３の導体膜１９１、１９２及び連結部１８は、
薄膜磁気ヘッドには残らない。
置Ｃ１まで切断されるので、磁気抵抗効果素子９の前方
に位置する第１の端子導体２３、第１及び第２の電極膜
１１、１３の導体膜１９１、１９２及び連結部１８は、
薄膜磁気ヘッドには残らない。
【００８０】これに対して、磁気抵抗効果素子９の後方
に位置する第４の端子導体５１が薄膜磁気ヘッドに残る
ので、薄膜磁気ヘッドとしても、第４の端子導体５１を
利用して、第１及び第２のシールド膜３、５と、第１及
び第２の電極１１、１３との間の第１及び第２の絶縁膜
７１、７２の絶縁特性を測定できるという利点が得られ
る。
に位置する第４の端子導体５１が薄膜磁気ヘッドに残る
ので、薄膜磁気ヘッドとしても、第４の端子導体５１を
利用して、第１及び第２のシールド膜３、５と、第１及
び第２の電極１１、１３との間の第１及び第２の絶縁膜
７１、７２の絶縁特性を測定できるという利点が得られ
る。
【００８１】また、この実施例の場合、ウエハ工程を終
了した後、切断線Ｃ１ーＣ１線まで切断した後も、保護
膜２１の表面に導電性ペーストを塗布することにより、
端子間を導通させ、絶縁破壊を防止することができる。
了した後、切断線Ｃ１ーＣ１線まで切断した後も、保護
膜２１の表面に導電性ペーストを塗布することにより、
端子間を導通させ、絶縁破壊を防止することができる。
【００８２】磁気抵抗効果素子９と第１及び第２のシー
ルド膜３、５との間の電気的接続を切断する工程に、ド
ライエッチング及びウエットエッチングを用い得ること
は、前述した通りである。そのうちでも、ウエットエッ
チングが好ましい。ウエットエッチングにおいては、帯
電の制御がドライエッチングよりも容易であるため、帯
電による磁気抵抗効果素子９の破壊を防止できる。
ルド膜３、５との間の電気的接続を切断する工程に、ド
ライエッチング及びウエットエッチングを用い得ること
は、前述した通りである。そのうちでも、ウエットエッ
チングが好ましい。ウエットエッチングにおいては、帯
電の制御がドライエッチングよりも容易であるため、帯
電による磁気抵抗効果素子９の破壊を防止できる。
【００８３】ウエットエッチングは、絶縁抵抗測定及び
磁気抵抗効果素子９の特性測定のための準備工程である
から、測定ステップに応じて、その前に行えばよい。例
えば、絶縁抵抗及び磁気抵抗効果素子９の特性の測定が
ウエハ工程の最終段階で行われるなら、ウエットエッチ
ングは、ウエハ工程の最終段階において、絶縁抵抗及び
特性の測定ステップの直前に行われる。測定ステップが
ウエハ工程の中間で行われるなら、ウエットエッチング
は、ウエハ工程の中間工程において、測定ステップの直
前に行われる。次に具体例を挙げて説明する。
磁気抵抗効果素子９の特性測定のための準備工程である
から、測定ステップに応じて、その前に行えばよい。例
えば、絶縁抵抗及び磁気抵抗効果素子９の特性の測定が
ウエハ工程の最終段階で行われるなら、ウエットエッチ
ングは、ウエハ工程の最終段階において、絶縁抵抗及び
特性の測定ステップの直前に行われる。測定ステップが
ウエハ工程の中間で行われるなら、ウエットエッチング
は、ウエハ工程の中間工程において、測定ステップの直
前に行われる。次に具体例を挙げて説明する。
【００８４】図４２はウエットエッチングの適用可能な
一例を示す斜視図であり、第２のシールド膜５を形成し
た直後の状態を示す。図４３は図４２の４３ー４３線に
沿った拡大断面図、図４４は図４２の４４ー４４線に沿
った拡大断面図である。図において、先に示した図面に
現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。
一例を示す斜視図であり、第２のシールド膜５を形成し
た直後の状態を示す。図４３は図４２の４３ー４３線に
沿った拡大断面図、図４４は図４２の４４ー４４線に沿
った拡大断面図である。図において、先に示した図面に
現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参
照符号を付してある。
【００８５】図において、導体膜は、第１の導体膜１９
１〜第３の導体膜１９３を含んでいる。第１の導体膜１
９１は、第１の電極膜１１に電気的に接続され、切断位
置Ｃ１よりは前方で、角度９０度で曲る方向に導出され
ている。第１及び第３の導体膜１９１、１９３は、第１
の電極膜１１に電気的に接続されている。第１の導体膜
１９１には、切断部Ｐ１１が備えられ、更にその先に、
第１の導体膜１９１を、第１のシールド膜３及び第２の
シールド膜５に電気的に接続する接続部Ｐ１２が備えら
れる。接続部Ｐ１２では、第１の導体膜１９１が、第１
及び第２のシールド膜３、５に、それぞれ、電気的に接
続される。第２の導体膜１９２は、第３の導体膜１９３
から間隔を隔てて、ほぼ平行に導出されている。第３の
導体膜１９３は、第１の導体膜１９１とは、逆方向に導
出さされる。
１〜第３の導体膜１９３を含んでいる。第１の導体膜１
９１は、第１の電極膜１１に電気的に接続され、切断位
置Ｃ１よりは前方で、角度９０度で曲る方向に導出され
ている。第１及び第３の導体膜１９１、１９３は、第１
の電極膜１１に電気的に接続されている。第１の導体膜
１９１には、切断部Ｐ１１が備えられ、更にその先に、
第１の導体膜１９１を、第１のシールド膜３及び第２の
シールド膜５に電気的に接続する接続部Ｐ１２が備えら
れる。接続部Ｐ１２では、第１の導体膜１９１が、第１
及び第２のシールド膜３、５に、それぞれ、電気的に接
続される。第２の導体膜１９２は、第３の導体膜１９３
から間隔を隔てて、ほぼ平行に導出されている。第３の
導体膜１９３は、第１の導体膜１９１とは、逆方向に導
出さされる。
【００８６】第１の導体膜１９１、第２の導体膜１９２
及び第３の導体膜１９３は、接続導体膜８１によって電
気的に短絡されている。この短絡導体８１は、第２のシ
ールド膜５を形成するプロセスにおいて形成することが
できる。この場合は、接続導体膜８１は第２のシールド
膜５と同じ材料、例えばＮｉＦｅによって構成される。
接続導体膜８１は、絶縁膜７２を貫通するスルーホール
８２を通して、第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３に
接続させてある。
及び第３の導体膜１９３は、接続導体膜８１によって電
気的に短絡されている。この短絡導体８１は、第２のシ
ールド膜５を形成するプロセスにおいて形成することが
できる。この場合は、接続導体膜８１は第２のシールド
膜５と同じ材料、例えばＮｉＦｅによって構成される。
接続導体膜８１は、絶縁膜７２を貫通するスルーホール
８２を通して、第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３に
接続させてある。
【００８７】上述した構造により、第１の電極膜１１
は、第１の導体膜１９１及び切断部Ｐ１１を経由して、
接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第２のシ
ールド膜５と電気的に接続される経路と、第３の導体膜
１９３、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由
して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路との並列的
経路を有することになる。
は、第１の導体膜１９１及び切断部Ｐ１１を経由して、
接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第２のシ
ールド膜５と電気的に接続される経路と、第３の導体膜
１９３、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由
して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路との並列的
経路を有することになる。
【００８８】また、第２の電極膜１３も、第２の導体膜
１９２、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９３を経由
して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路と、第３の
導体膜１９３、第１の導体膜１９１及び切断部Ｐ１１を
経由して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及
び第２のシールド膜５と電気的に接続される経路との並
列的経路を有することになる。
１９２、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９３を経由
して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路と、第３の
導体膜１９３、第１の導体膜１９１及び切断部Ｐ１１を
