JP2000514591A

JP2000514591A - ブレンド系を用いたエレクトロルミネッセンス装置

Info

Publication number: JP2000514591A
Application number: JP10504732A
Authority: JP
Inventors: ベーアマン，ロルフ; エルシユナー，アンドレアス; フエパウフ，マルテイン; ヨンダ，クリストフ; テレル，デイビツド; クインテンス，デイルク; アンドリース，ハルトビヒ
Original assignee: バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト; ロベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
Priority date: 1996-07-05
Filing date: 1997-07-01
Publication date: 2000-10-31
Also published as: KR20000022457A; AU3692497A; US20020136921A1; EP0910930A1; WO1998002018A1; US6541128B2; DE19627070A1

Abstract

(57)【要約】本発明は、基体、陽極、エレクトロルミネッセンス素子、及び陰極で構成されており、２個の電極の少なくとも１個が可視スペクトルの範囲で透明であるエレクトロルミネッセンス装置に関する。そのエレクトロルミネッセンス電極は次の成分を順に含有することができる：エレクトロルミネッセンス現象に関係する、正孔注入、正孔移送ゾーン、電子移送ゾーン及び電子注入ゾーン。本発明は、正孔注入及び正孔移送ゾーンが、置換されていてもよいトリス−１，３，５−（アミノフェニル）ベンゼン化合物Ａ又はその混合物を含有し、そして、エレクトロルミネッセンス素子が、場合によっては、正孔移送物質、ルミネッセンス物質Ｂ）及び場合によっては電子移送物質の中から選ばれる追加の官能化された化合物を含有することを特徴とする。正孔注入及び正孔移送ゾーンは、化合物Ａ）に加えて、複数の追加の正孔移送成分を含んで成ることができる。少なくとも１個のゾーンが存在し、個々のゾーンは省略することができ、そして存在するゾーンは複数の機能を果たすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】ブレンド系を用いたエレクトロルミネッセンス装置エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置[electroluminescent（EL）arrangeme nt]は、それが電圧をかけた際に電流と共に光を発することを特徴とする。技術において、そのような装置は、長い間「発光ダイオード」（ＬＥＤ＝ｌｉｇｈｔ −ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）という名称で知られてきた。発光現象は、正電荷（正孔）と負電荷（電子）が光の放射を伴って再結合するという事実のために起こる。今日、主として、ガリウム砒素のような無機の半導体が、エレクトロニクス又はホトニクスのための発光成分の開発において使用されている。ドットの形でのディスプレー素子をそのような物質から製造することができる。大きな面を有する装置は不可能である。半導体発光ダイオードに加えて、蒸着した低分子有機化合物をベースとしたエレクトロルミネッセンス装置が知られている（ＵＳ−Ｐ４５３９５０７、ＵＳ−Ｐ４７６９２６２、ＵＳ−Ｐ５０７７１４２、ＥＰ−Ａ４０６７６２、ＥＰ−Ａ２７８７５８、ＥＰ−Ａ２７８７５７）。ポリ（ｐ−フェニレン）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）もまた、エレクトロルミネッセンス現象を示す重合体であると報告されている：G．L eisingら，Adv．Mater．4(1992)No.1;Friendら，J．Chem．Soc.，Chem．Commun ．32(1992);Saitoら，Polymer，1990，Vol．31，1137;Friendら，Physical Revi ew B，Vol．42，No.18，11670又はWO 90／13148。エレクトロルミネッセンスディスプレー装置におけるＰＰＶの例が、更にＥＰ−Ａ４４３８６１並びにＷＯ−Ａ９２０３４９０及び９２００３４９１に記載されている。ＥＰ−Ａ０２９４０６１は、ポリアセチレンをベースとした光変調器を紹介している。