JP2010150126A - 圧電/電歪セラミックス組成物、圧電/電歪セラミックスの焼結体、圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物の製造方法及び圧電/電歪素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電/電歪セラミックスは、一般式xBNT−yBKT−zBT(x+y+z=1)で表され、三元図においてBNT,BKT及びBTの含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A,点B,点C及び点Dを頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるストイキオメトリから、Aサイト元素のうちの1種類以上を不足させた組成を有する。ストイキオメトリからAサイト元素を不足させることにより、ペロブスカイト構造のAサイトには空孔が生じる。また、Aサイトの空孔量は2mol%以上6mol%以下となる。
【選択図】図1
Description
第1実施形態は、圧電/電歪セラミックスに関する。
図1は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスの望ましい組成範囲を説明する図である。図1は、チタン酸ビスマスナトリウム((Bi1/2Na1/2)TiO3;以下では「BNT」という)、チタン酸ビスマスカリウム((Bi1/2K1/2)TiO3;以下では「BKT」という)及びチタン酸バリウム(BaTiO3;以下では「BT」という)の3成分系の三元図となっている。
第1実施形態の圧電/電歪セラミックスは、BNT,BKT及びBTの固溶体BNT−BKT−BTであり、その結晶構造はペロブスカイト構造となっている。なお、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスが若干の異相を含むことは許容される。
上述のようにAサイトに空孔を生じさせることは、ドメインスイッチングを起こりやすくし、非180°ドメインの回転に起因する大きな電界誘起歪を生じさせることに寄与する。非180°ドメインの回転が起こりやすくなっている場合、交流電界を印加すると歪及び分極がある電界で非線形的に急激に大きくなるジャンプ現象が観察される。その具体例については、下述の「実施例」の中で言及する。
図2は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスの製造の流れを説明する流れ図である。
まず、上述の組成となるように秤量した構成元素(Bi,Na,K,Ba,Ti)の出発原料を混合する。出発原料としては、酸化物又は最終的に酸化物になる炭酸塩・酒石酸塩若しくはシュウ酸塩等の化合物を用いる。混合は、ボールミル等により行う。ボールミルにより混合を行う場合、分散媒としてエタノール・トルエン・アセトン等の有機溶剤を用い、スラリーからの分散媒の除去は、蒸発乾燥・濾過・遠心分離等により行う。なお、湿式法ではなく、乾式法で混合を行ってもよい。
出発原料を混合した後、得られた混合原料を仮焼して反応させる。仮焼温度は、800〜1000℃が望ましい。また、最高温度を維持する時間は、2〜10時間が望ましい。
混合原料を仮焼した後、得られた粉末を成形する。成形は、押出成形・射出成形・加圧成形・鋳込み成形・テープ成形・冷間等方圧(CIP)成形等により行う。加圧成形を行った後にさらにCIP成形を行ってもよい。成形に先立って粉末にバインダを混合してもよい。バインダを混合する場合、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂・ポリビニルアルコール樹脂・ポリ酢酸ビニル樹脂・ポリアクリル樹脂等を用いる。
粉末を成形した後、得られた成形体を焼成する。焼成温度は、1100〜1200℃が望ましい。また、最高温度を維持する時間は、2〜10時間が望ましい。粉末に樹脂バインダを混合した場合は、成形体から樹脂バインダを除去するための熱処理を行うことが望ましい。なお、得られた焼結体に切削・研削・研磨等の加工を行ってもよい。焼成に先立って成形体の表面に電極膜を形成し、成形体と電極膜とを共焼成してもよい。
得られた焼結体を圧電/電歪アクチュエータに用い抗電界を超える電界を印加する場合は、得られた焼結体に分極処理を行うことは必ずしも必要ではない。ただし、このことは、得られた焼結体に分極処理を行うことを妨げない。
第1実施形態の圧電/電歪セラミックスの焼結体は、大電界を印加したときの電界誘起歪が大きいため、圧電/電歪アクチュエータに好適に用いられる。ただし、このことは、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスの焼結体を他の圧電/電歪素子、例えば、共振子・センサ等に用いることを妨げない。もちろん、共振子・センサ等に用い抗電界を超える電界を印加しない場合には、得られた焼結体に分極処理を行う。
第2実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスを用いた圧電/電歪アクチュエータ402に関する。
図3は、第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ402の模式図である。図3は、単層型の圧電/電歪アクチュエータ402の断面図となっている。
圧電/電歪体膜410は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックスの焼結体を用いて構成される。
