JPH10256241A

JPH10256241A - 成膜装置の制御方法

Info

Publication number: JPH10256241A
Application number: JP5179797A
Authority: JP
Inventors: Kenji Morisawa; 建司森澤
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1997-03-06
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】所望の膜厚に成膜することができないという
問題点があった。【解決手段】ウエハ上に所望の膜を成膜する成膜装置
の制御方法において、実施しようとする成膜工程の前に
既に実施した過去３回に限定した成膜工程での成膜速度
のデータから平均成膜速度（ステップｓ１０）を求め、
この平均成膜速度から実施しようとする成膜工程の成膜
時間を決定する（ステップｓ１８）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、成膜装置の制御
方法に関し、特に膜厚の制御に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の多くは、大規模なＦＡ(Fac
tory Automation)システムが導入され、ほとんどの単純
作業を機械的に処理することによって、大量の半導体装
置装置をわずかな人間で効率よく生産している。そのよ
うな半導体装置の中で、特に自動化が進んでいる装置の
一つに、層間膜や電極となるＣＶＤ膜を成膜する成膜装
置としての減圧ＣＶＤ装置がある。

【０００３】以下、この成膜装置としての減圧ＣＶＤ装
置の制御方法について説明する。図６は従来の減圧ＣＶ
Ｄ装置の構成を示す断面図である。１は処理容器、２は
この処理容器１内に設置された内管、３はこの内管２内
に設置され、複数枚の半導体ウエハ４を上下方向に設置
することのできるウエハホルダ、５は処理容器１の蓋部
材、６は処理容器１内を加熱するためのヒータである。
このような複数枚の半導体ウエハ４を一度に処理して成
膜している減圧ＣＶＤ装置にて、大量の製品を同じよう
に繰り返し成膜するには、成膜を常に最適な条件下で実
行することが必要である。

【０００４】そして、この減圧ＣＶＤ装置の複数台の制
御を１つの制御装置にて、図７に示すような成膜装置の
制御方法が行われてきた。ただしこの際、１つの制御装
置で制御可能な複数台の減圧ＣＶＤ装置とは、同一成膜
条件で、膜厚のみ異なるものを成膜しているものに限ら
れる。まず、基準条件により成膜工程が行われる（図７
のステップｓ１）。次に、この成膜工程にて作成された
減圧ＣＶＤ装置内の上下方向の中央部、即ち図６でのセ
ンタでのモニタ膜厚を検出する（図７のステップｓ
２）。次に、この膜厚および成膜時間をデータとして蓄
積する（図７のステップｓ３）。

【０００５】そして、このデータから図８に示すような
一次近似式のグラフを作成する（図７のステップｓ
４）。そして、一次近似式のグラフより次回成膜工程の
所望の膜厚を作成するための成膜時間を算出する（図７
のステップｓ５）。次に、この成膜時間にて、次の成膜
工程を行う。そして、以上の工程を繰り返し行い成膜装
置にて成膜される膜厚の制御を行っている。このよう
に、実際に成膜された膜厚を、データとして用いること
により、より正確な成膜が行えることとなる。

【０００６】又、膜厚の制御とは別に、図６に示した減
圧ＣＶＤ装置内の上下方向の上部としてのトップ、およ
び、下部としてのボトムでも、それぞれ成膜工程毎にモ
ニタ膜厚を測定する。そして、この各膜厚が規定範囲内
にあるか否かを判断している。そして、膜厚が規定範囲
外の場合には成膜工程の不良として判断していた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の成膜装置の制御
方法は以上のように、成膜装置にて成膜された膜の、全
ての膜厚および成膜時間のデータをもとに一次近似式の
グラフを作成し、この一次近似式のグラフから成膜工程
時間を算出している。しかし、例えば成膜工程を繰り返
すと、内管２内壁に膜が徐々に堆積していくため、内管
２内の実温度等の成膜環境が、最初の成膜工程と複数回
成膜工程後の成膜工程とでは変化してくる。よって、最
初の成膜工程のデータを、複数回成膜工程後の成膜時間
を求めるためのデータとして利用すると、誤差が生じて
くるという問題点があった。

