JP2000332183A

JP2000332183A - 放熱板付きリードフレーム部材と半導体装置

Info

Publication number: JP2000332183A
Application number: JP13988199A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Tsubosaki; 邦宏坪崎; Yuji Yamaguchi; 雄二山口; Hitoshi Tanaka; 仁志田中; Yuji Horigome; 有二堀込
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1999-05-20
Filing date: 1999-05-20
Publication date: 2000-11-30

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】半導体素子を放熱板に搭載し、且つ、リード
フレームのインナーリードの先端部を放熱板に接着剤層
で接着固定した、放熱性を上げる構造の半導体装置。【解決手段】片面に液晶ポリマーからなる接着剤層１
３０を配設した放熱板１２０に、リードフレーム１１０
のインナーリード先端１１１Ａを接着剤層で固定してお
り、リードフレームおよび放熱板が、銅ないし銅合金か
らなり、液晶ポリマーは、熱膨張係数が１５〜２０ｐｐ
ｍ／°Ｃ、吸水率が２３°Ｃ、２４時間、水中浸漬で
０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜３６０°Ｃであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を放熱
板に搭載し、且つ、リードフレームのインナーリード先
端部を放熱板に接着固定する半導体装置と、該半導体装
置を作製するためのリードフレーム部材に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩはＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集積化、高機能化の一途をたどって
きており、これに伴いますます半導体装置の多端子化が
求められるようになってきた。そして、多端子ＩＣ、特
にゲートアレイやスタンダードセルに代表されるＡＳＩ
Ｃあるいは、マイコン、ＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉ
ｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパーフォー
マンス高くユーザに提供するパッケージとしてリードフ
レームを用いたプラスチックＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａ
ｔＰａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３００ピ
ンを超えるものまで実用化に至ってきている。これによ
り多端子化に対応してきた。ＱＦＰは、４方向にアウタ
ーリードを備えた単層のリードフレームを用いて樹脂封
した構造で、外部回路と電気的に接続するための端子で
あるアウターリードをパッケージの４方向に設けたもの
である。尚、ここで用いられる単層のリードフレーム
は、通常、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系
合金等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板を、フ
オトリソグラフイー技術を用いたエッチング加工方法や
スタンピング法等により、外形加工して作製されてい
る。

【０００３】このようなＱＦＰにおいては、従来、図３
（ａ）に示すような、半導体素子３１０を放熱板３３０
に搭載し、且つ、リードフレーム３２０のインナーリー
ドの先端部を放熱板３３０に接着剤層３４０で接着固定
したものも、放熱性を上げる構造として知られている。
リードフレーム３２０としては、例えば、図３（ｂ）に
示すような形状のものが用いられる。インナーリード
（図３（ｂ）の３２１）を放熱板３３０に固定するため
の接着剤層３４０としては、従来、ポリイミド系熱可塑
性接着剤層やエポキシ系熱硬化性接着剤層を用いてい
た。しかし、ポリイミド系熱可塑性接着剤層やエポキシ
系熱硬化性接着剤層は、共に、比較的吸湿性が高く、半
導体装置をプリント基板に半田実装する際の、熱ストレ
スにより封止材がクラックするポップコーン現象が発生
し易いと言う問題がある。また、ポリイミド系熱可塑性
接着剤層は、一般に熱溶融時の粘度が高く、インナーリ
ードを放熱板に取り付ける際の作業性が良くないと言う
問題がある。また、エポキシ系熱硬化性接着剤層は、取
り付け後、加熱硬化が必要であり、加熱硬化の際、揮発
する有機成分により、インナーリード表面が汚染され、
ＩＣアセンブリ工程で、ボンディング不圧着などの不具
合が生じることがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このように、図３に示
すような、半導体素子３１０を放熱板３３０に搭載し、
且つ、リードフレーム３２０のインナーリード（図３
（ｂ）の３２１）の先端部を放熱板３３０に接着剤層３
４０で接着固定した、放熱性を上げる構造のＱＦＰにお
いては、半導体装置をプリント基板に半田実装する際
の、熱ストレスにより封止材がクラックする、いわゆる
ポップコーン現象が発生するため、その対応が求められ
ていた。本発明は、これに対応するもので、図３に示す
ような、半導体素子を放熱板に搭載し、且つ、リードフ
レームのインナーリードの先端部を放熱板に接着剤層で
接着固定した、放熱性を上げる構造のＱＦＰで、プリン
ト基板に半田実装する際に、熱ストレスにより封止材が
クラックするポップコーン現象が発生しないものを提供
しようとするものである。特に、このような半導体装置
を作製するためのリードフレーム部材で、インナーリー
ドを放熱板に取り付ける際の作業性が良く、インナーリ
ード表面が汚染されたり、ＩＣアセンブリ工程で、ボン
ディング不圧着などの不具合が生じることがない、リー
ドフレーム部材を提供しようとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の放熱板付きリー
ドフレーム部材は、半導体素子を放熱板に搭載し、且
つ、リードフレームのインナーリード先端部を放熱板に
接着固定する半導体装置を作製するための、半導体装置
用のリードフレーム部材であって、片面に液晶ポリマー
からなる接着剤層を配設した放熱板と、リードフレーム
とを有し、リードフレームのインナーリード先端部を放
熱板に、前記液晶ポリマーからなる接着剤層で固定して
おり、且つ、リードフレームおよび放熱板が、銅ないし
銅（Ｃｕ）合金からなり、液晶ポリマーは、熱膨張係数
が１５〜２０ｐｐｍ／°Ｃ、吸水率が２３°Ｃ、２４時
間、水中浸漬で０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜
３６０°Ｃであることを特徴とするものである。そし
て、上記において、液晶ポリマーからなる接着剤層の表
面部は、プラズマ処理により、改質されていることを特
徴とするものである。そしてまた、上記において、少な
くとも、放熱板の液晶ポリマーからなる接着剤層を配設
した側と対向する面は、平均粗さＲａが０．３μｍ以上
に粗面化されていることを特徴とするものである。ま
た、上記において、放熱板にディンプルないし貫通孔が
設けられていることを特徴とするものである。また、上
記において、１．５Ｗ以上の消費電力を有する半導体装
置用の、リードフレーム部材であることを特徴とするも
のである。また、上記において、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦ
ｌａｔＰａｃｋａｇｅ）用のリードフレーム部材であ
ることを特徴とするものである。

【０００６】本発明の半導体装置は、半導体素子を放熱
板に搭載し、且つ、リードフレームのインナーリード先
端部を放熱板に接着固定した半導体装置であって、放熱
板の一面上に、液晶ポリマーからなる接着剤層を介し
て、半導体素子を搭載し、且つ、前記接着剤層にて、リ
ードフレームのインナリード先端部を固定しており、前
記リードフレームおよび放熱板が、銅ないし銅（Ｃｕ）
合金からなり、液晶ポリマーは、熱膨張係数が１５〜２
０ｐｐｍ／°Ｃ、吸水率が２３°Ｃ、２４時間、水中浸
漬で０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜３６０°Ｃ
であることを特徴とするものである。そして、上記にお
いて、液晶ポリマーからなる接着剤層のリードフレー
ム、半導体素子と接触する側は、プラズマ処理により、
改質されていることを特徴とするものである。そしてま
た、上記において、少なくとも、放熱板の液晶ポリマー
からなる接着剤層側の面と対向する面は、平均粗さＲａ
が０．３μｍ以上に粗面化されていることを特徴とする
ものである。また、上記において、放熱板にディンプル
ないし貫通孔が設けられていることを特徴とするもので
ある。また、上記において、１．５Ｗ以上の消費電力を
有する半導体装置であることを特徴とするものである。
また、上記において、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰ
ａｃｋａｇｅ）用であることを特徴とするものである。

