JP2002353541A - ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ - Google Patents
ファイバーレーザーおよびファイバーアンプInfo
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- JP2002353541A JP2002353541A JP2001153578A JP2001153578A JP2002353541A JP 2002353541 A JP2002353541 A JP 2002353541A JP 2001153578 A JP2001153578 A JP 2001153578A JP 2001153578 A JP2001153578 A JP 2001153578A JP 2002353541 A JP2002353541 A JP 2002353541A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 希土類元素イオンが添加されたコアを有する
ファイバーを、レーザーダイオードによって励起してレ
ーザービームを発生させるファイバーレーザーにおい
て、より多くの発振波長を実現する。 【解決手段】 Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイ
バー13をＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起
し、該ファイバー13における ５Ｓ２ → ５Ｉ ７ 、
あるいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によってレーザ
ービーム15を発生させる。
ファイバーを、レーザーダイオードによって励起してレ
ーザービームを発生させるファイバーレーザーにおい
て、より多くの発振波長を実現する。 【解決手段】 Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイ
バー13をＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起
し、該ファイバー13における ５Ｓ２ → ５Ｉ ７ 、
あるいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によってレーザ
ービーム15を発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、希土類元素イオン
が添加されたコアを有するファイバーを、レーザーダイ
オード（半導体レーザー）によって励起してレーザービ
ームを発生させるファイバーレーザーに関するものであ
る。
が添加されたコアを有するファイバーを、レーザーダイ
オード（半導体レーザー）によって励起してレーザービ
ームを発生させるファイバーレーザーに関するものであ
る。
【０００２】また本発明は、希土類元素イオンが添加さ
れたコアを有するファイバーをレーザーダイオードで励
起して蛍光を生じさせ、ファイバーに入射した光をこの
蛍光によって増幅するファイバーアンプに関するもので
ある。
れたコアを有するファイバーをレーザーダイオードで励
起して蛍光を生じさせ、ファイバーに入射した光をこの
蛍光によって増幅するファイバーアンプに関するもので
ある。
【０００３】
【従来の技術】例えば電子情報通信学会技報，LQE95-30
(1995)p.30や、Optics communications 86(1991)p.337
に示されるように、Ｐｒ３＋が添加された弗化物系のコ
アを有するファイバーをレーザーダイオードによって励
起してレーザービームを発生させるファイバーレーザー
が知られている。
(1995)p.30や、Optics communications 86(1991)p.337
に示されるように、Ｐｒ３＋が添加された弗化物系のコ
アを有するファイバーをレーザーダイオードによって励
起してレーザービームを発生させるファイバーレーザー
が知られている。
【０００４】また、同じく上記文献に示されるように、
Ｐｒ３＋が添加されたコアを有するファイバーをレーザ
ーダイオードによって励起して蛍光を生じさせ、この蛍
光の波長領域に含まれる光をファイバーに入射させて該
蛍光のエネルギーによって増幅するファイバーアンプが
知られている。
Ｐｒ３＋が添加されたコアを有するファイバーをレーザ
ーダイオードによって励起して蛍光を生じさせ、この蛍
光の波長領域に含まれる光をファイバーに入射させて該
蛍光のエネルギーによって増幅するファイバーアンプが
知られている。
【０００５】特に後者の文献には、Ａｒレーザー励起の
Ｐｒ３＋ドープファイバーレーザーが記載されており、
476.5ｎｍ励起による491ｎｍ、520ｎｍ、605ｎｍ、635
ｎｍの発振が確認されている。
Ｐｒ３＋ドープファイバーレーザーが記載されており、
476.5ｎｍ励起による491ｎｍ、520ｎｍ、605ｎｍ、635
ｎｍの発振が確認されている。
【０００６】ところで、上記のファイバーレーザーやフ
ァイバーアンプは、青色や緑色領域のレーザービームを
発生させたり、あるいは増幅することが可能であるか
ら、それらによって、カラー感光材料にカラー画像を書
き込むための光源を構成することも考えられる。
ァイバーアンプは、青色や緑色領域のレーザービームを
発生させたり、あるいは増幅することが可能であるか
ら、それらによって、カラー感光材料にカラー画像を書
き込むための光源を構成することも考えられる。
【０００７】しかし、上記Ａｒレーザー励起のファイバ
ーレーザーやファイバーアンプは、カラー画像書き込み
等のために数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しようと
すると、水冷手段が必要となることから、装置の大型
化、低寿命、低効率の問題を招く。
ーレーザーやファイバーアンプは、カラー画像書き込み
等のために数Ｗ〜数10Ｗクラスのパワーで励起しようと
すると、水冷手段が必要となることから、装置の大型
化、低寿命、低効率の問題を招く。
【０００８】上記の事情に鑑みて本出願人は、特願平１
０−６３７０号（特開平１１−２０４８６２号参照）に
おいて、効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレーザ
ービームを発生可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーレーザ
ーを提案した。このファイバーレーザーは、前述のＰｒ
３＋が添加されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レ
ーザーダイオードによって励起する構成を有することを
特徴とするものである。
０−６３７０号（特開平１１−２０４８６２号参照）に
おいて、効率良く高出力の青色領域や緑色領域のレーザ
ービームを発生可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーレーザ
ーを提案した。このファイバーレーザーは、前述のＰｒ
３＋が添加されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レ
ーザーダイオードによって励起する構成を有することを
特徴とするものである。
【０００９】また本出願人は、同じく特願平１０−６３
７０号において、青色領域や緑色領域のレーザービーム
を効率良く増幅可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーアンプ
も提案した。このファイバーアンプは、Ｐｒ３＋が添加
されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイ
オードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するも
のである。
７０号において、青色領域や緑色領域のレーザービーム
を効率良く増幅可能で、小型に形成することができ、し
かも出力やビーム品質の安定性が高いファイバーアンプ
も提案した。このファイバーアンプは、Ｐｒ３＋が添加
されたコアを持つファイバーを、ＧａＮ系レーザーダイ
オードによって励起し、該励起により生じる蛍光の波長
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するも
のである。
【００１０】さらに本出願人は、特願平１１−２０６８
１７号（特開２００１−３６１６８号参照）において、
Ｅｒ３＋、Ｈｏ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｓｍ３＋、
Ｐｍ ３＋およびＮｄ３＋のうちの少なくとも１つとＰｒ
３＋とが共ドープされたコアを持つファイバーを、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起するようにしたフ
ァイバーレーザーや、上記と同様のファイバーをＧａＮ
系レーザーダイオードによって励起し、この励起によっ
て生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅
するファイバーアンプを提案した。
１７号（特開２００１−３６１６８号参照）において、
Ｅｒ３＋、Ｈｏ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｕ３＋、Ｓｍ３＋、
Ｐｍ ３＋およびＮｄ３＋のうちの少なくとも１つとＰｒ
３＋とが共ドープされたコアを持つファイバーを、Ｇａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起するようにしたフ
ァイバーレーザーや、上記と同様のファイバーをＧａＮ
系レーザーダイオードによって励起し、この励起によっ
て生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅
するファイバーアンプを提案した。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記特開平
１１−２０４８６２号や特開２００１−３６１６８号に
示されるファイバーレーザーのようにＧａＮ系レーザー
ダイオードを励起源として、さらに別の多くの波長で発
振し得るファイバーレーザーを提供することを目的とす
る。
１１−２０４８６２号や特開２００１−３６１６８号に
示されるファイバーレーザーのようにＧａＮ系レーザー
ダイオードを励起源として、さらに別の多くの波長で発
振し得るファイバーレーザーを提供することを目的とす
る。
【００１２】さらに本発明は、上記特開平１１−２０４
８６２号や特開２００１−３６１６８号に示されるファ
イバーアンプのようにＧａＮ系レーザーダイオードを励
起源として、さらに別の多くの波長の光を増幅すること
ができるファイバーアンプを提供することを目的とす
る。
８６２号や特開２００１−３６１６８号に示されるファ
イバーアンプのようにＧａＮ系レーザーダイオードを励
起源として、さらに別の多くの波長の光を増幅すること
ができるファイバーアンプを提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による一つのファ
イバーレーザーは、Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つフ
ァイバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起
し、該ファイバーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７ 、あ
るいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によってレーザー
ビームを発生させる構成を有するものである。このファ
イバーレーザーは、より具体的には、 ５Ｓ２ → ５
Ｉ７ の遷移によって波長が740〜760ｎｍのレーザービ
ームを発生させたり、あるいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８
の遷移によって波長が540〜560ｎｍのレーザービームを
発生させる構成をとることができる。
イバーレーザーは、Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つフ
ァイバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起
し、該ファイバーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７ 、あ
るいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によってレーザー
ビームを発生させる構成を有するものである。このファ
イバーレーザーは、より具体的には、 ５Ｓ２ → ５
Ｉ７ の遷移によって波長が740〜760ｎｍのレーザービ
ームを発生させたり、あるいは ５Ｓ２ → ５Ｉ８
の遷移によって波長が540〜560ｎｍのレーザービームを
発生させる構成をとることができる。
【００１４】なお、上記Ｈｏ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は420ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＨｏ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は420ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＨｏ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００１５】また、本発明による別のファイバーレーザ
ーは、Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧ
ａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバ
ーにおける ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ 、 ４Ｇ
５／２ → ６Ｈ７／２ 、あるいは ４Ｆ３／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移によってレーザービームを発生
させる構成を有するものである。このファイバーレーザ
ーは、より具体的には、 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２
の遷移によって波長が556〜576ｎｍのレーザービームを
発生させたり、あるいは ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
７／２ の遷移によって波長が605〜625ｎｍのレーザー
ビームを発生させたり、さらには ４Ｆ３／２ → ６Ｈ
１１／２ の遷移によって波長が640〜660ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成をとることができる。
ーは、Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧ
ａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバ
ーにおける ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ 、 ４Ｇ
５／２ → ６Ｈ７／２ 、あるいは ４Ｆ３／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移によってレーザービームを発生
させる構成を有するものである。このファイバーレーザ
ーは、より具体的には、 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２
の遷移によって波長が556〜576ｎｍのレーザービームを
発生させたり、あるいは ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
７／２ の遷移によって波長が605〜625ｎｍのレーザー
ビームを発生させたり、さらには ４Ｆ３／２ → ６Ｈ
１１／２ の遷移によって波長が640〜660ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成をとることができる。
【００１６】なお、上記Ｓｍ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は404ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＳｍ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は404ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＳｍ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００１７】また、本発明によるさらに別のファイバー
レーザーは、Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ５
Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によって波長が579〜599ｎ
ｍのレーザービームを発生させる構成をとることができ
る。
レーザーは、Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ５
Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によって波長が579〜599ｎ
ｍのレーザービームを発生させる構成をとることができ
る。
【００１８】なお、上記Ｅｕ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は394ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＥｕ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は394ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＥｕ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００１９】また、本発明によるさらに別のファイバー
レーザーは、Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ あ
るいは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ４
Ｆ９／２ → ６Ｈ１３ ／２ の遷移によって波長が56
2〜582ｎｍのレーザービームを発生させたり、あるいは
４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によって波長
が654〜674ｎｍのレーザービームを発生させる構成をと
ることができる。
レーザーは、Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ あ
るいは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ４
Ｆ９／２ → ６Ｈ１３ ／２ の遷移によって波長が56
2〜582ｎｍのレーザービームを発生させたり、あるいは
４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によって波長
が654〜674ｎｍのレーザービームを発生させる構成をと
ることができる。
【００２０】なお、上記Ｄｙ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は390ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＤｙ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は390ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＤｙ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００２１】また、本発明によるさらに別のファイバー
レーザーは、Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ あ
るいは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ４
Ｓ３／２ → ４Ｉ１５ ／２ の遷移によって波長が53
0〜550ｎｍのレーザービームを発生させたり、 ２Ｈ
９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によって波長が544
〜564ｎｍのレーザービームを発生させる構成をとるこ
とができる。
レーザーは、Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ あ
るいは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ４
Ｓ３／２ → ４Ｉ１５ ／２ の遷移によって波長が53
0〜550ｎｍのレーザービームを発生させたり、 ２Ｈ
９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によって波長が544
〜564ｎｍのレーザービームを発生させる構成をとるこ
とができる。
【００２２】なお、上記Ｅｒ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は406ｎｍあるいは380ｎｍとさ
れる。そしてこのファイバーとしては、希土類元素イオ
ンとしてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものを好適に
用いることができる。
つファイバーの励起波長は406ｎｍあるいは380ｎｍとさ
れる。そしてこのファイバーとしては、希土類元素イオ
ンとしてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものを好適に
用いることができる。
【００２３】また、本発明によるさらに別のファイバー
レーザーは、Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ５
Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によって波長が530〜550ｎｍ
のレーザービームを発生させる構成をとることができ
る。
レーザーは、Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファイバ
ーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該フ
ァイバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によっ
てレーザービームを発生させる構成を有するものであ
る。このファイバーレーザーは、より具体的には、 ５
Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によって波長が530〜550ｎｍ
のレーザービームを発生させる構成をとることができ
る。
【００２４】なお、上記Ｔｂ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は380ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＴｂ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は380ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＴｂ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００２５】一方、上記構成の各ファイバーレーザーに
おいて、励起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオード
は、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡ
ｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使
用することができる。
おいて、励起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオード
は、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡ
ｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使
用することができる。
【００２６】一方、本発明による一つのファイバーアン
プは、Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧ
ａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバ
ーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７ 、あるいは ５Ｓ
２ → ５Ｉ８ の遷移によって生じる蛍光の波長領域
に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するもので
ある。このファイバーアンプは、より具体的には、 ５
Ｓ２ → ５Ｉ７ の遷移によって740〜760ｎｍの波長
領域の蛍光を発生させて、この領域に含まれる波長の入
射光を増幅したり、 ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によ
って540〜560ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとること
ができる。
プは、Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧ
ａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバ
ーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７ 、あるいは ５Ｓ
２ → ５Ｉ８ の遷移によって生じる蛍光の波長領域
に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するもので
ある。このファイバーアンプは、より具体的には、 ５
Ｓ２ → ５Ｉ７ の遷移によって740〜760ｎｍの波長
領域の蛍光を発生させて、この領域に含まれる波長の入
射光を増幅したり、 ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によ
って540〜560ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとること
ができる。
【００２７】なお、上記Ｈｏ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は420ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＨｏ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は420ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＨｏ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００２８】また、本発明による別のファイバーアンプ
は、Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバー
における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ 、 ４Ｇ
５／２ → ６Ｈ７／２ 、あるいは ４Ｆ３／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移によって生じる蛍光の波長領域
に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するもので
ある。このファイバーアンプは、より具体的には、 ４
Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ の遷移によって556〜576ｎ
ｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領域に含まれる
波長の入射光を増幅したり、 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
７／２ の遷移によって605〜625ｎｍの波長領域の蛍光
を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅
したり、あるいは ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の
遷移によって640〜660ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を
とることができる。
は、Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファイバーをＧａ
Ｎ系レーザーダイオードによって励起し、該ファイバー
における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ 、 ４Ｇ
５／２ → ６Ｈ７／２ 、あるいは ４Ｆ３／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移によって生じる蛍光の波長領域
に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有するもので
ある。このファイバーアンプは、より具体的には、 ４
Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ の遷移によって556〜576ｎ
ｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領域に含まれる
波長の入射光を増幅したり、 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
７／２ の遷移によって605〜625ｎｍの波長領域の蛍光
を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅
したり、あるいは ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の
遷移によって640〜660ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を
とることができる。
【００２９】なお、上記Ｓｍ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は404ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＳｍ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は404ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＳｍ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００３０】また、本発明によるさらに別のファイバー
アンプは、Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によ
って579〜599ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとること
ができる。
アンプは、Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によ
って579〜599ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この
領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとること
ができる。
【００３１】なお、上記Ｅｕ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は394ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＥｕ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は394ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＥｕ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００３２】また、本発明によるさらに別のファイバー
アンプは、Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ ある
いは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ １１／２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ の
遷移によって562〜582ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅したり、あ
るいは ４Ｆ９ ／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によっ
て654〜674ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
アンプは、Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ ある
いは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ １１／２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ の
遷移によって562〜582ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅したり、あ
るいは ４Ｆ９ ／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によっ
て654〜674ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
【００３３】なお、上記Ｄｙ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は390ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＤｙ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は390ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＤｙ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００３４】また、本発明によるさらに別のファイバー
アンプは、Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ ある
いは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ １３／２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ の
遷移によって530〜550ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅したり、あ
るいは ２Ｈ９ ／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によっ
て544〜564ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
アンプは、Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ ある
いは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ １３／２ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ４Ｓ３／２ → ４Ｉ１５／２ の
遷移によって530〜550ｎｍの波長領域の蛍光を発生させ
て、この領域に含まれる波長の入射光を増幅したり、あ
るいは ２Ｈ９ ／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移によっ
て544〜564ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
【００３５】なお、上記Ｅｒ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は406ｎｍあるいは380ｎｍとさ
れる。そしてこのファイバーとしては、希土類元素イオ
ンとしてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものを好適に
用いることができる。
つファイバーの励起波長は406ｎｍあるいは380ｎｍとさ
れる。そしてこのファイバーとしては、希土類元素イオ
ンとしてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものを好適に
用いることができる。
【００３６】また、本発明によるさらに別のファイバー
アンプは、Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によっ
て530〜550ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
アンプは、Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファイバー
をＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該ファ
イバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によって
生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅す
る構成を有するものである。このファイバーアンプは、
より具体的には、 ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によっ
て530〜550ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、この領
域に含まれる波長の入射光を増幅する構成をとることが
できる。
【００３７】なお、上記Ｔｂ３＋が添加されたコアを持
つファイバーの励起波長は380ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＴｂ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
つファイバーの励起波長は380ｎｍとされる。そしてこ
のファイバーとしては、希土類元素イオンとしてＴｂ
３＋のみがコアに添加されたものを好適に用いることが
できる。
【００３８】一方、上記構成の各ファイバーアンプにお
いても、励起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオード
は、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡ
ｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使
用することができる。
いても、励起光源としてのＧａＮ系レーザーダイオード
は、より具体的には、例えばＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡ
ｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するものを使
用することができる。
【００３９】
【発明の効果】Ｈｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｄｙ
３＋、Ｅｒ３＋およびＴｂ３＋は波長380〜420ｎｍに吸
収帯があり、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起
され得る。波長380〜430ｎｍはＧａＮ系レーザーダイオ
ードが比較的発振しやすい波長帯であり、そして特に波
長400〜410ｎｍは、現在提供されているＧａＮ系レーザ
ーダイオードの最大出力が得られる波長帯であるので、
これらのＨｏ３＋、Ｓｍ３ ＋、Ｅｕ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅ
ｒ３＋およびＴｂ３＋をＧａＮ系レーザーダイオードに
よって励起すれば、励起光の吸収量を大きく確保可能
で、それにより、高効率化および高出力化が達成され
る。
３＋、Ｅｒ３＋およびＴｂ３＋は波長380〜420ｎｍに吸
収帯があり、ＧａＮ系レーザーダイオードによって励起
され得る。波長380〜430ｎｍはＧａＮ系レーザーダイオ
ードが比較的発振しやすい波長帯であり、そして特に波
長400〜410ｎｍは、現在提供されているＧａＮ系レーザ
ーダイオードの最大出力が得られる波長帯であるので、
これらのＨｏ３＋、Ｓｍ３ ＋、Ｅｕ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅ
ｒ３＋およびＴｂ３＋をＧａＮ系レーザーダイオードに
よって励起すれば、励起光の吸収量を大きく確保可能
で、それにより、高効率化および高出力化が達成され
る。
【００４０】そして、先に例を挙げた通り、これらのＨ
ｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｄｙ ３＋、Ｅｒ３＋およ
びＴｂ３＋による蛍光の波長帯は広い範囲に亘るので、
従来に無い波長で発振するファイバーレーザーを得るこ
とが可能となる。
ｏ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｄｙ ３＋、Ｅｒ３＋およ
びＴｂ３＋による蛍光の波長帯は広い範囲に亘るので、
従来に無い波長で発振するファイバーレーザーを得るこ
とが可能となる。
【００４１】一方、ＧａＮ系レーザーダイオードは熱伝
導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダ
イオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大きい。またそ
れに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ系レーザー
ダイオードと比べて非常に小さいことから、ＣＯＤ（カ
タストロフィック・オプティカル・ダメージ）が非常に
高く、高寿命、高出力が得やすいものである。このよう
に高寿命、高出力が得やすいＧａＮ系レーザーダイオー
ドを励起光源として用いたことにより、本発明のファイ
バーレーザーは、高寿命で、高出力のレーザービームを
発生可能となる。
導係数が130 Ｗ／ｍ℃と、ＺｎＭｇＳＳｅ系レーザーダ
イオードの４Ｗ／ｍ℃等と比べて極めて大きい。またそ
れに加えて、転移の移動度もＺｎＭｇＳＳｅ系レーザー
ダイオードと比べて非常に小さいことから、ＣＯＤ（カ
タストロフィック・オプティカル・ダメージ）が非常に
高く、高寿命、高出力が得やすいものである。このよう
に高寿命、高出力が得やすいＧａＮ系レーザーダイオー
ドを励起光源として用いたことにより、本発明のファイ
バーレーザーは、高寿命で、高出力のレーザービームを
発生可能となる。
【００４２】なお励起光源であるＧａＮ系レーザーダイ
オードとしては、単一縦、横モード型のものを使用でき
ることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズドア
レー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのものを１
個または複数個使用することもできる。そのようにする
ことにより本発明のファイバーレーザーは、さらなる高
出力、例えばＷ（ワット）クラスの高出力を得ることも
可能である。
オードとしては、単一縦、横モード型のものを使用でき
ることは勿論、その他ブロードエリア型、フェーズドア
レー型、あるいはＭＯＰＡ型の高出力タイプのものを１
個または複数個使用することもできる。そのようにする
ことにより本発明のファイバーレーザーは、さらなる高
出力、例えばＷ（ワット）クラスの高出力を得ることも
可能である。
【００４３】以上説明した全ての効果は、本発明のファ
イバーアンプにおいても同様に得られるものであり、よ
って本発明のファイバーアンプによれば、広い範囲に亘
る波長の光を強力に増幅可能となる。
イバーアンプにおいても同様に得られるものであり、よ
って本発明のファイバーアンプによれば、広い範囲に亘
る波長の光を強力に増幅可能となる。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。まず、ファイバーレーザー
として構成された第１〜６の実施の形態について説明す
る。
施の形態を詳細に説明する。まず、ファイバーレーザー
として構成された第１〜６の実施の形態について説明す
る。
【００４５】＜第１の実施の形態＞図１は、本発明の第
１の実施の形態によるファイバーレーザーを示すもので
ある。このファイバーレーザーは、励起光としてのレー
ザービーム10を発するレーザーダイオード11と、発散光
であるレーザービーム10を集光する集光レンズ12と、Ｈ
ｏ３＋がドープされたコアを持つファイバー13とからな
る。
１の実施の形態によるファイバーレーザーを示すもので
ある。このファイバーレーザーは、励起光としてのレー
ザービーム10を発するレーザーダイオード11と、発散光
であるレーザービーム10を集光する集光レンズ12と、Ｈ
ｏ３＋がドープされたコアを持つファイバー13とからな
る。
【００４６】レーザーダイオード11としては、発振波長
420ｎｍのブロードエリア型のＧａＮ系レーザーダイオ
ードが用いられている。
420ｎｍのブロードエリア型のＧａＮ系レーザーダイオ
ードが用いられている。
【００４７】またファイバー13は図２に断面形状を示す
ように、断面正円形のコア20と、その外側に配された断
面ほぼ矩形の第１クラッド21と、その外側に配された断
面正円形の第２クラッド22とからなる。コア20はＨｏ
３＋が例えば１ａｔ％ドープされたＺｒ系弗化物ガラ
ス、例えばＺＢＬＡＮＰ（ＺｒＦ４−ＢａＦ２−ＬａＦ
３−ＡｌＦ３−ＡｌＦ３−ＮａＦ−ＰｂＦ２）からな
り、第１クラッド21は一例としてＺＢＬＡＮ（ＺｒＦ４
−ＢａＦ２−ＬａＦ３−ＡｌＦ３−ＮａＦ）からなり、
第２クラッド22は一例としてポリマーからなる。
ように、断面正円形のコア20と、その外側に配された断
面ほぼ矩形の第１クラッド21と、その外側に配された断
面正円形の第２クラッド22とからなる。コア20はＨｏ
３＋が例えば１ａｔ％ドープされたＺｒ系弗化物ガラ
ス、例えばＺＢＬＡＮＰ（ＺｒＦ４−ＢａＦ２−ＬａＦ
３−ＡｌＦ３−ＡｌＦ３−ＮａＦ−ＰｂＦ２）からな
り、第１クラッド21は一例としてＺＢＬＡＮ（ＺｒＦ４
−ＢａＦ２−ＬａＦ３−ＡｌＦ３−ＮａＦ）からなり、
第２クラッド22は一例としてポリマーからなる。
【００４８】なおコア20は上記ＺＢＬＡＮＰに限らず、
ＺＢＬＡＮや、Ｉｎ／Ｇａ系弗化物ガラス、例えばＩＧ
ＰＺＣＬすなわち（ＩｎＦ３−ＧａＦ３−ＬａＦ３）−
（ＰｂＦ２−ＺｎＦ２）−ＣｄＦ等を用いて形成されて
もよい。
ＺＢＬＡＮや、Ｉｎ／Ｇａ系弗化物ガラス、例えばＩＧ
ＰＺＣＬすなわち（ＩｎＦ３−ＧａＦ３−ＬａＦ３）−
（ＰｂＦ２−ＺｎＦ２）−ＣｄＦ等を用いて形成されて
もよい。
【００４９】集光レンズ12により集光された波長420ｎ
ｍのレーザービーム10は、上記ファイバー13の第１クラ
ッド21に入力され、そこを導波モードで伝搬する。つま
りこの第１クラッド21は、励起光であるレーザービーム
10に対してはコアとして作用する。
ｍのレーザービーム10は、上記ファイバー13の第１クラ
ッド21に入力され、そこを導波モードで伝搬する。つま
りこの第１クラッド21は、励起光であるレーザービーム
10に対してはコアとして作用する。
【００５０】レーザービーム10は、このように伝搬する
間にコア20の部分も通過する。コア20においては、入射
したレーザービーム10によってＨｏ３＋が励起され、
５Ｓ ２ → ５Ｉ８ の遷移によって波長550ｎｍの
蛍光が生じる。この蛍光はコア20を導波モードで伝搬す
る。
間にコア20の部分も通過する。コア20においては、入射
したレーザービーム10によってＨｏ３＋が励起され、
５Ｓ ２ → ５Ｉ８ の遷移によって波長550ｎｍの
蛍光が生じる。この蛍光はコア20を導波モードで伝搬す
る。
【００５１】ＺＢＬＡＮＰからなるコア20においては、
その他に、 ５Ｓ２ → ５Ｉ７の遷移による波長750
ｎｍの蛍光等が発生し得る。そこで、ファイバー13の入
射端面13ａには、波長550ｎｍに対してＨＲ（高反射）
で、波長750ｎｍ等の他の蛍光並びに励起波長420ｎｍに
対してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、フ
ァイバー13の出射端面13ｂには、波長550ｎｍの光を１
％だけ透過させるコートが施されている。
その他に、 ５Ｓ２ → ５Ｉ７の遷移による波長750
ｎｍの蛍光等が発生し得る。そこで、ファイバー13の入
射端面13ａには、波長550ｎｍに対してＨＲ（高反射）
で、波長750ｎｍ等の他の蛍光並びに励起波長420ｎｍに
対してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、フ
ァイバー13の出射端面13ｂには、波長550ｎｍの光を１
％だけ透過させるコートが施されている。
【００５２】それにより、上記波長550ｎｍの蛍光はフ
ァイバー13の両端面13ａ、13ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。こうして波長550ｎｍの緑色のレー
ザービーム15が発生し、このレーザービーム15はファイ
バー13の出射端面13ｂから前方に出射する。
ァイバー13の両端面13ａ、13ｂ間で共振して、レーザー
発振を引き起こす。こうして波長550ｎｍの緑色のレー
ザービーム15が発生し、このレーザービーム15はファイ
バー13の出射端面13ｂから前方に出射する。
【００５３】なお本例では、レーザービーム15はコア20
においてシングルモードで、一方励起光であるレーザー
ビーム10は第１クラッド21においてマルチモードで伝搬
する構成とされている。それにより、高出力のブロード
エリア型レーザーダイオード11を励起光源に適用して、
レーザービーム10を高い結合効率でファイバー13に入力
させることが可能となっている。
においてシングルモードで、一方励起光であるレーザー
ビーム10は第１クラッド21においてマルチモードで伝搬
する構成とされている。それにより、高出力のブロード
エリア型レーザーダイオード11を励起光源に適用して、
レーザービーム10を高い結合効率でファイバー13に入力
させることが可能となっている。
【００５４】また、第１クラッド21の断面形状がほぼ矩
形とされているため、レーザービーム10がクラッド断面
内で不規則な反射経路を辿り、コア20に入射する確率が
高められている。
形とされているため、レーザービーム10がクラッド断面
内で不規則な反射経路を辿り、コア20に入射する確率が
高められている。
【００５５】それに加えて波長420ｎｍは、ＧａＮ系レ
ーザーダイオード11の大きな出力が得られる波長帯にあ
るので、コア20における波長420ｎｍのレーザービーム1
0の吸収量が大きくなり、高効率化および高出力化が達
成される。具体的に本実施の形態においては、ファイバ
ー13の長さが１ｍのとき、出力300ｍＷのレーザーダイ
オード11を用いて、出力150ｍＷの緑色のレーザービー
ム15を得ることができた。
ーザーダイオード11の大きな出力が得られる波長帯にあ
るので、コア20における波長420ｎｍのレーザービーム1
0の吸収量が大きくなり、高効率化および高出力化が達
成される。具体的に本実施の形態においては、ファイバ
ー13の長さが１ｍのとき、出力300ｍＷのレーザーダイ
オード11を用いて、出力150ｍＷの緑色のレーザービー
ム15を得ることができた。
【００５６】なお、Ｈｏ３＋がドープされたコア20を持
つファイバー13を用いる場合は、前述の ５Ｓ２ →
５Ｉ７ の遷移によって波長750ｎｍの蛍光も発生し
得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施すコー
トの設定次第で、波長750ｎｍのレーザービームを発振
させることも可能である。
つファイバー13を用いる場合は、前述の ５Ｓ２ →
５Ｉ７ の遷移によって波長750ｎｍの蛍光も発生し
得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施すコー
トの設定次第で、波長750ｎｍのレーザービームを発振
させることも可能である。
【００５７】＜第２の実施の形態＞この第２の実施の形
態によるファイバーレーザーは、図１に示したファイバ
ーレーザーと基本的に同様の構成を有するものであるの
で、以下この図１中の番号を流用して説明する（後述す
る第３〜６の実施の形態も同様）。
態によるファイバーレーザーは、図１に示したファイバ
ーレーザーと基本的に同様の構成を有するものであるの
で、以下この図１中の番号を流用して説明する（後述す
る第３〜６の実施の形態も同様）。
【００５８】このファイバーレーザーは図１に示したフ
ァイバーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20に
ドープされている希土類元素イオン、およびファイバー
13の両端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものであ
る。
ァイバーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20に
ドープされている希土類元素イオン、およびファイバー
13の両端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものであ
る。
【００５９】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー13のコア20にはＳｍ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。またコア20における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
５／２ の遷移を利用して波長566ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長566ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｇ５／ ２ → ６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍ
の蛍光および ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移に
よる波長650ｎｍの蛍光等、並びに励起波長404ｎｍに対
してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、ファ
イバー13の出射端面13ｂには、波長566ｎｍの光を１％
だけ透過させるコートが施されている。そしてここでは
レーザーダイオード11として、発振波長404ｎｍのもの
が用いられている。
ー13のコア20にはＳｍ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。またコア20における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ
５／２ の遷移を利用して波長566ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長566ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｇ５／ ２ → ６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍ
の蛍光および ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移に
よる波長650ｎｍの蛍光等、並びに励起波長404ｎｍに対
してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施され、ファ
イバー13の出射端面13ｂには、波長566ｎｍの光を１％
だけ透過させるコートが施されている。そしてここでは
レーザーダイオード11として、発振波長404ｎｍのもの
が用いられている。
【００６０】この構成においては、ファイバー13の長さ
が１ｍのとき、出力200ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力110ｍＷの波長566ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
が１ｍのとき、出力200ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力110ｍＷの波長566ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
【００６１】なお、Ｓｍ３＋がドープされたコア20を持
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｇ５／２
→ ６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍの蛍光や、
４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長65
0ｎｍの蛍光も発生し得るので、ファイバー13の両端面1
3ａ、13ｂに施すコートの設定次第で、波長615ｎｍのレ
ーザービームや波長650ｎｍのレーザービームを発振さ
せることも可能である。
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｇ５／２
→ ６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍの蛍光や、
４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長65
0ｎｍの蛍光も発生し得るので、ファイバー13の両端面1
3ａ、13ｂに施すコートの設定次第で、波長615ｎｍのレ
ーザービームや波長650ｎｍのレーザービームを発振さ
せることも可能である。
【００６２】＜第３の実施の形態＞この第３の実施の形
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
【００６３】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー13のコア20にはＥｕ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の
遷移によって波長589ｎｍのレーザービームを発生させ
るために、ファイバー13の入射端面13ａには、波長589
ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の遷移による蛍光、
並びに励起波長394ｎｍに対してＡＲ（無反射）となる
特性のコートが施され、ファイバー13の出射端面13ｂに
は、波長589ｎｍの光を１％だけ透過させるコートが施
されている。そしてここではレーザーダイオード11とし
て、発振波長394ｎｍのものが用いられている。
ー13のコア20にはＥｕ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の
遷移によって波長589ｎｍのレーザービームを発生させ
るために、ファイバー13の入射端面13ａには、波長589
ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の遷移による蛍光、
並びに励起波長394ｎｍに対してＡＲ（無反射）となる
特性のコートが施され、ファイバー13の出射端面13ｂに
は、波長589ｎｍの光を１％だけ透過させるコートが施
されている。そしてここではレーザーダイオード11とし
て、発振波長394ｎｍのものが用いられている。
【００６４】この構成においては、ファイバー13の長さ
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力40ｍＷの波長589ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力40ｍＷの波長589ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
【００６５】＜第４の実施の形態＞この第４の実施の形
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
【００６６】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー13のコア20にはＤｙ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２の遷移を利用して波長572ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長572ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｆ ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎ
ｍの蛍光等、並びに励起波長390ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー13の出
射端面13ｂには、波長572ｎｍの光を１％だけ透過させ
るコートが施されている。そしてここではレーザーダイ
オード11として、発振波長390ｎｍのものが用いられて
いる。
ー13のコア20にはＤｙ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２の遷移を利用して波長572ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長572ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｆ ９／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎ
ｍの蛍光等、並びに励起波長390ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー13の出
射端面13ｂには、波長572ｎｍの光を１％だけ透過させ
るコートが施されている。そしてここではレーザーダイ
オード11として、発振波長390ｎｍのものが用いられて
いる。
【００６７】この構成においては、ファイバー13の長さ
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力50ｍＷの波長572ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力50ｍＷの波長572ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
【００６８】なお、Ｄｙ３＋がドープされたコア20を持
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｆ９／２
→ ６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎｍの蛍光も
発生し得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施
すコートの設定次第で、波長664ｎｍのレーザービーム
を発振させることも可能である。
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｆ９／２
→ ６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎｍの蛍光も
発生し得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施
すコートの設定次第で、波長664ｎｍのレーザービーム
を発振させることも可能である。
【００６９】＜第５の実施の形態＞この第５の実施の形
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
【００７０】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー13のコア20にはＥｒ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ２Ｈ９／２ → ４Ｉ
１３／２の遷移を利用して波長554ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長554ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｓ ３／２ → ４Ｉ１５／２ の遷移による波長540ｎ
ｍの蛍光等、並びに励起波長406ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー13の出
射端面13ｂには、波長554ｎｍの光を１％だけ透過させ
るコートが施されている。そしてここではレーザーダイ
オード11として、発振波長406ｎｍのものが用いられて
いる。
ー13のコア20にはＥｒ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ２Ｈ９／２ → ４Ｉ
１３／２の遷移を利用して波長554ｎｍのレーザービー
ムを発生させるために、ファイバー13の入射端面13ａに
は、波長554ｎｍに対してＨＲ（高反射）で、他の ４
Ｓ ３／２ → ４Ｉ１５／２ の遷移による波長540ｎ
ｍの蛍光等、並びに励起波長406ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施され、ファイバー13の出
射端面13ｂには、波長554ｎｍの光を１％だけ透過させ
るコートが施されている。そしてここではレーザーダイ
オード11として、発振波長406ｎｍのものが用いられて
いる。
【００７１】この構成においては、ファイバー13の長さ
が１ｍのとき、出力200ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力120ｍＷの波長554ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
が１ｍのとき、出力200ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力120ｍＷの波長554ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
【００７２】なお、Ｅｒ３＋がドープされたコア20を持
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｓ３／２
→ ４Ｉ１５／２ の遷移による波長540ｎｍの蛍光も
発生し得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施
すコートの設定次第で、波長540ｎｍのレーザービーム
を発振させることも可能である。
つファイバー13を用いる場合は、前述の ４Ｓ３／２
→ ４Ｉ１５／２ の遷移による波長540ｎｍの蛍光も
発生し得るので、ファイバー13の両端面13ａ、13ｂに施
すコートの設定次第で、波長540ｎｍのレーザービーム
を発振させることも可能である。
【００７３】また、このＥｒ３＋がドープされたコア20
を持つファイバー13を用いる場合、その励起波長は上述
の406ｎｍの他に、380ｎｍとすることもできる。
を持つファイバー13を用いる場合、その励起波長は上述
の406ｎｍの他に、380ｎｍとすることもできる。
【００７４】＜第６の実施の形態＞この第６の実施の形
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
態によるファイバーレーザーも、図１に示したファイバ
ーレーザーと比べると、ファイバー13のコア20にドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー13の両
端面13ａ、13ｂに施すコートが異なるものである。
【００７５】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー13のコア20にはＴｂ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷
移によって波長540ｎｍのレーザービームを発生させる
ために、ファイバー13の入射端面13ａには、波長540ｎ
ｍに対してＨＲ（高反射）で、他の遷移による蛍光、並
びに励起波長380ｎｍに対してＡＲ（無反射）となる特
性のコートが施され、ファイバー13の出射端面13ｂに
は、波長540ｎｍの光を１％だけ透過させるコートが施
されている。そしてここではレーザーダイオード11とし
て、発振波長380ｎｍのものが用いられている。
ー13のコア20にはＴｂ３＋が１ａｔ％ドープされてい
る。また、コア20における ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷
移によって波長540ｎｍのレーザービームを発生させる
ために、ファイバー13の入射端面13ａには、波長540ｎ
ｍに対してＨＲ（高反射）で、他の遷移による蛍光、並
びに励起波長380ｎｍに対してＡＲ（無反射）となる特
性のコートが施され、ファイバー13の出射端面13ｂに
は、波長540ｎｍの光を１％だけ透過させるコートが施
されている。そしてここではレーザーダイオード11とし
て、発振波長380ｎｍのものが用いられている。
【００７６】この構成においては、ファイバー13の長さ
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力30ｍＷの波長540ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
が１ｍのとき、出力100ｍＷのＧａＮ系レーザーダイオ
ード11を用いて、出力30ｍＷの波長540ｎｍのレーザー
ビーム15を得ることができた。
【００７７】次に、ファイバーアンプとして構成された
第７〜１２の実施の形態について説明する。
第７〜１２の実施の形態について説明する。
【００７８】＜第７の実施の形態＞図３は、本発明の第
７の実施の形態によるファイバーアンプを示すものであ
る。このファイバーアンプは、励起光としての波長420
ｎｍのレーザービーム10を発するレーザーダイオード11
と、発散光であるレーザービーム10を平行光化するコリ
メーターレンズ50と、平行光となったレーザービーム10
を集光する集光レンズ51と、Ｈｏ３＋がドープされたコ
アを持つファイバー53とを有している。
７の実施の形態によるファイバーアンプを示すものであ
る。このファイバーアンプは、励起光としての波長420
ｎｍのレーザービーム10を発するレーザーダイオード11
と、発散光であるレーザービーム10を平行光化するコリ
メーターレンズ50と、平行光となったレーザービーム10
を集光する集光レンズ51と、Ｈｏ３＋がドープされたコ
アを持つファイバー53とを有している。
【００７９】またコリメーターレンズ50と集光レンズ51
との間には、ビームスプリッタ52が配されている。そし
てこのビームスプリッタ52の図中下方には、波長550ｎ
ｍのレーザービーム55を発するＳＨＧ（第２高調波発
生）レーザー56が配設されている。このレーザービーム
55はコリメーターレンズ57によって平行光化され、平行
光となったレーザービーム55は上記ビームスプリッタ52
に入射する。
との間には、ビームスプリッタ52が配されている。そし
てこのビームスプリッタ52の図中下方には、波長550ｎ
ｍのレーザービーム55を発するＳＨＧ（第２高調波発
生）レーザー56が配設されている。このレーザービーム
55はコリメーターレンズ57によって平行光化され、平行
光となったレーザービーム55は上記ビームスプリッタ52
に入射する。
【００８０】ファイバー53は、基本的には図２に示され
たファイバー13と同様の構成を有するが、その端面53ａ
および53ｂには、以上述べた各波長に対してＡＲ（無反
射）となる特性のコートが施されている。
たファイバー13と同様の構成を有するが、その端面53ａ
および53ｂには、以上述べた各波長に対してＡＲ（無反
射）となる特性のコートが施されている。
【００８１】一方ＳＨＧレーザー56は、基本波光源とし
てのＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）レーザーダイオード
から発せられた波長1100ｎｍのレーザービームを、周期
ドメイン反転構造を有する非線形光学材料からなる光導
波路に入射させて、１／２の波長つまり550ｎｍのレー
ザービーム55を得るものである。
てのＤＢＲ（分布ブラッグ反射型）レーザーダイオード
から発せられた波長1100ｎｍのレーザービームを、周期
ドメイン反転構造を有する非線形光学材料からなる光導
波路に入射させて、１／２の波長つまり550ｎｍのレー
ザービーム55を得るものである。
【００８２】このレーザービーム55はビームスプリッタ
52で反射して、レーザービーム10とともにファイバー53
に入射する。ファイバー53においては、第１の実施の形
態で説明した通り、レーザービーム10により励起されて
波長550ｎｍの蛍光が生じる。レーザービーム55は、そ
れと同波長の上記蛍光からエネルギーを受けて増幅さ
れ、ファイバー53の出射端面53ｂから前方に出射する。
52で反射して、レーザービーム10とともにファイバー53
に入射する。ファイバー53においては、第１の実施の形
態で説明した通り、レーザービーム10により励起されて
波長550ｎｍの蛍光が生じる。レーザービーム55は、そ
れと同波長の上記蛍光からエネルギーを受けて増幅さ
れ、ファイバー53の出射端面53ｂから前方に出射する。
【００８３】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力60ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力60ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
【００８４】なお、ＳＨＧレーザー56の基本波光源であ
る上記ＤＢＲレーザーダイオードに変調機能を付加させ
ることにより、ファイバー53から増幅して取り出される
レーザービーム55を変調することも可能である。
る上記ＤＢＲレーザーダイオードに変調機能を付加させ
ることにより、ファイバー53から増幅して取り出される
レーザービーム55を変調することも可能である。
【００８５】また、Ｈｏ３＋がドープされたコアを持つ
ファイバー53を用いる場合は、前述の ５Ｓ２ → ５
Ｉ７ の遷移によって波長750ｎｍの蛍光も発生し得る
ので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施すコートの
設定次第で、波長750ｎｍのレーザービームを増幅する
ことも可能である。
ファイバー53を用いる場合は、前述の ５Ｓ２ → ５
Ｉ７ の遷移によって波長750ｎｍの蛍光も発生し得る
ので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施すコートの
設定次第で、波長750ｎｍのレーザービームを増幅する
ことも可能である。
【００８６】＜第８の実施の形態＞この第８の実施の形
態によるファイバーアンプは、図３に示したファイバー
アンプと基本的に同様の構成を有するものであるので、
以下この図３中の番号を流用して説明する（後述する第
９〜１２の実施の形態も同様）。
態によるファイバーアンプは、図３に示したファイバー
アンプと基本的に同様の構成を有するものであるので、
以下この図３中の番号を流用して説明する（後述する第
９〜１２の実施の形態も同様）。
【００８７】このファイバーアンプは図３に示したファ
イバーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー53の両
端面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
イバーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープ
されている希土類元素イオン、およびファイバー53の両
端面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
【００８８】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー53のコアにはＳｍ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ の遷移で生じ
る蛍光の波長566ｎｍおよび励起波長404ｎｍに対してＡ
Ｒ（無反射）となる特性のコートが施されている。そし
てレーザーダイオード11としては、発振波長404ｎｍの
ものが用いられている。
ー53のコアにはＳｍ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ の遷移で生じ
る蛍光の波長566ｎｍおよび励起波長404ｎｍに対してＡ
Ｒ（無反射）となる特性のコートが施されている。そし
てレーザーダイオード11としては、発振波長404ｎｍの
ものが用いられている。
【００８９】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力100ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力100ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
【００９０】なお、Ｓｍ３＋がドープされたコアを持つ
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｇ５／２ →
６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍの蛍光や、
４Ｆ ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長65
0ｎｍの蛍光も発生し得るので、ファイバー53の両端面5
3ａ、53ｂに施すコートの設定次第で、波長615ｎｍのレ
ーザービームや波長650ｎｍのレーザービームを増幅す
ることも可能である。
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｇ５／２ →
６Ｈ７／２ の遷移による波長615ｎｍの蛍光や、
４Ｆ ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移による波長65
0ｎｍの蛍光も発生し得るので、ファイバー53の両端面5
3ａ、53ｂに施すコートの設定次第で、波長615ｎｍのレ
ーザービームや波長650ｎｍのレーザービームを増幅す
ることも可能である。
【００９１】＜第９の実施の形態＞この第９の実施の形
態によるファイバーアンプも、図３に示したファイバー
アンプと比べると、ファイバー53のコアにドープされて
いる希土類元素イオン、およびファイバー53の両端面53
ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
態によるファイバーアンプも、図３に示したファイバー
アンプと比べると、ファイバー53のコアにドープされて
いる希土類元素イオン、およびファイバー53の両端面53
ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
【００９２】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー53のコアにはＥｕ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移で生じる蛍光
の波長589ｎｍおよび励起波長394ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施されている。そしてレー
ザーダイオード11としては、発振波長394ｎｍのものが
用いられている。
ー53のコアにはＥｕ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移で生じる蛍光
の波長589ｎｍおよび励起波長394ｎｍに対してＡＲ（無
反射）となる特性のコートが施されている。そしてレー
ザーダイオード11としては、発振波長394ｎｍのものが
用いられている。
【００９３】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力50ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力50ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
【００９４】＜第１０の実施の形態＞この第１０の実施
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
【００９５】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー53のコアにはＤｙ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ の遷移で生
じる蛍光の波長572ｎｍおよび励起波長390ｎｍに対して
ＡＲ（無反射）となる特性のコートが施されている。そ
してレーザーダイオード11としては、発振波長390ｎｍ
のものが用いられている。
ー53のコアにはＤｙ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１３／２ の遷移で生
じる蛍光の波長572ｎｍおよび励起波長390ｎｍに対して
ＡＲ（無反射）となる特性のコートが施されている。そ
してレーザーダイオード11としては、発振波長390ｎｍ
のものが用いられている。
【００９６】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力80ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力80ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
【００９７】なお、Ｄｙ３＋がドープされたコアを持つ
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｆ９／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎｍの蛍光も発
生し得るので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施す
コートの設定次第で、波長664ｎｍのレーザービームを
増幅することも可能である。
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｆ９／２ →
６Ｈ１１／２ の遷移による波長664ｎｍの蛍光も発
生し得るので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施す
コートの設定次第で、波長664ｎｍのレーザービームを
増幅することも可能である。
【００９８】＜第１１の実施の形態＞この第１１の実施
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
【００９９】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー53のコアにはＥｒ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移の遷
移で生じる蛍光の波長554ｎｍおよび励起波長406ｎｍに
対してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施されてい
る。そしてレーザーダイオード11としては、発振波長40
6ｎｍのものが用いられている。
ー53のコアにはＥｒ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２ の遷移の遷
移で生じる蛍光の波長554ｎｍおよび励起波長406ｎｍに
対してＡＲ（無反射）となる特性のコートが施されてい
る。そしてレーザーダイオード11としては、発振波長40
6ｎｍのものが用いられている。
【０１００】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力80ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
力が１ｍＷのとき、ファイバー53から出力80ｍＷのレー
ザービーム55を取り出すことができた。
【０１０１】なお、Ｅｒ３＋がドープされたコアを持つ
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｓ３／２ →
４Ｉ１５／２ による波長540ｎｍの蛍光も発生し得
るので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施すコート
の設定次第で、波長540ｎｍのレーザービームを増幅す
ることも可能である。
ファイバー53を用いる場合は、前述の ４Ｓ３／２ →
４Ｉ１５／２ による波長540ｎｍの蛍光も発生し得
るので、ファイバー53の両端面53ａ、53ｂに施すコート
の設定次第で、波長540ｎｍのレーザービームを増幅す
ることも可能である。
【０１０２】また、このＥｒ３＋がドープされたコアを
持つファイバー53を用いる場合、その励起波長は上述の
406ｎｍの他に、380ｎｍとすることもできる。
持つファイバー53を用いる場合、その励起波長は上述の
406ｎｍの他に、380ｎｍとすることもできる。
【０１０３】＜第１２の実施の形態＞この第１２の実施
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
の形態によるファイバーアンプも、図３に示したファイ
バーアンプと比べると、ファイバー53のコアにドープさ
れている希土類元素イオン、およびファイバー53の両端
面53ａ、53ｂに施すコートが異なるものである。
【０１０４】すなわち本実施の形態において、ファイバ
ー53のコアにはＴｂ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移で生じる蛍光の
波長540ｎｍおよび励起波長380ｎｍに対してＡＲ（無反
射）となる特性のコートが施されている。そしてレーザ
ーダイオード11としては、発振波長380ｎｍのものが用
いられている。
ー53のコアにはＴｂ３＋が１ａｔ％ドープされている。
またここではファイバー53の両端面53ａ、53ｂに、コア
における ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移で生じる蛍光の
波長540ｎｍおよび励起波長380ｎｍに対してＡＲ（無反
射）となる特性のコートが施されている。そしてレーザ
ーダイオード11としては、発振波長380ｎｍのものが用
いられている。
【０１０５】本実施の形態では、ＳＨＧレーザー56の出
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力70ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
力が1.5ｍＷのとき、ファイバー53から出力70ｍＷのレ
ーザービーム55を取り出すことができた。
【０１０６】なお、励起光源であるＧａＮ系レーザーダ
イオードとしては、ＩｎＧａＮ系材料から活性層を構成
したもの、ＩｎＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成した
もの、そしてＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成したも
のから適宜選択して用いることが可能である。特に、フ
ァイバーコアの吸収帯が長波長側にずれている場合は、
ＩｎＧａＮ系レーザーダイオードと比べてより長波長化
が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ系あるいはＧａＮＡｓ系
レーザーダイオードを用いるのが望ましく、それにより
吸収効率を向上させることができる。
イオードとしては、ＩｎＧａＮ系材料から活性層を構成
したもの、ＩｎＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成した
もの、そしてＧａＮＡｓ系材料から活性層を構成したも
のから適宜選択して用いることが可能である。特に、フ
ァイバーコアの吸収帯が長波長側にずれている場合は、
ＩｎＧａＮ系レーザーダイオードと比べてより長波長化
が実現しやすいＩｎＧａＮＡｓ系あるいはＧａＮＡｓ系
レーザーダイオードを用いるのが望ましく、それにより
吸収効率を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるファイバーレ
ーザーを示す概略側面図
ーザーを示す概略側面図
【図２】図１のファイバーレーザーに用いられたファイ
バーの断面図
バーの断面図
【図３】本発明の第３の実施の形態によるファイバーア
ンプを示す概略側面図
ンプを示す概略側面図
10 レーザービーム（励起光） 11 ＩｎＧａＮ系レーザーダイオード 12 集光レンズ 13 ファイバー 13ａ、13ｂ ファイバーの端面 15 レーザービーム 20 コア 21 第１クラッド 22 第２クラッド 50 コリメーターレンズ 51 集光レンズ 52 ビームスプリッタ 53 ファイバー 53ａ、53ｂ ファイバーの端面 55 レーザービーム 56 ＳＨＧレーザー 57 コリメーターレンズ
フロントページの続き (72)発明者 加藤 隆之 神奈川県足柄上郡開成町宮台798番地 富 士写真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 5F072 AB07 AK06 FF03 PP07 RR03 RR05
Claims (48)
- 【請求項１】 Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファイ
バーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該
ファイバーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７、あるいは
５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によってレーザービーム
を発生させる構成を有することを特徴とするファイバー
レーザー。 - 【請求項２】 前記 ５Ｓ２ → ５Ｉ７ の遷移によ
って波長が740〜760ｎｍのレーザービームを発生させる
構成を有することを特徴とする請求項１記載のファイバ
ーレーザー。 - 【請求項３】 前記 ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によ
って波長が540〜560ｎｍのレーザービームを発生させる
構成を有することを特徴とする請求項１記載のファイバ
ーレーザー。 - 【請求項４】 前記ファイバーが、希土類元素イオンと
してＨｏ３＋のみがコアに添加されたものであることを
特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のファイバ
ーレーザー。 - 【請求項５】 Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファイ
バーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、該
ファイバーにおける ４Ｇ５／２ → ６Ｈ ５／２ 、
４Ｇ５／２ → ６Ｈ７／２ 、あるいは ４Ｆ
３／２ → ６Ｈ １１／２ の遷移によってレーザービ
ームを発生させる構成を有することを特徴とするファイ
バーレーザー。 - 【請求項６】 前記 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２ の
遷移によって波長が556〜576ｎｍのレーザービームを発
生させる構成を有することを特徴とする請求項５記載の
ファイバーレーザー。 - 【請求項７】 前記 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ７／２ の
遷移によって波長が605〜625ｎｍのレーザービームを発
生させる構成を有することを特徴とする請求項５記載の
ファイバーレーザー。 - 【請求項８】 前記 ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２
の遷移によって波長が640〜660ｎｍのレーザービームを
発生させる構成を有することを特徴とする請求項５記載
のファイバーレーザー。 - 【請求項９】 前記ファイバーが、希土類元素イオンと
してＳｍ３＋のみがコアに添加されたものであることを
特徴とする請求項５から８いずれか１項記載のファイバ
ーレーザー。 - 【請求項１０】 Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によ
ってレーザービームを発生させる構成を有することを特
徴とするファイバーレーザー。 - 【請求項１１】 前記 ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移
によって波長が579〜599ｎｍのレーザービームを発生さ
せる構成を有することを特徴とする請求項１０記載のフ
ァイバーレーザー。 - 【請求項１２】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＥｕ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項１０または１１記載のファイバーレ
ーザー。 - 【請求項１３】 Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２ あるいは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２
の遷移によってレーザービームを発生させる構成を有す
ることを特徴とするファイバーレーザー。 - 【請求項１４】 前記 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２ の遷移によって波長が562〜582ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成を有することを特徴とする請
求項１３記載のファイバーレーザー。 - 【請求項１５】 前記 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１１／２ の遷移によって波長が654〜674ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成を有することを特徴とする請
求項１３記載のファイバーレーザー。 - 【請求項１６】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＤｙ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項１３から１５いずれか１項記載のフ
ァイバーレーザー。 - 【請求項１７】 Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ
１５／２ あるいは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２
の遷移によってレーザービームを発生させる構成を有す
ることを特徴とするファイバーレーザー。 - 【請求項１８】 前記 ４Ｓ３／２ → ４Ｉ
１５／２ の遷移によって波長が530〜550ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成を有することを特徴とする請
求項１７記載のファイバーレーザー。 - 【請求項１９】 前記 ２Ｈ９／２ → ４Ｉ
１３／２ の遷移によって波長が544〜564ｎｍのレーザ
ービームを発生させる構成を有することを特徴とする請
求項１７記載のファイバーレーザー。 - 【請求項２０】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項１７から１９いずれか１項記載のフ
ァイバーレーザー。 - 【請求項２１】 Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によ
ってレーザービームを発生させる構成を有することを特
徴とするファイバーレーザー。 - 【請求項２２】 前記 ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移に
よって波長が530〜550ｎｍのレーザービームを発生させ
る構成を有することを特徴とする請求項２１記載のファ
イバーレーザー。 - 【請求項２３】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＴｂ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項２１または２２記載のファイバーレ
ーザー。 - 【請求項２４】 前記ＧａＮ系レーザーダイオードが、
ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからな
る活性層を有するものであることを特徴とする請求項１
から２３いずれか１項記載のファイバーレーザー。 - 【請求項２５】 Ｈｏ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ５Ｓ２ → ５Ｉ７ 、あるいは
５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移によって生じる蛍光の波
長領域に含まれる波長の入射光を増幅する構成を有する
ことを特徴とするファイバーアンプ。 - 【請求項２６】 前記 ５Ｓ２ → ５Ｉ７ の遷移に
よって740〜760ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、こ
の領域に含まれる波長の入射光を増幅することを特徴と
する請求項２５記載のファイバーアンプ。 - 【請求項２７】 前記 ５Ｓ２ → ５Ｉ８ の遷移に
よって540〜560ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、こ
の領域に含まれる波長の入射光を増幅することを特徴と
する請求項２５記載のファイバーアンプ。 - 【請求項２８】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＨｏ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項２５から２７いずれか１項記載のフ
ァイバーアンプ。 - 【請求項２９】 Ｓｍ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ４Ｇ５／２ →
６Ｈ５／２ 、 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ７／２ 、あ
るいは ４Ｆ３／２ → ６Ｈ１１／２ の遷移によっ
て生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増幅
する構成を有することを特徴とするファイバーアンプ。 - 【請求項３０】 前記 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ５／２
の遷移によって556〜576ｎｍの波長領域の蛍光を発生さ
せて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅すること
を特徴とする請求項２９記載のファイバーアンプ。 - 【請求項３１】 前記 ４Ｇ５／２ → ６Ｈ７／２
の遷移によって605〜625ｎｍの波長領域の蛍光を発生さ
せて、この領域に含まれる波長の入射光を増幅すること
を特徴とする請求項２９記載のファイバーアンプ。 - 【請求項３２】 前記 ４Ｆ３／２ → ６Ｈ
１１／２ の遷移によって640〜660ｎｍの波長領域の蛍
光を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増
幅することを特徴とする請求項２９記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項３３】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＳｍ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項２９から３２いずれか１項記載のフ
ァイバーアンプ。 - 【請求項３４】 Ｅｕ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移によ
って生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増
幅する構成を有することを特徴とするファイバーアン
プ。 - 【請求項３５】 前記 ５Ｄ０ → ７Ｆ２ の遷移
によって579〜599ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、
この領域に含まれる波長の入射光を増幅することを特徴
とする請求項３４記載のファイバーアンプ。 - 【請求項３６】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＥｕ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項３４または３５記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項３７】 Ｄｙ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２ あるいは ４Ｆ９／２ → ６Ｈ１１／２
の遷移によって生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の
入射光を増幅する構成を有することを特徴とするファイ
バーアンプ。 - 【請求項３８】 前記 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１３／２ の遷移によって562〜582ｎｍの波長領域の蛍
光を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増
幅することを特徴とする請求項３７記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項３９】 前記 ４Ｆ９／２ → ６Ｈ
１１／２ の遷移によって654〜674ｎｍの波長領域の蛍
光を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増
幅することを特徴とする請求項３７記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項４０】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＤｙ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項３７から３９いずれか１項記載のフ
ァイバーアンプ。 - 【請求項４１】 Ｅｒ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ４Ｓ３／２ → ４Ｉ
１５／２ あるいは ２Ｈ９／２ → ４Ｉ１３／２
の遷移によって生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の
入射光を増幅する構成を有することを特徴とするファイ
バーアンプ。 - 【請求項４２】 前記 ４Ｓ３／２ → ４Ｉ
１５／２ の遷移によって530〜550ｎｍの波長領域の蛍
光を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増
幅することを特徴とする請求項４１記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項４３】 前記 ２Ｈ９／２ → ４Ｉ
１３／２ の遷移によって544〜564ｎｍの波長領域の蛍
光を発生させて、この領域に含まれる波長の入射光を増
幅することを特徴とする請求項４１記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項４４】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＥｒ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項４１から４３いずれか１項記載のフ
ァイバーアンプ。 - 【請求項４５】 Ｔｂ３＋が添加されたコアを持つファ
イバーをＧａＮ系レーザーダイオードによって励起し、
該ファイバーにおける ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移によ
って生じる蛍光の波長領域に含まれる波長の入射光を増
幅する構成を有することを特徴とするファイバーアン
プ。 - 【請求項４６】 前記 ５Ｄ４ → ７Ｆ５ の遷移に
よって530〜550ｎｍの波長領域の蛍光を発生させて、こ
の領域に含まれる波長の入射光を増幅することを特徴と
する請求項４５記載のファイバーアンプ。 - 【請求項４７】 前記ファイバーが、希土類元素イオン
としてＴｂ３＋のみがコアに添加されたものであること
を特徴とする請求項４５または４６記載のファイバーア
ンプ。 - 【請求項４８】 前記ＧａＮ系レーザーダイオードが、
ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからな
る活性層を有するものであることを特徴とする請求項２
５から４７いずれか１項記載のファイバーアンプ。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153578A JP2002353541A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
| US10/143,806 US6816532B2 (en) | 2001-05-15 | 2002-05-14 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of ho3+, sm3+, eu3+, dy3+, er3+, and tb3+is excited with gan-based compound laser diode |
| US10/952,768 US7154930B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US10/952,717 US7411990B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US10/952,748 US7418023B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, SM3+, EU3+, DY3+, ER3+ and TB3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US10/952,733 US7356065B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US10/952,719 US7403554B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
| US10/952,760 US7362789B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-09-30 | Laser-diode-excited laser apparatus, fiber laser apparatus, and fiber laser amplifier in which laser medium doped with one of Ho3+, Sm3+, Eu3+, Dy3+, Er3+, and Tb3+ is excited with GaN-based compound laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153578A JP2002353541A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008024587A Division JP2008147699A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
| JP2008024586A Division JP2008147698A (ja) | 2008-02-04 | 2008-02-04 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353541A true JP2002353541A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=18998072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001153578A Pending JP2002353541A (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-23 | ファイバーレーザーおよびファイバーアンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353541A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| JP2008023262A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
-
2001
- 2001-05-23 JP JP2001153578A patent/JP2002353541A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103704A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
| JP2008023262A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置、レーザディスプレイ、内視鏡 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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| A02 | Decision of refusal |
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