フレキシブルな高分子発光ダイオードの製造のために、Ｈｅｅｇｅｒらが、共役ＰＰＶ誘導体を提案した（ＷＯ９２／１６０２３）。種々な組成を有する重合体ブレンドも知られている：M．Stolkaら， Mater．1995，7，No.6，551；K．Nagaiら，Appl．Phys．Lett．67(16)1995，228 1;EP-A 532 798。有機ＥＬ装置は、一般的に、一層以上の有機電荷移送化合物層を含有している。基本的な構造は、層の順に、次の通りである。１．担体、基体２．底部電極３．正孔注入(injection)層４．正孔移送層５．発光層６．電子移送層７．電子注入層８．上部電極９．端子１０．ケース、封入剤層３〜７がエレクトロルミネッセンス素子を構成する。この構造は、最も普遍的な場合を表しており、一つの層が複数の役目を果たすようにして個々の層を省略することによって単純化することができる。最も単純な場合のＥＬ装置では、２個の電極の間に、発光を含む全ての機能を果たす１個の有機層が存在する。そのような系は、例えばポリ（ｐ−フェニレンビニレン）に基づいている出願ＷＯ９０／１３１４８に記載されている。多層系は、各層がガス相から相継いで塗布される蒸着法によるか又はキャスティング法によって、作り上げることができる。キャスティング法が、加工がより速いので好ましい。明らかに、ある場合には、既に塗布した層の部分溶液が、それを次の層で覆う過程において問題となり得る。本発明の目的は、高いルミネッセンスを有し、そして塗布すべき混合物をキャスティングによって塗布することができるエレクトロルミネッセンス装置を提供することである。これらの要件は下記に規定するブレンド系を含有するエレクトロルミネッセンス装置によって満たされることが見出された。以下において、「ゾーン」という用語は、「層」に等しいと見なされるべきである。従って、本発明は、基体、陽極、エレクトロルミネッセンス素子、及び陰極を含有し、２個の電極の少なくとも１個が可視スペクトルの範囲で透明であり、そしてエレクトロルミネッセンス素子が、順に：正孔注入ゾーン、正孔移送ゾーン、エレクトロルミネッセンスゾーン、電子移送ゾーン及び／又は電子注入ゾーンを含有することができるエレクトロルミネッセンス装置であって、正孔注入及び／又は正孔移送ゾーンは置換されていてもよいトリス−１，３，５−（アミノフェニル）ベンゼン化合物Ａ）又はその混合物であり、そしてエレクトロルミネッセンス素子は、場合によっては、正孔移送物質、ルミネッセンス物質Ｂ）及び場合によっては電子移送物質の中から選ばれる追加の官能化された化合物を含有し、そして正孔注入及び正孔移送ゾーンは化合物Ａ）に加えて１種以上の追加の正孔移送化合物を含有することができ、少なくとも１個のゾーンが存在し、個々のゾーンは省略することができ、そして存在するゾーンは１種以上の機能を果たすことができることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置を提供する。１個のゾーンは数種の機能を果たすことができる、即ち、１個のゾーンは、例えば、正孔注入、正孔移送、エレクトロルミネッセンス、電子注入及び／又は電子移送物質を含有することができる。エレクトロルミネッセンス素子はまた、１種以上の透明高分子バインダーＣをも含有することができる。置換されていてもよいトリス−１，３，５−（アミノフェニル）ベンゼン化合物Ａ）は、一般式（１）：（式中、Ｒ²は、水素、置換されていてもよいアルキル又はハロゲンを表し、Ｒ³及びＲ⁴は、互いに独立に、置換されていてもよいＣ₁−Ｃ₁₀− アルキル、アルコキシカルボニル置換Ｃ₁−Ｃ₁₀−アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアラルキル又は置換されていてもよいシクロアルキルを表す）に対応する芳香族第三級アミノ化合物を表す。Ｒ³及びＲ⁴は、好ましくは、互いに独立に、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル特にメチル、エチル、正又はイソプロピル、正−、イソ−、第二級又は第三級ブチル、例えばメトキシ−、エトキシ−、プロポキシ−、ブトキシカルボニルＣ₁−Ｃ₄−アルキルのようなＣ₁−Ｃ₄−アルコキシカルボニル−Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、また、それぞれＣ₁−Ｃ₄−アルキル又はＣ₁−Ｃ₄−アルコキシで置換されていてもよい、フェニル−Ｃ₁−Ｃ₄−アルキル、ナフチル−Ｃ₁−Ｃ₄−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル又はナフチルを表す。