JP2000510053A

JP2000510053A - 電子ハードウェア部品の清浄化方法

Info

Publication number: JP2000510053A
Application number: JP09539908A
Authority: JP
Inventors: ヤム，ベニー・エス; コルベール，ケネス
Original assignee: Church and Dwight Co Inc
Current assignee: Church and Dwight Co Inc
Priority date: 1996-05-09
Filing date: 1997-03-31
Publication date: 2000-08-08
Also published as: US5865902A; KR20000010812A; CN1086610C; AU2422297A; EP0904163A1; KR100288113B1; WO1997041975A1; CN1217673A

Abstract

(57)【要約】電子ハードウェアから汚染物質を除去して清浄化するための方法と研磨性ブラスト媒体。この研磨性ブラスト媒体は、高純度の水溶性重炭酸および炭酸アルカリ金属塩である。このアルカリ金属塩の粒度は、粒径約20pｍ以上、約300μｍ以下の範囲である。このアルカリ金属塩粒子のモース硬度は約5.0以下である。電子ハードウェアを清浄化するのに採用するブラスト清浄化条件は温和である。ブラスト空気圧は約10〜50psiの範囲であり、媒質流の流速は約１〜10lbs/minの範囲である。

Description

【発明の詳細な説明】電子ハードウェア部品の清浄化方法発明の背景本発明は電子ハードウェア部品の清浄化方法に関する。より具体的には、本発明の方法は水溶性研磨媒体を用いて温和な条件下でブラスト清浄化することによる電子ハードウェアの清浄化に関する。電子ハードウェア部品は、コンピュータ等の電子装置に使用される全ての導電体、半導体または誘電体部材を包含する。かかるハードウェア部品としては、これらに限られないが、回路および配線板からなる電子部品、半導体チップを作製するための半導体ウェハー、およびディスクドライブヘッド等が挙げられる。電子ハードウェア部品の清浄性は、その機能の信頼性にとって重大であると見なされている。電子ハードウェア部品の汚染は、電子ハードウェア部品のショートの原因となってこの電子部品の操作を妨げることがあり、これを用いた電子装置の電気的機能の信頼性を失わせる。電子ハードウェア部品の製造においては、製造プロセスの１もしくは２以上の工程の後、ならびに製造された部品を電子装置に組み込む間に、汚染物質が付着ないし蓄積することがある。製造プロセス中には、電子ハードウェア部品はメッキ、エッチング、組立工程中の作業者による取扱い、腐食性もしくは潜在的に腐食性のフラックスの塗布などを受けることがある。従って、このような汚染物質をこの部品から除去することが重要である。しかし、電子ハードウェア部品を清浄にするのに利用されるある種の方法は、それ自身に望ましくない問題を抱えていることがある。例えば、電子回路アセンブリ（例、プリント配線板）の製作においては、ハンダの堅固で均一な接合を確保するため、基板にまずハンダ用フラックスを塗布する。このようなハンダ用フラックスは、ロジンフラックスと、非ロジンまたは水溶性フラックス、の２種類に大別される。一般に弱い腐食性しか示さず、ずっと長い使用の歴史があるロジンフラックスは、今なお電子産業全体で広く使用されている。より最近に開発された水溶性フラックスは、消費者製品用途への使用が増えてきている。水溶性フラックスは強酸および／またはアミンハロゲン化水素酸塩を含有しているので、この種のフラックスは非常に腐食性が強い。残念ながら、どのフラックスの残渣でも、残留するその材料の痕跡をハンダ付け後に注意して除去しなかったため電子回路アセンブリ上に残留してしまうと、回路の故障を生ずることがある。水溶性フラックスは石鹸を含有する温水で容易に除去できるが、プリント配線板からのロジンフラックスの除去はより難しく、そのため従来より、1,1,1−トリクロロエタン、トリクロロエチレン、トリクロロモノフルオロメタン、塩化メチレン、トリクロロトリフルオロエタン(CFC113)、テトラクロロジフルオロエタン(CFC112)、これらおよび／もしくは他の溶剤との混合物または共沸混合物を使用して行われてきた。しかし、これらの溶剤は毒性があり、環境中に放出されるとオゾン層の破壊および／または地球温室温暖化効果の助長を生ずることから望ましくない。