JP2000336245A - 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Info

Publication number
JP2000336245A
JP2000336245A JP11146778A JP14677899A JP2000336245A JP 2000336245 A JP2000336245 A JP 2000336245A JP 11146778 A JP11146778 A JP 11146778A JP 14677899 A JP14677899 A JP 14677899A JP 2000336245 A JP2000336245 A JP 2000336245A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
epoxy resin
resin composition
liquid
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11146778A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3444237B2 (ja
Inventor
Hirohisa Hino
裕久 日野
Taro Fukui
太郎 福井
Kenji Kitamura
賢次 北村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP14677899A priority Critical patent/JP3444237B2/ja
Priority to US09/577,612 priority patent/US6469074B1/en
Priority to TW89110252A priority patent/TW526233B/zh
Publication of JP2000336245A publication Critical patent/JP2000336245A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3444237B2 publication Critical patent/JP3444237B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 常温で液状で低粘度で取扱性に優れ、ポット
ライフが長いという従来の液状封止材の利点を失うこと
なく、しかも、半導体の耐湿および耐熱信頼性に優れた
硬化物を得ることができる半導体封止用の液状エポキシ
樹脂組成物を提供する。また、このような液状エポキシ
樹脂組成物を用いて封止してなる半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 (A)シアン酸エステル、(B)エポキ
シ樹脂、(C)無機充填材、(D)金属キレートおよび
/または金属塩、および(E)酸無水物を含み、(A)
成分および(B)成分の少なくとも一方が室温で液体で
あり、(E)成分が室温で液体であり、各成分の配合割
合が重量比で、 (C)成分/組成物全量=0.60〜0.95 (A)成分/(B)成分=0.76〜1.43 (E)成分/(組成物全量−(C)成分)=0.01〜
0.3である半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、お
よび、半導体素子が前記液状エポキシ樹脂組成物により
封止されてなる半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の封
止に使用される液状エポキシ樹脂組成物と、これを用い
て封止されてなる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来エポキシ樹脂組成物は、優れた電気
的性能と接着力を有するため、電気・電子分野の種々の
用途に使用されている。特に半導体素子の封止には高い
封止信頼性が確保できるため、封止材料として粉粒状の
成形材料や液状のポッティング材料が広く使われてい
る。
【0003】近年の電子機器のモバイル化、高機能化に
伴い、半導体パッケージの高集積化、高密度化、薄型
化、軽量化が必要になってきており、これらの要求に対
応して、エリアアレイ接続で高密度化を達成したBGA
(ボール・グリッド・アレイ)、CSP(チップ・スケ
ール・パッケージ)、MCM(マルチ・チップ・モジュ
ール)などの新しい半導体パッケージ形態が登場してき
ている。
【0004】これらの新しい半導体パッケージの封止に
は、従来の粉粒状の封止材を用いた金型成形方式では薄
型化に限界があると共に、多ワイヤー数に起因するワイ
ヤースイープなどの問題があるため、液状の封止材が使
用され始めている。また、金型成形方式は、品種ごとに
高価な金型を必要とするためコストアップを招くと共
に、BGA基板上の微細回路を金型で切断してしまうお
それがあるため、液状の封止材を用いて金型を使用せず
に封止をする液状封止方式が有利となっている。
【0005】このようなメリットを有する液状封止方式
であるが、使用される液状封止材は封止作業性や信頼性
の点で、金型成形される粉粒状封止材に比べて劣ってい
るという欠点があった。それは、粉粒状封止材では硬化
剤としてフェノール系硬化剤を用いるため、耐湿信頼性
試験をした場合に加水分解しにくい、また素子との接着
力が高いという特徴に起因するものである。また、一般
的にトランスファー成形方式を行うために用いる封止材
