JP2001004833A - アゾ化合物を含有する染料系偏光膜 - Google Patents
アゾ化合物を含有する染料系偏光膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の黄色染料を偏光膜基材に含有させるこ
とにより、高性能な、特に液晶プロジェクター用として
高性能な偏光膜を提供する。 【解決手段】 遊離酸の形で表したときに、下式（Ｉ） （式中、Ａは、スルホ及びカルボキシルから選ばれる１
若しくは２個の水溶性基を有するフェニル又は１〜３個
のスルホを有するナフチルを表し；Ｂはメチル、エチ
ル、カルボキシビニル、カルボキシエチル又は、無置換
の若しくはメチル、エチル、メトキシ、アセチル、ベン
ゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ、アミ
ノ、カルボキシル及びフェニルから選ばれる置換基で置
換されたフェニルを表し；Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 及びＲ6 はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル又は
低級アルコシキを表し；ｍは０又は１を表す）で示され
るアゾ化合物を偏光膜基材に含有してなる染料系偏光
膜。
とにより、高性能な、特に液晶プロジェクター用として
高性能な偏光膜を提供する。 【解決手段】 遊離酸の形で表したときに、下式（Ｉ） （式中、Ａは、スルホ及びカルボキシルから選ばれる１
若しくは２個の水溶性基を有するフェニル又は１〜３個
のスルホを有するナフチルを表し；Ｂはメチル、エチ
ル、カルボキシビニル、カルボキシエチル又は、無置換
の若しくはメチル、エチル、メトキシ、アセチル、ベン
ゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ、アミ
ノ、カルボキシル及びフェニルから選ばれる置換基で置
換されたフェニルを表し；Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 及びＲ6 はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル又は
低級アルコシキを表し；ｍは０又は１を表す）で示され
るアゾ化合物を偏光膜基材に含有してなる染料系偏光
膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定構造を有する
黄色のアゾ化合物を含有してなる染料系偏光膜に関する
ものである。
黄色のアゾ化合物を含有してなる染料系偏光膜に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】偏光膜は、延伸配向したポリビニルアル
コール系のフィルム又は、ポリ塩化ビニルフィルムの脱
塩酸若しくはポリビニルアルコール系フィルムの脱水に
よりポリエンを生成して配向せしめたポリエン系のフィ
ルムなどの偏光膜基材に、偏光素子としてヨウ素や二色
性染料を含有させて製造される。これらのうち、ヨウ素
系偏光膜は、初期偏光性能には優れるものの、熱に対す
る耐久性や水に対する耐久性が劣るため、高温・高湿の
状態ではその性能が低下するという問題がある。このよ
うな耐久性を向上させるために、ホルムアルデヒド又は
ホウ酸を含む水溶液で処理する方法や、透湿度の低い高
分子フィルムを保護膜として用いる方法などが考えられ
ているが、未だ十分とはいえない。
コール系のフィルム又は、ポリ塩化ビニルフィルムの脱
塩酸若しくはポリビニルアルコール系フィルムの脱水に
よりポリエンを生成して配向せしめたポリエン系のフィ
ルムなどの偏光膜基材に、偏光素子としてヨウ素や二色
性染料を含有させて製造される。これらのうち、ヨウ素
系偏光膜は、初期偏光性能には優れるものの、熱に対す
る耐久性や水に対する耐久性が劣るため、高温・高湿の
状態ではその性能が低下するという問題がある。このよ
うな耐久性を向上させるために、ホルムアルデヒド又は
ホウ酸を含む水溶液で処理する方法や、透湿度の低い高
分子フィルムを保護膜として用いる方法などが考えられ
ているが、未だ十分とはいえない。
【０００３】一方、偏光素子として二色性染料を用いた
染料系偏光膜は、ヨウ素系偏光膜に比べて熱及び水に対
する耐久性に優れるものの、一般に初期偏光性能が劣
る。そこで、染料系偏光膜の偏光性能を高めるために、
用いる染料面から各種の研究が行われており、例えば、
特開平 1-172906 号公報には、特定のアゾ化合物を黄色
染料として用いた偏光膜が記載されている。しかしなが
ら、当該アゾ化合物を含有してなる偏光膜は、性能面で
需要家のニーズを十分に満足させるに至っていない。
染料系偏光膜は、ヨウ素系偏光膜に比べて熱及び水に対
する耐久性に優れるものの、一般に初期偏光性能が劣
る。そこで、染料系偏光膜の偏光性能を高めるために、
用いる染料面から各種の研究が行われており、例えば、
特開平 1-172906 号公報には、特定のアゾ化合物を黄色
染料として用いた偏光膜が記載されている。しかしなが
ら、当該アゾ化合物を含有してなる偏光膜は、性能面で
需要家のニーズを十分に満足させるに至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特定