特に好ましくは、Ｒ³及びＲ⁴は、互いに独立に、置換されていないフェニル又はナフチル或いはそれぞれメチル、エチル、正又はイソプロピル、メトキシ、エトキシ、正又はイソプロポキシによって１〜３置換されているフェニル又はナフチルを表す。Ｒ²は、好ましくは、水素、例えばメチル、エチル、正又はイソプロピル、正 −、イソ−、第二級又は第三級ブチルのような、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、又は塩素を表す。このような化合物及びそれらの製造は、ＵＳ−Ｐ４９２３７７４に電子写真に使用するために記載されており、引用した特許は、本明細書の記載の一部として特に組み込まれる（「引用することにより組み込まれる」）。トリス（ニトロフェニル）化合物を、例えば一般に知られている例えばラネーニッケルの存在下での接触的水素化によってトリス（アミノフェニル）化合物に転化することができる（Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙ１４／１Ｃ，１４−１０２，Ｕｌｌｍａｎｎ（４）１３，１３５−１４８）。そのアミノ化合物と、置換されたハロベンゼン(halobenzene)とを一般に知られているやり方で反応させる。フェニル環上の置換がアミン窒素に対してオルソ、メタ及び／又はパラであることができる以下の化合物を例として示す。化合物Ａ）に加えて、場合によっては、追加の正孔伝導体を、例えば化合物Ａ）との混合物の形でエレクトロルミネッセンス素子の組み立てのために使用することができる。この追加の正孔伝導体は、一方では、異性体の混合物を含む式（Ｉ）に対応する１種以上の化合物であってもよいし、他方では、正孔移送化合物の、異なった構造を有するＡ）の−一般式（Ｉ）に対応する−化合物との混合物であってもよい。正孔注入及び正孔伝導物質として使用可能な物質のリストが、ＥＰ−Ａ５３２７９８に記載されている。成分Ａ）の混合物の場合には、その化合物は、０〜１００重量％（混合物Ａ）を基準として）のいかなる割合でも使用できる。ある好ましい態様においては、１〜９９重量％及び９９〜１重量％、特に好ましくは５〜９５重量％及び９５〜５重量％が用いられる。別の好ましい態様においては、３０〜７０重量％及び７０〜３０重量％が用いられる。例として以下を挙げることができる：アントラセン化合物例えば２，６，９，１０−テトライソプロポキシアントラセン、オキサジアゾール化合物例えば２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、トリフェニルアミン化合物例えばＮ，Ｎ’ −ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン、芳香族第三級アミン例えばＮ−フェニルカルバゾール、Ｎ− イソプロピルカルバゾール及び日本公開特許公報６２−２６４６９２に記載されているような正孔移送層において使用できる化合物、ピラゾリン化合物例えば１ −フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−２−ピラゾリン、スチリル化合物例えば９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、ヒドラゾン化合物例えばビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、スチルベン化合物例えばα−（４− メトキシフェニル）−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ（４’−メトキシ）スチルベン、エナミン化合物例えば１，１−（４，４’−ジエトキシフェニル−Ｎ，Ｎ −（４，４’−ジメトキシフェニル）エナミン、金属フタロシアニン又は非金属フタロシアニン並びにポルフィリン化合物。トリフェニルアミン化合物類及び／又は芳香族第三級アミンが好ましく、上記に例として挙げた化合物は特に好ましい。以下に示す物質は、正孔を伝導する性質を持ち、混合物において成分Ａ）と一緒に用いることができる物質である。上記の及び他の例がJ.Phys．Chem．1993，97，6240-6248及びAppl．Phys．Let t.，Vol．66，No.20，2679-2681に記載されている。