経由して、接続部Ｐ１２に至り、第１のシールド膜３及
び第２のシールド膜５と電気的に接続される経路との並
列的経路を有することになる。
【００８９】図４２〜４４の工程により、接続導体膜８
１を形成した後、第１の導体膜１９１を、切断部Ｐ１１
において切断する。切断手段としては、ドライエッチン
グを採用することができる。第１の導体膜１９１が切断
されても、第１の電極膜１１は、第３の導体膜１９３、
接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由して、接
続部Ｐ１２に至る経路を有しており、この経路により、
第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に
接続される。
１を形成した後、第１の導体膜１９１を、切断部Ｐ１１
において切断する。切断手段としては、ドライエッチン
グを採用することができる。第１の導体膜１９１が切断
されても、第１の電極膜１１は、第３の導体膜１９３、
接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由して、接
続部Ｐ１２に至る経路を有しており、この経路により、
第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に
接続される。
【００９０】また、第２の電極膜１３も、第２の導体膜
１９２、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由
して、接続部Ｐ１２に至る経路を有しており、この経路
により、第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５と
電気的に接続される。
１９２、接続導体膜８１及び第１の導体膜１９１を経由
して、接続部Ｐ１２に至る経路を有しており、この経路
により、第１のシールド膜３及び第２のシールド膜５と
電気的に接続される。
【００９１】従って、第１及び第２の電極膜１１、１３
は、第１及び第２のシールド膜３、５と電気的に等電位
になる。このため、切断部Ｐ１１において、第１の導体
膜１９１を切断する工程において、ドライエッチングを
採用した場合でも、第１及び第２の電極膜１１、１３
と、第１及び第２のシールド膜３、５との間に存在する
第１及び第２の絶縁膜７１、７２に電圧が加わることが
ないから、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化
または絶縁破壊を防止できる。
は、第１及び第２のシールド膜３、５と電気的に等電位
になる。このため、切断部Ｐ１１において、第１の導体
膜１９１を切断する工程において、ドライエッチングを
採用した場合でも、第１及び第２の電極膜１１、１３
と、第１及び第２のシールド膜３、５との間に存在する
第１及び第２の絶縁膜７１、７２に電圧が加わることが
ないから、第１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化
または絶縁破壊を防止できる。
【００９２】従って、磁気抵抗効果素子形成工程では、
ウエットエッチングが必ずしも容易ではない素材を用い
て、第１及び第２のシールド膜３、５と磁気抵抗効果素
子９との間に電気的接続路を形成することができる。
ウエットエッチングが必ずしも容易ではない素材を用い
て、第１及び第２のシールド膜３、５と磁気抵抗効果素
子９との間に電気的接続路を形成することができる。
【００９３】プロセスの進行により、磁気抵抗効果素子
９と第１及び第２のシールド膜３、５との間の絶縁特性
測定のためのステップに至ったとき、ウエットエッチン
グによって、接続導体膜８１を除去する。これにより、
磁気抵抗効果素子９と第１及び第２のシールド膜３、５
との間の絶縁を安全に回復し、絶縁特性の検査を可能に
する。
９と第１及び第２のシールド膜３、５との間の絶縁特性
測定のためのステップに至ったとき、ウエットエッチン
グによって、接続導体膜８１を除去する。これにより、
磁気抵抗効果素子９と第１及び第２のシールド膜３、５
との間の絶縁を安全に回復し、絶縁特性の検査を可能に
する。
【００９４】保護膜成膜工程後まで、第１及び第２のシ
ールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的接続を
確保する場合には、接続導体膜８１が、絶縁膜等によっ
て埋められることがないようにする。また、ウエットエ
ッチングにより除去される接続導体膜８１は、保護膜の
膜厚よりも厚くしておく。これにより、保護膜成膜後に
研磨し、接続導体膜８１を、保護膜２１の表面に露出で
きる。保護膜２１の表面に露出した端子は、金またはレ
ジストなどで覆っておく。ウエットエッチングにおい
て、保護膜を侵さないエッチング液を用いることによ
り、必要な部分を除去して、第１及び第２のシールド膜
３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的絶縁を得る。
ールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的接続を
確保する場合には、接続導体膜８１が、絶縁膜等によっ
て埋められることがないようにする。また、ウエットエ
ッチングにより除去される接続導体膜８１は、保護膜の
膜厚よりも厚くしておく。これにより、保護膜成膜後に
研磨し、接続導体膜８１を、保護膜２１の表面に露出で
きる。保護膜２１の表面に露出した端子は、金またはレ
ジストなどで覆っておく。ウエットエッチングにおい
て、保護膜を侵さないエッチング液を用いることによ
り、必要な部分を除去して、第１及び第２のシールド膜
３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的絶縁を得る。
【００９５】図４５〜４８はウエットエッチングの具体
例を示す図で、保護膜成膜工程後まで、第１及び第２の
シールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的接続
を確保する場合を示している。
例を示す図で、保護膜成膜工程後まで、第１及び第２の
シールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との電気的接続
を確保する場合を示している。
【００９６】図４５は、保護膜形成後の短絡導体部分の
断面図を示している。接続導体膜８１は、第２のシール
ド膜５を形成する際に付着された導体膜８１１と、第２
及び第３の端子導体２５、２７を形成する際に付着され
た導体膜８１２及び導体膜８１３とを積層した構造とな
っている。導体膜８１１は例えばＮｉＦｅ膜でなり、導
体膜８１２は第２及び第３の端子導体２５、２７の下地
膜であるＴｉ膜でなり、導体膜８１３は第２及び第３の
端子導体２５、２７の大部分を構成するＣｕ膜でなる。
第１、第２の電極膜１１、１３及び第１〜第３の導体膜
１９１〜１９３の輪郭部（周縁部）の下側には、磁気抵
抗効果素子成分１９０が、除去されずに残っている場合
が多い。
断面図を示している。接続導体膜８１は、第２のシール
ド膜５を形成する際に付着された導体膜８１１と、第２
及び第３の端子導体２５、２７を形成する際に付着され
た導体膜８１２及び導体膜８１３とを積層した構造とな
っている。導体膜８１１は例えばＮｉＦｅ膜でなり、導
体膜８１２は第２及び第３の端子導体２５、２７の下地
膜であるＴｉ膜でなり、導体膜８１３は第２及び第３の
端子導体２５、２７の大部分を構成するＣｕ膜でなる。
第１、第２の電極膜１１、１３及び第１〜第３の導体膜
１９１〜１９３の輪郭部（周縁部）の下側には、磁気抵
抗効果素子成分１９０が、除去されずに残っている場合
が多い。
【００９７】ウエットエッチングに当っては、図４６に
示すように、接続導体膜８１に含まれる導体膜８１３
を、ウエットエッチングによって除去する。導体膜８１
３がＣｕ膜でなる場合は、エッチング液として、例え
ば、塩化第二鉄水溶液を用いる。
示すように、接続導体膜８１に含まれる導体膜８１３
を、ウエットエッチングによって除去する。導体膜８１
３がＣｕ膜でなる場合は、エッチング液として、例え
ば、塩化第二鉄水溶液を用いる。
【００９８】次に、図４７に示すように、導体膜８１２
をウエットエッチングによって除去する。導体膜８１２
がＴｉ膜でなる場合は、エッチング液としては、弗化水
素溶液またはその混合物を用いることができる。
をウエットエッチングによって除去する。導体膜８１２
がＴｉ膜でなる場合は、エッチング液としては、弗化水
素溶液またはその混合物を用いることができる。
【００９９】更に、図４８に示すように、導体膜８１１
をウエットエッチングによって除去する。導体膜８１１
がＮｉＦｅ膜でなる場合は、エッチング液として、塩化
第二鉄水溶液を用いる。これにより、磁気抵抗効果素子
９と第１及び第２のシールド膜３、５との間の絶縁を安