のアゾ化合物を用いて、高性能な偏光膜、特に液晶プロ
ジェクター用として高性能な偏光膜を提供することにあ
る。
のアゾ化合物を用いて、高性能な偏光膜、特に液晶プロ
ジェクター用として高性能な偏光膜を提供することにあ
る。
【０００５】本発明者らは、偏光膜用の染料として用い
た場合に、偏光膜製造時の染色性が良好であり、偏光性
能に優れ、しかも高温・高湿条件下での耐久性と耐光性
にも優れる化合物を探索し、また、高分子フィルムに２
種類以上の二色性染料を吸着配向させて偏光膜を製造す
る場合に、比較的短波長の領域（４００〜５００nm）を
カバーする染料として好適な化合物を探索してきた結
果、特定のアゾ化合物が偏光膜用の染料として有効であ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
た場合に、偏光膜製造時の染色性が良好であり、偏光性
能に優れ、しかも高温・高湿条件下での耐久性と耐光性
にも優れる化合物を探索し、また、高分子フィルムに２
種類以上の二色性染料を吸着配向させて偏光膜を製造す
る場合に、比較的短波長の領域（４００〜５００nm）を
カバーする染料として好適な化合物を探索してきた結
果、特定のアゾ化合物が偏光膜用の染料として有効であ
ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、遊離
酸の形で表したときに、下式（Ｉ）
酸の形で表したときに、下式（Ｉ）
【０００７】
【０００８】（式中、Ａは、スルホ及びカルボキシルか
ら選ばれる１個若しくは２個の水溶性基を有するフェニ
ル又は１〜３個のスルホを有するナフチルを表し；Ｂは
メチル、エチル、カルボキシビニル、カルボキシエチル
又は、無置換の若しくは、メチル、エチル、メトキシ、
アセチル、ベンゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、
ニトロ、アミノ、カルボキシル及びフェニルから選ばれ
る置換基で置換されたフェニルを表し；Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ独立に、水素、低級
アルキル又は低級アルコシキを表し；ｍは０又は１を表
す）で示されるアゾ化合物を偏光膜基材中に含有してな
る染料系偏光膜を提供するものである。
ら選ばれる１個若しくは２個の水溶性基を有するフェニ
ル又は１〜３個のスルホを有するナフチルを表し；Ｂは
メチル、エチル、カルボキシビニル、カルボキシエチル
又は、無置換の若しくは、メチル、エチル、メトキシ、
アセチル、ベンゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、
ニトロ、アミノ、カルボキシル及びフェニルから選ばれ
る置換基で置換されたフェニルを表し；Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ
3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 はそれぞれ独立に、水素、低級
アルキル又は低級アルコシキを表し；ｍは０又は１を表
す）で示されるアゾ化合物を偏光膜基材中に含有してな
る染料系偏光膜を提供するものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】式（Ｉ）において、Ａはフェニル
又はナフチルであり、このフェニルは、上記のようにス
ルホ及び／又はカルボキシルを１個又は２個有してお
り、またナフチルは、上記のようにスルホを１〜３個有
している。Ａで表されるフェニルとしては、例えば、２
−、３−又は４−スルホフェニル、２−、３−又は４−
カルボキシフェニル、２，４−又は２，５−ジスルホフ
ェニル、２−カルボキシ−４−又は−５−スルホフェニ
ルなどが挙げられる。また、Ａで表されるナフチルとし
ては、例えば、５−、６−、７−又は８−スルホ−２−
ナフチル、４−、５−、６−又は７−スルホ−１−ナフ
チル、６，８−、４，８−又は３，６−ジスルホ−２−
ナフチル、３，６−又は４，６−ジスルホ−１−ナフチ
ル、３，６，８−又は４，６，８−トリスルホ−２−ナ
フチルなどが挙げられる。このようにＡは、スルホ及び
カルボキシルから選ばれる水溶性基を合計１個又は２個
有するフェニル、又はスルホを１〜３個有するナフチル
であるが、特に、フェニルである場合は水溶性基として
スルホを１個有するモノスルホフェニルであるのが、ま
たナフチルである場合は、水溶性基としてスルホを２個
を有するジスルホナフチル、とりわけジスルホ−２−ナ
フチルであるのが適当である。
又はナフチルであり、このフェニルは、上記のようにス
ルホ及び／又はカルボキシルを１個又は２個有してお
り、またナフチルは、上記のようにスルホを１〜３個有
している。Ａで表されるフェニルとしては、例えば、２
−、３−又は４−スルホフェニル、２−、３−又は４−
カルボキシフェニル、２，４−又は２，５−ジスルホフ
ェニル、２−カルボキシ−４−又は−５−スルホフェニ
ルなどが挙げられる。また、Ａで表されるナフチルとし
ては、例えば、５−、６−、７−又は８−スルホ−２−
ナフチル、４−、５−、６−又は７−スルホ−１−ナフ
チル、６，８−、４，８−又は３，６−ジスルホ−２−
ナフチル、３，６−又は４，６−ジスルホ−１−ナフチ
