JP2012529133A5 - - Google Patents

Description

研磨材粒子は、好ましくはコロイド状に安定である。コロイドという用語は、液体担体中の研磨材粒子の懸濁を表している。コロイド状安定性とは、時間が経ってもこの懸濁を維持することを表している。本発明との関連では、研磨材を１００ｍＬの目盛り付きシリンダーに容れ、そして攪拌せずに２時間置いたときに、目盛り付きシリンダーの底部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｂ］ｇ／ｍＬ）と、目盛り付きシリンダーの上部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｔ］ｇ／ｍＬ）との差を、研磨材組成物中の初期の粒子濃度（［Ｃ］ｇ／ｍＬ）で割った値が、０．５以下（すなわち｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）であれば、研磨材はコロイド状に安定していると考えられる。より好ましくは、｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］の値は０．３以下、そして最も好ましくは０．１以下である。

Claims (30)

1. （ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
   （ｂ）アルファアルミナ粒子、
   （ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
   （ｄ）過酸化水素、
   （ｅ）イミノカルボン酸、および
   （ｆ）水、
   を含んでなる化学機械研磨組成物。
2. 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項１記載の研磨組成物。
3. ノニオン性界面活性剤を更に含む、請求項１記載の研磨組成物。
4. 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項３記載の研磨組成物。
5. 前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、請求項１記載の研磨組成物。
6. 前記研磨組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、請求項１記載の研磨組成物。
7. （ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
   （ｂ）アルファアルミナ粒子、
   （ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
   （ｄ）ノニオン性界面活性剤、
   （ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
   （ｆ）錯化剤、ならびに
   （ｇ）水、
   を含んでなる化学機械研磨組成物。
8. 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項７記載の研磨組成物。
9. 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項７記載の研磨組成物。
10. 前記研磨組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項７記載の研磨組成物。
11. 前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項７記載の研磨組成物。
12. 前記錯化剤が、グリシンである、請求項７記載の研磨組成物。
13. 前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、請求項７記載の研磨組成物。
14. （ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
    （ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
    （ｂ）アルファアルミナ粒子、
    （ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
    （ｄ）過酸化水素、
    （ｅ）イミノカルボン酸、および
    （ｆ）水、
    を含み、
    （ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
    （ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
    を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
15. 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項１４記載の方法。
16. 前記研磨組成物が、ノニオン性界面活性剤を含む、請求項１４記載の方法。
17. 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項１６記載の方法。
18. 前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、請求項１４記載の方法。
19. 前記研摩組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、請求項１４記載の方法。
20. 前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、請求項１４記載の方法。
21. 前記ディスクが、メモリーディスクである、請求項２０記載の方法。
22. （ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
    （ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
    （ｂ）アルファアルミナ粒子、
    （ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
    （ｄ）ノニオン性界面活性剤、
    （ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
    （ｆ）錯化剤、ならびに
    （ｇ）水、
    を含み、
    （ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
    （ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
    を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
23. 前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項２２記載の方法。
24. 前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項２２記載の方法。
25. 前記研摩組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項２２記載の方法。
26. 前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項２２記載の方法。
27. 前記錯化剤が、グリシンである、請求項２２記載の方法。
28. 前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、請求項２２記載の方法。
29. 前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、請求項２２記載の方法。
30. 前記ディスクが、メモリーディスクである、請求項２９記載の方法。