JP2001031403A - 水素製造装置 - Google Patents

水素製造装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 水素透過性の仕切り壁の耐久性を向上し、改
質触媒の均一充填を図り、高純度の水素を製造可能とし
た水素製造装置を提供する。 【解決手段】 水素透過性の仕切り壁34を有する水素
製造装置において、成形した板状の改質触媒126を用
いた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素製造装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】水素製造装置では、メタンやメタノール
などの炭化水素や含酸素炭化水素からなる原料ガスを、
水蒸気改質反応とCOシフト反応によって、主に水素と
二酸化炭素を生成させ、水素を選択的に分離し回収して
いる。従来の水素製造装置の一例を図13、図14に示
す。図13は、軸心を含む平面で切断した水素製造装置
の斜視図であり、図14は、軸心に直交する平面で切断
した断面図である。図13に示すように、水素製造装置
10は、底部12を閉じた外筒14と、その内側に順次
配設された中筒16及び内筒18とを備えている。外筒
14、中筒16および内筒18とも直立円筒形をなして
いる。そして、これらの筒14、16、18の間に、第
1空間部20、第2空間部26、第3空間部33が形成
されている。
【0003】中筒16と内筒18との間の第2空間部2
6は、環状であり、その上部に予備改質部25を備え
る。そして、下方には選択的に水素を透過する金属膜を
有する複数の水素透過直方体34を第2空間部26と同
心状に配設している。さらに、第2空間部26内で水素
透過直方体34が画成する第3空間部33には各々スイ
ープガス管38を挿入している。一方、燃焼バーナ46
が燃料ガス管48を介して導入された燃料ガスを空気取
り入れ管50を介して取り入れた空気によって燃焼でき
るようになっている。これによって、水蒸気改質反応に
必要な熱エネルギーを改質触媒を充填した触媒層26A
に供給して所定温度に維持する。燃焼ガスは、内筒22
の中空部22,外筒14の底部12と環状底部24との
間の空間、次いで環状の第1空間部20を経て燃焼ガス
出口52から外部に排出される。その間に、触媒層26
Aを加熱する。
【0004】また、軽質炭化水素またはメタノールガス
と水蒸気との混合ガスからなるプロセスフィードガスが
第2空間部26の上部に設けられたフィードガス入口5
4から導入されて予備改質部25でプロセスフィードガ
スの一部が水素に転化し、さらに触媒層26Aに流入し
て高温下で水素に転化する。生成した水素は、水素透過
直方体34により選択的に分離、収集され、第3空間部
33を経由して、その上部に設けられた水素出口56か
らスイープガスと共に流出する。スイープガスは、装置
上部のスイープガス入口58から送入されスイープガス
管38を流下し、次いで下端開口から第3空間部33に
流入し、水素をスイープしながら透過水素を同伴して上
昇し水素抜出管39を経由して水素出口56から流出す
る。スイープガスを流通して水素を押し出すように同伴
流出させることにより、第3空間部33の透過側の水素
分圧が低く維持される。スイープガスとしては、例えば
水蒸気、N 等のイナートガスが使用される。一方、触
媒層26Aを通過した未反応の原料ガス、生成したC
O、CO ガスは、触媒層26Aの下部に開口を有する
オフガス管60を経由してオフガス出口62より系外に
排出される。
【0005】上記したような水素製造装置10で使用さ
れる改質触媒は、粒子状のものが一般的である。また、
水素透過性の金属膜は、薄いほど高性能であり、特開平
6−321503号等で明らかなように厚さは5〜50
μmと非常に薄い無孔質薄膜である。このような、従来
の粒子状改質触媒と水素透過性の金属薄膜との組み合わ
せを用いた水素製造装置は、以下の点が指摘されてお
り、高純度の水素を効率良く製造するためには改良が望
まれたいた。
【0006】(1) プロセスガスは、粒子状改質触媒層2
6Aを流れるが、この場合、流れに垂直方向の混合拡
散、特に金属膜近傍と触媒層26Aの中央部とのガスの
混合拡散が促進されにくいため、金属膜近傍に水素の濃
度勾配が生じ、水素透過速度の低下、ひいては反応速度
の低下の原因となっている。 (2) 水素透過性の金属膜が、粒子状改質触媒との接触に
より損傷する可能性がある。 (3) 粒子状改質触媒の直径は1mm〜10mmのものが
多く水素透過性の金属膜との隙間に充填する際、粒子の
架橋により均一充填が困難である。充填が不十分であれ