従って、このような溶剤の使用は、米国では労働安全衛生局(OSHA) および環境保護局(EPA)による厳格な監視を受け、厳重な汚染対策設備を使用しなければならない。さらに、これらの溶剤は、もし環境中に放出されると、容易には生分解できず、従って長期間にわたって有害である。アルカノールアミン（通常はモノエタノールアミンの形態）として知られるアルカリ性の洗浄用化合物が、毒性の塩素化炭化水素系溶剤の代替物として、ロジンフラックスの除去に使用されてきた。この種の高pH（例、pH約12）の化合物はロジンフラックスと化学反応して、ケン化過程を経てロジン石鹸を形成する。このようなロジン石鹸の除去を容易にするため、これらのアルカリ性洗浄用化合物に界面活性剤またはアルコール誘導体のような他の有機物質を添加することができる。残念なことに、これらの化合物、ならびに水溶性ハンダ用フラックスは、このような化合物およびフラックスが、プリント配線板の製造中に完全かつ迅速に除去されないと、プリント配線板の表面およびインターフェースで腐食を生ずる傾向がある。接着剤および他の残渣の完全な除去も問題を提起する。電子回路アセンブリの製造中に部品を基板の上面に装着するが、その際にリード線を基板の穴の中を下向きに通し、基板の底面に接着剤により固着させる。さらに回路基板の特定の部分を、影響を受けやすい領域に特殊な粘着テープを貼付して一時的に保護することが時に必要になる。このような保護が必要なくなると、粘着テープを剥がさなければならない。どちらの場合も、一般に接着剤の残渣が残り、これを完全に除去しない限り、プリント配線板の早期故障の原因となることがある。この接着剤残渣の除去は、従来は塩素化溶剤の使用により行われてきたが、この種の溶剤は、上述したように、毒性があり、環境面で望ましくない。ハンダ用フラックスに加えて、回路または配線基板上の部品のエッチングやスクリーン印刷に使用したどのフォトレジストも、短絡の問題を生ずる可能性がある。デュポン社に譲渡されたDruryの米国特許第5,145,717号は、プリント配線板のフォトレジストを研磨材によりブラスト清浄化する方法を開示している。この方法はモース硬度が約２〜４のポリマーもしくは樹脂材料を使用する。フォトレジストを除去するため、粒子はブラスティング装置により約15〜90°の角度で基板表面に向けて加速される。この方法は回路または配線基板からフォトレジストを除去することができるかもしれないが、フォトレジストを除去するのに用いたポリマー粒子をブラスト処理した表面から容易に除去することができない。さらに、ポリマー粒子がブラスト清浄化された表面の中に埋没したり、または死角、即ち、表面の角もしくは凹部、に入り込むことがあり、そのような部位からポリマー粒子を除去することは非常に困難である。また、フォトレジストは下水に流して廃棄することが容易ではない。このような粒子は環境を汚染する可能性がある。同様の汚染の問題がディスクドライブヘッドでも起こる。コンピュータ端末の組立中に、接着剤および指紋等の汚染物質がドライブヘッドを汚染し、電子装置の性能を傷つける可能性がある。回路または配線基板の電子部品、およびディスクドライブヘッドに関しては、半導体ウェハーおよびチップが、半導体材料をどの電子装置に組み込む前でも可及的に清浄であることが重要である。半導体材料上のどのような汚染物質も、電子装置の最適の性能を危うくする可能性がある。従って、製造中に半導体ウェハー上に形成された酸化化合物およびレーザースラグのような汚染物質は、半導体ウェハーを裁断または切断して半導体チップにする前に除去される。半導体ウェハー表面のブラスト清浄化は、この表面から静電粒子を洗浄除去するのにこれまで使用されてきた。水を利用したこのような方法の１例は、テキサス・インストルメンツ社に譲渡されたShortesらの米国特許第4,027,686号に開示されている。空気を含む他の流体も使用されたことがあり、その成功度はさまざまである。電子ハードウェア部品から汚染物質を除去して清浄化するために各種方法が採用されてきたが、フォトレジスト、ハンダフラックス、接着剤、酸化物質、レーザスラグ等といった汚染物質を電子ハードウェア部品から除去して清浄化するための温和で環境に優しい方法がなお求められている。アルミニウム、マグネシウムおよびプラスチック表面の柔らかい表面を、塩化ナトリウムおよび重炭酸ナトリウムといった研磨材によりブラスト清浄化して、塗料および汚れを除去することは公知である。しかし、重炭酸ナトリウムのような研磨材の流れを維持するために、疎水性シリカのような流れ助剤（流動助剤） (flow aid)を採用することが多い。しかし、このような流れ助剤は、清浄化される電子部品の表面にさらに付着物を残すことがある。このような付着物が電子ハードウェア部品上に形成されると、高圧水洗浄でも除去が難しいだけでなく、ある種類の汚染物質が別の種類の汚染物質で置換されることが起こる。本発明の主目的は、電子ハードウェア部品の表面から温和な条件下で汚染物質をブラスト清浄化することによりこの電子部品から汚染物質をブラスト清浄化する方法を提供することである。本発明の別の目的は、比較的低い圧力を用いて電子ハードウェア部品の表面をブラスト清浄化することである。本発明のさらに別の目的は、環境に優しい研磨材を用いて電子部品から汚染物質をブラスト清浄化する方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、水溶性研磨媒体を用いて電子ハードウェア部品をブラスト清浄化することである。本発明の他の目的および利点は、以下の本発明の説明を読み、本発明を実施することにより、当業者には明らかとなろう。発明の要約本発明は、電子ハードウェア部品からフォトレジスト、ハンダフラックス、研磨材、酸化金属などの汚染物質をブラスト清浄化で除去する方法に関する。電子産業では、半導体、導電体、および回路基板や配線板等の誘電体部品のような電子部品を、可及的に汚染物質を含まないように保持して、その電子部品の最適の性能を発揮させるようにすることが重要である。電子部品上に残ったハンダフラックス、フォトレジスト、酸化金属、さらには指紋でさえ、電子装置全体の電気信号の短絡または障害を生ずることがある。本発明の方法は、比較的低い圧力といった温和なブラスト清浄化条件を用い、かつ炭酸および重炭酸アルカリ金属塩といった環境に優しい水溶性の研磨材を使用してブラスト清浄化することにより、フォトレジスト、ハンダフラックス、接着剤、酸化金属等の汚染物質から電子ハードウェア部品を清浄化することが有利なプラスチック材料で作製または裏張りされた真空パック容器内に包装されている。この包装により、このアルカリ塩の水分吸収が防止され、またポリエチレン、ポリプロピレンまたは他のポリオレフィン製の容器または裏張り材から浸出する恐れのある炭化水素源からの汚染も防止される。研磨材を保管する包装容器がスリップ剤(sliping agent)を含有しないことも重要である。スリップ剤は、包装容器の側面がくっつくのを防止するために多くのプラスチック包装容器に使われている油性の軽質炭化水素材料である。本発明の水溶性ブラスト清浄化用組成物は、回路または配線基板の清浄化に従来より使用されてきた塩素化炭化水素系溶剤および高アルカリ性清浄化剤とは異なり、非腐食性かつ環境負荷（衝撃）が低いという特徴をもつ。さらに、本発明のブラスト清浄化用組成物は、流れ助剤の使用を避けることが好ましい。流れ助剤は一般に水不溶性で、電子部品上で除去が困難な付着物の形成を生ずることがある。有利には、ここで用いた電子ハードウェア部品清浄化用組成物は、水溶性で、電子ハードウェア部品から容易に洗い流すことができる。また、本発明の方法で用いるブラスト清浄化媒体は、清浄化される部品から容易に洗い流すことができるため、このブラスト媒体は死角領域からも容易に除去できる。このような電子部品清浄化用組成物はまた、環境に優しく、すすいだ水（すすぎ水）をさらに処理せずに下水に流すことができるので、コストのかかる排水処理の必要性が解消される。図面の簡単な説明図１は、本発明の方法の実施に使用できるブラスト装置を示す。発明の詳細な説明本発明は、電子装置に使用される電子ハードウェア部品から、高純度で水溶性のアルカリ金属塩からなる研磨材を用いて比較的温和な条件下で汚染物質を除去するブラスト清浄化方法に関する。本発明において高純度とは、そのアルカリ金属塩研磨材の純度が、約99.0wt％ないし約100％（残りが望ましくない不純物）であることを意味する。本発明の方法により清浄化することができる電子ハードウェア部品としては、これらに限られないが、回路および配線板に見られる導電性部品のような導電性材料、半導体ウェハー、半導体チップおよびディスクドライブヘッドのような半導体部品などが挙げられる。さらに、本発明の方法は、回路および配線板等の形態にされているプラスチックまたはガラス等の誘電体組成物から形成されたようなハードウェア部品も清浄化することができる。特に電子ハードウェア部品の製造中に電子ハードウェア部品上に見られる汚染物質の例としては、これらに限られないが、フォトレジスト、ハンダ用フラックス、接着剤、酸化化合物、ならびに電子ウェハーの製造中に生成したレーザースラグが挙げられる。電子産業においては、電子装置の電子ハードウェア部品を可及的に清浄に保持して、その電子部品および電子装置の最適の性能および動作を可能にすることが重要である。電子部品の汚染は、電子装置の性能を阻害する回路の短絡に至ることがある。電子ハードウェア部品は、本発明の方法を用いて、その電子部品から汚染物質を除去するのに有効な加速度で電子部品に研磨材料の流れを向けることにより清浄化される。加速は、任意の適当な媒体噴射または発射手段により達成することができる。媒体は、空気または水のような気体または液体の流体中で噴射または発射させることができ、或いは他の何らかの適当な機械的手段により発射させることもできる。好ましくは、空気ブラスト装置(pneumatic blasting apparatus) または類似の装置を使用し、加圧空気を用いた乾式ブラスト法により媒体を加速して進行させる。媒体を水スラリーまたは分散液の状態で加速し、電子部品上に水流として発射するか、媒体を発射された水流中に投入することができる。好ましくは、媒体噴射手段は、清浄化される電子ハードウェア部品の表面全体に媒体を向けさせることができる、ノズルのような、可動性の媒体排出口を有していよう。電子ハードウェア部品は、コンベヤまたは任意の適当な固定手段を利用して、１または２以上の固定ノズルを通り過ぎるように移動させることができる。電子部品は、その部品の全ての面が清浄化されるまでノズルの下を通る。１または２以上のノズルの下を通過させる回数は一定しないことが多く、部品の各面当たり約１〜50回の範囲とすることができる。電子部品の各面当たり１または２以上のノズルの下を約10〜30回通過させることが、多くの電子部品に対して最適である。電子部品の効果的な清浄化を達成するには、ブラスト空気圧が約10〜50psi、好ましくは約10〜30psi、最も好ましくは約20psiである。媒体流速は、ノズル位置で、約１〜10lbs/min、好ましくは約２〜８lbs/min、特に好ましくは約46lbs/ minである。さらに、研磨媒体の供給源または貯蔵容器からこの媒体をノズルに移送する手段への研磨媒体の均一かつ連続した流れを確保するため、媒体供給源と媒体移送手段との間に約１〜10psi、好ましくは約４〜６psiの差圧を保持する。媒体の流れがノズルを離れると同時に、ノズルが頂点で清浄化される電子部品が底辺の円錐形の形態で媒体が発射される。清浄化される電子ハードウェア部品とノズルの間隔を変化させることにより、清浄化される部品上に放出される実際の媒体の流れ圧力をその部品の具体的な種類に合うように調整することができる。電子部品を効果的に清浄化するために、ノズルと目標の間隔を約0.5〜20インチ、好ましくは約10インチの範囲とすることができる。媒体の流路の向き（方位）は、より敏感な部品を損傷せずに清浄化される電子部品の表面から汚染物質が除去される程度に著しい影響を及ぼすことがある。媒体の最適流路は、媒体流の角度および方向が電子部品を損傷せずに汚染物質の効率的除去を生ずるものであろう。電子部品の表面からの汚染物質の効果的な除去は、清浄化される電子部品の表面に対するノズルの角度が約10〜50°、好ましくは約15〜30°で達成することができる。電子ハードウェア部品を清浄化した後、この部品を脱イオン水で洗浄して、部品上に残った研磨材料を全て洗い流す。電子部品を次いで本技術分野で採用されている任意の適当な方法で乾燥する。上述したように、本発明の方法により電子部品をブラスト清浄化するのに任意の適当なブラスト装置を使用することができる。好ましくは、本発明の方法で使チャーチ・アンド・ドワイト社に譲渡された米国特許第5,081,799号の主題であり、この米国特許の全体をここに援用する。電子部品のブラスト清浄化用に特に、ブラスト媒体を入れた圧力ポットの底部付近に媒体レベルセンサーを含んでいる。この改良はまた、圧力ポットの側面に設けた、このポットを通るブラスト媒体の流れの移動を助けるための振動手段（バイブレータ）と、圧力ポットの底部付近に配置した、チャネリングの問題を起こさずにポットを通るブラスト媒体の自由な流れを可能にするための「チャイニーズ」コーンまたはハットも含んでいる。さらなる変更は、ポットの底部付近に設置した窒素アエレータ（通気手段）と不活性窒素ガスの供給源により窒素で圧力ポットを加圧することを含む。アキ給システムの模式図である。図１を参照すると、ブラスト装置１は、ブラスト媒体５が不完全に充填されているブラストポット３を備えている。好適には容量約１立方フィートのキャビティを持つブラストポット３の先は、バルブ11により支配される媒体排出経路７につながる。