料は常温では固型(粉粒状)であり、フィラーの高充填
化や樹脂の高Tg化が可能であるため、優れた半田耐熱
性や耐ヒートショック性が発揮できる。
【0006】それに対して従来の液状封止材は、常温で
は液状であること、さらには一液性でロングポットライ
フであること、という制約があるために、用いられる硬
化剤および硬化促進剤の選定が限られており、一般的に
はアミン系や酸無水物が用いられている。しかし、アミ
ン系の硬化剤のうち、液状の芳香族アミン類はエポキシ
との反応性が高すぎてポットライフが短く、Dicy
(ジシアンジアミド)に代表される固形アミン類は粘度
が高いという欠点を有する。また、吸湿率が高く電気特
性にも劣っている。一方、酸無水物硬化剤は、硬化物の
架橋構造中のエステル構造が加水分解し易いため、耐湿
信頼性に劣ると共に、化学的な接着力も低いため耐熱信
頼性も低い傾向にあった。また、金型成形される粉粒状
封止材において用いられているフェノール系の硬化剤は
常温で固体であり、液状エポキシと併用すると非常に高
粘度となるため、フィラーを配合した液状封止材用途に
用いることは難しい。溶剤を添加して低粘度化を図るこ
ともできるが、溶剤に起因して硬化物中にボイドが発生
しやすく、外観不良や信頼性劣化が生じ、金型成形され
る粉粒状封止材並みの特性を発揮することは難しい。
【0007】このような事情から、液状封止方式に対応
して、封止作業性が良好で、かつ金型成形される粉粒状
封止材と同等以上の封止信頼性を発揮しうる液状封止材
が強く望まれている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
を踏まえてなされたものであり、常温で液状で低粘度で
取扱性に優れ、ポットライフが長いという従来の液状封
止材の利点を失うことなく、しかも、半導体の耐湿およ
び耐熱信頼性に優れた硬化物を得ることができる半導体
封止用の液状エポキシ樹脂組成物を提供することを課題
とする。また、このような液状エポキシ樹脂組成物を用
いて封止してなる半導体装置を提供することも課題とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明にかかる半導体封止用の液状エポキシ樹脂組
成物は、(A)シアン酸エステル、(B)エポキシ樹
脂、(C)無機充填材、(D)金属キレートおよび/ま
たは金属塩、および(E)酸無水物を含み、(A)成分
および(B)成分の少なくとも一方が室温で液体であ
り、(E)成分が室温で液体であり、各成分の配合割合
が重量比で、 (C)成分/組成物全量=0.60〜0.95 (A)成分/(B)成分=0.76〜1.43 (E)成分/(組成物全量−(C)成分)=0.01〜
0.3である、ことを特徴とする。また、本発明にかか
る半導体装置は、半導体素子が前記液状エポキシ樹脂組
成物により封止されてなるものである。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明のエポキシ樹脂組成物は、
シアン酸エステルとエポキシ樹脂とをベースとするもの
であり、(A)シアン酸エステル、(B)エポキシ樹
脂、(C)無機充填材、(D)金属キレートおよび/ま
たは金属塩、および(E)液状酸無水物を含むものであ
る。
【0011】本発明では、樹脂組成物を液状とするため
に(A)成分と(B)成分を混合した場合に、室温で液
状であることが必要である。そのため、(A)成分およ
び(B)成分の少なくとも一方が室温で液体であること
が必要である。(A)成分のシアン酸エステルは、シア
ネート基(−OCN基)を有する化合物である。(A)
成分のシアン酸エステルとしては、具体的には、室温下
で液状である4,4′−エチリデンビスフェニレンシア
ネート(A1)や、結晶性で室温では固体の2,2−ビ
ス(4−シアナトフェニル)プロパン、ビス(4−シア
ナト−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−
シアナト−フェニル)チオエーテル、などのシアン酸エ
ステルポリマー及びこれらのモノマーを予備反応させて
プレポリマー化させた重合物が例示できる。これらの中
から(B)成分のエポキシ樹脂と混合した場合に、室温
で液状となるようなものを使用することができる。
【0012】本発明では、特に(A)成分として4,
4′−エチリデンビスフェニレンシアネート(A1)を
含むことが好ましい。4,4′−エチリデンビスフェニ
レンシアネート(A1)は、下記化学式で示されるよう
に、
【0013】
【化1】
【0014】ビスフェノールE骨格の両端にシアネート
基を有する構造であり、室温で100cps(センチポ
イズ)前後の液体である。他のシアン酸エステル(例え
ば、上記したビスフェノールA骨格の2,2−ビス(4
−シアナトフェニル)プロパンや、ジメチルフェニル骨
格のビス(4−シアナト−3,5−ジメチルフェニル)
メタンなど)は、非常に結晶性に富んでおり、単体では
室温で固体である。これらの結晶性のシアン酸エステル
は、液状エポキシ樹脂に加熱溶解して液状化しても冷却
後に結晶が析出して固化しやすいという欠点がある。し
かしながら、ビスフェノールE骨格の4,4′−エチリ
デンビスフェニレンシアネート(A1)と併用すること
で、固化を防止できることを見出したものである。
【0015】本発明において、4,4′−エチリデンビ
スフェニレンシアネート(A1)の配合割合は、重量比
で、(A1)/(A)成分=0.1〜1であることが好
ましく、0.5〜1であることがより好ましく、0.7
〜1であることがさらに好ましい。前記配合割合が0.