全に回復し、絶縁特性及び磁気抵抗効果素子９の特性の
検査が可能になる。
をウエットエッチングによって除去する。導体膜８１１
がＮｉＦｅ膜でなる場合は、エッチング液として、塩化
第二鉄水溶液を用いる。これにより、磁気抵抗効果素子
９と第１及び第２のシールド膜３、５との間の絶縁を安
全に回復し、絶縁特性及び磁気抵抗効果素子９の特性の
検査が可能になる。
【０１００】第１及び第２の電極膜１１、１３、それら
に連続する第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、導
体膜８１１のためのエッチング液によっては、エッチン
グを受けない材料によって構成する。導体膜８１１は、
第２のシールド膜５を形成する際に形成されるものであ
り、一般には、ＮｉＦｅ膜である。ＮｉＦｅ膜のウエッ
トエッチングには、例えば、塩化第二鉄水溶液が用いら
れる。従って、第１及び第２の電極膜１１、１３、それ
らに連続する第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、
塩化第二鉄水溶液によるエッチングを受けにくい材料に
よって構成する。
に連続する第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、導
体膜８１１のためのエッチング液によっては、エッチン
グを受けない材料によって構成する。導体膜８１１は、
第２のシールド膜５を形成する際に形成されるものであ
り、一般には、ＮｉＦｅ膜である。ＮｉＦｅ膜のウエッ
トエッチングには、例えば、塩化第二鉄水溶液が用いら
れる。従って、第１及び第２の電極膜１１、１３、それ
らに連続する第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、
塩化第二鉄水溶液によるエッチングを受けにくい材料に
よって構成する。
【０１０１】また、第１及び第２の電極膜１１、１３に
は、磁気抵抗効果素子９が連続しており、更に、第１、
第２の電極膜１１、１３及び第１〜第３の導体膜１９１
〜１９３の輪郭部（周縁部）の下側に、磁気抵抗効果素
子成分１９０が、除去されずに残っている場合が多い
（図４３、図４５〜４８参照）。磁気抵抗効果素子９
は、エッチングを受け易い層を含んでいる。具体的に
は、磁気抵抗効果素子９がＧＭＲでなる場合、塩化第二
鉄水溶液によるエッチングを受け易いＮｉＦｅ層、Ｃｕ
層及びＣｏ合金層等を含んでいる。従って、接続導体膜
８１を囲む絶縁膜７１、７２及び保護膜２１は、塩化第
二鉄水溶液によるエッチングを受けにくい物質、特に、
アルミナ等によって構成し、エッチングが磁気抵抗効果
素子９または残存している磁気抵抗効果素子成分１９０
まで進行しないようにする。
は、磁気抵抗効果素子９が連続しており、更に、第１、
第２の電極膜１１、１３及び第１〜第３の導体膜１９１
〜１９３の輪郭部（周縁部）の下側に、磁気抵抗効果素
子成分１９０が、除去されずに残っている場合が多い
（図４３、図４５〜４８参照）。磁気抵抗効果素子９
は、エッチングを受け易い層を含んでいる。具体的に
は、磁気抵抗効果素子９がＧＭＲでなる場合、塩化第二
鉄水溶液によるエッチングを受け易いＮｉＦｅ層、Ｃｕ
層及びＣｏ合金層等を含んでいる。従って、接続導体膜
８１を囲む絶縁膜７１、７２及び保護膜２１は、塩化第
二鉄水溶液によるエッチングを受けにくい物質、特に、
アルミナ等によって構成し、エッチングが磁気抵抗効果
素子９または残存している磁気抵抗効果素子成分１９０
まで進行しないようにする。
【０１０２】ウエットエッチング装置には除電措置また
は帯電防止措置を施すことが望ましい。除電措置はイオ
ナイザーを用いることよって実施することができる。帯
電防止措置は、ウエットエッチング装置に含まれるノズ
ル、ステージもしくはハンドラーを接地し、または、洗
浄水に炭酸ガスを溶解させて、その導電率を上げる等の
手段によって、実施できる。
は帯電防止措置を施すことが望ましい。除電措置はイオ
ナイザーを用いることよって実施することができる。帯
電防止措置は、ウエットエッチング装置に含まれるノズ
ル、ステージもしくはハンドラーを接地し、または、洗
浄水に炭酸ガスを溶解させて、その導電率を上げる等の
手段によって、実施できる。
【０１０３】ウエットエッチングによって除去される接
続導体膜８１の素材として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｎｉのいずれかの金属またはその合金を用いるこ
とができる。特に、Ｎｉ及びＦｅを含む合金、Ｃｕ及び
Ｆｅを主成分とし他の元素を固溶する合金、または、Ｃ
ｏを主成分とする合金の少なくとも一種が好ましい。接
続導体膜８１の成膜方法としては、特に、めっきを用い
ることが実用的である。
続導体膜８１の素材として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、
Ｃｒ、Ｎｉのいずれかの金属またはその合金を用いるこ
とができる。特に、Ｎｉ及びＦｅを含む合金、Ｃｕ及び
Ｆｅを主成分とし他の元素を固溶する合金、または、Ｃ
ｏを主成分とする合金の少なくとも一種が好ましい。接
続導体膜８１の成膜方法としては、特に、めっきを用い
ることが実用的である。
【０１０４】ウエットエッチングで除去される接続導体
膜８１と接触する導体、例えば、第１の導体膜１９１、
１９１、１９２の素材として、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｒｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択さ
れた金属またはその合金の少なくとも一種を用いること
ができる。
膜８１と接触する導体、例えば、第１の導体膜１９１、
１９１、１９２の素材として、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｒｅ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄから選択さ
れた金属またはその合金の少なくとも一種を用いること
ができる。
【０１０５】また、ウエットエッチングで除去される接
続導体膜８１と、第１乃至第３の導体膜１９〜１９３と
の接触部が、全て、第１乃至第３の導体膜１９１〜１９
３の輪郭の内側にあり、第１乃至第３の導体膜１９１〜
１９３の輪郭の外側には一部たりとも存在しないこと、
第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、接続導体膜８
１との接触部以外はすべて、絶縁膜７２によって覆われ
ていることが必要である。輪郭に沿うエッチングの進行
によって、ＧＭＲでなる磁気抵抗効果素子９が破壊され
るのを防止するためである。
続導体膜８１と、第１乃至第３の導体膜１９〜１９３と
の接触部が、全て、第１乃至第３の導体膜１９１〜１９
３の輪郭の内側にあり、第１乃至第３の導体膜１９１〜
１９３の輪郭の外側には一部たりとも存在しないこと、
第１乃至第３の導体膜１９１〜１９３は、接続導体膜８
１との接触部以外はすべて、絶縁膜７２によって覆われ
ていることが必要である。輪郭に沿うエッチングの進行
によって、ＧＭＲでなる磁気抵抗効果素子９が破壊され
るのを防止するためである。
【０１０６】上述した絶縁膜７２としてはアルミナ、窒
化アルミニウムまたはＳｉ０2のいずれか、もしくはそ
の混合物が好ましい。実施例では、第１乃至第３の導体
膜１９１〜１９３の輪郭の内側に、絶縁膜７２を貫通す
るスルーホール８２を備え、このスルーホール８２を通
して、接続導体膜８１を、第１乃至第３の導体膜１９１
〜１９３に接続してある。
化アルミニウムまたはＳｉ０2のいずれか、もしくはそ
の混合物が好ましい。実施例では、第１乃至第３の導体
膜１９１〜１９３の輪郭の内側に、絶縁膜７２を貫通す
るスルーホール８２を備え、このスルーホール８２を通
して、接続導体膜８１を、第１乃至第３の導体膜１９１
〜１９３に接続してある。
【０１０７】図４９はウエットエッチングの適用可能な
更に別の例を示す斜視図であり、保護膜２１を形成した
後の状態を示す。図５０は図４９の５０ー５０線に沿っ
た拡大断面図である。図において、先に示した図面に現
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。
更に別の例を示す斜視図であり、保護膜２１を形成した
後の状態を示す。図５０は図４９の５０ー５０線に沿っ
た拡大断面図である。図において、先に示した図面に現
れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照
符号を付してある。
【０１０８】図において、第１乃至第４の導体膜１９１
〜１９４を含んでいる。第１の導体膜１９１は第１の電
極膜１１に電気的に接続されている。第１の導体膜１９
１は、磁気抵抗効果素子９から見て後方側に導出され、