ル、３，６，８−又は４，６，８−トリスルホ−２−ナ
フチルなどが挙げられる。このようにＡは、スルホ及び
カルボキシルから選ばれる水溶性基を合計１個又は２個
有するフェニル、又はスルホを１〜３個有するナフチル
であるが、特に、フェニルである場合は水溶性基として
スルホを１個有するモノスルホフェニルであるのが、ま
たナフチルである場合は、水溶性基としてスルホを２個
を有するジスルホナフチル、とりわけジスルホ−２−ナ
フチルであるのが適当である。
【００１０】式（Ｉ）中のＢは、メチル、エチル、カル
ボキシビニル、カルボキシエチル又は、無置換の若しく
は置換されたフェニルである。ここでフェニルの置換基
は、メチル、エチル、メトキシ、アセチル、ベンゾイ
ル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ、アミノ、カ
ルボキシル及びフェニルから選ばれる。Ｂが置換フェニ
ルである場合、このフェニルには上記の置換基が１個又
は複数個結合することができるが、一般には１個の置換
基を有するだけで十分である。Ｂで表されるフェニルと
して、具体的には例えば、フェニル、４−メチルフェニ
ル、４−エチルフェニル、４−メトキシフェニル、４−
アセチルフェニル、４−ベンゾイルフェニル、４−アセ
トキシフェニル、４−アセチルアミノフェニル、４−ニ
トロフェニル、４−アミノフェニル、２−カルボキシフ
ェニル、４−ビフェニリルなどが挙げられる。
ボキシビニル、カルボキシエチル又は、無置換の若しく
は置換されたフェニルである。ここでフェニルの置換基
は、メチル、エチル、メトキシ、アセチル、ベンゾイ
ル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ、アミノ、カ
ルボキシル及びフェニルから選ばれる。Ｂが置換フェニ
ルである場合、このフェニルには上記の置換基が１個又
は複数個結合することができるが、一般には１個の置換
基を有するだけで十分である。Ｂで表されるフェニルと
して、具体的には例えば、フェニル、４−メチルフェニ
ル、４−エチルフェニル、４−メトキシフェニル、４−
アセチルフェニル、４−ベンゾイルフェニル、４−アセ
トキシフェニル、４−アセチルアミノフェニル、４−ニ
トロフェニル、４−アミノフェニル、２−カルボキシフ
ェニル、４−ビフェニリルなどが挙げられる。
【００１１】さらに、ｍは０又は１であり、したがって
式（Ｉ）のアゾ化合物は、ジスアゾ化合物とトリスアゾ
化合物の両方を包含する。
式（Ｉ）のアゾ化合物は、ジスアゾ化合物とトリスアゾ
化合物の両方を包含する。
【００１２】式（Ｉ）で示されるアゾ化合物は、例え
ば、以下に述べる方法によって製造することができる。
まず、Ｂがカルボキシルを含まない場合は、下式（II）
ば、以下に述べる方法によって製造することができる。
まず、Ｂがカルボキシルを含まない場合は、下式（II）
【００１３】
【００１４】（式中、Ａ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 、Ｒ6 及びｍは前記の意味を表す）で示されるアミノ
化合物と、下式 (III)
5 、Ｒ6 及びｍは前記の意味を表す）で示されるアミノ
化合物と、下式 (III)
【００１５】ＣｌＣＯ−Ｂ1 (III)
【００１６】（式中、Ｂ1 はメチル、エチル又は、無置
換の若しくは、メチル、エチル、メトキシ、アセチル、
ベンゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ及び
フェニルから選ばれる置換基で置換されたフェニルを表
す）で示される酸クロリド又は、下式（IV）
換の若しくは、メチル、エチル、メトキシ、アセチル、
ベンゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ及び
フェニルから選ばれる置換基で置換されたフェニルを表
す）で示される酸クロリド又は、下式（IV）
【００１７】Ｂ1−ＣＯＯＣＯ−Ｂ1 （IV）
【００１８】（式中、Ｂ1 は前記の意味を表す）で示さ
れるモノカルボン酸無水物とを、水性溶媒中、２０〜６
０℃で反応させることにより、式（Ｉ）で示され、当該
式中のＢがＢ1 であるアゾ化合物を得ることができる。
例えば、塩化ベンゾイル、塩化ビフェニルカルボニル又
は塩化ニトロベンゾイルを用いることにより、式（Ｉ）
中のＢがそれぞれ、フェニル、ビフェニリル又はニトロ
フェニルである化合物を製造でき、また、無水酢酸又は
無水プロピオン酸を用いることにより、式（Ｉ）中のＢ
がそれぞれ、メチル又はエチルである化合物を製造でき
る。なお、式（Ｉ）中のＢがアミノフェニルである化合
物は、Ｂがニトロフェニルである化合物を、例えば鉄粉
などで還元することにより、製造できる。
れるモノカルボン酸無水物とを、水性溶媒中、２０〜６
０℃で反応させることにより、式（Ｉ）で示され、当該
式中のＢがＢ1 であるアゾ化合物を得ることができる。
例えば、塩化ベンゾイル、塩化ビフェニルカルボニル又
は塩化ニトロベンゾイルを用いることにより、式（Ｉ）
中のＢがそれぞれ、フェニル、ビフェニリル又はニトロ
フェニルである化合物を製造でき、また、無水酢酸又は
無水プロピオン酸を用いることにより、式（Ｉ）中のＢ
がそれぞれ、メチル又はエチルである化合物を製造でき
る。なお、式（Ｉ）中のＢがアミノフェニルである化合
