JP2000357632A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
- Publication number
- JP2000357632A JP2000357632A JP11167988A JP16798899A JP2000357632A JP 2000357632 A JP2000357632 A JP 2000357632A JP 11167988 A JP11167988 A JP 11167988A JP 16798899 A JP16798899 A JP 16798899A JP 2000357632 A JP2000357632 A JP 2000357632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- signal line
- dielectric
- side end
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 102
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 abstract description 8
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H1/02—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network of RC networks, e.g. integrated networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波成分をさらに効率よく減衰させることが
できる電子部品を提供することを目的とする。 【解決手段】ＰＥＴフィルム３０上に第１の誘電体ペー
ストを塗布して形成されたセラミックシート３１（誘電
率ε１）に、第２の誘電体ペーストを用いてセラミック
膜２２＿３，２２＿４を形成し、次いで、セラミック膜
２２＿３の長手方向の右半分２２＿３ａ、及びセラミッ
ク膜２２＿４の長手方向の左半分２２＿４ａが覆われる
ように、セラミックシート３１の中央部に導電ペースト
で信号線２２＿２のパターンを印刷し、その後、セラミ
ック膜２２＿３，２２＿４それぞれとの間で、信号線２
２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅそれぞれが挟ま
れるように、セラミック膜２２＿５，２２＿６を形成す
る。
できる電子部品を提供することを目的とする。 【解決手段】ＰＥＴフィルム３０上に第１の誘電体ペー
ストを塗布して形成されたセラミックシート３１（誘電
率ε１）に、第２の誘電体ペーストを用いてセラミック
膜２２＿３，２２＿４を形成し、次いで、セラミック膜
２２＿３の長手方向の右半分２２＿３ａ、及びセラミッ
ク膜２２＿４の長手方向の左半分２２＿４ａが覆われる
ように、セラミックシート３１の中央部に導電ペースト
で信号線２２＿２のパターンを印刷し、その後、セラミ
ック膜２２＿３，２２＿４それぞれとの間で、信号線２
２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅそれぞれが挟ま
れるように、セラミック膜２２＿５，２２＿６を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、導体膜を有する電
子部品に関する。
子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、高周波ノイズ対策用として、
例えば、コンデンサとインダクタが内蔵されたチップ型
のフィルタ装置が知られている。そのチップ型のフィル
タ装置は、例えば以下のようにして形成される。
例えば、コンデンサとインダクタが内蔵されたチップ型
のフィルタ装置が知られている。そのチップ型のフィル
タ装置は、例えば以下のようにして形成される。
【０００３】先ず、セラミックを主成分とする誘電体ペ
ーストを形成し、その誘電体シートに導体膜を形成する
ことにより、導体膜が形成された誘電体シートを製造す
る。このように、導体膜が形成された誘電体シートを複
数枚用意し、これら誘電体シートを、導体膜が形成され
ていない誘電体シートを間に挟んで積層し、その後プレ
スする。このプレスにより、誘電体シートどうしが圧着
され、誘電体シートが積層された構造を有する積層体が
製造される。この積層体を焼結し、外部電極を形成する
ことにより、チップ型のフィルタ装置が作製される。
ーストを形成し、その誘電体シートに導体膜を形成する
ことにより、導体膜が形成された誘電体シートを製造す
る。このように、導体膜が形成された誘電体シートを複
数枚用意し、これら誘電体シートを、導体膜が形成され
ていない誘電体シートを間に挟んで積層し、その後プレ
スする。このプレスにより、誘電体シートどうしが圧着
され、誘電体シートが積層された構造を有する積層体が
製造される。この積層体を焼結し、外部電極を形成する
ことにより、チップ型のフィルタ装置が作製される。
【０００４】図１０は、上記の製造方法により製造され
たフィルタ装置の、誘電体シートの厚さ方向に関する一
部断面を概略的に示す図である。
たフィルタ装置の、誘電体シートの厚さ方向に関する一
部断面を概略的に示す図である。
【０００５】図１０には、導体膜１００（ハッチングで
示した部分）を間に挟む２枚の誘電体シート１０１，１
０２が示されている。
示した部分）を間に挟む２枚の誘電体シート１０１，１
０２が示されている。
【０００６】この図から明らかなように導体膜１００
は、その側端部１００ａが鋭い先細りの形状を有してい
る。これは、積層された誘電体シート１０１，１０２を
プレスするときに、導体膜１００に圧力が加えられる結
果生じる。従って、導体膜１００の側端部１００ａの断
面積は、中央部１００ｂの断面積よりも小さくなる。
は、その側端部１００ａが鋭い先細りの形状を有してい
る。これは、積層された誘電体シート１０１，１０２を
プレスするときに、導体膜１００に圧力が加えられる結
果生じる。従って、導体膜１００の側端部１００ａの断
面積は、中央部１００ｂの断面積よりも小さくなる。
【０００７】ところで、導体膜１００に電流が流れる
と、表皮効果によりその導体膜１００の内部の電流は小
さくなり、その導体膜１００の外表面部に電流が集まる
傾向がある。この傾向は、電流の周波数が高くなればな
るほど顕著に表れる。従って、電流の周波数が高くなれ
ばなるほど、側端部１００ａの電流密度が増大する。つ
まり、断面積の大きい中央部ｂを流れる電流の割合より
も、断面積の小さい側端部１００ａを流れる電流の割合
が大きくなる。このため、電流の周波数が高くなるほ
ど、見かけ上電気抵抗が増大し、電流の高周波成分につ
いては多大なオーム損失が生じる。従って、電流の直流
成分及び低周波成分は効率よくその導体膜１００を流れ
るが、一方、電流の高周波成分については効率よく減衰
させることができる。