更に角度９０度で曲る方向に導出されている。第１の電
極膜１１は第２の端子導体２５に電気的に接続され、第
２の電極膜１３は、第３の端子導体２７に電気的に接続
されている。
〜１９４を含んでいる。第１の導体膜１９１は第１の電
極膜１１に電気的に接続されている。第１の導体膜１９
１は、磁気抵抗効果素子９から見て後方側に導出され、
更に角度９０度で曲る方向に導出されている。第１の電
極膜１１は第２の端子導体２５に電気的に接続され、第
２の電極膜１３は、第３の端子導体２７に電気的に接続
されている。
【０１０９】第２の導体膜１９２は、第２の電極膜１３
に電気的に接続され、磁気抵抗効果素子９から見て後方
側において、第１の導体膜１９１とほぼ平行に、約角度
９０度で曲る方向に導出されている。第３及び第４の導
体膜１９３、１９４は、第１の導体膜１９１の側部に、
間隔を隔てて設けられている。第３及び第４の導体膜１
９３、１９４は、互いに間隔を隔てている。第３の導体
膜１９３は、第２の絶縁膜７１を貫通して、第２のシー
ルド膜５に電気的に導通し、第４の導体膜１９４は第１
の絶縁膜７１を貫通して、第１のシールド膜３に電気的
に導通している。
に電気的に接続され、磁気抵抗効果素子９から見て後方
側において、第１の導体膜１９１とほぼ平行に、約角度
９０度で曲る方向に導出されている。第３及び第４の導
体膜１９３、１９４は、第１の導体膜１９１の側部に、
間隔を隔てて設けられている。第３及び第４の導体膜１
９３、１９４は、互いに間隔を隔てている。第３の導体
膜１９３は、第２の絶縁膜７１を貫通して、第２のシー
ルド膜５に電気的に導通し、第４の導体膜１９４は第１
の絶縁膜７１を貫通して、第１のシールド膜３に電気的
に導通している。
【０１１０】第１乃至第４の導体膜１９１〜１９４は、
第１乃至第３の接続導体膜１９５〜１９６によって電気
的に接続されている。第１乃至第３の接続導体膜１９５
〜１９６は、第１乃至第４の導体膜１９１〜１９４と同
一組成の膜であってもよいし、異なる組成の膜であって
もよい。
第１乃至第３の接続導体膜１９５〜１９６によって電気
的に接続されている。第１乃至第３の接続導体膜１９５
〜１９６は、第１乃至第４の導体膜１９１〜１９４と同
一組成の膜であってもよいし、異なる組成の膜であって
もよい。
【０１１１】更に、第１乃至第４の導体膜１９１〜１９
４は、接続導体膜８１によって電気的に短絡されてい
る。接続導体膜８１は、図５０に図示するように、第２
のシールド膜５を形成する際に付着された導体膜８１１
と、第２及び第３の端子導体２５、２７を形成する際に
付着された導体膜８１２及び導体膜８１３とを積層した
構造となる。導体膜８１１は例えばＮｉＦｅ膜でなり、
導体膜８１２は第２及び第３の端子導体２５、２７の下
地膜であるＴｉ膜でなり、導体膜８１３は第２及び第３
の端子導体２５、２７の大部分を構成するＣｕ膜でな
る。
４は、接続導体膜８１によって電気的に短絡されてい
る。接続導体膜８１は、図５０に図示するように、第２
のシールド膜５を形成する際に付着された導体膜８１１
と、第２及び第３の端子導体２５、２７を形成する際に
付着された導体膜８１２及び導体膜８１３とを積層した
構造となる。導体膜８１１は例えばＮｉＦｅ膜でなり、
導体膜８１２は第２及び第３の端子導体２５、２７の下
地膜であるＴｉ膜でなり、導体膜８１３は第２及び第３
の端子導体２５、２７の大部分を構成するＣｕ膜でな
る。
【０１１２】上述した構造により、第１の電極膜１１
は、第１の導体膜１９１、接続導体膜８１、第３の導体
膜１９３及び第４の導体膜１９４を経由して、第１のシ
ールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続され
る経路と、第１の導体膜１９１、第２の接続導体膜１９
６、第３の導体膜１９３、第３の接続導体膜１９７及び
第４の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及
び第２のシールド膜５と電気的に接続される経路との電
気的並列経路を有することになる。
は、第１の導体膜１９１、接続導体膜８１、第３の導体
膜１９３及び第４の導体膜１９４を経由して、第１のシ
ールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続され
る経路と、第１の導体膜１９１、第２の接続導体膜１９
６、第３の導体膜１９３、第３の接続導体膜１９７及び
第４の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及
び第２のシールド膜５と電気的に接続される経路との電
気的並列経路を有することになる。
【０１１３】また、第２の電極膜１３も、第２の導体膜
１９２、接続導体膜８１、第３の導体膜１９３及び第４
の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路と、第２の
導体膜１９２、第１の接続導体膜１９５、第１の導体膜
１９１、第２の接続導体膜１９６、第３の接続導体膜１
９７及び第４の導体膜１９４を経由して、第１のシール
ド膜３及び第２のシールド膜５に電気的に接続される経
路との電気的並列経路を有することになる。
１９２、接続導体膜８１、第３の導体膜１９３及び第４
の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路と、第２の
導体膜１９２、第１の接続導体膜１９５、第１の導体膜
１９１、第２の接続導体膜１９６、第３の接続導体膜１
９７及び第４の導体膜１９４を経由して、第１のシール
ド膜３及び第２のシールド膜５に電気的に接続される経
路との電気的並列経路を有することになる。
【０１１４】接続導体膜８１を形成した後、第１乃至第
３の接続導体膜１９５〜１９７を切断する。切断手段と
しては、ドライエッチングを採用することができる。接
続導体膜１９５〜１９７が切断されても、第１の電極膜
１１は、第１の導体膜１９１、接続導体膜８１、第３の
導体膜１９３及び第４の導体膜１９４を経由して、第１
のシールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続
される経路を有しており、この経路により、第１のシー
ルド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続され
る。接続導体膜１９５〜１９７の切断タイミングは、接
続導体膜８１の一部、例えば、導体膜８１１が形成され
た後であればよい。
３の接続導体膜１９５〜１９７を切断する。切断手段と
しては、ドライエッチングを採用することができる。接
続導体膜１９５〜１９７が切断されても、第１の電極膜
１１は、第１の導体膜１９１、接続導体膜８１、第３の
導体膜１９３及び第４の導体膜１９４を経由して、第１
のシールド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続
される経路を有しており、この経路により、第１のシー
ルド膜３及び第２のシールド膜５と電気的に接続され
る。接続導体膜１９５〜１９７の切断タイミングは、接
続導体膜８１の一部、例えば、導体膜８１１が形成され
た後であればよい。
【０１１５】また、第２の電極膜１３も、第２の導体膜
１９２、接続導体膜８１、第３の導体膜１９３及び第４
の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路を有してお
り、この経路により、第１のシールド膜３及び第２のシ
ールド膜５と電気的に接続される。
１９２、接続導体膜８１、第３の導体膜１９３及び第４
の導体膜１９４を経由して、第１のシールド膜３及び第
２のシールド膜５と電気的に接続される経路を有してお
り、この経路により、第１のシールド膜３及び第２のシ
ールド膜５と電気的に接続される。
【０１１６】従って、第１及び第２の電極膜１１、１３
は、第１及び第２のシールド膜３、５と電気的に等電位
になっている。このため、接続導体膜１９５〜１９７を
切断する工程において、ドライエッチングを採用した場
合でも、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び
第２のシールド膜３、５との間に存在する第１及び第２
の絶縁膜７１、７２に電圧が加わることがないから、第
１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化または絶縁破
壊を防止できる。
は、第１及び第２のシールド膜３、５と電気的に等電位
になっている。このため、接続導体膜１９５〜１９７を
切断する工程において、ドライエッチングを採用した場
合でも、第１及び第２の電極膜１１、１３と、第１及び
第２のシールド膜３、５との間に存在する第１及び第２
の絶縁膜７１、７２に電圧が加わることがないから、第
１及び第２の絶縁膜７１、７２の絶縁劣化または絶縁破
壊を防止できる。
【０１１７】この後、必要なプロセスを実行する。プロ