物は、Ｂがニトロフェニルである化合物を、例えば鉄粉
などで還元することにより、製造できる。
【００１９】一方、Ｂがカルボキシルを含む場合は、式
（II）のアミノ化合物と下式（Ｖ）
（II）のアミノ化合物と下式（Ｖ）
【００２０】
【００２１】（式中、Ｂ2 はビニレン、エチレン又はフ
ェニレンを表す）に相当するジカルボン酸無水物との反
応により、式（Ｉ）で示され、当該式中のＢがカルボキ
シビニル、カルボキシエチル又はカルボキシフェニルで
あるアゾ化合物を製造することができる。具体的には、
無水マレイン酸、無水コハク酸又は無水フタル酸を用い
ることにより、それぞれ、式（Ｉ）中のＢがカルボキシ
ビニル、カルボキシエチル又は２−カルボキシフェニル
である化合物を製造できる。
ェニレンを表す）に相当するジカルボン酸無水物との反
応により、式（Ｉ）で示され、当該式中のＢがカルボキ
シビニル、カルボキシエチル又はカルボキシフェニルで
あるアゾ化合物を製造することができる。具体的には、
無水マレイン酸、無水コハク酸又は無水フタル酸を用い
ることにより、それぞれ、式（Ｉ）中のＢがカルボキシ
ビニル、カルボキシエチル又は２−カルボキシフェニル
である化合物を製造できる。
【００２２】このようにして得られる式（Ｉ）で示され
るアゾ化合物は、遊離酸の形でも、塩の形でも存在する
ことができる。塩としては、リチウム塩やナトリウム
塩、カリウム塩のようなアルカリ金属塩、アンモニウム
塩、エタノールアミン塩やアルキルアミン塩のような有
機アミン塩などが挙げられる。この化合物を偏光膜基材
に含有させる場合は通常、ナトリウム塩の形で用いるの
が好ましい。
るアゾ化合物は、遊離酸の形でも、塩の形でも存在する
ことができる。塩としては、リチウム塩やナトリウム
塩、カリウム塩のようなアルカリ金属塩、アンモニウム
塩、エタノールアミン塩やアルキルアミン塩のような有
機アミン塩などが挙げられる。この化合物を偏光膜基材
に含有させる場合は通常、ナトリウム塩の形で用いるの
が好ましい。
【００２３】また、式（Ｉ）で示されるアゾ化合物を偏
光膜基材に含有させて偏光膜とする場合は、他の有機染
料と併用することにより、色相を補正し、偏光性能を向
上させることができる。この場合に用いられる有機染料
としては、二色性の高いものであればいかなる染料でも
よいが、特に耐光性に優れる染料を選択することによ
り、液晶プロジェクター用途に適した偏光膜を得ること
ができる。
光膜基材に含有させて偏光膜とする場合は、他の有機染
料と併用することにより、色相を補正し、偏光性能を向
上させることができる。この場合に用いられる有機染料
としては、二色性の高いものであればいかなる染料でも
よいが、特に耐光性に優れる染料を選択することによ
り、液晶プロジェクター用途に適した偏光膜を得ること
ができる。
【００２４】本発明の染料系偏光膜は、式（Ｉ）で示さ
れる化合物からなる、あるいはさらに他の有機染料を含
んでなる二色性染料を、偏光膜基材である高分子フィル
ムに公知の方法で含有させることによって、製造するこ
とができる。この高分子フィルムとしては、例えば、ポ
リビニルアルコール系の樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エ
チレン／酢酸ビニル（ＥＶＡ）樹脂、ナイロン樹脂、ポ
リエステル樹脂などからなるものが利用される。ここで
いうポリビニルアルコール系の樹脂には、ポリ酢酸ビニ
ルの部分又は完全ケン化物であるポリビニルアルコール
自体のほか、ケン化ＥＶＡ樹脂のような、酢酸ビニルと
他の共重合可能な単量体、例えば、エチレンやプロピレ
ンのようなオレフィン類、クロトン酸やアクリル酸、メ
タクリル酸、マレイン酸のような不飽和カルボン酸類、
不飽和スルホン酸類、ビニルエーテル類などとの共重合
体のケン化物、さらにはポリビニルアルコールをアルデ
ヒドで変性したポリビニルホルマールやポリビニルアセ
タールなども包含される。偏光膜基材としては、ポリビ
ニルアルコール系のフィルム、特にポリビニルアルコー
ルフィルムが、染料の吸着性及び配向性の点から、好適
に用いられる。
れる化合物からなる、あるいはさらに他の有機染料を含
んでなる二色性染料を、偏光膜基材である高分子フィル
ムに公知の方法で含有させることによって、製造するこ
とができる。この高分子フィルムとしては、例えば、ポ
リビニルアルコール系の樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、エ
チレン／酢酸ビニル（ＥＶＡ）樹脂、ナイロン樹脂、ポ
リエステル樹脂などからなるものが利用される。ここで
いうポリビニルアルコール系の樹脂には、ポリ酢酸ビニ
ルの部分又は完全ケン化物であるポリビニルアルコール
自体のほか、ケン化ＥＶＡ樹脂のような、酢酸ビニルと
他の共重合可能な単量体、例えば、エチレンやプロピレ
ンのようなオレフィン類、クロトン酸やアクリル酸、メ
タクリル酸、マレイン酸のような不飽和カルボン酸類、
不飽和スルホン酸類、ビニルエーテル類などとの共重合
体のケン化物、さらにはポリビニルアルコールをアルデ
ヒドで変性したポリビニルホルマールやポリビニルアセ
タールなども包含される。偏光膜基材としては、ポリビ
ニルアルコール系のフィルム、特にポリビニルアルコー
ルフィルムが、染料の吸着性及び配向性の点から、好適
に用いられる。
【００２５】このような高分子フィルムに二色性染料を
含有させるにあたっては、通常、高分子フィルムを染色
する方法が採用される。染色は、例えば次のようにして
行うことができる。まず、二色性染料を水に溶解して染
浴を調製する。染浴中の染料濃度は特に制限されない
が、通常は０.０００１〜１０重量％の範囲から選択さ
れる。また、必要により染色助剤を用いてもよく、例え
ば、芒硝を染浴中で１〜１０重量％用いるのが好適であ
る。このようにして調製した染浴に高分子フィルムを浸
漬し、染色を行う。染色温度は、好ましくは４０〜８０
℃である。二色性染料の配向は、高分子フィルムを延伸
することによって行われる。延伸する方法としては、例
えば湿式法や乾式法など、公知のいずれの方法を採用し
てもよい。高分子フィルムの延伸は、染色の前に行って
も、染色の後に行ってもよい。
含有させるにあたっては、通常、高分子フィルムを染色
する方法が採用される。染色は、例えば次のようにして
行うことができる。まず、二色性染料を水に溶解して染
浴を調製する。染浴中の染料濃度は特に制限されない
が、通常は０.０００１〜１０重量％の範囲から選択さ
れる。また、必要により染色助剤を用いてもよく、例え
ば、芒硝を染浴中で１〜１０重量％用いるのが好適であ
る。このようにして調製した染浴に高分子フィルムを浸
漬し、染色を行う。染色温度は、好ましくは４０〜８０
℃である。二色性染料の配向は、高分子フィルムを延伸
することによって行われる。延伸する方法としては、例
えば湿式法や乾式法など、公知のいずれの方法を採用し
てもよい。高分子フィルムの延伸は、染色の前に行って
も、染色の後に行ってもよい。
【００２６】二色性染料を含有させ、配向させた高分子
フィルムは、必要に応じて、公知の方法によりホウ酸処
理などの後処理が施される。このような後処理は、偏光
膜の光線透過率、偏光度及び耐久性を向上させる目的で
行われる。ホウ酸処理の条件は、用いる高分子フィルム
の種類や用いる染料の種類によって異なるが、一般的に
は、ホウ酸水溶液のホウ酸濃度を１〜１５重量％、好ま
しくは５〜１０重量％の範囲とし、処理は３０〜８０
℃、好ましくは５０〜８０℃の温度範囲で行われる。さ
らには必要に応じて、カチオン系高分子化合物を含む水
溶液でフィックス処理を併せて行ってもよい。
フィルムは、必要に応じて、公知の方法によりホウ酸処
理などの後処理が施される。このような後処理は、偏光
膜の光線透過率、偏光度及び耐久性を向上させる目的で
行われる。ホウ酸処理の条件は、用いる高分子フィルム
の種類や用いる染料の種類によって異なるが、一般的に
は、ホウ酸水溶液のホウ酸濃度を１〜１５重量％、好ま
しくは５〜１０重量％の範囲とし、処理は３０〜８０
℃、好ましくは５０〜８０℃の温度範囲で行われる。さ
らには必要に応じて、カチオン系高分子化合物を含む水
溶液でフィックス処理を併せて行ってもよい。
【００２７】このようにして得られる染料系偏光膜は、
その片面又は両面に、光学的透明性及び機械的強度に優
れる保護膜を貼合して、偏光板とすることができる。保
護膜を形成する材料は、従来から使用されているもので
よく、例えば、セルロースアセテート系フィルムやアク
リル系フィルムのほか、四フッ化エチレン／六フッ化プ
ロピレン共重合体のようなフッ素樹脂系フィルム、ポリ
エステル系フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ
アミド系フィルムなどが用いられる。
その片面又は両面に、光学的透明性及び機械的強度に優
れる保護膜を貼合して、偏光板とすることができる。保
護膜を形成する材料は、従来から使用されているもので
よく、例えば、セルロースアセテート系フィルムやアク
リル系フィルムのほか、四フッ化エチレン／六フッ化プ
ロピレン共重合体のようなフッ素樹脂系フィルム、ポリ
エステル系フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリ
アミド系フィルムなどが用いられる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、これらは例示的なものであって、本発明をな
んら限定するものではない。例中にある％及び部は、特
にことわらないかぎり重量基準である。
明するが、これらは例示的なものであって、本発明をな
んら限定するものではない。例中にある％及び部は、特
にことわらないかぎり重量基準である。
【００２９】実施例１ （1A）染料の製造 下式（１）
【００３０】
【００３１】で示されるジスアゾ中間化合物６部を水１
００部に溶解した液に、１５〜２０℃の温度で、１０％
炭酸ナトリウム水溶液によりｐＨ７〜８に調整しなが
ら、塩化ベンゾイル６部を３０分で滴下した。その後、
同温度及び同ｐＨで５時間攪拌した。析出した結晶を濾
過することにより、下式（Ia）で示されるジスアゾ化合
物を得、この化合物は、水性媒体中でλmax ４０１nmを
示した。
００部に溶解した液に、１５〜２０℃の温度で、１０％
炭酸ナトリウム水溶液によりｐＨ７〜８に調整しなが
ら、塩化ベンゾイル６部を３０分で滴下した。その後、
同温度及び同ｐＨで５時間攪拌した。析出した結晶を濾
過することにより、下式（Ia）で示されるジスアゾ化合
物を得、この化合物は、水性媒体中でλmax ４０１nmを
示した。
【００３２】
