JP2000517462A - 熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ良好なプロトン伝導率を有するプロトン導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ良好なプロトン伝導率を有するプロトン導体。１乃至９９重量％の酸と、９９乃至１重量％の非水性両性材料とを含有してなり、且つ−５０℃乃至４００℃において熱的に安定であり、そして１０^-5Ｓ／ｃｍ以上のプロトン伝導率を有するプロトン導体。本発明は、さらに本発明のプロトン導体を含有してなる膜、該膜を製造する方法ならびにエレクトロクロミックセル、二次電池およびエレクトロクロミックディスプレイにおける該膜の使用に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ良好なプロトン伝導率を有するプロ トン導体 本発明は、熱的に広い範囲にわたって安定であり、且つ高いプロトン伝導率を 有するプロトン導体に関し、さらに例えば、燃料電池等の電気化学的セル、二次 電池およびエレクトロクロミックディスプレイにおけるそれらの使用にも関する 。 １００℃を超えて熱的に安定であるプロトン導体類が文献に知られている。し かしながら、公知のプロトン導体類は、重大な欠点を有する。 オキソ酸類またはそれらの塩類（例えば、リン酸、硫酸、過塩素酸等、または それらの塩類）と、水分を含まない物質からなる両性材料とのプロトン伝導性混 合物は、約２００℃の温度においてのみ有用なプロトン伝導率を有する。Ｔｈ． Ｄｉｐｐｅｌ等、Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｉｎｔｅｒｉｏｎｉｃｓ，１９９３ ，６１，４１；Ｋ．Ｄ．Ｋｒｅｕｒ等、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ.，１９９６，８ ，６１０−４１。高分子電解質膜類（ＰＥＭｓ）と比較してプロトン伝導率の値 がより低いため、単位重量当たり仕事率（Ｗ／ｋｇ）および単位体積当たり仕事 率（Ｗ／Ｉ）は、好ましくないほど小さい。これにより可能な応用、特に移動用 途（ｍｏｂｉｌｅ ｕｓｅ）のための燃料電池でのプロトン伝導膜としての使用 が制限される。 また、高温度プロトン導体としての酸化物類、水酸化物類およびアパタイト類 の使用も知られている（Ｋｒｅｕｅｒ等、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ.；Ｖｏｌ．８ ，Ｎｏ．３，１９９６，ｐ．６１５ ｆｆ)。しかしながら、これらの材料では ５００℃超える温度においてのみ、比較的良好なプロトン伝導率が達成され得る 。中間および低温度範囲において、それらは十分なプロトン伝導率を有しない。 オキソ酸類およびそれらの塩類を用いる場合、ＰＥＭ類と比較して、単位重量当 たり仕事率および単位体積当たり仕事率は、さらに低い。Ｗ．Ｄｏｎｉｔｚ，『 Ｆｕｅｌ Ｃｅｌｌｓ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｓ ｔａｔ ｕｓ，Ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｆｕｔｕｒｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉ ｏｎ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ』Ｐｒｏｃ．Ｏｆ ｔｈｅ １１ｔｈ Ｗｏｒｌｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｄｅｃｈｅｍａ，Ｓｔｕｔｔｇａｒ ｔ，１９９６，ｐ．１６２３。従来から公知のプロトン伝導性高分子電解質膜類 （ＰＥＭｓ）は、低温度範囲（１００℃以下）において高いプロトン伝導率を有 し、そして燃料電池に用いると、仕事率の迅速な上昇を可能にする。このように 、例えば、ペルフルオロ化ポリマーを含有してなるＤｏｗ膜は室温で０．１〜０ ．２Ｓ／ｃｍの伝導率を有する(Ｇ．Ａ．Ｅｉｓｍａｎ，Ｊｏｕｒｎ．ｏｆ Ｐ ｏｗｅｒ Ｓｏｕｒｃｅｓ，Ｖｏｌ．２９，１９９０，３８９−３９８)。プロ トン伝導性膜の性能は、膜の両性電解質の含量および酸の含量にかなり依存して いる。公知のＰＥＭ類は、両性電解質として水を用いる。これにより操作温度の 上限が約１００℃に制限される。この上限を越すと、膜の脱水が起こり、膜の性 能（プロトン伝導率、従って電気の出力および機械的強度も）の低下に帰着する 。Ｓ．Ｇｏｔｔｅｓｆｅｌｄ等、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｆ ｕｅｌ Ｃｅｌｌ Ｍｏｄｅｌ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.，１９９ ４，１４１，Ｌ４６−Ｌ５０。 従来技術において知られている、プロトン導体類の幾つか（オキソ酸類、例え ばリン酸、ならびに水酸化物類、酸化物類、およびアパタイト類も）、高温で使 用することができるが、それらの単位重量当たり仕事率および単位体積当たり仕 事率はともに小さすぎる。低温において、これらの系は満足なプロトン伝導率を 有しない。高分子電解質膜類は、１００℃未満の温度範囲で良好なプロトン伝導 率を有するが、一般的に１００℃超える温度ではあまり安定でない。 そこで本発明は、広い温度範囲にわたって良好なプロトン伝導率を有し、高い 化学的および電気化学的安定性と、場合により機械的強度を有し、且つ酸および 塩基による攻撃に対して化学的に耐性であるプロトン導体を提供することを目的 とする。さらに、それらは高い単位体積当たり仕事率および高い単位重量当たり 仕事率を有するはずである。 本発明は、１〜９９重量％、好ましくは１０乃至９０重量％、特に２０乃至８ ０重量％の酸と、９９〜１重量％、好ましくは９０乃至１０重量％、特に８０乃 至２０重量％の非水性両性材料とを含有してなり、且つ４００℃までの、特に− ５０乃至３００℃の温度範囲において熱的に安定であることを特徴とするプロト ン導体を提供することによって、前記目的を達成する。本発明のプロトン導体は 、この温度範囲で１０^-5Ｓ／ｃｍ以上、特に１０^-3Ｓ／ｃｍ以上のプロトン伝導 率を有する。 本発明のプロトン導体に存在する前記酸さらに前記両性材料は、低分子量また は高分子量でありうる。同様に、低分子量の酸と重合性の酸との混合物、または 低分子量の両性材料と重合性の両性材料との混合物を使用することも可能である 。 好ましい実施の形態においては、前記プロトン伝導性混合物が、所望ならば、 高分子量ポリマー（支持体となる）中に存在してよい、低分子量の両性材料と、 高分子量の酸または低分子量の酸とを含有してなるか、あるいは低分子量の両性 材料または高分子量の両性材料と、低分子量の酸とを含有してなる。 本発明の目的のために、高分子量の酸とは、特に１０００ｇ／ｍｏｌより大き い、好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌより大きい分子量を有する酸である。本発明 に従って用いられる前記の重合性、高分子量の酸は、前記両性材料に対してブレ ンステッドプロトン供与体として働く、イオン的に解離しうる共有結合した基を 有する。特に、官能基で置換されたポリアリーレン類、ハロゲン化脂肪族ポリマ ー類、または芳香族モノマー単位と、脂肪族モノマー単位とを含有してなり官能 基で置換された共重合体類を使用することが好ましい。好ましい官能性置換基は 、例えば−ＳＯ₃Ｍ、−ＰＯ₃Ｍ₁もしくは−ＰＯ₃Ｍ₂、または−ＣＯＯＭであり 、ここでＭは、Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、ＮＨ₄、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｍｇ、または Ｂａである。 好ましい高分子量の酸の実例は、芳香族および脂肪族ポリマー類、特に、好ま しくは過フルオロ化のように過ハロゲン化された脂肪族ポリマー類、さらにポリ エーテルケトン類、ポリエーテルスルホン類、ポリイミド類、ポリフェニレンス ルフィド類、ポリフェニレンオキシド類ならびにこれらのポリマー類からの単位 を含有してなり、且つスルホン酸基(−ＳＯ₃Ｍ)、リン酸基(−ＰＯ₃Ｍ₁もし くは−ＰＯ₃Ｍ₂)、またはカルボン酸基（−ＣＯＯＭ）によって置換された共重 合体類である。 好ましい実施の形態においては、前記酸がポリマーとして、または前記両性材 料に結合して存在する。かくして、酸の漏れそして例えば、腐食性のある酸によ る環境の汚染が避けられる。 本発明のプロトン導体に存在する、１０００ｇ／ｍｏｌ以下、好ましくは５０ ０ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する前記低分子量の酸は、前記重合性の酸類のよ うに前記両性材料に対してブレンステッドプロトン供与体として働く、イオン的 に解離しうる共有結合した基を有する。有機芳香族化合物類さらに、例えば−Ｓ Ｏ₃Ｍ、−ＰＯ₃Ｍ₂、−ＣＯＯＭ、−Ｂ（ＯＭ）₂、または−ＣＦ₂ＳＯ₃Ｍ（Ｍは 上記の定義のとおりである）のような共有結合された官能基を有するハロゲン化 脂肪族またはハロゲン化芳香族化合物類をここで使用することが好ましい。特に 、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、メチルスルホン酸、またはトリフルオロメ チルスルホン酸等の有機脂肪族および芳香族スルホン酸類さらには、芳香族およ び脂肪族カルボン酸類を使用することが好ましい。 また好ましいものは、例えば硫酸、リン酸および過塩素酸等の無機鉱酸類であ る。 高分子量の両性材料または低分子量の両性材料のいづれか一方、または高分子 量の両性材料と低分子量の両性材料との混合物を使用することが可能である。 本発明の目的のために、高分子量の両性材料とは、特に１０００ｇ／ｍｏｌよ り大きい、好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌより大きい分子量を有するものである 。両性材料として、側鎖に両性基を有する脂肪族の、ハロゲン化されたまたはハ ロゲン化されていないポリマー類および主鎖に両性構造を有する芳香族ポリマー 類を使用することが好ましい。特に、これらはヘテロ芳香族または複素環式の、 特に窒素を含有する構造単位を主鎖または側鎖に有するポリマー類、または共重 合体類である。 このような構造単位は、例えば次のとおりである。（式中Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＨであり、Ｙは、Ｎ、ＮＲ’⁺であり、そしてＲはＣＨ₃ 、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₆Ｈ₅、ｎＣ₄Ｈ₉、ｔ−Ｃ₄Ｈ₉、Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₃、ＣＦ₃である。） 好ましい両性基は、例えば、イミダゾール基、ベンズイミダゾール基、ピラゾー ル基、オキサゾール基、カルバゾール基、インドール基、イソインドール基、ジ ヒドロオキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、ベンゾチアゾール 基、ィソチアゾール基、ベンズイミダゾール基、イミダゾリジン基、インダゾー ル基、４，５−ジヒドロピラゾール基、１，２，３−オキサジアゾール基、フラ ザン基、１，２，３−チアジアゾール基、１，２，４−チアジアゾール基、１， ２，３−トリアゾール基、ベンゾトリアゾール基、１，２，４−トリアゾール基 、テトラゾール基、ピロール基、ピロリジン基、またはピラゾール基である。特 に、前記両性材料は、ビニルイミダゾール基、イミダゾール基、またはピラゾー ル基を含む。好適に使用される高分子量の両性材料の実例は、ポリベンズイミダ ゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾチアゾール、またはポリアクリル アミドである。 本発明の目的のために、低分子量の両性材料とは、特に１０００ｇ／ｍｏｌ以 下、好ましくは５００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有するような両性材料である。 本発明に従って使用される、低分子量の両性材料は、例えば次のとおりである 。（式中Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＨであり、Ｙは、Ｎ、ＮＲ’⁺であり、Ｒは、Ｈ、ＣＨ₃ 、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₆Ｈ₅、ｎＣ₄Ｈ₉、ｔ−Ｃ₄Ｈ₉、ＣＮ、ＮＯ₂、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ 、ＣＯ₂Ｒ'、ＳＯ₃Ｒ'、Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₃、ＣＦ₃、Ｃ₆Ｈ₄−Ｒ’であり、Ｒ’は、 Ｈ、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₆Ｈ₅、Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₃、ＣＦ₃、Ｃ₄Ｈ₉であり、Ｍｅは、 ＣＨ₃である。） 両性基としてイミダゾール基、ピラゾール基、またはフェニルイミダゾール基 を含む低分子量化合物が特に好ましい。 本発明のプロトン導体は、１乃至９９重量％、好ましくは１０乃至９０重量％ 、特に２０乃至８０重量％の対応する酸と、９９〜１重量％、好ましくは９０〜 １０重量％、特に８０〜２０重量％の対応する両性材料とを、−４０℃乃至２５ ０℃、好ましくは２０℃乃至１００℃の範囲の温度で、溶媒中または溶媒なしで 混合することによって得られる。 使用することのできる溶媒は、一般的に、前記酸および前記両性材料がその中 に溶けるか、または分散されうるような溶媒である。挙げられる実例は、Ｎ−メ チルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル ホオキシド、トルエンおよび水である。必要ならば、前記溶媒は、後で例えば蒸 発によって除去することができる。 本発明のプロトン導体は、例えば適当な溶媒との溶液として、あるいは分散系 、ペースト、またはエアロゾル等として、膜、フィルム、電極のような物品を塗 膜するために、流動性組成物の形態で使用することができる。 さらに、前記酸、好ましくは重合性の酸を含有してなるシート状の構造物、例 えば膜またはフィルムを前記両性材料、特に低分子量の両性材料を含有してなる 溶液または分散系で塗膜することが可能であり、あるいはその塗膜工程を溶媒な しで、所望ならば溶融物中において実行することが可能である。逆の手順も同様 に可能であり、これは前記両性材料、好ましくは重合性の両性材料を含有してな るシート状の構造物を前記酸と溶液または分散系中、あるいは溶融物状態におい て接触させ、前者を塗膜することによる。 記述されたようにして得られた前記プロトン伝導性膜またはフィルムは、広い 温度範囲にわたって、好ましくは+４００℃までの温度、特に５０乃至２５０℃ で高いプロトン伝導率を有する。それらの伝導率は、特に１０^-5Ｓ／ｃｍ以上、 好ましくは１０^-3Ｓ／ｃｍ以上の範囲にある。公知の高分子電解質膜類と異なり 、上記プロトン導体を含有してなる膜は、記載された温度範囲において高い化学 的および電気化学的安定性を有する。さらに、燃料電池スタックに使用されると 、本発明のプロトン導体は、特に１５０Ｗ／ｋｇより大きい、好ましくは１９０ Ｗ／ｋｇより大きい単位重量当たりの高仕事率および特に３００Ｗ／ｋｇより大 きい、好ましくは３５０Ｗ／ｋｇより大きい単位体積当たりの高仕事率から注目 に値する。 本発明のプロトン導体、さらに本発明のプロトン導体を含有してなる膜または フィルムは、それらの熱的安定性のため高温および低温の両方での使用に適し、 そしてそれらの良好な化学的および物理的安定性、ならびに高いプロトン伝導率 のため、電気化学的セル、特に燃料電池または電解装置、さらには二次電池また はエレクトロクロミックディスプレイにおいて使用されるのに特に適している。 （実施例）イミダゾールまたはベンズイミダゾール／ピラゾールで処理したスルホン化ポリ スルホン化Ｈｏｓｔａｔｅｃ（ＰＥＥＫ、スルホン化度７２．５％）の厚さ４ ０μｍ膜が固体状ピラゾール、イミダゾール、またはベンズイミダゾールと密に 接触される。膜および複素環式化合物は、それからピラゾールについては、８０ 〜９０℃の温度に、そしてイミダゾールまたはベンズイミダゾールについては１ ００〜１１０℃の温度にされる。複素環式化合物の膜内への均一な分散を達成す るために、混合物がこの温度に１〜２時間保たれる。膜に組み込まれる複素環式 化合物の量は、膜に塗布される複素環式化合物の量によって直接的に、制御する ことができる。この方法によって、２００重量％までの複素環式化合物の含量を 有する膜を調製することが可能である。 温度および両性材料の含量に対するプロトン伝導率の典型的な依存関係を図１ および図２に示す。数値は、インピーダンス分析機を用いての測定から得られた 。金が電極材料として使用された。 得られた伝導率値は、次のとおりである。 ２００℃において、ｎが５であるイミダゾールについては０．０１５Ｓ／ｃｍ２ ００℃において、ｎが６．７であるイミダゾールについては０．０１０Ｓ／ｃｍ １９０℃において、ｎが７であるイミダゾールについては０．０１６Ｓ／ｃｍ１ ３０℃において、ｎが９であるイミダゾールについては０．０１０Ｓ／ｃｍ２０ ０℃において、ｎが９．３であるピラゾールについては０．０２０Ｓ／ｃｍ２０ ０℃において、ｎが５であるベンズイミダゾールについては０．０１３Ｓ／ｃｍ ｎはポリマー上での複素環式化合物のスルホン酸基に対するモル比である。 （混合物の伝導率） （実施例２） スルファニリル酸がイミダゾールと１０／９０のモル比でよく混ぜられる。混 合物は、１５０℃において０．０５４Ｓ／ｃｍの伝導率を示す。 （実施例３） ナフタル酸がベンズイミダゾールと１０／９０のモル比でよく混ぜられる。混 合物は、２５０℃において０．０５４Ｓ／ｃｍの伝導率を示す。 （実施例４） 酸化アンチモン（Ｖ）（３２０ｍ²／ｇの表面積を有する）がベンズイミダゾ ールと２／３のモル比でよく混ぜられる。１７０℃において０．００５Ｓ／ｃｍ の伝導率が得られる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年８月１３日（１９９８．８．１３） 【補正内容】 請求の範囲 １．酸と非水性両性材料とを含有してなり、前記プロトン導体は低分子量の酸お よび／または重合性の酸を含有してなり、前記両性材料は１０００ｇ／ｍｏｌ以 下の分子量を有する低分子量の両性材料であり、前記酸は１乃至９９重量％の量 で存在し、そして前記両性材料は９９乃至１重量％の量で存在し、且つ４００℃ までの温度範囲において熱的に安定であり、該温度範囲で１０^-5Ｓ／ｃｍ以上の プロトン伝導率を有することを特徴とするプロトン導体。 ２．さらに低分子量の両性材料および／または重合性の両性材料を含有してなる ことを特徴とする、請求項１に記載のプロトン導体。 ３．前記酸が前記両性材料に対してブレンステッドプロトン供与体として働く、 イオン的に解離しうる共有結合した基を有することを特徴とする、請求項１また は２に記載のプロトン導体。 ４．前記高分子量の酸が官能基で置換されたポリアリーレン、ハロゲン化された またはハロゲン化されていない脂肪族ポリマー、あるいは芳香族モノマー単位と 、脂肪族モノマー単位とを含有してなり官能基で置換された共重合体であること を特徴とする、請求項１〜３の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 ５．前記低分子量の酸が共有結合した官能基を含む芳香族または脂肪族化合物で あるか、あるいは無機鉱酸であることを特徴とする、請求項１〜４の少なくとも ひとつに記載のプロトン導体。 ６．前記酸に存在する官能性置換基が−Ｂ（ＯＭ）₂、−ＳＯ₃Ｍ₁−ＰＯ₃Ｍ₁も しくは−ＰＯ₃Ｍ₂、−ＣＯＯＭ、または−ＣＦ₂−ＳＯ₃Ｍ基であり、ここでＭは Ｈ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｍｇ、またはＢａであることを特徴と する、請求項４または５のいずれかに記載のプロトン導体。 ７．前記両性材料が芳香族または脂肪族の、ハロゲン化されたまたはハロゲン化 されていないポリマーであることを特徴とする、請求項１または２に記載のプロ トン導体。 ８．前記両性材料がイミダゾール基、ビニルイミダゾール基、ピラゾール基、オ キサゾール基、カルバゾール基、インドール基、イソインドール基、ジヒドロオ キサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、ベンゾチアゾール基、イソ チアゾール基、ベンズイミ ダゾール基、イミダゾリジン基、インダゾール基、４，５−ジヒドロピラゾール 基、１，２，３−オキサジアゾール基、フラザン基、１，２，３−チアジアゾー ル基、１，２，４−チアジアゾール基、１，２，３−トリアゾール基、ベンゾト リアゾール基、１，２，４−トリアゾール基、テトラゾール基、ピロール基、ピ ロリジン基、またはピラゾール基を含むことを特徴とする、請求項７に記載のプ ロトン導体。 ９．シート状構造物類、特に膜、フィルムおよび電極を塗膜するための、請求項 １〜８の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 １０．前記酸と前記両性材料とを、溶媒中または、所望ならば溶媒なしで−４０ ℃乃至２５０℃の温度において互いに接触させることを特徴とする、請求項１に 記載のプロトン導体の製造方法。 １１．４００℃まで熱的に安定であり、且つ該温度範囲において１０^-5Ｓ／ｃｍ 以上のプロトン伝導率を有する請求項１〜１０の少なくともひとつに記載のプロ トン導体を含有してなることを特徴とする膜。 １２．前記適当な酸を含有してなる膜を、前記両性材料を含有してなる溶液また は分散系で塗膜するか、あるいは該塗膜工程を溶媒なしで、所望ならば、溶融物 中で実行することを特徴とする、請求項１１に記載の膜の製造方法。 １３．前記適当な両性材料を含有してなる膜を、前記酸を含有してなる溶液また は分散系で塗膜するか、あるいは該塗膜工程を溶媒なしで、所望ならば、溶融物 中で実行することを特徴とする、請求項１１に記載の膜の製造方法。 １４．電気化学的セル、二次電池またはエレクトロクロミックディスプレイにお いての請求項１１に記載の膜の使用。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイヤー，ヨアヒム ドイツ連邦共和国デー―75446 ヴィール ンスハイム，イム・カゼンロッホ 102 (72)発明者 フランク，ゲオルク ドイツ連邦共和国デー―72074 テュービ ンゲン，シュトイダッハ 164 (72)発明者 ゾッツカ―グース，トーマス ドイツ連邦共和国デー―65719 ホーフハ イム，ゾフィー―ラインハイマー―シュト ラーセ 12 (72)発明者 クラウス，ヨアヒム ドイツ連邦共和国デー―65929 フランク フルト，ヨハネスアレー 41

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．酸と非水性両性材料とを含有してなり、前記酸は１乃至９９重量％の量で存 在し、前記両性材料は９９乃至１重量％の量で存在し、且つ４００℃までの温度 範囲において熱的に安定であることを特徴とするプロトン導体。 ２．１０^-5Ｓ／ｃｍ以上のプロトン伝導率を有することを特徴とする、請求項１ に記載のプロトン導体。 ３．低分子量の酸および／または重合性の酸を含有してなることを特徴とする、 請求項１または２に記載のプロトン導体。 ４．低分子量の両性材料および／または重合性の両性材料を含有してなることを 特徴とする、請求項１〜３の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 ５．前記酸が前記両性材料に対してブレンステッドプロトン供与体として働く、 イオン的に解離しうる共有結合した基を有することを特徴とする、請求項１〜４ の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 ６．前記高分子量の酸が官能基で置換されたポリアリーレン、ハロゲン化された またはハロゲン化されていない脂肪族ポリマー、あるいは芳香族モノマー単位と 、脂肪族モノマー単位とを含有してなり官能基で置換された共重合体であること を特徴とする、請求項１〜５の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 ７．前記低分子量の酸が共有結合した官能基を含む芳香族または脂肪族化合物で あるか、あるいは無機鉱酸であることを特徴とする、請求項１〜５の少なくとも ひとつに記載のプロトン導体。 ８．前記酸に存在する官能性置換基が−Ｂ（ＯＭ）₂、−ＳＯ₃Ｍ、−ＰＯ₃Ｍ₁も しくは−ＰＯ₃Ｍ₂、−ＣＯＯＭ、または−ＣＦ₂ＳＯ₃Ｍ基であり、ここでＭはＨ 、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｍｇ、またはＢａであることを特徴とす る、請求項６または７のいずれかに記載のプロトン導体。 ９．前記両性材料が芳香族または脂肪族の、ハロゲン化されたまたはハロゲン化 されていないポリマーであることを特徴とする、請求項１〜８の少なくともひと つに記載のプロトン導体。 １０．前記両性材料が低分子量化合物であることを特徴とする、請求項１〜８の 少なくともひとつに記載のプロトン導体。 １１．前記両性材料がイミダゾール基、ビニルイミダゾール基、ピラゾール基、 オキサゾール基、カルバゾール基、インドール基、イソインドール基、ジヒドロ オキサゾール基、イソオキサゾール基、チアゾール基、ベンゾチアゾール基、イ ソチアゾール基、ベンズイミダゾール基、イミダゾリジン基、インダゾール基、 ４，５−ジヒドロピラゾール基、１，２，３−オキサジアゾール基、フラザン基 、１，２，３−チアジアゾール基、１，２，４−チアジアゾール基、１，２，３ −トリアゾール基、ベンゾトリアゾール基、１，２，４−トリアゾール基、テト ラゾール基、ピロール基、ピロリジン基、またはピラゾール基を含むことを特徴 とする、請求項９または１０に記載のプロトン導体。 １２．シート状構造物類、特に膜、フィルムおよび電極を塗膜するための、請求 項１〜１１の少なくともひとつに記載のプロトン導体。 １３．前記酸と前記両性材料とを、溶媒中または、所望ならば溶媒なしで−４０ ℃乃至２５０℃の温度において互いに接触させることを特徴とする、請求項１に 記載のプロトン導体の製造方法。 １４．４００℃まで熱的に安定である請求項１〜１１の少なくともひとつに記載 のプロトン導体を含有してなることを特徴とする膜。 １５．前記適当な酸を含有してなる膜を、前記両性材料を含有してなる溶液また は分散系で塗膜するか、あるいは該塗膜工程を溶媒なしで、所望ならば、溶融物 中で実行することを特徴とする、請求項１４に記載の膜の製造方法。 １６．前記適当な両性材料を含有してなる膜を、前記酸を含有してなる溶液また は分散系で塗膜するか、あるいは該塗膜工程を溶媒なしで、所望ならば、溶融物 中で実行することを特徴とする、請求項１４に記載の膜の製造方法。 １７．電気化学的セル、二次電池またはエレクトロクロミックディスプレイにお いての請求項１４に記載の膜の使用。