セスの進行により、磁気抵抗効果素子９と第１及び第２
のシールド膜３、５との間の絶縁特性測定、磁気抵抗効
果素子９の特性測定等のためのステップに至ったとき、
図５１に図示するように、接続導体膜８１に含まれる導
体膜８１３を、ウエットエッチングによって除去し、続
いて、図５２に示すように、導体膜８１２をウエットエ
ッチングによって除去する。
セスの進行により、磁気抵抗効果素子９と第１及び第２
のシールド膜３、５との間の絶縁特性測定、磁気抵抗効
果素子９の特性測定等のためのステップに至ったとき、
図５１に図示するように、接続導体膜８１に含まれる導
体膜８１３を、ウエットエッチングによって除去し、続
いて、図５２に示すように、導体膜８１２をウエットエ
ッチングによって除去する。
【０１１８】次に、図５３に図示するように、導体膜８
１１をウエットエッチングによって除去する。これによ
り、磁気抵抗効果素子９と第１及び第２のシールド膜
３、５との間の絶縁を安全に回復し、絶縁特性及び磁気
抵抗効果素子９の特性の検査が可能になる。
１１をウエットエッチングによって除去する。これによ
り、磁気抵抗効果素子９と第１及び第２のシールド膜
３、５との間の絶縁を安全に回復し、絶縁特性及び磁気
抵抗効果素子９の特性の検査が可能になる。
【０１１９】第１及び第２の電極膜１１、１３、それら
に導通する第１乃至第４の導体膜１９１〜１９４及び第
１、第２の接続導体膜１９５〜１９７は、導体膜８１１
のためのエッチング液によっては、エッチングを受けな
い材料によって構成すること、接続導体膜８１を囲む絶
縁膜７１、７２及び保護膜２１は、塩化第二鉄水溶液に
よるエッチングを受けにくい物質、特に、アルミナ等に
よって構成することは、既に述べた通りである。また、
接続導体膜８１の材料、及び、材料に応じて選択される
べきエッチング液については、既に述べた通りである。
に導通する第１乃至第４の導体膜１９１〜１９４及び第
１、第２の接続導体膜１９５〜１９７は、導体膜８１１
のためのエッチング液によっては、エッチングを受けな
い材料によって構成すること、接続導体膜８１を囲む絶
縁膜７１、７２及び保護膜２１は、塩化第二鉄水溶液に
よるエッチングを受けにくい物質、特に、アルミナ等に
よって構成することは、既に述べた通りである。また、
接続導体膜８１の材料、及び、材料に応じて選択される
べきエッチング液については、既に述べた通りである。
【０１２０】プロセスによっては、図５４に図示するよ
うに、第１及び第２の電極膜１１、１３に導通する第１
乃至第４の導体膜１９１〜１９４に、接続導体膜８３
を、再度、付着させることもできる。接続導体膜８３は
無電解めっき、ＣＶＤ、抵抗加熱蒸着または塗布等の手
段によって形成する。この接続導体膜８３を備えること
により、バー加工工程における第１及び第２の絶縁膜７
１、７２の絶縁劣化または絶縁破壊を防止できる。バー
加工工程とは、図１に示したウエハから、複数の薄膜磁
気ヘッド要素を列状に配列したバー状ヘッド集合体を切
り出す工程、または、こうして得られたバー状ヘッド集
合体に対して加工を施す工程を言う。
うに、第１及び第２の電極膜１１、１３に導通する第１
乃至第４の導体膜１９１〜１９４に、接続導体膜８３
を、再度、付着させることもできる。接続導体膜８３は
無電解めっき、ＣＶＤ、抵抗加熱蒸着または塗布等の手
段によって形成する。この接続導体膜８３を備えること
により、バー加工工程における第１及び第２の絶縁膜７
１、７２の絶縁劣化または絶縁破壊を防止できる。バー
加工工程とは、図１に示したウエハから、複数の薄膜磁
気ヘッド要素を列状に配列したバー状ヘッド集合体を切
り出す工程、または、こうして得られたバー状ヘッド集
合体に対して加工を施す工程を言う。
【０１２１】スライダ加工では、切断線Ｃ２ーＣ２線に
沿って切断する。これにより、第１のシールド膜３及び
第２のシールド膜５と、磁気抵抗効果素子９とが、互い
に電気的に開放された状態になる。
沿って切断する。これにより、第１のシールド膜３及び
第２のシールド膜５と、磁気抵抗効果素子９とが、互い
に電気的に開放された状態になる。
【０１２２】ところで、ウェハ工程において、第１及び
第２のシールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９とが電気
的に接続されている間は、第１及び第２のシールド膜
３、５と磁気抵抗効果素子９の絶縁不良に関する情報
を、その状態の素子からは得ることができない。このよ
うな状態にあるウェハ工程の途中で、第１及び第２のシ
ールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との間の絶縁不良
に関する歩留まりを予測するためには、以下のようにす
ればよい。
第２のシールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９とが電気
的に接続されている間は、第１及び第２のシールド膜
３、５と磁気抵抗効果素子９の絶縁不良に関する情報
を、その状態の素子からは得ることができない。このよ
うな状態にあるウェハ工程の途中で、第１及び第２のシ
ールド膜３、５と磁気抵抗効果素子９との間の絶縁不良
に関する歩留まりを予測するためには、以下のようにす
ればよい。
【０１２３】ウェハ基体上に、薄膜磁気ヘッド要素と、
積層構造及び電気的接続が等価である測定用のパターン
を適切な個数だけ、薄膜磁気ヘッド要素とともに形成し
ておく。磁気抵抗効果素子形成工程以降の適切な段階
で、測定用のパターンに対して、ウエットエッチングに
よりシールド膜と磁気抵抗効果素子との電気的接続路の
一部を除去する。その後に、測定用パターンのシールド
膜と磁気抵抗効果素子との間の絶縁特性を測定する。こ
の歩留まりから、磁気抵抗効果素子の歩留まりを統計的
に予測することができ、生産上の適切な措置を工程の途
中で取ることができる。この手法は、素子の絶縁特性を
全数測定しない場合にも適用できる。その場合、素子は
必ずしも、上記の構造である必要はなく、シールド膜と
磁気抵抗効果素子が電気的に接続されていればよい。
積層構造及び電気的接続が等価である測定用のパターン
を適切な個数だけ、薄膜磁気ヘッド要素とともに形成し
ておく。磁気抵抗効果素子形成工程以降の適切な段階
で、測定用のパターンに対して、ウエットエッチングに
よりシールド膜と磁気抵抗効果素子との電気的接続路の
一部を除去する。その後に、測定用パターンのシールド
膜と磁気抵抗効果素子との間の絶縁特性を測定する。こ
の歩留まりから、磁気抵抗効果素子の歩留まりを統計的
に予測することができ、生産上の適切な措置を工程の途
中で取ることができる。この手法は、素子の絶縁特性を
全数測定しない場合にも適用できる。その場合、素子は
必ずしも、上記の構造である必要はなく、シールド膜と
磁気抵抗効果素子が電気的に接続されていればよい。
【０１２４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）ウエハ工程中において、シールド膜と電極膜との
間に存在する絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊を防止し
得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供
することができる。 （ｂ）ウエハ工程中において、シールド膜と電極膜との
間の絶縁特性を測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その処理方法を提供することができる。 （ｃ）ウエハ工程において、電極膜をシールド膜から電
気的に分離する場合、シールド膜に損傷を与えない薄膜
磁気ヘッド集合体及びその処理方法を提供することがで
きる。 （ｄ）バー加工において、シールド膜と、電極膜及び磁
気抵抗効果素子との間の絶縁破壊、及び、それに起因す
る特性劣化を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体及びその
処理方法を提供することができる。
のような効果が得られる。 （ａ）ウエハ工程中において、シールド膜と電極膜との
間に存在する絶縁膜の絶縁劣化または絶縁破壊を防止し
得る薄膜磁気ヘッド集合体、及び、その処理方法を提供
することができる。 （ｂ）ウエハ工程中において、シールド膜と電極膜との
間の絶縁特性を測定し得る薄膜磁気ヘッド集合体、及
び、その処理方法を提供することができる。 （ｃ）ウエハ工程において、電極膜をシールド膜から電
気的に分離する場合、シールド膜に損傷を与えない薄膜
磁気ヘッド集合体及びその処理方法を提供することがで
きる。 （ｄ）バー加工において、シールド膜と、電極膜及び磁
気抵抗効果素子との間の絶縁破壊、及び、それに起因す
る特性劣化を防止し得る薄膜磁気ヘッド集合体及びその
処理方法を提供することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の斜視図で