【０００７】

【作用】本発明の放熱板付きリードフレーム部材は、こ
のような構成にすることにより、半導体素子を放熱板に
搭載し、且つ、リードフレームのインナーリードの先端
部を放熱板に接着剤層で接着固定した、放熱性を上げる
構造の半導体装置で、プリント基板に半田実装する際、
熱ストレスにより封止材がクラックするポップコーン現
象が発生しない半導体装置を作製するための、リードフ
レーム部材の提供を可能とするものである。そして、更
に、インナーリードを放熱板に取り付ける際の作業性が
良く、インナーリード表面が汚染されたり、ＩＣアセン
ブリ工程（半導体装置作製工程を言う）で、ボンディン
グ不圧着などの不具合が生じることがない半導体装置を
作製するための、リードフレーム部材の提供を可能とす
るものである。具体的には、片面に液晶ポリマーからな
る接着剤層を配設した放熱板と、ダイパッドを持たない
リードフレームとを有し、リードフレームのインナーリ
ード先端部を放熱板に、前記液晶ポリマーからなる接着
剤層で固定しており、且つ、リードフレームおよび放熱
板が、銅ないし銅（Ｃｕ）合金からなり、液晶ポリマー
は、熱膨張係数が１５〜２０ｐｐｍ／°Ｃ、吸水率が２
３°Ｃ、２４時間、水中浸漬で０．２％以下、液晶転移
温度が２７０〜３６０°Ｃであることにより、これを達
成している。

【０００８】熱膨張係数が１５〜２０ｐｐｍ／°Ｃであ
ることにより、放熱板とリードフレームを銅ないし銅合
金とした場合には、特に、熱歪による変形が生じにくい
ものとしている。特に、液晶ポリマーとして、広い範囲
の温度範囲（実用の常温から３００°Ｃまでの範囲）
で、その熱線膨張係数を１８〜１７〔ｐｐｍ／°Ｃ〕の
範囲に抑えることができ、即ち、銅や銅合金の熱線膨張
係数とほぼ等しくできるため、放熱板とリードフレーム
を銅ないし銅合金とした場合には、熱歪による変形が生
じない。これにより、反りの少ない放熱板付きリードフ
レーム部材を作製することができ、ＩＣアセンブリ工程
でボンディング不圧着などの不具合を生じることが無
い。従来のポリイミド系熱可塑性接着剤層、エポキシ系
熱硬化性接着剤層に比べ、処理の際の温度による品質
の劣化は少なくなる。

【０００９】また、吸水率が２３°Ｃ、２４時間、水中
浸漬で０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜３６０°
Ｃであることにより、半導体装置を作製した際のポップ
コーン現象が起きにくい。即ち、この放熱板付きリード
フレーム部材を用いた半導体装置がプリント基板に半田
実装されても、液晶ポリマーからなる接着剤層から水蒸
気発生が少なく、封止樹脂を蒸気圧で破壊するポップコ
ーン現象を起こすことが無い。尚、同条件下での、従来
用いられている熱可塑性ポリイミドの吸水率、エポキシ
接着剤の吸水率は、それぞれ、０．８〜１．５％、０．
５〜１．０％である。

【００１０】液晶転移温度を２７０〜３６０°Ｃとする
ことにより、半導体装置作製のための作業、半導体装置
をプリント基板に実装する作業に対応できるものとして
いる。尚、液晶ポリマーは、液晶転移温度を、比較的容
易に、半導体装置作製のための作業、半導体装置をプリ
ント基板に実装する作業に対応できる、所望の温度に容
易に作り込むことが可能である。例えば、ワイヤボンデ
ィング温度が２００°Ｃ、実装のリフロー温度が２４０
°Ｃである場合に、液晶転移温度を３３５°Ｃとするこ
とが容易にできる。これにより、作業性の良いものとで
きる。また、液晶ポリマーが、熱可塑性で、液晶転移温
度以上では、流動性が良いため、放熱板を貼り付ける際
の、熱圧着作業を比較的低温で効率的に行うことがてき
る。また、エポキシ樹脂のように硬化反応を伴わないた
め有機成分によるリード表面汚染が無く、ＩＣアセンブ
リ工程で、ボンディング不圧着などの不具合を生じるこ
とが無い。

