JPH1117266A - レーザーダイオード励起固体レーザー - Google Patents
レーザーダイオード励起固体レーザーInfo
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- JPH1117266A JPH1117266A JP636998A JP636998A JPH1117266A JP H1117266 A JPH1117266 A JP H1117266A JP 636998 A JP636998 A JP 636998A JP 636998 A JP636998 A JP 636998A JP H1117266 A JPH1117266 A JP H1117266A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレー
ザービームを発生可能で、また出力安定性も高いレーザ
ーダイオード励起固体レーザーを得る。 【解決手段】 Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶13
を、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起す
る。
ザービームを発生可能で、また出力安定性も高いレーザ
ーダイオード励起固体レーザーを得る。 【解決手段】 Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶13
を、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体レーザー結晶
をレーザーダイオード（半導体レーザー）によって励起
するレーザーダイオード励起固体レーザーに関し、特に
詳細には、Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶を用い
たレーザーダイオード励起固体レーザーに関するもので
ある。
をレーザーダイオード（半導体レーザー）によって励起
するレーザーダイオード励起固体レーザーに関し、特に
詳細には、Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶を用い
たレーザーダイオード励起固体レーザーに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】例えばJournal of Applied Physics ,Vo
l.48,No.2,pp.650〜653 （1977）や、Applied Physics
B58,pp.149〜151 （1994）に記載されているように、Ｐ
ｒ3+が添加された固体レーザー結晶をＡｒレーザー等の
ガスレーザーによって励起するガスレーザー励起固体レ
ーザーが知られている。
l.48,No.2,pp.650〜653 （1977）や、Applied Physics
B58,pp.149〜151 （1994）に記載されているように、Ｐ
ｒ3+が添加された固体レーザー結晶をＡｒレーザー等の
ガスレーザーによって励起するガスレーザー励起固体レ
ーザーが知られている。
【０００３】この種のガスレーザー励起固体レーザーに
おいては、 3Ｐ0 → 3Ｈ4 の遷移によって波長470 〜49
0 ｎｍの青色領域のレーザービームを発生させたり、ま
た、3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によって波長520 〜550 ｎｍ
の緑色領域のレーザービームを発生させることも可能で
ある。そこでこのようなガスレーザー励起固体レーザー
は、カラー感光材料にカラー画像を書き込むための光源
として利用することもできる。
おいては、 3Ｐ0 → 3Ｈ4 の遷移によって波長470 〜49
0 ｎｍの青色領域のレーザービームを発生させたり、ま
た、3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によって波長520 〜550 ｎｍ
の緑色領域のレーザービームを発生させることも可能で
ある。そこでこのようなガスレーザー励起固体レーザー
は、カラー感光材料にカラー画像を書き込むための光源
として利用することもできる。
【０００４】また、上記の青色領域や緑色領域のレーザ
ービームを発する固体レーザーとして、例えば特開平４
−３１８９８８号に示されるように、共振器内に非線形
光学結晶を配して固体レーザービームを第２高調波等に
波長変換（短波長化）するレーザーダイオード励起固体
レーザーも知られている。
ービームを発する固体レーザーとして、例えば特開平４
−３１８９８８号に示されるように、共振器内に非線形
光学結晶を配して固体レーザービームを第２高調波等に
波長変換（短波長化）するレーザーダイオード励起固体
レーザーも知られている。
【０００５】さらに近時は、青色領域やあるいは緑色領
域のレーザービームを発振するＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードや、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダイオードも開
発されている。
域のレーザービームを発振するＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードや、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダイオードも開
発されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
青色領域やあるいは緑色領域のレーザービームを発する
レーザーは、上記カラー画像記録装置の書込み光源等と
して用いる場合は、小型、低コスト、軽量であることが
望まれる。前述のＰｒ3+が添加された固体レーザー結晶
を用いるガスレーザー励起固体レーザーは、励起光源と
してのガスレーザーがかなり大型、高価で、かつ重いの
で、このような用途には向いていないと言える。
青色領域やあるいは緑色領域のレーザービームを発する
レーザーは、上記カラー画像記録装置の書込み光源等と
して用いる場合は、小型、低コスト、軽量であることが
望まれる。前述のＰｒ3+が添加された固体レーザー結晶
を用いるガスレーザー励起固体レーザーは、励起光源と
してのガスレーザーがかなり大型、高価で、かつ重いの
で、このような用途には向いていないと言える。
【０００７】一方、非線形光学結晶によって固体レーザ
ービームを短波長化するようにしたレーザーダイオード
励起固体レーザーにあっては、現状では波長変換効率が
十分に高くないので、高出力を得ることが難しいという
問題がある。またこのレーザーダイオード励起固体レー
ザーにおいては、発振モードを単一縦モード化するエタ
ロン等が挿入されるために共振器ロスが大きくなり、こ
の点からも高出力化が困難となっている。
ービームを短波長化するようにしたレーザーダイオード
励起固体レーザーにあっては、現状では波長変換効率が
十分に高くないので、高出力を得ることが難しいという
問題がある。またこのレーザーダイオード励起固体レー
ザーにおいては、発振モードを単一縦モード化するエタ
ロン等が挿入されるために共振器ロスが大きくなり、こ
の点からも高出力化が困難となっている。
【０００８】さらにこの種のレーザーダイオード励起固
体レーザーにおいては、波長変換の位相整合を取るため
に、高精度の温度制御を行なう必要があり、そのために
出力安定性に欠けるという問題も認められる。またこの
レーザーダイオード励起固体レーザーは、非線形光学結
晶やエタロンが設けられるため部品点数が多く、コスト
が高くつくものとなっていた。
体レーザーにおいては、波長変換の位相整合を取るため
に、高精度の温度制御を行なう必要があり、そのために
出力安定性に欠けるという問題も認められる。またこの
レーザーダイオード励起固体レーザーは、非線形光学結
晶やエタロンが設けられるため部品点数が多く、コスト
が高くつくものとなっていた。
【０００９】またＩｎＧａＮ系レーザーダイオードで
は、Ｉｎの含有量を増やすのに従って発振波長が長波長
化するので、波長470 〜490 ｎｍの青色領域のレーザー
ビームや波長520 〜550 ｎｍの緑色領域のレーザービー
ムを発振させることも理論上は可能である。しかし、Ｉ
ｎの含有量を増やすにつれて結晶性が悪化するという事
情があるため、実用上はＩｎの含有量をさほど多くする
ことはできず、450 ｎｍ程度が長波長化の限界となって
いる。
は、Ｉｎの含有量を増やすのに従って発振波長が長波長
化するので、波長470 〜490 ｎｍの青色領域のレーザー
ビームや波長520 〜550 ｎｍの緑色領域のレーザービー
ムを発振させることも理論上は可能である。しかし、Ｉ
ｎの含有量を増やすにつれて結晶性が悪化するという事
情があるため、実用上はＩｎの含有量をさほど多くする
ことはできず、450 ｎｍ程度が長波長化の限界となって
いる。
【００１０】また、他に青色光が得られるレーザーダイ
オードとして、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓから
なる活性層を有するレーザーダイオードがある。これら
においては、Ａｓをドープすることによって長波長化が
可能となるが、Ａｓの含有量を増やすにつれて、やはり
結晶性が悪化するという問題があり、高出力化できる波
長としては450 〜460 ｎｍ程度となってしまう。
オードとして、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓから
なる活性層を有するレーザーダイオードがある。これら
においては、Ａｓをドープすることによって長波長化が
可能となるが、Ａｓの含有量を増やすにつれて、やはり
結晶性が悪化するという問題があり、高出力化できる波
長としては450 〜460 ｎｍ程度となってしまう。
【００１１】さらにＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダイオー
ドには、500 ｎｍ以上の長波長でないと連続室温発振で
きない、寿命が現状では100 時間程度しかない、という
問題がある。
ドには、500 ｎｍ以上の長波長でないと連続室温発振で
きない、寿命が現状では100 時間程度しかない、という
問題がある。
【００１２】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレーザ
ービームを発生可能で、また低コストでかつ出力安定性
も高いレーザーダイオード励起固体レーザーを提供する
ことを目的とする。
であり、効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレーザ
ービームを発生可能で、また低コストでかつ出力安定性
も高いレーザーダイオード励起固体レーザーを提供する
ことを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザーダ
イオード励起固体レーザーは、前述のＰｒ3+が添加され
た固体レーザー結晶を、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオー
ド（活性層がＩｎＧａＮ系材料からなるレーザーダイオ
ード）ＩｎＧａＮＡｓ系レーザーダイオード（活性層が
ＩｎＧａＮＡｓ系材料からなるレーザーダイオード）あ
るいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオード（活性層がＧａ
ＮＡｓ系材料からなるレーザーダイオード）によって励
起することを特徴とするものである。
イオード励起固体レーザーは、前述のＰｒ3+が添加され
た固体レーザー結晶を、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオー
ド（活性層がＩｎＧａＮ系材料からなるレーザーダイオ
ード）ＩｎＧａＮＡｓ系レーザーダイオード（活性層が
ＩｎＧａＮＡｓ系材料からなるレーザーダイオード）あ
るいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオード（活性層がＧａ
ＮＡｓ系材料からなるレーザーダイオード）によって励
起することを特徴とするものである。
【００１４】なおこのレーザーダイオード励起固体レー
ザーにおいては、 3Ｐ0 → 3Ｈ4 の遷移によって465 〜
495 ｎｍの青色領域のレーザービームを発振させること
もできるし、 3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によって515 〜555
ｎｍの緑色領域のレーザービームを発振させることもで
きる。
ザーにおいては、 3Ｐ0 → 3Ｈ4 の遷移によって465 〜
495 ｎｍの青色領域のレーザービームを発振させること
もできるし、 3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によって515 〜555
ｎｍの緑色領域のレーザービームを発振させることもで
きる。
【００１５】さらには、 3Ｐ0 → 3Ｆ2 もしくは 3Ｐ0
→ 3Ｈ6 の遷移によって600 〜660ｎｍの赤色領域のレ
ーザービームを発振させることもできる。
→ 3Ｈ6 の遷移によって600 〜660ｎｍの赤色領域のレ
ーザービームを発振させることもできる。
【００１６】
【発明の効果】Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶
は、一例として波長440 ｎｍの励起光（ポンピング光）
によって励起され得る。一方ＩｎＧａＮ系レーザーダイ
オードは、先に述べたように、発振波長450 ｎｍ以下で
は結晶性悪化の問題から免れるので、上記波長440 ｎｍ
の励起光を得るために好適に利用できる。
は、一例として波長440 ｎｍの励起光（ポンピング光）
によって励起され得る。一方ＩｎＧａＮ系レーザーダイ
オードは、先に述べたように、発振波長450 ｎｍ以下で
は結晶性悪化の問題から免れるので、上記波長440 ｎｍ
の励起光を得るために好適に利用できる。
【００１７】そしてこのＩｎＧａＮ系レーザーダイオー
ドは熱伝導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レ
ーザーダイオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大き
い。またそれに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ
系レーザーダイオードと比べて非常に小さいことから、
ＣＯＤ（カタストロフィック・オプティカル・ダメー
ジ）が非常に高く、高寿命、高出力が得やすいものであ
る。このように高寿命、高出力が得やすいＩｎＧａＮ系
レーザーダイオードを励起光源として用いたことによ
り、本発明のレーザーダイオード励起固体レーザーは、
高寿命で、高出力の青色や緑色領域のレーザービームを
発生可能となる。
ドは熱伝導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レ
ーザーダイオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大き
い。またそれに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ
系レーザーダイオードと比べて非常に小さいことから、
ＣＯＤ（カタストロフィック・オプティカル・ダメー
ジ）が非常に高く、高寿命、高出力が得やすいものであ
る。このように高寿命、高出力が得やすいＩｎＧａＮ系
レーザーダイオードを励起光源として用いたことによ
り、本発明のレーザーダイオード励起固体レーザーは、
高寿命で、高出力の青色や緑色領域のレーザービームを
発生可能となる。
【００１８】なお励起光源であるＩｎＧａＮ系レーザー
ダイオードとしては、単一縦、横モード型のものを使用
できることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズ
ドアレー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのもの
を１個または複数個使用することもできる。そのように
することにより本発明のレーザーダイオード励起固体レ
ーザーは、さらなる高出力、例えばＷ（ワット）クラス
の高出力を得ることも可能である。
ダイオードとしては、単一縦、横モード型のものを使用
できることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズ
ドアレー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのもの
を１個または複数個使用することもできる。そのように
することにより本発明のレーザーダイオード励起固体レ
ーザーは、さらなる高出力、例えばＷ（ワット）クラス
の高出力を得ることも可能である。
【００１９】さらに、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード
と同様に、ＩｎＧａＮＡｓ系レーザーダイオードやＧａ
ＮＡｓ系レーザーダイオードも上述のような特長を有し
ている。
と同様に、ＩｎＧａＮＡｓ系レーザーダイオードやＧａ
ＮＡｓ系レーザーダイオードも上述のような特長を有し
ている。
【００２０】また、それに加えて本発明のレーザーダイ
オード励起固体レーザーは、非線形光学結晶やエタロン
等を必要とするものではないから、それらによるロスが
なく、したがって高効率で青色や緑色領域のレーザービ
ームを発生可能となる。具体的には、50％以上のスロー
プ効率を得ることも可能である。そしてこのように非線
形光学結晶やエタロン等を必要としないことから、本発
明のレーザーダイオード励起固体レーザーは光学部品が
少なくて簡潔な構成となり、そして温度安定領域も広い
ものとなる。したがって本発明のレーザーダイオード励
起固体レーザーは、低コストで、安定性の高い光源とな
り得るものである。
オード励起固体レーザーは、非線形光学結晶やエタロン
等を必要とするものではないから、それらによるロスが
なく、したがって高効率で青色や緑色領域のレーザービ
ームを発生可能となる。具体的には、50％以上のスロー
プ効率を得ることも可能である。そしてこのように非線
形光学結晶やエタロン等を必要としないことから、本発
明のレーザーダイオード励起固体レーザーは光学部品が
少なくて簡潔な構成となり、そして温度安定領域も広い
ものとなる。したがって本発明のレーザーダイオード励
起固体レーザーは、低コストで、安定性の高い光源とな
り得るものである。
【００２１】さらに本発明のレーザーダイオード励起固
体レーザーは、波長変換を行なうものではないから、位
相整合を取るための高精度の温度制御は不要であり、よ
って、この温度制御のために出力安定性が損なわれるよ
うなことはなく、出力安定性も高いものとなる。
体レーザーは、波長変換を行なうものではないから、位
相整合を取るための高精度の温度制御は不要であり、よ
って、この温度制御のために出力安定性が損なわれるよ
うなことはなく、出力安定性も高いものとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施形態によるレーザーダイオード励起固体レーザーを示
すものである。このレーザーダイオード励起固体レーザ
ーは、励起光としてのレーザービーム10を発するレーザ
ーダイオード11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、Ｐｒ3+がドーピングされた固体
レーザー媒質であるＬｉＹＦ4結晶（以下、Ｐｒ3+：Ｌ
ｉＹＦ4 結晶と称する）13とを有している。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施形態によるレーザーダイオード励起固体レーザーを示
すものである。このレーザーダイオード励起固体レーザ
ーは、励起光としてのレーザービーム10を発するレーザ
ーダイオード11と、発散光であるレーザービーム10を集
光する集光レンズ12と、Ｐｒ3+がドーピングされた固体
レーザー媒質であるＬｉＹＦ4結晶（以下、Ｐｒ3+：Ｌ
ｉＹＦ4 結晶と称する）13とを有している。
【００２３】以上の各要素11〜13はペルチェ素子14の上
に固定されている。またこのペルチェ素子14上には温度
検出用のサーミスタ15が固定され、このサーミスタ15の
出力は図示しない温度調節回路に入力されるようなって
いる。そしてこの温度調節回路により、サーミスタ15の
出力に基づいてペルチェ素子14が駆動され、レーザーダ
イオード11、集光レンズ12およびＰｒ3+：ＬｉＹＦ4 結
晶13が所定温度に保たれる。
に固定されている。またこのペルチェ素子14上には温度
検出用のサーミスタ15が固定され、このサーミスタ15の
出力は図示しない温度調節回路に入力されるようなって
いる。そしてこの温度調節回路により、サーミスタ15の
出力に基づいてペルチェ素子14が駆動され、レーザーダ
イオード11、集光レンズ12およびＰｒ3+：ＬｉＹＦ4 結
晶13が所定温度に保たれる。
【００２４】レーザーダイオード11としては、発振波長
444 ｎｍのブロードエリア型のＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードが用いられている。またＰｒ3+：ＬｉＹＦ4 結
晶13の光入射面である後方端面13ａには、後述する波長
479 ｎｍの光を良好に反射させる（反射率99.9％以上）
コーティングが施され、一方この結晶13の光出射面であ
る前方端面13ｂには、波長479 ｎｍの光を１％だけ透過
させて残余は反射させるコーティングが施されている。
444 ｎｍのブロードエリア型のＩｎＧａＮ系レーザーダ
イオードが用いられている。またＰｒ3+：ＬｉＹＦ4 結
晶13の光入射面である後方端面13ａには、後述する波長
479 ｎｍの光を良好に反射させる（反射率99.9％以上）
コーティングが施され、一方この結晶13の光出射面であ
る前方端面13ｂには、波長479 ｎｍの光を１％だけ透過
させて残余は反射させるコーティングが施されている。
【００２５】ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード11から発
せられた波長444 ｎｍのレーザービーム10は、Ｐｒ3+：
ＬｉＹＦ4 結晶13の後方端面13ａから該結晶13内に入射
する。Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶13は入射したこのレーザ
ービーム10によってＰｒ3+が励起され、 3Ｐ0 → 3Ｈ4
の遷移によって波長479 ｎｍの光を発する。この光は上
記の通りのコーティングが施されている結晶端面13ａ、
13ｂの間で共振し、レーザー発振を引き起こす。こうし
て発生した波長479 ｎｍの青色のレーザービーム16は、
Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶13の前方端面13ｂから出射す
る。
せられた波長444 ｎｍのレーザービーム10は、Ｐｒ3+：
ＬｉＹＦ4 結晶13の後方端面13ａから該結晶13内に入射
する。Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶13は入射したこのレーザ
ービーム10によってＰｒ3+が励起され、 3Ｐ0 → 3Ｈ4
の遷移によって波長479 ｎｍの光を発する。この光は上
記の通りのコーティングが施されている結晶端面13ａ、
13ｂの間で共振し、レーザー発振を引き起こす。こうし
て発生した波長479 ｎｍの青色のレーザービーム16は、
Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶13の前方端面13ｂから出射す
る。
【００２６】本実施形態においては、出力300 ｍＷのレ
ーザーダイオード11を用いて、出力１ｍＷのレーザービ
ーム16を得ることができた。
ーザーダイオード11を用いて、出力１ｍＷのレーザービ
ーム16を得ることができた。
【００２７】次に図２を参照して、本発明の第２の実施
形態を説明する。なおこの図２において、図１中の要素
と同等の要素には同番号を付し、それらについての重複
したた説明は省略する。この第２の実施形態のレーザー
ダイオード励起固体レーザーにおいては、Ｐｒ3+：Ｌｉ
ＹＦ4 結晶23の光入射面である後方端面23ａに、後述す
る波長532 ｎｍの光を良好に反射させる（反射率99.9％
以上）コーティングが施され、一方この結晶23の光出射
面である前方端面23ｂには、波長532 ｎｍの光を１％だ
け透過させて残余は反射させるコーティングが施されて
いる。
形態を説明する。なおこの図２において、図１中の要素
と同等の要素には同番号を付し、それらについての重複
したた説明は省略する。この第２の実施形態のレーザー
ダイオード励起固体レーザーにおいては、Ｐｒ3+：Ｌｉ
ＹＦ4 結晶23の光入射面である後方端面23ａに、後述す
る波長532 ｎｍの光を良好に反射させる（反射率99.9％
以上）コーティングが施され、一方この結晶23の光出射
面である前方端面23ｂには、波長532 ｎｍの光を１％だ
け透過させて残余は反射させるコーティングが施されて
いる。
【００２８】ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード11から発
せられた波長444 ｎｍのレーザービーム10は、Ｐｒ3+：
ＬｉＹＦ4 結晶23の後方端面23ａから該結晶23内に入射
する。Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶23は入射したこのレーザ
ービーム10によってＰｒ3+が励起され、 3Ｐ1 → 3Ｈ5
の遷移によって波長532 ｎｍの光を発する。この光は上
記の通りのコーティングが施されている結晶端面23ａ、
23ｂの間で共振し、レーザー発振を引き起こす。こうし
て発生した波長532 ｎｍの緑色のレーザービーム26は、
Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶23の前方端面23ｂから出射す
る。
せられた波長444 ｎｍのレーザービーム10は、Ｐｒ3+：
ＬｉＹＦ4 結晶23の後方端面23ａから該結晶23内に入射
する。Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶23は入射したこのレーザ
ービーム10によってＰｒ3+が励起され、 3Ｐ1 → 3Ｈ5
の遷移によって波長532 ｎｍの光を発する。この光は上
記の通りのコーティングが施されている結晶端面23ａ、
23ｂの間で共振し、レーザー発振を引き起こす。こうし
て発生した波長532 ｎｍの緑色のレーザービーム26は、
Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶23の前方端面23ｂから出射す
る。
【００２９】本実施形態においては、出力200 ｍＷのレ
ーザーダイオード11を用いて、出力10ｍＷのレーザービ
ーム26を得ることができた。
ーザーダイオード11を用いて、出力10ｍＷのレーザービ
ーム26を得ることができた。
【００３０】以上、ＩｎＧａＮから活性層を構成したレ
ーザーダイオードについて説明したが、ＩｎＧａＮＡｓ
系材料あるいはＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成した
レーザーダイオードを励起用光源として用いることも可
能である。特に、固体レーザー結晶の吸収帯が長波長側
にずれている場合は、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード
と比べてより長波長化が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ系
あるいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオードを用いるのが
望ましく、それにより吸収効率を向上させることができ
る。
ーザーダイオードについて説明したが、ＩｎＧａＮＡｓ
系材料あるいはＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成した
レーザーダイオードを励起用光源として用いることも可
能である。特に、固体レーザー結晶の吸収帯が長波長側
にずれている場合は、ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード
と比べてより長波長化が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ系
あるいはＧａＮＡｓ系レーザーダイオードを用いるのが
望ましく、それにより吸収効率を向上させることができ
る。
【図１】本発明の第１実施形態によるレーザーダイオー
ド励起固体レーザーを示す概略側面図
ド励起固体レーザーを示す概略側面図
【図２】本発明の第２実施形態によるレーザーダイオー
ド励起固体レーザーを示す概略側面図
ド励起固体レーザーを示す概略側面図
10 レーザービーム（励起光） 11 ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード 12 集光レンズ 13、23 Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶 13ａ、23ａ Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶の後端面 13ｂ、23ｂ Ｐｒ3+：ＬｉＹＦ4 結晶の前端面 14 ペルチェ素子 15 サーミスタ 16 青色の固体レーザービーム 26 緑色の固体レーザービーム
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐｒ3+が添加された固体レーザー結晶
を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓか
らなる活性層を有するレーザーダイオードによって励起
する構成を有することを特徴とするレーザーダイオード
励起固体レーザー。 - 【請求項２】 3Ｐ0 → 3Ｈ4 の遷移によって465 〜49
5 ｎｍの波長領域のレーザービームを発振させることを
特徴とする請求項１記載のレーザーダイオード励起固体
レーザー。 - 【請求項３】 3Ｐ1 → 3Ｈ5 の遷移によって515 〜55
5 ｎｍの波長領域のレーザービームを発振させることを
特徴とする請求項１記載のレーザーダイオード励起固体
レーザー。 - 【請求項４】 3Ｐ0 → 3Ｆ2 もしくは 3Ｐ0 → 3Ｈ6
の遷移によって600〜660 ｎｍの波長領域のレーザービ
ームを発振させることを特徴とする請求項１記載のレー
ザーダイオード励起固体レーザー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP636998A JPH1117266A (ja) | 1997-04-28 | 1998-01-16 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
| US09/066,910 US6125132A (en) | 1997-04-28 | 1998-04-28 | Laser diode pumped solid state laser, fiber laser and fiber amplifier |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-110554 | 1997-04-28 | ||
| JP11055497 | 1997-04-28 | ||
| JP636998A JPH1117266A (ja) | 1997-04-28 | 1998-01-16 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117266A true JPH1117266A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=26340486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP636998A Pending JPH1117266A (ja) | 1997-04-28 | 1998-01-16 | レーザーダイオード励起固体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117266A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490309B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped laser apparatus in which Pr3+-doped laser medium is pumped with GaN-based compound laser diode |
| JP2007115877A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Fujifilm Corp | 固体レーザ装置 |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2012516562A (ja) * | 2009-01-28 | 2012-07-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固体レーザのレーザ放射を、異なる放射波長の間で切り換える方法、及び対応する固体レーザ装置 |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP636998A patent/JPH1117266A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490309B1 (en) | 1999-07-21 | 2002-12-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped laser apparatus in which Pr3+-doped laser medium is pumped with GaN-based compound laser diode |
| US7691765B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-04-06 | Fujifilm Corporation | Translucent material and manufacturing method of the same |
| JP2007115877A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Fujifilm Corp | 固体レーザ装置 |
| JP2012516562A (ja) * | 2009-01-28 | 2012-07-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 固体レーザのレーザ放射を、異なる放射波長の間で切り換える方法、及び対応する固体レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020115 |