ある。
ある。
【図２】薄膜磁気ヘッド集合体に含まれる薄膜磁気ヘッ
ド要素の一つを示す分解斜視図である。
ド要素の一つを示す分解斜視図である。
【図３】図２に示された薄膜磁気ヘッド要素から誘導型
磁気変換素子を除き、導電部分だけを抽出して示す平面
図である。
磁気変換素子を除き、導電部分だけを抽出して示す平面
図である。
【図４】図３の４ー４線に沿った断面図である。
【図５】図３の５ー５線に沿った断面図である。
【図６】図３の６ー６線に沿った断面図である。
【図７】図３の７ー７線に沿った断面図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実施
例において、薄膜磁気ヘッド要素から誘導型磁気変換素
子を除き、導電部分だけを抽出して示す平面図である。
例において、薄膜磁気ヘッド要素から誘導型磁気変換素
子を除き、導電部分だけを抽出して示す平面図である。
【図９】図８の９ー９線に沿った断面図である。
【図１０】図９の１０ー１０線に沿った断面図である。
【図１１】図８の１１ー１１線に沿った断面図である。
【図１２】図８の１２ー１２線切断に対応する断面図で
ある。
ある。
【図１３】図９（図８の９ー９線断面図）に対応する断
面図である。
面図である。
【図１４】図１０（図８の１０ー１０線断面図）に対応
する断面図である。
する断面図である。
【図１５】図１１（図８の１１ー１１線断面図）に対応
する断面図である。
する断面図である。
【図１６】図１２〜図１５に示した処理工程の後の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１７】図１２〜図１５に示した処理工程の後の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１８】図１２〜図１５に示した処理工程の後の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図１９】図１６〜図１８に示した処理工程の後の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２０】図１６〜図１８に示した処理工程の後の工程
を示す図である。
を示す図である。
【図２１】図１９、２０に示した処理工程の後の工程を
示す図である。
示す図である。
【図２２】図１９、２０に示した処理工程の後の工程を
示す図である。
示す図である。
【図２３】図２１、２２に示した処理工程を経て得られ
た導電部分を示す平面図で、誘導型磁気変換素子を除い
て示してある。
た導電部分を示す平面図で、誘導型磁気変換素子を除い
て示してある。
【図２４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の態
様において、誘導型磁気変換素子を除き、導電部分だけ
を抽出して示す平面図である。
様において、誘導型磁気変換素子を除き、導電部分だけ
を抽出して示す平面図である。
【図２６】図２５の２６ー２６線に沿った断面図であ
る。
る。
【図２７】図２６の２７ー２７線に沿った断面図ある。
【図２８】図２５〜２７に図示された磁気ヘッドウエハ
の処理方法を説明する図である。
の処理方法を説明する図である。
【図２９】図２８に示した処理工程の後の工程を示す図
である。
である。
【図３０】図２９に示した処理工程の後の工程を示す図
である。
である。
【図３１】図３０に示した処理工程の後の工程を示す図
である。
である。
【図３２】図３１に示した処理工程の後の工程を示す図
である。
である。
【図３３】図２８〜３２に示した処理工程を経て得られ
た導電部分を示す平面図で誘導型磁気変換素子を除いて
示してある。
た導電部分を示す平面図で誘導型磁気変換素子を除いて
示してある。
【図３４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド集合体の別の態
様において、誘導型磁気変換素子を除き、導電部分だけ
を抽出して示す平面図である。
様において、誘導型磁気変換素子を除き、導電部分だけ
を抽出して示す平面図である。
【図３５】図３４の３５ー３５線に沿った断面図であ
る。
る。
【図３６】図３４、３５に図示された磁気ヘッドウエハ
の処理方法を説明する図である。
の処理方法を説明する図である。
【図３７】図３６の３７ー３７線に沿った断面図であ
る。
る。
【図３８】図３６の３８ー３８線に沿った断面図であ
る。
る。
【図３９】図３６の３９ー３９線に沿った断面図であ
る。
る。
【図４０】図３９の４０ー４０線に沿った断面図であ
る。
る。
【図４１】図３６〜４０に示した処理工程を経て得られ
た導電部分を示す平面図で誘導型磁気変換素子を除いて
示してある。
た導電部分を示す平面図で誘導型磁気変換素子を除いて
示してある。
【図４２】ウエットエッチングの適用可能な一例を示す
斜視図であって、第２のシールド膜を形成した後の状態
を示す図である。
斜視図であって、第２のシールド膜を形成した後の状態
を示す図である。
【図４３】図４２の４３ー４３線に沿った拡大断面図で
ある。
ある。
【図４４】図４２の４４ー４４線に沿った拡大断面図で
ある。
ある。
【図４５】保護膜形成後における拡大断面図である。
【図４６】ウエットエッチング処理工程を示す拡大断面
図である。
図である。
【図４７】図４６に図示された工程の後のウエットエッ
チング処理工程を示す拡大断面図である。
チング処理工程を示す拡大断面図である。
【図４８】図４７に図示された工程の後のウエットエッ
チング処理工程を示す拡大断面図である。
チング処理工程を示す拡大断面図である。
【図４９】ウエットエッチングの適用可能な別の例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５０】図４９の５０ー５０線に沿った拡大断面図で
ある。
ある。
【図５１】図４９、５０に図示された実施例におけるウ
エットエッチング処理工程を示す拡大断面図である。
エットエッチング処理工程を示す拡大断面図である。
【図５２】図５１に図示された工程の後のウエットエッ
チング処理工程を示す拡大断面図である。
チング処理工程を示す拡大断面図である。
【図５３】図５２に図示された工程の後のウエットエッ
チング処理工程を示す拡大断面図である。
チング処理工程を示す拡大断面図である。
【図５４】接続導体膜の再形成を示す拡大断面図であ
る。
る。
１ ウエハ基体 ３ 第１のシールド膜 ５ 第２のシールド膜 ７ 第１の絶縁膜 ９ 磁気抵抗効果素子 １１ 第１の電極膜 １３ 第２の電極膜 １７ 導体膜 １９ 導体膜 ２１ 第３の絶縁膜 ２３ 第１の端子導体 ２５ 第２の端子導体 ２７ 第３の端子導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 順一 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA09 BA15 BB08 BB12 CA07 DA07
Claims (51)
- 【請求項１】 基体上に複数の薄膜磁気ヘッド要素を有
する薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第１のシールド
膜と、第１の絶縁膜と、磁気抵抗効果素子と、第１の電
極膜と、第２の電極膜と、第２の絶縁膜と、第２のシー
ルド膜と、導体膜とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜の上に備え
られており、 前記第１及び第２の電極膜は、前記第１の絶縁膜の上に
設けられ、前記磁気抵抗効果素子の両端部に接続されて
おり、 前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電
極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
られており、 前記導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設けられ、前記
第１及び第２のシールド膜のうち、少なくとも前記第２
のシールド膜の膜面の外部を通って導かれ、前記第１及
び第２の電極膜の少なくとも一方と、前記第１及び前記
第２のシールド膜の少なくとも一方とに電気的に接続さ
れている薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項２】 請求項１に記載された薄膜磁気集合体で
あって、 前記基体は、ウエハであり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体上に行列状に配列
されている薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項３】 請求項１に記載された薄膜磁気ヘッド集