電極膜408,412の材質は、白金・パラジウム・ロジウム・金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。中でも、焼成時の耐熱性が高い点で白金又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いることができる。
基体404の材質は、セラミックスであるが、その種類に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性及び絶縁性の観点から、安定された酸化ジルコニウム・酸化アルミニウム・酸化マグネシウム・ムライト・窒化アルミニウム・窒化ケイ素・ガラスからなる群から選択される少なくとも1種類を含むセラミックスが好ましい。中でも、機械的強度及び靭性の観点から安定化された酸化ジルコニウムがさらに好ましい。ここでいう「安定化された酸化ジルコニウム」とは、安定化剤の添加によって結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニムを包含する。
圧電/電歪アクチュエータ402の製造にあたっては、まず、基体404の上に電極膜408を形成する。電極膜408は、イオンビーム・スパッタリング・真空蒸着・PVD(Physical Vapor Deposition)・イオンプレーティング・CVD(Chemical Vapor Deposition)・メッキ・エアロゾルデポジション・スクリーン印刷・スプレー・ディッピング等の方法で形成することができる。中でも、基体404と圧電/電歪体膜410との接合性の観点から、スパッタリング法又はスクリーン印刷法が好ましい。形成された電極膜408は、熱処理により、基体404及び圧電/電歪体膜410と固着することができる。
第3実施形態は、第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ402の構造に代えて採用することができる圧電/電歪アクチュエータ502の構造に関する。
第4実施形態は、第2実施形態の圧電/電歪アクチュエータ402の構造に代えて採用することができる圧電/電歪アクチュエータ602の構造に関する。
第5実施形態は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いた圧電/電歪アクチュエータ702に関する。
図6〜図8は、圧電/電歪アクチュエータ702の模式図である。図6は、圧電/電歪アクチュエータ702の斜視図、図7は、圧電/電歪アクチュエータ702の縦断面図、図8は、圧電/電歪アクチュエータ702の横断面図となっている。
圧電/電歪体膜728は、第1実施形態の圧電/電歪セラミックス焼結体を用いて構成される。圧電/電歪体膜728の膜厚は、5〜500μmであることが好ましい。この範囲を下回ると、後述のグリーンシートの製造が困難になるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜728に十分な電界を印加することが困難になるからである。
内部電極膜730及び外部電極膜736,738の材質は、白金・パラジウム・ロジウム・金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。内部電極膜730の材質は、これらの中でも、焼成時の耐熱性が高く圧電/電歪体膜728との共焼結が容易な点で白金又は白金を主成分とする合金であることが好ましい。ただし、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いることができる。
圧電/電歪アクチュエータ702の製造にあたっては、まず、圧電/電歪セラミックス粉末にバインダ、可塑剤、分散剤及び分散媒を加えてボールミル等で混合する。そして、得られたスラリーをドクターブレード法等でシート形状に成形してグリーンシートを得る。
セラミックスからなる試料X1〜X16,A1〜A9,B1〜B9,C1〜C9,D1〜D9,E1〜E6,F1〜F6,G1〜G6,H1〜H6の作製にあたっては、まず、出発原料のBi2O3(酸化ビスマス)・TiO2(酸化チタン)・Na2CO3(炭酸ナトリウム)・K2CO3(炭酸カリウム)・BaCO3(炭酸バリウム)を表1〜表9に示す組成となるように秤量した。試料X1〜X16,A1〜A9,B1〜B9,C1〜C9,D1〜D9,E1〜E6,F1〜F6,G1〜G6,H1〜H6の組成は、一般式xBNT−yBKT−zBT(x+y+z=1)で表され、BNT,BKT及びBTの含有比x,y,zが表1〜表9の「x」「y」及び「z」の欄に示されるストイキオメトリから、Bi,Na,Kを不足させた組成である。Bi,Na,Kのストイキオメトリからの不足量は、それぞれ、表1〜表9の「Bi不足量(mol%)」「Na不足量(mol%)」及び「K不足量(mol%)」の欄に示されている。表1〜表9の空孔量(mol%)」の欄には、Bi,Na,Kのストイキオメトリからの不足量p,q,rの合計p+q+rが示されている。図1の三元図においては、点Xが試料X1〜X16(表1)、点Aが試料A1〜A9(表2)、点Bが試料B1〜B9(表3)、点Cが試料C1〜C9(表4)、点Dが試料D1〜D9(表5)、点Eが試料E1〜E6(表6)、点Fが試料F1〜F6(表7)、点Gが試料G1〜G6(表8)、点Hが試料H1〜H6(表9)のBNT,BKT及びBTの含有比x,y,zを表す点になっている。
続いて、セラミックスからなる試料X1〜X16,A1〜A9,B1〜B9,C1〜C9,D1〜D9,E1〜E6,F1〜F6,G1〜G6,H1〜H6の電界誘起歪及びリーク電流を測定した。その結果を表1〜表9に示す。電界誘起歪は、株式会社東陽テクニカ(TOYO Corporation)製の強誘電体評価システム6252Rev.Bを用いて測定した。電界誘起歪は、円板形状の焼結体の厚さ方向に交流電界を印加したときの厚さ方向の伸び率である。印加した交流電界の振幅は100kV/cm、周波数は0.5Hzである。リーク電流は、緩和時間を30秒としたときの値である。
単結晶からなる試料X91〜X93,G91〜G93の作製においては、セルフフラックス法により単結晶を育成した。
続いて、試料X91〜X93,G91〜G93の電荷誘起歪及びリーク電流を試料X1〜X16,A1〜A9,B1〜B9,C1〜C9,D1〜D9,E1〜E6,F1〜F6,G1〜G6,H1〜H6と同様に測定した。その結果を表10及び表11に示す。
410,516,520 圧電/電歪体膜
728 圧電/電歪体膜
408,412,514,518,522,730 電極膜
Claims (5)
- 一般式x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2K1/2)TiO3−zBaTiO3(x+y+z=1)で表され、三元図において(Bi1/2Na1/2)TiO3 ,(Bi1/2K1/2)TiO3及びBaTiO3の含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A(x=0.93,y=0,z=0.07),点B(x=0.86,y=0,z=0.14),点C(x=0.74,y=0.20,z=0.06)及び点D(x=0.80,y=0.20,z=0.00)を頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるストイキオメトリから、Aサイト元素のBi,Na及びKのうちの1種類以上を不足させ、Aサイト元素のストイキオメトリからの不足量を2mol%以上6mol%以下とした圧電/電歪セラミックス組成物。
- 一般式x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2K1/2)TiO3−zBaTiO3(x+y+z=1)で表され、三元図において(Bi1/2Na1/2)TiO3 ,(Bi1/2K1/2)TiO3及びBaTiO3の含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A(x=0.93,y=0,z=0.07),点B(x=0.86,y=0,z=0.14),点C(x=0.74,y=0.20,z=0.06)及び点D(x=0.80,y=0.20,z=0.00)を頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるペロブスカイト構造の固溶体のAサイトに空孔を生じさせ、Aサイトの空孔量を2mol%以上6mol%以下とした圧電/電歪セラミックスの焼結体。
- 圧電/電歪セラミックスの焼結体と、
前記焼結体を挟んで対向する電極と、
を備え、
前記焼結体は、一般式x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2K1/2)TiO3−zBaTiO3(x+y+z=1)で表され、三元図において(Bi1/2Na1/2)TiO3 ,(Bi1/2K1/2)TiO3及びBaTiO3の含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A(x=0.93,y=0,z=0.07),点B(x=0.86,y=0,z=0.14),点C(x=0.74,y=0.20,z=0.06)及び点D(x=0.80,y=0.20,z=0.00)を頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるペロブスカイト構造の固溶体のAサイトに空孔を生じさせ、Aサイトの空孔量を2mol%以上6mol%以下とした圧電/電歪素子。 - a) 一般式x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2K1/2)TiO3−zBaTiO3(x+y+z=1)で表され、三元図において(Bi1/2Na1/2)TiO3 ,(Bi1/2K1/2)TiO3及びBaTiO3の含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A(x=0.93,y=0,z=0.07),点B(x=0.86,y=0,z=0.14),点C(x=0.74,y=0.20,z=0.06)及び点D(x=0.80,y=0.20,z=0.00)を頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるストイキオメトリから、Aサイト元素のBi,Na及びKのうちの1種類以上を不足させ、Aサイト元素のストイキオメトリからの不足量が2mol%以上6mol%以下となるように出発原料を混合する工程と、
b) 前記工程a)により混合された出発原料を反応させる工程と、
を備える圧電/電歪セラミックス組成物の製造方法。 - a) 一般式x(Bi1/2Na1/2)TiO3−y(Bi1/2K1/2)TiO3−zBaTiO3(x+y+z=1)で表され、三元図において(Bi1/2Na1/2)TiO3 ,(Bi1/2K1/2)TiO3及びBaTiO3の含有比x,y,zを表す点(x,y,z)が点A(x=0.93,y=0,z=0.07),点B(x=0.86,y=0,z=0.14),点C(x=0.74,y=0.20,z=0.06)及び点D(x=0.80,y=0.20,z=0.00)を頂点とする四角形ABCDの範囲内(境界線上も含む)にあるペロブスカイト構造の固溶体のAサイトに空孔を生じさせ、Aサイトの空孔量を2mol%以上6mol%以下とした圧電/電歪セラミックスの焼結体を作製する工程と、
b) 前記焼結体を挟んで対向する電極を作製する工程と、
を備える圧電/電歪素子の製造方法。
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