ば改質反応が進行せず、水素製造装置として著しく性能
低下を起こす要因となる。 (4) 粒子状改質触媒の担体は、通常セラミック球である
ため重量が大きくなり起動時間が長い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
対してなされたものであり、水素透過性の仕切り壁の耐
久性を向上し、改質触媒の均一充填を図り、高純度の水
素を製造可能とした水素製造装置を提供することを目的
とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る水素製造装置は、水素透過性の仕切り
壁を有する水素製造装置において、成形した板状の改質
触媒を用いたことを特徴とする。上記改質触媒は、好適
には、厚さが0.05mm〜1mmのステンレス鋼、炭
素鋼、合金鋼等のメタル上に、Ni系触媒、Ru系触媒
等を担持させることによって得ることができる。あるい
は、コージェライト、ムライト、アルミナ、シリカ等の
セラミック製担体上に上記触媒を担持させることによっ
て得ることができる。担持する方法は、公知の方法を用
いることができる。
【0009】また、上記板状の改質触媒は、水素透過性
の金属膜近傍に設置することが好適である。その際、水
素透過性の金属膜と板状の改質触媒との距離を適切に保
つことが好適である。上記触媒は、水素透過性の金属膜
を構成する水素透過直方体の金属部もしくはスペーサに
溶接等で固定することが好ましい。上記金属膜は、P
d、Pd含有合金、Nb合金、V合金から成る水素透過
膜と金属多孔材から成る支持板で構成することが好まし
い(特開平8−73201号公報)。また、上記板状触
媒は、ガス流れの上昇方向に対して並行しない凹凸を複
数段設けた形状とし、原料ガスの流れに垂直方向の混合
を促進させ効率良く反応を促進するようにすることが好
ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に添付図面に示した実施の形
態を参照しながら、本発明に係る水素製造装置を説明す
る。本発明に係る水素製造装置の一実施の形態を図1、
図2に示す。図1は、軸心を含む平面で切断した水素製
造装置の斜視図であり、図2は、軸心に直交する平面で
切断した断面図である。図1、図2において、図13、
図14と同一要素には同一符号を付している。同一要素
は、図13、図14について説明したと同様の機能をは
たす。本実施の形態では、環状の第2空間部26に配列
した水素透過直方体34の上に予備改質部25を設け、
従来と同様に粒子触媒を充填している。なお、図1、図
2は、概念的なものであり、底部12、外筒14、中筒
16、内筒18、水素透過直方体34等は、断面肉厚を
省略して便宜的に実線で表わしている。
【0011】図3に、水素透過直方体34と板状改質触
媒126を拡大して示す。水素透過直方体34と板状改
質触媒126は、図4に示すように各々一つずつを組み
合わせたユニットとして構成し、第2空間部26に組み
込むことが好適である。図4のユニットで見て、水素透
過直方体34は、板状触媒126に近い内側の壁28と
隣接するユニットに近い外側の壁32を備える。これら
は水素透過性の金属膜で構成されている。これら壁3
2、34は、互いに上下方向の縦壁35、36、図1に
示す底壁37によって第3空間部33を画成している。
上端の壁面は、水素抜出管39に接続している。
【0012】さらに、図4に示すように、このユニット
はスペーサ127を備える。図3に示すように、このス
ペーサ127は、水素透過直方体34の長手方向に延長
している。好適には、このスペーサ127は、図4に示
すように板状触媒126と水素透過直方体34に溶接等
の固定手段によって固定される。これによって、まず各
ユニットにおいて、図4に示すように、各水素透過直方
体34と板状触媒126との間にスペーサ127が介在
するようになる。さらに、外側の壁32のスペーサ12
7が、ユニットを第2空間部26に組み込んだ際、隣接
する板状触媒126との間にも介在することとなる。
【0013】以上のような構成によって、各ユニットを
第2空間部26に組み込んだ際、スペーサ127によっ
て、各水素透過直方体34と板状触媒126との間を適
切に離間することができる。これによって、金属膜が板
状触媒との接触によって損傷することがない。また、板
状触媒126は、従来の粒状触媒のような充填の際の均
一性に関する問題点がない。また、セラミックス球のよ
うに重量が大きくないので取り扱いが便利である。な
お、適切に離間するとは、一般的には、スペーサによっ
て、各水素透過直方体34と板状触媒126との間を、
円周方向で見て一定間隔とすることを意味する。
【0014】なお、図3、図4においては、説明の便宜
のために、水素透過直方体34と板状触媒126とを直
方体状に示しているが、実際に組み込む際は、図2に示
すように、水素透過直方体34を断面長方形で、板状の
改質触媒126を断面台形で構成するか、水素透過直方
体34を断面台形で板状の改質触媒126を断面長方形
で構成するか、あるいは両者を断面台形で構成し、水素
透過性の金属膜と改質触媒126との間隔を適切に保つ
ことができる。
【0015】プロセスフィードガスは第2環状空間部2
6の上部に設けられたフィードガス入口54から導入さ
れ、予備改質部25を経由して水素透過直方体34の側
壁28と側壁30の間に流入する。これによって、板状
の改質触媒126として接触し、高温下で水素に転化す
る。板状改質触媒126は、図5に示すような波板状の
外形を備えている。流入したプロセスフィードガスは、
図6に示すように上方から流入する。その際、改質触媒
126の表面と水素透過直方体34との間の流路が、図
示のように急拡大急縮小することにより流れに垂直方向
の水素の混合拡散が促進される。このため、効率的に水
素が分離され反応が進行しする。生成した水素は水素直
方体34により選択的に分離、収集され第3空間部33
を経由して、その上部に設けられた水素出口56からス
イープガスと共に流出する。
【0016】本発明に係る水素製造装置の他の実施の形
態を図7、図8に示す。図7は、軸心を含む平面で切断
した水素製造装置の斜視図であり、図8は、軸心に直交
する平面で切断した断面図である。図7、図8におい
て、図1、図2と同一要素には同一符号を付している。
同一要素は、図1、図2について説明したと同様の機能
をはたす。本実施の形態では、予備改質部25を内筒1
8の内側に仕切筒19を設けて構成している。そして、
この仕切筒19と内筒18との間に形成される空間に、
粒子触媒を充填し、粒子触媒層19Aを構成している。
この実施の形態でも、水素透過直方体34同士の間は、
従来使用していた粒状触媒に代えて板状の改質触媒12
6を水素透過直方体34に添って配列している。この実
施の形態では、粒子触媒層19Aを流下して予備改質を
行った後、上昇流の中で改質触媒126の作用を受け
る。この実施の形態は、バーナ炎輻射による高温部であ
らかじめプロセスフィードガスの一部を水素に転化し、
その際の吸熱により内筒18の極部加熱を防止し第2空
間部の温度を均一に保つ利点を有する。
【0017】さらに他の実施の形態として、図9にスペ
ーサ127を円柱としたものを示す。 この実施の形態
は、水素直方体34の側壁28と側壁32の有効な水素
透過面積を増加するという利点を有する。また、水素直
方体34自体にスペーサ的突起128をつけたものを図
10に示す。この実施の形態は、一体でスペーサを構成
できるので取り付け作業を省略できるという利点を有す
る。なお、図2、8、9、10は、ユニットの最小単位
である水素透過直方体34と板状の改質触媒126を一
対としているが、第2空間部26に組込む製作時には、
さらに複数を組み合わすことにより製作を容易にするこ
とが可能である。
【0018】上記板状の改質触媒126の素材は、ステ
ンレス等金属製の表面を触媒化したもの、あるいはコー
ジェライトのように多孔質基材が好適である。改質触媒
126の材形は、図5の波板状の形態に限らず、図1
1、図12に示すように他にも断面凹凸状のものや、四
角柱を連続したものを採用することができる。すなわ
ち、改質触媒表面と水素透過直方体の流路が急拡大急縮
小することにより、効率的に反応が進行すると同時に生
成した水素を選択的に分離、収集することができれば、
本発明に採用することができる。
【0019】
【発明の効果】上記したところから明かなように、本発
明によれば、水素透過性の仕切り壁の耐久性を向上し、
改質触媒の均一充填を図り、高純度の水素を製造可能と
した水素製造装置が提供される。すなわち、本発明に係
る水素製造装置は、上述の構成により得られる以下の利
点を備えて、高純度の水素を経済的に製造する工業的規
模の水素製造装置を実現している。
【0020】(1)板状改質触媒と水素透過性の金属膜を
構成する水素透過部を組み合わすことにより、水素製造
装置の製作が容易となり、製作コストを低減できる。 (2) このように組み合わせることにより、改質触媒の均
一な充填が可能となり、プロセスフィードガスの偏流に
よる性能低下を防止できる。 (3) スペーサを介することができるので、これにより水
素透過性の金属膜と板状の改質触媒が接触しないため、
水素透過性の金属膜の耐久性を大幅に向上させることが
できる。 (4) この結果、高純度水素を長期に渡り製造する事が可
能である。 (5) 改質触媒重量が小さくなり、短時間で起動が可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
ついて、軸心を含む平面で切断した水素製造装置の斜視
図である。
【図2】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
ついて、軸心に直交する平面で切断した断面図である。
【図3】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
ついて、水素透過直方体と板状の改質触媒を組み合わせ
た状態を説明する拡大斜視図である。
【図4】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
ついて、水素透過直方体と板状の改質触媒を組み合わせ
たユニットを説明する平面図である。
【図5】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
用いられる板状の改質触媒の一形態を説明する斜視図で
ある。
【図6】 本発明に係る水素製造装置の一実施の形態に
ついて、水素透過直方体と板状の改質触媒との間のガス
流れを説明する断面図である。
【図7】 本発明に係る水素製造装置の他の実施の形態
について、軸心を含む平面で切断した水素製造装置の斜
視図である。
【図8】 本発明に係る水素製造装置の他の実施の形態
について、軸心に直交する平面で切断した断面図であ
る。
【図9】 本発明に係る水素製造装置のさらに他の実施
の形態について、水素透過直方体と板状の改質触媒を組
み合わせたユニットを説明する平面図である。
【図10】 本発明に係る水素製造装置のさらに他の実
施の形態について、水素透過直方体と板状の改質触媒を
組み合わせたユニットを説明する平面図である。
【図11】 本発明に係る水素製造装置に用いられる板
状の改質触媒の他の形態を説明する斜視図である。
【図12】 本発明に係る水素製造装置に用いられる板
状の改質触媒のさらに他の形態を説明する斜視図であ
る。
【図13】 従来の水素製造装置の一形態について、軸
心を含む平面で切断した水素製造装置の斜視図である。
【図14】 従来の水素製造装置の一形態について、軸
心に直交する平面で切断した断面図である。
【符号の説明】
10 水素製造装置 12 底部 14 外筒 16 中筒 18 内筒 19 仕切筒 19A 粒子触媒層 20 第1空間部 22 中空部 24 環状底部 26 第2空間部 26A 触媒層 28 内側の壁 32 外側の壁 33 第3空間部 34 水素透過直方体 38 スイープガス管 39 水素抜出管 46 燃焼バーナ 48 燃料ガス管 50 空気取り入れ管 52 燃焼ガス出口 54 フィードガス入口 56 水素出口 58 スイープガス入口 60 オフガス管 62 オフガス出口 126 板状改質触媒 127 スペーサ 128 スペーサ的突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 一登 東京都千代田区丸の内二丁目5番1号 三 菱重工業株式会社内 (72)発明者 太田 洋州 東京都港区海岸一丁目5番20号 東京ガス 株式会社内 (72)発明者 白崎 義則 東京都港区海岸一丁目5番20号 東京ガス 株式会社内 Fターム(参考) 4G040 EA02 EA03 EA06 EB23 EB33 EC08

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水素透過性の仕切り壁を有する水素製造
    装置において、成形した板状の改質触媒を用いたことを
    特徴とする水素製造装置。
  2. 【請求項2】 上記成形した板状の改質触媒を水素透過
    性の金属膜近傍に設置したことを特徴とする請求項1の
    水素製造装置。
  3. 【請求項3】 上記水素透過性の金属膜と板状の改質触
    媒の距離を適切に保つこととしたことを特徴とする請求
    項1又は2の水素製造装置。
  4. 【請求項4】 上記板状の改質触媒を上記水素透過性の
    金属膜を構成する水素透過直方体の金属部もしくはスペ
    ーサに固定したことを特徴とする請求項1〜3のいずれ
    かの水素製造装置。
  5. 【請求項5】 板状触媒は、ガス流れの方向に対して並
    行しない凹凸を複数段設けた形状とし、原料ガスの流れ
    に垂直方向の混合を促進させ効率良く反応を促すことを
    特徴とする請求項1〜4のいずれかの水素製造装置。
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