JP2001038148A

JP2001038148A - 塩化ケイ素を含有するガスの浄化剤及び浄化方法

Info

Publication number: JP2001038148A
Application number: JP11216312A
Authority: JP
Inventors: Kenji Otsuka; 健二大塚; Chitsu Arakawa; 秩荒川; Eisei Koura; 永生古浦
Original assignee: Japan Pionics Ltd
Current assignee: Japan Pionics Ltd
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2001-02-13

Abstract

(57)【要約】【課題】有害成分として塩化ケイ素を含むガスを浄化
するための浄化剤または浄化方法において、該ガス中に
含まれる塩化ケイ素が低濃度であっても、また該ガスが
乾燥したガスであっても高い浄化能力が得られる浄化剤
及び浄化方法を提供する。【解決手段】浄化剤の主成分を、ＢＥＴ比表面積が１
０ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅とアルカリ金属の水酸化物
とする。また、塩化ケイ素を含むガスを、前記浄化剤と
接触させて浄化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は塩化ケイ素を含有す
るガスの浄化剤及び浄化方法に関する。さらに詳細には
半導体製造工程等から排出されるジクロロシラン等の塩
化ケイ素を含有するガスの浄化剤及び浄化方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体製造工業においては、
絶縁膜等を形成するための原料としてジクロロシランが
使用されている。例えば、ジクロロシランとアンモニア
を用いて、ＣＶＤ法によりシリコンウェハー等の半導体
基板にシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）を形成する方法が
行なわれている。また、ジクロロシランを使用し、ヘキ
サフルオロタングステン（ＷＦ_６）を還元することによ
りケイ化タングステン（ＷＳｉ_Ｘ）を気相成長させる方
法が実施されている。また、液晶パネル基板等に有用な
シリカガラスの原料としては、四塩化ケイ素が用いられ
ている。

【０００３】これらの塩化ケイ素は、半導体製造におい
て、通常は窒素、水素、ヘリウム等のキャリヤガスで希
釈された状態で使用された後排出されるが、その排出ガ
ス中の濃度は一般的に１％以下である。しかし、塩化ケ
イ素は毒性が強く、人体や環境に悪影響を及ぼすため、
使用後、大気に放出するに先立って、これらを含有する
有害ガスを浄化する必要がある。

【０００４】従来より、塩化ケイ素を浄化する方法とし
ては湿式法と乾式法があり、湿式法としては、スクラバ
ー、スプレー塔等を用いて、これらのガスを水酸化ナト
リウム等のアルカリ水溶液と接触させて吸収分解させる
浄化方法（特開昭６３−５９３３７号公報）がある。

【０００５】また、乾式法としては、塩化ケイ素を含有
するガスを、酸化第二銅、または酸化第二銅と酸化亜
鉛との混合物を有効成分とする浄化剤と接触させて浄化
する方法（特開昭６１−９０７２６号公報）、酸化第
二銅と、酸化アルミニウム及び／または二酸化ケイ素を
含有してなる浄化剤と接触させて浄化する方法（特開昭
６２−１４３９号公報）、水酸化ストロンチウム及び
四三酸化鉄を主成分とする浄化剤と接触させて浄化する
方法（特開平７−２８４６３１号公報）、酸化第二銅
を有効成分として含有させて成型してなる浄化剤、また
は酸化第二銅を有効成分として多孔質担体に担持させて
なる浄化剤と接触させて浄化する方法（特開平８−１６
８６３５号公報）がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、湿式法
による浄化方法は、処理能力が大きく適応性も広い等優
れた浄化方法であるものの、浄化効率が低く、塩化ケイ
素を完全に浄化することが困難であるという問題点があ
るばかりでなく、装置が複雑で大型となり、設備、保守
ともに費用を要するという問題点があった。また、前述
〜の従来から知られている乾式の浄化剤及び浄化方
法は、高濃度の塩化ケイ素を含む有害ガスの浄化能力
（浄化剤単位量当たりの塩化ケイ素の浄化能力）は高い
が、低濃度の塩化ケイ素を含む場合では浄化能力が低下
するという不都合があった。さらに、の浄化剤では、
乾燥した有害ガスを浄化することにより浄化剤中の水分
が蒸発し乾燥した場合には、浄化能力が低下するという
不都合があった。

【０００７】従って、本発明が解決しようとする課題
は、処理対象ガス中に含まれる塩化ケイ素が低濃度であ
っても、また処理対象ガスが乾燥したガスであっても高
い浄化能力が得られる塩化ケイ素を含有するガスの浄化
剤及び浄化方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
課題を解決すべく鋭意検討した結果、有害成分として塩
化ケイ素を含有するガスを、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２
／ｇ以上の酸化第二銅及びアルカリ金属の水酸化物を主
成分とする浄化剤と接触させることにより、有害ガスが
低濃度の塩化ケイ素を含む場合であっても、また乾燥状
態であっても、高い浄化能力が得られることを見い出し
本発明に到達した。

【０００９】すなわち本発明は、ＢＥＴ比表面積が１０
ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅とアルカリ金属の水酸化物を
主成分とすることを特徴とする塩化ケイ素を含有するガ
スの浄化剤である。また、本発明は、有害成分として塩
化ケイ素を含有するガスを、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２
／ｇ以上の酸化第二銅とアルカリ金属の水酸化物を主成
分とする浄化剤と接触させて浄化することを特徴とする
塩化ケイ素を含有するガスの浄化方法でもある。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の浄化剤及び浄化方法は、
窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、及び水素ガス
等に、有害成分としてモノクロロシラン、ジクロロシラ
ン及びトリクロロシラン等の塩化ケイ素の一種以上を含
有するガスの浄化に適用される。本発明の浄化剤は、Ｂ
ＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅とアルカ
リ金属の水酸化物を主成分とする浄化剤であり、本発明
の浄化方法は、これらの塩化ケイ素を含有する有害ガス
を、前記浄化剤と接触させて浄化する方法である。

【００１１】本発明の浄化剤及び浄化方法によれば、特
に有害ガス中の塩化ケイ素の濃度が１００００ｐｐｍ以
下の比較的低い場合において、従来の乾式の浄化剤及び
浄化方法と比べて高い浄化能力が得られる。塩化ケイ素
の濃度が高い場合は、前述の〜のような浄化剤によ
っても高い浄化能力が得られるが、塩化ケイ素の濃度が
低い場合は、本発明の浄化剤のみが、ＢＥＴ比表面積が
１０ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅とアルカリ金属の水酸化
物との作用により、高い活性が得られるものであると推
測される。

【００１２】本発明の浄化剤に用いられる酸化第二銅
は、ＢＥＴ比表面積が通常は１０ｍ^２／ｇ以上の酸化第
二銅、好ましくは５０〜１００ｍ^２／ｇの酸化第二銅で
ある。ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以下の酸化第二銅
を使用した場合は高い浄化能力が得られず、一方、ＢＥ
Ｔ比表面積が１００ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅も使用可
能であるが、その製造中でのろ過や洗浄が難しいことか
ら実質的に製造困難という制約がある。ＢＥＴ比表面積
が１０ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅としては、公知の方法
により調製することができ、例えば、高純度の硝酸銅溶
液にアンモニウム塩からなる中和剤を添加して微細粒子
を生成させ、この微細粒子を水洗、乾燥後、焼成するこ
とにより得られる。（特開平２−１４５４２２号公報）

【００１３】また、本発明の浄化剤に用いられるアルカ
リ金属の水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウムが挙げられる。これらのアル
カリ金属の水酸化物は、酸化第二銅との相互作用によ
り、塩化ケイ素を浄化する高い能力を発揮するとともに
浄化剤の成型性を向上させる効果がある。これらは単独
で用いても二種類以上を用いてもよい。しかし、これら
のうちでも浄化能力が優れているという点で水酸化カリ
ウムを単独で用いることが好ましい。浄化剤中のアルカ
リ金属の水酸化物の含有量は、乾燥浄化剤中の重量割合
として、通常は１〜１５％、好ましくは２〜１０％であ
る。アルカリ金属の水酸化物の含有量が１％以下または
１５％以上の場合は、浄化能力が低下する不都合を生
じ、さらに１％以下の場合は浄化剤の強度も低下する。

【００１４】尚、後記するように浄化剤の調製の際には
バインダーを添加することもできる。また、浄化剤中に
は浄化に悪影響を及ぼさない不純物、不活性物質などを
含んでいてもよい。また、浄化剤は乾燥状態でも優れた
浄化能力を発揮するが、１５ｗｔ％以下の水分を含んで
いてもよい。これらのバインダー、不純物、不活性物
質、水分などを含んだ場合においても、浄化剤中の酸化
第二銅及びアルカリ金属の水酸化物の合計含有量は、通
常は７５ｗｔ％以上、好ましくは９０ｗｔ％以上であ
る。

【００１５】本発明の浄化剤を調製する方法としては、
浄化剤が均一に調製できる方法であれば特に制限がな
い。例えば、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の酸化
第二銅の成型物にアルカリ金属の水酸化物を添着するこ
とにより、あるいはＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上
の酸化第二銅とアルカリ金属の水酸化物の水溶液を混練
した後、成型、乾燥することにより調製することができ
る。また、浄化剤の成型性や成型強度を高めるためにバ
インダーを加えてもよい。このようなバインダーとして
は、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、
ポリプロピレングリコール、メチルセルロース、カルボ
キシメチルセルロースなどの有機系バインダー、シリ
カ、珪藻土、珪酸ナトリウム、硫酸水素ナトリウムなど
の無機系バインダーを挙げることができる。

【００１６】これらのバインダーを加える場合は、浄化
剤を調製する際に、酸化第二銅、アルカリ金属の水酸化
物またはこれらの混合物に添加、混練される。バインダ
ーの添加量は、各成分の割合、成型条件などによって異
なり一概には特定できないが、少なすぎる場合はバイン
ダーとしての効果が得られず、多すぎる場合は浄化能力
が低下することから、通常は浄化剤全重量に対して０．
１〜１０ｗｔ％であり、好ましくは０．５〜５ｗｔ％で
ある。

【００１７】浄化剤の大きさ及び形状は特に限定されな
いが、例えば球状、円柱状、円筒状及び粒状などが挙げ
られる。その大きさは球状であれば直径０．５〜１０ｍ
ｍ、ペレットやタブレットなどの円柱状であれば直径
０．５〜１０ｍｍ、高さ２〜２０ｍｍ程度が好ましく、
粒状など不定形のものであれば、ふるいの目の開きで
０．８４〜５．６６ｍｍ程度のものが好ましい。浄化剤
を浄化筒に充填したときの充填密度は、浄化剤の形状及
び調製方法により異なるが通常は０．４〜２．０ｇ／ｍ
ｌ程度である。浄化剤は、通常は有害ガスの浄化筒に充
填され、固定床として用いられるが移動床、流動床とし
て用いることも可能である。通常は浄化剤は浄化筒内に
充填され、塩化ケイ素を含有するガスは浄化筒内に流さ
れ、浄化剤と接触させることにより、有害成分である塩
化ケイ素が浄化される。

【００１８】本発明の浄化方法において、浄化剤と処理
対象ガスとの接触温度には特に制限はない。しかし、不
活性ガス中の塩化ケイ素を浄化する場合には、熱処理工
程などからの排ガスのように高い温度のガスをそのまま
浄化剤と接触させることもできるが、浄化するために特
に加熱や冷却を必要としないことから、一般的には１０
０℃以下であり、通常は室温付近の温度（１０〜５０
℃）で操作される。尚、浄化開始後は反応熱により１０
〜４０℃程度の温度上昇が見られることもあるが、異常
な発熱を生じたりする虞はない。

【００１９】また、浄化時の圧力にも特に制限はない
が、通常は常圧で行なわれるほか、減圧乃至１ｋｇ／ｃ
ｍ^２Ｇのような加圧下で操作することも可能である。本
発明が適用される処理対象ガスは、有害成分として塩化
ケイ素を含む窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、
及び水素ガス等のガスであるが、処理対象ガスは乾燥状
態であってもまた湿度の高い状態であっても結露を生じ
ない程度であればよい。

【００２０】本発明の浄化方法が適用される処理対象ガ
ス中に含有する塩化ケイ素の濃度及び流速には特に制限
はないが、一般に濃度が高いほど流速を小さくすること
が望ましい。塩化ケイ素の濃度は通常は１％以下である
が、流量が小さい場合にはさらに高濃度の塩化ケイ素の
処理も可能である。浄化筒は処理対象ガスの量、塩化ケ
イ素の濃度などに応じて設計されるが、塩化ケイ素の濃
度が０．１％以下のような比較的低濃度では空筒線速度
（ＬＶ）は０．５〜５０ｃｍ／ｓｅｃ、塩化ケイ素の濃
度が０．１〜１％程度ではＬＶは０．０５〜２０ｃｍ／
ｓｅｃ、塩化ケイ素の濃度が１％以上のような高濃度で
は１０ｃｍ／ｓｅｃ以下の範囲で設計することが好まし
い。

【００２１】

【実施例】次に、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明がこれらにより限定されるものではない。

【００２２】実施例１ＢＥＴ比表面積が７０ｍ^２／ｇの酸化第二銅粉末３００
０ｇをかき混ぜながら、これに水酸化カリウム水溶液
（１００ｇＫＯＨ／１Ｌ水溶液）１０９０ｍｌを加えて
均一に混練した後、得られたケーキを押し出し成型機で
押し出して直径１．９ｍｍの成型物を得た。これを長さ
７〜１０ｍｍ程度に切断してペレットとし、９０℃で１
２時間乾燥させることによって浄化剤Ａ（乾燥浄化剤中
のＫＯＨ３．５ｗｔ％）を得た。尚、浄化剤Ａ中の水分
は、０．８ｗｔ％であった。

【００２３】浄化剤Ａを内径４０ｍｍの石英ガラス製の
浄化筒に３７６．８ｍｌ充填し、２０００ｐｐｍのジク
ロロシランを含有する乾燥窒素を２０℃、常圧下で２０
００ｍｌ／ｍｉｎ（空筒線速度２．６５ｃｍ／ｓｅｃ）
の流量で流通させた。この間、浄化筒の出口ガスの一部
をサンプリングし、ガス検知管（ガステック社製、検知
下限０．０５ｐｐｍ）を用いて、ジクロロシランが検知
されるまでの時間（有効処理時間）を測定し、浄化剤１
Ｌ（リットル）当たりに対するジクロロシランの除去量
（Ｌ）（浄化能力）を求めた。その結果を表１に示す。

【００２４】実施例２、実施例３実施例１の浄化試験におけるジクロロシランの濃度を５
００ｐｐｍ、５０００ｐｐｍに変えたほかは実施例１と
同様にして浄化試験を行なった。その結果を表１に示
す。

【００２５】実施例４、実施例５実施例１の浄化試験におけるジクロロシランを含有する
乾燥窒素の空筒線速度を１．３３ｃｍ／ｓｅｃ、５．３
０ｃｍ／ｓｅｃに変えたほかは実施例１と同様にして浄
化試験を行なった。その結果を表１に示す。

【００２６】実施例６、実施例７浄化剤Ａの調製における水酸化カリウム水溶液の添加割
合を変えたほかは浄化剤Ａと同様にして、浄化剤Ｂ（Ｋ
ＯＨ２．０ｗｔ％）及び浄化剤Ｃ（ＫＯＨ５．０ｗｔ
％）を得た。これらの浄化剤中の水分は、各々０．７ｗ
ｔ％、０．８ｗｔ％であった。浄化剤Ｂ及び浄化剤Ｃを
用いて、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。そ
の結果を表１に示す。

【００２７】実施例８〜実施例１０浄化剤Ａの調製における酸化第二銅粉末をＢＥＴ比表面
積が５０ｍ^２／ｇの酸化第二銅粉末に替え、水酸化カリ
ウム水溶液の添加割合を変えたほかは浄化剤Ａと同様に
して、浄化剤Ｄ（ＫＯＨ２．０ｗｔ％）、浄化剤Ｅ（Ｋ
ＯＨ３．５ｗｔ％）、浄化剤Ｆ（ＫＯＨ５．０ｗｔ％）
を得た。これらの浄化剤中の水分は、いずれも０．５〜
１．０ｗｔ％の範囲内であった。これらの浄化剤を用い
て、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。その結
果を表１に示す。

【００２８】実施例１１〜実施例１３浄化剤Ａの調製における酸化第二銅粉末をＢＥＴ比表面
積が１５ｍ^２／ｇの酸化第二銅粉末に替え、水酸化カリ
ウム水溶液の添加割合を変えたほかは浄化剤Ａと同様に
して、浄化剤Ｇ（ＫＯＨ２．０ｗｔ％）、浄化剤Ｈ（Ｋ
ＯＨ３．５ｗｔ％）、浄化剤Ｉ（ＫＯＨ５．０ｗｔ％）
を得た。これらの浄化剤中の水分は、いずれも０．５〜
１．０ｗｔ％の範囲内であった。これらの浄化剤を用い
て、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。その結
果を表１に示す。

【００２９】実施例１４〜実施例１６浄化剤Ａの調製における水酸化カリウム水溶液を水酸化
ナトリウム水溶液に替えるとともにその添加割合を変え
たほかは浄化剤Ａと同様にして、浄化剤Ｊ（ＮａＯＨ
２．０ｗｔ％）、浄化剤Ｋ（ＮａＯＨ３．５ｗｔ％）、
浄化剤Ｌ（ＮａＯＨ５．０ｗｔ％）を得た。これらの浄
化剤中の水分は、いずれも０．５〜１．０ｗｔ％の範囲
内であった。これらの浄化剤を用いて、実施例１と同様
にして浄化試験を行なった。その結果を表１に示す。

【００３０】比較例１〜比較例３浄化剤Ａの調製における酸化第二銅粉末をＢＥＴ比表面
積が５ｍ^２／ｇの酸化第二銅粉末に替え、水酸化カリウ
ム水溶液の添加割合を変えたほかは浄化剤Ａと同様にし
て、浄化剤Ｍ（ＫＯＨ２．０ｗｔ％）、浄化剤Ｎ（ＫＯ
Ｈ３．５ｗｔ％）、浄化剤Ｏ（ＫＯＨ５．０ｗｔ％）を
得た。これらの浄化剤中の水分は、いずれも０．５〜
１．０ｗｔ％の範囲内であった。これらの浄化剤を用い
て、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。その結
果を表１に示す。

【００３１】比較例４〜比較例６浄化剤Ａの調製における酸化第二銅粉末をＢＥＴ比表面
積が１ｍ^２／ｇの酸化第二銅粉末に替え、水酸化カリウ
ム水溶液の添加割合を変えたほかは浄化剤Ａと同様にし
て、浄化剤Ｐ（ＫＯＨ２．０ｗｔ％）、浄化剤Ｑ（ＫＯ
Ｈ３．５ｗｔ％）、浄化剤Ｒ（ＫＯＨ５．０ｗｔ％）を
得た。これらの浄化剤中の水分は、いずれも０．５〜
１．０ｗｔ％の範囲内であった。これらの浄化剤を用い
て、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。その結
果を表１に示す。

【００３２】比較例７〜比較例９浄化剤Ｐ〜Ｒの調製における水酸化カリウム水溶液を水
酸化ナトリウム水溶液に替えたほかは浄化剤Ｐ〜Ｒと同
様にして、浄化剤Ｓ（ＮａＯＨ２．０ｗｔ％）、浄化剤
Ｔ（ＮａＯＨ３．５ｗｔ％）、浄化剤Ｕ（ＮａＯＨ５．
０ｗｔ％）を得た。これらの浄化剤中の水分は、いずれ
も０．５〜１．０ｗｔ％の範囲内であった。これらの浄
化剤を用いて、実施例１と同様にして浄化試験を行なっ
た。その結果を表１に示す。