1より少ない場合は、結晶性のシアン酸エステルの固化
を防止することが困難となる。
【0016】(B)成分のエポキシ樹脂は、分子内に2
個以上のグリシジル基を有する化合物である。(B)成
分のエポキシ樹脂としては、室温で液状のものを使用す
ることが好ましく、単一で用いても良いし、液状と液
状、または液状と固形のエポキシ樹脂の混合物であって
もよい。具体的には、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ノボラック型エ
ポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビフェニル
型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、複素環型
エポキシ樹脂などが例示できるが、これらに限定される
ものではない。これらのエポキシ樹脂の中でも特に、分
子蒸留によって得られる、下式におけるnが0〜1のビ
スフェノールAおよびビスフェノールF型エポキシ樹脂
が、低粘度でかつイオン性不純物が非常に少なく、好ま
しい。
【0017】
【化2】
【0018】(A)成分と(B)成分の配合割合として
は、硬化物の物性および封止信頼性の点から、重量比
で、(A)成分/(B)成分=0.76〜1.43であ
り、0.91〜1.43であることが好ましく、0.9
1〜1.25であることがより好ましい。シアン酸エス
テルは、金属触媒の存在下で単独で3量化反応を起こ
し、トリアジン環を形成することが知られている。しか
し、この反応は180℃以上の高温での反応が主体であ
る。また、シアン酸エステルとエポキシ樹脂の複合樹脂
系ではシアネート基とエポキシ基の反応も起こるため、
複数の反応が競争反応として起こるものと推察される。
(A)成分/(B)成分が1.43より大きいとエポキ
シ樹脂が不足して160℃以下での硬化の場合には反応
しきれなかったシアネート基が残存してしまう。未反応
のシアネート基は、PCT(プレッシャークッカーテス
ト)等の耐湿信頼性試験の際、加水分解してカルバメー
ト基となり、さらには脱炭酸反応を起こしてしまい、耐
湿信頼性不良を引き起こしてしまう。逆に(A)成分/
(B)成分が0.76より小さいとエポキシ樹脂過剰と
なるために未反応のエポキシ基が残存する。残留した未
反応エポキシ基は硬化物の架橋密度を低下させ、ガラス
転移温度の低下や吸湿率の上昇を引き起こす。そのた
め、硬化物の熱膨張率が大きくなり、ヒートサイクルや
リフロー信頼性の悪化を引き起こす要因となる。
【0019】(C)成分の無機充填材としては、結晶シ
リカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化亜
鉛などを用いることができる。特に溶融シリカは、半導
体チップ表面のパッシベーション膜への傷つけ防止のた
めに、角がないもの、又は球状のものが望ましく、ま
た、その大きさは最大粒径が100μm以下であること
が望ましいが、これに限定されるものではない。
【0020】(C)成分の配合割合は、重量比で、
(C)成分/組成物全量=0.60〜0.95であるこ
とが好ましく、0.70〜0.90であることがより好
ましく、0.75〜0.85であることがさらに好まし
い。(C)成分の配合割合が0.60より少ない場合
は、樹脂成分の比率が高くなるために半導体封止時の樹
脂組成物の収縮量が大きくなり、また熱膨張率も大きく
なるために基板の反り量が大きくなったり、熱ストレス
をかけた際のチップクラック等の不良が発生し易くな
る。また、吸湿率も大きくなるため、リフロー時のクラ
ックの原因ともなる。(C)成分の配合割合が0.95
より多い場合は、液体成分が不足して粘度が高くなり、
液体としての取り扱いが難しく封止が行えない。
【0021】(D)成分の金属キレートおよび/または
金属塩は、(A)成分のシアン酸エステルの硬化触媒で
ある。金属キレートとしては、具体的には、1〜6また
はそれ以上のキレート環を有する非イオン型またはイオ
ン型の金属キレートを挙げることができ、金属として、
鉄、コバルト、亜鉛、スズ、アルミニウム、マンガンな
どが例示できる。金属キレートの配位子としては、アセ
チルアセトナート、サリチルアルデヒド、ベンゾイルア
セトンなどが例示できる。また、金属塩としては、ナフ
テン酸塩、オクテン酸塩等を例示できる。
【0022】本発明では、(D)成分として、鉄(III
)のキレート(D1)や、コバルト(III )のキレー
ト(D2)を用いることで、以下のような効果を得るこ
とができる。シアン酸エステルは金属キレートを核とし
て約180℃以上の高温で3量化反応を起こしトリアジ
ン骨格を形成することが知られており、各種の金属キレ
ートがシアン酸エステルの単独硬化の触媒となることは
公知である。硬化触媒のシアネート基の吸引が金属の種