【００３３】（1B）偏光膜の製造 厚さ７５μm のポリビニルアルコールフィルム（クラレ
ビニロン＃７５００、（株）クラレ製品）を縦一軸に５
倍延伸して、偏光膜基材とした。このポリビニルアルコ
ールフィルムを緊張状態に保ったまま、上記式（Ia）で
示されるジスアゾ化合物を０.０２５％、染色助剤であ
る芒硝を２.０％の濃度とした７０℃の水溶液に浸漬し
た。次に７８℃の７.５％ホウ酸水溶液に５分間浸漬し
たのち、取り出して２０℃の水で２０秒間洗浄し、５０
℃で乾燥することにより、偏光膜を得た。得られた偏光
膜のλmax （単体透過率が極小となる波長）は４１０nm
であり、この偏光膜は高い偏光度を有し、高温・高湿の
状態でも長時間にわたる耐久性を示した。また、長時間
暴露に対する耐光性にも優れていた。
ビニロン＃７５００、（株）クラレ製品）を縦一軸に５
倍延伸して、偏光膜基材とした。このポリビニルアルコ
ールフィルムを緊張状態に保ったまま、上記式（Ia）で
示されるジスアゾ化合物を０.０２５％、染色助剤であ
る芒硝を２.０％の濃度とした７０℃の水溶液に浸漬し
た。次に７８℃の７.５％ホウ酸水溶液に５分間浸漬し
たのち、取り出して２０℃の水で２０秒間洗浄し、５０
℃で乾燥することにより、偏光膜を得た。得られた偏光
膜のλmax （単体透過率が極小となる波長）は４１０nm
であり、この偏光膜は高い偏光度を有し、高温・高湿の
状態でも長時間にわたる耐久性を示した。また、長時間
暴露に対する耐光性にも優れていた。
【００３４】実施例２ （2A）染料の製造 下式（２）
【００３５】
【００３６】で示されるジスアゾ中間化合物４部を水５
０部とＮ−メチルピロリドン５０部の混合液に溶解した
後、３０〜３５℃の温度で、１５％炭酸ナトリウム水溶
液によりｐＨ６〜７に調整しながら、無水マレイン酸１
０部を１時間かけて加えた。さらに同温度及び同ｐＨで
３時間攪拌した後、塩化ナトリウム１５部を加えて結晶
を析出させた。この析出した結晶を濾過した後、得られ
たケーキを水５０部とＮ−メチルピロリドン２０部の混
合液に再度溶解した。この液にエタノール１００部を加
え、析出した結晶を濾過することにより、下式（Ib）で
示されるジスアゾ化合物を得、この化合物は、水性媒体
中でλmax ３９９nmを示した。
０部とＮ−メチルピロリドン５０部の混合液に溶解した
後、３０〜３５℃の温度で、１５％炭酸ナトリウム水溶
液によりｐＨ６〜７に調整しながら、無水マレイン酸１
０部を１時間かけて加えた。さらに同温度及び同ｐＨで
３時間攪拌した後、塩化ナトリウム１５部を加えて結晶
を析出させた。この析出した結晶を濾過した後、得られ
たケーキを水５０部とＮ−メチルピロリドン２０部の混
合液に再度溶解した。この液にエタノール１００部を加
え、析出した結晶を濾過することにより、下式（Ib）で
示されるジスアゾ化合物を得、この化合物は、水性媒体
中でλmax ３９９nmを示した。
【００３７】
【００３８】（2B）偏光膜の製造 上記式（Ib）で示されるジスアゾ化合物を用い、染色浴
の温度を６５℃に、またホウ酸処理の温度を７３℃に変
更して、実施例１の（1B）と同様の処理を施すことによ
り、偏光膜を得た。 得られた偏光膜のλmax は４２０
nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、高温・高湿
の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。また、長時
間暴露に対する耐光性にも優れていた。
の温度を６５℃に、またホウ酸処理の温度を７３℃に変
更して、実施例１の（1B）と同様の処理を施すことによ
り、偏光膜を得た。 得られた偏光膜のλmax は４２０
nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、高温・高湿
の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。また、長時
間暴露に対する耐光性にも優れていた。
【００３９】実施例３ 実施例１で用いた塩化ベンゾイルの代わりに、塩化４−
フェニルベンゾイルを用いて、実施例１の（1A）と同様
の操作を施すことにより、下式（Ic）で示されるジスア
ゾ化合物を得、この化合物は、水性媒体中でλmax ４０
１nmを示した。
フェニルベンゾイルを用いて、実施例１の（1A）と同様
の操作を施すことにより、下式（Ic）で示されるジスア
ゾ化合物を得、この化合物は、水性媒体中でλmax ４０
１nmを示した。
【００４０】
【００４１】この化合物を用いて、実施例１の（1B）と
同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光膜のλma
x は４１０nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、
高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。
また、長時間暴露に対する耐光性にも優れていた。
同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光膜のλma
x は４１０nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、
高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。
また、長時間暴露に対する耐光性にも優れていた。
【００４２】実施例４ 実施例２で用いた無水マレイン酸の代わりに、無水フタ
ル酸を用いて、実施例２の（2A）と同様の操作を施すこ
とにより、下式（Id）で示されるジスアゾ化合物を得、
この化合物は、水性媒体中でλmax ３９３nmを示した。
ル酸を用いて、実施例２の（2A）と同様の操作を施すこ
とにより、下式（Id）で示されるジスアゾ化合物を得、
この化合物は、水性媒体中でλmax ３９３nmを示した。
【００４３】
【００４４】この化合物を用いて、実施例２の（2B）と
同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光膜のλma
x は４１０nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、
高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。
また、長時間暴露に対する耐光性にも優れていた。
同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光膜のλma
x は４１０nmであり、この偏光膜は高い偏光度を有し、
高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久性を示した。
また、長時間暴露に対する耐光性にも優れていた。
【００４５】実施例５ （5A）染料の製造 下式（３）
【００４６】
【００４７】で示されるトリスアゾ中間化合物７部を、
水１００部とＮ−メチルピロリドン１００部の混合液
に溶解した後、３０〜３５℃の温度で、１５％炭酸ナト
リウム水溶液によりｐＨ６〜７に調整しながら、無水酢
酸４部を３０分かけて加えた。同温度及び同ｐＨで３時
間攪拌した後、塩化ナトリウム２０部を加えて結晶を析
出させた。この析出した結晶を濾過した後、得られたケ
ーキを水１００部とＮ−メチルピロリドン１００部の混
合液に再度溶解した。この液にエタノール２００部を加
え、析出した結晶を濾過することにより、下式（Ie）で
示されるトリスアゾ化合物を得、この化合物は、水性媒
体中でλmax ４１２nmを示した。
水１００部とＮ−メチルピロリドン１００部の混合液
に溶解した後、３０〜３５℃の温度で、１５％炭酸ナト
リウム水溶液によりｐＨ６〜７に調整しながら、無水酢
酸４部を３０分かけて加えた。同温度及び同ｐＨで３時
間攪拌した後、塩化ナトリウム２０部を加えて結晶を析
出させた。この析出した結晶を濾過した後、得られたケ
ーキを水１００部とＮ−メチルピロリドン１００部の混
合液に再度溶解した。この液にエタノール２００部を加
え、析出した結晶を濾過することにより、下式（Ie）で
示されるトリスアゾ化合物を得、この化合物は、水性媒
体中でλmax ４１２nmを示した。
【００４８】
【００４９】（5B）偏光膜の製造 上記式（Ie）で示されるトリスアゾ化合物を用い、ホウ
酸処理の温度を７６℃に変更して、実施例１の（1B）と
同様の操作を施すことにより、偏光膜を得た。得られた
偏光膜のλmax は４３０nmであり、この偏光膜は高い偏
光度を有し、高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久
性を示した。また、長時間暴露に対する耐光性にも優れ
ていた。
酸処理の温度を７６℃に変更して、実施例１の（1B）と
同様の操作を施すことにより、偏光膜を得た。得られた
偏光膜のλmax は４３０nmであり、この偏光膜は高い偏
光度を有し、高温・高湿の状態でも長時間にわたる耐久
性を示した。また、長時間暴露に対する耐光性にも優れ
ていた。
【００５０】実施例６ 原料化合物を変更して実施例１〜５に準じた操作を施す
ことにより、それぞれ下式（If）、（Ig）、（Ih）及び
（Ii）で示されるアゾ化合物を得た。
ことにより、それぞれ下式（If）、（Ig）、（Ih）及び
（Ii）で示されるアゾ化合物を得た。
【００５１】
【００５２】これらの化合物は、水性媒体中でそれぞ
れ、４０１nm、４００nm、４１２nm及び４１４nmのλma
x を示した。これらの各化合物を用いて、実施例１の
（1B）と同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光
膜は、高い偏光度を有し、高温・高湿の条件下での耐久
性と長時間暴露に対する耐光性に優れていた。また、こ
れらの偏光膜のλmax は、それぞれ次のとおりであっ
た。
れ、４０１nm、４００nm、４１２nm及び４１４nmのλma
x を示した。これらの各化合物を用いて、実施例１の
（1B）と同様の方法により偏光膜を得た。得られた偏光
膜は、高い偏光度を有し、高温・高湿の条件下での耐久
性と長時間暴露に対する耐光性に優れていた。また、こ
れらの偏光膜のλmax は、それぞれ次のとおりであっ
た。
【００５３】アゾ化合物 偏光膜のλmax 式（If） ４２０nm 式（Ig） ４２０nm 式（Ih） ４２０nm 式（Ii） ４３０nm
【００５４】
【発明の効果】本発明で特定するアゾ化合物を含有する
染料系偏光膜は、ヨウ素を用いた偏光膜に匹敵する高い
偏光性能を示し、また耐久性と長時間暴露に対する耐光
性にも優れるので、各種液晶表示体、なかでも高い偏光
性能と耐光性を必要とする液晶プロジェクター用途に好
適である。
染料系偏光膜は、ヨウ素を用いた偏光膜に匹敵する高い
偏光性能を示し、また耐久性と長時間暴露に対する耐光
性にも優れるので、各種液晶表示体、なかでも高い偏光
性能と耐光性を必要とする液晶プロジェクター用途に好
適である。
フロントページの続き (72)発明者 林 成年 大阪府高槻市塚原２丁目10番１号 住友化 学工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H049 BA02 BA28 BA30 BB43 BC10 BC22
Claims (4)
- 【請求項１】遊離酸の形で表したときに、下式（Ｉ） （式中、Ａは、スルホ及びカルボキシルから選ばれる１
個若しくは２個の水溶性基を有するフェニル又は１〜３
個のスルホを有するナフチルを表し；Ｂはメチル、エチ
ル、カルボキシビニル、カルボキシエチル又は、無置換
の若しくは、メチル、エチル、メトキシ、アセチル、ベ
ンゾイル、アセトキシ、アセチルアミノ、ニトロ、アミ
ノ、カルボキシル及びフェニルから選ばれる置換基で置
換されたフェニルを表し；Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ
5 及びＲ6 はそれぞれ独立に、水素、低級アルキル又は
低級アルコシキを表し；ｍは０又は１を表す）で示され
るアゾ化合物を偏光膜基材に含有してなることを特徴と
する染料系偏光膜。 - 【請求項２】Ａがモノスルホフェニル又はジスルホナフ
チルである請求項１に記載の染料系偏光膜。 - 【請求項３】Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 が
それぞれ独立に、水素、メチル又はメトキシである請求
項１又は２に記載の染料系偏光膜。 - 【請求項４】偏光膜基材がポリビニルアルコール系の樹
脂からなるフィルムである請求項１〜３のいずれかに記
載の染料系偏光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175339A JP2001004833A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | アゾ化合物を含有する染料系偏光膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175339A JP2001004833A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | アゾ化合物を含有する染料系偏光膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004833A true JP2001004833A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15994344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175339A Pending JP2001004833A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | アゾ化合物を含有する染料系偏光膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2457955A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-05-30 | Kemira Oyj | Trisazo dyes for paper dyeing |
| EP2457957A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-05-30 | Kemira Oyj | Azo dyes for paper dyeing |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP11175339A patent/JP2001004833A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2457955A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-05-30 | Kemira Oyj | Trisazo dyes for paper dyeing |
| EP2457957A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-05-30 | Kemira Oyj | Azo dyes for paper dyeing |
| WO2012072635A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Kemira Oyj | Azo dyes |
| WO2012072632A1 (en) | 2010-11-30 | 2012-06-07 | Kemira Oyj | Azo dyes |
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