【００１１】また、液晶ポリマーからなる接着剤層の表
面部は、プラズマ処理により、表面部を改質し、接着性
を向上させておくことにより、放熱板とリードフレーム
のインナーリードとの境界面、及び放熱板と封止樹脂と
の境界面等での剥離を無くすことができる。尚、プラズ
マ処理による液晶ポリマーからなる接着剤層の表面部の
改質とは、液晶ポリマーの原子（分子）鎖の一部を切
り、接着性が向上するような、分子構造に変化させるこ
とで、例えば、接着剤層の表面部をアルゴンガスを用い
たプラズマ雰囲気中にさらして表面の分子鎖を分断して
官能基の数を増加させるようなことを言う。

【００１２】また、少なくとも、放熱板の液晶ポリマー
からなる接着剤層を配設した側と対向する面は、平均粗
さＲａが０．３μｍ以上に粗面化されていることによ
り、更には、放熱板にディンプルないし貫通孔が設けら
れていることにより、放熱板のインナーリード固定面側
と対向する側の面での、放熱板と封止樹脂との密着を上
げ、放熱板と封止樹脂との境界面での剥離を無いものと
できる。

【００１３】特に、１．５Ｗ以上の消費電力を有する半
導体装置用である場合には、有効である。適用する半導
体装置としては、ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃ
ｋａｇｅ）が上げられる。

【００１４】本発明の半導体装置は、このような構成に
することにより、半導体素子を放熱板に搭載し、且つ、
リードフレームのインナーリードの先端部を放熱板に接
着剤層で接着固定した、放熱性を考慮した構造の半導体
装置で、プリント基板に半田実装する際、熱ストレスに
より封止材がクラックするポップコーン現象が発生しな
い半導体装置の提供を可能とするものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図に基づい
て説明する。図１は本発明の放熱板付きリードフレーム
部材の実施の形態の１例を示した図で、図１（ａ）はそ
の一断面図で、図１（ｂ）はその平面図である。また、
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、図１に示す放熱板付きリー
ドフレーム部材の製造方法の１例を示した工程断面図
で、図２（ｄ）〜図２（ｇ）は、図１に示す放熱板付き
リードフレーム部材を用いた本発明の半導体装置の形成
工程を説明するための断面図で、図２（ｇ）は本発明の
半導体装置の一断面図である。図１、図２中、１１０は
リードフレーム、１１１はインナーリード、１１１Ａは
インナーリード先端部、１１２はアウターリード、１１
４はダムバー、１１５はフレーム（枠部）、１２０は放
熱板、１３０は液晶ポリマーからなる接着剤層、２１０
はプレス型、２２０は加熱治具、２３０は半導体素子、
２４０はボンディングワイヤ、２５０封止用樹脂であ
る。

【００１６】まず、本発明の放熱板付きリードフレーム
部材の実施の形態の１例を図１に基づいて説明する。本
例は、図３（ａ）に示すような、半導体素子を放熱板に
搭載し、且つ、リードフレームのインナーリード先端部
を放熱板に接着固定する方式の、ＱＦＰ半導体装置を作
製するための、半導体装置用のリードフレーム部材であ
る。そして、図１（ａ）に示すように、片面に液晶ポリ
マーからなる接着剤層１３０を配設した放熱板１２０
と、リードフレーム１１０とを備えており、リードフレ
ーム１１０のインナーリード先端部１１１Ａを放熱板１
２０に、液晶ポリマーからなる接着剤層１２０で固定し
ているものである。

【００１７】液晶ポリマーは、熱膨張係数が１５〜２０
ｐｐｍ／°Ｃ、吸水率が２３°Ｃ、２４時間、水中浸漬
で０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜３６０°Ｃで
あるものを用いる。これに伴い、リードフレーム１１０
および放熱板１２０の材質としては、銅ないし銅（Ｃ
ｕ）合金を用いる。

【００１８】ＱＦＰ半導体装置を作製し、実装する際
に、ポップコーン現象を生じることが無いとともに、封
止樹脂との界面での剥れが生じないことも必要で、液晶
ポリマー表面部をブラズマ処理により、封止樹脂との接
着性が向上するように改質したり、放熱板にディンプル
や貫通孔を設けておくと良い。

【００１９】変形例としては、ダイパッド備えたリード
フレームを用い、リードフレームの、インナーリード先
端部を含むダイパッド側の領域全体を、放熱板に、液晶
ポリマーからなる接着剤層で固定する構造のリードフレ
ーム部材が挙げられる。変形例は、構造的には図１に示
す本例よりも強固となるが、本例より放熱性が劣り、且
つ構造が複雑であることより、封止樹脂剥がれ等が発生
し易い。

【００２０】

【実施例】実施例は、図１に示す放熱板付きリードフレ
ーム部材の例で、図２に示す製造方法にて形成した。リ
ードフレーム１１０は、０．１５ｍｍ厚の銅合金ＥＦＴ
ＥＣ−６４Ｔ（古河電工株式会社製）を素材として用
い、後述するように、エッチング加工、プレス加工にて
外形加工したものを用いた。放熱板１２０は、７０μｍ
厚さ電解銅箔を用いた。また、液晶ポリマーからなる接
着剤層１３０としては、ジャパンゴアテック株式会社製
のＢＩＡＣ^TMフィルムを用いたものである。同合金の線
熱膨張係数は１７ｐｐｍ／°Ｃ、液晶ポリマーからなる
接着剤層１３０の諸特性は、以下の表１通りである。
尚、参考として、熱可塑性ポリイミド、カプトン（東レ
・デュポン社製）の諸特性も挙げておく。

【００２１】

【表１】上記のように、本実施例で使用した液晶ポリマーは、各
特性の面で、優れているものである。また、液晶ポリマ
ーからなる接着剤層１３０として用いた、ジャパンゴア
テック株式会社製のＢＩＡＣ^TMフィルムの構造は以下の
ように表される。

【００２２】

【化学式１】

【００２３】上記実施例の放熱板付きリードフレーム部
材を以下のようにして作製した。図２に基づいて説明す
る。先ず、一般的に知られている電解銅めっき方法によ
り、７０μｍ厚さに電解銅箔（帯状）を形成し、この電
解銅箔（帯状）の光沢面側にプラズマ処理により表面改
質された液晶ポリマーからなるジャパンゴアテック社製
のＢＩＡＣ^TMフィルムをラミネートして、電解銅箔の一
面に液晶ポリマー層を貼り付けた複合材料を得た後、プ
レスにより複合材料を放熱板１２０の形状に打ち抜いて
（図２（ａ））、液晶ポリマーからなる接着剤層１３０
をその一面に設けた放熱板１２０を得た。（図２
（ｂ））尚、銅箔の形成は、めっき剥離製の良い帯状の導電性基
板を電極として、例えば、下記組成のめっき浴中で、連
続的に搬送しながらめっき形成し、これを剥がすことに
よって得られる。（めっき浴組成）ＣｕＳＯ₄ ・５Ｈ₂ Ｏ２００ｇ／ｌＨ₂ ＳＯ₄ ５０ｇ／ｌＨＣｌ０．１５ｍｌ／ｌ（Ｃｌとして６０ｐｐｍ）

【００２４】一方、リードフレーム１１０については、
０．１５厚の銅合金ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ（古河電工株式
会社製）を素材として、この両面に重クロム酸カリウム
を感光剤とするカゼインレジストをその両面に塗布形成
して、所定のパターン版を用い両面のレジストの所定領
域を所定の光源（キセノンランプ）で露光し、現像、乾
燥、ベーキング、硬膜処理等を経た後、レジストを耐エ
ッチングマスクとして所定形状に外形加工した。レジス
トの剥離は熱アルカリ液にて行い、剥離後洗浄処理等を
施した。エッチング加工後の段階では、インナーリード
先端部が互いにその先端で、連結部により一体的に連結
した状態とした。（図示していない）これは、エッチング加工時に、インナーリード部を連結
しておいた方が変形の発生が生じないためである。次い
で、プレスにより、前述の連結部を除去し、所望の形状
のリードフレーム１１０を得た。次いで、放熱板１１０
の一面に設けられた液晶ポリマーからなる接着剤層１３
０上にリードフレームを置いた状態で、リードフレーム
１１０と放熱板１２０とを位置合わせした後、約３６０
°Ｃの加熱治具２２０を用い、リードフレーム１１０と
放熱板１２０とを液晶ポリマーからなる接着剤層１３０
を介して熱圧着しし（図２（ｃ））、加熱治具２２０よ
り取り出して、実施例の放熱板付きリードフレームを得
た。（図２（ｄ））このようにして、本実施例の放熱板付きリードフレーム
を作製した。

【００２５】次に、このようにして得られた放熱板付き
リードフレーム部材を用いて、以下のようにして、半導
体装置を作製した。図２（ｄ）の状態から、放熱板１２
０の液晶ポリマーからなる接着剤層１３０上に導電性ペ
ースト（日本エイブルスティック社製、エイブルボンド
８３９０）を用いて、半導体素子２３０を搭載した後、
ワイヤボンディングにより半導体素子の端子とリードフ
レーム１１０のインナーリード先端１１１Ａとをボンデ
ィングワイヤにより接続した。（図２（ｅ））次いで、エポキシ樹脂を用い、トランスファーモールド
法により、樹脂封止した。（図２（ｆ））この後、リードフレーム１１０のダムバー切断、アウタ
ーリードの成形を行って、半導体装置を得た。（図２
（ｇ））

【００２６】こうして得られた半導体装置を、１５５ｍ
ｍ×７０ｍｍ×３ｍｍの４層プリント基板（図示してい
ない）に半田実装し、自然対流時のパッケージ熱抵抗を
測定したところ、２１°Ｃ／Ｗと良好であった。さら
に、こうして得られた半導体装置を８５°Ｃ、８５％Ｒ
Ｈの高温高湿雰囲気に１６８時間放置後、赤外線リフロ
ー炉（最高温度２４０°Ｃ，１５秒）に３回通した後、
超音波探傷装置にて、パッケージ内部界面の剥離および
封止材のクラックの有無を評価したところ、これ等の欠
陥の発生は無かった。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、上記のように、半導体素子を
放熱板に搭載し、且つ、リードフレームのインナーリー
ドの先端部を放熱板に接着剤層で接着固定した、半導体
装置で、プリント基板に半田実装する際の、熱ストレス
により封止材がクラックする、いわゆるポップコーン現
象が発生しないものの提供を可能とした。同時に、その
ような半導体装置を作製するための放熱板付きリードフ
レーム部材の提供を可能とした。特に、１．５Ｗ以上の
消費電力を有する半導体装置については有効で、このよ
うな、ＱＦＰの作製を可能とした。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の放熱板付きリードフレーム部材の実施
の形態の１例を示した図

【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、図１に示す放熱板
付きリードフレーム部材の製造方法の１例を示した工程
断面図で、図２（ｄ）〜図２（ｇ）は、図１に示す放熱
板付きリードフレーム部材を用いた本発明の半導体装置
の形成工程を説明するための断面図である。

