JP2001036168A - ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ - Google Patents
ファイバーレーザーおよびファイバーアンプInfo
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- JP2001036168A JP2001036168A JP20681799A JP20681799A JP2001036168A JP 2001036168 A JP2001036168 A JP 2001036168A JP 20681799 A JP20681799 A JP 20681799A JP 20681799 A JP20681799 A JP 20681799A JP 2001036168 A JP2001036168 A JP 2001036168A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレー
ザービームを発生可能で、小型に形成することができる
ファイバーレーザーを得る。 【解決手段】 Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ
3+とが共ドープされたコアを持つファイバー13を、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオード11によって励起する。
ザービームを発生可能で、小型に形成することができる
ファイバーレーザーを得る。 【解決手段】 Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ
3+とが共ドープされたコアを持つファイバー13を、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオード11によって励起する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｐｒ3+とそれ以外
の希土類元素とが共ドープされたコアを有するファイバ
ーを、レーザーダイオード（半導体レーザー）によって
励起してレーザービームを発生させるファイバーレーザ
ーに関するものである。
の希土類元素とが共ドープされたコアを有するファイバ
ーを、レーザーダイオード（半導体レーザー）によって
励起してレーザービームを発生させるファイバーレーザ
ーに関するものである。
【０００２】また本発明は、Ｐｒ3+とそれ以外の希土類
元素とが共ドープされたコアを有するファイバーをレー
ザーダイオードで励起して蛍光を生じさせ、ファイバー
に入射した光をこの蛍光によって増幅するファイバーア
ンプに関するものである。
元素とが共ドープされたコアを有するファイバーをレー
ザーダイオードで励起して蛍光を生じさせ、ファイバー
に入射した光をこの蛍光によって増幅するファイバーア
ンプに関するものである。
【０００３】
【従来の技術】例えば電子情報通信学会技報，LQE95-30
(1995)p.30や、Optics communications 86(1991)p.337
に示されるように、Ｐｒ3+が添加された弗化物系のコア
を有するファイバーをレーザーダイオードによって励起
してレーザービームを発生させるファイバーレーザーが
知られている。
(1995)p.30や、Optics communications 86(1991)p.337
に示されるように、Ｐｒ3+が添加された弗化物系のコア
を有するファイバーをレーザーダイオードによって励起
してレーザービームを発生させるファイバーレーザーが
知られている。
【０００４】また、同じく上記文献に示されるように、
Ｐｒ3+が添加されたコアを有するファイバーをレーザー
ダイオードによって励起して蛍光を生じさせ、この蛍光
の波長領域に含まれる光をファイバーに入射させて該蛍
光のエネルギーによって増幅するファイバーアンプが知
られている。
Ｐｒ3+が添加されたコアを有するファイバーをレーザー
ダイオードによって励起して蛍光を生じさせ、この蛍光
の波長領域に含まれる光をファイバーに入射させて該蛍
光のエネルギーによって増幅するファイバーアンプが知
られている。
【０００５】特に後者の文献には、Ａｒレーザー励起の
Ｐｒ3+ドープファイバーレーザーが記載されており、47
6.5ｎｍ励起による491ｎｍ、520ｎｍ、605ｎｍ、635ｎ
ｍの発振が確認されている。
Ｐｒ3+ドープファイバーレーザーが記載されており、47
6.5ｎｍ励起による491ｎｍ、520ｎｍ、605ｎｍ、635ｎ
ｍの発振が確認されている。
【０００６】一方、例えば本出願人による特願平９−１
１０５５４号明細書には、Ｐｒ3+が添加された固体レー
ザー結晶をレーザーダイオードによって励起する固体レ
ーザーが記載されている。
１０５５４号明細書には、Ｐｒ3+が添加された固体レー
ザー結晶をレーザーダイオードによって励起する固体レ
ーザーが記載されている。
【０００７】ところで、上記のファイバーレーザーやフ
ァイバーアンプ、それに固体レーザーは、青色や緑色領
域のレーザービームを発生させたり、あるいは増幅する
ことが可能であるから、それらによって、カラー感光材
料にカラー画像を書き込むための光源を構成することも
考えられる。
ァイバーアンプ、それに固体レーザーは、青色や緑色領
域のレーザービームを発生させたり、あるいは増幅する
ことが可能であるから、それらによって、カラー感光材
料にカラー画像を書き込むための光源を構成することも
考えられる。
【０００８】しかし、上記Ａｒレーザー励起のファイバ
ーレーザーやファイバーアンプは、カラー画像書き込み
等のために数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しようと
すると、水冷手段が必要となることから、装置の大型
化、低寿命、低効率の問題を招く。
ーレーザーやファイバーアンプは、カラー画像書き込み
等のために数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しようと
すると、水冷手段が必要となることから、装置の大型
化、低寿命、低効率の問題を招く。
【０００９】一方、Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結
晶をレーザーダイオードによって励起する固体レーザー
は、小さな固体レーザー結晶に励起光の熱エネルギーが
集中する構造であるため、該結晶の熱吸収による発熱や
熱レンズ効果によって、ビーム品質および出力の安定性
が損なわれるという問題が認められている。この問題
は、やはり、数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しよう
とする場合に特に顕著となる。
晶をレーザーダイオードによって励起する固体レーザー
は、小さな固体レーザー結晶に励起光の熱エネルギーが
集中する構造であるため、該結晶の熱吸収による発熱や
熱レンズ効果によって、ビーム品質および出力の安定性
が損なわれるという問題が認められている。この問題
は、やはり、数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しよう
とする場合に特に顕著となる。
【００１０】上記の事情に鑑みて本出願人は、特願平１
０−６３７０号において、効率良く高出力の青色領域や
緑色領域のレーザービームを発生可能で、小型に形成す
ることができ、しかも出力やビーム品質の安定性が高い
ファイバーレーザーを提案した。このファイバーレーザ
ーは、前述のＰｒ3+が添加されたコアを持つファイバー
を、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起する構成
を有することを特徴とするものである。
０−６３７０号において、効率良く高出力の青色領域や
緑色領域のレーザービームを発生可能で、小型に形成す
ることができ、しかも出力やビーム品質の安定性が高い
ファイバーレーザーを提案した。このファイバーレーザ
ーは、前述のＰｒ3+が添加されたコアを持つファイバー
を、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起する構成
を有することを特徴とするものである。
【００１１】また本出願人は、同じく特願平１０−６３
７０号において、青色領域や緑色領域のレーザービーム
を効率良く増幅可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーアンプ
も提案した。このファイバーアンプは、Ｐｒ3+が添加さ
れたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイオ
ードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有すること
を特徴とするものである。
７０号において、青色領域や緑色領域のレーザービーム
を効率良く増幅可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーアンプ
も提案した。このファイバーアンプは、Ｐｒ3+が添加さ
れたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイオ
ードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有すること
を特徴とするものである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記特願平１０−６３
７０号のファイバーレーザーおよびファイバーアンプ
は、所期の目的を達成するものであるが、ファイバーの
コアにおける励起光の吸収量が未だ十分ではなく、この
点に改善の余地が残されている。
７０号のファイバーレーザーおよびファイバーアンプ
は、所期の目的を達成するものであるが、ファイバーの
コアにおける励起光の吸収量が未だ十分ではなく、この
点に改善の余地が残されている。
【００１３】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、ＧａＮ系レーザーダイオードによってコアを励
起するファイバーレーザーにおいて、コアでの励起光の
吸収量を大きくして、高効率化および高出力化を実現す
ることを目的とする。
であり、ＧａＮ系レーザーダイオードによってコアを励
起するファイバーレーザーにおいて、コアでの励起光の
吸収量を大きくして、高効率化および高出力化を実現す
ることを目的とする。
【００１４】また本発明は、ＧａＮ系レーザーダイオー
ドによってコアを励起するファイバーアンプにおいて、
コアでの励起光の吸収量を大きくして、増幅率を高める
ことを目的とする。
ドによってコアを励起するファイバーアンプにおいて、
コアでの励起光の吸収量を大きくして、増幅率を高める
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によるファイバー
レーザーは、Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓ
ｍ3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰ
ｒ3+とが共ドープされたコアを持つファイバーを、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起する構成を有する
ことを特徴とするものである。
レーザーは、Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓ
ｍ3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰ
ｒ3+とが共ドープされたコアを持つファイバーを、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起する構成を有する
ことを特徴とするものである。
【００１６】なお、このファイバーレーザーにおいて
は、波長465 〜495 ｎｍの青色領域のレーザービームを
発振させることもできるし、波長515 〜555 ｎｍの緑色
領域のレーザービームを発振させることもできし、さら
には、波長600 〜660 ｎｍの赤色領域のレーザービーム
を発振させることもできる。
は、波長465 〜495 ｎｍの青色領域のレーザービームを
発振させることもできるし、波長515 〜555 ｎｍの緑色
領域のレーザービームを発振させることもできし、さら
には、波長600 〜660 ｎｍの赤色領域のレーザービーム
を発振させることもできる。
【００１７】また励起光源としてのＧａＮ系レーザーダ
イオードは、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有する
ものを使用することができる。
イオードは、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、Ｉｎ
ＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有する
ものを使用することができる。
【００１８】一方、本発明によるファイバーアンプは、
Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ3+、Ｐｍ3+およ
びＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ3+とが共ドープ
されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイ
オードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するこ
