JP2000351957A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000351957A5
JP2000351957A5 JP2000120314A JP2000120314A JP2000351957A5 JP 2000351957 A5 JP2000351957 A5 JP 2000351957A5 JP 2000120314 A JP2000120314 A JP 2000120314A JP 2000120314 A JP2000120314 A JP 2000120314A JP 2000351957 A5 JP2000351957 A5 JP 2000351957A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
colloidal silica
mechanochemical polishing
aqueous suspension
cationized
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000120314A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000351957A (ja
JP3967522B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR9905123A external-priority patent/FR2792643B1/fr
Application filed filed Critical
Publication of JP2000351957A publication Critical patent/JP2000351957A/ja
Publication of JP2000351957A5 publication Critical patent/JP2000351957A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3967522B2 publication Critical patent/JP3967522B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液の使用が、低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料(特にSiLK(登録商標)タイプ)の層を研磨するとき研磨速度、研磨均一性及び研磨された表面の表面状態に極めて良好な妥協をもたらすことを可能とすることが驚くべきかつ予想できない態様で結論された。
本願の主題は低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物において、前記研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液及を含有することを特徴とする機械化学的研磨のための組成物である。
本発明を実施する好ましい条件下では、シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液は約50重量%のアルミニウムヒドロキシクロライドの溶液から得られ、その場合ナトリウムで安定化されたアルカリ性シリカゾルが攪拌下に約9のpHで導入される。このようにして3.5と4の間のpHのカチオン化されたコロイドシリカ粒子の安定な懸濁液が得られる。
また、本願の主題は3〜250ナノメーターの直径、1〜6のpHを有する、シロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液を含浸された布を含む、低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨のための研磨剤である。
実施例1:研磨組成物1
研磨組成物1は下記特性を有する、前述のアルミニウムヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によって構成される:
− 水性懸濁液のpH:3.5
− コロイドシリカの粒子の平均直径:50nm
− コロイドシリカの重量濃度:30%
実施例5:研磨組成物3
研磨組成物3は下記特性を有する、前述のアルミニウムヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によって構成される:
− 水性懸濁液のpH:3.5
− コロイドシリカの粒子の平均直径:25nm
− コロイドシリカの重量濃度:4.4%
比較実施例1
研磨組成物は下記特性を有する、シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によって構成される:
− 水性懸濁液のpH:2.5
− コロイドシリカの粒子の平均直径:50nm
− コロイドシリカの重量濃度:30%
比較実施例2
研磨組成物は下記特性を有する、シロキサン結合によって互いに連結されていないコロイドシリカ粒子を含有する、コロイドシリカの塩基性水性懸濁液によって構成される:
− 水性懸濁液のpH:10.8
− コロイドシリカの粒子の平均直径:50nm
− コロイドシリカの重量濃度:30%

Claims (10)

  1. 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物において、前記研磨組成物がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学的研磨のための組成物。
  2. コロイドシリカの酸性水性懸濁液がアルミニウム、クロム、ガリウム、チタン、ジルコニウムによってカチオン化されている請求項1記載の機械化学的研磨のための組成物。
  3. コロイドシリカの酸性水性懸濁液がアルミニウムヒドロキシクロライドによってカチオン化されている請求項2記載の機械化学的研磨のための組成物。
  4. 前記組成物が1〜6のpHを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか記載の機械化学的研磨のための組成物。
  5. 前記組成物が2〜4のpHを有することを特徴とする請求項4記載の機械化学的研磨のための組成物。
  6. 前記組成物が3〜250ナノメーターの直径を有する、シロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか記載の機械化学的研磨のための組成物。
  7. 前記組成物が10〜50ナノメーターの直径を有する、シロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたシリカ粒子を含むことを特徴とする請求項6記載の機械化学的研磨のための組成物。
  8. 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨のための方法であって、前記絶縁材料の層の研磨が研磨剤を含有する布を使用して前記層をこすることによって実施される方法において、研磨剤がシロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学的研磨のための方法。
  9. 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料がSiLK(登録商標)タイプのものであることを特徴とする請求項8記載の機械化学的研磨のための方法。
  10. 3〜250ナノメーターの直径、1〜6のpHを有する、シロキサン結合によって互いに連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性懸濁液を含浸された布を含む、低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨のための研磨剤。
JP2000120314A 1999-04-22 2000-04-21 低誘電率を有するポリマーを基材とする絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物 Expired - Lifetime JP3967522B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9905123A FR2792643B1 (fr) 1999-04-22 1999-04-22 Composition de polissage mecano-chimique de couches en un materiau isolant a base de polymere a faible constante dielectrique
FR9905123 1999-04-22

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000351957A JP2000351957A (ja) 2000-12-19
JP2000351957A5 true JP2000351957A5 (ja) 2005-04-07
JP3967522B2 JP3967522B2 (ja) 2007-08-29