媒体排出経路７を通過する媒体の量は、ポット３の底部付近に設けた媒体レベルセンサー９により監視される。このブラストポットは、ブラスト清浄化後にポット内の圧力を全て放出するためのガス抜きバルブ37を備えている。ポットの底部付近に設置した「チャイニーズ」コーンまたはハット39は、ブラスト媒体の望まれないチャネリングを起こさずにブラスト媒体がポットを通って媒体排出経路７に向かって効率よく流れるようにする。ポットに取り付けた、経路45 を経てバイブレータ・アジャスター43により制御されるバイブレータ41により、ブラスト清浄化中にポットを振動させて、ポット内のブラスト媒体を媒体排出経路７に向かって下降させる。このポットは、ポット内に残っている媒体の量を測るため、媒体レベルセンサー（図示せず）を備えている。媒体バルブ11は媒体５の流量を所望の流量に制限する。経路13は、入口ゲージ15により監視されている加圧空気47の供給源に接続されている。空気は空気フィルター49で濾過される。空気バルブ17は、ノズル19への空気流と媒体遮断バルブの開閉を作動させる遠隔操作のオン／オフバルブである。このノズルは、経路53を経てオン／オフバルブ 51により操作され、経路55を経て制御バルブ21に接続されている。システムの運転中は、ノズル圧力調節バルブ25がゲージ27によってノズル圧力を調節する。ノズル圧力調節バルブ25は所望のノズル圧力を維持することができる。ノズル圧力ゲージ27は、ノズル19に制御された圧力を負荷することができる。差圧ゲージ29 がブラストポット３と搬送ホース31との間の圧力を監視する。ゲージ35で測定されたポット圧カレギュレータ33を用いて、経路63により搬送ホース31内の圧力より高い圧力を付与し、こうして差圧を差圧ゲージ29により監視することができる。媒体ポットは窒素供給源56から供給される窒素ガスで加圧される。窒素ガスは経路57を通ってポットの底部に設置した窒素アエレータ59に送られる。ポットに送られる窒素の量は、窒素ガスアジャスター61により調節される。ノズル19に水を噴射する水噴射経路（図示せず）により、作業片(workpiece)を保護および冷却し、埃りを制御するための装置を任意に設けることができる。本発明の方法で用いるブラスト媒体は、水溶性または少なくとも水分散性である。利用できる水溶性ブラスト媒体の制限を意図しない例としては、炭酸塩、重炭酸塩、およびそれらの混合物のようなアルカリ金属塩が挙げられる。好ましいブラスト媒体は、ナトリウムおよびカリウムの炭酸塩および重炭酸塩またはこれらの混合物である。セスキ炭酸ナトリウムおよびトロナと呼ばれる天然のセスキ炭酸ナトリウムも有用である。水溶性とは完全な水溶性を意味するものではない、ことに留意するのは重要である。なぜなら、一部の塩およびトロナのような天然の材料は、少量の不溶性物質を含有することがあるからである。例えば、天然のセスキ炭酸ナトリウムであるトロナは、10wt％までの不溶物を含有することがある。従って、水溶性とは水中で実質的に可溶性である材料を包含する意味である。本発明の実施に使われる研磨材は、水溶性または水分散性であることに加えて、平均粒度が約20μｍ以上で約300μｍ以下という非常に細かい粒度を持ち、モース硬度が約5.0以下である。約300μｍより大きな粒子は、ブラスト清浄化される電子ハードウェア部品を傷つける可能性があるので、使用しないことが好ましい。約20μｍの粒度の粒子も本発明の実施に使用できるが、約30μｍより小さい粒度の粒子はよく流動せず、清浄化操作中に流れに関係した問題を生ずることがある。従って、本発明の実施に使う粒子は約30μｍより小さくないことが好ましい。特に好ましくは、平均粒度は約50〜150μｍの範囲である。電子ハードウェア部品の清浄化に使用するのに特に好ましいブラスト媒体の例は、純度約99.0wt％ないし約100wt％の重炭酸ナトリウムを含む。ブラスト媒体に使用した重炭酸ナトリウムの粒度分布は、140メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約７wt％；200メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約52wt％；325メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約80wt％；そして400メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約95wt％、を含む。ブラスト媒体の塩素イオン含有量は約10 0ppm以下、好ましくは約50ppm以下である。化学的酸素要求量(COD)は、約100ppm 以下である。炭酸イオン(CO₃ ^2-)含有量は、約0.20wt％以下、好ましくは約0.10w t％以下である。重炭酸ナトリウム媒体の水分含有量は、約0.20wt％以下、好ましくは約0.10wt％以下である。このような高純度形態の重炭酸ナトリウムは、ブラスト清浄化中の流れに関係する問題点を最小限にする。ある種のブラスト媒体中で脱ケーキ剤(decaking agent)として普通に使われている、親水性シリカ、疎水性シリカ、疎水性ポリシロキサンなどの流れ助剤といった添加成分は、本発明のブラスト媒体中では使用しない。このような流れ助剤は、多くの電子ハードウェア部品上で除去の困難な付着物の生成を生ずることがある。このような付着物は、高圧清浄化方法または水洗（水によるすすぎ）では簡単に除去することができない。本発明の方法で使うブラスト媒体は、湿気遮断ポリマー袋のような、ブラスト媒体を本質的に湿気が入らないように保持する、有機スリップ剤を含まない任意の適当な容器中に包装して保管することができる。湿気（水分）および有機スリップ剤は、研磨媒体の望ましくない凝集を生ずる可能性がある。凝集したブラスト媒体は、ブラスト清浄化中に十分に流動せず、ブラスト清浄化装置の経路（配管）を閉塞することがある。従って、自由流動性の媒体を保持するには、包装により研磨媒体に本質的に湿気のない環境が与えられることが重要である。好ましい重炭酸ナトリウムブラスト媒体は、プラスチックまたはホイル袋中に、真空または窒素もしくは二酸化炭素パージ下で充填して包装することが好ましに用いるのに好ましい材料である。重炭酸ナトリウムは各袋に約20〜50ポンドの量で包装され、プラスチック製容器またはしっかりした厚紙製の箱などの堅固な潰れない容器内で保管する。このような容器は、重炭酸ナトリウムブラスト媒体を湿気および圧縮がない状態に保持するので、ブラスト媒体はブラスト位置に到達する前の保管中に凝集したり固まったりすることがない。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成９年１２月２３日（１９９７．１２．２３）【補正内容】請求の範囲１．粒度が約20μｍ以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約100ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の研磨材粒子からなり、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない、電子ハードウェア清浄化用のブラスト媒体。２．アルカリ金属塩がカリウムもしくはナトリウムの炭酸塩もしくは重炭酸塩またはこれらの混合物からなる、請求の範囲第１項記載のブラスト媒体。３．アルカリ金属塩が重炭酸ナトリウムからなる請求の範囲第２項記載のブラスト媒体。４．重炭酸ナトリウムの純度が約99.0wt％ないし約100wt％である、請求の範囲第３項記載のブラスト媒体。５．研磨材粒子の水分含有量が約0.10wt％以下である、請求の範囲第１項記載のブラスト媒体。６．炭酸イオン(C0₃ ^2-)含有量が約0.20wt％以下である、請求の範囲第４項記載のブラスト媒体。７．重炭酸ナトリウムが、140メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約７wt ％；200メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約52wt％；325メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約80wt％；そして400メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約95wt％である粒度分布を持つ粒子からなる、請求の範囲第４項記載のブラスト媒体。９．粒度が約20μｍ以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約100ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の研磨材粒子からなるブラスト媒体が、有機スリップ剤を含んでいないポリマー袋内に貯蔵されてなり、このポリマー袋が該アルカリ金属塩粒子を貯蔵中の粒子凝集を防ぐように無湿気状態に保持するものである、電子ハードウェア清浄化用の包装された自由流動性のブラスト媒体。 10．水分含有量が約0.10wt％以下である、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 11．ポリマー袋がポリエチレンテレフタレートから作製されたものである、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 12．アルカリ金属塩粒子が約20〜50ポンドずつの量でポリマー袋中に貯蔵されている、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 13．アルカリ金属塩粒子を入れたポリマー袋が、ブラスト媒体を無圧縮に保持するための堅固な容器内に収容されている、請求の範囲第12項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 14．ブラスト媒体が、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 15．電子ハードウェアから汚染物質を除去するために電子ハードウェアをブラスト清浄化する方法であって、平均粒径が約20μｍ以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約100ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の粒子からなり、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない研磨性ブラスト媒体を、加圧流体流れを利用して電子ハードウェアの表面に噴射することからなる方法。 16．研磨性ブラスト媒体を、水性スラリーまたは分散液として電子ハードウェアの表面に噴射する、請求の範囲第15項記載の方法。 17．流体流れが空気または水からなる請求の範囲第15項記載の方法。 18．空気の圧力が約10〜50psiである、請求の範囲第17項記載の方法。 19 ブラスト媒体の流量が約１〜10lbs/minである、請求の範囲第15項記載の方法。 20．アルカリ金属塩がカリウムもしくはナトリウムの炭酸塩もしくは重炭酸塩またはこれらの混合物からなる、請求の範囲第15項記載の方法。 21．アルカリ金属塩が純度約99.0wt％ないし約100wt％の重炭酸ナトリウムからなる、請求の範囲第20項記載の方法。 22．ブラスト媒体の炭酸イオン(C0₃ ^2-)含有量が約0.2wt％以下である、請求の範囲第21項記載の方法。 23．重炭酸ナトリウムが、140メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約７wt ％；200メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約52wt％；325メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約80wt％；そして400メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約95wt％である粒度分布を持つ粒子からなる、請求の範囲第21項記載の方法。 25．粒子の水分含有量が約0.10wt％以下である請求の範囲第15項記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ｚ (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ

Claims

【特許請求の範囲】１．粒度が約20μｍ以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約100ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の研磨材粒子からなる、電子ハードウェア清浄化用のブラスト媒体。２．アルカリ金属塩がカリウムもしくはナトリウムの炭酸塩もしくは重炭酸塩またはこれらの混合物からなる、請求の範囲第１項記載のブラスト媒体。３．アルカリ金属塩が重炭酸ナトリウムからなる請求の範囲第２項記載のブラスト媒体。４．重炭酸ナトリウムの純度が約99.0wt％ないし約100wt％である、請求の範囲第３項記載のブラスト媒体。５．研磨材粒子の水分含有量が約0.10wt％以下である、請求の範囲第１項記載のブラスト媒体。６．炭酸イオン(CO₃ ^2-)含有量が約0.20wt％以下である、請求の範囲第４項記載のブラスト媒体。７．