JP2000332035A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JP2000332035A JP2000332035A JP11139397A JP13939799A JP2000332035A JP 2000332035 A JP2000332035 A JP 2000332035A JP 11139397 A JP11139397 A JP 11139397A JP 13939799 A JP13939799 A JP 13939799A JP 2000332035 A JP2000332035 A JP 2000332035A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時のインナーリードの変形を防止す
る。 【解決手段】 低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを
行って半導体装置を樹脂封止する。低圧型締め処理は、
金型内に、リードフレームに搭載された半導体チップを
セットしたのち、金型１を相対的に低い圧力で型締めを
行う処理であり、金型内への樹脂の射出の開始から、少
なくとも全インナーリードの先端が射出樹脂に包含され
るまで継続する。高圧型締め処理は、少なくとも全イン
ナーリードの先端がモールド樹脂に包含された後、相対
的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型締めする処理
であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の射出並びに射
出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継続する。
る。 【解決手段】 低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを
行って半導体装置を樹脂封止する。低圧型締め処理は、
金型内に、リードフレームに搭載された半導体チップを
セットしたのち、金型１を相対的に低い圧力で型締めを
行う処理であり、金型内への樹脂の射出の開始から、少
なくとも全インナーリードの先端が射出樹脂に包含され
るまで継続する。高圧型締め処理は、少なくとも全イン
ナーリードの先端がモールド樹脂に包含された後、相対
的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型締めする処理
であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の射出並びに射
出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを樹
脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に関する。
脂封止する半導体装置の樹脂封止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の樹脂封止は、金型の上、下
型間に、半導体チップを搭載したリードフレームを配置
し、金型の型締めにより、半導体チップと、インナーリ
ードとを金型のキャビティ内に格納し、ゲートからキャ
ビティに樹脂を注入する事によって行われる。
型間に、半導体チップを搭載したリードフレームを配置
し、金型の型締めにより、半導体チップと、インナーリ
ードとを金型のキャビティ内に格納し、ゲートからキャ
ビティに樹脂を注入する事によって行われる。
【０００３】従来、半導体装置の樹脂封止装置の成形用
金型は、一圧力制御で、いわゆる「高圧型締め」が行わ
れる。半導体装置の樹脂封止を高圧型締めにて行う理由
は、樹脂封止後にバリ等が生じないような封止を行うた
めである。
金型は、一圧力制御で、いわゆる「高圧型締め」が行わ
れる。半導体装置の樹脂封止を高圧型締めにて行う理由
は、樹脂封止後にバリ等が生じないような封止を行うた
めである。
【０００４】特開平２−１８７０４１号公報には、半導
体装置の樹脂封止に際し、金型の上、下型間に半導体ペ
レット（半導体チップ）が挟まれていないかどうかをチ
ェックするため、最初低圧型締めを行い、金型の上、下
型間に半導体ペレットが挟めれていないことを確認した
後に、高圧型締めに切替える例が開示されている。
体装置の樹脂封止に際し、金型の上、下型間に半導体ペ
レット（半導体チップ）が挟まれていないかどうかをチ
ェックするため、最初低圧型締めを行い、金型の上、下
型間に半導体ペレットが挟めれていないことを確認した
後に、高圧型締めに切替える例が開示されている。
【０００５】一方、この様な問題とは別に、近年、同一
半導体パッケージでの半導体チップの縮小化が進み、そ
の縮小化に伴い、インナーリードが長いもの、またはイ
ンナーリード先端のピッチが小さいものがラインナップ
されはじめた。
半導体パッケージでの半導体チップの縮小化が進み、そ
の縮小化に伴い、インナーリードが長いもの、またはイ
ンナーリード先端のピッチが小さいものがラインナップ
されはじめた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このため、樹脂封入時
に、金型上に残存した樹脂屑等の異物が、リードフレー
ムと、金型間に挟み込まれれるという事態が発生し、こ
れが原因で、インナーリードが変形し、さらには変形し
たインナーリードが隣のインナーリードと触れてショー
トを起こしてしまうという不具合があった。
に、金型上に残存した樹脂屑等の異物が、リードフレー
ムと、金型間に挟み込まれれるという事態が発生し、こ
れが原因で、インナーリードが変形し、さらには変形し
たインナーリードが隣のインナーリードと触れてショー
トを起こしてしまうという不具合があった。
【０００７】本発明の目的は、樹脂封止時のインナーリ
ードの変形を防止する半導体装置の樹脂封止方法を提供
することにある。
ードの変形を防止する半導体装置の樹脂封止方法を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決すための手段】上記目的を達成するため、
本発明による半導体装置の樹脂封止方法においては、低
圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導体装置
を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法であって、低
圧型締め処理は、金型内に、リードフレームに搭載され
た半導体チップをセットしたのち、金型を相対的に低い
圧力で型締めを行う処理であり、金型内への樹脂の射出
の開始から、少なくとも全インナーリードの先端が射出
樹脂に包含されるまで継続し、高圧型締め処理は、少な
くとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含さ
れた後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型
締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の
射出並びに射出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継
続するものである。
本発明による半導体装置の樹脂封止方法においては、低
圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導体装置
を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止方法であって、低
圧型締め処理は、金型内に、リードフレームに搭載され
た半導体チップをセットしたのち、金型を相対的に低い
圧力で型締めを行う処理であり、金型内への樹脂の射出
の開始から、少なくとも全インナーリードの先端が射出
樹脂に包含されるまで継続し、高圧型締め処理は、少な
くとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含さ
れた後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型を型
締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続き樹脂の
射出並びに射出樹脂のキュアが完了して脱型するまで継
続するものである。
【０００９】また、低圧型締め処理は、樹脂封入時に、
金型上に残存した樹脂屑等の異物が、リードフレームと
金型間に挟み込まれていても、その異物がインナーフレ
ームに影響を与えない程度の圧力で金型の型締めをする
処理であり、高圧型締め処理は、バリを生じさせない程
度の圧力で金型の型締めをする処理である。
金型上に残存した樹脂屑等の異物が、リードフレームと
金型間に挟み込まれていても、その異物がインナーフレ
ームに影響を与えない程度の圧力で金型の型締めをする
処理であり、高圧型締め処理は、バリを生じさせない程
度の圧力で金型の型締めをする処理である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図に
よって説明する。図１において、本発明方法に用いる半
導体樹脂封止装置の樹脂封止金型１は、封止用の樹脂Ｒ
を投入するポット部２と、半導体装置の外形を形成する
キャビティ部３と、ポット部２から金型１のキャビティ
部３にまで繋ぐランナー部４とを有し、さらに金型１に
は、金型１を型締めするための型締め機構５と、前記金
型１内に樹脂Ｒを充填するための射出機構６等を有して
いる。
よって説明する。図１において、本発明方法に用いる半
導体樹脂封止装置の樹脂封止金型１は、封止用の樹脂Ｒ
を投入するポット部２と、半導体装置の外形を形成する
キャビティ部３と、ポット部２から金型１のキャビティ
部３にまで繋ぐランナー部４とを有し、さらに金型１に
は、金型１を型締めするための型締め機構５と、前記金
型１内に樹脂Ｒを充填するための射出機構６等を有して
いる。
【００１１】型締め機構５は、金型の型締めを低圧型締
めと、高圧型締めとに切替えることができる。本発明
は、低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導
体装置の樹脂封止を行うものである。
めと、高圧型締めとに切替えることができる。本発明
は、低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを行って半導
体装置の樹脂封止を行うものである。
【００１２】低圧型締め処理は、金型１内に、リードフ
レーム７に搭載された半導体チップ８をセットしたの
ち、金型１を相対的に低い圧力で型締めを行う処理であ
り、金型１内への樹脂Ｒの射出の開始から、少なくとも
全インナーリード７ａの先端が注入樹脂Ｒに包含される
まで継続する。
レーム７に搭載された半導体チップ８をセットしたの
ち、金型１を相対的に低い圧力で型締めを行う処理であ
り、金型１内への樹脂Ｒの射出の開始から、少なくとも
全インナーリード７ａの先端が注入樹脂Ｒに包含される
まで継続する。
【００１３】その後、通常封入時の高圧型締め処理に切
換え、引き続き樹脂封止を行う。高圧型締め処理は、少
なくとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含
された後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型１
を型締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続いて
樹脂の注入から樹脂のキュアが完了して、半導体装置を
金型から脱型するまで継続する。
換え、引き続き樹脂封止を行う。高圧型締め処理は、少
なくとも全インナーリードの先端がモールド樹脂に包含
された後、相対的に低圧型締めよりも高い圧力で金型１
を型締めする処理であり、低圧型締め処理に引き続いて
樹脂の注入から樹脂のキュアが完了して、半導体装置を
金型から脱型するまで継続する。
【００１４】図２（ａ）に本発明の半導体装置の樹脂封
止方法によるタイムチャートを示す。比較のため、従来
の半導体装置の樹脂封止処理によるタイムチャートを図
２（ｂ）に示す。
止方法によるタイムチャートを示す。比較のため、従来
の半導体装置の樹脂封止処理によるタイムチャートを図
２（ｂ）に示す。
【００１５】本発明において、高圧型締め処理とは、従
来法による通常の圧力で金型の型締めをする処理、すな
わち、バリを生じさせない程度の圧力で金型１の型締め
をする処理である。
来法による通常の圧力で金型の型締めをする処理、すな
わち、バリを生じさせない程度の圧力で金型１の型締め
をする処理である。
【００１６】したがって、低圧型締め処理は、従来法に
よる通常の圧力以下の圧力で型締めをする処理である
が、本発明において、低圧型締め処理とは、正確には樹
脂封入時に、金型１に残存した樹脂屑等の異物が、リー
ドフレーム７と、金型１間に挟み込まれていても、その
異物がインナーフレーム７ａに影響を与えない程度の圧
力を加えて金型１の型締めをする処理である。
よる通常の圧力以下の圧力で型締めをする処理である
が、本発明において、低圧型締め処理とは、正確には樹
脂封入時に、金型１に残存した樹脂屑等の異物が、リー
ドフレーム７と、金型１間に挟み込まれていても、その
異物がインナーフレーム７ａに影響を与えない程度の圧
力を加えて金型１の型締めをする処理である。
【００１７】図１（ａ）において、マニュアルもしくは
リードフレーム樹脂搬送機構を用いて、型開きされた金
型１に半導体チップ８が搭載されたリードフレーム７を
セットし、ポット部２に樹脂Ｒを供給後、金型１を低圧
で型締めし、射出機構６を用いて金型１内に樹脂Ｒの射
出を開始する。
リードフレーム樹脂搬送機構を用いて、型開きされた金
型１に半導体チップ８が搭載されたリードフレーム７を
セットし、ポット部２に樹脂Ｒを供給後、金型１を低圧
で型締めし、射出機構６を用いて金型１内に樹脂Ｒの射
出を開始する。
【００１８】その後、射出された樹脂Ｒが金型１のキャ
ビティ内に注入され、図３に示すように、注入された樹
脂Ｒが少なくとも全インナーリード８の先端を包含した
時期に、金型１の型締めを低圧型締から高圧型締めへ切
り替え、以後、通常通り樹脂の充填を完了させ、そのま
ま、樹脂のキュアをし、キュア後、金型１を型開きし
て、樹脂封止済み製品を離型し、樹脂封止済み製品をマ
ニュアルもしくは成形済み製品収納機構にて金型より取
り出す。
ビティ内に注入され、図３に示すように、注入された樹
脂Ｒが少なくとも全インナーリード８の先端を包含した
時期に、金型１の型締めを低圧型締から高圧型締めへ切
り替え、以後、通常通り樹脂の充填を完了させ、そのま
ま、樹脂のキュアをし、キュア後、金型１を型開きし
て、樹脂封止済み製品を離型し、樹脂封止済み製品をマ
ニュアルもしくは成形済み製品収納機構にて金型より取
り出す。
【００１９】従来の半導体装置の樹脂封止処理において
は、図２（ｂ）に示すように、高圧型締め、すなわち、
バリを生じさせない程度の圧力で金型１の型締めをした
後、高圧型締めを維持して樹脂が射出され、続いてキュ
アされる。
は、図２（ｂ）に示すように、高圧型締め、すなわち、
バリを生じさせない程度の圧力で金型１の型締めをした
後、高圧型締めを維持して樹脂が射出され、続いてキュ
アされる。
【００２０】上記処理により、金型の型締め時に、図３
に示すように、リードフレーム７のクランプ部であるタ
イバー部９上と、金型１の上型間に、たとえ樹脂屑等の
ような異物が挟み込まれたとしても、少なくとも全イン
ナーリード７ａの先端部が金型のキャビティ内に注入さ
れた樹脂Ｒにより包含されるまでは低圧型締めを持続す
るため、インナーリード７ａは変形せず、勿論圧潰され
るようなこともなく、一定形態を保ち、その後、高圧型
締めに切り替えて引き続き樹脂封止を続けても、タイバ
ー部９上の異物の影響を受ける事がなく、インナーリー
ドの変形は抑制される。
に示すように、リードフレーム７のクランプ部であるタ
イバー部９上と、金型１の上型間に、たとえ樹脂屑等の
ような異物が挟み込まれたとしても、少なくとも全イン
ナーリード７ａの先端部が金型のキャビティ内に注入さ
れた樹脂Ｒにより包含されるまでは低圧型締めを持続す
るため、インナーリード７ａは変形せず、勿論圧潰され
るようなこともなく、一定形態を保ち、その後、高圧型
締めに切り替えて引き続き樹脂封止を続けても、タイバ
ー部９上の異物の影響を受ける事がなく、インナーリー
ドの変形は抑制される。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明によるときには、
樹脂封入時に、金型上に例え樹脂屑等の異物が残存し、
リードフレームと、金型間に異物が挟み込まれれるとい
うような事態が発生したとしても、型締めによってイン
ナーリードが加圧されて変形するような事はなく、ひい
てはインナーリードが隣り合う他のインナーリードと接
触してショートするような事故の発生を予防できる。
樹脂封入時に、金型上に例え樹脂屑等の異物が残存し、
リードフレームと、金型間に異物が挟み込まれれるとい
うような事態が発生したとしても、型締めによってイン
ナーリードが加圧されて変形するような事はなく、ひい
てはインナーリードが隣り合う他のインナーリードと接
触してショートするような事故の発生を予防できる。
【００２２】したがって本発明によれば、同一半導体パ
ッケージでの半導体チップの縮小化並びに縮小化に伴う
インナーリードが長いもの、またはインナーリード先端
のピッチが小さい半導体装置の樹脂封止を問題なく実施
できる効果を有する。
ッケージでの半導体チップの縮小化並びに縮小化に伴う
インナーリードが長いもの、またはインナーリード先端
のピッチが小さい半導体装置の樹脂封止を問題なく実施
できる効果を有する。
【図１】本発明の半導体装置の樹脂封止方法に用いる半
導体樹脂封止装置の金型を示す図である。
導体樹脂封止装置の金型を示す図である。
【図２】（ａ）は、本発明による半導体樹脂封止方法の
タイムチャート、（ｂ）は、比較のため示した従来の半
導体樹脂封止方法によるタイムチャートである。
タイムチャート、（ｂ）は、比較のため示した従来の半
導体樹脂封止方法によるタイムチャートである。
【図３】低圧型締め処理の間に半導体チップとインナー
リードが樹脂封止されてゆく様子と、高圧型締めに切替
えるタイミングを説明する図である。
リードが樹脂封止されてゆく様子と、高圧型締めに切替
えるタイミングを説明する図である。
１ 金型 ２ ポット部 ３ キャビティ部 ４ ライナー部 ５ 型締め機構 ６ 射出機構 ７ リードフレーム ７ａ インナーフレーム ８ 半導体チップ ９ タイバー部
Claims (2)
- 【請求項１】 低圧型締め処理と、高圧型締め処理とを
行って半導体装置を樹脂封止する半導体装置の樹脂封止
方法であって、 低圧型締め処理は、金型内に、リードフレームに搭載さ
れた半導体チップをセットしたのち、金型を相対的に低
い圧力で型締めを行う処理であり、金型内への樹脂の射
出の開始から、少なくとも全インナーリードの先端が射
出樹脂に包含されるまで継続し、 高圧型締め処理は、少なくとも全インナーリードの先端
がモールド樹脂に包含された後、相対的に低圧型締めよ
りも高い圧力で金型を型締めする処理であり、低圧型締
め処理に引き続き樹脂の射出並びに射出樹脂のキュアが
完了して脱型するまで継続することを特徴とする半導体
装置の樹脂封止方法。 - 【請求項２】 低圧型締め処理は、樹脂封入時に、金型
上に残存した樹脂屑等の異物が、リードフレームと金型
間に挟み込まれていても、その異物がインナーフレーム
に影響を与えない程度の圧力で金型の型締めをする処理
であり、 高圧型締め処理は、バリを生じさせない程度の圧力で金
型の型締めをする処理であることを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13939799A JP3327251B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13939799A JP3327251B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332035A true JP2000332035A (ja) | 2000-11-30 |
| JP3327251B2 JP3327251B2 (ja) | 2002-09-24 |
Family
ID=15244340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13939799A Expired - Fee Related JP3327251B2 (ja) | 1999-05-20 | 1999-05-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3327251B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008575B2 (en) | 1999-12-16 | 2006-03-07 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing mold and resin sealing method |
| CN100433279C (zh) * | 2003-12-22 | 2008-11-12 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2012248780A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法 |
| JP2014154807A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-20 JP JP13939799A patent/JP3327251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008575B2 (en) | 1999-12-16 | 2006-03-07 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing mold and resin sealing method |
| US7413425B2 (en) | 1999-12-16 | 2008-08-19 | Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. | Resin sealing mold and resin sealing method |
| CN100433279C (zh) * | 2003-12-22 | 2008-11-12 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| JP2012248780A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止方法 |
| JP2014154807A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3327251B2 (ja) | 2002-09-24 |
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