JP2001048642A - 圧電セラミックス - Google Patents
圧電セラミックスInfo
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛を含有せず、大きな圧電歪定数を得ること
ができる圧電セラミックスを提供する。更には、大きな
圧電歪定数を有し、且つその温度依存性が低い圧電セラ
ミックスを提供する。 【解決手段】 本発明の圧電セラミックスはBa、B
i、Na、Ti及びOを含有し、モル比において0.9
97≦Bi/Na≦1.003であり、且つBa/Bi
=2x/(a−x)(但し、0.99≦a≦1.01、
0<x<a)を充足する。この圧電セラミックスはBa
CO3粉末、Bi2O3粉末、Na2CO3粉末及びTiO2
粉末の所定量を湿式混合し、得られた泥しょうを乾燥
し、仮焼する。更に、得られた仮焼物に有機バインダ、
分散剤及びエタノールを加えて湿式混合し、得られた泥
しょうを乾燥させて造粒し、その後、成形し、更に、C
IP(冷間等方静水圧プレス)処理を行い、焼成して得
る。
ができる圧電セラミックスを提供する。更には、大きな
圧電歪定数を有し、且つその温度依存性が低い圧電セラ
ミックスを提供する。 【解決手段】 本発明の圧電セラミックスはBa、B
i、Na、Ti及びOを含有し、モル比において0.9
97≦Bi/Na≦1.003であり、且つBa/Bi
=2x/(a−x)(但し、0.99≦a≦1.01、
0<x<a)を充足する。この圧電セラミックスはBa
CO3粉末、Bi2O3粉末、Na2CO3粉末及びTiO2
粉末の所定量を湿式混合し、得られた泥しょうを乾燥
し、仮焼する。更に、得られた仮焼物に有機バインダ、
分散剤及びエタノールを加えて湿式混合し、得られた泥
しょうを乾燥させて造粒し、その後、成形し、更に、C
IP(冷間等方静水圧プレス)処理を行い、焼成して得
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電セラミックス
に関する。更に詳しくは、鉛を含有せず、大きい圧電歪
定数を得ることができ、更に、圧電歪定数の温度依存性
が小さい圧電セラミックスに関する。本発明の圧電セラ
ミックスは振動子、アクチュエータ、センサ、フィルタ
などの圧電デバイスとして使用することができる。
に関する。更に詳しくは、鉛を含有せず、大きい圧電歪
定数を得ることができ、更に、圧電歪定数の温度依存性
が小さい圧電セラミックスに関する。本発明の圧電セラ
ミックスは振動子、アクチュエータ、センサ、フィルタ
などの圧電デバイスとして使用することができる。
【0002】
【従来の技術】これまでに量産化されている圧電セラミ
ックスはPT(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコ
ン酸鉛)等に代表されるように鉛及び/又は酸化鉛を含
有するものが多くを占める。しかし、これら鉛系圧電セ
ラミックスの焼成においては酸化鉛等の揮散を免れ得な
い。この鉛及び鉛化合物を環境に影響なく処理するため
に費やすコスト等は多大なものとなる。このため鉛を含
有しない非鉛系圧電セラミックスの実現が切望されてい
る。現在、この非鉛系圧電セラミックスとして注目され
ているのが(Bi0.5Na0.5)TiO3(以下、「BN
T」という。)、及びビスマス層状化合物である。しか
し、これらの材料は鉛を含有する圧電セラミックに比べ
ると、圧電歪定数が小さく、負荷された印加電圧に対す
る歪み、又は負荷応力に対する発生電荷が小さいという
問題がある。このため振動子等の能動素子として使用す
ることが困難である。
ックスはPT(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコ
ン酸鉛)等に代表されるように鉛及び/又は酸化鉛を含
有するものが多くを占める。しかし、これら鉛系圧電セ
ラミックスの焼成においては酸化鉛等の揮散を免れ得な
い。この鉛及び鉛化合物を環境に影響なく処理するため
に費やすコスト等は多大なものとなる。このため鉛を含
有しない非鉛系圧電セラミックスの実現が切望されてい
