JP2001015398A - 半導体処理工程制御システム、半導体処理工程制御方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体 - Google Patents

半導体処理工程制御システム、半導体処理工程制御方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体

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JP2001015398A
JP2001015398A JP11186523A JP18652399A JP2001015398A JP 2001015398 A JP2001015398 A JP 2001015398A JP 11186523 A JP11186523 A JP 11186523A JP 18652399 A JP18652399 A JP 18652399A JP 2001015398 A JP2001015398 A JP 2001015398A
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田 悦 生 福
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理工程、制御変数の計算法、処理装置の変
化に柔軟かつ迅速に対応できる半導体処理工程制御シス
テムを提供する 【解決手段】 半導体処理装置及び目的とする処理内容
によらず半導体処理工程の制御を行うプロセス制御本体
部１００と、半導体処理装置及び目的とする処理内容に
適した半導体処理装置の制御条件を求める制御変数計算
プログラム２１０とから、半導体処理工程制御システム
を構成する。制御変数計算プログラム２１０は、必要な
ものをプロセス制御本体部１００にプラグインして使用
される。半導体処理装置やその処理内容が変更された場
合には、制御変数計算プログラム２１０のみを変更すれ
ば足りる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理工程制
御システム、半導体処理工程制御方法、及び、そのため
の処理を記録した記録媒体に関し、特に処理工程、制御
変数の計算法、処理装置の変化に柔軟かつ迅速に対応で
きる半導体処理工程制御システム、半導体処理工程制御
方法、及び、そのための処理を記録した記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置を製造する
には成膜、エッチング、洗浄、検査等多くの処理工程を
経る必要があり、各工程において目標とする処理が行わ
れる。目標とする処理を実現するために各処理装置の制
御条件及びその処理時間を適切に設定する必要がある。
【０００３】例えばある工程において成膜処理を行う場
合には膜の材質（膜種）と膜厚がその処理目標となる。
ここで、特定の半導体に目標とする膜種の成膜を行うこ
とを処理内容と呼ぶこととする。成膜装置の制御条件
（ＣＶＤ装置であれば使用するガス材料、ガスの流量、
温度等の条件）を適切に選択することによって目標とす
る処理内容（目標膜種の成膜）が実現でき、成膜処理を
行っている時間（堆積時間）によって膜厚を制御でき
る。ここで、堆積時間は目標膜厚を成膜レート（単位時
間に成膜される膜厚、すなわち一種の処理速度）で割り
算することで求められる。なお、成膜レートはあらかじ
め装置のメンテナンス時等に測定しておきレートテーブ
ルとして保管されている。
【０００４】また、エッチング処理を行う場合には特定
の半導体に成膜された特定材料の膜をエッチングするこ
とが処理内容で、この処理内容及びエッチングの深さ
（膜厚）が処理目標である。この処理内容を実現するた
めにエッチング装置の制御条件が決定される。また、エ
ッチング時間（処理時間）が、目標とするエッチング深
さ（膜厚）をエッチングレート（単位時間あたりのエッ
チング深さ、すなわち、一種の処理速度）で割り算する
ことで決定される。エッチングレートは成膜の場合と同
様にレートテーブルとして保管されている。
【０００５】複数の処理工程における処理装置の制御条
件、処理時間を管理するために半導体処理工程制御シス
テムが用いられる。ここで、成膜する場合（単一工程の
場合）を処理内容の例にとり、従来の半導体処理工程制
御システムによる工程制御の流れを表す。工程フローを
図２９に示し、工程制御の流れを図３０に示す。
【０００６】図３０に示すように、半導体処理工程制御
システムは工程フロー情報から自工程における処理目標
（この場合は成膜する膜種、膜厚）及び処理装置の制御
条件を読みとる。そして、レートテーブルを参照して目
標膜厚を成膜レートで割り算することで処理時間（この
場合は堆積時間）を求める。この例では、目標膜厚１０
００■を成膜レート１０オングストローム／分で割った
１００分が堆積時間となる。そして、成膜装置またはそ
の制御装置に制御変数（処理装置の制御条件と処理時間
の双方を含めた処理装置の制御に関わる条件設定、以下
も同様）を送って成膜処理を行う。この図３０に示す例
では、目的となる処理工程に対する制御方法は固定的な
ものである。
【０００７】複数の膜を成膜する場合及び複数の膜をエ
ッチングする場合における処理時間の計算方法を図３１
及び図３２に示す。この場合は、成膜又はエッチングす
る膜の材料によって処理装置の制御条件及び処理速度
（成膜レート、エッチングレート等）が異なるためそれ
ぞれの膜を処理する工程毎に処理時間を計算する必要が
ある。
【０００８】半導体処理工程制御システムはハードウェ
アそのもので構成してもよいが、通常は処理工程の変化
等に迅速に対処できるようコンピュータ上のプログラム
（ソフトウェア）として構成できる。これを図３３に示
す。
【０００９】この図３３に示すように、各工程に使用す
る処理装置毎に工程制御プログラムがあり、それぞれの
処理装置を制御している。すなわち、複数の工程制御プ
ログラムの集合によって半導体処理工程制御システムの
機能を実現している。工程やそれに使用する装置が変更
されたときには、それぞれの工程制御プログラムの内容
を変更してこれに対処することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、制御条
件は装置及び処理内容によってのみ決まる固定的なもの
ではなく、また成膜レートは必ずしも一定ではないとい
う問題がある。
【００１１】すなわち、制御条件は処理装置の使用履歴
等により変化しうるものである。また、成膜レートは成
膜する下地の状態によって変化しうるものであり、従っ
て堆積した膜の厚さによって成膜レートが変化すること
もある。
【００１２】このようなことに対処する方法として例え
ば、過去の制御条件を考慮して適切な制御条件を計算す
る方法が特開平８−４５８０４号に開示されており、目
標膜厚から処理時間を計算する方法が特開平６−１９６
４０４号に開示されている。
【００１３】このような制御条件、処理時間の計算方法
は必ずしも決まったものではなく目的とする処理内容等
により変化しうるものである。従来の半導体処理工程制
御システムではこのような制御条件、処理時間の計算法
の変化に柔軟に対処することはできず、計算法を変える
度にプログラム全体を作り直すしかないという問題があ
った。
【００１４】また、処理装置、処理工程の変更（個々の
工程の変更の他、工程の削除、追加を含む）を行う場合
にもプログラム全体の変更を要し、時間がかかるという
問題があった。
【００１５】以上述べたように、従来の半導体処理工程
制御システムでは、処理工程、制御変数の計算法、処理
装置等の変化に迅速に対応できず、結果として半導体装
置の開発の遅れをもたらす可能性があった。