類によって異なるため、この3量化反応の速さは用いる
金属キレートにより異なっており、一般的には、亜鉛、
スズ、銅、マンガン、チタニウム、アルミニウム等の金
属キレートが知られている。しかしながら、本発明のよ
うに樹脂成分としてシアン酸エステルの他にエポキシ樹
脂をも含む場合には、反応機構は非常に複雑となる。シ
アネート基の3量化反応と並行してシアネート基とエポ
キシ基とが反応してオキサゾリン骨格を形成する反応も
起こるためである。
【0023】後述するようにエポキシ樹脂組成物に低弾
性化成分としてゲル状シリコーン樹脂が含まれる場合、
このゲル状シリコーン樹脂を含む樹脂系はチクソトロピ
ーな粘性を示す傾向にある。チクソトロピーな液状物は
表面張力が大きいため凸な形状になりやすく、そのた
め、半導体パッケージの封止用途のうちキャビティダウ
ンタイプのBGA等のように、封止樹脂の形状がフラッ
トな形状になる必要のあるパッケージ用の封止材として
は不利である。しかしながら、このとき金属キレートと
して鉄(III )キレート(D1)を用いることでチクソ
トロピーが非常に小さくなり、高流動性を示すようにな
る。金属キレートの配位子としては、特に限定されず、
アセチルアセトナート、サリチルアルデヒド、ベンゾイ
ルアセトンなどが例示できる。硬化触媒の使用量はシア
ン酸エステルの量に依存するため、重量比で、(D1)
/(A)成分=0.0001〜0.01であることが好
ましく、0.0005〜0.005であることがより好
ましく、0.001〜0.003であることがさらに好
ましい。硬化触媒の使用量が上記範囲にあることで、良
好な硬化性とロングポットライフを示す。
【0024】一方、COB(チップオンボード)パッケ
ージのように、チップの周辺にダム等がない場合には、
狭い面積を効率良く封止するために、逆に封止樹脂が高
チクソトロピー性で極力流動しないことが求められる。
流動してしまうとチップやワイヤーが露出して不良の原
因となるためである。この場合、金属キレートとしてコ
バルト(III )のキレート(D2)を用いることで、高
チクソトロピー性が実現できる。金属キレートの配位子
としては、特に限定されず、アセチルアセトナート、サ
リチルアルデヒド、ベンゾイルアセトンなどが例示でき
る。硬化触媒の使用量はシアン酸エステルの量に依存す
るため、重量比で、(D2)/(A)成分=0.000
1〜0.01であることが好ましく、0.0005〜
0.005であることがより好ましく、0.001〜
0.003であることがさらに好ましい。硬化触媒の使
用量が上記範囲にあることで、良好な硬化性とロングポ
ットライフを示す。
【0025】(E)成分の酸無水物は、(A)成分のシ
アン酸エステルと(B)成分のエポキシ樹脂との反応の
助硬化剤である。酸無水物を併用することで、エポキシ
樹脂組成物のチクソトロピー性を下げることが可能とな
り、封止時の流動性向上に大きな効果が見られる。本発
明のエポキシ樹脂組成物は液状であるため、(E)成分
の酸無水物も室温で液体である必要がある。
【0026】(E)成分の配合割合としては、(E)成
分/(組成物全量−(C)成分)=0.01〜0.3で
あり、0.05〜0.2であることが好ましく、0.1
0〜0.15であることがより好ましい。(E)成分の
配合割合が0.01よりも少ないと上記効果が得られに
くい。(E)成分の配合割合が0.3よりも多いと、反
応性が低下するとともに耐湿信頼性が悪化する。なお、
(E)成分の酸無水物と(B)成分のエポキシ樹脂のみ
ではほとんど反応は起こらないが、(A)成分のシアン
酸エステルと(D)成分の金属キレートおよび/または
金属塩とを含む系では良好な反応性を示すことを見出し
た。その反応機構の詳細は不明であるが、シアン酸エス
テルとエポキシ樹脂との反応でオキサゾリンが生成する
過程での水酸基および活性水素が酸無水物との反応を促
進すると推測される。
【0027】本発明のエポキシ樹脂組成物では、さらに
(F)成分としてゲル状シリコーン樹脂を含むことがで
きる。封止材は、プリント回路基板上にBGAやCSP
等の半導体チップを実装した上にオーバーコート封止し
て用いられるが、封止樹脂の弾性率が高いと基板の反り
が大きくなってしまい、実用化できなくなってしまう。
そのため、低弾性化剤としてゲル状シリコーン樹脂を含
むことが好ましい。
【0028】一般的な低弾性化剤として、ポリブタジエ
ン系ラバー、シリコーンパウダー、シリコーンオイル等
が知られている。しかしながら、これらは次のような欠
点を有する。ポリブタジエン系ラバーは二重結合の熱劣
化(酸化)に起因して、長期耐熱性が低い。シリコーン
系樹脂は熱的には安定しており優れているが、パウダー
タイプでは粒子の凝集および液体の上層への浮き上が
り、分離の問題がある。また、粘度が高くなって均一分
散できないために低弾性効果が少ない。シリコーンオイ
ルは、エポキシ樹脂との相溶性が悪い上に比重が小さい
ため封止材の上部に相分離しやすい。また、封止材とパ
ッケージ基板との界面にブリードアウトしやすく、その
成分が離型剤的に働くため接着力が低下し、界面剥離の
原因となり易い。
【0029】これに対して、本発明で(F)成分として
使用するゲル状シリコーン樹脂は、パウダーとオイルの
中間に位置するものである。ゲル状シリコーン樹脂の構
成成分の主剤であるシリコーンオイルと硬化剤のシリコ
ーンオイルを混合し、これをエポキシ樹脂を加温した中
に加え、ミキサー等で強いシェアをかけながら攪拌し、
ゲル成分を微細分散させることで海島構造を形成するこ
とができる。これにより、粒子の凝集や上層への浮き上
がり、相分離の問題を起こすことなく、効果的に低弾性
効果を発揮することができる。海島構造の島のサイズは
10μm以下が望ましく、そのためには、(F)成分の
配合割合は、重量比で、(F)成分/(組成物全量−
(C)成分)<0.3であることが好ましく、0.2未
満であることがより好ましい。(F)成分の配合割合が
0.3以上の場合、エポキシ樹脂組成物の粘度が高くな
り取扱性が悪化する。
【0030】(F)成分のゲル状シリコーン樹脂として
は、下記式で表されるシリコーン重合体と、自硬化性シ
リコーンゴムあるいはゲルとからなることが好ましい。
【0031】
【化3】
【0032】上式において、Rはメチル基、エチル基等
のアルキル基あるいはフェニル基を表す。Xはポリオキ
シエチレン基、ポリオキシプロピレン基、あるいはこれ
らの共重合基等のポリオキシアルキレン基含有基を表
す。l,m,nは1以上の整数である。l/(l+m+
n)=0.05〜0.99が好ましく、m/(l+m+
n)=0.001〜0.5が好ましく、n/(l+m+
n)=0.001〜0.8が好ましい。このシリコーン
重合体はブロック共重合体であっても、ランダム共重合
体であってもよい。
【0033】自硬化性シリコーンゴムあるいはゲルとし
ては、SiH基が付加反応できるビニル基等を含有して
いれば良く、付加反応タイプのものが好ましい。1液
系、多成分系は問わない。このシリコーン重合体を含有
させることによって自硬化性シリコーンゴムあるいはゲ
ルの分散を助け、微細な海島構造を形成させることがで
きる上、一部は自硬化性シリコーンゴムあるいはゲルと
の反応も期待される。
【0034】本発明のエポキシ樹脂組成物では、さらに
(G)成分としてチタネート系カップリング剤を含むこ
とができる。一般的にはエポキシ樹脂封止材のカップリ
ング剤としては、エポキシシランやアミノシラン等の核
金属としてSiを有するシランカップリング剤が用いら
れる。しかしながら、シアン酸エステルとエポキシ樹脂
を含む系においては、核金属としてTiを有するチタネ
ート系カップリング剤を用いることで、流動性の向上と
低温速硬化性を発現することができることを本発明者ら
は見出した。(G)成分の配合割合は、重量比で、
(G)成分/(組成物全量−(C)成分)=0.001
〜0.1であることが好ましく、0.005〜0.05
であることがより好ましく、0.01〜0.03である
ことがさらに好ましい。この配合割合が0.001未満
の場合、(G)成分の添加効果が得られにくい。0.1
を越える場合、硬化物の架橋密度が低下し、信頼性が悪
化する。また、ポットライフが短くなってしまう。
【0035】さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物に
は、必要に応じて、難燃剤、顔料、染料、離型剤、消泡
剤、界面活性剤、イオントラップ剤、希釈剤、Si系カ
ップリング剤等を添加することができる。本発明のエポ
キシ樹脂組成物は、前述した各成分をミキサー、ブレン
ダー等によって均一に混合したのち、ロール、ニーダー
等によって混練し、最終真空脱泡することで製造するこ
とができる。成分の配合順序は特に制限はない。
【0036】このようにして得られた液状のエポキシ樹
脂組成物は、金型を用いることなく液状封止により、半
導体素子を封止することができ、これにより本発明の半
導体装置を得ることができる。
【0037】
【実施例】以下に実施例によりさらに詳細に本発明を説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 (1)実施例、比較例で使用した化合物は以下のとおり
である。 [(A)成分:シアン酸エステル] 「L10」(旭チバ(株)製AroCy L−10) 4,4′−エチリデンビスフェニレンシアネート (ビスフェノールE骨格を有し、室温で液体) 「B10」(旭チバ(株)製AroCy B−10) 2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン (ビスフェノールA骨格を有し、室温で固体) 「M30」(旭チバ(株)製AroCy M−30) (ビスフェノールF骨格を有し、室温で固体) [(B)成分:エポキシ樹脂] 「YD8125」(東都化成(株)製) エポキシ当量175,25℃における粘度40ポイズの
分子蒸留タイプのビスフェノールA型エポキシ樹脂 「エピコート828」(油化シェル(株)製) ビスフェノールA型エポキシ樹脂 [(C)成分:無機充填材] 市販の球状溶融シリカを用いた。 [(D)成分:金属キレートおよび/または金属塩] 鉄(III )アセチルアセトン (CH3COC
HCOCH33Fe コバルト(III )アセチルアセトン (CH3COC
HCOCH33Co ナフテン酸マンガン [(E)成分:酸無水物] 「B650」(大日本インキ化学工業(株)製エピク
ロンB650) メチルヘキサヒドロフタル酸無水物,分子量168 「B570」(大日本インキ化学工業(株)製) メチルテトラヒドロフタル酸無水物 [(F)成分:ゲル状シリコーン樹脂]XE5818
(東芝シリコーン(株)製RTVシリコーン樹脂)を用
いた。
【0038】これをエポキシ樹脂「YD8125」の中
へ所定量添加し、ディスパーにて80℃3時間加熱分散
し、作製した。 [(G)成分:カップリング剤] 「KR−TTS」(味の素ファインテクノ(株)製プ
レンアクトKR−TTS) 下記化学式で示されるチタネート系カップリング剤
【0039】
【化4】
【0040】比重0.95,赤褐色の液体 「A187」(日本ユニカー(株)製) 下記化学式で示されるエポキシシラン系カップリング剤
【0041】
【化5】
【0042】(2)エポキシ樹脂組成物の作製 表1〜4に示した配合割合(重量部)で、各原料を配合
し、ミキサーで均一に混合した後、真空脱泡して液状エ
ポキシ樹脂組成物を得た(実施例1〜23、比較例1〜
6)。 (3)性能評価 (2)で得られた各エポキシ樹脂組成物を用いて、各種
液体性状および硬化性、物性を測定した。また、回路基
板上に搭載、ワイヤーボンディングされたシリコンチッ
プを封止し、120℃で1時間加熱後、150℃で3時
間加熱して硬化させた。これを用いて各種信頼性評価も
行った。
【0043】各性能の評価方法は次のとおりである。 粘度 得られた液状エポキシ樹脂組成物の25℃での粘度(初
期の粘度)をB型粘度 計を用いて測定した。 チクソトロピー性 の粘度測定方法において、粘度計ローターの回転数の
比が1/10になる値での粘度を求めて、低速での粘度
を高速の粘度で割って算出した値を使用した。 ポットライフ 得られた液状エポキシ樹脂組成物を5℃で1ヶ月間保存
後の25℃での粘度をB型粘度計を用いて測定し、この
1ヶ月間保存後の粘度を上記の初期の粘度で割って算出
した値を使用した。 ゲルタイム 150℃に保った熱盤上に得られた液状エポキシ樹脂組
成物を0.5g塗下し、スパチュラで混ぜながら糸引き
がなくなるまでの時間を測定した。 反り量 フラットなガラスエポキシ基板(厚み0.5mm)の3
5×35mmの周囲にシリコーンゴム製ダム(高さ1m
m)を形成し、内部に2.0gの液状エポキシ樹脂組成
物を塗布し、硬化する。硬化した基板の反り量を表面粗
さ計にて測定した。 流動高さ フラットなセラミック基板を70℃の熱盤上に設置し、
得られた液状エポキシ樹脂組成物を0.65g塗布し、
5分間放置後硬化する。この硬化物の高さを測定した。 PCT信頼性 ガラスエポキシ基板上に実装搭載した9mm×9mmの
シリコンチップ(3μm幅Alパターン回路)を、液状
エポキシ樹脂組成物を用いて封止、加熱硬化して得られ
たテストボードを121℃、2気圧、相対湿度100%
のPCT(プレッシャークッカーテスト)条件で処理
し、回路の不良発生までの時間を評価した。なお、n=
10で実施した。 TCT信頼性 と同様のテストボードを、気相で−55℃で30分、
室温で5分、125℃で30分の温度サイクルを1サイ
クルとして処理し、1000サイクル処理した。100
0サイクル処理終了時点での発生不良の率を求めた。な
お、n=10で実施した。 リフロー信頼性 と同様のテストボードを、30℃、相対湿度60%の
恒温槽中に192h放置し吸湿させる。その後、赤外線
リフロー炉(ピーク温度240℃、10秒)を2回処理
して、そのときの発生不良の率を求めた。なお、n=1
0で実施した。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】
【表3】
【0047】
【表4】
【0048】
【発明の効果】請求項1〜6の発明にかかるエポキシ樹
脂組成物は、常温で液状で低粘度で取扱性に優れ、ポッ
トライフが長いという従来の液状封止材の利点を有しな
がら、しかも、半導体の耐湿および耐熱信頼性に優れた
硬化物を得ることができる。請求項2の発明のエポキシ
樹脂組成物によれば、室温で液状の4,4′−エチリデ