とを特徴とするものである。
Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ3+、Ｐｍ3+およ
びＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ3+とが共ドープ
されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイ
オードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するこ
とを特徴とするものである。
【００１９】このファイバーアンプにおいては、波長46
5 〜495 ｎｍの青色領域の蛍光を発生させて、この領域
に含まれる波長の入射光を増幅することもできるし、波
長515 〜555 ｎｍの緑色領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅することもできる
し、さらには、波長600 〜660 ｎｍの赤色領域の蛍光を
発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅す
ることもできる。
5 〜495 ｎｍの青色領域の蛍光を発生させて、この領域
に含まれる波長の入射光を増幅することもできるし、波
長515 〜555 ｎｍの緑色領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅することもできる
し、さらには、波長600 〜660 ｎｍの赤色領域の蛍光を
発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅す
ることもできる。
【００２０】またこのファイバーアンプにおいても、励
起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオードは、より具
体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいは
ＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使用すること
ができる。
起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオードは、より具
体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいは
ＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使用すること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+は波長380 〜430 ｎｍに吸収帯
があり、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起され
得る。そして、励起された電子をＰｒ3+の励起準位（例
えば 3Ｐ0 もしくは 3Ｐ1 ）にエネルギー移動し、下準
位に落とすことにより、Ｐｒ3+の発振ラインである青、
緑、赤色領域の発振が可能となる。
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+は波長380 〜430 ｎｍに吸収帯
があり、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起され
得る。そして、励起された電子をＰｒ3+の励起準位（例
えば 3Ｐ0 もしくは 3Ｐ1 ）にエネルギー移動し、下準
位に落とすことにより、Ｐｒ3+の発振ラインである青、
緑、赤色領域の発振が可能となる。
【００２２】波長380 〜430 ｎｍはＧａＮ系レーザーダ
イオードが比較的発振しやすい波長帯であり、そして特
に波長400 〜410 ｎｍは、現在提供されているＧａＮ系
レーザーダイオードの最大出力が得られる波長帯である
ので、Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ3+、Ｐｍ
3+およびＮｄ3+をＧａＮ系レーザーダイオードによって
励起すれば、励起光の吸収量が大きくなり、高効率化お
よび高出力化が達成される。
イオードが比較的発振しやすい波長帯であり、そして特
に波長400 〜410 ｎｍは、現在提供されているＧａＮ系
レーザーダイオードの最大出力が得られる波長帯である
ので、Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ3+、Ｐｍ
3+およびＮｄ3+をＧａＮ系レーザーダイオードによって
励起すれば、励起光の吸収量が大きくなり、高効率化お
よび高出力化が達成される。
【００２３】一方、ＧａＮ系レーザーダイオードは熱伝
導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダ
イオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大きい。またそ
れに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ系レーザー
ダイオードと比べて非常に小さいことから、ＣＯＤ（カ
タストロフィック・オプティカル・ダメージ）が非常に
高く、高寿命、高出力が得やすいものである。このよう
に高寿命、高出力が得やすいＧａＮ系レーザーダイオー
ドを励起光源として用いたことにより、本発明のファイ
バーレーザーは、高寿命で、高出力の青色や緑色領域の
レーザービームを発生可能となる。
導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダ
イオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大きい。またそ
れに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ系レーザー
ダイオードと比べて非常に小さいことから、ＣＯＤ（カ
タストロフィック・オプティカル・ダメージ）が非常に
高く、高寿命、高出力が得やすいものである。このよう
に高寿命、高出力が得やすいＧａＮ系レーザーダイオー
ドを励起光源として用いたことにより、本発明のファイ
バーレーザーは、高寿命で、高出力の青色や緑色領域の
レーザービームを発生可能となる。
【００２４】なお励起光源であるＧａＮ系レーザーダイ
オードとしては、単一縦、横モード型のものを使用でき
ることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズドア
レー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのものを１
個または複数個使用することもできる。そのようにする
ことにより本発明のファイバーレーザーは、さらなる高
出力、例えばＷ（ワット）クラスの高出力を得ることも
可能である。
オードとしては、単一縦、横モード型のものを使用でき
ることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズドア
レー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのものを１
個または複数個使用することもできる。そのようにする
ことにより本発明のファイバーレーザーは、さらなる高
出力、例えばＷ（ワット）クラスの高出力を得ることも
可能である。
【００２５】また、それに加えて本発明のファイバーレ
ーザーは、非線形光学結晶やエタロン等を必要とするも
のではないから、それらによるロスがなく、したがって
高効率で青色や緑色領域のレーザービームを発生可能と
なる。具体的には、50％以上のスロープ効率を得ること
も可能である。そしてこのように非線形光学結晶やエタ
ロン等を必要としないことから、本発明のファイバーレ
ーザーは光学部品が少なくて簡潔な構成となり、そして
温度安定領域も広いものとなる。したがって本発明のフ
ァイバーレーザーは、低コストで、安定性の高い光源と
なり得るものである。
ーザーは、非線形光学結晶やエタロン等を必要とするも
のではないから、それらによるロスがなく、したがって
高効率で青色や緑色領域のレーザービームを発生可能と
なる。具体的には、50％以上のスロープ効率を得ること
も可能である。そしてこのように非線形光学結晶やエタ
ロン等を必要としないことから、本発明のファイバーレ
ーザーは光学部品が少なくて簡潔な構成となり、そして
温度安定領域も広いものとなる。したがって本発明のフ
ァイバーレーザーは、低コストで、安定性の高い光源と
なり得るものである。
【００２６】以上説明した全ての効果は、本発明のファ
イバーアンプにおいても同様に得られるものである。
イバーアンプにおいても同様に得られるものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００２８】＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１の
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーは、励起光としてのレーザービ
ーム10を発するレーザーダイオード11と、発散光である
レーザービーム10を集光する集光レンズ12と、Ｐｒ3+お
よびＥｒ3+が共ドープされたコアを持つファイバー13と
からなる。
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーは、励起光としてのレーザービ
ーム10を発するレーザーダイオード11と、発散光である
レーザービーム10を集光する集光レンズ12と、Ｐｒ3+お
よびＥｒ3+が共ドープされたコアを持つファイバー13と
からなる。
【００２９】レーザーダイオード11としては、発振波長
410ｎｍのブロードエリア型のＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードが用いられている。
410ｎｍのブロードエリア型のＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードが用いられている。
【００３０】またファイバー13は図２に断面形状を示す
ように、断面正円形のコア20と、その外側に配された断
面ほぼ矩形の第１クラッド21と、その外側に配された断
面正円形の第２クラッド22とからなる。コア20はＰｒ3+
およびＥｒ3+が共ドープされたＺｒ系弗化物ガラス、例
えばＺＢＬＡＮＰ（ＺｒＦ4−ＢａＦ2−ＬａＦ3−Ａｌ
Ｆ3−ＡｌＦ3−ＮａＦ−ＰｂＦ2）からなり、第１クラ
ッド21は一例としてＺＢＬＡＮ（ＺｒＦ4−ＢａＦ2−Ｌ
ａＦ3−ＡｌＦ3−ＮａＦ）からなり、第２クラッド22は
一例としてポリマーからなる。
ように、断面正円形のコア20と、その外側に配された断
面ほぼ矩形の第１クラッド21と、その外側に配された断
面正円形の第２クラッド22とからなる。コア20はＰｒ3+
およびＥｒ3+が共ドープされたＺｒ系弗化物ガラス、例
えばＺＢＬＡＮＰ（ＺｒＦ4−ＢａＦ2−ＬａＦ3−Ａｌ
Ｆ3−ＡｌＦ3−ＮａＦ−ＰｂＦ2）からなり、第１クラ
ッド21は一例としてＺＢＬＡＮ（ＺｒＦ4−ＢａＦ2−Ｌ
ａＦ3−ＡｌＦ3−ＮａＦ）からなり、第２クラッド22は
一例としてポリマーからなる。
【００３１】なおコア20は上記ＺＢＬＡＮＰに限らず、
ＺＢＬＡＮや、Ｉｎ／Ｇａ系弗化物ガラス、例えばＩＧ
ＰＺＣＬすなわち（ＩｎＦ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3）−
（ＰｂＦ2−ＺｎＦ2）−ＣｄＦ等を用いて形成されても
よい。
ＺＢＬＡＮや、Ｉｎ／Ｇａ系弗化物ガラス、例えばＩＧ
ＰＺＣＬすなわち（ＩｎＦ3−ＧａＦ3−ＬａＦ3）−
（ＰｂＦ2−ＺｎＦ2）−ＣｄＦ等を用いて形成されても
よい。
【００３２】集光レンズ12により集光された波長410ｎ
ｍのレーザービーム10は、上記ファイバー13の第１クラ
ッド21に入力され、そこを導波モードで伝搬する。つま
りこの第１クラッド21は、励起光であるレーザービーム
10に対してはコアとして作用する。
ｍのレーザービーム10は、上記ファイバー13の第１クラ
ッド21に入力され、そこを導波モードで伝搬する。つま
りこの第１クラッド21は、励起光であるレーザービーム
10に対してはコアとして作用する。
【００３３】レーザービーム10は、このように伝搬する
間にコア20の部分も通過する。コア20においては、入射
したレーザービーム10によってＥｒ3+が励起され、励起
された電子がＰｒ3+の励起準位にエネルギー移動し、下
準位に落ちることにより、Ｐｒ3+の１つの発振線である
波長491 ｎｍの蛍光が生じる。この蛍光はコア20を導波
モードで伝搬する。なお、この場合の遷移は 3Ｐ0 → 3
Ｈ4 と考えられる。
間にコア20の部分も通過する。コア20においては、入射
したレーザービーム10によってＥｒ3+が励起され、励起
された電子がＰｒ3+の励起準位にエネルギー移動し、下
準位に落ちることにより、Ｐｒ3+の１つの発振線である
波長491 ｎｍの蛍光が生じる。この蛍光はコア20を導波
モードで伝搬する。なお、この場合の遷移は 3Ｐ0 → 3
Ｈ4 と考えられる。
【００３４】ＺＢＬＡＮＰからなるコア20においては、
その他に、 3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によるものと考えられ
る波長520ｎｍの蛍光、 3Ｐ0 → 3Ｆ2 の遷移によるも
のと考えられる波長605ｎｍの蛍光、 3Ｐ0 → 3Ｆ3 の
遷移によるものと考えられる635ｎｍの蛍光が発生し得
る。
その他に、 3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によるものと考えられ
る波長520ｎｍの蛍光、 3Ｐ0 → 3Ｆ2 の遷移によるも
のと考えられる波長605ｎｍの蛍光、 3Ｐ0 → 3Ｆ3 の
遷移によるものと考えられる635ｎｍの蛍光が発生し得
る。
【００３５】そこで、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長491 ｎｍに対してＨＲ（高反射）、波長520ｎ
ｍ、605ｎｍ、635ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対し
てＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、ファイ
バー13の出射端面13ｂには、波長491 ｎｍの光を１％だ
け透過させるコートが施されている。
は、波長491 ｎｍに対してＨＲ（高反射）、波長520ｎ
ｍ、605ｎｍ、635ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対し
てＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、ファイ
バー13の出射端面13ｂには、波長491 ｎｍの光を１％だ
け透過させるコートが施されている。
【００３６】それにより、上記波長491 ｎｍの蛍光はフ
ァイバー13の両端面13ａ、13ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。こうして波長491 ｎｍの青緑色のレ
ーザービーム15が発生し、このレーザービーム15はファ
イバー13の出射端面13ｂから前方に出射する。
ァイバー13の両端面13ａ、13ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。こうして波長491 ｎｍの青緑色のレ
ーザービーム15が発生し、このレーザービーム15はファ
イバー13の出射端面13ｂから前方に出射する。
【００３７】なお本例では、レーザービーム15はコア20
においてシングルモードで、一方励起光であるレーザー
ビーム10は第１クラッド21においてマルチモードで伝搬
する構成とされている。それにより、高出力のブロード
エリア型レーザーダイオード11を励起光源に適用して、
レーザービーム10を高い結合効率でファイバー13に入力
させることが可能となっている。
においてシングルモードで、一方励起光であるレーザー
ビーム10は第１クラッド21においてマルチモードで伝搬
する構成とされている。それにより、高出力のブロード
エリア型レーザーダイオード11を励起光源に適用して、
レーザービーム10を高い結合効率でファイバー13に入力
させることが可能となっている。
【００３８】また、第１クラッド21の断面形状がほぼ矩
形とされているため、レーザービーム10がクラッド断面
内で不規則な反射経路を辿り、コア20に入射する確率が
高められている。
形とされているため、レーザービーム10がクラッド断面
内で不規則な反射経路を辿り、コア20に入射する確率が
高められている。
【００３９】それに加えて波長410 ｎｍは、ＩｎＧａＮ
系レーザーダイオード11の最大出力が得られる波長帯に
あるので、コア20における波長410 ｎｍのレーザービー
ム10の吸収量が大きくなり、高効率化および高出力化が
達成される。具体的に本実施形態においては、ファイバ
ー13の長さが0.5ｍのとき、出力２Ｗのレーザーダイオ
ード11を用いて、出力300ｍＷの青緑色のレーザービー
ム15を得ることができた。
系レーザーダイオード11の最大出力が得られる波長帯に
あるので、コア20における波長410 ｎｍのレーザービー
ム10の吸収量が大きくなり、高効率化および高出力化が
達成される。具体的に本実施形態においては、ファイバ
ー13の長さが0.5ｍのとき、出力２Ｗのレーザーダイオ
ード11を用いて、出力300ｍＷの青緑色のレーザービー
ム15を得ることができた。
【００４０】それに対して、Ｐｒ3+およびＥｒ3+を共ド
ープする代わりにＰｒ3+のみをドープしたコアを持つフ
ァイバーを用い、励起光源として発振波長444 ｎｍのレ
ーザーダイオードを用い、それ以外はこの第１実施形態
と同様の構成とした場合、青緑色レーザービームの出力
は 100ｍＷにとどまった。なおこの場合、発振波長410
ｎｍのＩｎＧａＮ系レーザーダイオードを用いる第１実
施形態のように高い励起光出力を得るのは困難であり、
具体的に励起光出力は１Ｗであった。
ープする代わりにＰｒ3+のみをドープしたコアを持つフ
ァイバーを用い、励起光源として発振波長444 ｎｍのレ
ーザーダイオードを用い、それ以外はこの第１実施形態
と同様の構成とした場合、青緑色レーザービームの出力
は 100ｍＷにとどまった。なおこの場合、発振波長410
ｎｍのＩｎＧａＮ系レーザーダイオードを用いる第１実
施形態のように高い励起光出力を得るのは困難であり、
具体的に励起光出力は１Ｗであった。
【００４１】＜第２実施形態＞図３は、本発明の第２の
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーは図１のファイバーレーザーと
比べると、ファイバー13に代えて、両端面のコートが異
なるファイバー33が用いられている点が基本的に異なる
ものである。
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーは図１のファイバーレーザーと
比べると、ファイバー13に代えて、両端面のコートが異
なるファイバー33が用いられている点が基本的に異なる
ものである。
【００４２】すなわちこの図３のファイバーレーザーに
おいて、ファイバー33の入射端面３３ａには、波長５２
０ｎｍに対してＨＲ（高反射）、波長491ｎｍ、605ｎ
ｍ、635ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー33の出
射端面33ｂには、波長520ｎｍの光を２％だけ透過させ
るコートが施されている。
おいて、ファイバー33の入射端面３３ａには、波長５２
０ｎｍに対してＨＲ（高反射）、波長491ｎｍ、605ｎ
ｍ、635ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー33の出
射端面33ｂには、波長520ｎｍの光を２％だけ透過させ
るコートが施されている。
【００４３】それにより、上記波長520ｎｍの蛍光はフ
ァイバー33の両端面33ａ、33ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。このようして波長520ｎｍの緑色の
レーザービーム35が発生し、このレーザービーム35はフ
ァイバー33の出射端面33ｂから前方に出射する。本実施
形態では、ファイバー33の長さが１ｍ、レーザーダイオ
ード11の出力が２Ｗのとき、出力500ｍＷのレーザービ
ーム35が得られた。
ァイバー33の両端面33ａ、33ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。このようして波長520ｎｍの緑色の
レーザービーム35が発生し、このレーザービーム35はフ
ァイバー33の出射端面33ｂから前方に出射する。本実施
形態では、ファイバー33の長さが１ｍ、レーザーダイオ
ード11の出力が２Ｗのとき、出力500ｍＷのレーザービ
ーム35が得られた。
【００４４】＜第３実施形態＞図４は、本発明の第３の
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーも図１のファイバーレーザーと
比べると、ファイバー13に代えて、両端面のコートが異
なるファイバー43が用いられている点が基本的に異なる
ものである。
実施形態によるファイバーレーザーを示すものである。
このファイバーレーザーも図１のファイバーレーザーと
比べると、ファイバー13に代えて、両端面のコートが異
なるファイバー43が用いられている点が基本的に異なる
ものである。
【００４５】すなわちこの図４のファイバーレーザーに
おいて、ファイバー43の入射端面43ａには、波長635ｎ
ｍに対してＨＲ（高反射）、波長491ｎｍ、520ｎｍ、60
5ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対してＡＲ（無反射）
となる特性のコートが施され、ファイバー43の出射端面
43ｂには、波長635ｎｍの光を3.5％だけ透過させるコー
トが施されている。
おいて、ファイバー43の入射端面43ａには、波長635ｎ
ｍに対してＨＲ（高反射）、波長491ｎｍ、520ｎｍ、60
5ｎｍ並びに励起光波長410ｎｍに対してＡＲ（無反射）
となる特性のコートが施され、ファイバー43の出射端面
43ｂには、波長635ｎｍの光を3.5％だけ透過させるコー
トが施されている。
【００４６】それにより、上記波長635ｎｍの蛍光はフ
ァイバー43の両端面43ａ、43ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。このようして波長635ｎｍの赤色の
レーザービーム45が発生し、このレーザービーム45はフ
ァイバー43の出射端面43ｂから前方に出射する。本実施
形態では、ファイバー43の長さが１ｍ、レーザーダイオ
ード11の出力が２Ｗのとき、出力１Ｗのレーザービーム
45が得られた。
ァイバー43の両端面43ａ、43ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。このようして波長635ｎｍの赤色の
レーザービーム45が発生し、このレーザービーム45はフ
ァイバー43の出射端面43ｂから前方に出射する。本実施
形態では、ファイバー43の長さが１ｍ、レーザーダイオ
ード11の出力が２Ｗのとき、出力１Ｗのレーザービーム
45が得られた。
【００４７】＜第４実施形態＞図５は、本発明の第４の
実施形態によるファイバーアンプを示すものである。こ
のファイバーアンプは、励起光としての波長410ｎｍの
レーザービーム10を発するレーザーダイオード11と、発
散光であるレーザービーム10を平行光化するコリメータ
ーレンズ50と、平行光となったレーザービーム10を集光
する集光レンズ51と、Ｐｒ3+およびＥｒ3+が共ドープさ
れたコアを持つファイバー53とを有している。
実施形態によるファイバーアンプを示すものである。こ
のファイバーアンプは、励起光としての波長410ｎｍの
レーザービーム10を発するレーザーダイオード11と、発
散光であるレーザービーム10を平行光化するコリメータ
ーレンズ50と、平行光となったレーザービーム10を集光
する集光レンズ51と、Ｐｒ3+およびＥｒ3+が共ドープさ
れたコアを持つファイバー53とを有している。
【００４８】またコリメーターレンズ50と集光レンズ51
との間には、ビームスプリッタ52が配されている。そし
てこのビームスプリッタ52の図中下方には、波長520ｎ
ｍのレーザービーム55を発するＳＨＧ（第２高調波発
生）レーザー56が配設されている。このレーザービーム
55はコリメーターレンズ57によって平行光化され、平行
光となったレーザービーム55は上記ビームスプリッタ52
に入射する。
との間には、ビームスプリッタ52が配されている。そし
てこのビームスプリッタ52の図中下方には、波長520ｎ
ｍのレーザービーム55を発するＳＨＧ（第２高調波発
生）レーザー56が配設されている。このレーザービーム
55はコリメーターレンズ57によって平行光化され、平行
光となったレーザービーム55は上記ビームスプリッタ52
に入射する。
【００４９】ファイバー53は、基本的には図１に示され
たものと同様の構成を有するが、その端面53ａおよび53
ｂには、以上述べた各波長に対してＡＲ（無反射）とな
る特性のコートが施されている。
たものと同様の構成を有するが、その端面53ａおよび53
ｂには、以上述べた各波長に対してＡＲ（無反射）とな
る特性のコートが施されている。
【００５０】一方ＳＨＧレーザー56は、基本波光源とし
てのＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）レーザーダイオード
から発せられた波長1040ｎｍのレーザービームを、周期
ドメイン反転構造を有する非線形光学材料からなる光導
波路に入射させて、１／２の波長つまり520ｎｍのレー
ザービーム55を得るものである。
てのＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）レーザーダイオード
から発せられた波長1040ｎｍのレーザービームを、周期
ドメイン反転構造を有する非線形光学材料からなる光導
波路に入射させて、１／２の波長つまり520ｎｍのレー
ザービーム55を得るものである。
【００５１】このレーザービーム55はビームスプリッタ
52で反射して、レーザービーム10とともにファイバー53
に入射する。ファイバー53においては、第１実施形態で
説明した通り、レーザービーム10により励起されて波長
520ｎｍの蛍光が生じる。レーザービーム55は、それと
同波長の上記蛍光からエネルギーを受けて増幅され、フ
ァイバー53の出射端面53ｂから前方に出射する。
52で反射して、レーザービーム10とともにファイバー53
に入射する。ファイバー53においては、第１実施形態で
説明した通り、レーザービーム10により励起されて波長
520ｎｍの蛍光が生じる。レーザービーム55は、それと
同波長の上記蛍光からエネルギーを受けて増幅され、フ
ァイバー53の出射端面53ｂから前方に出射する。
【００５２】本実施形態では、ＳＨＧレーザー56の出力
が10ｍＷのとき、ファイバー53から出力500ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
が10ｍＷのとき、ファイバー53から出力500ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
【００５３】なお、ＳＨＧレーザー56の基本波光源であ
る上記ＤＢＲレーザーダイオードに変調機能を付加させ
ることにより、ファイバー53から増幅して取り出される
レーザービーム55を変調することも可能である。
る上記ＤＢＲレーザーダイオードに変調機能を付加させ
ることにより、ファイバー53から増幅して取り出される
レーザービーム55を変調することも可能である。
【００５４】以上、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオードを
励起光源とする実施形態について説明したが、ＩｎＧａ
ＮＡｓ系材料あるいはＧａＮＡｓ系材料から活性層を構
成したレーザーダイオードを励起光源として用いること
も可能である。特に、ファイバーコアの吸収帯が長波長
側にずれている場合は、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオー
ドと比べてより長波長化が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ
系あるいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオードを用いるの
が望ましく、それにより吸収効率を向上させることがで
きる。
励起光源とする実施形態について説明したが、ＩｎＧａ
ＮＡｓ系材料あるいはＧａＮＡｓ系材料から活性層を構
成したレーザーダイオードを励起光源として用いること
も可能である。特に、ファイバーコアの吸収帯が長波長
側にずれている場合は、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオー
ドと比べてより長波長化が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ
系あるいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオードを用いるの
が望ましく、それにより吸収効率を向上させることがで
きる。
【図１】本発明の第１実施形態によるファイバーレーザ
ーを示す概略側面図
ーを示す概略側面図
【図２】図１のファイバーレーザーに用いられたファイ
バーの断面図
バーの断面図
【図３】本発明の第２実施形態によるファイバーレーザ
ーを示す概略側面図
ーを示す概略側面図
【図４】本発明の第３実施形態によるファイバーレーザ
ーを示す概略側面図
ーを示す概略側面図
【図５】本発明の第４実施形態によるファイバーアンプ
を示す概略側面図
を示す概略側面図
10 レーザービーム（励起光） 11 ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード 12 集光レンズ 13 ファイバー 13ａ、13ｂ ファイバーの端面 15 レーザービーム 20 コア 21 第１クラッド 22 第２クラッド 33 ファイバー 33ａ、33ｂ ファイバーの端面 35 レーザービーム 43 ファイバー 43ａ、43ｂ ファイバーの端面 45 レーザービーム 50 コリメーターレンズ 51 集光レンズ 52 ビームスプリッタ 53 ファイバー 53ａ、53ｂ ファイバーの端面 55 レーザービーム 56 ＳＨＧレーザー 57 コリメーターレンズ
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ
3+とが共ドープされたコアを持つファイバーを、ＧａＮ
系レーザーダイオードによって励起する構成を有するこ
とを特徴とするファイバーレーザー。 - 【請求項２】 465 〜495 ｎｍの波長領域のレーザービ
ームを発振させることを特徴とする請求項１記載のファ
イバーレーザー。 - 【請求項３】 515 〜555 ｎｍの波長領域のレーザービ
ームを発振させることを特徴とする請求項１記載のファ
イバーレーザー。 - 【請求項４】 600 〜660 ｎｍの波長領域のレーザービ
ームを発振させることを特徴とする請求項１記載のファ
イバーレーザー。 - 【請求項５】 前記ＧａＮ系レーザーダイオードが、Ｉ
ｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる
活性層を有するものであることを特徴とする請求項１か
ら４いずれか１項記載のファイバーレーザー。 - 【請求項６】 Ｅｒ3+、Ｈｏ3+、Ｄｙ3+、Ｅｕ3+、Ｓｍ
3+、Ｐｍ3+およびＮｄ3+のうちの少なくとも１つとＰｒ
3+とが共ドープされたコアを持つファイバーを、ＧａＮ
系レーザーダイオードによって励起し、該励起により生
じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅する
構成を有することを特徴とするファイバーアンプ。 - 【請求項７】 465 〜495 ｎｍの波長領域の蛍光を発生
させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅するこ
とを特徴とする請求項６記載のファイバーアンプ。 - 【請求項８】 515 〜555 ｎｍの波長領域の蛍光を発生
させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅するこ
とを特徴とする請求項６記載のファイバーアンプ。 - 【請求項９】 600 〜660 ｎｍの波長領域の蛍光を発生
させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅するこ
とを特徴とする請求項６記載のファイバーアンプ。 - 【請求項１０】 前記ＧａＮ系レーザーダイオードが、
ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからな
る活性層を有するものであることを特徴とする請求項６
から９いずれか１項記載のファイバーアンプ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20681799A JP2001036168A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
| US09/621,241 US6490309B1 (en) | 1999-07-21 | 2000-07-21 | Laser-diode-pumped laser apparatus in which Pr3+-doped laser medium is pumped with GaN-based compound laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20681799A JP2001036168A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036168A true JP2001036168A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16529590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20681799A Pending JP2001036168A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001036168A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6816532B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of ho3+, sm3+, eu3+, dy3+, er3+, and tb3+is excited with gan-based compound laser diode |
| JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| JP2007157764A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sumita Optical Glass Inc | 蛍光ファイバを用いた多波長レーザ光源 |
| WO2007069730A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Central Glass Company, Limited | 可視光発光材料および可視光発光装置 |
| JP2008023262A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| WO2010007938A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | セントラル硝子株式会社 | 紫外レーザ装置 |
| WO2021215432A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光システム |
-
1999
- 1999-07-21 JP JP20681799A patent/JP2001036168A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7403554B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-07-22 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7154930B2 (en) | 2001-05-15 | 2006-12-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US6816532B2 (en) * | 2001-05-15 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of ho3+, sm3+, eu3+, dy3+, er3+, and tb3+is excited with gan-based compound laser diode |
| US7418023B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-26 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, SM3+, EU3+, DY3+, ER3+ and TB3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7411990B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-08-12 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7356065B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-04-08 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US7362789B2 (en) | 2001-05-15 | 2008-04-22 | Fujifilm Corporation | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| JP2007157764A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sumita Optical Glass Inc | 蛍光ファイバを用いた多波長レーザ光源 |
| WO2007069730A1 (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Central Glass Company, Limited | 可視光発光材料および可視光発光装置 |
| JP2007165762A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Central Glass Co Ltd | 可視光発光材料および可視光発光装置 |
| JP2008023262A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| WO2010007938A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | セントラル硝子株式会社 | 紫外レーザ装置 |
| WO2021215432A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光システム |
| US11860508B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting system |
| EP4142072A4 (en) * | 2020-04-24 | 2024-02-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | FLUORESCENT SYSTEM |
| JP7458039B2 (ja) | 2020-04-24 | 2024-03-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光システム |
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