バインダーＣ）は、例えばポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ＳＡＮ又はスチレン・アクリル酸エステルのようなスチレンの共重合体、ポリスルホン、例えばポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカルバゾール、酢酸ビニルの重合体と共重合体及びビニルアルコールの重合体と共重合体等のビニル基を含有するモノマーをベースとする重合体、ポリオレフィン、環状オレフィン共重合体、フェノキシ樹脂等のような重合体及び共重合体である。異なった重合体の混合物も使用できる。高分子バインダーＣ）は、分子量が１０，０００〜２，０００，０００ｇ／モルであり、可溶性であってフィルムを形成できそして可視スペクトル範囲で透明である。それらは、例えばEncy clopedia of Polymer Science and Enginneering，2nd Editio n，A．Wiley Interscienceに記載されている。それらは、通常、Ａ）とＢ）の合計重量基準で９５重量％迄の量で、好ましくは８０重量％迄の量で、使用される。成分Ｂ）は、一般式（ＩＩ）：（式中、Ｍｅは、金属を表し、ｍは１〜３の数であり、そしてＺは、両方の形において独立に、少なくとも２個の縮合環から成る核を完成する原子を表す）に対応する化合物を表す。一般的に、キレートを形成することが知られている１価、２価又は３価の金属を使用することができる。金属は、１価、２価又は３価の金属、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、ホウ素又はアルミニウムであることができる。Ｚは、１個がアゾール又はアジン環であり、追加の脂肪族又は芳香族環がその２個の縮合環に結合することができる、少なくとも２個の縮合環から成る複素環式分子単位を完成する。成分Ｂ）の適切な例は、Ａｌ³⁺、Ｍｇ²⁺、Ｉｎ³⁺、Ｇａ³⁺、Ｚｎ²⁺、Ｂｅ²⁺、Ｌｉ⁺、Ｃａ²⁺、Ｎａ⁺のオキシン錯体（８−ヒドロキシキノリン錯体）又はトリス（５−メチルオキシン）_Rアルミニウム及びトリス（５−クロロキノリン）ガリウムである。希土類金属との錯体も使用することができる。成分Ｂ）の例としては、Ｉｎｇ₃、Ｇａｑ₃、Ｚｎｑ₂、Ｂｅｑ₂、Ｍｇｑ₂、又はＡｌ（ｑａ）₃、Ｇａ（ｑａ）₃、Ｉｎ（ｑａ）₃、Ｚｎ（ｑａ）₂、Ｂｅ（ｑａ）₂、Ｍｇ（ｑａ）₂ が挙げられる。１種又はそれ以上の成分Ｂ）化合物を使用することができる。成分Ｂ）の化合物又はオキシン錯体は一般に知られており既知の方法で製造することができる（例えば、米国特許第４，７６９，２９２号参照）。本発明によるエレクトロルミネッセンス装置は、成分Ａ）とＢ）との混合物を、場合によっては透明なバインダーＣ）中に混入して、含有する発光層を有することを特徴とする。ここで、Ａ）とＢ）の互いの重量比は、変動でき調節可能である。バインダー中のＡ）とＢ）の合計の重量％は、０．２〜９８重量％、好ましくは２〜９５重量％、特に好ましくは１０〜９０重量％、最も好ましくは１０〜８５重量％の範囲である。成分Ａ）とＢ）の重量比Ａ：Ｂは、０．０５と２０の間、好ましくは０．２と１０の間、特に好ましくは０．３と８の間、特には０．３と７の間である。成分Ａ）及びＢ）は、１成分から成ることもでき、又はいかなる組成の両成分の混合物であることもできる。その層を製造するために、成分Ａ）、Ｂ）及び場合によってはＣ）を適切な溶剤中に溶解し、そして、キャスティング、ナイフコーティング又はスピンコーティングによって適切な基体に塗布する。これは、例えば、透明電極を備えたガラス又はプラスチック材料であることができる。使用されるプラスチック材料は、例えばポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートもしくはポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリスルホン又はポリイミドであることができる。適切な透明電極は、ａ）金属酸化物、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、酸化亜鉛、ドープした酸化亜鉛等ｂ）半透明金属フィルム、例えばＡｕ、ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等ｃ）ポリアニリン類、ポリフェニリン類等のような導電性重合体フィルム金属酸化物電極及び半透明金属フィルム電極は、蒸着、スパッタリング、プラチナイジング(platinising)等のような技術によって、薄膜状で塗布される。導電性重合体フィルムは、スピンコーティング、キャスティング、ナイフコーティング等のような技術によって、溶液から塗布される。