ンビスフェニレンシアネートを特定割合で含むので、た
とえ室温で固体のシアン酸エステルと併用したとして
も、樹脂組成物の固化を防止することができる。
【0049】請求項3の発明のエポキシ樹脂組成物によ
れば、ゲル状シリコーン樹脂を特定割合で含むので、粒
子の凝集や上層への浮き上がり、相分離の問題を起こす
ことなく、低弾性化を実現できる。請求項4の発明のエ
ポキシ樹脂組成物によれば、鉄(III )キレートを含む
ので、チクソトロピーが非常に小さくなり、高流動性を
示す。そのため、BGA等のように封止樹脂の形状がフ
ラットな形状になる必要のある用途で有利である。
【0050】請求項5の発明のエポキシ樹脂組成物によ
れば、コバルト(III )キレートを含むので、高チクソ
トロピー性が実現できる。そのため、COBパッケージ
のように、チップの周辺にダム等がない場合に有利であ
る。請求項6の発明のエポキシ樹脂組成物によれば、チ
タネート系カップリング剤を含むので、流動性の向上と
低温速硬化性を実現することができる。
【0051】請求項7の発明にかかる半導体装置は、上
記本発明にかかるエポキシ樹脂組成物を使用して半導体
封止を液状封止方式で行うため、半導体パッケージの高
集積化、高密度化、薄型化、軽量化が可能で、しかも、
半導体の耐湿および耐熱信頼性に優れている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/31 //(C08L 63/00 83:04) (72)発明者 北村 賢次 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 Fターム(参考) 4J002 CD021 CD041 CD051 CD071 CD081 CD111 CD121 DE107 DE147 DE237 DJ017 EG018 EG088 EL139 ER006 EZ008 FD017 FD148 FD159 GQ05 4J036 AC15 AD08 AD09 AF05 AF06 AF10 AG03 AJ09 DB15 DC32 FA03 FA05 FA10 FB16 JA07 KA07 4M109 AA01 BA04 CA05 EA02 EA03 EA04 EA06 EA10 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB19 EC01 EC03 EC05 EC20

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)シアン酸エステル、(B)エポキ
    シ樹脂、(C)無機充填材、(D)金属キレートおよび
    /または金属塩、および(E)酸無水物を含むエポキシ
    樹脂組成物において、 (A)成分および(B)成分の少なくとも一方が室温で
    液体であり、 (E)成分が室温で液体であり、 各成分の配合割合が重量比で、 (C)成分/組成物全量=0.60〜0.95 (A)成分/(B)成分=0.76〜1.43 (E)成分/(組成物全量−(C)成分)=0.01〜
    0.3である、ことを特徴とする半導体封止用液状エポ
    キシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 前記(A)成分として4,4′−エチリ
    デンビスフェニレンシアネート(A1)を含み、その配
    合割合が重量比で、(A1)/(A)成分=0.1〜1
    である、請求項1記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂
    組成物。
  3. 【請求項3】 さらに(F)成分としてゲル状シリコー
    ン樹脂を含み、その配合割合が重量比で、(F)成分/
    (組成物全量−(C)成分)<0.3である、請求項1
    または2記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 前記(D)成分として、鉄(III )キレ
    ート(D1)を含み、その配合割合が重量比で、(D
    1)/(A)成分=0.0001〜0.01である、請
    求項3記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。
  5. 【請求項5】 前記(D)成分として、コバルト(III
    )キレート(D2)を含み、その配合割合が重量比
    で、(D2)/(A)成分=0.0001〜0.01で
    ある、請求項3記載の半導体封止用液状エポキシ樹脂組
    成物。
  6. 【請求項6】 さらに(G)成分としてチタネート系カ
    ップリング剤を含み、その配合割合が重量比で、(G)
    成分/(組成物全量−(C)成分)=0.001〜0.
    1である、請求項1から5のいずれかに記載の半導体封
    止用液状エポキシ樹脂組成物。
  7. 【請求項7】 半導体素子がエポキシ樹脂組成物により
    封止されてなる半導体装置において、前記エポキシ樹脂
    組成物として請求項1から6のいずれかに記載の半導体
    封止用液状エポキシ樹脂組成物が用いられることを特徴
    とする半導体装置。
JP14677899A 1999-05-26 1999-05-26 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 Expired - Fee Related JP3444237B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14677899A JP3444237B2 (ja) 1999-05-26 1999-05-26 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
US09/577,612 US6469074B1 (en) 1999-05-26 2000-05-25 Composition of cyanate ester, epoxy resin and acid anhydride
TW89110252A TW526233B (en) 1999-05-26 2000-05-26 Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing, sealed semiconductor device, and production process of sealed semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14677899A JP3444237B2 (ja) 1999-05-26 1999-05-26 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000336245A true JP2000336245A (ja) 2000-12-05
JP3444237B2 JP3444237B2 (ja) 2003-09-08

Family

ID=15415331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14677899A Expired - Fee Related JP3444237B2 (ja) 1999-05-26 1999-05-26 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3444237B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000336246A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2011252089A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 樹脂硬化物の製造方法
JP2012526871A (ja) * 2009-05-15 2012-11-01 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング プラスチック成形材料ならびにその製造方法
JP2015000887A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 パナソニック株式会社 酸素透過性の熱硬化性エポキシ樹脂組成物とそれを用いた電子機器

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56112923A (en) * 1980-02-12 1981-09-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Curable resin composition
JPS62185720A (ja) * 1986-02-12 1987-08-14 Toray Ind Inc プリプレグ用樹脂組成物の製法
JPH0853602A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0912685A (ja) * 1995-06-28 1997-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止材料
JPH0952941A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09100393A (ja) * 1995-10-02 1997-04-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JPH09100349A (ja) * 1995-10-02 1997-04-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH09124898A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止材料
JPH10287809A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シアン酸エステル液状樹脂組成物及び半導体封止装置
JPH11124487A (ja) * 1997-10-22 1999-05-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シアン酸エステル−マレイミド液状樹脂組成物及び半導体封止装置
JP2000336246A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56112923A (en) * 1980-02-12 1981-09-05 Mitsubishi Gas Chem Co Inc Curable resin composition
JPS62185720A (ja) * 1986-02-12 1987-08-14 Toray Ind Inc プリプレグ用樹脂組成物の製法
JPH0853602A (ja) * 1994-08-11 1996-02-27 Matsushita Electric Works Ltd 封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0912685A (ja) * 1995-06-28 1997-01-14 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止材料
JPH0952941A (ja) * 1995-08-14 1997-02-25 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH09100393A (ja) * 1995-10-02 1997-04-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置
JPH09100349A (ja) * 1995-10-02 1997-04-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPH09124898A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止材料
JPH10287809A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シアン酸エステル液状樹脂組成物及び半導体封止装置
JPH11124487A (ja) * 1997-10-22 1999-05-11 Mitsubishi Gas Chem Co Inc シアン酸エステル−マレイミド液状樹脂組成物及び半導体封止装置
JP2000336246A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000336246A (ja) * 1999-05-26 2000-12-05 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2012526871A (ja) * 2009-05-15 2012-11-01 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング プラスチック成形材料ならびにその製造方法
JP2011252089A (ja) * 2010-06-02 2011-12-15 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 樹脂硬化物の製造方法
JP2015000887A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 パナソニック株式会社 酸素透過性の熱硬化性エポキシ樹脂組成物とそれを用いた電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP3444237B2 (ja) 2003-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI445729B (zh) 系統級封裝型半導體裝置用樹脂組成物套組
US6469074B1 (en) Composition of cyanate ester, epoxy resin and acid anhydride
JP2001302767A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置およびその製造方法
JP2003002949A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JPH11147936A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3365725B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3444237B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2000336246A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4710200B2 (ja) エリア実装型半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法及びエリア実装型半導体装置
JP2005097448A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000281751A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2000273280A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH11130936A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3608930B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2005080502A1 (ja) アンダーフィル用液状エポキシ樹脂組成物および同組成物を用いて封止した半導体装置
JP3390335B2 (ja) 半導体装置
JP3649554B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH1045872A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2004131610A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP3844098B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3956717B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置
JPH1045874A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP5226387B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP3915545B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置
JPH1192631A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130627

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees