JP2000048326A - 磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁気抵抗効果型ヘッド素子作製工程中における
静電破壊を防止するため、電極と磁気シールド膜を導通
させておくと効果があるが、素子作製工程終了時に素子
の抵抗測定や絶縁性能測定ができず、素子の合否判定が
くだせず、磁気シールドと磁気センサが短絡あるいは擬
似短絡した素子が後工程へ流れてしまい、磁気記憶装置
の信頼性を低下させてしまう。 【解決手段】基板上に形成される複数の再生用素子の各
磁気シールド、複数の記録用の各磁極を第一の導電体に
電気的に接続し、複数の再生用素子の各電極を第二の導
電体で前記第一の導電体に電気的に接続した磁気抵抗効
果型ヘッド素子集合体により達成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘ
ッド素子集合体に係り、素子製造工程中での静電破壊を
防止し、磁気シールドと磁気センサ、又は電極間の短絡
が無い磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体、及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録装置は、記憶容量の増加
に伴い記録密度が増大してきている。この記録装置に使
用される磁気抵抗効果型ヘッドにおいても、磁気シール
ドと磁気センサの間隔（磁気ギャップ）が小さくなり、
磁気センサ自体の寸法も小さくなってきている。このた
め、磁気シールドと磁気センサの間隔を規定している絶
縁膜のピンホール等により、磁気シールドと磁気センサ
（及び電極）が短絡、あるいは擬似短絡したり、ヘッド
製造中の静電気により、磁気シールドと磁気センサの間
隔を規定している絶縁膜が破壊したり、大電流が流れて
磁気センサが破壊する等、磁気ヘッドの製造歩留の低下
が問題となってきている。上述の静電気の問題は、ヘッ
ド素子の成膜、エッチングの工程で顕著になってきてい
る。

【０００３】磁気抵抗効果型ヘッド素子は、半導体プロ
セスの様に、プラズマを用いた設備で、スパッタリング
等による成膜、イオンミリング等によるエッチングによ
り作製される。プラズマは、マイナスの電子、プラス、
中性イオン、からなる。このため、プラズマ雰囲気中に
素子基板がさらされると、帯電し、絶縁膜や磁気センサ
の破壊を引き起こす。一枚の基板上には多数のヘッド素
子が形成され、また、前記の設備内に数枚〜十数枚の基
板を入れ、一度に処理するため、一旦静電破壊が生じる
と損害は膨大なものとなる。

【０００４】前記の様な素子形成工程での静電破壊防止
の公知技術として、特開平８−１６７１２３号公報、特
開平８−２２１７２１号公報が知られている。前者は、
磁気抵抗効果素子の電極とシールド膜と、あるいは電極
とシールド膜及び磁気誘導型素子の磁極とを電気的に接
続して、素子形成のプロセスを実施し、素子の作製後、
基板から素子毎に切り出し、研磨加工を施し、前記接続
を除去するものである。後者は、磁気抵抗効果素子の一
対の電極を短絡させて素子形成のプロセスを実施し、基
板から切り出し、加工後に短絡部を除去するものであ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記公知技術におい
て、磁気抵抗効果ヘッドの素子作製工程が終了した時点
では、電極とシールド膜、あるいは電極とシールド膜、
及び磁気誘導型素子の磁極とが接続されていたり、電極
を短絡させている。このため、素子作製工程終了時に素
子の抵抗判定や絶縁性能判定が出来ず、素子の合否判断
がくだせず、前述した絶縁膜のピンホール等の静電破壊
以外が原因で磁気シールドと磁気センサ（及び電極）が
短絡、あるいは擬似短絡した素子が後工程へ流れてしま
い、磁気記憶装置の信頼性を低下させてしまうと言う課
題があった。

【０００６】本発明の目的は、前記の従来技術の問題点
を解決し、素子作製中の絶縁破壊を防止し、素子作製後
の素子の合否判定を可能にし、高信頼性を有する磁気抵
抗効果型ヘッド素子集合体、及び、その製造方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題は、基板上に形
成される複数の再生用素子の各磁気シールド、複数の記
録用の各磁極を第一の導電体に電気的に接続し、複数の
再生用素子の各電極を第二の導電体で前記第一の導電体
に電気的に接続した磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体に
より達成される。

【０００８】さらに、前述の課題は、（１）基板上に形
成される複数の再生用素子の各磁気シールド、複数の記
録用の各磁極を第一の導電体に電気的に接続し、（２）
複数の再生用素子の各電極を第二の導電体により前記第
一の導電体に電気的に接続して、前記磁気シールド，前
記磁極と前記電極を電気的に導通させ、（３）この状態
で、成膜またはパターンのエッチングを行い、（４）こ
の後、電気的に接続されている前記電極と前記第一の導
電体を電気的に分離し、（５）次に、素子の性能判定を
実施する磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方法に
より達成される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について、
図面を参照しながら説明する。

【００１０】前述の静電破壊の防止は、静電破壊が発生
する工程迄に本発明の構成を実施することにより、以降
の静電破壊の発生を防止することができる。また、静電
破壊が発生する工程においてのみ本発明の構成を実施す
ることでも、効果を得ることが出来る。

【００１１】まず、前者の例について、本発明の第一の
実施例で説明する。図１は、アルミナ・チタンカーバイ
ド系の基板１上に、複数の再生用素子の各磁気シールド
と記録用素子の各磁極が電気的に接続された第一の導電
体５１と、複数の再生用素子の各電極が電気的に接続さ
れた第二の導電体５２が形成され、第一の導電体５１と
第二の導電体５２とが接続された磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド素子集合体を示している。また、図２は、図１のＡ
部を拡大した概略の説明図であり、図３は、本実施例の
構造を説明するために、図２のＢ部を拡大した図（理解
し易くするため素子の一部は断面形状で示している）で
ある。さらに、図４は、図３のＣ部を拡大した再生用素
子の説明図である。

【００１２】図３に示す様に、基板１上にアルミナ等の
ベース膜２が形成され、この上にＮｉＦｅ等の下部磁気
シールド３、アルミナ等の非磁性絶縁膜の再生用下部ギ
ャップ膜４（図４を参照）、ＭＲセンサ５とＭＲセンサ
に導通したＴａ／Ｗ複合膜等の電極６（図４の様に電極
６と磁区制御膜７から構成）、アルミナ等の非磁性絶縁
膜の再生用上部ギャップ膜８（図４を参照）、ＮｉＦｅ
等の上部磁気シールド９が順に形成され、再生用素子が
構成されている。再生用素子の上部磁気シールド９は、
記録用素子の下部磁極を兼用している。

【００１３】さらに、再生用素子の上にアルミナ等の非
磁性絶縁膜の記録用ギャップ１０、銅メッキ等の記録用
のコイル１１、フォトレジスト等をベークした絶縁体１
２、ＮｉＦｅ等の上部磁極１３が形成され、記録用素子
が構成されている。この後、銅メッキ等の下部端子１４
〜１７を形成し、アルミナ等の素子保護膜２０で全体を
覆い、下部端子の表面が露出する様に前記保護膜２０を
ラップ等で研磨し、下部端子１４〜１７、素子保護膜２
０の上に金めっき等の上部端子２１〜２４を形成する。

【００１４】再生用素子の前記電極６は、上部ギャップ
のコンタクトホール３１，３２を通して、上部磁気シー
ルド９と同工程、同材料で形成された引出線４１，４２
により下部端子１４，１５に電気接続されている。ま
た、記録用のコイル１１は、コイル中心部、コイルの他
端が上部磁極１３と同工程、同材料で形成された引出線
４４，４３により、下部端子１７，１６に電気接続され
ている。

【００１５】下部磁気シールド３と上部シールド９は、
下部ギャップ膜４、上部ギャップ膜８のコンタクトホー
ル３３を通して互いに電気接続され、また、上部磁気シ
ールド９と上部磁極１３は、記録用ギャップ膜１０のコ
ンタクトホール３４を通して互いに電気接続される。ま
た、下部磁気シールド３は、下部磁気シールド３と同工
程、同材料で形成された第一の導電体５１と接続されて
いる。これにより、下部磁気シールド３と上部磁気シー
ルド９、上部磁極１３が電気的に接続された、第一の導
電体５１が形成される。

【００１６】また、再生用素子の電極６において、電極
の一部が伸びた第二の導電体５２が形成されている。第
二の導電体５２は、電極６と同工程、同材料で形成され
ている。

【００１７】さらに、第二の導電体５２は、第一の導電
体５１と電気的に繋がっている。すなわち、導電体５１
は、下部磁気シールド／電極間の下部ギャップ膜４のコ
ンタクトホール３５を通して、第二の導電体５２に接続
される。コンタクトホール３５上の第二の導電体５２の
上には、上部ギャップ膜８、記録用ギャップ膜１０のコ
ンタクトホール３６を通して、上部磁気シールド９と同
材料の部材４５、上部磁極１３と同材料の部材４６、下
部端子１８（下部端子１４〜１７と同材料、同工程）が
形成され、下部端子１８は上部端子２５（上部端子２１
〜２４と同材料、同工程で形成）と接続されている。上
部端子２５は、性能測定用端子２６（上部端子２１〜２
４と同材料、同工程で形成）と電気的に接続されてい
る。

【００１８】以上の様に、磁気抵抗効果ヘッド素子を構
成する最下層である下部磁気シールド層と電極層で前記
した第一、第二の導電体を形成しているので、これらの
層間で発生する静電破壊の防止と、以降の工程での静電
破壊の防止に効果が得られる。次に、これらについて、
製造工程を示しながら説明する。

【００１９】図５(ａ)〜(ｃ)は、本実施例の製造工程を
説明するための図であり、図３のＤ１−Ｄ２の経路の断
面概略図である。

【００２０】図５(ａ)は電極形成までを説明するための
図である。基板１の上に、ベース膜２がスパッタリング
等で成膜されている。この上に、下部磁気シールド３、
第一の導電体５１が形成される。これらは、下部磁気シ
ールド材料をメッキ、スパッタリング等で成膜、イオン
ミリング、ウェットエッチング等で形成され、一体的で
連続した構造である。次に、アルミナ等の絶縁膜がリフ
トオフ法、あるいは、スパッタリング成膜・イオンミリ
ングエッチングにより再生用下部ギャップ膜４が形成さ
れる。下部ギャップ膜４は、コンタクトホール３３，３
５の開口部を有している。

【００２１】次に、電極６と第二の導電体５２（電極６
と同材料）が形成される。この工程では、リフトオフ法
を用いた。すなわち、フォトレジスト７０を形成し、電
極材料６をスパッタリング等で成膜し、フォトレジスト
７０とフォトレジスト７０上の電極材料６を除去する。
ＭＲセンサ部と電極については、公開技誌第９５−１２
４６号に示されている製造方法を用いている。第二の導
電体５２は、コンタクトホール３５で第一の導電体５１
（下部磁気シールド３）に導通し、電極６と第二の導電
体５２は接続されている（図３参照）ので、電極材料６
のスパッタリング時に基板上の膜が帯電しても、下部磁
気シールド３と電極６は同電位に保たれ、これらの間の
静電破壊の発生が防止できる。

【００２２】図５(ｂ)は、電極形成後、上部磁気シール
ド形成までを説明するための図である。電極６と前記第
二の導電体５２が形成された後、コンタクトホール３
３，３５の開口部を有する再生用上部ギャップ膜８が、
下部ギャップ膜４と同様の手法で形成される。次に、上
部磁気シールド膜９ａをスパッタリング等で成膜し、こ
の後、フォトレジスト７１を形成し、これをマスクにし
て、上部磁気シールド膜９ａをエッチングし、上部磁気
シールド９と第二の導電体５２のカバー４５が形成され
る。上部磁気シールド膜９ａのエッチングには、イオン
ミリング等を用いるが、電極６と上部磁気シールド９
は、下部磁気シールド３と接続されているので、これら
は同電位に保たれ、静電破壊の発生が防止できる。

【００２３】図５(ｃ)は、上部磁気シールド形成後、上
部磁極形成までを説明するための図である。上部磁気シ
ールド９、カバー４５が形成された後、コンタクトホー
ル３４，３６の開口部を有する記録用ギャップ膜１０
が、下部ギャップ膜４・上部ギャップ膜８と同様の手法
で形成される。次に、フォトレジストを硬化させた絶縁
膜、メッキ等によるコイル、コイルと上部磁極を電気絶
縁するフォトレジストを硬化させた絶縁膜を、順に形成
する（図示せず）。次に、上部磁極がメッキにより形成
される。すなわち、上部磁極のメッキ下地膜１３ａを全
面にスパッタリング等で成膜し、上部磁極等を除いたメ
ッキさせたくない部分をフォトレジスト７２で覆い、フ
ォトレジストの開口部にＮｉＦｅ等を成長させ、上部磁
極１３、カバー４６を形成する。

【００２４】この後、フォトレジスト７２を除去し、メ
ッキ下地膜１３ａの不要部（上部磁極１３、カバー４６
を除く部分）を除去するためにイオンミリングによりエ
ッチングを行う。上部磁極１３は、スパッタリング・イ
オンミリング等を用いて形成されるが、電極６と上部磁
気シールド９、上部磁極１３は、下部磁気シールド３と
接続されているので、これらは同電位に保たれ、静電破
壊の発生が防止できる。また、コイルの形成時にも、ス
パッタリング・イオンミリング等を用いて形成される
が、同様に静電破壊の発生が防止できる。

【００２５】続く工程で、下部端子１４〜１８（図３参
照）がメッキ等で形成、さらに、素子保護膜２０（図３
参照）がスパッタリング等で形成、さらに、上部端子２
１〜２５（図３参照）がメッキ等で形成される。これら
工程においても、スパッタリング・イオンミリング等が
用いられるが、電極６と上部磁気シールド９、上部磁極
１３、下部端子、上部端子は、下部磁気シールド３と接
続されているので、これらは同電位に保たれ、静電破壊
の発生が防止できる。

【００２６】この後の工程にて、電極６と下部磁気シー
ルド３、上部磁気シールド９、上部磁極１３の電気的導
通を遮断する。図６を用いて説明する。電極６とつなが
る第二の導電体５２を素子保護膜２０毎、カッター等で
スクライブすることにより実現できる。

【００２７】次に、磁気抵抗効果ヘッド素子の性能測定
を行い、磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体が出来上が
る。前記構成により、ＭＲセンサ、再生用上下ギャップ
膜の静電破壊は防止されるが、膜欠陥、異物等によるＭ
Ｒセンサの異常、ＭＲセンサと磁気シールドの短絡・擬
似短絡が潜在している可能性があり、これらを選別する
ための抵抗測定、絶縁性能測定が必要である。素子の抵
抗測定、絶縁性能測定について、図７を用いて説明す
る。図７(ａ)に、抵抗測定時のプローブの接続と配線を
示した。測定用プローブを磁気抵抗効果型ヘッド素子の
各端子に当接し、各プローブは、抵抗測定計１００に接
続されている。再生用素子は、上部端子２１，２２に当
接したプローブから、記録用素子は、上部端子２３，２
４に当接したプローブから抵抗測定計１００に配線され
ている。

【００２８】また、図７(ｂ)は、絶縁性能測定時のプロ
ーブの接続と配線を示している。再生用素子は、上部端
子２１，２２と上部端子２６に当接したプローブから絶
縁性能測定計２００に配線され、絶縁抵抗測定、あるい
は電圧印加時のリーク電流測定が行われる。上部端子２
６は、上部端子２５から素子保護膜２０の下の再生用上
下部シールド３，９に接続されている（図３参照）の
で、上部端子２６と上部端子２１，２２にプローブを当
接することで測定が出来る。