【００１６】そこで、本発明は、前記課題に鑑みてなさ
れたものであり、処理工程、制御変数の計算法、処理装
置の変化に柔軟かつ迅速に対応できる半導体処理工程制
御システムを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体処理工程制御システムは、半導
体処理装置及び処理目標によらず半導体処理工程の制御
を行うプロセス制御本体部と、前記半導体処理装置及び
前処理目標に適合する半導体処理装置の制御変数を求め
る制御変数計算手段であって、前記半導体処理装置及び
前記処理目標に応じて複数存在する前記制御変数計算手
段と、を備えるとともに、前記制御変数計算手段は、前
記プロセス制御本体部と必要に応じて抜き差し可能であ
るよう構成されている、ことを特徴とする。
【００１８】また、本発明に係る半導体処理工程制御シ
ステムは、半導体処理装置及び処理目標によらず半導体
処理工程の制御を行うプロセス制御本体部と、前記半導
体処理装置及び前記処理目標に適合する半導体処理装置
の制御変数を求める複数の制御変数計算手段と、あらか
じめ決められた複数の処理工程に渡る計算手法に従って
前記複数の制御変数計算手段を管理する制御変数計算手
法手段と、を備えるとともに、前記制御変数計算手法手
段は、前記プロセス制御本体部と必要に応じて抜き差し
可能であるよう構成され、前記制御変数計算手段は、前
記制御変数計算手法手段と必要に応じて抜き差し可能で
あるよう構成されている、ことを特徴とする。
【００１９】この場合、前記制御変数計算手段が、前記
半導体処理装置の制御変数の計算を専ら行う制御計算部
と、前記半導体処理装置からの処理データに基づく計算
を専ら行う実処理集計部と、を備えるようにしてもよ
い。
【００２０】また、前記制御変数計算手段が、制御変数
計算処理の流れを管理する計算管理部と、前記計算管理
部により使用される計算式の集合からなる計算式部と、
を備えるようにしてもよい。
【００２１】一方、前記プロセス制御本体部が、プロセ
スフロー情報を取得するフロー情報取得部と、前記プロ
セスフロー情報より前記半導体処理装置、処理内容及び
工程状態を特定する特定情報を取得する工程判断部と、
前記特定情報に基づいてそれに適合する制御変数計算手
段を選択し、起動する制御計算選択実行部と、起動され
た前記制御変数計算手段の計算により得られた制御変数
を受け取り、前記半導体処理装置へ送る制御変数送信部
と、を備えるようにしてもよい。
【００２２】さらに、前記制御変数計算手段が前記特定
情報に基づいて処理速度の情報を取得し、処理速度から
処理時間を計算するようにしてもよい。
【００２３】また、前記制御変数計算手段が処理速度の
情報を取得するに際し、前記特定情報における前記処理
内容から、処理条件及び処理対象膜種を求め、これら処
理条件及び処理対象膜種を基に処理速度の情報を取得す
るようにしてもよい。
【００２４】一方、処理条件に対応した論理ステップ処
理と、この論理ステップ処理に基づいて前記半導体処理
装置の制御に必要なすべての処理ステップからなる物理
ステップ処理との間の対応づけデータを有する対応情報
データ部を、さらに備えるようにしてもよい。
【００２５】また、前記制御変数計算手段は、前記半導
体処理装置による処理データを取得しこれをデータ一時
保管部に保管する機能を有する第１の制御変数計算手段
と、前記データ一時保管部に保管された前記処理データ
に基づき処理工程の一部を省略するか否かを判断する機
能を有する第２の制御変数計算手段と、を備えるように
してもよい。
【００２６】本発明に係る半導体処理制御装置は、工程
の省略判断の要求を受信するスキップ判断要求受信部
と、各工程に対応する工程省略判断ロジックを有する複
数の取り外し可能の判断プラグインと、省略判断対象工
程に対応する判断プラグインを探索するスキップ判断可
否部と、判断プラグインを起動する判断実行部と、判断
プラグインの工程省略判断結果を受信する判断結果受信
部と、工程省略判断結果が工程省略可能と判断したとき
に工程の省略を行うスキップ実行部と、を備えることを
特徴とする。
【００２７】この場合、前記判断プラグインが、工程省
略判断の基準スペックの集合からなるスペックデータベ
ース、前記判断実行部からの指令に従いスペックデータ
ベースより基準スペックを取得しスキップ判断部に送る
スペック探索部と、外部の品質管理データベースより品
質情報を取得しスキップ判断部に送るＱＣ結果抽出部
と、工程省略判断の判断ロジックを有し、前記基準スペ
ックと前記品質情報に基づき工程省略の判断を行うスキ
ップ判断部と、を備えるようにしてもよい。
【００２８】また、工程省略判断の結果を蓄積するノウ
ハウデータベースと、ノウハウデータベースのデータを
外部に送信する送信手段と、をさらに備えるようにして
もよい。
【００２９】本発明に係る半導体処理工程制御方法は、
複数の半導体処理装置を制御する半導体処理工程制御方
法であって、プロセスフロー情報から処理対処となる前
記半導体処理装置、処理内容及び工程状態を特定する特
定情報を取得する工程判断工程と、前記半導体処理装
置、前記処理内容、前記工程状態毎に異なる複数の制御
変数計算の中から、前記特定情報に基づいてそれに適合
する制御変数計算を選択して、計算を行う制御計算選択
実行工程と、前記制御変数計算により得られた制御変数
を受け取り、前記半導体処理装置へ送る制御変数送信工
程と、を備えることを特徴とする。
【００３０】本発明に係る記録媒体は、複数の半導体処
理装置を制御するためのプログラムが記録された記録媒
体であって、プロセスフロー情報から処理対処となる前
記半導体処理装置、処理内容及び工程状態を特定する特
定情報を取得する工程判断工程と、前記半導体処理装
置、前記処理内容、前記工程状態毎に異なる複数の制御
変数計算の中から、前記特定情報に基づいてそれに適合
する制御変数計算を選択して、計算を行う制御計算選択
実行工程と、前記制御変数計算により得られた制御変数
を受け取り、前記半導体処理装置へ送る制御変数送信工
程と、をコンピュータに実行させるためのプログラムを
記録したことを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕本発明の第１の
実施形態はプロセス制御本体部と制御変数計算プログラ
ムからなり、処理工程によって制御変数計算プログラム
を差し替えて使用する半導体処理工程制御システムであ
る。より詳しくを以下に説明する。
【００３２】図１（ａ）に本実施形態の構成ブロックを
示す。プロセス制御本体部１００は、複数の制御変数計
算プログラム２１０を有する制御変数計算部２００と結
合されている。制御変数計算プログラム２１０のそれぞ
れが、本実施形態における制御変数計算手段を構成して
いる。
【００３３】プロセス制御本体部１００は、工程管理部
３００と、１又は複数の半導体製造装置４００や半導体
検査装置４０２に接続されている。半導体製造装置４０
０と半導体検査装置４０２とは、本実施形態における半
導体処理装置を構成している。
【００３４】工程管理部３００は、プロセスフロー全体
を管理する上位システムコンピュータであり、プロセス
本体制御本体部１００に、プロセスフロー情報を送信す
る。このプロセスフロー情報は、コンテキスト情報とも
呼ばれるものであり、半導体製造装置４００や半導体検
査装置４０２で行う処理工程の順序と各処理工程におい
て目標とする処理の内容を示す情報である。
【００３５】プロセス制御本体部１００は半導体製造装
置４００や半導体検査装置４０２やレシピに依存しない
構成部である。制御変数計算プログラム２１０（１）〜
２１０（ｎ）は処理装置の制御変数を計算する計算部で
ある。本実施形態の特徴は、レシピ毎に作成される制御
変数計算プログラム２１０（１）〜２１０（ｎ）のいず