る。現在、この非鉛系圧電セラミックスとして注目され
ているのが(Bi0.5Na0.5)TiO3(以下、「BN
T」という。)、及びビスマス層状化合物である。しか
し、これらの材料は鉛を含有する圧電セラミックに比べ
ると、圧電歪定数が小さく、負荷された印加電圧に対す
る歪み、又は負荷応力に対する発生電荷が小さいという
問題がある。このため振動子等の能動素子として使用す
ることが困難である。
【0003】このBNTを端成分とする圧電セラミック
スとして特公平4−60073号公報を挙げることがで
きる。この公報においては非鉛系圧電セラミックスとし
ての新規な組成が開示されている。しかし、圧電歪定数
として開示されている最高値は99×10-12C/Nに
過ぎない。また圧電歪定数の温度依存性には触れられて
いないが、広い温度範囲で安定した性能を得るために
は、圧電歪定数の温度係数をできる限り0に近づける必
要がある。
スとして特公平4−60073号公報を挙げることがで
きる。この公報においては非鉛系圧電セラミックスとし
ての新規な組成が開示されている。しかし、圧電歪定数
として開示されている最高値は99×10-12C/Nに
過ぎない。また圧電歪定数の温度依存性には触れられて
いないが、広い温度範囲で安定した性能を得るために
は、圧電歪定数の温度係数をできる限り0に近づける必
要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するものであり、非鉛系圧電セラミックスにおい
て、大きな圧電歪定数を有する圧電セラミックスを提供
することを目的とする。更に、大きな圧電歪定数を有し
且つその温度依存性が低い圧電セラミックスを提供する
ことを目的とする。
解決するものであり、非鉛系圧電セラミックスにおい
て、大きな圧電歪定数を有する圧電セラミックスを提供
することを目的とする。更に、大きな圧電歪定数を有し
且つその温度依存性が低い圧電セラミックスを提供する
ことを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本第1発明の圧電セラミ
ックスは、Ba、Bi、Na、Ti及びOを含有し、モ
ル比において0.990<Bi/Na≦1.01であ
り、且つBa/Bi=2x/(a−x)(但し、0.9
9≦a≦1.01、0<x<a)を充足することを特徴
とする。上記Bi/Na、及び、上記Ba/Biが上記
範囲外では圧電歪定数が小さくなり易い。
ックスは、Ba、Bi、Na、Ti及びOを含有し、モ
ル比において0.990<Bi/Na≦1.01であ
り、且つBa/Bi=2x/(a−x)(但し、0.9
9≦a≦1.01、0<x<a)を充足することを特徴
とする。上記Bi/Na、及び、上記Ba/Biが上記
範囲外では圧電歪定数が小さくなり易い。
【0006】本発明の圧電セラミックスは第2発明のよ
うに、組成式xBaTiO3−(a−x)(BibN
ac)TiO3で表されることが好ましい。即ち、本第2
発明の圧電セラミックスは固溶体であり、ペロブスカイ
ト型構造であることが好ましいが、ペロブスカイト相を
主結晶相とする構造であってもよい。即ち、圧電特性に
影響を及ぼさない範囲で他の結晶相が混在していてもよ
い。尚、上記組成式におけるb及びcは0.990<b
/c≦1.01である。
うに、組成式xBaTiO3−(a−x)(BibN
ac)TiO3で表されることが好ましい。即ち、本第2
発明の圧電セラミックスは固溶体であり、ペロブスカイ
ト型構造であることが好ましいが、ペロブスカイト相を
主結晶相とする構造であってもよい。即ち、圧電特性に
影響を及ぼさない範囲で他の結晶相が混在していてもよ
い。尚、上記組成式におけるb及びcは0.990<b
/c≦1.01である。
【0007】更に、第3発明のように0.05≦x≦
0.5であることが好ましい。xの値が0.05未満の
場合又は0.5を越える場合は、圧電歪定数は低下し易
い。この下限値は、モルフォトロピック相境界がx=
0.05〜0.06付近に存在するとためであると考え
られる。従って、この値未満では圧電歪定数は急激に低
下し、大きな(170×10-12C/N以上)圧電歪定
数を得ることは困難であると考えられる。
0.5であることが好ましい。xの値が0.05未満の
場合又は0.5を越える場合は、圧電歪定数は低下し易
い。この下限値は、モルフォトロピック相境界がx=
0.05〜0.06付近に存在するとためであると考え
られる。従って、この値未満では圧電歪定数は急激に低
下し、大きな(170×10-12C/N以上)圧電歪定
数を得ることは困難であると考えられる。
【0008】このxは0.1≦x≦0.5であることが
より好ましく、0.2≦x≦0.5であることが更に好
ましい。この範囲であれば特に大きな圧電歪定数を得る
ことができる。更に、この範囲であれば大きな圧電歪定
数を得ることに加えて、その圧電歪定数の温度依存性も
小さく抑えることができる。このxの範囲は上記モルフ
ォトロピック相境界よりもチタン酸バリウムが多く固溶
した組成であることを示す。
より好ましく、0.2≦x≦0.5であることが更に好
ましい。この範囲であれば特に大きな圧電歪定数を得る
ことができる。更に、この範囲であれば大きな圧電歪定
数を得ることに加えて、その圧電歪定数の温度依存性も
小さく抑えることができる。このxの範囲は上記モルフ
ォトロピック相境界よりもチタン酸バリウムが多く固溶
した組成であることを示す。
【0009】xが上記好ましい範囲であれば、第4発明
のように、EMAS−6100(電子材料工業会による
標準規格)に従い測定した、温度20℃における圧電歪
定数d33 20 ℃が100×10-12C/N以上(通常17
0×10-12C/N以下、より好ましくは100×10
-12〜160×10-12C/N、更には110×10-12
〜160×10-12C/N)であり、且つ上記d33 20 ℃
と、温度80℃における圧電歪定数d33 80 ℃とより、前
記一般式(1)に従い算出される圧電歪定数の温度係数
d33tが0.15%/℃以下(通常0.05%/℃以
上、より好ましくは0.08〜0.12%/℃、更には
0.08〜0.11%/℃)である優れた圧電セラミッ
クスを得ることができる。
のように、EMAS−6100(電子材料工業会による
標準規格)に従い測定した、温度20℃における圧電歪
定数d33 20 ℃が100×10-12C/N以上(通常17
0×10-12C/N以下、より好ましくは100×10
-12〜160×10-12C/N、更には110×10-12
〜160×10-12C/N)であり、且つ上記d33 20 ℃
と、温度80℃における圧電歪定数d33 80 ℃とより、前
記一般式(1)に従い算出される圧電歪定数の温度係数
d33tが0.15%/℃以下(通常0.05%/℃以
上、より好ましくは0.08〜0.12%/℃、更には
0.08〜0.11%/℃)である優れた圧電セラミッ
クスを得ることができる。
【0010】これらd33 20 ℃及びd33tの値は同時に達
することのできる値であって、d33 20 ℃が100×10
-12C/N以上(通常170×10-12C/N以下)であ
り、且つd33tが0.15%/℃以下(通常0.05%
/℃以上)とすることができる。また、より好ましくは
第5発明のようにd33 20 ℃が105×10-12〜150
×10-12C/Nであり、且つd33tが0.05〜0.
14%/℃とすることができ、更に好ましくはd33 20 ℃
が110×10-12〜135×10-12C/Nであり、且
つd33tが0.08〜0.12%/℃である圧電セラミ
ックスを得ることができる。また、本発明においては、
圧電歪定数に加えて圧電出力定数g33も大きい方が好ま
しく、18×10-3〜21×10-3V・m/Nである圧
電セラミックスを得ることができる。これにより能動素
子としての他、受動素子としても利用が可能となる。
することのできる値であって、d33 20 ℃が100×10
-12C/N以上(通常170×10-12C/N以下)であ
り、且つd33tが0.15%/℃以下(通常0.05%
/℃以上)とすることができる。また、より好ましくは
第5発明のようにd33 20 ℃が105×10-12〜150
×10-12C/Nであり、且つd33tが0.05〜0.