【００２９】記録用素子は、上部端子２３，２４と上部
端子２６に当接したプローブから絶縁性能測定計２００
に配線され、同様の測定が出来る。図７(ｂ)では、再生
用素子、記録用素子共に各２ヶの端子と端子２６にプロ
ーブを当接したが、各１ヶの端子と端子２６にプローブ
を当接することでも同様の測定が出来る。

【００３０】ところで、静電破壊の防止効果を確実に得
るために、スパッタリングによる成膜・イオンミリング
によるエッチングを行う時に、前記した導電体５１，５
２のうち、いずれか一つを、スパッタリング、イオンミ
リング装置のグランド側に電気接続させておくのが良
い。これは、次のような構成により、達成できる。

【００３１】すなわち、図２のＥ部に相当する断面図で
ある図８(ａ)に示す様に、基板１の外周部において、前
記第一の導電体５１、第二の導電体５２の上には、導電
体の形成後に付加される絶縁膜（本実施例では、下部ギ
ャップ膜４、上部ギャップ膜８、記録用ギャップ膜１
０、素子保護膜２０）が形成されない様にすることで達
成される。これは、絶縁膜成膜のスパッタリング時に、
基板の外周部にリング状の覆いを付けた状態でスパッタ
リングすることにより実現できる。外周部の導電体の露
出部Ｆをスパッタリング、イオンミリング装置のグラン
ド側に接続することで、電極６と磁気シールド３，９が
同電位でグランド側電位に確定され、帯電が防止でき
る。

【００３２】また、図８(ｂ)の様に、ベース膜２を貫通
する、銅メッキ等による導電体５３で基板１と前記第一
の導電体５１、第二の導電体５２を接続することでも達
成できる。

【００３３】以上は、第一の導電体５１を下部磁気シー
ルド３と同工程、第二の導電体５２を電極６と同工程で
形成した例について説明したが、他の工程でこれらの導
電体を形成しても良い。

【００３４】本発明の第二の実施例として、上部磁極の
形成工程にて、これらの導電体を形成した例を説明す
る。上部磁極の形成工程まで、静電破壊が許容範囲内の
場合有効である。

【００３５】図９は、第一の実施例の図３に対応する図
である。複数の素子の下部磁気シールド３と上部磁気シ
ールド９、上部磁極１３を電気的に接続する第一の導電
体５１は、上部磁極１３と同工程、同材料で形成されて
いる。第一の導電体５１は、記録用ギャップ膜１０のコ
ンタクトホール部３４上で上部磁極１３とつながってお
り、コンタクトホール３４の下で上部磁気シールド９
と、さらに上部ギャップ膜８、下部ギャップ膜４のコン
タクトホール３３を通して下部磁気シールド３とつなが
っている。

【００３６】一方、電極６は、上部ギャップのコンタク
トホール３１，３２を通して、引出線４１，４２（上部
磁気シールドと同工程、同材料で形成）により上部端子
２１，２２の下まで延長されている。上部端子の下に
は、上部磁極１３と同工程、同材料で形成されたカバー
４７，４８があり、これらカバーは、同じく上部磁極１
３と同工程、同材料で形成された第二の導電体５２と一
体的に形成されている。第二の導電体５２は、前記第一
の導電体５１とつながっている。これらにより、磁気シ
ールド３，９及び磁極１３と電極６が電気的に接続され
た構成となる。

【００３７】したがって、上部磁極１３の工程、及び以
降の工程における静電破壊の発生を防止することが出来
る。

【００３８】さらに、第一の実施例と同様に、電極６と
つながる第二の導電体の電気的接続を遮断し、ヘッド素
子の性能測定を行い、磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体
が出来上がる。