れかを選択して、プロセス制御本体部１００にプラグイ
ンできることにある。つまり、制御変数計算プログラム
２１０（１）〜２１０（ｎ）は、プロセス制御本体部１
００に抜き差し可能に構成されている。ここで、レシピ
とは、ある装置である品種のある処理を行う処理条件で
あり、同じレシピを使用した場合でも、品種やプロセス
フローの中で使う位置や順序が異なれば、制御変数計算
プログラム２１０は異なる場合もある。
【００３６】図１（ｂ）は、プロセスフローと制御変数
計算プログラム２１０の関係を示す図である。工程ｉに
対応して制御変数計算プログラム２１０（ｉ）が適用さ
れている。制御変数計算プログラム２１０の機能はプロ
グラムにより記述することができる。その具体例を図２
に示す。なお、半導体処理のプロセスフロー全体では、
図３に示すように処理（製造）工程の他に検査工程も含
まれることから、ここでは「処理」には検査をも含んで
考えることし、ある工程が検査工程であればそれによっ
ても制御変数計算プログラム２１０（ｉ）は適宜置き換
え使用されるものとする。
【００３７】図４は、本実施形態における半導体処理工
程制御システムのハードウェア構成を示す図である。こ
の図４に示すように、半導体処理工程制御システムは、
プロセス制御主サーバ５１０と、プロセス制御副サーバ
５１２と、ＱＣ（品質管理）データサーバ５２０と、工
程管理サーバ５３０と、装置制御サーバ５４０（１）〜
５４０（ｎ）とを、ネットワークを介して相互接続する
ことにより構成されている。
【００３８】プロセス制御サーバ５１０と、ＱＣデータ
サーバ５２０と、工程管理サーバ５３０には、それぞ
れ、データベースが構築された補助記憶装置が接続され
ている。このとき、プロセス制御本体部１００及び制御
変数計算プログラム２１０はプロセス制御サーバ５１０
に対応しており、工程管理部３００は工程管理サーバ５
３０に対応している。半導体製造装置４００又は半導体
検査装置４０２の制御部は装置制御サーバ５４０に接続
されている。
【００３９】制御変数計算プログラム２１０は、図５
（ａ）及び図５（ｂ）のように、制御変数を計算する手
順・処理の流れを管理する計算管理部２１０Ａと、制御
変数の計算に用いる計算式からなる計算式部２１０Ｂに
分けられている。計算管理部２１０Ａは、装置及びレシ
ピにより異なるため、装置又はレシピ毎に存在する。計
算式部２１０Ｂは、このように制御変数計算プログラム
２１０内で記述できるが、外部のアプリケーションの式
を呼び出して使用することも可能である（外部プログラ
ムとのリンク）。
【００４０】更に、制御変数計算プログラム２１０は、
図６の様に、純粋に処理装置の制御変数の計算のみを行
う制御計算プログラム２１１と、処理装置の処理状況デ
ータの加工、一時的な保存、及びこれらのデータに基づ
く処理装置の装置定数の計算を行う実処理集計プログラ
ム２１２に分離することもできる。この場合でも、制御
計算プログラム２１１及び実処理集計プログラム２１２
はそれぞれ計算管理部２１１Ａ、２１２Ａ及び計算式部
２１１Ｂ、２１２Ｂに区分できる。
【００４１】次にプロセス制御本体部１００の詳細を図
７に示す。この図７に示すように、プロセス制御本体部
１００は、工程判断部１１０、フロー情報取得部１２
０、制御変数送受信部１３０、制御計算選択実行部１４
０、及び、データ一時保管部１５０を備えて構成されて
いる。
【００４２】工程判断部１１０は、フロー情報取得部１
２０、制御変数送受信部１３０及び制御計算選択実行部
１４０と結びつけられている。制御計算選択部１４０は
更に制御変数送受信部１３０及びデータ一時保管部１５
０と結ばれ、この全体としてプロセス制御本体部１００
を構成している。制御計算選択実行部１４０は、複数の
制御変数計算プログラム２１０（１）〜２１０（ｎ）の
中から任意の制御変数計算プログラムを選択してプラグ
インすることが可能である。
【００４３】プロセス制御本体部１００によって制御変
数計算プログラム２１０（１）〜２１０（ｎ）の選択が
行われる。この処理のフローチャートを図８に示す。
【００４４】プロセスフロー情報には、処理を行う対象
の装置又は対象の装置を決定できる情報や、対象の装置
で使用されるレシピ又はレシピを決定できる情報が登録
されている。このため、図８に示すように、工程判断部
１１０は、フロー情報取得部１２０からこのプロセス情
報を取得して、対象となる装置名とレシピ名とを得る
（ステップＳ１０）。続いて、制御計算選択実行部１４
０において、取得した対象の装置名とレシピ名から、装
置とレシピを管理している装置レシピ管理テーブルを用
いて、これに対応する制御変数計算プログラム２１０を
検索する（ステップＳ１１）。すなわち、装置レシピ管
理テーブルは、装置群名、装置名及びレシピ名の組合せ
と、それに該当する制御計算プログラムとの対応関係を
管理しているテーブルである。
【００４５】次に、この検索の結果、対応する制御変数
計算プログラム２１０が存在したかどうかを判断する
（ステップＳ１２）。対応する制御変数計算プログラム
２１０が存在した場合には、その制御変数計算プログラ
ム２１０をメモリ上に呼び出し、計算に必要なパラメー
タを受け渡して制御変数計算プログラムを実行する（ス
テップＳ１３）。
【００４６】制御変数計算プログラムの計算処理が終了
した場合、制御変数計算プログラム２１０が正常に終了
したかどうかを判断する（ステップＳ１４）。正常に終
了していた場合には、制御変数送受信部１３０に計算結
果を出力してこの処理を終了する。また、ステップＳ１
２で対応する制御変数計算プログラム２１０が存在しな
かった場合、又は、ステップＳ１４で制御変数計算プロ
グラム２１０が正常に終了しなかった場合にも、この処
理を終了する。
【００４７】次に、上述した流れを詳細に記述したデー
タフローダイアグラムを示した図９に基づいて、半導体
処理工程制御システムの処理内容について、さらに詳細
に説明する。この図９においては、図６で示したよう
に、制御変数計算プログラム２１０は、制御計算プログ
ラム２１１と実処理集計プログラム２１２とに分けられ
ている。
【００４８】まず、工程管理部３００からプロセスフロ
ー情報がプロセス制御本体部１００のフロー情報取得部
１２０に送信される。フロー情報取得部１２０はこのプ
ロセスフロー情報を工程判断部１１０に送信する。工程
判断部１１０は、このプロセスフロー情報に基づいて、
処理状態や工程、装置などを判断する。この判断された
情報（処理開始などの処理状態、装置など）は、制御計
算選択実行部１４０にわたされる。
【００４９】制御計算選択実行部１４０では、これらプ
ロセス情報、装置、処理状態などの情報に基づいて、制
御計算プログラム２１１を選択し、これを起動する。起
動された制御計算プログラム２１１は、データ一時保管
部１５０内のデータや、ＱＣデータベース２３２内の各
種データを参照し、計算を実行する。この制御計算プロ
グラム２１１により得られた計算結果は、制御計算選択
実行部１４０に送信される。そして、この計算結果は、
制御変数送受信部１３０で各装置に適合した制御パラメ
ータに置き換えられた上で、半導体製造装置４００（又
は半導体検査装置４０２）に送信される。
【００５０】上記の処理において、工程判断部１１０の
判断で処理状態が処理終了及び検査終了であった場合に
は、制御計算選択実行部１４０では実処理集計をするた
めの実処理集計プログラム２１２が起動される。この実
処理集計プログラム２１２には、例えば、装置からある
種の処理データ（例えば膜厚、実処理データ）を取得す
るように記述しておく。
【００５１】このようにすることにより、半導体製造装
置４００（又は半導体検査装置４０２）から制御変数送
受信部１３０は処理データを受信する。この処理データ
は、制御計算選択実行部１４０に送信される。また、必
要に応じてフロー情報取得部１２０は、工程管理部３０
０からプロセスフロー情報を取得する。このプロセスフ
ロー情報には、工程管理情報が含まれている。このた
め、フロー情報取得部１２０は、プロセスフロー情報か
ら工程管理情報を抽出して、制御計算選択実行部１４０
に送信する。
【００５２】制御計算選択実行部１４０はこれら処理デ
ータと工程管理情報の中から、必要な情報を実処理集計
プログラム２１２にわたす。また、実処理集計プログラ
ム２１２は、必要に応じて、ＱＣデータベース２３２か
ら各処理データや装置定数を取得する。そして、実処理
集計プログラム２１２はこの受け取った情報に基づいて
必要なデータ処理や集計を行い、その結果を、データ一
時保管部１５０に格納する。データ一時保管部１５０に
格納された処理データは、上述したように、制御計算プ
ログラム２１１で適宜使用される。
【００５３】次に、図１０に基づいて、本実施形態にお
ける処理の流れを具体例に従い説明する。図１０は成膜
工程において処理時間を計算する場合の処理フローであ
る。プロセスフロー情報から取得したプロセス情報に基
づき制御計算選択実行部１４０は、複数の中から１つの
制御変数計算プログラム２１０を選択する。このときの
制御変数計算プログラム２１０における処理内容は、
（１）プロセスフロー情報から目標膜厚を読みとる、
（２）装置（装置名）、処理内容（レシピ名）より制御
変数を決定し、そのときの成膜レートを読みとる、
（３）計算式に基づき成膜時間を計算する、などであ
る。得られた計算結果は、制御変数送受信部１３０を介
して半導体製造装置４００や半導体検査装置４０２の制
御部にダウンロードされる。
【００５４】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、半導体製造装置４００や
半導体検査装置４０２に依存せずに半導体処理工程の制
御を行うプロセス制御本体部１００と、半導体製造装置
４００や半導体検査装置４０２、及び、それにより行う
処理目標に適合する制御変数を求める制御変数計算プロ
グラム２１０と分けて構成し、必要な制御変数計算プロ
グラム２１０をプロセス制御本体部１００にプラグイン
して使用することとしたので、半導体製造装置４００や
半導体処理装置４０２や処理目標が変更された場合で
も、それらの変更に容易に対応することができる。
【００５５】すなわち、１つの半導体製造装置４００の
処理目標を変更するような場合でも、その半導体製造装
置４００に対応する制御変数計算プログラム２１０のみ
を変更すればよいので、他の半導体製造装置４００や他
の半導体検査装置４０２に影響を及ぼさずにすむ。この
ため、他の半導体製造装置４００や他の半導体検査装置
４０２の稼働を停止せずにシステム変更をすることがで
きる。
【００５６】〔第２実施形態〕本発明の第２の実施形態
はプロセス制御本体部、制御変数計算手法プログラム及
び制御変数計算プログラムからなり、制御変数計算手法
プログラムがそれに接続した複数の制御変数計算プログ
ラムを適宜起動させることで、複数工程にわたる制御を
行えるようにしたものである。より詳しくは以下に説明
する。
【００５７】図１１（ａ）に本実施形態の構成ブロック
を示す。プロセス制御本体部１００に制御変数計算手法
プログラム２２０がプラグインされ、さらにこの制御変
数計算手法プログラム２２０に複数の制御変数計算プロ
グラム２１０がプラグインされる。制御変数計算プログ
ラム２１０は、各工程に対応して設けられている。この
制御変数計算手法プログラム２２０が、本実施形態にお
ける制御変数計算手法手段を構成している。
【００５８】プロセス制御本体部１００と制御変数計算
プログラム２１０は、第１実施形態と同様の機能を有し
ているが、この間に制御変数計算手法プログラム２２０
が加わっている点が異なっている。制御変数計算手法プ
ログラム２２０は複数工程にまたがるプロセス制御のた
めの制御変数計算プログラム２１０を管理する機能を有
している。
【００５９】本実施形態の動作の例を図１１（ｂ）に示
す。この例では工程ｉ、工程ｊ、工程ｋの３工程にわた
る制御変数計算を行っており、制御変数計算手法プログ
ラム２２０はこれら３工程の間の関連情報の管理、制御
変数計算プログラム２１０（ｎ、ｉ）、２１０（ｎ、
ｊ）、２１０（ｎ、ｋ）の適宜な起動を行っている。こ
のように制御変数計算手法プログラム２２０によって、
複数工程のそれぞれに対応した制御変数計算プログラム
２１０を一括して管理できる。制御変数計算手法プログ
ラム２２０は複数の制御変数計算プログラム２１０の結
合及び管理を行うほかに、複数工程にわたる計算手法を
も記述することができることが特徴である。なお、「処
理」には検査をも含んで考えることは第１の実施形態同
様である。
【００６０】制御変数計算プログラム２１０は図１２
（ａ）及び図１２（ｂ）のように制御変数を計算する手
順・処理の流れを管理する計算管理部２１０Ａと制御変
数の計算に用いる計算式部２１０Ｂに分けられることは
第１の実施形態と同様である。制御変数計算手法プログ
ラム２２０には、複数工程にわたる計算の手法を記述す
る複数工程計算手法部２２１が含まれている。計算手法
が異なれば制御変数計算手法プログラム２２０を差し替
えて使用できる。
【００６１】本実施形態において、制御変数計算手法プ
ログラム２２０以外は第１の実施形態と同様であるた
め、他の部分の詳細な説明は省略する。
【００６２】本実施形態における全体のデータの流れを
図１３に示す。ここでは、制御変数計算プログラム２１
０が、第１の実施形態同様に制御計算プログラム２１１
と実処理集計プログラム２１２に分離している。
【００６３】本実施形態における処理の流れを説明す
る。プロセスフロー情報はフロー情報取得部１２０によ
って取得され工程判断部１１０を介して制御計算選択実
行部１４０へ渡される。そして、制御計算選択実行部１
４０の指令に基づいて、制御変数計算手法プログラム２
２０は制御変数計算プログラム２１０（α）を選択し、
適宜起動する。このとき制御変数計算手法プログラム２
２０は、プロセスフロー情報から取得したプロセスフロ
ー情報に基づき、制御変数計算プログラム２１０（α）
を選択する。
【００６４】制御変数計算プログラム２１０（α）は、
上述した第１実施形態における図９で述べたのと同様の
処理を行い、制御計算プログラム２１１（α）から計算
結果を求め、半導体製造装置４００Ａに制御パラメータ
をわたす。また、制御計算プログラム２１１（α）の計
算結果は、データ一時保管部１５０に格納される。
【００６５】半導体製造装置４００Ａから得られた処理
データは、実処理集計プログラム２１２（α）に送信さ
れる。実処理集計プログラム２１２（α）では、この処
理データの集計を行うとともに、その計算結果をデータ
一時保管部１５０に格納する。
【００６６】次に、同様の手順で、制御変数計算手法プ
ログラム２２０は制御変数計算プログラム２１０（β）
を選択し、適宜起動する。この制御変数計算プログラム
２１０（β）における処理内容は半導体検査装置４０２
Ｂから膜厚の検査結果データを取得し、データ一時保管
部１５０に保管するというものである。
【００６７】次工程では、このときのプロセスフロー情
報に基づいて、制御変数計算手法プログラム２２０は制
御変数計算プログラム２１０（γ）を選択し、起動す
る。この例では、制御変数計算プログラム２１０（γ）
は、データ一時保管部１５０に保管された膜厚の検査デ
ータとＱＣデータベースより取得した最新の装置定数
（ここでは処理速度、特にエッチングレート）から、一
定の計算を行いエッチング時間を計算するというもので
ある。この計算結果は制御変数として制御変数送受信部
１３０を介して半導体製造装置４００や半導体検査装置
４０２の制御部に送られる。
【００６８】このとき、制御変数計算手法プログラム２
２０は制御変数計算プログラム２１０（β）と制御変数
計算プログラム２１０（γ）の起動及びそれぞれ間のデ
ータの関連づけを行う。具体的には、制御変数計算手法
プログラム２２０には共有データ情報をデータ一時保管
部１５０へ送信するとともに、データ一時保管部１５０
の管理を行う。また、制御変数計算手法プログラム２２
０は、プログラム起動管理機能部２３４を介して、制御
変数計算プログラム２１０（β）と制御変数計算プログ
ラム２１０（γ）へ、起動制御情報を送信する。起動制
御情報とは、各プログラムを排他起動させるための情報
である。
【００６９】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、プロセス制御本体部１０
０に制御変数計算手法プログラム２２０を抜き差し可能
に構成し、この制御変数計算手法プログラム２２０に制
御変数計算プログラム２１０を抜き差し可能に構成した
ので、複数の工程にまたがる制御を容易に行うことがで
きる。
【００７０】また、上述した第１実施形態と同様に、半
導体製造装置４００や半導体検査装置４０２に依存せず
に半導体処理工程の制御を行うプロセス制御本体部１０
０と、半導体製造装置４００や半導体検査装置４０２、
及び、それにより行う処理目標に適合する制御変数を求
める制御変数計算プログラム２１０及び制御変数計算手
法プログラム２２０と分けて構成し、必要な制御変数計
算プログラム２１０を制御変数計算手法プログラム２２
０を介してプロセス制御本体部１００にプラグインして
使用することとしたので、半導体製造装置４００や半導
体処理装置４０２や処理目標が変更された場合でも、そ
れらの変更に容易に対応することができる。
【００７１】〔第３実施形態〕本発明の第３の実施形態
は半導体処理工程制御システム内に論理ステップ処理と
物理ステップ処理の対応づけを表す対応情報データ部を
設けたものであり、各物理ステップの処理を論理ステッ
プと対応づけることができる。
【００７２】この実施形態の構成は対応情報データ部を
設けた以外には特に第２の実施例と変わることはない。
【００７３】以下、本実施形態において複数の膜のエッ
チング処理を行う場合の例を説明する。図１４はプロセ
スフロー情報と物理ステップ情報（各物理ステップにお
ける制御パラメータの組み合わせ情報）が示され、図１
５には処理時間の計算方法が示されている。
【００７４】これら図１４及び図１５に示すように、プ
ロセスフロー情報には、加工対象である膜Ａ（膜種Ａ
１、膜厚Ａ２）と膜Ｂ（膜種Ｂ１、膜厚Ｂ２）を条件Ｄ
で同時にエッチング処理し、膜Ｃ（膜種Ｃ１、膜厚Ｃ
２）を条件Ｅでエッチング処理する工程が記述されてい
る。つまり、このプロセスフロー情報には、１つの工程
で２つの異なる条件で順にエッチング処理する工程が記
述されている。
【００７５】このときの各処理条件に直結した２つのス
テップを論理ステップという。つまり、この場合、膜Ａ
と膜Ｂを同時エッチング処理するのが１つの論理ステッ
プとなり、膜Ｃをエッチング処理するのが１つの論理ス
テップとなる。この２つの論理ステップの実現は、各エ
ッチング処理の前に処理の安定化を図るステップを加え
た４つの物理ステップを実施することで行われる。
【００７６】対応情報データ部に設けられた論理／物理
ステップ管理テーブルを参照することで、第２物理ステ
ップには第１論理ステップ及び制御条件Ｄが、第４物理
ステップには第２論理ステップ及び制御条件Ｅが、それ
ぞれ対応することが判る。これらの対応づけを基に、Ｑ
Ｃデータベース２３２（図９参照）内のレートテーブル
を参照して、エッチングレートを取得する。そして、目
標エッチング膜厚（深さ）及びエッチングレートから第
１論理ステップ及び第２論理ステップにおけるそれぞれ
の処理時間Ｆ、Ｇが計算される。ここで、この計算式は
制御変数計算プログラム２１０に組み込まれ計算に用い
られる。この算出された処理時間Ｆは第２物理ステップ
の処理時間となり、処理時間Ｇは第３物理ステップの処
理時間となる。
【００７７】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、プロセスフロー情報に示
された論理ステップを、半導体製造装置４００や半導体
検査装置４０２の実際の動作に係る物理ステップと対応
させることができる。このため、半導体製造装置４００
及び半導体検査装置４０２の制御を確実に行うことがで
きる。
【００７８】〔第４実施形態〕本発明の第４の実施形態
は、上述した第２の実施形態を変形して、実処理計算プ
ログラムがその工程を省略しても良いかどうかの判断を
行うものである。
【００７９】この実施形態を具体的に説明するためのプ
ロセスフローを図１６に示し、データの流れを図１７に
示し、使用するコンピュータ・プログラムの例を図１８
に示す。
【００８０】この図１６の例では、プロセスはＣＶＤ成
膜工程と水洗処理工程とダスト検査工程の３つから成り
立っているとする。そして、成膜工程で発生するダスト
を除去する目的で水洗処理工程を行っているが、ダスト
検査工程において検出されるダスト量が少ない場合に水
洗処理工程を省略する判断を行わせることを考える。す
なわち、ダスト検査工程における実処理計算プログラム
２１２（ε）の集計結果において、ダストが所定期間、
一定基準値以下であるような場合には、水洗処理工程を
省略する。つまり、水洗工程をスキップする。
【００８１】図１７に示すように、成膜工程、水洗処理
工程、ダスト検査工程それぞれのプロセスフロー情報
（装置名、レシピ名、処理時間）がフロー情報取得部１
２０により取得され、それぞれ制御計算選択実行部１４
０に送られて、適切な制御変数計算手法プログラム２２
０が選択される。制御変数計算手法プログラム２２０
は、水洗処理工程の制御変数計算プログラム２１０
（δ）を起動する。これにより、水洗処理が半導体製造
装置４００で行われる。その処理データは実処理集計プ
ログラム２１２（δ）で集計される。この実処理集計プ
ログラム２１２（δ）は、データ一時保管部１５０にあ
る前のロットでのダスト量のデータを取得し、適宜設定
された工程省略判断の計算式に基づき工程省略の可否判
断を行う。
【００８２】次の工程では、制御変数計算手法プログラ
ム２２０は制御変数計算プログラム２１０（ε）を起動
する。これにより、ダストの検査が半導体検査装置４０
２で行われる。その処理データはその処理データは実処
理集計プログラム２１２（ε）で集計される。すなわ
ち、この実処理集計プログラム２１２（ε）はダスト検
査装置である半導体検査装置４０２よりダスト量のデー
タを取得する。続いて、この実処理集計プログラム２１
２（ε）は、このダスト両のデータ一時保管部１５０に
保管する。このダスト量のデータは、上述したように後
のロットにおいて水処理工程を省略すべきか否かの判断
に用いられる。
【００８３】このように、２つの実処理集計プログラム
２１２（δ）、２１２（ε）の統合動作は、制御変数計
算手法プログラム２２０によって行われる。この制御変
数計算手法プログラム２２０は、データ一時保管部１５
０の管理や、実処理集計プログラムにプログラム起動管
理機能部２３４を介して送信する。
【００８４】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、検査工程における検査結
果を集計し、この検査結果に基づいてその前の水洗処理
工程等を省くことができるかどうかを自動的に判断する
こととしたので、従来、人間が判断していた水洗処理工
程等を省略することができるかどうかの判断を、システ
ム的に行うことができる。このため、半導体処理工程の
制御のシステム化を推進することができ、ひいては、工
期短縮やコスト低減を図ることができる。
【００８５】〔第５実施形態〕本発明の第５の実施形態
は工程スキップの判断を行う工程スキップの判断部を取
り外し容易な外部プラグインとして設けた工程スキップ
装置である。以下、本実施形態を詳しく説明する。
【００８６】本実施形態の機能ブロックを図１９に示
し、この機能が実現されるコンピュータ（ハードウェ
ア）を図２０に示す。工程スキップ装置７０は、スキッ
プ判断要求受信部７１と、スキップ判断可否部７２と、
判断実行部７３と、 判断結果受信部７４と、スキップ
実行部７５と、判断結果登録部７６と、スキップ条件デ
ータベース７７と、ノウハウデータベース７８とを、備
えている。ここで、工程スキップ装置７０には取り外し
可能な判断プラグイン８０が結合される。また、工程ス
キップ装置７０には、ノウハウデータベース７８を介し
て、外部システム７９が接続されている。
【００８７】本実施形態における動作を具体例に基づい
て以下順に説明する。ロット処理開始情報によるスキッ
プ判断要求がスキップ判断要求受信部７１により受信さ
れる。この要求を基にスキップ判断可否部７２は半導体
装置の品種、工程のスキップ判断に用いる判断プラグイ
ンの名称などが登録されたスキップ条件データベース７
７を検索し、その工程に対応する判断プラグイン８０を
探し出す。
【００８８】検索した情報を受けた判断実行部７３は対
応する判断プラグイン８０を起動し、工程スキップを行
うか否かの判断を実行させる。判断プラグイン８０の判
断結果は判断結果受信部７４により受信され、スキップ
実行部７５によって工程スキップが実行される。さら
に、判断結果登録部部７６はスキップ判断を行った履歴
をノウハウデータベース７８に記録し、外部システム７
９への情報提供を可能にする。
【００８９】次に、図２０に基づいて、本実施形態に係
る工程スキップ装置のハードウェア構成を説明する。本
実施形態に係る工程スキップ装置は、工程スキップ判断
装置９０と、工程進捗端末９１と、工程管理データベー
ス９２と、ＱＣデータベース９３と、外部システム７９
とをネットワークバスを介して相互接続することにより
構成されている。
【００９０】さらに、工程スキップ判断装置９０は、Ｃ
ＰＵ９０ａと、ＲＡＭ９０ｂと、ローカルディスク９０
ｃと、キャッシュデータベース９０ｄと、ノウハウデー
タベース７８とを備えて構成されている。
【００９１】ＣＰＵ９０ａでは、工程スキップ判断プロ
グラムと、判断プラグイン８０のプログラムが実行され
る。ＲＡＭ９０ｂには、工程スキップ判断プログラム
と、判断プラグイン８０のプログラムが格納される。ロ
ーカルディスク９０ｃには、ＯＳや各種のプログラムが
格納されている。キャッシュデータベース９０ｄには、
ＱＣ結果が一時的に保存される。ノウハウデータベース
７８には、工程をスキップするかどうかの判断結果が格
納される。工程管理データベース９２には、工程管理情
報が格納される。ＱＣデータベース９３には、ＱＣデー
タが格納される。
【００９２】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、判断プラグイン８０を工
程スキップ装置７０に抜き差し可能に構成したので、判
断ロジックの変更に容易に対応することができる。
【００９３】〔第６実施形態〕本発明の第６の実施形態
は、取り外し可能な判断プラグインにおいてＱＣ（品質
管理）データの取得及びそのデータに基づく工程スキッ
プの判断を行うようにしたものである。
【００９４】図２１は、本実施形態に係る工程スキップ
装置と判断プラグインの機能ブロックを示す図である。
この図２１に示すように、判断プラグイン８０は、スペ
ックデータベース８１、スペック検索部８２、ＱＣ結果
抽出部８３、スキップ判断部８４、キャッシュデータベ
ース９０ｄを備えて構成されている。ＱＣ結果抽出部８
３には、ＱＣ（品質情報）データベース９３からの情報
が入力される。
【００９５】次に、図２２乃至図２７に基づいて、図２
１を参照しつつ、本実施形態における動作を具体例に基
づいて順に説明する。これら図２２乃至図２７は、本実
施形態における具体的処理の例を示す図である。
【００９６】図２２に示すように、ロット処理開始情報
によるスキップ判断要求がスキップ判断要求受信部７１
により受信される。ここでは半導体の品種ＡＡＡＡの工
程βをスキップするか否かの判断を行うことになる。
【００９７】次に、図２３に示すように、この要求を基
にスキップ判断可否部７２は半導体装置の品種、工程の
スキップ判断に用いる判断プラグインの名称などが登録
されたスキップ条件データベース７７を検索し、その工
程に対応する判断プラグイン８０を探し出す。このスキ
ップ判断データベース７７には半導体の品種、各工程に
対するスキップ判断可否情報（スキップ判断自体を行う
か否かの情報）及びスキップ判断に使用するロジックの
名称（判断プラグイン名）が登録されており、判断プラ
グイン名により判断プラグイン８０は探し出される。こ
の例では、判断プラグイン８０の名称はＳＡＫＵＲＡで
ある。
【００９８】次に、判断実行部７３は対応する判断プラ
グイン８０の中からＳＡＫＵＲＡを起動する。このと
き、判断プラグイン８０の判断ロジックは、図２４のよ
うに判断スペックＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇには具体的な数値が入
っていない。このため、図２５に示すように、スペック
検索部８２は入力情報に基づきスキップ判断の基準とな
る判断スペックをスペックデータベース８１より取得
し、判断ロジックに代入する。この例では、判断対象の
膜厚が４回連続で、１０００〜１１００オングストロー
ムの間に入っていれば、その工程のスキップを許可する
こととしている。
【００９９】次に、図２６に示すように、ＱＣ結果抽出
部８３は対象工程の以前の品質情報をＱＣ（品質管理）
データベース９３より取得し、キャッシュデータベース
８５に登録（保存）する。
【０１００】次に、図２７に示すように、スキップ判断
部８４はキャッシュデータベース８５のデータを参考に
対象工程をスキップするか否かを判断し、判断結果受信
部７４に判断結果を送信する。これを受けてスキップ実
行部７５が工程のスキップを実施する。つまり、この例
では、工程βである処理工程（例えば水洗処理工程）が
スキップされる。
【０１０１】なお、この工程βのスキップを取り消すこ
とができるようにすることも可能である。すなわち、工
程βの次の工程である工程γの検査工程で、所定の基準
範囲を超えるダスト量が検出されたような場合は、工程
βの水洗処理工程をスキップしないようにすることも可
能である。
【０１０２】判断結果登録部部７６によるスキップ判断
を行った履歴は、ノウハウデータベース７８に記録され
る。そして、この履歴はノウハウデータベース７８を介
して、外部システム９０に提供される。この履歴の活用
例を図２８に示す。ここでは、外部システム９０として
ロットスケジュール管理システム９０ａを例に挙げてい
る。ロットスケジュール管理システム９０ａは、このノ
ウハウデータベース７８の履歴に基づいて、再スケジュ
ールを実行する。すなわち、工程βをスキップしたこと
により、全体のプロセスフローの工程数が削減される。
このため、その製品の納期は短くすることが可能にな
る。この図２８の例では、納期がＸＸ日だったのが、工
程βをスキップすることによりＹＹ日になったことを示
している。このように、ノウハウデータベース７８の履
歴情報を活用することにより、高い精度で処理工程のス
ケジュール管理を行うことができる。
【０１０３】以上のように、本実施形態に係る半導体処
理工程制御システムによれば、判断プラグイン８０は過
去の品質情報をＱＣデータベース９３から取得し、スペ
ックデータベース８１の判断スペックに基づいて、この
過去の品質情報が工程スキップの条件を満たすかどうか
を判断することとしたので、仕上がり結果の安定度が高
く、必要のない処理工程をスキップするかどうかの判断
を的確に行うことができる。このため、工期短縮やロッ
ト製造コストの低減を図ることができる。
【０１０４】また、判断プラグイン８０は工程スキップ
装置７０と抜き差し可能に構成されているので、仕上が
り結果からその工程をスキップしてよいかどうかを判断
するロジックを外部から提供することができる。このた
め、判断のロジックの変更や追加を柔軟に行うことがで
きる。
【０１０５】なお、本発明は上記実施形態に限定されず
に種々に変形可能である。例えば、図６に示した制御変
数計算プログラム２１０の制御計算プログラム２１１と
実処理集計プログラム２１２については、不要であれ
ば、少なくとも一方を省略することも可能である。
【０１０６】また、上述した各処理は、その処理に必要
な手順を記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
に記録して頒布することも可能である。この場合、この
記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータに読み
取らせて実行させることにより、本発明に係る半導体処
理工程制御システムを実現することができる。
【０１０７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体処理工程制御システムを半導体処理装置及び処理
目標によらず半導体処理工程の制御を行うプロセス制御
本体部と、半導体処理装置及び処理目標に適合する半導
体処理装置の制御変数を求める制御変数計算手段とに分
けるとともに、制御変数計算手段を、プロセス制御本体
部と必要に応じて抜き差し可能であるよう構成したの
で、処理工程、制御変数の計算法、処理装置の変化に柔
軟かつ迅速に対応できる。このため、半導体装置の多品
種少量生産に際し生産ラインの早期稼働が可能となる。
【０１０８】また、制御変数算出手法手段をプロセス制
御本体部に抜き差し可能に構成し、この制御変数算出手
法手段に制御変数計算手段を抜き差しできるように構成
したので、複数の工程にまたがる制御も各工程毎に分離
して行うことができる。このため、工程間で新規運用や
変更が生じた場合でも、これに対応するための変更を容
易に行うことができるとともに、半導体装置の生産ライ
ンにおける制御変数計算の自動化を迅速に行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る構成ブロック、動作の例を示す図
である。
【図２】本発明に係るプログラムモジュールの例を示す
図である。
【図３】半導体の処理工程フローを示す図である。
【図４】本発明に係るハードウェア構成の例を示す図で
ある。
【図５】本発明に係る制御条件計算部の第１の例を示す
ブロック図である。
【図６】本発明に係る制御条件計算部の第２の例を示す
ブロック図である。
【図７】本発明に係るプロセス制御本体部の詳細を示す
ブロック図である。
【図８】本発明に係るプロセス制御本体部における処理
の流れを示す図である。
【図９】本発明を実施したときのデータの流れを示す図
である。
【図１０】本発明を用いて成膜工程における処理時間を
計算する場合の処理フローを示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る制御変数計算
部の構成ブロック、動作の例を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係るプロセス制御
本体部の詳細を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係るデータの流れ
を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る工程情報と物
理ステップ情報の例を示す図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る処理時間の計
算例を示す図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態に係る工程のフロー
を示す図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態に係るデータの流れ
を示す図である。
【図１８】本発明の第４の実施形態に係るコンピュータ
・プログラムの例を示す図である。
【図１９】本発明の第５の実施形態に係る機能ブロック
を示す図である。
【図２０】本発明の第５の実施形態に係るハードウェア
構成を示す図である。
【図２１】本発明の第５の実施形態に係る機能ブロック
を示す図である。
【図２２】本発明の第５の実施形態においてスキップ判
断要求受信部の動作を示す図である。
【図２３】本発明の第５の実施形態において対象工程ス
キップ判断可否部の動作を示す図である。
【図２４】本発明の第５の実施形態において判断プラグ
インの判断ロジックを示す図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態においてスペック検
索部の動作を示す図である。
【図２６】本発明の第５の実施形態において対象工程Ｑ
Ｃ結果抽出部の動作を示す図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態において対象工程ス
キップ判断部及びスキップ実行部の動作を示す図であ
る。
【図２８】本発明の第５の実施形態においてスキップ判
断を行った履歴をノウハウデータとして記録し、外部装
置に情報提供する場合の動作例を示す図である。
【図２９】従来の実施例における工程フローを示す図で
ある。
【図３０】従来の実施例における工程制御の流れを示す
図である。
【図３１】複数の膜を成膜する場合における従来の処理
時間計算方法を示す図である。
【図３２】複数の膜をエッチングする場合における従来
の処理時間計算方法を示す図である。
【図３３】従来の半導体処理工程制御システムの構成概
念を示す図である。
【符号の説明】
１００ プロセス制御本体部 １１０ 工程判断部 １２０ 工程情報取得部 １３０ 制御変数送受信部 １４０ 制御計算選択部 １５０ データ一時保管部 ２００ 制御変数計算部 ２１０ 制御変数計算プログラム ２１０Ａ 計算管理部 ２１０Ｂ 計算式部 ２１１ 制御計算プログラム ２１２ 実処理集計プログラム ２２０ 制御変数計算手法プログラム ２２１ 複数工程計算手法プログラム ３００ 工程管理部 ４００ 半導体製造装置（半導体処理装置） ４０１ 半導体検査装置（半導体処理装置） ５１０ プロセス制御主サーバ ５２０ ＱＣデータサーバ ５３０ 工程管理サーバ ５４０ 処理装置制御サーバ ７０ 工程スキップ装置 ７１ スキップ判断要求受信部 ７２ スキップ判断可否部 ７３ 判断実行部 ７４ 判断結果受信部 ７５ スキップ実行部 ７６ 判断結果登録部部 ８０ 判断プラグイン ８１ スペックデータベース ８２ スペック検索部 ８３ 結果抽出部 ８４ スキップ判断部 ８５ キャッシュデータベース ９０ 外部システム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福 田 悦 生 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 CA09 5F045 BB08 BB10 GB17 5H215 AA06 BB16 BB18 CC09 CX09 KK01 KK04

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体処理装置及び処理目標によらず半導
    体処理工程の制御を行うプロセス制御本体部と、 前記半導体処理装置及び前処理目標に適合する半導体処
    理装置の制御変数を求める制御変数計算手段であって、
    前記半導体処理装置及び前記処理目標に応じて複数存在
    する制御変数計算手段と、 を備えるとともに、 前記制御変数計算手段は、前記プロセス制御本体部と必
    要に応じて抜き差し可能であるよう構成されている、 ことを特徴とする半導体処理工程制御システム。
  2. 【請求項２】半導体処理装置及び処理目標によらず半導
    体処理工程の制御を行うプロセス制御本体部と、 前記半導体処理装置及び前記処理目標に適合する半導体
    処理装置の制御変数を求める複数の制御変数計算手段
    と、 あらかじめ決められた複数の処理工程に渡る計算手法に
    従って前記複数の制御変数計算手段を管理する制御変数
    計算手法手段と、 を備えるとともに、 前記制御変数計算手法手段は、前記プロセス制御本体部
    と必要に応じて抜き差し可能であるよう構成され、 前記制御変数計算手段は、前記制御変数計算手法手段と
    必要に応じて抜き差し可能であるよう構成されている、 ことを特徴とする半導体処理工程制御システム。
  3. 【請求項３】前記制御変数計算手段が前記半導体処理装
    置の制御変数の計算を専ら行う制御計算部と、 前記半導体処理装置からの処理データに基づく計算を専
    ら行う実処理集計部と、 を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
    の半導体処理工程制御システム。
  4. 【請求項４】前記制御変数計算手段が制御変数計算処理
    の流れを管理する計算管理部と、 前記計算管理部により使用される計算式の集合からなる
    計算式部と、 を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいず
    れかに記載の半導体処理工程制御システム。
  5. 【請求項５】前記プロセス制御本体部がプロセスフロー
    情報を取得するフロー情報取得部と、 前記プロセスフロー情報より前記半導体処理装置、処理
    内容及び工程状態を特定する特定情報を取得する工程判
    断部と、 前記特定情報に基づいてそれに適合する制御変数計算手
    段を選択し、起動する制御計算選択実行部と、 起動された前記制御変数計算手段の計算により得られた
    制御変数を受け取り、前記半導体処理装置へ送る制御変
    数送信部と、 を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理
    工程制御システム。
  6. 【請求項６】前記制御変数計算手段が前記特定情報に基
    づいて処理速度の情報を取得し、処理速度から処理時間
    を計算する機能を有する、 ことを特徴とする請求項５に記載の半導体処理工程制御
    システム。
  7. 【請求項７】前記制御変数計算手段が処理速度の情報を
    取得するに際し、前記特定情報における前記処理内容か
    ら、処理条件及び処理対象膜種を求め、これら処理条件
    及び処理対象膜種を基に処理速度の情報を取得する、 ことを特徴とする請求項６に記載の半導体処理工程制御
    システム。
  8. 【請求項８】処理条件に対応した論理ステップ処理と、
    この論理ステップ処理に基づいて前記半導体処理装置の
    制御に必要なすべての処理ステップからなる物理ステッ
    プ処理との間の対応づけデータを有する対応情報データ
    部を、 備えることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれ
    かに記載の半導体処理工程制御システム。
  9. 【請求項９】前記制御変数計算手段は、 前記半導体処理装置による処理データを取得しこれをデ
    ータ一時保管部に保管する機能を有する第１の制御変数
    計算手段と、 前記データ一時保管部に保管された前記処理データに基
    づき処理工程の一部を省略するか否かを判断する機能を
    有する第２の制御変数計算手段と、 を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいず
    れかに記載の半導体処理工程制御システム。
  10. 【請求項１０】工程の省略判断の要求を受信するスキッ
    プ判断要求受信部と、 各工程に対応する工程省略判断ロジックを有する複数の
    取り外し可能の判断プラグインと、 省略判断対象工程に対応する判断プラグインを探索する
    スキップ判断可否部と、 判断プラグインを起動する判断実行部と、 判断プラグインの工程省略判断結果を受信する判断結果
    受信部と、 工程省略判断結果が工程省略可能と判断したときに工程
    の省略を行うスキップ実行部と、 を備えることを特徴とする半導体処理工程制御システ
    ム。
  11. 【請求項１１】前記判断プラグインが、 工程省略判断の基準スペックの集合からなるスペックデ
    ータベース、 前記判断実行部からの指令に従いスペックデータベース
    より基準スペックを取得しスキップ判断部に送るスペッ
    ク探索部と、 外部の品質管理データベースより品質情報を取得しスキ
    ップ判断部に送るＱＣ結果抽出部と、 工程省略判断の判断ロジックを有し、前記基準スペック
    と前記品質情報に基づき工程省略の判断を行うスキップ
    判断部と、 を備えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体処
    理工程制御システム。
  12. 【請求項１２】工程省略判断の結果を蓄積するノウハウ
    データベースと、 ノウハウデータベースのデータを外部に送信する送信手
    段と、 を備えることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に
    記載の半導体処理工程制御システム。
  13. 【請求項１３】複数の半導体処理装置を制御する半導体
    処理工程制御方法であって、 プロセスフロー情報から処理対処となる前記半導体処理
    装置、処理内容及び工程状態を特定する特定情報を取得
    する工程判断工程と、 前記半導体処理装置、前記処理内容、前記工程状態毎に
    異なる複数の制御変数計算の中から、前記特定情報に基
    づいてそれに適合する制御変数計算を選択して、計算を
    行う制御計算選択実行工程と、 前記制御変数計算により得られた制御変数を受け取り、
    前記半導体処理装置へ送る制御変数送信工程と、 を備えることを特徴とする半導体処理工程制御方法。
  14. 【請求項１４】複数の半導体処理装置を制御するための
    プログラムが記録された記録媒体であって、 プロセスフロー情報から処理対処となる前記半導体処理
    装置、処理内容及び工程状態を特定する特定情報を取得
    する工程判断工程と、 前記半導体処理装置、前記処理内容、前記工程状態毎に
    異なる複数の制御変数計算の中から、前記特定情報に基
    づいてそれに適合する制御変数計算を選択して、計算を
    行う制御計算選択実行工程と、 前記制御変数計算により得られた制御変数を受け取り、
    前記半導体処理装置へ送る制御変数送信工程と、 をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録し
    たコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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