透明電極の厚さは、３ｎｍから約数μｍまで、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。エレクトロルミネッセンス層は、透明電極に直接か又は場合によっては存在する電荷移送層に、薄膜として塗布される。膜の厚さは１０〜５００ｎｍ、好ましくは２０〜４００ｎｍ、特に好ましくは５０〜２５０ｎｍである。追加する電荷移送層は、反対電極が塗布される前にエレクトロルミネッセンス層に塗布することができる。正孔伝導物質及び／又は電子伝導物質であることができ、そして高分子であっても低分子量でもあってもよく場合によってはブレンドで用いられる適切な電荷移送中間層のリストが、ＥＰ−Ａ５３２７９８に記載されている。特定の置換基を持った、正孔を移送する性質を有するポリチオフェンが、特に好適である。それらは、例えばＥＰ−Ａ６８６６６２に記載されている。高分子バインダー中の低分子正孔伝導体の含量は、２〜９７重量％の範囲で変動できる。その含量は、５〜９５重量％であることが好ましく、特に好ましくは１０〜９０重量％であり、特には１０〜８５重量％である。正孔注入ゾーン及び正孔伝導ゾーンは、種々の方法で堆積させることができる。フィルムを形成できる正孔伝導体は、純品（１００％）で使用することもできる。正孔注入又は正孔伝導ゾーンは、場合によっては、エレクトロルミネッセンス物質を一部分含有してもよい。低分子量化合物だけから成るブレンドは蒸着することができる。可溶性でありフィルム形成能のあるブレンドは、それは低分子量化合物に加えてバインダーＣ）を含有してもよい（必須ではない）が、例えば、スピンコーティング、キャスティング、ナイフコーティングを用いて、溶液から析出させることができる。発光物質及び／又は電子伝導物質を、分離した層の状態で、化合物Ａ）を含有する正孔伝導層に塗布することも可能である。この場合には、発光物質（「ドーパント」("dopant")）を、化合物Ａ）を含有する層に添加することもでき、そして更に電子伝導物質を塗布することができる。エレクトロルミネッセンス物質を、電子注入又は電子伝導層に添加することもできる。高分子バインダー中の低分子電子伝導体の含量は、２〜９５重量％の範囲で変動できる。その含量は、５〜９０重量％であることが好ましく、特に好ましくは１０〜８５重量％である。フィルムを形成できる電子伝導体は、純品（１００％）で使用することもできる。反対電極は、導電性物質で構成され、それは透明であり得る。好ましい物質は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｉｎ等の金属又はこれらの合金及び酸化物であり、それらは、蒸着、スパッタリング、プラチナイジング等の技術によって塗布することができる。本発明による装置は、２個の電気リード線（例えば、金属ワイヤー）を用いて２個の電極と接続する。直流を０．１〜１００ボルトの範囲でかけた場合に、装置は２００〜２０００ｎｍの波長の光を放射する。それは、２００〜２０００ｎｍの範囲でルミネッセンスを発現する。本発明による装置は、照明のためやデータ呈示のための器具の製造に好適である。実施例１ 8-ヒドロキシキノリンアルミニウム塩（アルミニウムオキシナート）Ｃ．ポリビニルカルバソール(Luvican EP，BASF AG，Ludwigshafen，ドイツ) から成るブレンド系をベースとするエレクトロルミネッセンス装置。Ａが１重量部、Ｂが１重量部そしてＣが４重量部の割合でジクロロエタンに溶解した１％溶液を、市販のスピンコーターを用いて回転速度４００／分で、ＩＴＯでコーティングしたガラス板（Ｂａｌｔｒａｃｏｎ２５５，Ｂａｌｚｅｒｓ社製）上に広げる。層の厚さは１００ｎｍである。反対電極として、比が１０：１のＭｇ／Ａｇを熱共蒸着(thermal codepositio n)によって塗布する。接続し、電場をかけると、約７Ｖから、装置は、目視で検出できるエレクトロルミネッセンスを緑のスペクトル範囲に示す。照度は、電流が１９ｍＡ／ｃｍ² で電圧が１６Ｖにおいて、３５５ｃｄ／ｍ²である。実施例２Ａ）次の化合物１重量部Ｂ）Ａｌｑ₃１重量部Ｃ）ポリビニルカルバゾール（ＬｕｖｉｃａｎＥＰ、ＢＡＳＦＡＧ、Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ、ドイツ）４重量部から成るブレンド系をベースとするエレクトロルミネッセンス装置。各層の製造と接続を実施例１と同様に行う。印加電圧が１６Ｖで電流が２２．６ｍＡ／ｃｍ²における照度は、４５５ｃｄ／ｍ²である。