【００３９】第一、第二の実施例では、電極６と下部磁
気シールド３、上部磁気シールド９、上部磁極１３の電
気的導通を遮断する一方法例として、カッター等でスク
ライブする事を示した。カッター等でスクライブを一本
毎にいれる、あるいは、レーザー等で導通させている線
を一本毎に切断するのでは、時間がかかるので、短時間
で多くの素子の電気的導通を遮断する方法が好ましい。
また、電気的導通を遮断するときの静電破壊をさけるた
め、導通遮断時に帯電しない方法を用いる方が好まし
い。

【００４０】本発明の第三の実施例として、前記に関す
る改良例を図１０を用いて説明する。図１０は、本発明
の第二の実施例として示した図９に相当する図である。
第二の実施例と同様、上部磁極の形成工程にて、下部磁
気シールド３、上部磁気シールド９、上部磁極１３と電
気的につながる第一の導電体５１、電極６と該第一の導
電体５１を電気的につなぐ第二の導電体５２を形成す
る。上部磁極の形成後、該第二の導電体の遮断部５２
ａ，５２ｂが形成され、該第二の導電体５２の電気的導
通が遮断される。

【００４１】上部磁極１３、及び第二の導電体５２の形
成後、図１０に示す下部端子１４〜１８、保護膜２０、
上部端子２１〜２５と性能測定用端子２６が形成され、
さらに、第一の実施例と同じ性能測定を行い、磁気抵抗
効果型ヘッド素子集合体が出来上がる。

【００４２】本実施例によると、ウェットエッチングに
より、基板上の第二の導電体５２の電気的導通遮断を一
括で行うので、短時間で処理でき、また、帯電も防止で
きる。

【００４３】一方、本実施例では、上部磁極完成時に
は、第二の導電体の電気的導通が遮断される。したがっ
て、上部磁極形成後に、許容出来ない静電破壊が発生す
る場合には、上部磁極と同工程で形成した導電体５２の
ウェットエッチングによる導通遮断を該当工程(静電破
壊が発生する工程)の後に行うことにより対応できる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気抵抗効果型素子作製中の絶縁破壊が防止出来ると共
に、素子作製工程終了時に素子の合否判定が可能にな
り、高信頼性を有する磁気抵抗効果型ヘッドを得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例を説明する磁気抵抗効果
型ヘッド素子集合体の斜視図。

【図２】図１のＡ部を拡大した概略図。

【図３】図２のＢ部を拡大した磁気抵抗効果型ヘッド素
子の透視図。

【図４】図３のＣ部を拡大した再生用素子の概略図。

【図５】(ａ)及び(ｃ)は本発明の第一の実施例を説明す
る磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方法を説明す
る側断面図。

【図６】本発明の第一の実施例を説明する磁気抵抗効果
型ヘッド素子集合体の製造方法を説明する斜視図。

【図７】(ａ)及び（ｂ)は本発明の第一の実施例を説明
する磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方法を説明
する図。

【図８】(ａ)及び(ｂ)は本発明の第一の実施例を説明す
る磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の部分側断面図。

【図９】本発明の第二の実施例を説明する磁気抵抗効果
型ヘッド素子の斜視図。

【図１０】本発明の第三の実施例を説明する磁気抵抗効
果型ヘッド素子の斜視図。

【図１１】本発明の第三の実施例を説明する磁気抵抗効
果型ヘッド素子集合体の製造方法を説明する側断面図。

【符号の説明】

１…基板、 ２…ベース膜、３…
下部磁気シールド、 ４…再生用下部ギャップ
膜、５…ＭＲセンサ、 ６…電極、７…
磁区制御膜、 ８…再生用上部ギャップ
膜、９…上部磁気シールド、 １０…記録用ギャ
ップ、１１…コイル、 １２…絶縁
体、１３…上部磁極、 ４〜１８…下部
端子、２０…素子保護膜、 ２１〜２６…
上部端子、５１…第一の導電体、 ５２…第
二の導電体、５２ａ，５２ｂ…第二の導電体の遮断部、
７０〜７３…フォトレジスト、１００…抵抗測定計、
２００…絶縁性能測定計。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 治信 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 秋元 一 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 佐々木 忍 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 田井 芳治 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 Ｆターム(参考） 5D034 BA02 BA08 BB08 CA07 DA07