合体であって、 前記基体は、バー状であり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体の長手方向に沿っ
て配列されている薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記導体膜は、前記第２
のシールド膜と電気的に接続されている薄膜磁気ヘッド
集合体。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記導体膜は、前記第１
のシールド膜と、電気的に接続されている薄膜磁気ヘッ
ド集合体。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記導体膜は、前記第１
のシールド膜の膜面の上方外部を通る薄膜磁気ヘッド集
合体。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記導体膜は、前記磁気
抵抗効果素子を基準にして、前記第１及び前記第２の電
極膜の取出方向とは逆方向である前方側に導かれている
薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項８】 請求項１乃至６の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記導体膜は、前記磁気
抵抗効果素子を基準にして、前記第１及び前記第２の電
極膜の取出方向である後方向側に導かれている薄膜磁気
ヘッド集合体。 - 【請求項９】 請求項１乃至８の何れかに記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、前記第１及び第２の電極
膜は、前記導体膜に電気的に接続されている薄膜磁気ヘ
ッド集合体。 - 【請求項１０】 請求項１乃至９の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記導体膜は、中間部に切断部を有しており、 前記第１の電極膜または前記第２の電極膜は、前記切断
部により、前記第１のシールド膜または前記第２のシー
ルド膜から電気的に絶縁されている薄膜磁気ヘッド集合
体。 - 【請求項１１】 請求項１乃至９の何れかに記載された
薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少なくとも一つ
の金属膜を含んでおり、 前記金属膜は、前記導体膜の中間部に対応する位置にお
いて、前記第１の絶縁膜の上に設けられている薄膜磁気
ヘッド集合体。 - 【請求項１２】 請求項１乃至１１の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第３の絶縁膜
と、第１の端子導体と、第２の端子導体と、第３の端子
導体とを含んでおり、 前記第３の絶縁膜は、最外側層を構成しており、 前記第１の端子導体は、前記第２のシールド膜上に形成
され、前記第１、第２のシールド膜に電気的に接続さ
れ、前記第３の絶縁膜によって覆われており、 前記第２の端子導体は、前記第１の電極膜に電気的に接
続され、前記第３の絶縁膜によって覆われており、 前記第３の端子導体は、前記第２の電極膜に電気的に接
続され、前記第３の絶縁膜によって覆われている薄膜磁
気ヘッド集合体。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、前記第１乃至第３の端子導体は、端
面が前記第３の絶縁膜の表面に露出している薄膜磁気ヘ
ッド集合体。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、更に、導体ペー
スト層を含んでおり、 前記導体ペースト層は、前記第３の絶縁膜の表面及び前
記第１の端子導体、第２の端子導体及び前記第３の端子
導体の端面に付着され、前記第１、第２及び第３の端子
導体を電気的に接続する薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、 前記導体膜は、互いに電気的に並列な第１及び第２の電
気的接続路を構成しており、 前記第１の電気的接続路は、ウエットエッチングの可能
な材料で構成された接続導体膜を含む薄膜磁気ヘッド集
合体。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、 前記接続導体膜は、その周囲の保護膜及び前記電極膜を
エッチングせずに、前記接続導体膜を選択的にウエット
エッチングの可能な材料で構成されている薄膜磁気ヘッ
ド集合体。 - 【請求項１７】 請求項１５に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、 前記導体膜は、第１乃至第３の導体膜を含んでおり、 前記第１の導体膜は、前記第１の電極膜と、前記第１の
シールド膜または前記第２のシールド膜とに電気的に接
続されており、 前記第２の導体膜は、前記第１の電極膜と電気的に接続
されており、 前記第３の導体膜は、前記第２の電極膜と電気的に接続
されており、 前記接続導体膜は、前記第２の絶縁膜を貫通して、前記
第１乃至第３の導体膜と電気的に接続されている薄膜磁
気ヘッド集合体。 - 【請求項１８】 請求項１５に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、 前記導体膜は、第１乃至第４の導体膜を含んでおり、 前記第１乃至第４の導体膜は、間隔を隔てて順次に配置
され、電気的に接続されており、 前記第１の導体膜は、前記第１の電極膜と電気的に接続
されおり、 前記第２の導体膜は、前記第２の電極膜と電気的に接続
されており、 前記第３の導体膜は、前記第２のシールド膜と電気的に
接続されており、 前記第４の導体膜は、前記第１のシールド膜と電気的に
接続されており、 前記接続導体膜は、前記第２の絶縁膜を貫通して、前記
第１乃至第４の導体膜に電気的に接続されている薄膜磁
気ヘッド集合体。 - 【請求項１９】 請求項１７または１８に記載された薄
膜磁気ヘッド集合体であって、 前記接続導体膜は、前記導体膜の輪郭よりも内側におい
て、前記導体膜に電気的に接続されている薄膜磁気ヘッ
ド集合体。 - 【請求項２０】 請求項１乃至１９の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記ウェハ基体上に
測定用パターンを備え、前記測定用パターンは、積層構
造及び電気的接続が、前記薄膜磁気ヘッド要素のそれと
等価である薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項２１】 請求項１乃至２０の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素
子は、スピンバルブ膜構造を有する薄膜磁気ヘッド集合
体。 - 【請求項２２】 請求項１乃至２０の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素
子は、強磁性トンネル接合素子である薄膜磁気ヘッド集
合体。 - 【請求項２３】 請求項１乃至２０の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、前記磁気抵抗効果素
子は、ペロブスカイト型磁性体を含む薄膜磁気ヘッド集
合体。 - 【請求項２４】 請求項１乃至２３の何れかに記載され
た薄膜磁気ヘッド集合体であって、更に、誘導型磁気変
換素子を含む薄膜磁気ヘッド集合体。 - 【請求項２５】 請求項２２に記載された薄膜磁気ヘッ
ド集合体であって、前記誘導型磁気変換素子は、前記第
２のシールド膜を磁気回路の一部として利用する薄膜磁
気ヘッド集合体。 - 【請求項２６】 薄膜磁気ヘッド集合体の処理方法であ
って、 前記薄膜磁気ヘッド集合体は、基体上に複数の薄膜磁気
ヘッド要素を有しており、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第１の絶縁膜
と、第１のシールド膜と、磁気抵抗効果素子と、第１の
電極膜と、第２の電極膜と、第２の絶縁膜と、第２のシ
ールド膜と、導体膜とを含んでおり、 前記第１の絶縁膜は、前記第１のシールド膜の上に備え
られており、 前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の絶縁膜の上に備え
られており、 前記第１及び第２の電極膜のそれぞれは、前記第１の絶
縁膜の上に設けられ、前記磁気抵抗効果素子の両端部に
接続されており、 前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極膜、前記第２の電
極膜及び前記磁気抵抗効果素子を覆っており、 前記第２のシールド膜は、前記第２の絶縁膜の上に備え
られており、 前記導体膜は、前記第１の絶縁膜の上に設けられ、前記
第１及び第２のシールド膜のうち、少なくとも前記第２