実施例３Ａ）次の化合物１重量部Ｂ）Ａｌｑ₃１重量部Ｃ）ポリビニルカルバゾール（ＬｕｖｉｃａｎＥＰ、ＢＡＳＦＡＧ、Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ、ドイツ）４重量部から成るブレンド系をベースとするエレクトロルミネッセンス装置。各層の製造と接続を実施例１と同様に行う。印加電圧が２０Ｖで電流が１８．７ｍＡ／ｃｍ²における照度は、３１０ｃｄ／ｍ²である。実施例４Ａ）次の化合物１重量部Ｂ）Ａｌｑ₃１重量部Ｃ）ポリビニルカルバゾール（ＬｕｖｉｃａｎＥＰ、ＢＡＳＦＡＧ、Ｌｕｄｗｉｇｓｈａｆｅｎ、ドイツ）４重量部から成るブレンド系をベースとするエレクトロルミネッセンス装置。各層の製造と接続を実施例１と同様に行う。印加電圧が１５Ｖで電流が１７．６ｍＡ／ｃｍ²における照度は、２５０ｃｄ／ｍ²である。実施例５Ａ）正孔伝導体の混合物（重量比１：１）Ｂ） 8-ヒドロキシキノリンアルミニウム塩（アルミニウムオキシナート）をベースとする電子伝導又は発光層及びＣ）ポリスチレン（アルドリッチ、８９５５５Ｓｔｅｉｎｈｅｉｍ、ドイツ、製品番号１８，２４２−７）をベースとする正孔伝導層を含有するエレクトロルミネッセンス装置。Ａが１重量部、Ｂが１重量部そしてＣが１重量部の割合でジクロロエタンに溶解した１％溶液を、市販のスピンコーターを用いて回転速度８００／分で、ＩＴＯでコーティングしたガラス板（Ｂａｌｔｒａｃｏｎ２５５，Ｂａｌｚｅｒｓ社製）上に広げる。Ａｌｑ₃から成る電子伝導又は発光層を、この正孔伝導層の上に１０^-6ミリバールで蒸着する。層の厚さは約６０ｎｍである。反対電極として、比が１０：１のＭｇ／Ａｇ合金を熱共蒸着(thermal codepos ition)によって塗布する。系は緑色光を発する。ダイオードは電圧３Ｖで緑色光を発する。実施例６成分Ａ：をベースとするエレクトロルミネッセンス装置。Ａ）をクロロホルムに溶解した１．５％溶液を、市販のスピンコーターを用いて回転速度１０００／分で、ＩＴＯでコーティングしたガラス板（Ｂａｌｔｒａｃｏｎ２５５，Ｂａ１ｚｅｒｓ社製）上に広げる。層の厚さは１２０ｎｍである。反対電極として、Ａｌを熱蒸着(thermal vaporization)によって塗布する。接続し、電場をかけると、８Ｖから、エレクトロルミネッセンスがＳｉフォトダイオードを用いて検出できる。電圧２０Ｖにおいて、２５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れ、ルミネッセンスは２ｃｄ／ｍ²である。エレクトロルミネッセンスの色は青である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ (72)発明者エルシユナー，アンドレアスドイツ連邦共和国デー―45479ミユルハイムアンデアルーア・レダーシユトラーセ６ (72)発明者フエパウフ，マルテインドイツ連邦共和国デー―70563シユトウツトガルト・シユルツアウアーシユトラーセ 10 (72)発明者ヨンダ，クリストフドイツ連邦共和国デー―70195シユトウツトガルト・フメルベルクシユトラーセ２アー (72)発明者テレル，デイビツドベルギー・ビー―2547リント・デイーペンデレ４ (72)発明者クインテンス，デイルクベルギー・ビー―2500リール・メースフオルトバーン221 (72)発明者アンドリース，ハルトビヒベルギー・ビー―9150ルペルモンド・ニーウストラート26

Claims

【特許請求の範囲】１．基体、陽極、エレクトロルミネッセンス素子、及び陰極で構成されており、２個の電極の少なくとも１個が可視スペクトルの範囲で透明であり、そしてエレクトロルミネッセンス素子が、順に：正孔注入ゾーン、正孔移送ゾーン、エレクトロルミネッセンスゾーン、電子移送ゾーン及び／又は電子注入ゾーンを含有することができるエレクトロルミネッセンス装置であって、正孔注入及び／又は正孔移送ゾーンは置換されていてもよいトリス−１，３，５−（アミノフェニル）ベンゼン化合物Ａ）又はその混合物であり、そしてエレクトロルミネッセンス素子は、場合によっては、正孔移送物質、ルミネッセンス物質Ｂ）及び場合によっては電子移送物質の中から選ばれる追加の官能化された化合物を含有し、そして正孔注入及び正孔移送ゾーンは化合物Ａ）に加えて１種以上の追加の正孔移送化合物を含有することができ、少なくとも１個のゾーンが存在し、個々のゾーンは省略することができ、そして存在するゾーンは１種以上の機能を果たすことができることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。２．エレクトロルミネッセンス素子が、透明な高分子バインダーＣ）を含有することを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。３．化合物Ａ）が、一般式（１）：（式中、Ｒ²は、水素、置換されていてもよいアルキル又はハロゲンを表し、Ｒ³及びＲ⁴は、互いに独立に、置換されていてもよいＣ₁−Ｃ₁₀−アルキル、アルコキシカルボニル置換Ｃ₁−Ｃ₁₀−アルキル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいアラルキル又は置換されていてもよいシクロアルキルを表す）に対応する芳香族第三級アミノ化合物、又は、式（１）に対応する化合物と式（１）とは異なる構造を有する正孔移送化合物との混合物である請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。４．式（１）において、Ｒ²が、水素又はＣ₁−Ｃ₆−アルキルを表し、Ｒ³及びＲ⁴が、互いに独立に、それぞれの場合にＣ₁−Ｃ₄−アルキル及び／又はＣ₁−Ｃ₄−アルコキシで置換されていてもよい、Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、Ｃ₁− Ｃ₄−アルコキシカルボニル−Ｃ₁−Ｃ₆−アルキル、フェニル、ナフチル、フェニル−Ｃ₁−Ｃ₄−アルキル、ナフチル−Ｃ₁−Ｃ₄−アルキル、シクロペンチル又はシクロヘキシルを表す、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。５．第三級アミンＡ）が以下の化合物：から選ばれる請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。６．化合物Ｂ）が、一般式（ＩＩ）：（式中、Ｍｅは、金属を表し、ｍは１〜３の数であり、そしてＺは、両方の形において独立に、少なくとも２個の縮合環から成る核を完成する原子を表す）に対応する化合物である請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。７．Ｍｅが、キレートを形成する１価、２価又は３価の金属を表す請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス装置。８．透明なバインダーが、ポリカーボネート、ポリエステルカーボネート、ＳＡＮ又はスチレン・アクリル酸エステルのようなスチレンの共重合体、ポリスルホン、ビニル基を含有するモノマーをベースとする重合体、ポリオレフィン、環状オレフィン共重合体、フェノキシ樹脂の中から選ばれる請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。９．成分Ｂ）が、Ａｌ³⁺、Ｍｇ²⁺、Ｉｎ³⁺、Ｌｉ⁺、Ｃａ²⁺、Ｎａ⁺のオキシン錯体（８−ヒドロキシキノリン錯体）又はトリス（５−メチルオキシン）_Rアルミニウム及びトリス（５−クロロキノリン）ガリウム或いは希土類金属錯体から選ばれる請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス装置。１０．高分子バインダー中のＡ）とＢ）の合計の重量％が、０．２〜９８重量％［Ａ）＋Ｂ）＋Ｃ）を基準である１００重量％として］の範囲であり、そして成分Ａ）とＢ）の重量比Ａ：Ｂが、０．０５と２０の間である請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。１１．エレクトロルミネッセンス素子が、正孔伝導及び／又は電子伝導物質から選ばれる追加の電荷移送物質を含有する請求項１〜１０のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置。１２．エレクトロルミネッセンス素子が単一層系から成る請求項１〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置。１３．エレクトロルミネッセンス素子が、置換されていてもよいトリス−１，３，５−（アミノフェニル）ベンゼン化合物、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム塩（アルミニウムオキシラート）及びポリビニルカルバゾールを含有する唯一のゾーンから成る請求項１〜１２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置。１４．請求項１〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス装置の、照明／バックグラウンド照明、データ呈示並びにセグメントディスプレー又はマトリックスディスプレーのための使用。