重炭酸ナトリウムが、140メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約７wt ％；200メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約52wt％；325メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約80wt％；そして400メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約95wt％である粒度分布を持つ粒子からなる、請求の範囲第４項記載のブラスト媒体。８．ブラスト媒体が、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない、請求の範囲第１項記載のブラスト媒体。９．粒度が約20μｍ以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約100ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の研磨材粒子からなるブラスト媒体が有機スリップ剤を含んでいないポリマー袋内に貯蔵されてなり、このポリマー袋が該アルカリ金属塩粒子を貯蔵中の粒子凝集を防ぐように無湿気状態に保持するものである、電子ハードウェア清浄化用の包装された自由流動性のブラスト媒体。 10．水分含有量が約0.10wt％以下である、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 11．ポリマー袋がポリエチレンテレフタレートから作製されたものである、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 12．アルカリ金属塩粒子が約20〜50ポンドずつの量でポリマー袋中に貯蔵されている、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 13．アルカリ金属塩粒子を入れたポリマー袋が、ブラスト媒体を無圧縮に保持するための堅固な容器内に収容されている、請求の範囲第12項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 14．ブラスト媒体が、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない、請求の範囲第９項記載の包装された自由流動性のブラスト媒体。 15．電子ハードウェアから汚染物質を除去するために電子ハードウェアをブラスト清浄化する方法であって、平均粒径が約20μm以上、約300μｍ以下で、モース硬度が約5.0以下、塩素イオン含有量が約100ppm以下、化学的酸素要求量が約1 00ppm以下、そして水分含有量が約0.20wt％以下の高純度の水溶性アルカリ金属塩の粒子からなる研磨性ブラスト媒体を、加圧流体流れを利用して電子ハードウェアの表面に噴射することからなる方法。 16．研磨性ブラスト媒体を、水性スラリーまたは分散液として電子ハードウェアの表面に噴射する、請求の範囲第15項記載の方法。 17．流体流れが空気または水からなる請求の範囲第15項記載の方法。 18．空気の圧力が約10〜50psiである、請求の範囲第17項記載の方法。 19 ブラスト媒体の流量が約１〜10lbs/minである、請求の範囲第15項記載の方法。 20．アルカリ金属塩がカリウムもしくはナトリウムの炭酸塩もしくは重炭酸塩またはこれらの混合物からなる、請求の範囲第15項記載の方法。 21．アルカリ金属塩が純度約99.0wt％ないし約100wt％の重炭酸ナトリウムからなる、請求の範囲第20項記載の方法。 22．ブラスト媒体の炭酸イオン(C0₃ ^2-)含有量が約0.2wt％以下である、請求の範囲第21項記載の方法。 23．重炭酸ナトリウムが、140メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約７wt ％；200メッシュスクリーン上に残る粒子が最大約52wt％；325メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約80wt％；そして400メッシュスクリーン上に残る粒子が最低約95wt％である粒度分布を持つ粒子からなる、請求の範囲第21項記載の方法。 24．ブラスト媒体が、シリカおよび有機物を含有する流れ助剤を含んでいない、請求の範囲第15項記載の方法。 25．粒子の水分含有量が約0.10wt％以下である請求の範囲第15項記載の方法。