14%/℃とすることができ、更に好ましくはd33 20 ℃
が110×10-12〜135×10-12C/Nであり、且
つd33tが0.08〜0.12%/℃である圧電セラミ
ックスを得ることができる。また、本発明においては、
圧電歪定数に加えて圧電出力定数g33も大きい方が好ま
しく、18×10-3〜21×10-3V・m/Nである圧
電セラミックスを得ることができる。これにより能動素
子としての他、受動素子としても利用が可能となる。
【0011】圧電セラミックスは同成分を含有する場合
であっても、その含有量の極めてわずかな違いにより大
きく異なる圧電特性を得ることができる。即ち、含まれ
る元素は同一であってもその含有量及び成分割合によっ
て異なる特性を得ることができる。特公平4−6007
3号公報に開示されている圧電セラミックスは、本発明
と同じ元素を含有するが、その成分割合は異なる。特
に、Baは本発明においては上記公報において開示され
ている含有量よりも多く含有されている。即ち、上記公
報に比べてチタン酸バリウムの割合が高いこととなる。
更に、成分割合においてはNa及びBiはほぼ同量が含
有されていることでも異なっている。
であっても、その含有量の極めてわずかな違いにより大
きく異なる圧電特性を得ることができる。即ち、含まれ
る元素は同一であってもその含有量及び成分割合によっ
て異なる特性を得ることができる。特公平4−6007
3号公報に開示されている圧電セラミックスは、本発明
と同じ元素を含有するが、その成分割合は異なる。特
に、Baは本発明においては上記公報において開示され
ている含有量よりも多く含有されている。即ち、上記公
報に比べてチタン酸バリウムの割合が高いこととなる。
更に、成分割合においてはNa及びBiはほぼ同量が含
有されていることでも異なっている。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明を詳し
く説明する。 (1)圧電セラミックス及び圧電素子の作製 市販のBaCO3粉末、Bi2O3粉末、Na2CO3粉末
及びTiO2粉末を表1に示す組成式の割合となるよう
各々秤量した。この各粉末をボールミルに投入し、エタ
ノールを加えて15時間湿式混合を行った。得られた泥
しょうを湯煎乾燥し、大気雰囲気において800℃で2
時間仮焼した。その後、得られた仮焼物に有機バイン
ダ、分散剤及びエタノールを加えてボールミルに投入
し、15時間湿式混合を行った。次いで、この泥しょう
を湯煎乾燥させて造粒し、1GPaの一軸加圧により直
径5mm、厚さ15mmの円柱状に成形した。その後、
15GPaの圧力でCIP(冷間等方静水圧プレス)処
理を行い、この成形体を大気雰囲気において1050〜
1250℃で2時間保持することにより焼成して圧電セ
ラミックスを得た。尚、表1において*は本発明の範囲
外であることを示す。
く説明する。 (1)圧電セラミックス及び圧電素子の作製 市販のBaCO3粉末、Bi2O3粉末、Na2CO3粉末
及びTiO2粉末を表1に示す組成式の割合となるよう
各々秤量した。この各粉末をボールミルに投入し、エタ
ノールを加えて15時間湿式混合を行った。得られた泥
しょうを湯煎乾燥し、大気雰囲気において800℃で2
時間仮焼した。その後、得られた仮焼物に有機バイン
ダ、分散剤及びエタノールを加えてボールミルに投入
し、15時間湿式混合を行った。次いで、この泥しょう
を湯煎乾燥させて造粒し、1GPaの一軸加圧により直
径5mm、厚さ15mmの円柱状に成形した。その後、
15GPaの圧力でCIP(冷間等方静水圧プレス)処
理を行い、この成形体を大気雰囲気において1050〜
1250℃で2時間保持することにより焼成して圧電セ
ラミックスを得た。尚、表1において*は本発明の範囲
外であることを示す。
【0013】
【表1】
【0014】次いで、得られた圧電セラミックスの上下
面を平面研磨した。更に、この上下面に銀のペーストを
スクリーン印刷により塗布し、焼き付け、電極を形成し
た。その後、10〜200℃に保温した絶縁オイル(シ
リコーンオイル)中において3〜7kV/mmの直流電
流を30分間印加することにより分極処理を行い、圧電
素子を得た。
面を平面研磨した。更に、この上下面に銀のペーストを
スクリーン印刷により塗布し、焼き付け、電極を形成し
た。その後、10〜200℃に保温した絶縁オイル(シ
リコーンオイル)中において3〜7kV/mmの直流電
流を30分間印加することにより分極処理を行い、圧電
素子を得た。
【0015】(2)圧電特性の測定 圧電歪定数、圧電出力定数及び圧電歪定数の温度係数の
測定 EMAS−6100に従い、インピーダンスアナライザ
(ヒューレットパッカード社製、型式「4194A」)