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に複数の素子が形成された磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体において、複数の再生用素子の
   各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各磁極、ある
   いは、複数の再生用素子の各磁気シールドと、複数の記
   録用素子の各磁極が電気的に接続された第一の導電体
   と、複数の再生用素子の各電極を該第一の導電体に電気
   的に接続する第二の導電体とを有することを特徴とする
   磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体。
2. 【請求項２】基板上に複数の素子が形成された磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体において、複数の再生用素子の
   各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各磁極、ある
   いは、複数の再生用素子の各磁気シールドと、複数の記
   録用素子の各磁極が電気的に接続された第一の導電体
   と、複数の再生用素子の各電極を該第一の導電体に電気
   的に接続する第二の導電体とを有し、該第一の導電体、
   又は該第二の導電体、又は該第一の導電体、あるいは該
   第二の導電体につながった導電体が基板の外周部に延び
   ていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド素子集合
   体。
3. 【請求項３】基板上に複数の素子が形成された磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体において、複数の再生用素子の
   各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各磁極、ある
   いは、複数の再生用素子の各磁気シールドと、複数の記
   録用素子の各磁極が電気的に接続された第一の導電体
   と、複数の再生用素子の各電極を該第一の導電体に電気
   的に接続する第二の導電体とを有し、該第一の導電体、
   又は該第二の導電体、又は該第一の導電体、あるいは該
   第二の導電体につながった導電体が基板と電気的に接続
   されたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド素子集合
   体。
4. 【請求項４】基板上に複数の素子が形成される磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体の製造方法において、複数の再
   生用素子の各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各
   磁極、あるいは、複数の再生用素子の各磁気シールド
   と、複数の記録用素子の各磁極が電気的に接続された第
   一の導電体を形成する工程と、複数の再生用素子の各電
   極を該第一の導電体に電気的に接続する第二の導電体を
   形成する工程と、該第一の導電体と該第二の導電体が形
   成された状態で成膜，エッチングを行う工程と、後に、
   電気的に接続されている該電極と、該第二の導電体と
   を、電気的に分離する工程とを含むことを特徴とする磁
   気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方法。
5. 【請求項５】基板上に複数の素子が形成される磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体の製造方法において、複数の再
   生用素子の各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各
   磁極、あるいは、複数の再生用素子の各磁気シールド
   と、複数の記録用素子の各磁極が電気的に接続された第
   一の導電体を形成する工程と、複数の再生用素子の各電
   極を該第一の導電体に電気的に接続する第二の導電体を
   形成する工程と、基板の外周部に延びる該第一の導電
   体、又は該第二の導電体を装置グランド側に電気接続さ
   せて成膜を行う、又はパターンのエッチングを行う工程
   と、後に、電気的に接続されている該電極と該第二の導
   電体とを電気的に分離する工程とを含むことを特徴とす
   る請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製
   造方法。
6. 【請求項６】基板上に複数の素子が形成される磁気抵抗
   効果型ヘッド素子集合体の製造方法において、複数の再
   生用素子の各磁気シールド、又は複数の記録用素子の各
   磁極、あるいは、複数の再生用素子の各磁気シールド
   と、複数の記録用素子の各磁極が電気的に接続された第
   一の導電体を形成する工程と、複数の再生用素子の各電
   極を該第一の導電体に電気的に接続する第二の導電体を
   形成する工程と、該第一の導電体または該第二の導電体
   を基板と電気的に接続する工程と、該基板を装置グラン
   ド側に電気接続させて成膜を行う、又はパターンのエッ
   チングを行う工程と、後に、電気的に接続されている該
   電極と該第二の導電体とを電気的に分離する工程とを含
   むことを特徴とする請求項３記載の磁気抵抗効果型ヘッ
   ド素子集合体の製造方法。
7. 【請求項７】磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方
   法において、請求項４から６のいずれか１項記載の製造
   方法に続いて、素子の性能測定を行う工程を含むことを
   特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド素子集合体の製造方
   法。