JP2000351957A - 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物 - Google Patents
低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物Info
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 好適な低誘電率を有するポリマーに基づいた
絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物を
提供する。 【解決手段】 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶
縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物にお
いて、前記研磨組成物がシロキサン結合によって互いに
連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒
体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカ
の酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学
的研磨のための組成物。
絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物を
提供する。 【解決手段】 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶
縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物にお
いて、前記研磨組成物がシロキサン結合によって互いに
連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒
体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカ
の酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学
的研磨のための組成物。
Description
【０００１】本発明は低誘電率を有するポリマーに基づ
いた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成
物に関する。
いた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための組成
物に関する。
【０００２】シリコンウェハー上に作られた電子デバイ
スは所望の電子回路を構成するために相互連結金属トラ
ックによって互いに連結されなければならない。各金属
相互連結レベルは電気的に絶縁されなければならない。
この目的のために、各レベルは誘電層内に封じ込められ
る。
スは所望の電子回路を構成するために相互連結金属トラ
ックによって互いに連結されなければならない。各金属
相互連結レベルは電気的に絶縁されなければならない。
この目的のために、各レベルは誘電層内に封じ込められ
る。
【０００３】集積回路の相互連結金属トラックは次の順
序による金属の反応性イオンエッチングによって作られ
ることが最も多い：約１０−１２ｍ厚のアルミニウム又
はアルミニウム合金フィルムが電子ビーム又はイオンビ
ームによって堆積され（スパッタリング）；次いで、相
互連結回路のデザインがフォトリソグラフィによって、
それから反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってそ
こに転写される。次いで、かくして規定されたトラック
は誘電層（通常は酸化ケイ素に基づき、最も多くはテト
ラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）の蒸気相の分解
によって得られる）でカバーされる。次いで、この層は
機械化学的研磨によって平坦化される。
序による金属の反応性イオンエッチングによって作られ
ることが最も多い：約１０−１２ｍ厚のアルミニウム又
はアルミニウム合金フィルムが電子ビーム又はイオンビ
ームによって堆積され（スパッタリング）；次いで、相
互連結回路のデザインがフォトリソグラフィによって、
それから反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってそ
こに転写される。次いで、かくして規定されたトラック
は誘電層（通常は酸化ケイ素に基づき、最も多くはテト
ラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）の蒸気相の分解
によって得られる）でカバーされる。次いで、この層は
機械化学的研磨によって平坦化される。
【０００４】この誘電層によって誘発される静電容量を
減少するための一つの方法は低誘電率を有する材料を使
用することからなる。最良の候補はN.H. Hendricks著、
Mat.Res. Soc. Symp. Proc., vol.443,1997 p 3-14, 及
びL. Peters-Semi Conductor International-Sept. 199
8,p.64-74 に挙げられている。
減少するための一つの方法は低誘電率を有する材料を使
用することからなる。最良の候補はN.H. Hendricks著、
Mat.Res. Soc. Symp. Proc., vol.443,1997 p 3-14, 及
びL. Peters-Semi Conductor International-Sept. 199
8,p.64-74 に挙げられている。
【０００５】そこに挙げられた主な種類は： − Flare（登録商標）のようなフッ素化ポリ（アリー
ルエーテル）、 − ＰＡＥ−２のようなポリ（アリールエーテル）、 − フッ素化ポリアミド、 − ヒドリドシルセスキオキサン及びアルキルシルセス
キオキサン、 − Cyclotene （登録商標）のようなビスベンゾシクロ
ブテン、 − Parylene（登録商標）N のようなポリ（ｐ−キシリ
レン）及びParylene（登録商標）F のようなポリ（α，
α，α′，α′−テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）、 − パーフルオロシクロブタンの芳香族エーテルポリマ
ー、 − ＳｉＬＫ（登録商標）のような芳香族炭化水素。
ルエーテル）、 − ＰＡＥ−２のようなポリ（アリールエーテル）、 − フッ素化ポリアミド、 − ヒドリドシルセスキオキサン及びアルキルシルセス
キオキサン、 − Cyclotene （登録商標）のようなビスベンゾシクロ
ブテン、 − Parylene（登録商標）N のようなポリ（ｐ−キシリ
レン）及びParylene（登録商標）F のようなポリ（α，
α，α′，α′−テトラフルオロ−ｐ−キシリレン）、 − パーフルオロシクロブタンの芳香族エーテルポリマ
ー、 − ＳｉＬＫ（登録商標）のような芳香族炭化水素。
【０００６】マイクロエレクトロニック相互連結工程に
集積化されるためには、低誘電率を有するこれらのポリ
マーは主に次の基準を満たさなければならない： − ０．３５ｐｍより大きい幅の堀を満たす、 − ４００℃より高いガラス転移温度、 − 低吸湿性（＜１％）、 − 高熱安定性（４５０℃で＜１％／ｈ）、及び − 金属層及び他の誘電層への優れた接着性。
集積化されるためには、低誘電率を有するこれらのポリ
マーは主に次の基準を満たさなければならない： − ０．３５ｐｍより大きい幅の堀を満たす、 − ４００℃より高いガラス転移温度、 − 低吸湿性（＜１％）、 − 高熱安定性（４５０℃で＜１％／ｈ）、及び − 金属層及び他の誘電層への優れた接着性。
【０００７】更に、堆積されたポリマー層は次いで機械
化学的研磨によって平坦化されることができなければな
らない。
化学的研磨によって平坦化されることができなければな
らない。
【０００８】Thin Solid Films,(1997), 308-309, p.55
0-554 においてY.L. Wang らはアルキルシロキサン層を
塩基性媒体中（ｐＨ＝１０．２）のヒュームドシリカ粒
子または酸性媒体中（ｐＨ＝３．３−４．６）の酸化ジ
ルコニウム粒子を含む研磨溶液によって研磨した。
0-554 においてY.L. Wang らはアルキルシロキサン層を
塩基性媒体中（ｐＨ＝１０．２）のヒュームドシリカ粒
子または酸性媒体中（ｐＨ＝３．３−４．６）の酸化ジ
ルコニウム粒子を含む研磨溶液によって研磨した。
【０００９】J. of Electronic Materials, Vol.26，N
o.8，1997年，p.935-940 においてG.R. Yang らは酸性
またはアルカリ性媒体中のアルミナ粒子を含む種々の研
磨溶液で研磨した後に得られたParylene（登録商標）N
の層の表面品質を研究した。得られた研磨速度はどの研
磨溶液が用いられても低かった。
o.8，1997年，p.935-940 においてG.R. Yang らは酸性
またはアルカリ性媒体中のアルミナ粒子を含む種々の研
磨溶液で研磨した後に得られたParylene（登録商標）N
の層の表面品質を研究した。得られた研磨速度はどの研
磨溶液が用いられても低かった。
【００１０】Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1995年，
Vol.381，p.229-235においてJ.M. Neirynck らは低誘電
率を有する三つのタイプのポリマー（Parylene（登録商
標）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフッ素化ポリ
イミド）を塩基性または酸性媒体中のアルミナ粒子を含
む研磨溶液を使用して研磨する試みをした。
Vol.381，p.229-235においてJ.M. Neirynck らは低誘電
率を有する三つのタイプのポリマー（Parylene（登録商
標）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフッ素化ポリ
イミド）を塩基性または酸性媒体中のアルミナ粒子を含
む研磨溶液を使用して研磨する試みをした。
【００１１】現在、マイクロエレクトロニック相互連結
工程への低誘電率を有するポリマー層の集積化は機械化
学的研磨による平坦化中にこのタイプの材料で得られる
不十分な性能により主として困難に陥っている。この段
階はまだ完全に征服されていない。特に研磨速度及び研
磨した表面の表面状態に関してそうである。
工程への低誘電率を有するポリマー層の集積化は機械化
学的研磨による平坦化中にこのタイプの材料で得られる
不十分な性能により主として困難に陥っている。この段
階はまだ完全に征服されていない。特に研磨速度及び研
磨した表面の表面状態に関してそうである。
【００１２】シロキサン結合によって互いに連結しない
コロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシ
リカの酸性水性懸濁液の使用が、低誘電率を有するポリ
マーに基づいた絶縁材料（特にＳｉＬＫ（登録商標）タ
イプ）の層を研磨するとき研磨速度、研磨均一性及び研
磨された表面の表面状態に極めて良好な妥協をもたらす
ことを可能とすることが驚くべきかつ予想できない態様
で結論された。
コロイドシリカ粒子を含むカチオン化されたコロイドシ
リカの酸性水性懸濁液の使用が、低誘電率を有するポリ
マーに基づいた絶縁材料（特にＳｉＬＫ（登録商標）タ
イプ）の層を研磨するとき研磨速度、研磨均一性及び研
磨された表面の表面状態に極めて良好な妥協をもたらす
ことを可能とすることが驚くべきかつ予想できない態様
で結論された。
【００１３】本願の主題は低誘電率を有するポリマーに
基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための
組成物において、前記研磨組成物がシロキサン結合によ
って互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子
び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイ
ドシリカの酸性水性懸濁液及を含有することを特徴とす
る機械化学的研磨のための組成物である。
基づいた絶縁材料における層の機械化学的研磨のための
組成物において、前記研磨組成物がシロキサン結合によ
って互いに連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子
び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイ
ドシリカの酸性水性懸濁液及を含有することを特徴とす
る機械化学的研磨のための組成物である。
【００１４】“カチオン化されたコロイドシリカの酸性
水性懸濁液”はアルミニウム、クロム、ガリウム、チタ
ンまたはジルコニウムのような三価または四価金属酸化
物により表面変性されたコロイドシリカの酸性水性懸濁
液を意味する。それらは特に書籍“The Chemistry of S
ilica − R.K. Iler-Wiley Interscience(1979年），p.
410-411”に記載されている。
水性懸濁液”はアルミニウム、クロム、ガリウム、チタ
ンまたはジルコニウムのような三価または四価金属酸化
物により表面変性されたコロイドシリカの酸性水性懸濁
液を意味する。それらは特に書籍“The Chemistry of S
ilica − R.K. Iler-Wiley Interscience(1979年），p.
410-411”に記載されている。
【００１５】本発明を実施する好ましい条件下では、シ
ロキサン結合によって互いに連結しないコロイドシリカ
粒子を含むカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性
懸濁液は約５０重量％のアルミニウムヒドロキシクロラ
イドの溶液から得られ、その場合ナトリウムで安定化さ
れたアルカリ性シリカゾルが攪拌下に約９のｐＨで導入
される。このようにして３．５と４の間のｐＨのカチオ
ン化されたコロイドシリカ粒子の安定な懸濁液が得られ
る。
ロキサン結合によって互いに連結しないコロイドシリカ
粒子を含むカチオン化されたコロイドシリカの酸性水性
懸濁液は約５０重量％のアルミニウムヒドロキシクロラ
イドの溶液から得られ、その場合ナトリウムで安定化さ
れたアルカリ性シリカゾルが攪拌下に約９のｐＨで導入
される。このようにして３．５と４の間のｐＨのカチオ
ン化されたコロイドシリカ粒子の安定な懸濁液が得られ
る。
【００１６】本願において、“ＳｉＬＫ（登録商標）タ
イプの低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料”
はPH. TowsendらによりMat. Res. Soc. Symp. Proc.，1
997年，476 ，p.9-17に記述された材料を意味する。こ
の材料は３０センチポアズの粘度のオリゴマー溶液によ
って構成され、その重合は触媒を必要とせず、水の形成
を誘発しない。重合した網目はフッ素を含まない芳香族
炭化水素である。その誘電率は２．６５であり、そのガ
ラス転移温度は４９０℃より高く、その屈折率は１．６
３である。
イプの低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料”
はPH. TowsendらによりMat. Res. Soc. Symp. Proc.，1
997年，476 ，p.9-17に記述された材料を意味する。こ
の材料は３０センチポアズの粘度のオリゴマー溶液によ
って構成され、その重合は触媒を必要とせず、水の形成
を誘発しない。重合した網目はフッ素を含まない芳香族
炭化水素である。その誘電率は２．６５であり、そのガ
ラス転移温度は４９０℃より高く、その屈折率は１．６
３である。
【００１７】本発明を実施するための好ましい条件下で
は、前記コロイドシリカの水性懸濁液はアルミニウム、
クロム、ガリウム、チタン又はジルコニウムの如き三価
または四価金属酸化物、特にアルミニウムによってカチ
オン化される。
は、前記コロイドシリカの水性懸濁液はアルミニウム、
クロム、ガリウム、チタン又はジルコニウムの如き三価
または四価金属酸化物、特にアルミニウムによってカチ
オン化される。
【００１８】本発明を実施するための他の好ましい条件
下では、上記機械化学的研磨のための組成物は１〜６、
好ましくは２〜４のｐＨを有するだろう。
下では、上記機械化学的研磨のための組成物は１〜６、
好ましくは２〜４のｐＨを有するだろう。
【００１９】本発明を実施するためのさらに他の好まし
い条件下では、上記研磨組成物は３〜２５０ナノメータ
ー、好ましくは１０〜５０ナノメーターの直径を有す
る、シロキサン結合によって互いに連結しないカチオン
化されたコロイドシリカ粒子を含有する。
い条件下では、上記研磨組成物は３〜２５０ナノメータ
ー、好ましくは１０〜５０ナノメーターの直径を有す
る、シロキサン結合によって互いに連結しないカチオン
化されたコロイドシリカ粒子を含有する。
【００２０】また、本願の主題は低誘電率を有するポリ
マーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨のための
方法であって、前記絶縁材料の層の研磨が研磨剤を含有
する布を使用して前記層をこすることによって実施され
る方法において、研磨剤がシロキサン結合によって互い
に連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及
び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイ
ドシリカの酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする
機械化学的研磨のための方法である。
マーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨のための
方法であって、前記絶縁材料の層の研磨が研磨剤を含有
する布を使用して前記層をこすることによって実施され
る方法において、研磨剤がシロキサン結合によって互い
に連結されていない個別化されたコロイドシリカ粒子及
び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコロイ
ドシリカの酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする
機械化学的研磨のための方法である。
【００２１】また、本願の主題は３〜２５０ナノメータ
ーの直径、１〜６のｐＨを有する、シロキサン結合によ
って互いに連結されない個別化されたコロイドシリカ粒
子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコ
ロイドシリカの酸性水性懸濁液を含浸された布を含む、
低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料の層の機
械化学的研磨のための研磨剤である。
ーの直径、１〜６のｐＨを有する、シロキサン結合によ
って互いに連結されない個別化されたコロイドシリカ粒
子及び懸濁媒体として水を含有するカチオン化されたコ
ロイドシリカの酸性水性懸濁液を含浸された布を含む、
低誘電率を有するポリマーに基づいた絶縁材料の層の機
械化学的研磨のための研磨剤である。
【００２２】上記研磨組成物を実施するための好ましい
条件は上述の本願の主題以外の主題にも適用できる。
条件は上述の本願の主題以外の主題にも適用できる。
【００２３】本発明の範囲を以下に与える実施例を参照
することによってより良好に理解することができ、その
実施例の目的は本発明の利点を説明することである。
することによってより良好に理解することができ、その
実施例の目的は本発明の利点を説明することである。
【００２４】実施例１：研磨組成物１ 研磨組成物１は下記特性を有する、前述のアルミニウム
ヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキ
サン結合によって互いに連結されないコロイドシリカ粒
子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によっ
て構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：３．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
ヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキ
サン結合によって互いに連結されないコロイドシリカ粒
子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によっ
て構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：３．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
【００２５】本発明による研磨組成物１が得られる。
【００２６】実施例２：研磨組成物１を用いた機械化学
的研磨の例 １００００Å厚のＳｉＬＫ（登録商標）の堆積が２００
ｍｍ直径のシリコンウェハー上の遠心分離によって実施
される。次いで層は４５０℃での後硬化中に重合され
る。
的研磨の例 １００００Å厚のＳｉＬＫ（登録商標）の堆積が２００
ｍｍ直径のシリコンウェハー上の遠心分離によって実施
される。次いで層は４５０℃での後硬化中に重合され
る。
【００２７】次いでウェハーは下記研磨条件下でＰＲＥ
ＳＩ ２０００研磨機上で研磨される： − 適用圧力 ０．５ｄａＮ／ｃｍ２ − ターンテーブル速度 ３０ｒｐｍ − ヘッド速度 ４２ｒｐｍ − 研磨剤温度 １０℃ − 研磨速度 １００ｃｍ３／ｍｉｎ − 布 Rodel ProductsからIC 1400 Al
ＳＩ ２０００研磨機上で研磨される： − 適用圧力 ０．５ｄａＮ／ｃｍ２ − ターンテーブル速度 ３０ｒｐｍ − ヘッド速度 ４２ｒｐｍ − 研磨剤温度 １０℃ − 研磨速度 １００ｃｍ３／ｍｉｎ − 布 Rodel ProductsからIC 1400 Al
【００２８】研磨速度及び不均一性はウェハーの１７点
での研磨前後で楕円偏光測定器を使用してＳｉＬＫ（登
録商標）の厚さを測定することによって決定される。
での研磨前後で楕円偏光測定器を使用してＳｉＬＫ（登
録商標）の厚さを測定することによって決定される。
【００２９】この研磨組成物１は下記結果を得ることを
可能にする： − ４０００Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
可能にする： − ４０００Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
【００３０】実施例３：研磨組成物２ 研磨組成物２は研磨組成物１と同様であるが、１５％の
コロイドシリカの重量濃度である。
コロイドシリカの重量濃度である。
【００３１】本発明による研磨組成物２が得られる。
【００３２】実施例４：研磨組成物２を用いた機械化学
的研磨の例 実施例２と同じ研磨パラメーターを使用することによっ
て、この研磨組成物２は下記結果を得ることを可能にす
る： − ６０００Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
的研磨の例 実施例２と同じ研磨パラメーターを使用することによっ
て、この研磨組成物２は下記結果を得ることを可能にす
る： − ６０００Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
【００３３】実施例２に対して、２倍低い活性成分の濃
度にかかわらずＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度の改良が
認められる。
度にかかわらずＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度の改良が
認められる。
【００３４】実施例５：研磨組成物３ 研磨組成物３は下記特性を有する、前述のアルミニウム
ヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキ
サン結合によって互いに連結されないコロイドシリカ粒
子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によっ
て構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：３．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：２５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：４．４％
ヒドロキシクロライドによってカチオン化され、シロキ
サン結合によって互いに連結されないコロイドシリカ粒
子を含有する、コロイドシリカの酸性水性懸濁液によっ
て構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：３．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：２５ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：４．４％
【００３５】本発明による研磨組成物３が得られる。
【００３６】実施例６：研磨組成物３を用いた機械化学
的研磨の例 実施例２と同じ研磨パラメーターを使用することによっ
て、この研磨組成物３は下記結果を得ることを可能にす
る： − ３５６０Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
的研磨の例 実施例２と同じ研磨パラメーターを使用することによっ
て、この研磨組成物３は下記結果を得ることを可能にす
る： − ３５６０Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速
度、 − 光学顕微鏡下で観察される掻き傷が全くない。
【００３７】比較実施例１ 研磨組成物は下記特性を有する、シロキサン結合によっ
て互いに連結されないコロイドシリカ粒子を含有する、
コロイドシリカの酸性水性懸濁液によって構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：２．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
て互いに連結されないコロイドシリカ粒子を含有する、
コロイドシリカの酸性水性懸濁液によって構成される： − 水性懸濁液のｐＨ：２．５ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
【００３８】実施例２と同じ研磨パラメーターを使用す
ることによって、この研磨組成物は下記結果を生み出し
た： − １４Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度。
ることによって、この研磨組成物は下記結果を生み出し
た： − １４Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度。
【００３９】この低速度は低誘電率を有するポリマーに
基づいた層の研磨のためのこの組成物の使用を妨げる。
基づいた層の研磨のためのこの組成物の使用を妨げる。
【００４０】それゆえ、コロイドシリカの酸性水性懸濁
液を使用することに対してカチオン化されたコロイドシ
リカの酸性水性懸濁液を使用する利益を見い出すことが
できる。
液を使用することに対してカチオン化されたコロイドシ
リカの酸性水性懸濁液を使用する利益を見い出すことが
できる。
【００４１】比較実施例２ 研磨組成物は下記特性を有する、シロキサン結合によっ
て互いに連結されないコロイドシリカ粒子を含有する、
コロイドシリカの塩基性水性懸濁液によって構成され
る： − 水性懸濁液のｐＨ：１０．８ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
て互いに連結されないコロイドシリカ粒子を含有する、
コロイドシリカの塩基性水性懸濁液によって構成され
る： − 水性懸濁液のｐＨ：１０．８ − コロイドシリカの粒子の平均直径：５０ｎｍ − コロイドシリカの重量濃度：３０％
【００４２】実施例２と同じ研磨パラメーターを使用す
ることによって、この研磨組成物は下記結果を生み出し
た： − ６２Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度。
ることによって、この研磨組成物は下記結果を生み出し
た： − ６２Å／ｍｉｎのＳｉＬＫ（登録商標）研磨速度。
【００４３】この低速度は低誘電率を有するポリマーに
基づいた層の研磨のためのこの組成物の使用を妨げる。
基づいた層の研磨のためのこの組成物の使用を妨げる。
【００４４】それゆえ、コロイドシリカの塩基性水性懸
濁液を使用することに対してカチオン化されたコロイド
シリカの酸性水性懸濁液を使用する利益を見い出すこと
ができる。
濁液を使用することに対してカチオン化されたコロイド
シリカの酸性水性懸濁液を使用する利益を見い出すこと
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モリス・リヴォワール フランス国38240 メイラン、シュマン、 ド、ラ、タイヤ 38
Claims (10)
- 【請求項１】 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶
縁材料における層の機械化学的研磨のための組成物にお
いて、前記研磨組成物がシロキサン結合によって互いに
連結しない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒
体として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカ
の酸性水性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学
的研磨のための組成物。 - 【請求項２】 コロイドシリカの酸性水性懸濁液がアル
ミニウム、クロム、ガリウム、チタン、ジルコニウムに
よってカチオン化されている請求項１記載の機械化学的
研磨のための組成物。 - 【請求項３】 コロイドシリカの酸性水性懸濁液がアル
ミニウムヒドロキシクロライドによってカチオン化され
ている請求項２記載の機械化学的研磨のための組成物。 - 【請求項４】 前記組成物が１〜６のｐＨを有すること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の機械化学的
研磨のための組成物。 - 【請求項５】 前記組成物が２〜４のｐＨを有すること
を特徴とする請求項４記載の機械化学的研磨のための組
成物。 - 【請求項６】 前記組成物が３〜２５０ナノメーターの
直径を有する、シロキサン結合によって互いに連結され
ていない個別化されたシリカ粒子を含むことを特徴とす
る請求項１〜５のいずれか記載の機械化学的研磨のため
の組成物。 - 【請求項７】 前記組成物が１０〜５０ナノメーターの
直径を有する、シロキサン結合によって互いに連結され
ていない個別化されたシリカ粒子を含むことを特徴とす
る請求項６記載の機械化学的研磨のための組成物。 - 【請求項８】 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶
縁材料の層の機械化学的研磨のための方法であって、前
記絶縁材料の層の研磨が研磨剤を含有する布を使用して
前記層をこすることによって実施される方法において、
研磨剤がシロキサン結合によって互いに連結されていな
い個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体として
水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの酸性水
性懸濁液を含有することを特徴とする機械化学的研磨の
ための方法。 - 【請求項９】 低誘電率を有するポリマーに基づいた絶
縁材料がＳｉＬＫ（登録商標）タイプのものであること
を特徴とする請求項８記載の機械化学的研磨のための方
法。 - 【請求項１０】 ３〜２５０ナノメーターの直径、１〜
６のｐＨを有する、シロキサン結合によって互いに連結
されない個別化されたコロイドシリカ粒子及び懸濁媒体
として水を含有するカチオン化されたコロイドシリカの
酸性水性懸濁液を含浸された布を含む、低誘電率を有す
るポリマーに基づいた絶縁材料の層の機械化学的研磨の
ための研磨剤。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9905123A FR2792643B1 (fr) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | Composition de polissage mecano-chimique de couches en un materiau isolant a base de polymere a faible constante dielectrique |
| FR9905123 | 1999-04-22 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR100607919B1 (ja) |
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| SG (1) | SG83204A1 (ja) |
| TW (1) | TW491886B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101265384B1 (ko) | 2006-07-21 | 2013-05-20 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 산화물 제거율 향상을 위한 갈륨 및 크롬 이온 |
| JP2017190413A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日立化成株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6537563B2 (en) * | 2000-05-11 | 2003-03-25 | Jeneric/Pentron, Inc. | Dental acid etchant composition and method of use |
| JP3899456B2 (ja) | 2001-10-19 | 2007-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| FR2831179B1 (fr) | 2001-10-22 | 2005-04-15 | Rhodia Chimie Sa | Procede de preparation en milieu aqueux de compositions pigmentaires a base de silice |
| DE10152993A1 (de) * | 2001-10-26 | 2003-05-08 | Bayer Ag | Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität |
| DE10164262A1 (de) * | 2001-12-27 | 2003-07-17 | Bayer Ag | Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen |
| AU2003282852A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-05-13 | Psiloquest, Inc. | A corrosion retarding polishing slurry for the chemical mechanical polishing of copper surfaces |
| JP2005268667A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| US7052373B1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-05-30 | Anji Microelectronics Co., Ltd. | Systems and slurries for chemical mechanical polishing |
| CN101077961B (zh) * | 2006-05-26 | 2011-11-09 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于精细表面平整处理的抛光液及其使用方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2677646B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1997-11-17 | 旭電化工業株式会社 | コロイダルシリカの製造方法 |
| US5382272A (en) * | 1993-09-03 | 1995-01-17 | Rodel, Inc. | Activated polishing compositions |
| DE69611653T2 (de) * | 1995-11-10 | 2001-05-03 | Tokuyama Corp | Poliersuspensionen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| MY133700A (en) * | 1996-05-15 | 2007-11-30 | Kobe Steel Ltd | Polishing fluid composition and polishing method |
| FR2754937B1 (fr) * | 1996-10-23 | 1999-01-15 | Hoechst France | Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux isolants a base de derives du silicium ou de silicium |
| FR2761629B1 (fr) * | 1997-04-07 | 1999-06-18 | Hoechst France | Nouveau procede de polissage mecano-chimique de couches de materiaux semi-conducteurs a base de polysilicium ou d'oxyde de silicium dope |
| US6046111A (en) * | 1998-09-02 | 2000-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates |
| FR2785614B1 (fr) * | 1998-11-09 | 2001-01-26 | Clariant France Sa | Nouveau procede de polissage mecano-chimique selectif entre une couche d'oxyde de silicium et une couche de nitrure de silicium |
-
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- 1999-04-22 FR FR9905123A patent/FR2792643B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
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