Family

ID=9544750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000120314A Expired - Lifetime JP3967522B2 (ja) 1999-04-22 2000-04-21 低誘電率を有するポリマーを基材とする絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物

Country Status (17)

Country Link
US (1) US6362108B1 (ja)
EP (1) EP1046690B1 (ja)
JP (1) JP3967522B2 (ja)
KR (1) KR100607919B1 (ja)
CN (1) CN1153823C (ja)
AT (1) ATE272100T1 (ja)
CZ (1) CZ300220B6 (ja)
DE (1) DE60012399T2 (ja)
DK (1) DK1046690T3 (ja)
ES (1) ES2223441T3 (ja)
FR (1) FR2792643B1 (ja)
HU (1) HU228376B1 (ja)
ID (1) ID25822A (ja)
MY (1) MY124983A (ja)
PT (1) PT1046690E (ja)
SG (1) SG83204A1 (ja)
TW (1) TW491886B (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537563B2 (en) * 2000-05-11 2003-03-25 Jeneric/Pentron, Inc. Dental acid etchant composition and method of use
JP3899456B2 (ja) 2001-10-19 2007-03-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
FR2831179B1 (fr) 2001-10-22 2005-04-15 Rhodia Chimie Sa Procede de preparation en milieu aqueux de compositions pigmentaires a base de silice
DE10152993A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-08 Bayer Ag Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität
DE10164262A1 (de) * 2001-12-27 2003-07-17 Bayer Ag Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen
WO2004037937A1 (en) * 2002-10-22 2004-05-06 Psiloquest, Inc. A corrosion retarding polishing slurry for the chemical mechanical polishing of copper surfaces
JP2005268667A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fujimi Inc 研磨用組成物
US7052373B1 (en) * 2005-01-19 2006-05-30 Anji Microelectronics Co., Ltd. Systems and slurries for chemical mechanical polishing
CN101077961B (zh) * 2006-05-26 2011-11-09 安集微电子(上海)有限公司 用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法
US7501346B2 (en) 2006-07-21 2009-03-10 Cabot Microelectronics Corporation Gallium and chromium ions for oxide rate enhancement
JP6878772B2 (ja) * 2016-04-14 2021-06-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2677646B2 (ja) * 1988-12-26 1997-11-17 旭電化工業株式会社 コロイダルシリカの製造方法
US5382272A (en) * 1993-09-03 1995-01-17 Rodel, Inc. Activated polishing compositions
US5904159A (en) * 1995-11-10 1999-05-18 Tokuyama Corporation Polishing slurries and a process for the production thereof
MY133700A (en) * 1996-05-15 2007-11-30 Kobe Steel Ltd Polishing fluid composition and polishing method
FR2754937B1 (fr) 1996-10-23 1999-01-15 Hoechst France Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium
FR2761629B1 (fr) * 1997-04-07 1999-06-18 Hoechst France Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux semi-conducteurs a base de polysilicium ou d'oxyde de silicium dope
US6046111A (en) * 1998-09-02 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
FR2785614B1 (fr) * 1998-11-09 2001-01-26 Clariant France Sa Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000351957A5 (ja)
JP3121274B2 (ja) 研磨組成物
EP3120380A1 (en) Composition for tungsten buffing
JP5389660B2 (ja) 高金属性ケイ質組成物及び同一物を生成する方法
TWI398473B (zh) 用於拋光在鑲嵌結構中之鋁/銅及鈦之組合物
KR102298256B1 (ko) 연마용 조성물, 연마 방법 및 기판의 제조 방법
US20100022170A1 (en) Coated abrasive products containing aggregates
JP2010514660A5 (ja)
JP2010516487A (ja) 凝結体を含む被覆研磨製品
JP2004027224A5 (ja)
JP2009543337A5 (ja)
TW201600590A (zh) 混合的研磨性鎢之化學機械拋光(cmp)組合物
JP2005529485A5 (ja)
JP2000144111A5 (ja)
JP2010509496A5 (ja)
JP2009010402A5 (ja)
JP2008537704A5 (ja)
JPS5845739A (ja) 陰イオン交換樹脂類を含有する「ろ」過助剤
WO2007137508A1 (fr) Suspension de polissage pour planarisation fine de surfaces et procédé d'utilisation associé
WO2013077281A1 (ja) 合金材料の研磨方法及び合金材料の製造方法
JP2003512498A5 (ja)
JP2012529133A5 (ja)
ATE447542T1 (de) Siliciumdioxid-aluminiumoxid-verbund-sol, verfahren zu dessen herstellung, und aufnahme- medium
KR20100128049A (ko) 금속막 연마용 cmp 조성물
US20050072054A1 (en) Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing computer memory disk surfaces