を用いて、温度20℃に保持した恒温槽中において、
(1)において得られた各圧電素子の圧電歪定数d33 20
℃及び圧電出力定数g33を測定した。この値を表2に示
す。更に、同様な測定を温度80℃に保持された恒温槽
中において行い、得られたd33 80 ℃と、上記d33 20 ℃と
を前記一般式(1)に代入し、d33tを算出した。この
値を表2に併記する。尚、表2において*は本発明の範
囲外であることを示す。
測定 EMAS−6100に従い、インピーダンスアナライザ
(ヒューレットパッカード社製、型式「4194A」)
を用いて、温度20℃に保持した恒温槽中において、
(1)において得られた各圧電素子の圧電歪定数d33 20
℃及び圧電出力定数g33を測定した。この値を表2に示
す。更に、同様な測定を温度80℃に保持された恒温槽
中において行い、得られたd33 80 ℃と、上記d33 20 ℃と
を前記一般式(1)に代入し、d33tを算出した。この
値を表2に併記する。尚、表2において*は本発明の範
囲外であることを示す。
【0016】
【表2】
【0017】表2の結果によると、本発明品である実験
例2〜8では、xが0.05〜0.5の範囲において圧
電歪定数は76×10-12〜159×10-12C/Nの大
きな値が得られていること分かる。特に、実験例3〜7
では、xが0.2〜0.5の範囲であり、温度係数は
0.08〜0.12%/℃と極めて小さく抑えられ(即
ち、温度依存性が小さい)、且つ圧電歪定数は92×1
0-12〜131×10-12C/Nと大きな値が得られてい
ることが分かる。また、実験例9においてはモル比にお
いてBi/Naの割合が0.990であるため圧電歪定
数が小さくなっていることが分かる。
例2〜8では、xが0.05〜0.5の範囲において圧
電歪定数は76×10-12〜159×10-12C/Nの大
きな値が得られていること分かる。特に、実験例3〜7
では、xが0.2〜0.5の範囲であり、温度係数は
0.08〜0.12%/℃と極めて小さく抑えられ(即
ち、温度依存性が小さい)、且つ圧電歪定数は92×1
0-12〜131×10-12C/Nと大きな値が得られてい
ることが分かる。また、実験例9においてはモル比にお
いてBi/Naの割合が0.990であるため圧電歪定
数が小さくなっていることが分かる。
【0018】尚、本発明においては、上記の具体的な実
施例に記載されたものに限られず、目的、用途に応じて
本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができ
る。特に、本発明の圧電セラミックスの成分としてLi
及びKを含有することができる。これらは圧電セラミッ
クス中にどのような態様で含有されてもよいが、BNT
中に固溶するNaの一部と置換して存在することが好ま
しい。また、これらの成分の他にも、本発明の圧電セラ
ミックスの圧電特性に実質的に影響を及ぼさない範囲で
他の成分等、或いは不可避不純物等が含まれていてもよ
い。
施例に記載されたものに限られず、目的、用途に応じて
本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができ
る。特に、本発明の圧電セラミックスの成分としてLi
及びKを含有することができる。これらは圧電セラミッ
クス中にどのような態様で含有されてもよいが、BNT
中に固溶するNaの一部と置換して存在することが好ま
しい。また、これらの成分の他にも、本発明の圧電セラ
ミックスの圧電特性に実質的に影響を及ぼさない範囲で
他の成分等、或いは不可避不純物等が含まれていてもよ
い。
【0019】
【発明の効果】本第1発明によると、従来のBNT系圧
電セラミックスに対して、圧電歪定数を大きく向上させ
ることができる。本第2乃至5発明によると、特に、大
きな圧電歪定数を有し且つその温度依存性が低い圧電セ
ラミックスを得ることができる。
電セラミックスに対して、圧電歪定数を大きく向上させ
ることができる。本第2乃至5発明によると、特に、大
きな圧電歪定数を有し且つその温度依存性が低い圧電セ
ラミックスを得ることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】 Ba、Bi、Na、Ti及びOを含有
し、モル比において0.990<Bi/Na≦1.01
であり、且つBa/Bi=2x/(a−x)(但し、
0.99≦a≦1.01、0<x<a)を充足すること
を特徴とする圧電セラミックス。 - 【請求項2】 組成式xBaTiO3−(a−x)(B
ibNac)TiO3で表され、0.990<b/c≦
1.01を充足する請求項1記載の圧電セラミックス。 - 【請求項3】 上記組成式において0.05≦x≦0.