と、表皮効果によりその導体膜１００の内部の電流は小
さくなり、その導体膜１００の外表面部に電流が集まる
傾向がある。この傾向は、電流の周波数が高くなればな
るほど顕著に表れる。従って、電流の周波数が高くなれ
ばなるほど、側端部１００ａの電流密度が増大する。つ
まり、断面積の大きい中央部ｂを流れる電流の割合より
も、断面積の小さい側端部１００ａを流れる電流の割合
が大きくなる。このため、電流の周波数が高くなるほ
ど、見かけ上電気抵抗が増大し、電流の高周波成分につ
いては多大なオーム損失が生じる。従って、電流の直流
成分及び低周波成分は効率よくその導体膜１００を流れ
るが、一方、電流の高周波成分については効率よく減衰
させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のことから、導体
膜１００の側端部１００ａの断面積を小さくすることに
より、その導体膜１００に高周波ノイズが混入しても、
その高周波ノイズを効率よく減衰させることができる。
従って、導体膜１００の側端部１００ａの断面積をさら
に小さくすることができれば、高周波ノイズをさらに効
率よく減衰させることができるが、導体膜１００の側端
部１００ａの断面積を小さくするのにも限界があり、高
周波ノイズをさらに減衰することは難しい。
膜１００の側端部１００ａの断面積を小さくすることに
より、その導体膜１００に高周波ノイズが混入しても、
その高周波ノイズを効率よく減衰させることができる。
従って、導体膜１００の側端部１００ａの断面積をさら
に小さくすることができれば、高周波ノイズをさらに効
率よく減衰させることができるが、導体膜１００の側端
部１００ａの断面積を小さくするのにも限界があり、高
周波ノイズをさらに減衰することは難しい。
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑み、高周波成分
をさらに効率よく減衰させることができる電子部品を提
供することを目的とする。
をさらに効率よく減衰させることができる電子部品を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の電子部品は、誘電体材料を有する基体と、該基体の
内部に形成された導体膜とを備えた電子部品において、
明の電子部品は、誘電体材料を有する基体と、該基体の
内部に形成された導体膜とを備えた電子部品において、
【００１１】前記基体が有する誘電体材料のうちの、前
記導体膜側端部の周辺に存在する誘電体材料が、前記導
体膜上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも誘電率の
大きい誘電体材料であることを特徴とする。
記導体膜側端部の周辺に存在する誘電体材料が、前記導
体膜上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも誘電率の
大きい誘電体材料であることを特徴とする。
【００１２】本発明では、上記のように、基体が有する
誘電体材料のうちの、上記導体膜側端部の周辺に存在す
る誘電体材料が、上記導体膜上下面の周辺に存在する誘
電体材料よりも誘電率の大きい誘電体材料である。一般
に、導体膜の側端部に接触もしくは近接する位置に誘電
体が存在する場合、その誘電体の誘電率が大きいほど、
その導体膜の側端部に電荷が集中する傾向があるため、
本発明の電子部品では、導体膜の周辺全域に渡って誘電
体材料の誘電率が一定である電子部品よりも、導体膜側
端部を流れる電流密度を増大させることができる。従っ
て、導体膜の側端部の断面積が、その導体膜の中央部の
断面積よりも小さくなるようにしておき、その導体膜に
電流を流すと、その電流の直流成分及び低周波成分は効
率よく流れるとともに、高周波成分は効率よく減衰させ
ることができる。
誘電体材料のうちの、上記導体膜側端部の周辺に存在す
る誘電体材料が、上記導体膜上下面の周辺に存在する誘
電体材料よりも誘電率の大きい誘電体材料である。一般
に、導体膜の側端部に接触もしくは近接する位置に誘電
体が存在する場合、その誘電体の誘電率が大きいほど、
その導体膜の側端部に電荷が集中する傾向があるため、
本発明の電子部品では、導体膜の周辺全域に渡って誘電
体材料の誘電率が一定である電子部品よりも、導体膜側
端部を流れる電流密度を増大させることができる。従っ
て、導体膜の側端部の断面積が、その導体膜の中央部の
断面積よりも小さくなるようにしておき、その導体膜に
電流を流すと、その電流の直流成分及び低周波成分は効
率よく流れるとともに、高周波成分は効率よく減衰させ
ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００１４】図１は、本発明の電子部品の一例であるＥ
ＭＩフィルタの斜視図である。
ＭＩフィルタの斜視図である。
【００１５】ＥＭＩフィルタ１は、セラミックを主成分
とする直方体形状のセラミック基体（本発明にいう基体
の一例）２を備えている。このセラミック基体２の左右
の側面には、端子電極３，４が形成され、前後の側面に
は接地電極５，６が形成されている。
とする直方体形状のセラミック基体（本発明にいう基体
の一例）２を備えている。このセラミック基体２の左右
の側面には、端子電極３，４が形成され、前後の側面に
は接地電極５，６が形成されている。
【００１６】図２は、図１に示すＥＭＩフィルタが備え
ているセラミック基体を４層に分割して示す分解斜視図
である。
ているセラミック基体を４層に分割して示す分解斜視図
である。
【００１７】このセラミック基体２は平板形状の４層の
セラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，２４＿１
を備えている。これら４枚のセラミック層は、いずれの
層も、誘電率ε１のセラミックを主成分とするセラミッ
クシートが複数枚積層されて構成されている。
セラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，２４＿１
を備えている。これら４枚のセラミック層は、いずれの
層も、誘電率ε１のセラミックを主成分とするセラミッ
クシートが複数枚積層されて構成されている。
【００１８】これら４枚のセラミック層２１＿１，２２
＿１，２３＿１，２４＿１のうちの最下層のセラミック
層２１＿１表面には、十字形状のアース電極２１＿２が
形成されている。このアース電極２１＿２の端部２１＿
２ａ，２１＿１ｂは、それぞれ、セラミック層２１＿１
の側端面２１＿１ａ，２１＿１ｂにまで延在している。
十字形状のアース電極２１＿２が形成されているそのセ
ラミック層２１＿１の直上にはセラミック層２２＿１が
積層される。
＿１，２３＿１，２４＿１のうちの最下層のセラミック
層２１＿１表面には、十字形状のアース電極２１＿２が
形成されている。このアース電極２１＿２の端部２１＿
２ａ，２１＿１ｂは、それぞれ、セラミック層２１＿１
の側端面２１＿１ａ，２１＿１ｂにまで延在している。
十字形状のアース電極２１＿２が形成されているそのセ