【００３３】比較例１０硝酸銅と硝酸亜鉛とを銅及び亜鉛の原子比で２：１の割
合で混合した水溶液と、炭酸ナトリウム水溶液から得ら
れた沈殿を、濾過、洗浄した後、２００〜３００℃で５
時間焼成して酸化第二銅と酸化亜鉛との混合物を調製し
た。これを粉砕した後、打錠成型機で直径４ｍｍ、高さ
８ｍｍのペレットに成型し、これらの成型物を四つ割に
して浄化剤Ｖを得た。この浄化剤Ｖ中の水分は、０．５
ｗｔ％であった。この浄化剤Ｖを用いて、実施例１と同
様にして浄化試験を行なった。その結果を表２に示す。

【００３４】比較例１１２０ｗｔ％の硫酸銅水溶液に２０ｗｔ％の炭酸ナトリウ
ム水溶液をＰＨ９〜１０になるまで加えて得られた沈殿
を、濾過、洗浄した後、空気気流中１３０℃で乾燥さ
せ、さらに３００℃で焼成して酸化第二銅を調製した。
この酸化第二銅に、金属原子の比がＡｌ／（Ｃｕ＋Ａ
ｌ）＝０．０４となるようにアルミナゾルを加えて混練
し、空気中１３０℃で乾燥させ、さらに３５０℃で焼成
し、焼成物を粉砕して顆粒状の浄化剤Ｗを得た。この浄
化剤Ｗ中の水分は、０．６ｗｔ％であった。この浄化剤
Ｗを用いて、実施例１と同様にして浄化試験を行なっ
た。その結果を表２に示す。

【００３５】比較例１２水酸化ストロンチウムと四三酸化鉄と水酸化ナトリウム
のモル比が、２０：５：２となるように、水酸化ストロ
ンチウムと四三酸化鉄の混合物に、水酸化ナトリウム水
溶液を加えて均一に混練した後、得られたケーキを押し
出し成型機で押し出して直径１．６ｍｍの成型物を得
た。これを長さ３〜５ｍｍ程度に切断してペレットと
し、８０℃で２時間乾燥させて浄化剤Ｘを得た。この浄
化剤Ｘ中の水分は１４ｗｔ％であった。この浄化剤Ｘを
用いて、実施例１と同様にして浄化試験を行なった。そ
の結果を表２に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】

【表２】

【００３８】

【発明の効果】本発明の塩化ケイ素を含有するガスの浄
化剤及び浄化方法により、処理対象ガスに含まれる塩化
ケイ素が低濃度であっても、また処理対象ガスが乾燥し
たガスであっても高い浄化能力が得られるようになっ
た。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4D002 AA18 AA26 AC10 BA03 BA15 CA07 DA01 DA03 DA11 DA12 DA23 DA24 GA01 GA02 GB01 GB02 GB08 GB12 HA03 4G066 AA13B AA15B AA26B BA09 BA22 BA26 CA21 CA31 DA02 DA20 FA05 FA22 FA27 FA34 FA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の酸
化第二銅とアルカリ金属の水酸化物を主成分とすること
を特徴とする塩化ケイ素を含有するガスの浄化剤。
【請求項２】アルカリ金属の水酸化物が、水酸化カリ
ウムである請求項１に記載の塩化ケイ素を含有するガス
の浄化剤。
【請求項３】アルカリ金属の水酸化物の含有量が、乾
燥浄化剤中の重量割合として１〜１５％である請求項１
に記載の塩化ケイ素を含有するガスの浄化剤。
【請求項４】塩化ケイ素が、モノクロロシラン、ジク
ロロシラン及びトリクロロシランから選ばれる一種以上
である請求項１に記載の塩化ケイ素を含有するガスの浄
化剤。
【請求項５】有害成分として塩化ケイ素を含有するガ
スを、ＢＥＴ比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の酸化第二銅
とアルカリ金属の水酸化物を主成分とする浄化剤と接触
させて浄化することを特徴とする塩化ケイ素を含有する
ガスの浄化方法。
【請求項６】塩化ケイ素が、モノクロロシラン、ジク
ロロシラン及びトリクロロシランから選ばれる一種以上
である請求項５に記載の塩化ケイ素を含有するガスの浄
化方法。
【請求項７】有害ガス中の塩化ケイ素の濃度が、１０
０００ｐｐｍ以下である請求項５に記載の塩化ケイ素を
含有するガスの浄化方法。