【図３】放熱板付き半導体装置を説明するための図

【符号の説明】

１１０リードフレーム１１１インナーリード１１１Ａインナーリード先端部１１２アウターリード１１４ダムバー１１５フレーム（枠部）１２０放熱板１３０液晶ポリマーからなる接着剤
層２１０プレス型２２０加熱治具２３０半導体素子２４０ボンディングワイヤ２５０封止用樹脂３１０半導体素子３２０リードフレーム３２１インナーリード３２２アウターリード３２４ダムバー３２５フレーム（枠部）３３０放熱板３４０接着剤層３５０ボンディングワイヤ３６０封止用樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中仁志東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内 (72)発明者堀込有二東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA02 DB04 EA02 FA01 GA05 5F067 AA03 AA07 AA11 AB03 BE02 BE10 CA04 CC03 CC09 DA05 DE07 EA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子を放熱板に搭載し、且つ、リ
ードフレームのインナーリード先端部を放熱板に接着固
定する半導体装置を作製するための、半導体装置用のリ
ードフレーム部材であって、片面に液晶ポリマーからな
る接着剤層を配設した放熱板と、リードフレームとを有
し、リードフレームのインナーリード先端部を放熱板
に、前記液晶ポリマーからなる接着剤層で固定してお
り、且つ、リードフレームおよび放熱板が、銅ないし銅
（Ｃｕ）合金からなり、液晶ポリマーは、熱膨張係数が
１５〜２０ｐｐｍ／°Ｃ、吸水率が２３°Ｃ、２４時
間、水中浸漬で０．２％以下、液晶転移温度が２７０〜
３６０°Ｃであることを特徴とする放熱板付きリードフ
レーム部材。
【請求項２】請求項１において、液晶ポリマーからな
る接着剤層の表面部は、プラズマ処理により、改質され
ていることを特徴とする放熱板付きリードフレーム部
材。
【請求項３】請求項１ないし２において、少なくと
も、放熱板の液晶ポリマーからなる接着剤層を配設した
側と対向する面は、平均粗さＲａが０．３μｍ以上に粗
面化されていることを特徴とする放熱板付きリードフレ
ーム部材。
【請求項４】請求項１ないし３において、放熱板にデ
ィンプルないし貫通孔が設けられていることを特徴とす
る放熱板付きリードフレーム部材。
【請求項５】１．５Ｗ以上の消費電力を有する半導体
装置用の、リードフレーム部材であることを特徴とす
る、請求項１ないし４記載の放熱板付きリードフレーム
部材。
【請求項６】ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋ
ａｇｅ）用のリードフレーム部材であることを特徴とす
る、請求項１ないし５に記載の放熱板付きリードフレー
ム部材。
【請求項７】半導体素子を放熱板に搭載し、且つ、リ
ードフレームのインナーリード先端部を放熱板に接着固
定した半導体装置であって、放熱板の一面上に、液晶ポ
リマーからなる接着剤層を介して、半導体素子を搭載
し、且つ、前記接着剤層にて、リードフレームのインナ
ーリード先端部を固定しており、前記リードフレームお
よび放熱板が、銅ないし銅（Ｃｕ）合金からなり、液晶
ポリマーは、熱膨張係数が１５〜２０ｐｐｍ／°Ｃ、吸
水率が２３°Ｃ、２４時間、水中浸漬で０．２％以下、
液晶転移温度が２７０〜３６０°Ｃであることを特徴と
する半導体装置。
【請求項８】請求項７において、液晶ポリマーからな
る接着剤層のリードフレーム、半導体素子と接触する側
は、プラズマ処理により、改質されていることを特徴と
する半導体装置。
【請求項９】請求項８において、少なくとも、放熱板
の液晶ポリマーからなる接着剤層側の面と対向する面
は、平均粗さＲａが０．３μｍ以上に粗面化されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】請求項８ないし９において、放熱板に
ディンプルないし貫通孔が設けられていることを特徴と
する半導体装置。
【請求項１１】１．５Ｗ以上の消費電力を有する半導
体装置であることを特徴とする、請求項８ないし１０に
記載の半導体装置。
【請求項１２】ＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃ
ｋａｇｅ）用であることを特徴とする、請求項８ないし
１１に記載の半導体装置。