のシールド膜の膜面の外部を通って導かれ、前記第１及
び第２の電極膜の少なくとも一方と、前記第１及び前記
第２のシールド膜の少なくとも一方とに電気的に接続さ
れており、 前記薄膜磁気ヘッド集合体上で、前記薄膜磁気ヘッド要
素のそれれぞれに備えられた前記導体膜を、中間部で切
断し、前記第１または前記第２の電極膜と、前記第１ま
たは第２のシールド膜との間の電気的接続を分断する工
程を含む処理方法。 - 【請求項２７】 請求項２６に記載された処理方法であ
って、 前記基体は、ウエハであり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体上に行列状に配列
されている処理方法。 - 【請求項２８】 請求項２６に記載された処理方法であ
って、 前記基体は、バー状であり、 前記薄膜磁気ヘッド要素は、前記基体の長手方向に沿っ
て配列されている処理方法。 - 【請求項２９】 請求項２６乃至２８の何れかに記載さ
れた処理方法であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、第３の絶縁膜
と、第１の端子導体と、第２の端子導体と、第３の端子
導体とを含んでおり、 前記第３の絶縁膜は、最外側層を構成しており、 前記第１の端子導体は、前記第２のシールド膜に導通
し、前記第３の絶縁膜によって覆われており、 前記第２の端子導体は、前記第１の電極膜に導通し、前
記第３の絶縁膜によって覆われており、 前記第３の端子導体は、前記第２の電極膜に導通し、前
記第３の絶縁膜によって覆われており、 前記第３の絶縁膜を表面から研削して、前記第１、第２
及び第３の端子導体の端面を露出させる工程を含む処理
方法。 - 【請求項３０】 請求項２６乃至２９の何れかに記載さ
れた処理方法であって、 前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、少なくとも一つ
の金属膜を含んでおり、 前記金属膜は、前記導体膜の前記中間部に対応する位置
において、前記第２の絶縁膜の上に設けられ、前記第３
の絶縁膜によって覆われており、 前記第３の絶縁膜を表面から研削して、前記金属膜の端
面を露出させ、 前記金属膜をエッチングによって除去し、 前記金属膜の除去跡を通して、前記導体膜を、前記中間
部の部分でを切断する工程を含む処理方法。 - 【請求項３１】 請求項３０に記載された処理方法であ
って、前記導体膜を、前記中間部の部分で切断した後、
前記第１の端子導体と、前記第２の端子導体または前記
第３の端子導体の少なくとも一つとの間で、前記第１ま
たは第２の絶縁膜の絶縁抵抗値を測定する工程を含む処
理方法。 - 【請求項３２】 請求項３１に記載された処理方法であ
って、 前記第１または第２の絶縁膜の絶縁抵抗値を測定した
後、前記第３の絶縁膜の表面及び前記第１の端子導体、
第２の端子導体及び前記第３の端子導体の端面に、導電
ペーストを付着させ、前記導電ペーストによって前記第
１、第２及び第３の端子導体を電気的に導通させる工程
を含む処理方法。 - 【請求項３３】 請求項２６乃至３２の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記導体膜は、前記第２のシー
ルド膜に接続されている処理方法。 - 【請求項３４】 請求項２６乃至３２の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記導体膜は前記第１のシール
ド膜に接続されている処理方法。 - 【請求項３５】 請求項２６乃至３４の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記導体膜は前記第１のシール
ド膜の膜面の上方外部を通る処理方法。 - 【請求項３６】 請求項２６乃至３５の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記導体膜は、前記磁気抵抗効
果素子を基準にして、前記第１及び前記第２の電極の取
出方向とは逆方向である前方側に導かれている処理方
法。 - 【請求項３７】 請求項２６乃至３６の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記導体膜は、前記磁気抵抗効
果素子を基準にして、前記第１及び前記第２の電極の取
出方向である後方向側に導かれている処理方法。 - 【請求項３８】 請求項２６に記載された処理方法であ
って、 前記導体膜は、電気的に互いに並列に接続される第１及
び第２の電気的接続路を有しており、 前記第２の電気的接続路は、ウエットエッチングの可能
な材料で構成された接続導体膜を含んでおり、 前記第２の電気的接続路は、前記第１の電気接続路を切
断する時に短絡状態にあり、前記第１の電気的接続路を
切断した後に、前記接続導体膜を、ウエットエッチング
によって除去する工程を含む処理方法。 - 【請求項３９】 請求項３８に記載された処理方法であ
って、 前記導体膜は、第１乃至第３の導体膜を含んでおり、 前記第１の導体膜は、前記第１の電極膜と、前記第１の
シールド膜または前記第２のシールド膜と電気的に接続
されており、 前記第２の導体膜は、前記第１の電極膜と電気的に接続
されており、 前記第３の導体膜は、前記第２の電極膜と接続されてお
り、 前記接続導体膜は、前記第２の絶縁膜を貫通して、前記
第１乃至第３の導体膜と電気的に接続されている処理方
法。 - 【請求項４０】 請求項３８に記載された処理方法であ
って、 前記導体膜は、第１乃至第４の導体膜を含んでおり、 前記第１乃至第４の導体膜は、間隔を隔てて順次に配置
され、電気的に接続されており、 前記第１の導体膜は、前記第１の電極膜と電気的に接続
されおり、 前記第２の導体膜は、前記第２の電極膜と電気的に接続
されており、 前記第３の導体膜は、前記第２のシールド膜と電気的に
接続されており、 前記第４の導体膜は、前記第１のシールド膜と電気的に
接続されており、 前記接続導体膜は、前記第２の絶縁膜を貫通して、前記
第１乃至第４の導体膜に電気的に接続されている処理方
法。 - 【請求項４１】 請求項３９または４０の何れかに記載
された処理方法であって、 前記接続導体膜は、その周囲の保護膜及び前記電極膜を
エッチングせずに、前記接続導体膜を、選択的にウエッ
トエッチングの可能な材料で構成されている処理方法。 - 【請求項４２】 請求項３９乃至４１の何れかに記載さ
れた処理方法であって、 前記接続導体膜は、前記導体膜の輪郭よりも内側におい
て、前記導体膜に接続される処理方法。 - 【請求項４３】 請求項３８乃至４２の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記第２の電気的接続路におけ
る前記接続導体膜を除去した後、特性測定を行い、その
後、再度、接続導体膜を形成する工程を含む処理方法。 - 【請求項４４】 請求項４３に記載された処理方法であ
って、再度、接続導体膜を形成する前記工程は、無電解
めっき、ＣＶＤ、抵抗加熱蒸着または塗布によって前記
接続導体膜を形成する工程を含む処理方法。 - 【請求項４５】 請求項３８乃至４４の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記ウェハ基体上に測定用パタ
ーンを備え、前記測定用パターンは、積層構造及び電気
的接続が、前記薄膜磁気ヘッド要素のそれと等価である
処理方法。 - 【請求項４６】 請求項４５に記載された処理方法であ
って、前記測定用パターンに含まれる第２の電気的接続
路において、その接続導体膜をウエットエッチングによ
って除去した後、特性測定を行い、その測定結果より、
薄膜磁気ヘッド要素の特性を予測する工程を含む処理方
法。 - 【請求項４７】 請求項２６乃至４６の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記磁気抵抗効果素子はスピン
バルブ膜構造を有する処理方法。 - 【請求項４８】 請求項２６乃至４６の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記磁気抵抗効果素子は、ペロ
ブスカイト型磁性体を含む処理方法。 - 【請求項４９】 請求項２６乃至４６の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記磁気抵抗効果素子は強磁性
トンネル接合素子である処理方法。 - 【請求項５０】 請求項２６乃至４９の何れかに記載さ
れた処理方法であって、前記薄膜磁気ヘッド要素のそれ
ぞれは、更に、誘導型磁気変換素子を含む処理方法。 - 【請求項５１】 請求項５０に記載された処理方法であ
って、前記誘導型磁気変換素子は前記第２のシールド膜
を磁気回路の一部として利用する処理方法。
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