5である2記載の圧電セラミックス。 - 【請求項4】 EMAS−6100に従い測定した場
合、温度20℃における圧電歪定数d33 20 ℃が100×
10-12C/N以上であり、且つ上記d33 20 ℃と、温度
80℃における圧電歪定数d33 80 ℃とより、下記一般式
(1)に従い算出される圧電歪定数の温度係数d33tが
0.15%/℃以下である請求項1乃至3のうちのいず
れか1項に記載の圧電セラミックス。 d33t(%/℃)=(d33 80 ℃−d33 20 ℃)/{(80℃−20℃)×d33 20 ℃ }×100 (1) - 【請求項5】 105×10-12<d33 20 ℃(C/N)
<150×10-12であり、且つ0.05<d33t(%
/℃)<0.14である請求項4記載の圧電セラミック
ス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11226581A JP2001048642A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 圧電セラミックス |
US09/779,446 US20020014196A1 (en) | 1999-08-10 | 2001-02-09 | Piezoelectric ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11226581A JP2001048642A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 圧電セラミックス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001048642A true JP2001048642A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16847425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11226581A Pending JP2001048642A (ja) | 1999-08-10 | 1999-08-10 | 圧電セラミックス |
Country Status (2)
Country | Link |
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US (1) | US20020014196A1 (ja) |
JP (1) | JP2001048642A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003095737A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電磁器組成物 |
JP2007031219A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Toyota Motor Corp | チタン酸ビスマスナトリウム−ジルコニウムチタン酸バリウム系無鉛圧電セラミック及びその製造方法 |
JP2010150126A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪セラミックス組成物、圧電/電歪セラミックスの焼結体、圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物の製造方法及び圧電/電歪素子の製造方法 |
WO2010084711A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法 |
WO2012104945A1 (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法 |
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US8501031B2 (en) * | 2008-09-26 | 2013-08-06 | The Penn State Research Foundation | NBT based lead-free piezoelectric materials for high power applications |
DE102014211465A1 (de) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Pi Ceramic Gmbh Keramische Technologien Und Bauelemente | Bleifreier piezokeramischer Werkstoff auf Bismut-Natrium-Titanat (BNT)-Basis |
-
1999
- 1999-08-10 JP JP11226581A patent/JP2001048642A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-09 US US09/779,446 patent/US20020014196A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003095737A (ja) * | 2001-09-17 | 2003-04-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 圧電磁器組成物 |
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JP2010150126A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-07-08 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪セラミックス組成物、圧電/電歪セラミックスの焼結体、圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物の製造方法及び圧電/電歪素子の製造方法 |
WO2010084711A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法 |
US7965021B2 (en) | 2009-01-20 | 2011-06-21 | Panasonic Corporation | Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, ink jet head, method of forming image with the ink jet head, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity with the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power with the piezoelectric generating element |
WO2012104945A1 (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法 |
JP5196087B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 圧電体薄膜とその製造方法、インクジェットヘッド、インクジェットヘッドを用いて画像を形成する方法、角速度センサ、角速度センサを用いて角速度を測定する方法、圧電発電素子ならびに圧電発電素子を用いた発電方法 |
CN103329297A (zh) * | 2011-02-03 | 2013-09-25 | 松下电器产业株式会社 | 压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、利用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、利用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及利用压电发电元件的发电方法 |
US9184371B2 (en) | 2011-02-03 | 2015-11-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Piezoelectric thin film, method for manufacturing same, inkjet head, method for forming image using inkjet head, angular velocity sensor, method for measuring angular velocity using angular velocity sensor, piezoelectric power generation element, and method for generating power using piezoelectric power generation element |
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