【０００８】又、複数の減圧ＣＶＤ装置の全てのデータ
を利用し、図８に示すような、各膜厚に対応した一次近
似式のグラフが求めている。しかし、実際には、１００
０オンク゛ストローム以下の薄い膜厚を積層する場合と、４００
０オンク゛ストローム以上の厚い膜厚を積層する場合とでは成膜
速度は異なる。実際には、例えば図９に示すように、４
０００オンク゛ストローム以上の厚い膜厚を積層する場合、成膜
速度が徐々に小さくなることが判る。よって、異なる膜
厚の制御を、図８に示すような、一次近似式のグラフに
基づいて行うと、誤差が生じてくるという問題点があっ
た。

【０００９】又、トップおよびボトムの膜厚は規格範囲
内か否かの判断をしていた。これは、トップおよびボト
ムでは、センタの膜厚と異なった膜厚のものが成膜され
るため、チェックする必要性から行っているものであ
る。この原因として考えられることは、成膜装置内のセ
ンタの実温度とトップおよびボトムの実温度とが異なる
ため、センタの成膜速度とトップおよびボトムの成膜速
度とが異なることにより生じると考えられる。以上のこ
とより、膜厚を制御良く成膜することができないという
問題点があった。

【００１０】この発明は上記の様な問題点を解決するた
めになされたもので、膜厚を制御良く成膜することので
きる成膜装置の制御方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
の成膜装置の制御方法は、被処理基板上に所望の膜を成
膜する成膜装置の制御方法において、実施しようとする
成膜工程の前に既に実施した所定の回数に限定した成膜
工程での成膜速度のデータから平均成膜速度を求め、平
均成膜速度から実施しようとする成膜工程の成膜時間を
決定するものである。

【００１２】又、この発明に係る請求項２の成膜装置の
制御方法は、複数枚の被処理基板を上下方向に設置して
成膜を行う成膜装置にて、成膜装置内の上下方向の中央
部での成膜における条件を基準条件として、各被処理基
板上に所望の膜を成膜する成膜装置の制御方法におい
て、成膜工程の前に、成膜装置内の上下方向の上部およ
び下部の位置に模擬被処理基板を設置し、成膜工程の成
膜条件としての温度を、基準条件の基準温度と、基準温
度から所望温度異なる複数の温度との各温度にて予め模
擬被処理基板上に膜を成膜し、上部および下部の位置の
それぞれにおける温度と成膜速度との関係を求め、成膜
工程の際に、成膜装置の中央部での成膜速度と、成膜装
置の上部および下部での成膜速度とが一致するように、
成膜装置の上部および下部での各設定温度を温度と成膜
速度との関係から決定するものである。

【００１３】又、この発明に係る請求項３の成膜装置の
制御方法は、複数枚の被処理基板を上下方向に設置して
成膜を行う成膜装置にて、成膜装置内の上下方向の中央
部での成膜における条件を基準条件として、各被処理基
板上に所望の膜を成膜する成膜装置の制御方法におい
て、成膜工程の前に、成膜装置内の上下方向の上部およ
び下部の位置に模擬被処理基板を設置し、成膜工程の成
膜条件としての温度を、基準条件の基準温度と、基準温
度から所望温度異なる複数の温度との各温度にて予め模
擬被処理基板上に膜を成膜し、上部および下部の位置の
それぞれにおける温度と成膜速度との関係を求め、実施
しようとする成膜工程の前に既に実施した所定の回数に
限定した成膜工程での成膜装置内の上部、中央部および
下部での成膜速度の各データから、成膜装置内の上部、
中央部および下部での各平均成膜速度Ｙ_TA、Ｙ_CA、Ｙ_BA
および成膜装置内の上部および下部での各平均温度
Ｘ_T、Ｘ_Bをそれぞれ求め、成膜装置内の中央部の平均成
膜速度Ｙ_CAと、成膜装置内の上部および下部の各平均成
膜速度Ｙ_TA、Ｙ_BAとの成膜速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1を求
め、温度と成膜速度との関係から、成膜速度差ΔＹ_T1、
ΔＹ_B1がいくらの温度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1に相当するかを
求め、成膜装置内の中央部の平均成膜速度Ｙ_CAと、成膜
装置内の上部および下部での成膜速度とが一致するよう
に、成膜装置の上部および下部の各平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bに
温度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1を加味して設定温度Ｘ’_T、Ｘ’_B
するものである。

【００１４】又、この発明に係る請求項４の成膜装置の
制御方法は、請求項３に記載の成膜装置の制御方法にお
いて、成膜装置内の中央部の平均成膜速度から、実施し
ようとする成膜工程の成膜時間を決定するものである。

【００１５】又、この発明に係る請求項５の成膜装置の
制御方法は、請求項２ないし請求項４のいずれかに記載
の成膜装置の制御方法において、成膜装置の上部および
下部の温度と成膜速度との関係を、初回成膜工程開始前
およびその後所定の回数の成膜工程終了毎に求め更新す
るものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、この発明の実施の形態を図につい
て説明する。図１はこの発明の実施の形態１の成膜装置
の制御方法を利用する成膜装置としての減圧ＣＶＤ装置
の構成を示す断面図である。図において、従来の場合と
同様の部分は同一符号を付して説明を省略する。７は内
管２内の上下方向の上部としてのトップの位置の加熱温
度を制御するためのトップヒータ、８は内管２内の上下
方向の中央部としてのセンタの位置の加熱温度を制御す
るためのセンタヒータ、９は内管２内の上下方向の下部
としてのボトムの位置の加熱温度を制御するためのボト
ムヒータである。尚、トップ、センタ及びボトムの各位
置は図１内に矢印にて示した箇所とする。

【００１７】実際に半導体装置を製造する場合には、上
記のように構成された成膜装置が複数台配置されてい
る。ここでは成膜装置毎に制御する成膜装置の制御方法
について以下説明する（即ち、同一膜厚の膜を同一成膜
条件にて次々と成膜工程を行うものとする）。まず、成
膜を行う前に次に示す成膜動作を行う。これから実施し
ようとする成膜の、センタでの成膜における条件を基準
条件とする。

【００１８】そして、成膜装置内の上下方向のトップお
よびボトムの各位置に模擬被処理基板をそれぞれ設置す
る。次に、成膜工程の成膜条件としての温度を、基準条
件の基準温度と、基準温度から所望温度の例えば３℃異
なる複数の温度との各温度にて予め模擬被処理基板上に
所定の膜厚の膜を所定時間にて成膜する。この場合、例
えば基準温度を６００℃とすると、５９４℃、５９７
℃、６００℃、６０３℃および６０６℃の各温度にて行
う例が考えられ、各ヒータ７、８、９は各温度に対し
て、全て同一温度に設定して成膜を行う。

【００１９】そして、この際の各温度の、トップおよび
ボトムの各位置のそれぞれにおける成膜速度を求める。
そして、各温度での各成膜速度をプロットし、図２に示
すようなグラフを完成させる。そして、このグラフより
トップおよびボトムの各位置における、温度と成膜速度
との関係としての成膜速度特性、即ち、ΔＹ_T＝ａ_T・Δ
Ｘ_TおよびΔＹ_B＝ａ_B・ΔＸ_B、ΔＹ_*：成膜速度の変化
幅、ΔＸ_*：設定温度の変化幅、ａ_*：係数、_*：_T（トッ
プ）、_B（ボトム）を求める。

【００２０】次に、最初の成膜工程の際には、成膜装置
のセンタでの基準条件から求められる成膜速度と、成膜
装置のトップおよびボトムでの成膜速度とが一致するよ
うに、成膜装置のトップおよびボトムでの各設定温度
を、上記図２にて求めた成膜速度特性の関係式から決定
する。そして、トップヒータ７およびボトムヒータ９を
各設定温度、そして、センタヒータ８を基準温度に設定
して成膜を行う。

【００２１】次に、図３に示すように、上記制御にて成
膜工程（図３のステップｓ６）が終了すると、トップ、
センタおよびボトムの各位置におけるモニタ膜厚を検出
する（図３のステップｓ７）。次に、トップ、センタお
よびボトムの各膜厚および成膜時間のデータを蓄積し、
各膜厚および成膜時間から成膜速度を検出しておく（図
３のステップｓ８）。この段階で、例えば図４に示すよ
うなデータが蓄積されているとする。

【００２２】そして、次に実施しようとする成膜工程の
前に既に実施した所定の回数の、例えば過去３回のデー
タに限定した成膜工程での成膜装置内のトップ、センタ
およびボトムの成膜速度の各データおよび成膜速度特性
から次回の成膜工程の成膜時間およびトップおよびボト
ムの各設定温度を算出する（図３のステップｓ９）。こ
の方法を、図５に基づいて説明する。まず、図４から成
膜装置内のトップ、センタおよびボトムでの各平均成膜
速度Ｙ_TA、Ｙ_CA、Ｙ_BA、および、成膜装置内のトップお
よびボトムでの平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bをそれぞれ求める（図
５のステップｓ１０）。

【００２３】そして、成膜装置内のセンタの平均成膜速
度Ｙ_CAと、成膜装置内のトップおよびボトムの各平均成
膜速度Ｙ_TA、Ｙ_BAとの成膜速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1を求め
る。そして、成膜速度特性の関係式から、成膜速度差Δ
Ｙ_T1、ΔＹ_B1がいくらの温度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1に相当す
るかを求める（図５のステップｓ１１およびステップｓ
１２）。次に、成膜装置内のセンタの平均成膜速度Ｙ_CA
と、成膜装置内のトップおよびボトムでの成膜速度とが
一致するように、Ｙ_TA＞Ｙ_CA、およびＹ_BA＞Ｙ_CAならば
トップおよびボトムの平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bより温度差ΔＸ
_T1、ΔＸ_B1下げる（図５のステップｓ１３およびステッ
プｓ１５）。

【００２４】又、Ｙ_TA＜Ｙ_CA、およびＹ_BA＜Ｙ_CAならば
トップおよびボトムの平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bより温度差ΔＸ
_T1、ΔＸ_B1上げる（図５のステップｓ１４およびステッ
プｓ１６）。そして、トップおよびボトムの各設定温度
Ｘ’_T、Ｘ’_Bを決定する（図５のステップｓ１７）。次
に、次回の成膜工程における目標膜厚をセンタの平均成
膜速度Ｙ_CAにて割り成膜時間を算出し、次回の成膜時間
を決定する（図５のステップｓ１８）。そして、トップ
ヒータ７およびボトムヒータ９を各設定温度、そして、
センタヒータ８を基準温度に設定し、上記決定された成
膜時間にて成膜を行う。

【００２５】上記のように行われた実施の形態１の成膜
装置の制御方法は、実施しようとする成膜工程の前に既
に実施した所定の回数の例えば過去３回に限定した成膜
工程での成膜速度のデータから平均成膜速度を求め、こ
の平均成膜速度から実施しようとする成膜工程の成膜時
間を決定しているので、成膜装置内の経時変化に沿った
成膜時間を設定することができるため、所望の膜厚の成
膜を制御よく行うことが可能となる。

【００２６】又、予め成膜装置内のトップおよびボトム
での成膜速度特性の関係式を求め、これらの式から、成
膜工程の際に、成膜装置のセンタの成膜速度と、トップ
およびボトムの成膜速度とが一致するように、トップお
よびボトムでの各設定温度を決定しているので、成膜装
置内の各位置トップ、ボトムおよびセンタで成膜された
膜の膜厚が同一に成膜されるように制御することが可能
となる。

【００２７】実施の形態２．上記実施の形態１では、ト
ップおよびボトムの成膜速度特性の関係式を初回成膜工
程開始前に、実施する例を示したが、トップおよびボト
ムの成膜速度特性の関係式を、例えば初回成膜工程開始
前およびその後所定の回数の成膜工程終了毎に求め更新
するようにすれば、成膜装置の経時変化に沿った成膜速
度特性の関係式を得ることができ、ひいてはトップおよ
びボトムの設定温度の決定を、より一層成膜装置の経時
変化に沿って制御することが可能となる。

【００２８】又、上記実施の形態１では、実施しようと
する成膜工程の前に既に実施した所定の回数として３回
に限定した成膜工程での成膜速度のデータから平均成膜
速度を求め、この平均成膜速度から実施しようとする成
膜工程の成膜時間を決定する例を示したが、これに限ら
れることはなく、例えば膜厚の薄い成膜を行う場合など
には、データが規定範囲内の値よりはずれ、飛び値とな
りデータとして採用できないような場合が生じやすい。

【００２９】よってこのような場合には、過去３回の成
膜工程に限定したのでは飛び値の影響を受けやすいた
め、所定の回数を多く設定して上記実施の形態１と同様
に行うようにすれば飛び値の影響が少なく行うことがで
きる。このように、成膜される膜の基準条件および膜厚
に合わせて、適宜所定の回数を決定するようにすればよ
い。

【００３０】

【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
れば、被処理基板上に所望の膜を成膜する成膜装置の制
御方法において、実施しようとする成膜工程の前に既に
実施した所定の回数に限定した成膜工程での成膜速度の
データから平均成膜速度を求め、平均成膜速度から実施
しようとする成膜工程の成膜時間を決定するので、成膜
時間の決定を、成膜装置の経時変化に沿って制御するこ
とができる成膜装置の制御方法を提供することが可能と
なる。

【００３１】又、この発明の請求項２によれば、複数枚
の被処理基板を上下方向に設置して成膜を行う成膜装置
にて、成膜装置内の上下方向の中央部での成膜における
条件を基準条件として、各被処理基板上に所望の膜を成
膜する成膜装置の制御方法において、成膜工程の前に、
成膜装置内の上下方向の上部および下部の位置に模擬被
処理基板を設置し、成膜工程の成膜条件としての温度
を、基準条件の基準温度と、基準温度から所望温度異な
る複数の温度との各温度にて予め模擬被処理基板上に膜
を成膜し、上部および下部の位置のそれぞれにおける温
度と成膜速度との関係を求め、成膜工程の際に、成膜装
置の中央部での成膜速度と、成膜装置の上部および下部
での成膜速度とが一致するように、成膜装置の上部およ
び下部での各設定温度を温度と成膜速度との関係から決
定するので、成膜装置内に各部上部、中央部および下部
に成膜される膜の膜厚を同一に成膜することができる成
膜装置の制御方法を提供することが可能となる。

【００３２】又、この発明の請求項３によれば、複数枚
の被処理基板を上下方向に設置して成膜を行う成膜装置
にて、成膜装置内の上下方向の中央部での成膜における
条件を基準条件として、各被処理基板上に所望の膜を成
膜する成膜装置の制御方法において、成膜工程の前に、
成膜装置内の上下方向の上部および下部の位置に模擬被
処理基板を設置し、成膜工程の成膜条件としての温度
を、基準条件の基準温度と、基準温度から所望温度異な
る複数の温度との各温度にて予め模擬被処理基板上に膜
を成膜し、上部および下部の位置のそれぞれにおける温
度と成膜速度との関係を求め、実施しようとする成膜工
程の前に既に実施した所定の回数に限定した成膜工程で
の成膜装置内の上部、中央部および下部での成膜速度の
各データから、成膜装置内の上部、中央部および下部で
の各平均成膜速度Ｙ_TA、Ｙ_CA、Ｙ_BAおよび成膜装置内の
上部および下部での各平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bをそれぞれ求
め、成膜装置内の中央部の平均成膜速度Ｙ_CAと、成膜装
置内の上部および下部の各平均成膜速度Ｙ_TA、Ｙ_BAとの
成膜速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1を求め、温度と成膜速度との
関係から、成膜速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1がいくらの温度差
ΔＸ_T1、ΔＸ_B1に相当するかを求め、成膜装置内の中央
部の平均成膜速度Ｙ_CAと、成膜装置内の上部および下部
での成膜速度とが一致するように、成膜装置の上部およ
び下部の各平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bに温度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1を
加味して設定温度Ｘ’_T、Ｘ’_Bとしするので、成膜装置
内の上部、中央部および下部に成膜される膜の膜厚が同
一となるよう、成膜装置の経時変化に沿って制御するこ
とができる成膜装置の制御方法を提供することが可能と
なる。

【００３３】又、この発明の請求項４によれば、請求項
３に記載の成膜装置の制御方法において、成膜装置内の
中央部の平均成膜速度から、実施しようとする成膜工程
の成膜時間を決定するので、成膜時間の決定を、成膜装
置の経時変化に沿って制御することができる成膜装置の
制御方法を提供することが可能となる。

【００３４】又、この発明の請求項５によれば、請求項
２ないし請求項４のいずれかに記載の成膜装置の制御方
法において、成膜装置の上部および下部の温度と成膜速
度との関係を、初回成膜工程開始前およびその後所定の
回数の成膜工程終了毎に求め更新するので、成膜装置内
の上部、中央部および下部に成膜される膜の膜厚が同一
となるよう、より一層成膜装置の経時変化に沿って制御
することができる成膜装置の制御方法を提供することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１の成膜装置の制御方
法を利用する成膜装置の構成を示す断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１の成膜装置の制御方
法に利用する成膜速度特性を示す図である。

【図３】この発明の実施の形態１の成膜装置の制御方
法のフローチャートを示す図である。

【図４】この発明の実施の形態１の成膜装置の制御方
法に利用する成膜工程のデータを示す図である。

【図５】図３に示した成膜装置の制御方法の計算方法
のフローチャートを示す図である。

【図６】従来の成膜装置の制御方法を利用する成膜装
置の構成を示す断面図である。

【図７】従来の成膜装置の制御方法のフローチャート
を示す図である。

【図８】従来の成膜装置の制御方法に利用する膜厚と
処理時間との関係を示す図である。

【図９】従来の成膜装置の制御方法の問題点を示す膜
厚と処理時間との関係を示す図である。

【符号の説明】

１処理容器、２内管、３ウエハホルダ、４ウエ
ハ、５蓋部材、７トップヒータ、８センタヒー
タ、９ボトムヒータ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板上に所望の膜を成膜する成膜
装置の制御方法において、実施しようとする成膜工程の
前に既に実施した所定の回数に限定した成膜工程での成
膜速度のデータから平均成膜速度を求め、上記平均成膜
速度から上記実施しようとする成膜工程の成膜時間を決
定することを特徴とする成膜装置の制御方法。
【請求項２】複数枚の被処理基板を上下方向に設置し
て成膜を行う成膜装置にて、上記成膜装置内の上記上下
方向の中央部での成膜における条件を基準条件として、
上記各被処理基板上に所望の膜を成膜する成膜装置の制
御方法において、上記成膜工程の前に、上記成膜装置内
の上記上下方向の上部および下部の位置に模擬被処理基
板を設置し、上記成膜工程の成膜条件としての温度を、
上記基準条件の基準温度と、上記基準温度から所望温度
異なる複数の温度との各温度にて予め上記模擬被処理基
板上に膜を成膜し、上記上部および下部の位置のそれぞ
れにおける温度と成膜速度との関係を求め、上記成膜工
程の際に、上記成膜装置の中央部での成膜速度と、上記
成膜装置の上部および下部での成膜速度とが一致するよ
うに、上記成膜装置の上部および下部での各設定温度を
上記温度と成膜速度との関係から決定することを特徴と
する成膜装置の制御方法。
【請求項３】複数枚の被処理基板を上下方向に設置し
て成膜を行う成膜装置にて、上記成膜装置内の上記上下
方向の中央部での成膜における条件を基準条件として、
上記各被処理基板上に所望の膜を成膜する成膜装置の制
御方法において、上記成膜工程の前に、上記成膜装置内
の上記上下方向の上部および下部の位置に模擬被処理基
板を設置し、上記成膜工程の成膜条件としての温度を、
上記基準条件の基準温度と、上記基準温度から所望温度
異なる複数の温度との各温度にて予め上記模擬被処理基
板上に膜を成膜し、上記上部および下部の位置のそれぞ
れにおける温度と成膜速度との関係を求め、上記実施し
ようとする成膜工程の前に既に実施した所定の回数に限
定した成膜工程での上記成膜装置内の上部、中央部およ
び下部での成膜速度の各データから、上記成膜装置内の
上部、中央部および下部での各平均成膜速度Ｙ_TA、
Ｙ_CA、Ｙ_BAおよび上記成膜装置内の上部および下部での
各平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bをそれぞれ求め、上記成膜装置内の
中央部の上記平均成膜速度Ｙ_CAと、上記成膜装置内の上
部および下部の上記各平均成膜速度Ｙ_TA、Ｙ_BAとの成膜
速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1を求め、上記温度と成膜速度との
関係から、上記成膜速度差ΔＹ_T1、ΔＹ_B1がいくらの温
度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1に相当するかを求め、上記成膜装置
内の中央部の上記平均成膜速度Ｙ_CAと、上記成膜装置内
の上部および下部での成膜速度とが一致するように、上
記成膜装置の上部および下部の各平均温度Ｘ_T、Ｘ_Bに上
記温度差ΔＸ_T1、ΔＸ_B1を加味して設定温度Ｘ’_T、
Ｘ’_Bとしすることを特徴とする成膜装置の制御方法。
【請求項４】請求項３に記載の成膜装置の制御方法に
おいて、成膜装置内の中央部の平均成膜速度から、実施
しようとする成膜工程の成膜時間を決定することを特徴
とする成膜装置の制御方法。
【請求項５】請求項２ないし請求項４のいずれかに記
載の成膜装置の制御方法において、成膜装置の上部およ
び下部の温度と成膜速度との関係を、初回成膜工程開始
前およびその後所定の回数の成膜工程終了毎に求め更新
することを特徴とする成膜装置の制御方法。