ラミック層２１＿１の直上にはセラミック層２２＿１が
積層される。
【００１９】図３は、図２に示すセラミック層２２＿１
をＢ−Ｂ方向から見た断面図である。
をＢ−Ｂ方向から見た断面図である。
【００２０】セラミック層２２＿１の表面には、そのセ
ラミック層２２＿１の端面２２＿１ａ（図２参照）から
反対側の端面２２＿１ｂ（図２参照）にまで延在するよ
うに、誘電率ε２（＞ε１）のセラミックを主成分とす
る２つのセラミック膜２２＿３，２２＿４が形成されて
いる。これら２つのセラミック膜２２＿３，２２＿４
は、それぞれ、後述する信号線２２＿２の側端部２２＿
２ｄ，２２＿２ｅの形状に沿うように形成されている。
ラミック層２２＿１の端面２２＿１ａ（図２参照）から
反対側の端面２２＿１ｂ（図２参照）にまで延在するよ
うに、誘電率ε２（＞ε１）のセラミックを主成分とす
る２つのセラミック膜２２＿３，２２＿４が形成されて
いる。これら２つのセラミック膜２２＿３，２２＿４
は、それぞれ、後述する信号線２２＿２の側端部２２＿
２ｄ，２２＿２ｅの形状に沿うように形成されている。
【００２１】また、セラミック層２２＿１の表面には、
図２に示すように、そのセラミック層２２＿１を横切る
信号線２２＿２が形成されている。その信号線２２＿２
の端部２２＿２ａ，２２＿２ｂは、セラミック層２２＿
１の端面２２＿１ａ，２２＿１ｂにまで延在するととも
に、図３に示すように、その側端部２２＿２ｄ，２２＿
２ｅそれぞれが、セラミック膜２２＿３，２２＿４それ
ぞれの一部に重なるように形成されている。この信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅは先細りの形
状を有しており、その信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅの断面積は、信号線２２＿２の中央部２
２＿２ｃの断面積よりも小さくなっている。さらに、セ
ラミック層２２＿１には、誘電率ε２（＞ε１）のセラ
ミックを主成分とする２つのセラミック膜２２＿５，２
２＿６が形成されている。それら２つのセラミック膜２
２＿５，２２＿６は、それぞれ、セラミック層２２＿１
の表面に直接に形成された２つのセラミック膜２２＿
３，２２＿４との間で、信号線２２＿２の側端部２２＿
２ｄ，２２＿２ｅそれぞれを挟むように形成されてい
る。
図２に示すように、そのセラミック層２２＿１を横切る
信号線２２＿２が形成されている。その信号線２２＿２
の端部２２＿２ａ，２２＿２ｂは、セラミック層２２＿
１の端面２２＿１ａ，２２＿１ｂにまで延在するととも
に、図３に示すように、その側端部２２＿２ｄ，２２＿
２ｅそれぞれが、セラミック膜２２＿３，２２＿４それ
ぞれの一部に重なるように形成されている。この信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅは先細りの形
状を有しており、その信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅの断面積は、信号線２２＿２の中央部２
２＿２ｃの断面積よりも小さくなっている。さらに、セ
ラミック層２２＿１には、誘電率ε２（＞ε１）のセラ
ミックを主成分とする２つのセラミック膜２２＿５，２
２＿６が形成されている。それら２つのセラミック膜２
２＿５，２２＿６は、それぞれ、セラミック層２２＿１
の表面に直接に形成された２つのセラミック膜２２＿
３，２２＿４との間で、信号線２２＿２の側端部２２＿
２ｄ，２２＿２ｅそれぞれを挟むように形成されてい
る。
【００２２】そのセラミック層２２＿１の直上には、セ
ラミック層２３＿１が積層される。そのセラミック層２
３＿１表面には、最下層のセラミック層２１＿１の表面
に形成された十字形状のアース電極２１＿２と同一形状
のアース電極２３＿２が形成されている。このアース電
極２３＿２の端部２３＿２ａ，２３＿２ｂは、それぞ
れ、セラミック層２３＿１の側端面２３＿１ａ，２３＿
１ｂにまで延在している。このセラミック層２３＿１の
直上には最上層のセラミック層２４＿１が積層される。
ラミック層２３＿１が積層される。そのセラミック層２
３＿１表面には、最下層のセラミック層２１＿１の表面
に形成された十字形状のアース電極２１＿２と同一形状
のアース電極２３＿２が形成されている。このアース電
極２３＿２の端部２３＿２ａ，２３＿２ｂは、それぞ
れ、セラミック層２３＿１の側端面２３＿１ａ，２３＿
１ｂにまで延在している。このセラミック層２３＿１の
直上には最上層のセラミック層２４＿１が積層される。
【００２３】図１に示すセラミック基体２は、これらセ
ラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，及び２４＿
１が順に積層されて構成されるものである。
ラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，及び２４＿
１が順に積層されて構成されるものである。
【００２４】図２に示すセラミック層２２＿１表面に形
成された信号線２２＿２は、その端部２２＿２ａ，２２
＿２ｂがセラミック層２２＿１の端面２２＿１ａ，２２
＿１ｂにまで延在しているため、図１に示す端子電極
３，４は、それぞれ、信号線２２＿２の端部２２＿２
ａ，２２＿２ｂに接続されている。また、図２に示すセ
ラミック層２１＿１，２３＿１に形成されたアース電極
２１＿２，２３＿２それぞれは、セラミック層２１＿
１，２３＿１の側端面にまで延在しているため、図１に
示す接地電極５，６は、いずれも、それらアース電極２
１＿２，２３＿２双方のアース電極に接続されている。
成された信号線２２＿２は、その端部２２＿２ａ，２２
＿２ｂがセラミック層２２＿１の端面２２＿１ａ，２２
＿１ｂにまで延在しているため、図１に示す端子電極
３，４は、それぞれ、信号線２２＿２の端部２２＿２
ａ，２２＿２ｂに接続されている。また、図２に示すセ
ラミック層２１＿１，２３＿１に形成されたアース電極
２１＿２，２３＿２それぞれは、セラミック層２１＿
１，２３＿１の側端面にまで延在しているため、図１に
示す接地電極５，６は、いずれも、それらアース電極２
１＿２，２３＿２双方のアース電極に接続されている。
【００２５】図４は、図１に示すフィルタ装置１のＡ−
Ａ方向から見た断面を模式的に示す図である。
Ａ方向から見た断面を模式的に示す図である。
【００２６】図４に示すように、信号線２２＿２の上面
２２＿２ｆ及び下面２２＿２ｇの周辺には、誘電率ε１
のセラミック層２２＿１，２３＿１が存在しているが、
信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺
には、誘電率ε２（＞ε１）のセラミック膜２２＿３，
２２＿４，２２＿５，２２＿６が存在している。
２２＿２ｆ及び下面２２＿２ｇの周辺には、誘電率ε１
のセラミック層２２＿１，２３＿１が存在しているが、
信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺
には、誘電率ε２（＞ε１）のセラミック膜２２＿３，
２２＿４，２２＿５，２２＿６が存在している。
【００２７】以下に、このように構成されたＥＭＩフィ
ルタ１の製造方法について、図５〜図７とともに必要に
応じて図１〜図４を参照しながら説明する。尚、ここで
は、説明の便宜上、１個のＥＭＩフィルタ１を製造する
ときの製造方法について説明するが、以下に説明する方
法を応用することにより、同時に多数のＥＭＩフィルタ
を製造することができる。
ルタ１の製造方法について、図５〜図７とともに必要に
応じて図１〜図４を参照しながら説明する。尚、ここで
は、説明の便宜上、１個のＥＭＩフィルタ１を製造する
ときの製造方法について説明するが、以下に説明する方
法を応用することにより、同時に多数のＥＭＩフィルタ
を製造することができる。
【００２８】先ず、誘電率ε１のセラミックを主成分と
する第１の誘電体ペースト、誘電率ε２（＞ε１）のセ
ラミックを主成分とする第２の誘電体ペースト、及びニ
ッケル（Ｎｉ）を含有する導電ペーストを用意する。さ
らに、多数枚のＰＥＴフィルムを用意し、それらＰＥＴ
フィルムそれぞれに、第１の誘電体ペーストを塗布して
セラミックシートを形成する。
する第１の誘電体ペースト、誘電率ε２（＞ε１）のセ
ラミックを主成分とする第２の誘電体ペースト、及びニ
ッケル（Ｎｉ）を含有する導電ペーストを用意する。さ
らに、多数枚のＰＥＴフィルムを用意し、それらＰＥＴ
フィルムそれぞれに、第１の誘電体ペーストを塗布して
セラミックシートを形成する。
【００２９】次いで、別々のＰＥＴフィルムに形成され
たセラミックシートに、アース電極２１＿２，２３＿２
及び信号線２２＿２それぞれのパターン通りに導電ペー
ストを印刷し、別々のセラミックシートに、アース電極
２１＿２，２３＿２及び信号線２２＿２それぞれを成す
導体膜を形成する。このとき、アース電極２１＿２，２
３＿２については、セラミックシートに直接導電ペース
トを印刷することにより形成されるが、一方、信号線２
２＿２については、アース電極２１＿２，２３＿２とは
異なる方法で形成される。
たセラミックシートに、アース電極２１＿２，２３＿２
及び信号線２２＿２それぞれのパターン通りに導電ペー
ストを印刷し、別々のセラミックシートに、アース電極
２１＿２，２３＿２及び信号線２２＿２それぞれを成す
導体膜を形成する。このとき、アース電極２１＿２，２
３＿２については、セラミックシートに直接導電ペース
トを印刷することにより形成されるが、一方、信号線２
２＿２については、アース電極２１＿２，２３＿２とは
異なる方法で形成される。
【００３０】図５〜図７は、信号線２２＿２を形成する
様子を示す図である。
様子を示す図である。
【００３１】先ず、図５に示すように、ＰＥＴフィルム
３０上に第１の誘電体ペーストを塗布して形成されたセ
ラミックシート３１（誘電率ε１）に、第２の誘電体ペ
ーストを用いてセラミック膜２２＿３，２２＿４（図４
参照）を形成する。次いで、図６に示すように、セラミ
ック膜２２＿３の長手方向の右半分２２＿３ａ、及びセ
ラミック膜２２＿４の長手方向の左半分２２＿４ａが覆
われるように、セラミックシート３１の中央部に導電ペ
ーストで信号線２２＿２のパターンを印刷する。このよ
うにして、信号線２２＿２を成す導体膜が形成される。
３０上に第１の誘電体ペーストを塗布して形成されたセ
ラミックシート３１（誘電率ε１）に、第２の誘電体ペ
ーストを用いてセラミック膜２２＿３，２２＿４（図４
参照）を形成する。次いで、図６に示すように、セラミ
ック膜２２＿３の長手方向の右半分２２＿３ａ、及びセ
ラミック膜２２＿４の長手方向の左半分２２＿４ａが覆
われるように、セラミックシート３１の中央部に導電ペ
ーストで信号線２２＿２のパターンを印刷する。このよ
うにして、信号線２２＿２を成す導体膜が形成される。
【００３２】その後、セラミック膜２２＿３，２２＿４
それぞれとの間で、信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅそれぞれを挟むように、セラミック膜２
２＿５，２２＿６を形成する（図７参照）。
それぞれとの間で、信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅそれぞれを挟むように、セラミック膜２
２＿５，２２＿６を形成する（図７参照）。
【００３３】上記のようにして、セラミックシートにア
ース電極２１＿２，２３＿２及び信号線２２＿２を形成
した後、各ＰＥＴフィルムからセラミックシートを剥離
する。また、導電ペーストが印刷されていないセラミッ
クシートもＰＥＴフィルムから剥離しておく。
ース電極２１＿２，２３＿２及び信号線２２＿２を形成
した後、各ＰＥＴフィルムからセラミックシートを剥離
する。また、導電ペーストが印刷されていないセラミッ
クシートもＰＥＴフィルムから剥離しておく。
【００３４】その後、アース電極２１＿２が形成された
セラミックシート、信号線２２＿２が形成されたセラミ
ックシート、及びアース電極２３＿２が形成されたセラ
ミックシートそれぞれを、導電ペーストが印刷されてい
ないセラミックシートが複数枚重ねられたものと交互に
積層してプレスし、熱圧着する。これにより、セラミッ
ク基体２（図１参照）が形成される。このとき、積層さ
れたセラミックシートをプレスすることにより、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅは、図４に示
すように、先細りの形状となる。
セラミックシート、信号線２２＿２が形成されたセラミ
ックシート、及びアース電極２３＿２が形成されたセラ
ミックシートそれぞれを、導電ペーストが印刷されてい
ないセラミックシートが複数枚重ねられたものと交互に
積層してプレスし、熱圧着する。これにより、セラミッ
ク基体２（図１参照）が形成される。このとき、積層さ
れたセラミックシートをプレスすることにより、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅは、図４に示
すように、先細りの形状となる。
【００３５】次に、セラミック基体２を焼成し、そのセ
ラミック基体２に、端子電極３，４、接地電極５，６を
形成する。このようにして、図１に示すＥＭＩフィルタ
１が製造される。
ラミック基体２に、端子電極３，４、接地電極５，６を
形成する。このようにして、図１に示すＥＭＩフィルタ
１が製造される。
【００３６】図８は、ＥＭＩフィルタ１の等価回路図で
ある。
ある。
【００３７】ＥＭＩフィルタ１の等価回路は、抵抗５０
と、キャパシタ５１とにより表される。抵抗５０は、信
号線２２＿２（図２参照）により形成されるものであ
り、抵抗５０の大きさは、その抵抗５０を流れる電流の
周波数に依存する。キャパシタ５１はアース電極２１＿
２，２３＿２（図２参照）に相当する電極５１ａ，５１
ｂにより形成される。抵抗５０は、これら２枚の電極５
１ａ，５１ｂの間に位置している。その抵抗５０は、端
子電極３（図１参照）に相当する端子５２と、端子電極
４に相当する端子５３とに接続され、一方、キャパシタ
５１は、接地電極５，６（図２参照）に相当するアース
端子５４に接続されている。このキャパシタ５１は、ア
ース端子５４に接続されているため、そのアース端子５
４を経由させて高周波ノイズをＥＭＩフィルタ１の外部
に排出する役割を有している。
と、キャパシタ５１とにより表される。抵抗５０は、信
号線２２＿２（図２参照）により形成されるものであ
り、抵抗５０の大きさは、その抵抗５０を流れる電流の
周波数に依存する。キャパシタ５１はアース電極２１＿
２，２３＿２（図２参照）に相当する電極５１ａ，５１
ｂにより形成される。抵抗５０は、これら２枚の電極５
１ａ，５１ｂの間に位置している。その抵抗５０は、端
子電極３（図１参照）に相当する端子５２と、端子電極
４に相当する端子５３とに接続され、一方、キャパシタ
５１は、接地電極５，６（図２参照）に相当するアース
端子５４に接続されている。このキャパシタ５１は、ア
ース端子５４に接続されているため、そのアース端子５
４を経由させて高周波ノイズをＥＭＩフィルタ１の外部
に排出する役割を有している。
【００３８】さらに、本実施形態では、図４に示すよう
に、信号線２２＿２は、その側端部２２＿２ｄがセラミ
ック膜２２＿３，２２＿５で挟まれ、もう一方の側端部
２２＿２ｅがセラミック膜２２＿４，２２＿６で挟まれ
ている。これらセラミック膜２２＿３，２２＿４，２２
＿５，２２＿６の誘電率ε２は、信号線２２＿２を上下
から挟むように積層されたセラミック層２２＿１，２３
＿１の誘電率ε１よりも大きい。信号線２２＿２に電流
を流すと、その電流の直流成分及び低周波成分は、ほと
んど信号線２２＿２の中心部２２＿２ｃを流れるが、高
周波成分は表皮効果により信号線２２＿２の側端部２２
＿２ｄ，２２＿２ｅに集中する傾向があるため、上記の
ように、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２
ｅの周辺に位置するセラミック膜２２＿３，２２＿４，
２２＿５，２２＿６として、セラミック層２２＿１，２
３＿１よりも誘電率の大きいものを用いることにより、
信号線２２＿２を流れる高周波成分はさらに信号線２２
＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅに集中し、側端部
２２＿２ｄ，２２＿２ｅの電流密度が大きくなる。
に、信号線２２＿２は、その側端部２２＿２ｄがセラミ
ック膜２２＿３，２２＿５で挟まれ、もう一方の側端部
２２＿２ｅがセラミック膜２２＿４，２２＿６で挟まれ
ている。これらセラミック膜２２＿３，２２＿４，２２
＿５，２２＿６の誘電率ε２は、信号線２２＿２を上下
から挟むように積層されたセラミック層２２＿１，２３
＿１の誘電率ε１よりも大きい。信号線２２＿２に電流
を流すと、その電流の直流成分及び低周波成分は、ほと
んど信号線２２＿２の中心部２２＿２ｃを流れるが、高
周波成分は表皮効果により信号線２２＿２の側端部２２
＿２ｄ，２２＿２ｅに集中する傾向があるため、上記の
ように、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２
ｅの周辺に位置するセラミック膜２２＿３，２２＿４，
２２＿５，２２＿６として、セラミック層２２＿１，２
３＿１よりも誘電率の大きいものを用いることにより、
信号線２２＿２を流れる高周波成分はさらに信号線２２
＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅに集中し、側端部
２２＿２ｄ，２２＿２ｅの電流密度が大きくなる。
【００３９】図９は、信号線２２＿２を流れる高周波電
流の電流密度を示すグラフである。
流の電流密度を示すグラフである。
【００４０】図９に示すグラフの横軸は信号線２２＿２
の幅方向の部位を示し、縦軸は信号線２２＿２の各部位
を流れる電流の電流密度を示す。
の幅方向の部位を示し、縦軸は信号線２２＿２の各部位
を流れる電流の電流密度を示す。
【００４１】グラフの実線は、本実施形態のＥＭＩフィ
ルタ１の信号線２２＿２を流れる電流の電流密度であ
り、グラフの破線は、セラミック膜２２＿３，２２＿
４，２２＿５，２２＿６の誘電率ε２を、セラミック層
２２＿１，２３＿１の誘電率ε１と同じ値にしたとき
の、信号線２２＿２を流れる電流の電流密度である。
ルタ１の信号線２２＿２を流れる電流の電流密度であ
り、グラフの破線は、セラミック膜２２＿３，２２＿
４，２２＿５，２２＿６の誘電率ε２を、セラミック層
２２＿１，２３＿１の誘電率ε１と同じ値にしたとき
の、信号線２２＿２を流れる電流の電流密度である。
【００４２】このグラフから、セラミック膜２２＿３，
２２＿４，２２＿５，２２＿６の誘電率ε２を、セラミ
ック層２２＿１，２３＿１の誘電率ε１よりも大きくし
ておくことにより、信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅの電流密度が大きくなることがわかる。
つまり、断面積の小さい側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅ
に電流が集中するため、高周波成分のオーム損失が増大
する。
２２＿４，２２＿５，２２＿６の誘電率ε２を、セラミ
ック層２２＿１，２３＿１の誘電率ε１よりも大きくし
ておくことにより、信号線２２＿２の側端部２２＿２
ｄ，２２＿２ｅの電流密度が大きくなることがわかる。
つまり、断面積の小さい側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅ
に電流が集中するため、高周波成分のオーム損失が増大
する。
【００４３】従って、本実施形態のＥＭＩフィルタ１を
用いることにより、信号線２２＿２に高周波ノイズが混
入しても、その高周波ノイズを効率よく減衰させること
ができる。
用いることにより、信号線２２＿２に高周波ノイズが混
入しても、その高周波ノイズを効率よく減衰させること
ができる。
【００４４】尚、本実施形態では、セラミック層２１＿
１，２２＿１，２３＿１，２４＿１の誘電率はいずれも
ε１であるが、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２
２＿２ｅの電流密度が高くなる現象を妨げるのでなけれ
ば、セラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，２４
＿１の全域に渡ってそれらセラミック層の誘電率を一定
値ε１にする必要はなく、それらセラミック層の誘電率
にばらつきがあってもよい。つまり、本発明は、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に存在
する誘電体材料が、信号線２２＿２上下面の周辺に存在
する誘電体材料よりも大きい誘電率を有するのであれ
ば、本発明にいう基体は、誘電率ε１、ε２の他に別の
誘電率ε３の誘電体材料を有していてもよい。
１，２２＿１，２３＿１，２４＿１の誘電率はいずれも
ε１であるが、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２
２＿２ｅの電流密度が高くなる現象を妨げるのでなけれ
ば、セラミック層２１＿１，２２＿１，２３＿１，２４
＿１の全域に渡ってそれらセラミック層の誘電率を一定
値ε１にする必要はなく、それらセラミック層の誘電率
にばらつきがあってもよい。つまり、本発明は、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に存在
する誘電体材料が、信号線２２＿２上下面の周辺に存在
する誘電体材料よりも大きい誘電率を有するのであれ
ば、本発明にいう基体は、誘電率ε１、ε２の他に別の
誘電率ε３の誘電体材料を有していてもよい。
【００４５】また、本実施形態では、セラミック層２２
＿１，２３＿１の誘電率ε１よりも大きい誘電率ε２を
有するセラミック膜２２＿３，２２＿４，２２＿５，２
２＿６を、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿
２ｅに接触するように形成しているが、そのセラミック
膜２２＿３，２２＿４，２２＿５，２２＿６は、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に形成
されるのであれば、その側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅ
に対し非接触であってもよい。さらに、本実施形態で
は、本発明にいう基体の一例としてセラミック基体２を
用いているが、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２
２＿２ｅの周辺に存在する誘電体材料が、信号線２２＿
２の上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも大きい誘
電率を有するのであれば、セラミック以外の誘電体材料
を用いて形成された基体に信号線２２＿２を形成しても
よい。つまり、本発明は、信号線２２＿２の側端部２２
＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に存在する誘電体材料が、信
号線２２＿２上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも
大きい誘電率を有するのであれば、本発明にいう基体を
構成する誘電体材料の種類は何でもよく、さらに、その
信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺
に存在する誘電体材料は、信号線２２＿２に対し接触、
非接触どちらであってもよい。
＿１，２３＿１の誘電率ε１よりも大きい誘電率ε２を
有するセラミック膜２２＿３，２２＿４，２２＿５，２
２＿６を、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿
２ｅに接触するように形成しているが、そのセラミック
膜２２＿３，２２＿４，２２＿５，２２＿６は、信号線
２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に形成
されるのであれば、その側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅ
に対し非接触であってもよい。さらに、本実施形態で
は、本発明にいう基体の一例としてセラミック基体２を
用いているが、信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２
２＿２ｅの周辺に存在する誘電体材料が、信号線２２＿
２の上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも大きい誘
電率を有するのであれば、セラミック以外の誘電体材料
を用いて形成された基体に信号線２２＿２を形成しても
よい。つまり、本発明は、信号線２２＿２の側端部２２
＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺に存在する誘電体材料が、信
号線２２＿２上下面の周辺に存在する誘電体材料よりも
大きい誘電率を有するのであれば、本発明にいう基体を
構成する誘電体材料の種類は何でもよく、さらに、その
信号線２２＿２の側端部２２＿２ｄ，２２＿２ｅの周辺
に存在する誘電体材料は、信号線２２＿２に対し接触、
非接触どちらであってもよい。
【００４６】さらに、本実施形態では、本発明の電子部
品としてＥＭＩフィルタ１を取り挙げたが、ＥＭＩフィ
ルタ以外の電子部品についても、導体膜側端部の周辺の
誘電体材料として、その導体膜の上下面の誘電体材料よ
りも誘電率の大きい材料を用いることにより、高周波成
分をさらに効率よく減衰させることができる電子部品が
得られる。
品としてＥＭＩフィルタ１を取り挙げたが、ＥＭＩフィ
ルタ以外の電子部品についても、導体膜側端部の周辺の
誘電体材料として、その導体膜の上下面の誘電体材料よ
りも誘電率の大きい材料を用いることにより、高周波成
分をさらに効率よく減衰させることができる電子部品が
得られる。
【００４７】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の電子部
品によれば、高周波成分をさらに効率よく減衰させるこ
とができる。
品によれば、高周波成分をさらに効率よく減衰させるこ
とができる。
【図１】本発明の電子部品の一例であるＥＭＩフィルタ
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】図１に示すＥＭＩフィルタが備えているセラミ
ック基体を４層に分割して示す分解斜視図である。
ック基体を４層に分割して示す分解斜視図である。
【図３】図２に示すセラミック層２２＿１をＢ−Ｂ方向
から見た断面図である。
から見た断面図である。
【図４】図１に示すフィルタ装置１のＡ−Ａ方向から見
た断面を模式的に示す図である。
た断面を模式的に示す図である。
【図５】セラミックシートに形成されたセラミック膜を
示す図である。
示す図である。
【図６】セラミックシートに形成された信号線を示す図
である。
である。
【図７】信号線に重なるように形成されたセラミック膜
を示す図である。
を示す図である。
【図８】ＥＭＩフィルタ１の等価回路図である。
【図９】信号線２２＿２を流れる高周波電流の電流密度
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図１０】フィルタ装置の、誘電体シートの厚さ方向に
関する一部断面を概略的に示す図である。
関する一部断面を概略的に示す図である。
１ ＥＭＩフィルタ ２ セラミック基体 ３，４ 端子電極 ５，６ 接地電極 ２１＿１，２２＿１，２３＿１，２４＿１ セラミック
層 ２１＿２，２３＿２ アース電極 ２１＿２ａ，２１＿１ｂ，２２＿２ａ，２２＿２ｂ，２
３＿２ａ，２３＿２ｂ 端部 ２１＿１ａ，２１＿１ｂ，２３＿１ａ，２３＿１ｂ 側
端面 ２２＿１ａ，２２＿１ｂ 端面 ２２＿２ 信号線 ２２＿２ｃ 中央部 ２２＿２ｄ，２２＿２ｅ 側端部 ２２＿２ｆ 上面 ２２＿２ｇ 下面 ２２＿３，２２＿４，２２＿５，２２＿６ セラミック
膜 ２２＿３ａ 右半分 ２２＿４ａ 左半分 ２３＿１ｃ 裏面 ３０ ＰＥＴフィルム ３１ セラミックシート ５０ 抵抗 ５１ キャパシタ ５１ａ，５１ｂ 電極 ５２，５３ 端子 ５４ アース端子
層 ２１＿２，２３＿２ アース電極 ２１＿２ａ，２１＿１ｂ，２２＿２ａ，２２＿２ｂ，２
３＿２ａ，２３＿２ｂ 端部 ２１＿１ａ，２１＿１ｂ，２３＿１ａ，２３＿１ｂ 側
端面 ２２＿１ａ，２２＿１ｂ 端面 ２２＿２ 信号線 ２２＿２ｃ 中央部 ２２＿２ｄ，２２＿２ｅ 側端部 ２２＿２ｆ 上面 ２２＿２ｇ 下面 ２２＿３，２２＿４，２２＿５，２２＿６ セラミック
膜 ２２＿３ａ 右半分 ２２＿４ａ 左半分 ２３＿１ｃ 裏面 ３０ ＰＥＴフィルム ３１ セラミックシート ５０ 抵抗 ５１ キャパシタ ５１ａ，５１ｂ 電極 ５２，５３ 端子 ５４ アース端子
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体材料を有する基体と、該基体の内
部に形成された導体膜とを備えた電子部品において、 前記基体が有する誘電体材料のうちの、前記導体膜側端
部の周辺に存在する誘電体材料が、前記導体膜上下面の
周辺に存在する誘電体材料よりも誘電率の大きい誘電体
材料であることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16798899A JP4993800B2 (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 電子部品 |
| US09/762,655 US6388863B1 (en) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | Electronic part |
| EP00947855A EP1110312B1 (en) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | An electronic part |
| PCT/EP2000/005593 WO2000077927A1 (en) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | An electronic part |
| DE60041856T DE60041856D1 (de) | 1999-06-15 | 2000-06-15 | Elektronisches bauteil |
| TW089114726A TW457538B (en) | 1999-06-15 | 2000-07-24 | An electronic part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16798899A JP4993800B2 (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357632A true JP2000357632A (ja) | 2000-12-26 |
| JP4993800B2 JP4993800B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=15859729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16798899A Expired - Fee Related JP4993800B2 (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | 電子部品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6388863B1 (ja) |
| EP (1) | EP1110312B1 (ja) |
| JP (1) | JP4993800B2 (ja) |
| DE (1) | DE60041856D1 (ja) |
| TW (1) | TW457538B (ja) |
| WO (1) | WO2000077927A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003001665A1 (fr) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filtre antiparasites |
| US6806794B2 (en) | 2000-08-12 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI279080B (en) * | 2001-09-20 | 2007-04-11 | Nec Corp | Shielded strip line device and method of manufacture thereof |
| US7176781B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-02-13 | Agere Systems Inc | Structure and method for adjusting integrated circuit resistor value |
| WO2007074598A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 電気回路装置 |
| US7211740B1 (en) | 2006-04-28 | 2007-05-01 | Kemet Electronics Corporation | Valve metal electromagnetic interference filter |
| DE102013012733A1 (de) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Widerstand mit verminderter parasitärer Kapazität |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4584074A (en) * | 1982-12-07 | 1986-04-22 | International Standard Electric Corporation | Capacitors |
| CH663690A5 (en) * | 1983-09-22 | 1987-12-31 | Feller Ag | Line having a distributed low-pass filter |
| JPH05275958A (ja) * | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズフィルタ |
| JP3259686B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2002-02-25 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP16798899A patent/JP4993800B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-15 DE DE60041856T patent/DE60041856D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-15 US US09/762,655 patent/US6388863B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-15 EP EP00947855A patent/EP1110312B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-15 WO PCT/EP2000/005593 patent/WO2000077927A1/en active Application Filing
- 2000-07-24 TW TW089114726A patent/TW457538B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806794B2 (en) | 2000-08-12 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
| WO2003001665A1 (fr) * | 2001-06-21 | 2003-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filtre antiparasites |
| GB2383198A (en) * | 2001-06-21 | 2003-06-18 | Murata Manufacturing Co | Noise filter |
| GB2383198B (en) * | 2001-06-21 | 2005-05-25 | Murata Manufacturing Co | Noise filter |
| US7091800B2 (en) | 2001-06-21 | 2006-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1110312B1 (en) | 2009-03-25 |
| JP4993800B2 (ja) | 2012-08-08 |
| EP1110312A1 (en) | 2001-06-27 |
| DE60041856D1 (de) | 2009-05-07 |
| WO2000077927A1 (en) | 2000-12-21 |
| TW457538B (en) | 2001-10-01 |
| US6388863B1 (en) | 2002-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6727782B2 (en) | Multilayered LC composite component and method for manufacturing the same | |
| JP2001076953A (ja) | 積層型コイル部品及びその製造方法 | |
| JP2000357632A (ja) | 電子部品 | |
| JPH1140459A (ja) | 複合電子部品 | |
| JP2004214005A (ja) | サージアブソーバ及びサージアブソーバアレイ | |
| JPH1167583A (ja) | 積層型電子部品 | |
| JPS63300593A (ja) | セラミック複合基板 | |
| JPH0430615A (ja) | ノイズ・フイルタ | |
| JP2000252164A (ja) | 積層セラミックフィルタ | |
| JPH0982558A (ja) | 積層型セラミック電子部品 | |
| JPH0878991A (ja) | チップ型ｌｃフィルタ素子 | |
| JPH09120930A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2002343640A (ja) | 積層セラミック型電子部品 | |
| JP2001126956A (ja) | 貫通型コンデンサ | |
| JP2000012375A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JPH0338812A (ja) | 積層コンデンサ | |
| JPH1022172A (ja) | 積層電子部品とその製造方法 | |
| JP3114712B2 (ja) | 積層型ｌｃノイズフィルタ | |
| JPH0195591A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH03263311A (ja) | 積層複合部品 | |
| JPH09153752A (ja) | フィルタ | |
| JPH04267615A (ja) | Ｔ型フィルタ | |
| JP2001351822A (ja) | 積層型電子部品の製造方法 | |
| JP2000114100A (ja) | 多連型電子部品 | |
| JP2003068568A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050809 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060614 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080327 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081209 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090324 |
|
| AA91 | Notification of revocation by ex officio |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20090407 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091006 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120217 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120508 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |