JP2000315622A - コンデンサ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ２つの電子部品の間に介在させて、コンデン
サの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサ
を提供する。 【解決手段】 積層コンデンサ部１１１０は、誘電体層
１１０１と電極層１１０２とが交互に積層され、それぞ
れ電極層１１０２と１層おきに導通し互いに絶縁された
一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂを備え、この
積層コンデンサ部の積層方向上下にそれぞれ位置する第
１，第２転ビア−ビア転換部１１２０，１１３０は、そ
れぞれＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢなどの接続対
象部材の複数のコンデンサ接続端子ＣＴＣ，ＷＴＣと面
接続可能な複数の接続パッド１１２４，１１３４、及び
これと一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂとをそ
れぞれ導通させる転換ビア導体１１２５，１１２６や転
換電極層１１２３，１１３３を有する。これによりＩＣ
チップ等と面接続可能となる。
サの両極をいずれの電子部品にも接続可能なコンデンサ
を提供する。 【解決手段】 積層コンデンサ部１１１０は、誘電体層
１１０１と電極層１１０２とが交互に積層され、それぞ
れ電極層１１０２と１層おきに導通し互いに絶縁された
一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂを備え、この
積層コンデンサ部の積層方向上下にそれぞれ位置する第
１，第２転ビア−ビア転換部１１２０，１１３０は、そ
れぞれＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢなどの接続対
象部材の複数のコンデンサ接続端子ＣＴＣ，ＷＴＣと面
接続可能な複数の接続パッド１１２４，１１３４、及び
これと一対の共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂとをそ
れぞれ導通させる転換ビア導体１１２５，１１２６や転
換電極層１１２３，１１３３を有する。これによりＩＣ
チップ等と面接続可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサでありながら、他の部材と面接続可能な接続パ
ッドを有するコンデンサに関する。具体的には、例え
ば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ（チ
ップスケールパッケージ）等の配線基板、マザーボード
等の配線基板などの電子部品の接続面に設けたバンプや
パッド等の多数の接続端子と、あるいはコンデンサ内蔵
配線基板などコンデンサ内蔵電子部品のための電子部品
における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能な
コンデンサに関する。また、２つの電子部品の間に介在
させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続
可能なコンデンサに関する。
ンデンサでありながら、他の部材と面接続可能な接続パ
ッドを有するコンデンサに関する。具体的には、例え
ば、ＩＣチップ、これを搭載した中継基板やＣＳＰ（チ
ップスケールパッケージ）等の配線基板、マザーボード
等の配線基板などの電子部品の接続面に設けたバンプや
パッド等の多数の接続端子と、あるいはコンデンサ内蔵
配線基板などコンデンサ内蔵電子部品のための電子部品
における内蔵コンデンサ用接続端子などと面接続可能な
コンデンサに関する。また、２つの電子部品の間に介在
させて、コンデンサの両極をいずれの電子部品にも接続
可能なコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図２０に示すように、ＢａＴ
ｉＯ3等の高誘電率セラミックを誘電体層１として用
い、この誘電体層１と電極層２とを交互に積層した積層
体３を形成し、各電極層２と１層おきに導通ししかも互
いに絶縁された一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを積層体３
のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面３Ａ，３
Ｂにそれぞれ形成した積層セラミックコンデンサ１０が
知られている。この積層セラミックコンデンサ１０は、
小型で、比較的大きな静電容量とすることができ、高周
波特性が良好で、長寿命であることから、各種の電子機
器に多数用いられている。
ｉＯ3等の高誘電率セラミックを誘電体層１として用
い、この誘電体層１と電極層２とを交互に積層した積層
体３を形成し、各電極層２と１層おきに導通ししかも互
いに絶縁された一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを積層体３
のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面３Ａ，３
Ｂにそれぞれ形成した積層セラミックコンデンサ１０が
知られている。この積層セラミックコンデンサ１０は、
小型で、比較的大きな静電容量とすることができ、高周
波特性が良好で、長寿命であることから、各種の電子機
器に多数用いられている。
【０００３】例えば、ＩＣチップの高速動作に伴い、電
源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこ
とがあるので、このノイズ除去のためのデカップリング
コンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いるこ
とがある。即ち、例えば図２１に示すように、ＩＣチッ
プ１１を搭載する配線基板１２の上面１２Ａあるいは下
面１２Ｂに、別途、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを持つ
積層セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ１
０を搭載し、コンデンサ１０の２つの側面にそれぞれ形
成された共通電極層４Ａ，４Ｂとそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線１４を配線基板１２の内部に設ける。こ
れにより、コンデンサ接続配線１４及びフリップチップ
パッド１５を経由してチップコンデンサ１０をＩＣチッ
プ１１に接続することが行われている。
源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすこ
とがあるので、このノイズ除去のためのデカップリング
コンデンサとして積層セラミックコンデンサを用いるこ
とがある。即ち、例えば図２１に示すように、ＩＣチッ
プ１１を搭載する配線基板１２の上面１２Ａあるいは下
面１２Ｂに、別途、一対の共通電極層４Ａ，４Ｂを持つ
積層セラミックコンデンサからなるチップコンデンサ１
０を搭載し、コンデンサ１０の２つの側面にそれぞれ形
成された共通電極層４Ａ，４Ｂとそれぞれ接続するコン
デンサ接続配線１４を配線基板１２の内部に設ける。こ
れにより、コンデンサ接続配線１４及びフリップチップ
パッド１５を経由してチップコンデンサ１０をＩＣチッ
プ１１に接続することが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＩＣチップ１
１内では、各所において電源電位や接地電位が必要とな
るため、ＩＣチップやこれに対応する配線基板に形成さ
れるパッドやバンプ等の接続端子のうちの多数、時には
半数近くが電源電位や接地電位用の接続端子とされる。
しかしながら、一般に、コンデンサ１０は、一対の共通
電極層４Ａ，４Ｂを有するのみであるため、このコンデ
ンサ１０を直接ＩＣチップ１１の接続端子と直接接続さ
せることはできない。そこで、このコンデンサ１０の共
通電極層４Ａ，４ＢとＩＣチップ１１の接続端子との間
を複雑な経路を通るコンデンサ接続配線１４でそれぞれ
の接続端子と接続することとなる。さらに、他の配線等
に制限されて、ＩＣチップ１１とチップコンデンサ１０
とを結ぶコンデンサ接続配線１４の長さが長く、また細
くなりやすいため、コンデンサ接続配線１４自身の持つ
抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低
インダクタンスの要請に十分に応えられない。また、コ
ンデンサ１０の図中上方に、さらに他の電子部品を搭載
し、さらにこれとコンデンサを接続することも困難であ
る。
１内では、各所において電源電位や接地電位が必要とな
るため、ＩＣチップやこれに対応する配線基板に形成さ
れるパッドやバンプ等の接続端子のうちの多数、時には
半数近くが電源電位や接地電位用の接続端子とされる。
しかしながら、一般に、コンデンサ１０は、一対の共通
電極層４Ａ，４Ｂを有するのみであるため、このコンデ
ンサ１０を直接ＩＣチップ１１の接続端子と直接接続さ
せることはできない。そこで、このコンデンサ１０の共
通電極層４Ａ，４ＢとＩＣチップ１１の接続端子との間
を複雑な経路を通るコンデンサ接続配線１４でそれぞれ
の接続端子と接続することとなる。さらに、他の配線等
に制限されて、ＩＣチップ１１とチップコンデンサ１０
とを結ぶコンデンサ接続配線１４の長さが長く、また細
くなりやすいため、コンデンサ接続配線１４自身の持つ
抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低
インダクタンスの要請に十分に応えられない。また、コ
ンデンサ１０の図中上方に、さらに他の電子部品を搭載
し、さらにこれとコンデンサを接続することも困難であ
る。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであって、接続対象部材の接続端子、例えば、ＩＣチ
ップや配線基板等の電子部品の接続端子やコンデンサ内
蔵電子部品のため電子部品における内蔵コンデンサ用接
続端子などと面接続可能なコンデンサ、また、２つの電
子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの
電子部品にも接続可能なコンデンサを提供することを目
的とする。
のであって、接続対象部材の接続端子、例えば、ＩＣチ
ップや配線基板等の電子部品の接続端子やコンデンサ内
蔵電子部品のため電子部品における内蔵コンデンサ用接
続端子などと面接続可能なコンデンサ、また、２つの電
子部品の間に介在させて、コンデンサの両極をいずれの
電子部品にも接続可能なコンデンサを提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】そして、
その解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層
と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１
層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備
える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層
方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上
記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と
面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上
記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通
させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層
のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれか
と導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴と
するコンデンサである。
その解決手段は、高誘電率セラミックからなる誘電体層
と電極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１
層おきに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備
える積層コンデンサ部と、上記積層コンデンサ部の積層
方向両外側のいずれかに位置する転換部と、を備え、上
記転換部は、それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と
面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続パッドと上
記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそれぞれ導通
させる複数の転換配線であって、上記一対の共通電極層
のいずれも上記複数の接続パッドの少なくともいずれか
と導通させる複数の転換配線と、を有することを特徴と
するコンデンサである。
【０００７】本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ
部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転
換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれ
かと導通している。従って、本発明のコンデンサでは、
その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板など
の電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続
させることができる。またこのため、前記したように、
コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを
結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短
い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダ
クタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数
の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。
このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極
を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部
材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部
材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの
電極を利用することができる。このため、例えば、コン
デンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電
位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極
層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることが
できる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させ
ると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップに
おいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給するこ
ともできる。
部の他に転換部を備え、その転換部の接続パッドは、転
換配線によって積層コンデンサ部の共通電極層のいずれ
かと導通している。従って、本発明のコンデンサでは、
その接続パッドを、例えば、ＩＣチップ、配線基板など
の電子部品等、接続対象部材の複数の接続端子と面接続
させることができる。またこのため、前記したように、
コンデンサの共通電極層と接続対象部材の接続端子とを
結ぶコンデンサ接続配線を形成する必要が無く、ごく短
い距離で電子部品等の接続対象部材と接続でき、インダ
クタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、転換部において、一対の共通電極層のいずれも複数
の接続パッドのうちの少なくともいずれかと導通する。
このため、転換部の接続パッドから、コンデンサの両極
を取り出すことができる。従って、接続した接続対象部
材（例えばＩＣチップ）において、あるいは接続対象部
材（たとえば配線基板）を通じて、コンデンサの２つの
電極を利用することができる。このため、例えば、コン
デンサの２つの電極の一方を電源電位に、他方を接地電
位にすることで、コンデンサの両極（一対の共通電極
層）を利用して、ノイズ除去の役割を果たさせることが
できる。特に、このコンデンサをＩＣチップと接続させ
ると、各所で電源電位や接地電位の必要なＩＣチップに
おいて、コンデンサから必要部位に各電位を供給するこ
ともできる。
【０００８】なお、本発明のコンデンサと接続させる接
続対象部材としては、例えば、ＩＣチップ、これを搭載
した中継基板やＣＳＰ等の配線基板、ＩＣチップの他に
もトランジスタ等の能動部品や抵抗等の受動部品を搭載
した配線基板、マザーボード等の配線基板、多数の接続
端子が形成された抵抗アレイなどの電子部品が挙げられ
る。また本発明のコンデンサを、コンデンサ内蔵配線基
板などのコンデンサ内蔵電子部品における内蔵コンデン
サとして用いる場合には、内蔵したコンデンサと接続さ
せるパッドやバンプなどを有するコア基板などの内蔵用
部材、ビア導体やパッド、バンプなどを有するビルドア
ップ絶縁層等の部材も含まれる。また、接続対象部材の
接続端子には、例えばパッド、バンプ、ピン、ビア導体
などが挙げられる。
続対象部材としては、例えば、ＩＣチップ、これを搭載
した中継基板やＣＳＰ等の配線基板、ＩＣチップの他に
もトランジスタ等の能動部品や抵抗等の受動部品を搭載
した配線基板、マザーボード等の配線基板、多数の接続
端子が形成された抵抗アレイなどの電子部品が挙げられ
る。また本発明のコンデンサを、コンデンサ内蔵配線基
板などのコンデンサ内蔵電子部品における内蔵コンデン
サとして用いる場合には、内蔵したコンデンサと接続さ
せるパッドやバンプなどを有するコア基板などの内蔵用
部材、ビア導体やパッド、バンプなどを有するビルドア
ップ絶縁層等の部材も含まれる。また、接続対象部材の
接続端子には、例えばパッド、バンプ、ピン、ビア導体
などが挙げられる。
【０００９】さらに、面接続とは、接続対象部材、例え
ば電子部品の接続面内の各所に形成された接続端子と、
これに対応してコンデンサの接続パッド形成面内の各所
に形成された接続パッドとを、電子部品の接続面とコン
デンサの接続パッド形成面とを対向させて、直接、ある
いはハンダや導電性樹脂、異方性導電性シート等によっ
て、電気的に接続するなど、コンデンサの接続パッド形
成面内に形成した各接続パッドと接続対象部材の接続端
子とを対向させてこれらの間を導通させる接続を指す。
例えば、ＩＣチップの接続面に格子状に形成した多数の
ハンダバンプと、コンデンサの接続パッド形成面に格子
状に形成した接続パッドとを、ハンダバンプを溶融させ
てパッドにハンダ付けして接続する場合、あるいは、接
続パッドに形成した低温ハンダバンプを溶融させて、Ｉ
Ｃチップのハンダバンプに溶着させて接続する場合など
が挙げられる。また、配線基板内にコンデンサを内蔵す
る場合には、例えば、コンデンサの接続パッド形成面上
に絶縁層を形成し、その絶縁層を貫通してコンデンサの
接続パッドと直接接続するビア導体を形成する場合など
が挙げられる。
ば電子部品の接続面内の各所に形成された接続端子と、
これに対応してコンデンサの接続パッド形成面内の各所
に形成された接続パッドとを、電子部品の接続面とコン
デンサの接続パッド形成面とを対向させて、直接、ある
いはハンダや導電性樹脂、異方性導電性シート等によっ
て、電気的に接続するなど、コンデンサの接続パッド形
成面内に形成した各接続パッドと接続対象部材の接続端
子とを対向させてこれらの間を導通させる接続を指す。
例えば、ＩＣチップの接続面に格子状に形成した多数の
ハンダバンプと、コンデンサの接続パッド形成面に格子
状に形成した接続パッドとを、ハンダバンプを溶融させ
てパッドにハンダ付けして接続する場合、あるいは、接
続パッドに形成した低温ハンダバンプを溶融させて、Ｉ
Ｃチップのハンダバンプに溶着させて接続する場合など
が挙げられる。また、配線基板内にコンデンサを内蔵す
る場合には、例えば、コンデンサの接続パッド形成面上
に絶縁層を形成し、その絶縁層を貫通してコンデンサの
接続パッドと直接接続するビア導体を形成する場合など
が挙げられる。
【００１０】なお、このコンデンサは、積層コンデンサ
部、転換部共に同時焼成によって形成されてなるものと
すると良い。焼成によって一挙に形成できるため、コン
デンサを安価に形成できるからである。また、コンデン
サの接続パッドには、ハンダや導電性樹脂を盛り上げて
バンプとしても良い。
部、転換部共に同時焼成によって形成されてなるものと
すると良い。焼成によって一挙に形成できるため、コン
デンサを安価に形成できるからである。また、コンデン
サの接続パッドには、ハンダや導電性樹脂を盛り上げて
バンプとしても良い。
【００１１】さらに他の解決手段は、高誘電率セラミッ
クからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それ
ぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一
対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層
コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１
転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び
第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の
接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続
パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそ
れぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の
共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくと
もいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有するこ
とを特徴とするコンデンサである。
クからなる誘電体層と電極層とが交互に積層され、それ
ぞれ上記電極層と１層おきに導通し互いに絶縁された一
対の共通電極層を備える積層コンデンサ部と、上記積層
コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置する第１
転換部及び第２転換部と、を備え、上記第１転換部及び
第２転換部はいずれも、それぞれ接続対象部材の複数の
接続端子と面接続可能な複数の接続パッドと、上記接続
パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれかとをそ
れぞれ導通させる複数の転換配線であって、上記一対の
共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なくと
もいずれかと導通させる複数の転換配線と、を有するこ
とを特徴とするコンデンサである。
【００１２】本発明のコンデンサでは、積層コンデンサ
部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転
換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パ
ッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の
共通電極層のいずれかと導通している。このため、本発
明のコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいて
も、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の
複数の接続端子と面接続させることができる。従って、
前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続でき
る。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくする
ことができる。
部の他に、積層方向両側にそれぞれ第１転換部と第２転
換部の２つの転換部を備え、この２つの転換部の接続パ
ッドは、いずれも転換配線によって積層コンデンサ部の
共通電極層のいずれかと導通している。このため、本発
明のコンデンサでは、２つの転換部のいずれにおいて
も、その接続パッドをＩＣチップなどの接続対象部材の
複数の接続端子と面接続させることができる。従って、
前記と同様に、ごく短い距離で接続対象部材と接続でき
る。このため、インダクタンスや抵抗をごく小さくする
ことができる。
【００１３】しかも、２つの転換部のいずれにおいて
も、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極
層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対
の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なく
ともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。つ
まり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれ
も第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも
１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドか
ら、コンデンサの両極を取り出すことができる。また、
第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第
２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと
導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドか
ら、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、
第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極
を取り出すことができる。このため、例えば、ＩＣチッ
プ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）と
の間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基
板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配
線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と
接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線
に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせること
ができる。
も、複数の接続パッドと、接続パッドと一対の共通電極
層のうちいずれかとをそれぞれ導通させ、しかも、一対
の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの少なく
ともいずれかと導通させる複数の転換配線を備える。つ
まり、第１転換部において、一対の共通電極層のいずれ
も第１転換部内の複数の接続パッドのうちの少なくとも
１つと導通する。このため、第１転換部の接続パッドか
ら、コンデンサの両極を取り出すことができる。また、
第２転換部においても、一対の共通電極層のいずれも第
２転換部内の複数の接続パッドの少なくともいずれかと
導通する。従って同様に、第２転換部の接続パッドか
ら、コンデンサの両極を取り出すことができる。即ち、
第１転換部と第２転換部の両側から、コンデンサの両極
を取り出すことができる。このため、例えば、ＩＣチッ
プ（第１の電子部品）と配線基板（第２の電子部品）と
の間にこのコンデンサを介在させることにより、配線基
板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配
線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と
接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線
に重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせること
ができる。
【００１４】さらに上記いずれかのコンデンサであっ
て、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換
部のうち少なくともいずれかの転換部は、前記積層コン
デンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備え
ると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッド
は、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成さ
れ、この転換部に属する前記複数の転換配線は、前記一
対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周
方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続
する第１側面経由転換配線と、前記一対の共通電極層の
うちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表
面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由
転換配線と、を有する側面−側面転換部であることを特
徴とするコンデンサとすると良い。
て、前記転換部、または前記第１転換部または第２転換
部のうち少なくともいずれかの転換部は、前記積層コン
デンサ部の積層方向外側に積層された転換絶縁層を備え
ると共に、この転換部に属する前記複数の接続パッド
は、上記転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成さ
れ、この転換部に属する前記複数の転換配線は、前記一
対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁層の周
方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッドに接続
する第１側面経由転換配線と、前記一対の共通電極層の
うちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び外表
面を経由して、上記接続パッドに接続する第２側面経由
転換配線と、を有する側面−側面転換部であることを特
徴とするコンデンサとすると良い。
【００１５】本発明では、転換絶縁層及び第１側面経由
転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッ
ドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接
続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されて
いる一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接
続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１
層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することも
なく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換
配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッド
とを接続することができる。従って、面接続可能であり
ながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができ
る。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部
の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することが
できるので、小型のコンデンサとすることができる。
転換配線、第２側面経由転換配線を用いて、各接続パッ
ドを積層コンデンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接
続させる。これにより、積層コンデンサ部に形成されて
いる一対の共通電極層を接続対象部材の接続端子と面接
続可能な接続パッドに転換する。このようにすると、１
層の転換絶縁層を用い、これに貫通孔を形成することも
なく、その側面及び外表面に第１及び第２側面経由転換
配線を形成する簡単な構造で共通電極層と各接続パッド
とを接続することができる。従って、面接続可能であり
ながら、安価で形成容易なコンデンサとすることができ
る。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデンサ部
の大きさとそれほど変わらない大きさで形成することが
できるので、小型のコンデンサとすることができる。
【００１６】あるいは、前記いずれかのコンデンサであ
って、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層
方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの
一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、また
は前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともい
ずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に
積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属
する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方
向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複
数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層
を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいず
れかに接続する転換ビア導体と、前記一対の共通電極層
のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上
記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続
する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部で
あることを特徴とするコンデンサとすると良い。
って、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層
方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの
一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、また
は前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともい
ずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に
積層された転換絶縁層を備えると共に、この転換部に属
する前記複数の接続パッドは、上記転換絶縁層の積層方
向外側の外表面に形成され、この転換部に属する前記複
数の転換配線は、上記最外側電極層から上記転換絶縁層
を貫通して上記外表面に延出し、上記接続パッドのいず
れかに接続する転換ビア導体と、前記一対の共通電極層
のうちの他方から、上記転換絶縁層の周方向側面及び上
記外表面を経由して、上記接続パッドのいずれかに接続
する側面経由転換配線と、を有するビア−側面転換部で
あることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００１７】本発明では、転換絶縁層、転換ビア導体及
び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデ
ンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これ
により、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通
電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パ
ッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層
を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形
成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞ
れ接続することができる。従って、安価で形成容易なコ
ンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の
寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらな
い大きさで形成することができるので、小型化のコンデ
ンサとすることができる。
び側面経由転換配線を用いて、接続パッドを積層コンデ
ンサ部の一対の共通電極層にそれぞれ接続させる。これ
により、積層コンデンサ部に形成されている一対の共通
電極層を接続対象部材の接続配線と面接続可能な接続パ
ッドに転換する。このようにすると、１層の転換絶縁層
を用い、これに転換ビア導体及び側面経由転換配線を形
成する簡単な構造で共通電極層と接続パッドとをそれぞ
れ接続することができる。従って、安価で形成容易なコ
ンデンサとすることができる。また、コンデンサ全体の
寸法も、積層コンデンサ部の大きさとそれほど変わらな
い大きさで形成することができるので、小型化のコンデ
ンサとすることができる。
【００１８】ところで、側面経由転換配線は、転換絶縁
層の側面及び外表面を経由するため、転換絶縁層を貫通
して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由
度が低く、側面における形成位置や外表面における引き
回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線
を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。こ
れに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビ
ア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換
配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易にな
る。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることがで
きるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗
も低減させることができる。
層の側面及び外表面を経由するため、転換絶縁層を貫通
して形成する転換ビア導体に比較して、形成位置の自由
度が低く、側面における形成位置や外表面における引き
回しが制限される。このため、多数の側面経由転換配線
を形成したい場合には、形成困難となる場合がある。こ
れに対し本発明では、側面経由転換配線の他に、転換ビ
ア導体を用いるので、その分、形成すべき側面経由転換
配線数を少なくでき、その形成位置の選択が容易にな
る。また、各側面経由転換配線の幅を広くすることがで
きるので、各側面経由転換配線のインダクタンスや抵抗
も低減させることができる。
【００１９】あるいは、前記いずれかのコンデンサであ
って、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層
方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの
一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、また
は前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともい
ずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に
積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積
層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転
換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、前記一
対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、
を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パ
ッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に
形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、
上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換
絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上
記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア
導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通
してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに
接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビ
ア転換部であることを特徴とするコンデンサとすると良
い。
って、前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層
方向最外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの
一方と導通する最外側電極層を備え、前記転換部、また
は前記第１転換部または第２転換部のうち少なくともい
ずれかの転換部は、上記最外側電極層の積層方向外側に
積層された第１転換絶縁層と、上記第１転換絶縁層の積
層方向外側に積層された第２転換絶縁層と、上記第１転
換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成され、前記一
対の共通電極層のうちの他方と接続する転換電極層と、
を備えると共に、この転換部に属する前記複数の接続パ
ッドは、上記第２転換絶縁層の積層方向外側の外表面に
形成され、この転換部に属する前記複数の転換配線は、
上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換
絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上
記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア
導体と、上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通
してその外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに
接続する複数の第２転換ビア導体と、を有するビア−ビ
ア転換部であることを特徴とするコンデンサとすると良
い。
【００２０】このように、第１転換絶縁層、第２転換絶
縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビ
ア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対
の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に
形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続
配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構
造で共通電極層と接続パッドとを接続することができ
る。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、
形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位
置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を
形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導
体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転
換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さ
くできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデ
ンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成する
ことができるので、小型化のコンデンサとすることがで
きる。
縁層、転換電極層、第１転換ビア導体、及び第２転換ビ
ア導体を用いて、接続パッドを積層コンデンサ部の一対
の共通電極層にそれぞれ接続して、積層コンデンサ部に
形成されている一対の共通電極層を接続対象部材の接続
配線と面接続可能な接続パッドに転換すると、簡単な構
造で共通電極層と接続パッドとを接続することができ
る。また、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体は、
形成位置の自由度が高いので、接続する接続パッドの位
置に応じて、第１転換ビア導体及び第２転換ビア導体を
形成できるため、設計が容易である。また、転換ビア導
体は、側面経由転換配線よりも長さが短くなるため、転
換部において発生するインダクタンスや抵抗をより小さ
くできる。また、コンデンサ全体の寸法も、積層コンデ
ンサ部の大きさとそれほど変わらない大きさで形成する
ことができるので、小型化のコンデンサとすることがで
きる。
【００２１】ここで、上記コンデンサであって、前記複
数の接続パッドは、略格子状に配置され、前記複数の第
１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複
数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特
徴とするコンデンサとすると良い。
数の接続パッドは、略格子状に配置され、前記複数の第
１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導体は、上記複
数の接続パッドにそれぞれ交互に接続していることを特
徴とするコンデンサとすると良い。
【００２２】このように、第１転換ビア導体及び第２転
換ビア導体が、略格子状に並んだ接続パッドにそれぞれ
交互に接続するようにすると、第１転換ビア導体及び第
２転換ビア導体に発生するインダクタンスをより低下さ
せることができる。例えば、一方の共通電極層を＋電位
（電源電位）とし、他方の共通電極層を−電位（接地電
位）とすると、第１転換ビア導体から流れ出る電流の向
きと、第２転換ビア導体に流入する電流の向きとが互い
に逆向きとなるため、発生する磁界がうち消しあい、結
果としてこれらのインダクタンスが小さく見える。従っ
て、このように配置することで、コンデンサの自身が持
つインダクタンスを小さくすることができ、更にノイズ
を効率よく除去することができる。
換ビア導体が、略格子状に並んだ接続パッドにそれぞれ
交互に接続するようにすると、第１転換ビア導体及び第
２転換ビア導体に発生するインダクタンスをより低下さ
せることができる。例えば、一方の共通電極層を＋電位
（電源電位）とし、他方の共通電極層を−電位（接地電
位）とすると、第１転換ビア導体から流れ出る電流の向
きと、第２転換ビア導体に流入する電流の向きとが互い
に逆向きとなるため、発生する磁界がうち消しあい、結
果としてこれらのインダクタンスが小さく見える。従っ
て、このように配置することで、コンデンサの自身が持
つインダクタンスを小さくすることができ、更にノイズ
を効率よく除去することができる。
【００２３】なお、上記側面−側面転換部、ビア−側面
転換部、ビア−ビア転換部を有するコンデンサであっ
て、転換絶縁層、または、第１転換絶縁層及び第２転換
絶縁層は、樹脂を主成分とする材質からなり、前記第１
側面経由転換配線及び第２側面経由転換配線、または側
面経由転換配線は、フォトリソグラフィ技術により形成
されてなり、前記転換ビア導体、または第１転換ビア導
体及び第２転換ビア導体は、フォトリソグラフィ技術、
またはフォトリソグラフィ技術及びレーザ孔空け技術に
より形成されてなることを特徴とするコンデンサとする
のが好ましい。フォトリソグラフィ技術を用いて側面経
由転換配線を、また、フォトリソグラフィ技術あるいは
レーザ孔空け技術を用いて転換ビア導体を形成すると、
微細な側面経由転換配線や転換ビア導体を精度良く形成
することができるので、多数の側面経由転換配線や転換
ビア導体を確実に形成したコンデンサとすることができ
る。
転換部、ビア−ビア転換部を有するコンデンサであっ
て、転換絶縁層、または、第１転換絶縁層及び第２転換
絶縁層は、樹脂を主成分とする材質からなり、前記第１
側面経由転換配線及び第２側面経由転換配線、または側
面経由転換配線は、フォトリソグラフィ技術により形成
されてなり、前記転換ビア導体、または第１転換ビア導
体及び第２転換ビア導体は、フォトリソグラフィ技術、
またはフォトリソグラフィ技術及びレーザ孔空け技術に
より形成されてなることを特徴とするコンデンサとする
のが好ましい。フォトリソグラフィ技術を用いて側面経
由転換配線を、また、フォトリソグラフィ技術あるいは
レーザ孔空け技術を用いて転換ビア導体を形成すると、
微細な側面経由転換配線や転換ビア導体を精度良く形成
することができるので、多数の側面経由転換配線や転換
ビア導体を確実に形成したコンデンサとすることができ
る。
【００２４】さらに、上記いずれかのコンデンサであっ
て、前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続
させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端
子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とす
るコンデンサとすると良い。
て、前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続
させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端
子と面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とす
るコンデンサとすると良い。
【００２５】このように複数接続パッドを形成すると、
つまり、コンデンサの１つの接続パッドに複数の接続端
子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続さ
せる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことが
できる。これにより、転換部において形成する転換配線
の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を
減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安
価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができ
る。
つまり、コンデンサの１つの接続パッドに複数の接続端
子が接続されるようにすると、このコンデンサと接続さ
せる接続端子数に比較して接続パッド数を減らすことが
できる。これにより、転換部において形成する転換配線
の数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を
減らすことができる。従って、さらに製造容易となり安
価にでき、コンデンサの信頼性も向上させることができ
る。
【００２６】なお、上記コンデンサであって、前記接続
パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを
特徴とするコンデンサとするのが好ましい。このように
接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する
接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の
数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少
なくできるので、製造が容易となる。
パッドのいずれもが、前記複数接続パッドであることを
特徴とするコンデンサとするのが好ましい。このように
接続パッドをすべて複数接続パッドとすると、形成する
接続パッドの数を十分少なくできるので、転換配線の
数、例えば、転換ビア導体や側面経由転換配線の数を少
なくできるので、製造が容易となる。
【００２７】さらに、上記側面−側面転換部、またはビ
ア−側面転換部を有するコンデンサであって、前記側面
経由転換配線に接続する前記接続パッドのいずれもが、
接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接
続端子と接続可能な複数接続パッドであることを特徴と
するコンデンサとすると良い。
ア−側面転換部を有するコンデンサであって、前記側面
経由転換配線に接続する前記接続パッドのいずれもが、
接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接
続端子と接続可能な複数接続パッドであることを特徴と
するコンデンサとすると良い。
【００２８】側面経由転換配線は、転換絶縁層の側面及
び外表面を経由して接続パッドと接続するため、転換ビ
ア導体に比べて形成位置の自由度が低く、形成する接続
パッドの数が多い場合には、側面の形成位置や外表面で
の引き回しが困難となることがある。これに対し、側面
経由転換配線に接続する接続パッドを複数接続パッドと
すると、形成する側面経由転換配線の数を減らせるた
め、配線が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅
を広くすることができるので、各側面経由転換配線のイ
ンダクタンスや抵抗も低減させることができる。
び外表面を経由して接続パッドと接続するため、転換ビ
ア導体に比べて形成位置の自由度が低く、形成する接続
パッドの数が多い場合には、側面の形成位置や外表面で
の引き回しが困難となることがある。これに対し、側面
経由転換配線に接続する接続パッドを複数接続パッドと
すると、形成する側面経由転換配線の数を減らせるた
め、配線が容易になる。また、各側面経由転換配線の幅
を広くすることができるので、各側面経由転換配線のイ
ンダクタンスや抵抗も低減させることができる。
【００２９】上記複数接続パッドを有するいずれかのコ
ンデンサであって、少なくとも前記複数接続パッドの表
面上には、この複数接続パッドの表面を、この複数接続
パッドに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子
がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分
離層を備えることを特徴とするコンデンサとすると良
い。
ンデンサであって、少なくとも前記複数接続パッドの表
面上には、この複数接続パッドの表面を、この複数接続
パッドに接続させる前記接続対象部材の複数の接続端子
がそれぞれ１つずつ接続可能な複数の領域に分離する分
離層を備えることを特徴とするコンデンサとすると良
い。
【００３０】接続対象部材、例えば、ＩＣチップ等の電
子部品の接続端子と接続パッドとを面接続させる際に、
２つ以上の接続端子を共通の複数接続パッドに接続させ
る場合を考える。この場合には、溶融前には、個々の接
続端子に対応させてハンダペーストを塗布しておいた
り、個々の接続端子（ハンダバンプ）に所定量のハンダ
が保持されていても、ハンダを溶融させた際に、隣り合
う接続端子にかかるハンダが、共通の複数接続パッド上
に濡れ拡がって互いに接触して一体となることがある。
すると、複数接続パッドと各接続端子との接続に使われ
るハンダ量が各接続端子について不均一になって、各接
続端子の中には、複数接続パッドと接続端子との接続が
不完全なものが発生するなどの不具合を生じることがあ
る。導電性樹脂を用いて接続する場合にも、このような
ことが起こりうる。
子部品の接続端子と接続パッドとを面接続させる際に、
２つ以上の接続端子を共通の複数接続パッドに接続させ
る場合を考える。この場合には、溶融前には、個々の接
続端子に対応させてハンダペーストを塗布しておいた
り、個々の接続端子（ハンダバンプ）に所定量のハンダ
が保持されていても、ハンダを溶融させた際に、隣り合
う接続端子にかかるハンダが、共通の複数接続パッド上
に濡れ拡がって互いに接触して一体となることがある。
すると、複数接続パッドと各接続端子との接続に使われ
るハンダ量が各接続端子について不均一になって、各接
続端子の中には、複数接続パッドと接続端子との接続が
不完全なものが発生するなどの不具合を生じることがあ
る。導電性樹脂を用いて接続する場合にも、このような
ことが起こりうる。
【００３１】これに対し、本発明では、複数接続パッド
を接続端子が１つずつ接続可能な複数の領域に分離する
分離層を有しているので、接続の際、隣り合う接続端子
の間で、ハンダなどが接触して一体となることが無く、
これによる接続不良などの不具合が生じない。従って、
確実に複数接続パッドとこれに対応する接続端子とをそ
れぞれ接続させることができる。
を接続端子が１つずつ接続可能な複数の領域に分離する
分離層を有しているので、接続の際、隣り合う接続端子
の間で、ハンダなどが接触して一体となることが無く、
これによる接続不良などの不具合が生じない。従って、
確実に複数接続パッドとこれに対応する接続端子とをそ
れぞれ接続させることができる。
【００３２】なお、上記コンデンサであって、前記分離
層により分離される前記複数の領域は、いずれも略等し
い面積を有することを特徴とするコンデンサとするのが
好ましい。複数の領域を等しい面積にすると、ハンダな
導電静樹脂の濡れ拡がりによる高さを均一にできるの
で、より信頼性の高い接続ができる。
層により分離される前記複数の領域は、いずれも略等し
い面積を有することを特徴とするコンデンサとするのが
好ましい。複数の領域を等しい面積にすると、ハンダな
導電静樹脂の濡れ拡がりによる高さを均一にできるの
で、より信頼性の高い接続ができる。
【００３３】また、上記コンデンサであって、前記分離
層は、前記複数接続パッド及びその周縁の前記転換絶縁
層または第２転換絶縁層の外表面に形成したソルダレジ
スト層であり、前記複数の領域は、いずれも上記ソルダ
レジスト層に形成した複数の透孔により形成されている
ことを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。ソル
ダレジスト層に形成した透孔により複数の領域を形成す
る場合には、スクリーン印刷技術やフォトリソグラフィ
技術やレーザ孔空け技術により透孔が容易に形成でき
る。また、接続対象部材との接続時にハンダがその周縁
に拡がることを確実に防止できる。また、透孔内にハン
ダペーストを塗布しリフローすることでハンダバンプを
容易に形成することができる。
層は、前記複数接続パッド及びその周縁の前記転換絶縁
層または第２転換絶縁層の外表面に形成したソルダレジ
スト層であり、前記複数の領域は、いずれも上記ソルダ
レジスト層に形成した複数の透孔により形成されている
ことを特徴とするコンデンサとするのが好ましい。ソル
ダレジスト層に形成した透孔により複数の領域を形成す
る場合には、スクリーン印刷技術やフォトリソグラフィ
技術やレーザ孔空け技術により透孔が容易に形成でき
る。また、接続対象部材との接続時にハンダがその周縁
に拡がることを確実に防止できる。また、透孔内にハン
ダペーストを塗布しリフローすることでハンダバンプを
容易に形成することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の配線基板
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ
１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１
０とビア−側面転換部１２０とを有する。このうち積層
部１１０は、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴ
ｉＯ3を主成分とする多数の誘電体層１０１とＰｄを主
成分とする電極層１０２とを交互に積層した略正方形板
状の積層体１０３を有する。さらに、この積層体１０３
のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１０３
Ａ，１０３Ｂには、各電極層１０２と１層おきに導通し
しかも互いに絶縁された一対の共通電極層１０４Ａ，１
０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部１
１０は、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂと、共通電極層
１０４Ａで互いに導通された第１電極層１０２Ａの群及
び共通電極層１０４Ｂで互いに導通された第２電極層１
０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層１０１とを有
し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同
様の構造とされている。なお、この積層部１１０のうち
積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層１
０４Ｂと導通する最上第２電極層１０２ＢＵが積層形成
されている。
等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ
１００は、平面視略正方形板状で、大別して積層部１１
０とビア−側面転換部１２０とを有する。このうち積層
部１１０は、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴ
ｉＯ3を主成分とする多数の誘電体層１０１とＰｄを主
成分とする電極層１０２とを交互に積層した略正方形板
状の積層体１０３を有する。さらに、この積層体１０３
のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面１０３
Ａ，１０３Ｂには、各電極層１０２と１層おきに導通し
しかも互いに絶縁された一対の共通電極層１０４Ａ，１
０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積層部１
１０は、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂと、共通電極層
１０４Ａで互いに導通された第１電極層１０２Ａの群及
び共通電極層１０４Ｂで互いに導通された第２電極層１
０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層１０１とを有
し、上記した従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同
様の構造とされている。なお、この積層部１１０のうち
積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層１
０４Ｂと導通する最上第２電極層１０２ＢＵが積層形成
されている。
【００３５】一方、ビア−側面転換部１２０は、積層部
１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図
中上方）に積層された転換絶縁層１２１を備え、この転
換絶縁層１２１の外表面（図中上方面）１２１Ｔには、
図１（ａ）に破線で示す第１接続パッド１２２Ａ、及び
第２接続パッド１２２Ｂの２種類の接続パッド１２２
が、格子状に多数形成されている。この接続パッド１２
２は、後述するように、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接
続端子ＣＴＣとそれぞれ接続するものである（図２参
照）。
１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層方向外側（図
中上方）に積層された転換絶縁層１２１を備え、この転
換絶縁層１２１の外表面（図中上方面）１２１Ｔには、
図１（ａ）に破線で示す第１接続パッド１２２Ａ、及び
第２接続パッド１２２Ｂの２種類の接続パッド１２２
が、格子状に多数形成されている。この接続パッド１２
２は、後述するように、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接
続端子ＣＴＣとそれぞれ接続するものである（図２参
照）。
【００３６】また、一方の共通電極層１０４Ａから転換
絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由して、外表面１２１
Ｔのうち第２接続パッド１２２Ｂの周縁及び共通電極層
１０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配
線層１２３を備える。この側面経由配線１２３は、その
うちの一部が上記した第１接続パッド１２２Ａとなって
いる。つまり側面経由配線１２３によって、第１接続パ
ッド１２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通して
いる。また、この側面経由配線１２３は、図１（ａ）に
破線で示すように、多数の第１接続パッド１２２Ａを含
む、つまり多数の第１接続パッド１２２Ａと同時に接続
している。第１接続パッド１２２Ａ毎に、転換絶縁層１
２１の側面１２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極
層１０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の
数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面
経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちで
ある。しかし、本実施形態の側面経由配線１２３は、同
時に多数の第１接続パッド１２２Ａと接続しているの
で、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタ
ンスを低く抑えることができる。さらに、最上第２電極
層１０２ＢＵから転換絶縁層１２１を貫通して外表面１
２１Ｔに延出し、第２接続パッド１２２Ｂにそれぞれ接
続する転換ビア導体１２５を備える。したがって、転換
ビア導体１２５及び最上第２電極層１０２ＢＵを通じ
て、第２接続パッド１２２Ｂと他方の共通電極層１０４
Ｂとが導通している。
絶縁層１２１の側面１２１Ａを経由して、外表面１２１
Ｔのうち第２接続パッド１２２Ｂの周縁及び共通電極層
１０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配
線層１２３を備える。この側面経由配線１２３は、その
うちの一部が上記した第１接続パッド１２２Ａとなって
いる。つまり側面経由配線１２３によって、第１接続パ
ッド１２２Ａと一方の共通電極層１０４Ａとが導通して
いる。また、この側面経由配線１２３は、図１（ａ）に
破線で示すように、多数の第１接続パッド１２２Ａを含
む、つまり多数の第１接続パッド１２２Ａと同時に接続
している。第１接続パッド１２２Ａ毎に、転換絶縁層１
２１の側面１２１Ａを経由する側面経由配線で共通電極
層１０４Ａと接続させると、形成すべき側面経由配線の
数が多くなって各側面経由配線の幅が狭くなり、各側面
経由配線の持つ抵抗やインダクタンスが高くなりがちで
ある。しかし、本実施形態の側面経由配線１２３は、同
時に多数の第１接続パッド１２２Ａと接続しているの
で、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗やインダクタ
ンスを低く抑えることができる。さらに、最上第２電極
層１０２ＢＵから転換絶縁層１２１を貫通して外表面１
２１Ｔに延出し、第２接続パッド１２２Ｂにそれぞれ接
続する転換ビア導体１２５を備える。したがって、転換
ビア導体１２５及び最上第２電極層１０２ＢＵを通じ
て、第２接続パッド１２２Ｂと他方の共通電極層１０４
Ｂとが導通している。
【００３７】このようにビア−側面転換部１２０に形成
した側面経由配線１２３及び転換ビア導体１２５によ
り、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ
接続パッド１２２、即ち、第１接続パッド１２２Ａ及び
第２接続パッド１２２Ｂに転換される。逆に言えば、多
数の接続パッド１２２は、コンデンサ１００のうち積層
部１１０の２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいず
れかに接続している。しかも、上述のように、この共通
電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれも複数の接続パッド
１２２のうちの少なくともいずれか、具体的には共通電
極層１０４Ａは第１接続パッド１２２Ａと、共通電極層
１０４Ｂは第２接続パッド１２２Ｂと接続している。こ
のため、このコンデンサ１００の図中上方から、接続パ
ッド１２２を通じて、一対の共通電極層１０４Ａ，１０
４Ｂのいずれとも導通することができる。
した側面経由配線１２３及び転換ビア導体１２５によ
り、２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂは、それぞれ
接続パッド１２２、即ち、第１接続パッド１２２Ａ及び
第２接続パッド１２２Ｂに転換される。逆に言えば、多
数の接続パッド１２２は、コンデンサ１００のうち積層
部１１０の２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいず
れかに接続している。しかも、上述のように、この共通
電極層１０４Ａ，１０４Ｂのいずれも複数の接続パッド
１２２のうちの少なくともいずれか、具体的には共通電
極層１０４Ａは第１接続パッド１２２Ａと、共通電極層
１０４Ｂは第２接続パッド１２２Ｂと接続している。こ
のため、このコンデンサ１００の図中上方から、接続パ
ッド１２２を通じて、一対の共通電極層１０４Ａ，１０
４Ｂのいずれとも導通することができる。
【００３８】従って、図２に示すように、このコンデン
サ１００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ
とを面接続によって直接接続することができる。即ち、
図２に示すコンデンサ付属配線基板１５０は、配線基板
１５１とこれに収容固着された上記コンデンサ１００と
からなる。この配線基板１５１は、その内部に配線層１
５２を備えるとともに、その上面１５１Ｔには、ＩＣチ
ップＣＨの基板接続端子ＣＴＷと面接続可能な接続パッ
ド１５３を多数備え、下面１５１Ｖには、マザーボード
など他の配線基板と面接続可能なＬＧＡパッド１５４を
多数備えている。さらに、この配線基板１５１の略中央
には、コンデンサ１００を収容可能な平面視略正方形の
貫通孔１５１Ｈが形成されており、上述した基板接続端
子ＣＴＷは、この貫通孔１５１Ｈの周縁近傍に形成され
ている。貫通孔１５１Ｈ内に収容されたコンデンサ１０
０の接続パッド１２２、及び配線基板１５１の接続パッ
ド１５３は、それぞれ図中破線で示すＩＣチップＣＨの
接続端子ＣＴ、即ち、コンデンサ接続端子ＣＴＣ及び基
板接続端子ＣＴＷとそれぞれ面接続する。例えば、高温
ハンダからなる球状バンプタイプの接続端子ＣＴと、接
続パッド１２２及び１５３とを、Ａｇ−Ｓｎハンダ等に
よって接続するなど公知の手法により、ＩＣチップＣＨ
をコンデンサ付属配線基板１５０（コンデンサ１００及
び配線基板１５１）にフリップチップ接続する。
サ１００とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ
とを面接続によって直接接続することができる。即ち、
図２に示すコンデンサ付属配線基板１５０は、配線基板
１５１とこれに収容固着された上記コンデンサ１００と
からなる。この配線基板１５１は、その内部に配線層１
５２を備えるとともに、その上面１５１Ｔには、ＩＣチ
ップＣＨの基板接続端子ＣＴＷと面接続可能な接続パッ
ド１５３を多数備え、下面１５１Ｖには、マザーボード
など他の配線基板と面接続可能なＬＧＡパッド１５４を
多数備えている。さらに、この配線基板１５１の略中央
には、コンデンサ１００を収容可能な平面視略正方形の
貫通孔１５１Ｈが形成されており、上述した基板接続端
子ＣＴＷは、この貫通孔１５１Ｈの周縁近傍に形成され
ている。貫通孔１５１Ｈ内に収容されたコンデンサ１０
０の接続パッド１２２、及び配線基板１５１の接続パッ
ド１５３は、それぞれ図中破線で示すＩＣチップＣＨの
接続端子ＣＴ、即ち、コンデンサ接続端子ＣＴＣ及び基
板接続端子ＣＴＷとそれぞれ面接続する。例えば、高温
ハンダからなる球状バンプタイプの接続端子ＣＴと、接
続パッド１２２及び１５３とを、Ａｇ−Ｓｎハンダ等に
よって接続するなど公知の手法により、ＩＣチップＣＨ
をコンデンサ付属配線基板１５０（コンデンサ１００及
び配線基板１５１）にフリップチップ接続する。
【００３９】このようにして、コンデンサ１００とＩＣ
チップＣＨとを面接続によって直接接続すると、コンデ
ンサ１００の共通電極層１０４Ａ，１０４ＢとＩＣチッ
プＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを結ぶコンデンサ
接続配線を配線基板１５１内に形成する必要が無く、ご
く短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のイン
ダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、接続パッド１２２から、コンデンサ１００の両方の
共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを取り出すことができ
る。このため、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つ
の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通
電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば
１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００
を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することが
できる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電
位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じ
て、コンデンサ１００から低抵抗、低インダクタンスで
電源電位や接地電位を供給することができる。なお、コ
ンデンサ１００の内部構造は、既に説明した（図１
（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
チップＣＨとを面接続によって直接接続すると、コンデ
ンサ１００の共通電極層１０４Ａ，１０４ＢとＩＣチッ
プＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを結ぶコンデンサ
接続配線を配線基板１５１内に形成する必要が無く、ご
く短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のイン
ダクタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、接続パッド１２２から、コンデンサ１００の両方の
共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを取り出すことができ
る。このため、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つ
の共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の共通
電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例えば
１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１００
を利用して、両電位間のノイズを確実に除去することが
できる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接地電
位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通じ
て、コンデンサ１００から低抵抗、低インダクタンスで
電源電位や接地電位を供給することができる。なお、コ
ンデンサ１００の内部構造は、既に説明した（図１
（ｂ）参照）ので、本図では略記している。
【００４０】次いで、コンデンサ１００の製造方法につ
いて、図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示
すように、公知のグリーンシート製造技術により、Ｂａ
ＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリー
ンシート（以下、単にシートともいう）１８１を多数製
造する。次いで、このシート１８１のうち１枚について
は、図３（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定
位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面
１８１Ｖ間を貫通する未焼成ビア導体１８３を形成す
る。さらに、表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼
成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成す
る。このうち、未焼成接続パッド１８５は、それぞれ未
焼成ビア導体１８３と接続する位置に形成する。
いて、図３を参照して説明する。まず、図３（ａ）に示
すように、公知のグリーンシート製造技術により、Ｂａ
ＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリー
ンシート（以下、単にシートともいう）１８１を多数製
造する。次いで、このシート１８１のうち１枚について
は、図３（ｂ）に示すように、このシート１８１の所定
位置に、Ｐｄペーストからなり、表面１８１Ｔ及び裏面
１８１Ｖ間を貫通する未焼成ビア導体１８３を形成す
る。さらに、表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼
成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を形成す
る。このうち、未焼成接続パッド１８５は、それぞれ未
焼成ビア導体１８３と接続する位置に形成する。
【００４１】他のシート１８１の半数については、図３
（ｃ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペースト
からなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、
残りの半数については、図３（ｄ）に示すように、その
表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層
１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未
焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表
面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８
２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電
極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わない
パターンとされている。
（ｃ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペースト
からなる未焼成第１電極層１８２Ａを形成する。また、
残りの半数については、図３（ｄ）に示すように、その
表面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層
１８２Ｂを形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未
焼成第２電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表
面１８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８
２Ａはシート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電
極層１８２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わない
パターンとされている。
【００４２】次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上
に、未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を
形成したシート１８１を積層し圧着して、図３（ｅ）に
示すように、積層体１８６を形成する。この積層体１８
６の側面１８６Ａには、未焼成第１電極層１８２Ａが、
また側面１８６Ｂには、未焼成第２電極層１８２Ｂが露
出する。さらにこの側面１８６Ａ，１８６Ｂに、Ｐｄか
らなる未焼成共通電極層１８７Ａ，１８７Ｂをそれぞれ
形成する。なお、未焼成共通電極層１８７Ａは未焼成導
体層１８４とも接続するように形成する。
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上
に、未焼成導体層１８４及び未焼成接続パッド１８５を
形成したシート１８１を積層し圧着して、図３（ｅ）に
示すように、積層体１８６を形成する。この積層体１８
６の側面１８６Ａには、未焼成第１電極層１８２Ａが、
また側面１８６Ｂには、未焼成第２電極層１８２Ｂが露
出する。さらにこの側面１８６Ａ，１８６Ｂに、Ｐｄか
らなる未焼成共通電極層１８７Ａ，１８７Ｂをそれぞれ
形成する。なお、未焼成共通電極層１８７Ａは未焼成導
体層１８４とも接続するように形成する。
【００４３】この積層体１８６では、未焼成共通電極層
１８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、未焼成導体層１８４とも接続する。一方、
未焼成共通電極層１８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層
１８２Ｂとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側
（図中最上）の最上未焼成第２電極層１８２ＢＵ、未焼
成ビア導体１８３を経由して未焼成接続パッド１８５と
も接続する。次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼
成）して、図１に示すコンデンサ１００を形成する。コ
ンデンサ１００をこのようにして形成したので、焼成
後、直ちにコンデンサとして使用することができる。な
お、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との
接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、側面経由
配線層１２３（第１接続パッド１２２Ａ）や第２接続パ
ッド１２２Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキ
を施すようにしても良い。このように、同時焼成によっ
てコンデンサ１００を形成すると、容易かつ安価にコン
デンサ１００を形成することができる。
１８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、未焼成導体層１８４とも接続する。一方、
未焼成共通電極層１８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層
１８２Ｂとも接続し、しかも、そのうち積層方向最外側
（図中最上）の最上未焼成第２電極層１８２ＢＵ、未焼
成ビア導体１８３を経由して未焼成接続パッド１８５と
も接続する。次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼
成）して、図１に示すコンデンサ１００を形成する。コ
ンデンサ１００をこのようにして形成したので、焼成
後、直ちにコンデンサとして使用することができる。な
お、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ等との
接続時のハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、側面経由
配線層１２３（第１接続パッド１２２Ａ）や第２接続パ
ッド１２２Ｂについて、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキ
を施すようにしても良い。このように、同時焼成によっ
てコンデンサ１００を形成すると、容易かつ安価にコン
デンサ１００を形成することができる。
【００４４】（変形形態１）上記実施形態１では、積層
部１１０とビア−側面転換部１２０とを有するコンデン
サ１００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積
層部を形成した後にビア−側面転換部を形成して同様な
構造のコンデンサとすることもできる。本変形形態のコ
ンデンサ２００は、上記コンデンサ１００とは製造方法
や材質が異なるのみで、コンデンサの構造やＩＣチップ
ＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の
部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
部１１０とビア−側面転換部１２０とを有するコンデン
サ１００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積
層部を形成した後にビア−側面転換部を形成して同様な
構造のコンデンサとすることもできる。本変形形態のコ
ンデンサ２００は、上記コンデンサ１００とは製造方法
や材質が異なるのみで、コンデンサの構造やＩＣチップ
ＣＨ等と接続した場合の利点は変わらないので、同様の
部分についての説明を省略あるいは簡略化する。
【００４５】本変形形態のコンデンサ２００は、図４に
示すようにして、まず積層部２１０を形成する。即ち、
図４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、ＢａＴ
ｉＯ3粉末を主成分とするシート２８１を多数製造す
る。このシート２８１の半数については、実施形態１に
おいて図３（ｃ）を参照して説明したのと同様に、その
表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層
２８２Ａを形成する（図４（ｂ）参照）。また、残りの
半数についても、図３（ｄ）と同様に、その表面２８１
ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層２８２Ｂを
形成する（図４（ｂ）参照）。これらの未焼成第１電極
層２８２Ａ及び未焼成第２電極層２８２Ｂはいずれも、
シート２８１の表面２８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼
成第１電極層２８２Ａはシート２８１の図中右端近傍、
逆に未焼成第２電極層２８２Ｂはシート２８１の図中左
端近傍を覆わないパターンとされている。
示すようにして、まず積層部２１０を形成する。即ち、
図４（ａ）に示すように、実施形態１と同様に、ＢａＴ
ｉＯ3粉末を主成分とするシート２８１を多数製造す
る。このシート２８１の半数については、実施形態１に
おいて図３（ｃ）を参照して説明したのと同様に、その
表面２８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層
２８２Ａを形成する（図４（ｂ）参照）。また、残りの
半数についても、図３（ｄ）と同様に、その表面２８１
ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層２８２Ｂを
形成する（図４（ｂ）参照）。これらの未焼成第１電極
層２８２Ａ及び未焼成第２電極層２８２Ｂはいずれも、
シート２８１の表面２８１Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼
成第１電極層２８２Ａはシート２８１の図中右端近傍、
逆に未焼成第２電極層２８２Ｂはシート２８１の図中左
端近傍を覆わないパターンとされている。
【００４６】次いで、未焼成第１電極層２８２Ａが形成
されたシート２８１と、未焼成第２電極層２８２Ｂが形
成されたシート２８１とを交互に積層し圧着して未焼成
積層体を形成し、その２つの側面に、Ｐｄからなる未焼
成共通電極層をそれぞれ形成する。この未焼成積層体を
同時焼成することで、図４（ｃ）に示す積層部２１０が
出来上がる。この積層部２１０は、多数の誘電体層２０
１と電極層２０２とを交互に積層した積層体２０３を有
する。さらに、この積層体２０３のうち積層方向（図中
上下方向）に平行な側面２０３Ａ，２０３Ｂには、各電
極層２０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された
一対の共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂがそれぞれ形成さ
れている。つまりこの積層部２１０は、共通電極層２０
４Ａ，２０４Ｂと、共通電極層２０４Ａで互いに導通さ
れた第１電極層２０２Ａの群及び共通電極層２０４Ｂで
互いに導通された第２電極層２０２Ｂの群と、これらに
挟まれた誘電体層２０１とを有し、上記した従来の積層
セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされ、２つの
共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを持つコンデンサとして
機能させることができる。なお、この積層部２１０のう
ち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層
２０４Ｂと導通する最上第２電極層２０２ＢＵが積層形
成されている。
されたシート２８１と、未焼成第２電極層２８２Ｂが形
成されたシート２８１とを交互に積層し圧着して未焼成
積層体を形成し、その２つの側面に、Ｐｄからなる未焼
成共通電極層をそれぞれ形成する。この未焼成積層体を
同時焼成することで、図４（ｃ）に示す積層部２１０が
出来上がる。この積層部２１０は、多数の誘電体層２０
１と電極層２０２とを交互に積層した積層体２０３を有
する。さらに、この積層体２０３のうち積層方向（図中
上下方向）に平行な側面２０３Ａ，２０３Ｂには、各電
極層２０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された
一対の共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂがそれぞれ形成さ
れている。つまりこの積層部２１０は、共通電極層２０
４Ａ，２０４Ｂと、共通電極層２０４Ａで互いに導通さ
れた第１電極層２０２Ａの群及び共通電極層２０４Ｂで
互いに導通された第２電極層２０２Ｂの群と、これらに
挟まれた誘電体層２０１とを有し、上記した従来の積層
セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされ、２つの
共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂを持つコンデンサとして
機能させることができる。なお、この積層部２１０のう
ち積層方向最外側（図中上方）には、一方の共通電極層
２０４Ｂと導通する最上第２電極層２０２ＢＵが積層形
成されている。
【００４７】続いて、この積層部２１０上にビア−側面
転換部２２０を形成する。まず図５（ａ）に示すよう
に、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び
最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体
層２０１Ｕの上面２０１ＵＴのうち露出部分（図中左端
部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる転
換絶縁層２０５を形成する。具体的には、フィルム状の
未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
転換部２２０を形成する。まず図５（ａ）に示すよう
に、最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び
最上第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体
層２０１Ｕの上面２０１ＵＴのうち露出部分（図中左端
部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる転
換絶縁層２０５を形成する。具体的には、フィルム状の
未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００４８】次いで、図５（ｂ）に示すように、この転
換絶縁層２０５の所定位置に、レーザにより最上第２電
極層２０２ＢＵまで届く貫通孔２０５Ｈを形成する。そ
の後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２０５Ｈ内、転
換絶縁層２０５の上面２０５Ｔ、及び共通電極層２０４
Ａに近い転換絶縁層２０５の側面２０５Ａに、Ａｇ含有
導電性樹脂ペーストを充填・塗布し、硬化させて、共通
電極層２０４Ａと接続する側面経由配線層２０６、転換
ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成して
ビア−側面転換部２２０とする。なお、転換経由配線層
２０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド２０６
Ｐの役割を果たす。これによりコンデンサの機能を有す
る積層部２１０と、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４
Ｂを面接続可能な第１接続パッド２０６Ｐ及び第２接続
パッド２０８に転換するビア−側面転換部２２０とを有
するコンデンサ２００が形成される。このコンデンサ２
００は、前記コンデンサ１００と同様に、ＩＣチップＣ
Ｈ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給
の役割を果たさせることができる。上記変形形態では、
Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを用いて転換経由配線層２
０６等を形成したが、接続時に使用するハンダ材等を考
慮して、その他の導電性樹脂ペーストを用いることもで
きる。
換絶縁層２０５の所定位置に、レーザにより最上第２電
極層２０２ＢＵまで届く貫通孔２０５Ｈを形成する。そ
の後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔２０５Ｈ内、転
換絶縁層２０５の上面２０５Ｔ、及び共通電極層２０４
Ａに近い転換絶縁層２０５の側面２０５Ａに、Ａｇ含有
導電性樹脂ペーストを充填・塗布し、硬化させて、共通
電極層２０４Ａと接続する側面経由配線層２０６、転換
ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０８を形成して
ビア−側面転換部２２０とする。なお、転換経由配線層
２０６のうち破線で示す部分は、第１接続パッド２０６
Ｐの役割を果たす。これによりコンデンサの機能を有す
る積層部２１０と、２つの共通電極層２０４Ａ，２０４
Ｂを面接続可能な第１接続パッド２０６Ｐ及び第２接続
パッド２０８に転換するビア−側面転換部２２０とを有
するコンデンサ２００が形成される。このコンデンサ２
００は、前記コンデンサ１００と同様に、ＩＣチップＣ
Ｈ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位供給
の役割を果たさせることができる。上記変形形態では、
Ａｇ含有導電性樹脂ペーストを用いて転換経由配線層２
０６等を形成したが、接続時に使用するハンダ材等を考
慮して、その他の導電性樹脂ペーストを用いることもで
きる。
【００４９】（変形形態２）上記変形形態１では、積層
部２１０上に転換絶縁層２０５を形成しレーザで穿孔し
たが、感光性樹脂層を用いることもできる。また、上記
変形形態１では、Ａｇペーストを用いて側面経由配線層
２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０
８を形成したが、メッキ技術によってこれらを形成して
も良い。本変形形態では、上記変形形態１と同様にして
積層部２１０を形成した後、図６（ａ）に示すように、
最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上
第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２
０１Ｕの上面２０２ＵＴのうち露出部分（図中左端部
分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる未硬
化の感光性樹脂絶縁層を形成する。具体的には、フィル
ム状の未硬化感光性樹脂を貼り付ける。その後、露光現
像して所定位置に貫通孔を形成した後、硬化させて、貫
通孔３０５Ｈを有する転換絶縁層３０５を形成する。
部２１０上に転換絶縁層２０５を形成しレーザで穿孔し
たが、感光性樹脂層を用いることもできる。また、上記
変形形態１では、Ａｇペーストを用いて側面経由配線層
２０６、転換ビア導体２０７、及び第２接続パッド２０
８を形成したが、メッキ技術によってこれらを形成して
も良い。本変形形態では、上記変形形態１と同様にして
積層部２１０を形成した後、図６（ａ）に示すように、
最上第２電極層２０２ＢＵの上面２０２ＢＵＴ及び最上
第２電極層２０２ＢＵの直下に位置する最上誘電体層２
０１Ｕの上面２０２ＵＴのうち露出部分（図中左端部
分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる未硬
化の感光性樹脂絶縁層を形成する。具体的には、フィル
ム状の未硬化感光性樹脂を貼り付ける。その後、露光現
像して所定位置に貫通孔を形成した後、硬化させて、貫
通孔３０５Ｈを有する転換絶縁層３０５を形成する。
【００５０】次いで、図６（ｂ）に示すように、共通電
極層２０４Ａ，２０４Ｂ、転換絶縁層３０５の側面３０
５Ａ、上面３０５Ｔ、貫通孔３０５Ｈ内などに無電解Ｃ
ｕメッキ層３０１を形成する。さらに、フィルム状のメ
ッキレジストを貼り付け露光現像して所定形状のメッキ
レジスト層Ｒを形成する。
極層２０４Ａ，２０４Ｂ、転換絶縁層３０５の側面３０
５Ａ、上面３０５Ｔ、貫通孔３０５Ｈ内などに無電解Ｃ
ｕメッキ層３０１を形成する。さらに、フィルム状のメ
ッキレジストを貼り付け露光現像して所定形状のメッキ
レジスト層Ｒを形成する。
【００５１】続いて、無電解Ｃｕメッキ層３０１を電極
として電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層Ｒを除
去後、その下の不要な無電解Ｃｕメッキ層３０１をソフ
トエッチングによって除去することで、図６（ｃ）に示
すように、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０
７、及び第２接続パッド３０８を形成してビア−側面転
換部３２０とする。なお、転換経由配線層３０６のうち
破線で示す部分は、第１接続パッド３０６Ｐの役割を果
たす。また、３つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ上に
もＣｕメッキが施されてその厚さが厚くなった共通電極
層３０４Ａ，３０４Ｂとなる。
として電解Ｃｕメッキを施し、メッキレジスト層Ｒを除
去後、その下の不要な無電解Ｃｕメッキ層３０１をソフ
トエッチングによって除去することで、図６（ｃ）に示
すように、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０
７、及び第２接続パッド３０８を形成してビア−側面転
換部３２０とする。なお、転換経由配線層３０６のうち
破線で示す部分は、第１接続パッド３０６Ｐの役割を果
たす。また、３つの共通電極層２０４Ａ，２０４Ｂ上に
もＣｕメッキが施されてその厚さが厚くなった共通電極
層３０４Ａ，３０４Ｂとなる。
【００５２】これによりコンデンサの機能を有する積層
部２１０と、２つの共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂを面
接続可能な第１接続パッド３０６Ｐ及び第２接続パッド
３０８に転換するビア−側面転換部３２０とを有するコ
ンデンサ３００が形成される。このコンデンサ３００
も、前記コンデンサ１００，２００と同様に、ＩＣチッ
プＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位
供給の役割を果たさせることができる。さらに本変形形
態のコンデンサ３００では、フォトリソグラフィ技術を
用いて側面経由配線層３０６や第２接続パッド３０８な
どを形成したので、その位置精度を高くすることができ
る。従って、微細な寸法のコンデンサ接続端子ＣＴＣを
持つＩＣチップＣＨ等との面接続を、より確実に行うこ
とができる。なお上記では、いわゆるセミアディティブ
法を用いたが、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法など他の手法を用いることもできる。また、ＩＣチッ
プとの接続の際のハンダ濡れ性等を考慮して、Ｃｕメッ
キの後にＮｉメッキ、あるいはＮｉ及びＡｕメッキを施
しても良い。
部２１０と、２つの共通電極層３０４Ａ，３０４Ｂを面
接続可能な第１接続パッド３０６Ｐ及び第２接続パッド
３０８に転換するビア−側面転換部３２０とを有するコ
ンデンサ３００が形成される。このコンデンサ３００
も、前記コンデンサ１００，２００と同様に、ＩＣチッ
プＣＨ等に直接面接続でき、ノイズ除去や各部への電位
供給の役割を果たさせることができる。さらに本変形形
態のコンデンサ３００では、フォトリソグラフィ技術を
用いて側面経由配線層３０６や第２接続パッド３０８な
どを形成したので、その位置精度を高くすることができ
る。従って、微細な寸法のコンデンサ接続端子ＣＴＣを
持つＩＣチップＣＨ等との面接続を、より確実に行うこ
とができる。なお上記では、いわゆるセミアディティブ
法を用いたが、サブトラクティブ法、フルアディティブ
法など他の手法を用いることもできる。また、ＩＣチッ
プとの接続の際のハンダ濡れ性等を考慮して、Ｃｕメッ
キの後にＮｉメッキ、あるいはＮｉ及びＡｕメッキを施
しても良い。
【００５３】（実施形態２）上記実施形態１等では、積
層部の積層方向片側（図中上部）にビア−側面転換部を
設け、このビア−側面転換部でＩＣチップ等と面接続で
きるようにしたコンデンサを示したが、ビア−側面転換
部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図７
に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ４０
０は、平面視略正方形板状で、大別して積層部４１０
と、この上下に２つの転換部、第１ビア−側面転換部４
２０と第２ビア−側面転換部４３０とを有する。なお、
このコンデンサ４００は、転換部を２つ備える点を除
き、実施形態１のコンデンサ１００とほぼ同様であるの
で、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化
する。
層部の積層方向片側（図中上部）にビア−側面転換部を
設け、このビア−側面転換部でＩＣチップ等と面接続で
きるようにしたコンデンサを示したが、ビア−側面転換
部は積層部の積層方向両側に設けても良い。即ち、図７
に平面図及び斜視断面図を示す本発明のコンデンサ４０
０は、平面視略正方形板状で、大別して積層部４１０
と、この上下に２つの転換部、第１ビア−側面転換部４
２０と第２ビア−側面転換部４３０とを有する。なお、
このコンデンサ４００は、転換部を２つ備える点を除
き、実施形態１のコンデンサ１００とほぼ同様であるの
で、同様な部分については、説明を省略あるいは簡略化
する。
【００５４】積層部４１０は、実施形態１と同様に多数
の誘電体層４０１と電極層４０２とを交互に積層した略
正方形板状の積層体４０３を有する。さらに、この積層
体４０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面
４０３Ａ，４０３Ｂには、各電極層４０２と１層おきに
導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４０４
Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積
層部４１０は、共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂと、共通
電極層４０４Ａで互いに導通された第１電極層４０２Ａ
の群及び共通電極層４０４Ｂで互いに導通された第２電
極層４０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層４０１
とを有し、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様
の構造とされている。なお、この積層部４１０のうち積
層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方
の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２
ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されてい
る。
の誘電体層４０１と電極層４０２とを交互に積層した略
正方形板状の積層体４０３を有する。さらに、この積層
体４０３のうち積層方向（図中上下方向）に平行な側面
４０３Ａ，４０３Ｂには、各電極層４０２と１層おきに
導通ししかも互いに絶縁された一対の共通電極層４０４
Ａ，４０４Ｂがそれぞれ形成されている。つまりこの積
層部４１０は、共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂと、共通
電極層４０４Ａで互いに導通された第１電極層４０２Ａ
の群及び共通電極層４０４Ｂで互いに導通された第２電
極層４０２Ｂの群と、これらに挟まれた誘電体層４０１
とを有し、従来の積層セラミックコンデンサとほぼ同様
の構造とされている。なお、この積層部４１０のうち積
層方向最外側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方
の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２電極層４０２
ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層形成されてい
る。
【００５５】また、第１ビア−側面転換部４２０も、実
施形態１におけるビア−側面転換部１２０と同様であ
る。即ち、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの
積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層４２
１を備え、この転換絶縁層４２１の外表面（図中上面）
４２１Ｔには、図７（ａ）に破線で示す第１接続パッド
４２２Ａ、及び第２接続パッド４２２Ｂの２種類の接続
パッド４２２が、格子状に多数形成されている。この接
続パッド４２２は、前記実施形態１の場合と同様に、直
接ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞ
れ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデン
サを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂
絶縁層等を介してＩＣチップやマザーボード等の他の電
子部品の接続端子と接続することもできる。また、一方
の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４２１の側面４２
１Ａを経由して、外表面４２１Ｔのうち第２接続パッド
４２２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍
を除く部分に拡がる側面経由配線層４２３を備える。こ
の側面経由配線４２３は、そのうちの一部が上記した第
１接続パッド４２２Ａとなっている。つまり側面経由配
線４２３によって、第１接続パッド４２２Ａと一方の共
通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経
由配線４２３は、多数の第１接続パッド４２２Ａと同時
に接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗
やインダクタンスを低く抑えることができる。
施形態１におけるビア−側面転換部１２０と同様であ
る。即ち、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの
積層方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層４２
１を備え、この転換絶縁層４２１の外表面（図中上面）
４２１Ｔには、図７（ａ）に破線で示す第１接続パッド
４２２Ａ、及び第２接続パッド４２２Ｂの２種類の接続
パッド４２２が、格子状に多数形成されている。この接
続パッド４２２は、前記実施形態１の場合と同様に、直
接ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとそれぞ
れ面接続する（図８参照）ことができるほか、コンデン
サを内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂
絶縁層等を介してＩＣチップやマザーボード等の他の電
子部品の接続端子と接続することもできる。また、一方
の共通電極層４０４Ａから転換絶縁層４２１の側面４２
１Ａを経由して、外表面４２１Ｔのうち第２接続パッド
４２２Ｂの周縁及び共通電極層４０４Ｂに近い右端近傍
を除く部分に拡がる側面経由配線層４２３を備える。こ
の側面経由配線４２３は、そのうちの一部が上記した第
１接続パッド４２２Ａとなっている。つまり側面経由配
線４２３によって、第１接続パッド４２２Ａと一方の共
通電極層４０４Ａとが導通している。また、この側面経
由配線４２３は、多数の第１接続パッド４２２Ａと同時
に接続しており、形成容易で、側面経由配線の持つ抵抗
やインダクタンスを低く抑えることができる。
【００５６】また、最上第２電極層４０２ＢＵから転換
絶縁層４２１を貫通して外表面４２１Ｔに延出し、第２
接続パッド４２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４
２５を備える。したがって、転換ビア導体４２５及び最
上第２電極層４０２ＢＵを通じて、第２接続パッド４２
２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
絶縁層４２１を貫通して外表面４２１Ｔに延出し、第２
接続パッド４２２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４
２５を備える。したがって、転換ビア導体４２５及び最
上第２電極層４０２ＢＵを通じて、第２接続パッド４２
２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
【００５７】さらに、本実施形態では、積層部４１０の
図中下方に第２ビア−側面転換部４３０を有する。この
第２ビア−側面転換部４３０は、上記第１ビア−側面転
換部４２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層
部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側
（図中下方）に積層された転換絶縁層４３１を備え、こ
の転換絶縁層４３１の外表面（図中下面）４３１Ｖに
は、図７（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド４３２
Ａ、及び第４接続パッド４３２Ｂの２種類の接続パッド
４３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッ
ド４３２は、直接マザーボード等の配線基板のコンデン
サ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことがで
きるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基
板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の
他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
図中下方に第２ビア−側面転換部４３０を有する。この
第２ビア−側面転換部４３０は、上記第１ビア−側面転
換部４２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層
部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側
（図中下方）に積層された転換絶縁層４３１を備え、こ
の転換絶縁層４３１の外表面（図中下面）４３１Ｖに
は、図７（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド４３２
Ａ、及び第４接続パッド４３２Ｂの２種類の接続パッド
４３２が、格子状に多数形成されている。この接続パッ
ド４３２は、直接マザーボード等の配線基板のコンデン
サ接続端子とそれぞれ面接続する（図８参照）ことがで
きるほか、コンデンサを内蔵するコンデンサ付属配線基
板とした上で、樹脂絶縁層等を介してマザーボード等の
他の電子部品の接続端子と接続することもできる。
【００５８】また、一方の共通電極層４０４Ａから転換
絶縁層４３１の側面４３１Ａを経由して、外表面４３１
Ｖのうち第４接続パッド４３２Ｂの周縁及び共通電極層
４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配
線層４３３を備える。この側面経由配線４３３は、その
うちの一部が上記した第３接続パッド４３２Ａとなって
いる。つまり側面経由配線４３３によって、第３接続パ
ッド４３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通して
いる。また、この側面経由配線４３３は、同時に多数の
第３接続パッド４３２Ａと接続しており、形成容易で、
側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑える
ことができる。
絶縁層４３１の側面４３１Ａを経由して、外表面４３１
Ｖのうち第４接続パッド４３２Ｂの周縁及び共通電極層
４０４Ｂに近い右端近傍を除く部分に拡がる側面経由配
線層４３３を備える。この側面経由配線４３３は、その
うちの一部が上記した第３接続パッド４３２Ａとなって
いる。つまり側面経由配線４３３によって、第３接続パ
ッド４３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通して
いる。また、この側面経由配線４３３は、同時に多数の
第３接続パッド４３２Ａと接続しており、形成容易で、
側面経由配線の持つ抵抗やインダクタンスを低く抑える
ことができる。
【００５９】また、最下第２電極層４０２ＢＳから転換
絶縁層４３１を貫通して外表面４３１Ｔに延出し、第４
接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４
３５を備える。したがって、転換ビア導体４３５及び最
下第２電極層４０２ＢＳを通じて、第２接続パッド４３
２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
絶縁層４３１を貫通して外表面４３１Ｔに延出し、第４
接続パッド４３２Ｂにそれぞれ接続する転換ビア導体４
３５を備える。したがって、転換ビア導体４３５及び最
下第２電極層４０２ＢＳを通じて、第２接続パッド４３
２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが導通している。
【００６０】このコンデンサ４００は、第１ビア−側面
転換部４２０のみならず第２ビア−側面転換部４３０を
有する点で前記コンデンサ１００と異なる。しかし、そ
の製造方法については、表面に未焼成第１電極層１８２
Ａまたは未焼成第２電極層１８２Ｂを形成し、裏面及び
内部に図３（ｂ）に示したシート１８１と略同様の未焼
成ビア導体、未焼成導体層、未焼成接続パッドを形成し
たシートを形成して積層し、同時焼成して形成すれば、
ほぼ同様に手法によって形成することができる。また、
前記変形形態１，２と同様にして、予め積層部２１０を
形成しておき、第２ビア−側面転換部４３０について
も、樹脂絶縁層及び導体ペーストやメッキによって形成
するようにしても良い。
転換部４２０のみならず第２ビア−側面転換部４３０を
有する点で前記コンデンサ１００と異なる。しかし、そ
の製造方法については、表面に未焼成第１電極層１８２
Ａまたは未焼成第２電極層１８２Ｂを形成し、裏面及び
内部に図３（ｂ）に示したシート１８１と略同様の未焼
成ビア導体、未焼成導体層、未焼成接続パッドを形成し
たシートを形成して積層し、同時焼成して形成すれば、
ほぼ同様に手法によって形成することができる。また、
前記変形形態１，２と同様にして、予め積層部２１０を
形成しておき、第２ビア−側面転換部４３０について
も、樹脂絶縁層及び導体ペーストやメッキによって形成
するようにしても良い。
【００６１】本実施形態のコンデンサ４００は、実施形
態１と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、
さらに第２ビア−側面転換部４３０でマザーボード等の
配線基板と接続させることができる。即ち、図８に示す
ように、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫
通孔１５１Ｈ内にコンデンサ４００を有するコンデンサ
付属配線基板４５０を介在させるようにして、両者間を
接続することができる。このようにすると、マザーボー
ドＷＢの基板接続端子ＷＴＷから配線基板１５１内の内
部配線１５２を介してＩＣチップＣＨの基板接続端子Ｃ
ＴＷに接続できるほか、マザーボードＷＢのコンデンサ
接続端子ＷＴＣから、接続パッド４３２及び接続パッド
４２２を通じてＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子Ｃ
ＴＣと接続することができる。しかも、図９の回路図に
示すように、コンデンサ接続端子ＷＴＣ，ＣＴＣがそれ
ぞれ接続する第１接続パッド４２２Ａと第３接続パッド
４３２Ａ、第２接続パッド４２２Ｂと第４接続パッド４
３２Ｂとが、それぞれ共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂ電
極を介して導通し、しかも、その間をコンデンサ４００
が結ぶ構造となる。
態１と同様に、直接ＩＣチップと接続することができ、
さらに第２ビア−側面転換部４３０でマザーボード等の
配線基板と接続させることができる。即ち、図８に示す
ように、マザーボードＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫
通孔１５１Ｈ内にコンデンサ４００を有するコンデンサ
付属配線基板４５０を介在させるようにして、両者間を
接続することができる。このようにすると、マザーボー
ドＷＢの基板接続端子ＷＴＷから配線基板１５１内の内
部配線１５２を介してＩＣチップＣＨの基板接続端子Ｃ
ＴＷに接続できるほか、マザーボードＷＢのコンデンサ
接続端子ＷＴＣから、接続パッド４３２及び接続パッド
４２２を通じてＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子Ｃ
ＴＣと接続することができる。しかも、図９の回路図に
示すように、コンデンサ接続端子ＷＴＣ，ＣＴＣがそれ
ぞれ接続する第１接続パッド４２２Ａと第３接続パッド
４３２Ａ、第２接続パッド４２２Ｂと第４接続パッド４
３２Ｂとが、それぞれ共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂ電
極を介して導通し、しかも、その間をコンデンサ４００
が結ぶ構造となる。
【００６２】従って、例えば接地電位を第３接続パッド
４３２Ａに、電源電位を第４接続パッド４３２Ｂにそれ
ぞれ接続することで、配線基板１５０の内部配線１５２
を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチ
ップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができ
る。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣ
Ｈのごく近くにおいてコンデンサ４００によって確実に
除去することもできる。なお、コンデンサ４００の内部
構造は、既に説明した（図７（ｂ）参照）ので、本図で
は略記している。
４３２Ａに、電源電位を第４接続パッド４３２Ｂにそれ
ぞれ接続することで、配線基板１５０の内部配線１５２
を介することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチ
ップＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができ
る。しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣ
Ｈのごく近くにおいてコンデンサ４００によって確実に
除去することもできる。なお、コンデンサ４００の内部
構造は、既に説明した（図７（ｂ）参照）ので、本図で
は略記している。
【００６３】あるいは、コンデンサ４００を配線基板内
に内蔵固着させたコンデンサ付属配線基板を形成し、コ
ンデンサ４００の接続端子４２２，４３２を、樹脂絶縁
層やコア基板等に形成した内部配線を経由して、ＩＣチ
ップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもでき
る。このようにしても、コンデンサ４００を介して、低
抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣ
チップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができ
る。また、コンデンサ４００によってＩＣチップＣＨの
ごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができ
る。
に内蔵固着させたコンデンサ付属配線基板を形成し、コ
ンデンサ４００の接続端子４２２，４３２を、樹脂絶縁
層やコア基板等に形成した内部配線を経由して、ＩＣチ
ップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもでき
る。このようにしても、コンデンサ４００を介して、低
抵抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣ
チップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができ
る。また、コンデンサ４００によってＩＣチップＣＨの
ごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができ
る。
【００６４】（変形形態３）上記コンデンサ４００で
は、第１接続パッド４２２Ａはいずれも側面経由配線層
４２３の一部として形成され、第１接続パッド４２２Ａ
が互いに連結した複数接続パッドとなっていた。一方、
第２接続パッド４２２Ｂはいずれも他から独立し、それ
ぞれ転換ビア導体４２５を通じて最上第２電極層４０２
ＢＵに接続していた。しかし、第２接続パッドについて
も、複数の第２接続パッドが連結した複数接続パッドと
しても良い。図１０に示す本変形形態にかかるコンデン
サ５００では、上記実施形態３と同様の積層部４１０と
第２ビア−側面転換部４３０を有する他、第２複数接続
パッド５２４を備えた第１ビア−側面転換部５２０を有
する。第１ビア−側面転換部５２０は、積層部４１０の
最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）
に積層された転換絶縁層５２１を備え、この転換絶縁層
５２１の外表面（図中上面）５２１Ｔには、図１０
（ａ）に破線で示す第１接続パッド５２２Ａ、及び第２
接続パッド５２２Ｂの２種類の接続パッド５２２が、格
子状に多数形成されている。この接続パッド５２２は、
前記実施形態３の場合と同様に、直接ＩＣチップのコン
デンサ接続端子とそれぞれ面接続させたり、コンデンサ
付属配線基板に内蔵させた上で、ＩＣチップなどの電子
部品の接続端子と接続させることができる。
は、第１接続パッド４２２Ａはいずれも側面経由配線層
４２３の一部として形成され、第１接続パッド４２２Ａ
が互いに連結した複数接続パッドとなっていた。一方、
第２接続パッド４２２Ｂはいずれも他から独立し、それ
ぞれ転換ビア導体４２５を通じて最上第２電極層４０２
ＢＵに接続していた。しかし、第２接続パッドについて
も、複数の第２接続パッドが連結した複数接続パッドと
しても良い。図１０に示す本変形形態にかかるコンデン
サ５００では、上記実施形態３と同様の積層部４１０と
第２ビア−側面転換部４３０を有する他、第２複数接続
パッド５２４を備えた第１ビア−側面転換部５２０を有
する。第１ビア−側面転換部５２０は、積層部４１０の
最上第２電極層４０２ＢＵの積層方向外側（図中上方）
に積層された転換絶縁層５２１を備え、この転換絶縁層
５２１の外表面（図中上面）５２１Ｔには、図１０
（ａ）に破線で示す第１接続パッド５２２Ａ、及び第２
接続パッド５２２Ｂの２種類の接続パッド５２２が、格
子状に多数形成されている。この接続パッド５２２は、
前記実施形態３の場合と同様に、直接ＩＣチップのコン
デンサ接続端子とそれぞれ面接続させたり、コンデンサ
付属配線基板に内蔵させた上で、ＩＣチップなどの電子
部品の接続端子と接続させることができる。
【００６５】第２接続パッド５２２Ｂには、上記実施形
態３と同様に、他から独立した独立第２接続パッド５２
２ＢＤの他、複数の接続パッドを含む第２複数接続パッ
ド５２４に属する連結第２接続パッド５２２ＢＣの２種
類がある。独立第２接続パッド５２２ＢＤは上記実施形
態３と同様に、転換ビア導体５２５によって個別に最上
第２電極層４０２ＢＵに接続しているが、連結第２接続
パッド５２２ＢＣについては、図１０（ｂ）に示すよう
に、複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む１つの
第２複数接続パッド５２４が、１つの転換ビア導体５２
５によって最上第２電極層４０２ＢＵに接続している。
このように複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む
第２複数接続パッド５２４を形成すると、転換絶縁層５
２１に形成する転換ビア導体５２５の数を、形成する第
２接続パッド５２２Ｂの数より減少させることができ、
コンデンサ５００の形成が容易になる。
態３と同様に、他から独立した独立第２接続パッド５２
２ＢＤの他、複数の接続パッドを含む第２複数接続パッ
ド５２４に属する連結第２接続パッド５２２ＢＣの２種
類がある。独立第２接続パッド５２２ＢＤは上記実施形
態３と同様に、転換ビア導体５２５によって個別に最上
第２電極層４０２ＢＵに接続しているが、連結第２接続
パッド５２２ＢＣについては、図１０（ｂ）に示すよう
に、複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む１つの
第２複数接続パッド５２４が、１つの転換ビア導体５２
５によって最上第２電極層４０２ＢＵに接続している。
このように複数の連結第２接続パッド５２２ＢＣを含む
第２複数接続パッド５２４を形成すると、転換絶縁層５
２１に形成する転換ビア導体５２５の数を、形成する第
２接続パッド５２２Ｂの数より減少させることができ、
コンデンサ５００の形成が容易になる。
【００６６】（実施形態３）次いで、他の実施形態につ
いて説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれ
も積層部の他、ビア−側面転換部（第１，第２ビア−側
面転換部）を有し、積層部側面に形成された共通電極層
のうち一方は側面経由配線層により、他方は転換ビア導
体により、面接続可能な第１，第２接続パッドなどに転
換された。これに対し、本実施形態では、例えば、図１
１に示すように、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、い
ずれも側面経由配線層によって面接続可能な接続パッド
に変換する。即ち、本実施形態にかかるコンデンサ６０
０は、実施形態１と同様の積層部１１０の他、側面−側
面転換部６２０を有する。この側面−側面転換部６２０
には、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層６２１を
備え、この転換絶縁層６２１の外表面（図中上方面）６
２１Ｔには、図１１に破線で示す第１接続パッド６２２
Ａ、及び第２接続パッド６２２Ｂの２種類の接続パッド
６２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッ
ド６２２は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコン
デンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものであ
る（図２参照）。
いて説明する。上記実施形態では、コンデンサはいずれ
も積層部の他、ビア−側面転換部（第１，第２ビア−側
面転換部）を有し、積層部側面に形成された共通電極層
のうち一方は側面経由配線層により、他方は転換ビア導
体により、面接続可能な第１，第２接続パッドなどに転
換された。これに対し、本実施形態では、例えば、図１
１に示すように、共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを、い
ずれも側面経由配線層によって面接続可能な接続パッド
に変換する。即ち、本実施形態にかかるコンデンサ６０
０は、実施形態１と同様の積層部１１０の他、側面−側
面転換部６２０を有する。この側面−側面転換部６２０
には、積層部１１０の最上第２電極層１０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層６２１を
備え、この転換絶縁層６２１の外表面（図中上方面）６
２１Ｔには、図１１に破線で示す第１接続パッド６２２
Ａ、及び第２接続パッド６２２Ｂの２種類の接続パッド
６２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッ
ド６２２は、実施形態１と同様にＩＣチップＣＨのコン
デンサ接続端子ＣＴＣなどとそれぞれ接続するものであ
る（図２参照）。
【００６７】さらに、２つの共通電極層１０４Ａ，１０
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層６２１の側面６２１Ａ，
６２１Ｂを経由して外表面６２１Ｔに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１
側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４を
備える。これらの第１側面経由配線層６２３及び第２側
面経由配線６２４は、そのうちの一部がそれぞれ上記し
た第１接続パッド６２２Ａ及び第２接続パッド６２２Ｂ
となっている。つまり第１側面経由配線６２３によっ
て、第１接続パッド６２２Ａと一方の共通電極層１０４
Ａとが導通している。同じく第２側面経由配線６２４に
よって、第２接続パッド６２２Ｂと他方の共通電極層１
０４Ｂとが導通している。また、この第１側面経由配線
６２３は、図１１に破線で示すように、多数の第１接続
パッド６２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド６
２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド６２２Ａ
毎に、転換絶縁層６２１の側面６２１Ａを経由する側面
経由配線で共通電極層６０４Ａと接続させると、形成す
べき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅
が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタン
スが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経
由配線６２３は、同時に多数の第１接続パッド６２２Ａ
と接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ
抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２
側面経由配線６２４も第２接続パッド６２２Ｂとの関係
について同様である。
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層６２１の側面６２１Ａ，
６２１Ｂを経由して外表面６２１Ｔに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１
側面経由配線層６２３及び第２側面経由配線層６２４を
備える。これらの第１側面経由配線層６２３及び第２側
面経由配線６２４は、そのうちの一部がそれぞれ上記し
た第１接続パッド６２２Ａ及び第２接続パッド６２２Ｂ
となっている。つまり第１側面経由配線６２３によっ
て、第１接続パッド６２２Ａと一方の共通電極層１０４
Ａとが導通している。同じく第２側面経由配線６２４に
よって、第２接続パッド６２２Ｂと他方の共通電極層１
０４Ｂとが導通している。また、この第１側面経由配線
６２３は、図１１に破線で示すように、多数の第１接続
パッド６２２Ａを含む、つまり多数の第１接続パッド６
２２Ａと同時に接続している。第１接続パッド６２２Ａ
毎に、転換絶縁層６２１の側面６２１Ａを経由する側面
経由配線で共通電極層６０４Ａと接続させると、形成す
べき側面経由配線の数が多くなって各側面経由配線の幅
が狭くなり、各側面経由配線の持つ抵抗やインダクタン
スが高くなりがちである。しかし、本実施形態の側面経
由配線６２３は、同時に多数の第１接続パッド６２２Ａ
と接続しているので、形成容易で、側面経由配線の持つ
抵抗やインダクタンスを低く抑えることができる。第２
側面経由配線６２４も第２接続パッド６２２Ｂとの関係
について同様である。
【００６８】このようなコンデンサ６００によっても、
積層部１１０の側面部分に形成された２つの共通電極層
１０４Ａ，１０４Ｂを、面接続可能な接続パッド６２２
（６２２Ａ，６２２Ｂ）に転換できたので、コンデンサ
６００を直接ＩＣチップＣＨと接続させるなど、ごく短
い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダク
タンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、
２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の
共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例
えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１
００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去するこ
とができる。
積層部１１０の側面部分に形成された２つの共通電極層
１０４Ａ，１０４Ｂを、面接続可能な接続パッド６２２
（６２２Ａ，６２２Ｂ）に転換できたので、コンデンサ
６００を直接ＩＣチップＣＨと接続させるなど、ごく短
い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダク
タンスや抵抗をごく小さくすることができる。しかも、
２つの共通電極層１０４Ａ，１０４Ｂを利用し、一方の
共通電極層（例えば１０４Ａ）を電源電位に、他方（例
えば１０４Ｂ）を接地電位にすることで、コンデンサ１
００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去するこ
とができる。
【００６９】次いで、コンデンサ６００の製造方法につ
いて、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）
に示すように、実施形態１と同様のＢａＴｉＯ3粉末を
主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート１８１
を多数製造する。次いで、このシート１８１のうち１枚
について、図１２（ｂ）に示すように、このシート１８
１の表面１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり互
いにかみ合った櫛歯状パターン（図１１参照）を有する
未焼成導体層６８３，６８４を形成する。
いて、図１２を参照して説明する。まず、図１２（ａ）
に示すように、実施形態１と同様のＢａＴｉＯ3粉末を
主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート１８１
を多数製造する。次いで、このシート１８１のうち１枚
について、図１２（ｂ）に示すように、このシート１８
１の表面１８１の所定位置に、Ｐｄペーストからなり互
いにかみ合った櫛歯状パターン（図１１参照）を有する
未焼成導体層６８３，６８４を形成する。
【００７０】他のシート１８１の半数については、図１
２（ｃ）に示すように、実施形態１と同様に、その表面
１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８
２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１２
（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペースト
からなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成
第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはい
ずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆う
が、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右
端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１
の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
２（ｃ）に示すように、実施形態１と同様に、その表面
１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１８
２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１２
（ｄ）に示すように、その表面１８１ＴにＰｄペースト
からなる未焼成第２電極層１８２Ｂを形成する。未焼成
第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２電極層１８２Ｂはい
ずれも、シート１８１の表面１８１Ｔのほぼ全面を覆う
が、未焼成第１電極層１８２Ａはシート１８１の図中右
端近傍、逆に未焼成第２電極層１８２Ｂはシート１８１
の図中左端近傍を覆わないパターンとされている。
【００７１】次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上
に、未焼成導体層６８３，６８４形成したシート１８１
を積層し圧着して、図１２（ｄ）に示すように、積層体
６８６を形成する。この積層体６８６の側面６８６Ａに
は、未焼成導体層６８３及び未焼成第１電極層１８２Ａ
が、また側面６８６Ｂには、未焼成導体層６８４及び未
焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面６
８６Ａ，６８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層６
８７Ａ，６８７Ｂをそれぞれ形成する。
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層し、さらに最も上
に、未焼成導体層６８３，６８４形成したシート１８１
を積層し圧着して、図１２（ｄ）に示すように、積層体
６８６を形成する。この積層体６８６の側面６８６Ａに
は、未焼成導体層６８３及び未焼成第１電極層１８２Ａ
が、また側面６８６Ｂには、未焼成導体層６８４及び未
焼成第２電極層１８２Ｂが露出する。さらにこの側面６
８６Ａ，６８６Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電極層６
８７Ａ，６８７Ｂをそれぞれ形成する。
【００７２】この積層体６８６では、未焼成共通電極層
６８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、未焼成導体層６８３とも接続する。一方、
未焼成共通電極層６８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層
１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成導体層６８４とも
接続する。次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼
成）して、図１１に示すコンデンサ６００を形成する。
コンデンサ６００をこのようにして形成したので、実施
形態１と同様に焼成後、直ちにコンデンサとして使用す
ることができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接
続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、
焼成後に、第１側面経由配線層６２３（第１接続パッド
６２２Ａ）や第２側面経由配線層６２４（第２接続パッ
ド６２２Ｂ）について、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキ
を施すようにしても良い。このように、同時焼成によっ
てコンデンサ６００を形成すると、容易かつ安価にコン
デンサ６００を形成することができる。さらに、このコ
ンデンサ６００では、シート１８１に未焼成ビア導体１
８３を形成する必要が無い（図３（ｂ）参照）ので、実
施形態１のコンデンサ１００と比較しても、形成が容易
になる。
６８７Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、未焼成導体層６８３とも接続する。一方、
未焼成共通電極層６８７Ｂはいずれの未焼成第２電極層
１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成導体層６８４とも
接続する。次いで、この積層体１８６を焼成（同時焼
成）して、図１１に示すコンデンサ６００を形成する。
コンデンサ６００をこのようにして形成したので、実施
形態１と同様に焼成後、直ちにコンデンサとして使用す
ることができる。なお、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接
続端子ＣＴＣ等との接続時のハンダ濡れ性改善のため、
焼成後に、第１側面経由配線層６２３（第１接続パッド
６２２Ａ）や第２側面経由配線層６２４（第２接続パッ
ド６２２Ｂ）について、Ｎｉ−Ａｕメッキなどのメッキ
を施すようにしても良い。このように、同時焼成によっ
てコンデンサ６００を形成すると、容易かつ安価にコン
デンサ６００を形成することができる。さらに、このコ
ンデンサ６００では、シート１８１に未焼成ビア導体１
８３を形成する必要が無い（図３（ｂ）参照）ので、実
施形態１のコンデンサ１００と比較しても、形成が容易
になる。
【００７３】（実施形態４）次いで、積層部の積層方向
両側（図中上下部）に側面−側面転換部を設け、この側
面−側面転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにし
たコンデンサを示す。即ち、図１３に平面図及び斜視断
面図を示す本発明のコンデンサ７００は、平面視略正方
形板状で、大別して実施形態２と同様の積層部４１０
と、この上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部７
２０と第２側面−側面転換部７３０とを有する。なお、
このコンデンサ７００のうち、積層部４１０は実施形態
４のコンデンサ４００と同様であり、第１側面−側面転
換部７２０は実施形態３のコンデンサ６００の側面−側
面転換部６２０と同様であるので、同様な部分について
は、説明を省略あるいは簡略化する。
両側（図中上下部）に側面−側面転換部を設け、この側
面−側面転換部でＩＣチップ等を面接続できるようにし
たコンデンサを示す。即ち、図１３に平面図及び斜視断
面図を示す本発明のコンデンサ７００は、平面視略正方
形板状で、大別して実施形態２と同様の積層部４１０
と、この上下に２つの転換部、第１側面−側面転換部７
２０と第２側面−側面転換部７３０とを有する。なお、
このコンデンサ７００のうち、積層部４１０は実施形態
４のコンデンサ４００と同様であり、第１側面−側面転
換部７２０は実施形態３のコンデンサ６００の側面−側
面転換部６２０と同様であるので、同様な部分について
は、説明を省略あるいは簡略化する。
【００７４】積層部４１０は、実施形態４と同様の構造
を有し、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面４
０３Ａ，４０３Ｂには、一対の共通電極層４０４Ａ，４
０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部４
１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、
それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２
電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層
形成されている。
を有し、その積層方向（図中上下方向）に平行な側面４
０３Ａ，４０３Ｂには、一対の共通電極層４０４Ａ，４
０４Ｂがそれぞれ形成されている。なお、この積層部４
１０のうち積層方向最外側（図中上方及び下方）には、
それぞれ一方の共通電極層４０４Ｂと導通する最上第２
電極層４０２ＢＵ及び最下第２電極層４０２ＢＳが積層
形成されている。
【００７５】一方、第１側面−側面転換部７２０は、実
施形態３のコンデンサ６００における側面−側面転換部
６２０と同様である。この第１側面−側面転換部７２０
には、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を
備え、この転換絶縁層７２１の外表面（図中上方面）７
２１Ｔには、図１３に破線で示す第１接続パッド７２２
Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７
２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド
７２２も、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ
となどそれぞれ面接続可能となっている（図２参照）。
施形態３のコンデンサ６００における側面−側面転換部
６２０と同様である。この第１側面−側面転換部７２０
には、積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を
備え、この転換絶縁層７２１の外表面（図中上方面）７
２１Ｔには、図１３に破線で示す第１接続パッド７２２
Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７
２２が、格子状に多数形成されている。この接続パッド
７２２も、ＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣ
となどそれぞれ面接続可能となっている（図２参照）。
【００７６】さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，
７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１
側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を
備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した
第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂと
なっている。つまり第１側面経由配線７２３によって、
第１接続パッド７２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａと
が導通し、同じく第２側面経由配線７２４によって、第
２接続パッド７２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが
導通している。また、この第１側面経由配線７２３は、
図１３に破線で示すように、多数の第１接続パッド７２
２Ａを含み、多数の第１接続パッド７２２Ａと同時に接
続している。このように、第１側面経由配線７２３を同
時に多数の第１接続パッド７２２Ａと接続させると、形
成容易で、第１側面経由配線の持つ抵抗やインダクタン
スを低く抑えることができる。第２側面経由配線７２４
も第２接続パッド７２２Ｂとの関係について同様であ
る。
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７２１Ａ，
７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第１
側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層７２４を
備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した
第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７２２Ｂと
なっている。つまり第１側面経由配線７２３によって、
第１接続パッド７２２Ａと一方の共通電極層４０４Ａと
が導通し、同じく第２側面経由配線７２４によって、第
２接続パッド７２２Ｂと他方の共通電極層４０４Ｂとが
導通している。また、この第１側面経由配線７２３は、
図１３に破線で示すように、多数の第１接続パッド７２
２Ａを含み、多数の第１接続パッド７２２Ａと同時に接
続している。このように、第１側面経由配線７２３を同
時に多数の第１接続パッド７２２Ａと接続させると、形
成容易で、第１側面経由配線の持つ抵抗やインダクタン
スを低く抑えることができる。第２側面経由配線７２４
も第２接続パッド７２２Ｂとの関係について同様であ
る。
【００７７】さらに、本実施形態では、積層部４１０の
図中下方に第２側面−側面転換部７３０を有する。この
第２側面−側面転換部７３０は、上記第１側面−側面転
換部７２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層
部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側
（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、こ
の転換絶縁層７３１の外表面（図中下面）７３１Ｖに
は、図１３（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド７３
２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接
続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。この
接続パッド７３２も、実施形態２と同様に、直接マザー
ボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面
接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを
内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁
層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子
と接続させることもできる。
図中下方に第２側面−側面転換部７３０を有する。この
第２側面−側面転換部７３０は、上記第１側面−側面転
換部７２０とほぼ同様な構造を有している。即ち、積層
部４１０の最下第２電極層４０２ＢＳの積層方向外側
（図中下方）に積層された転換絶縁層７３１を備え、こ
の転換絶縁層７３１の外表面（図中下面）７３１Ｖに
は、図１３（ｂ）下方に破線で示す第３接続パッド７３
２Ａ、及び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接
続パッド７３２が、格子状に多数形成されている。この
接続パッド７３２も、実施形態２と同様に、直接マザー
ボード等の配線基板のコンデンサ接続端子とそれぞれ面
接続する（図８参照）ことができるほか、コンデンサを
内蔵するコンデンサ付属配線基板とした上で、樹脂絶縁
層等を介してマザーボード等の他の電子部品の接続端子
と接続させることもできる。
【００７８】さらに、２つの共通電極層４０４Ａ，４０
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，
７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３
側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を
備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した
第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなってい
る。つまり第３側面経由配線７３３によって、第３接続
パッド７３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通
し、同じく第４側面経由配線７３４によって、第４接続
パッド（図示しない）と他方の共通電極層４０４Ｂとが
導通している。また、この第３側面経由配線７３３は、
図１３（ｂ）に破線で示すように、多数の第３接続パッ
ド７３２Ａを含み、多数の第３接続パッド７３２Ａと同
時に接続している。このように、第３側面経由配線７３
３を同時に多数の第３接続パッド７３２Ａと接続させる
と、形成容易で、第３側面経由配線の持つ抵抗やインダ
クタンスを低く抑えることができる。第４側面経由配線
７３４も第４接続パッドとの関係について同様である。
４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７３１の側面７３１Ａ，
７３１Ｂを経由して外表面７３１Ｖに拡がり、互いに絶
縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パターンの第３
側面経由配線層７３３及び第４側面経由配線層７３４を
備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ上記した
第３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドとなってい
る。つまり第３側面経由配線７３３によって、第３接続
パッド７３２Ａと一方の共通電極層４０４Ａとが導通
し、同じく第４側面経由配線７３４によって、第４接続
パッド（図示しない）と他方の共通電極層４０４Ｂとが
導通している。また、この第３側面経由配線７３３は、
図１３（ｂ）に破線で示すように、多数の第３接続パッ
ド７３２Ａを含み、多数の第３接続パッド７３２Ａと同
時に接続している。このように、第３側面経由配線７３
３を同時に多数の第３接続パッド７３２Ａと接続させる
と、形成容易で、第３側面経由配線の持つ抵抗やインダ
クタンスを低く抑えることができる。第４側面経由配線
７３４も第４接続パッドとの関係について同様である。
【００７９】本実施形態のコンデンサ７００も、実施形
態２のコンデンサ４００と同様に、直接ＩＣチップと接
続することができ、さらに第２側面−側面転換部７３０
でマザーボード等の配線基板と接続させることができる
（図８、図９参照）。従って、配線基板の内部配線を介
することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップ
ＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。
しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨの
ごく近くにおいてコンデンサ７００によって確実に除去
することもできる。あるいは、実施形態２と同様に、コ
ンデンサ７００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板
を形成し、コンデンサ７００の接続端子７２２，７３２
を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由
して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させ
ることもできる。このようにしても、コンデンサ７００
を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボード
ＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給す
ることができる。また、コンデンサ７００によってＩＣ
チップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去する
ことができる。なお、このコンデンサ７００は、実施形
態３のコンデンサ６００と同様にして容易に形成するこ
とができ、未焼成転換ビア導体を形成する必要がない点
でも特に形成が容易である。
態２のコンデンサ４００と同様に、直接ＩＣチップと接
続することができ、さらに第２側面−側面転換部７３０
でマザーボード等の配線基板と接続させることができる
（図８、図９参照）。従って、配線基板の内部配線を介
することなく、低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップ
ＣＨに電源電位及び接地電位を供給することができる。
しかも、この電位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨの
ごく近くにおいてコンデンサ７００によって確実に除去
することもできる。あるいは、実施形態２と同様に、コ
ンデンサ７００を内蔵固着したコンデンサ付属配線基板
を形成し、コンデンサ７００の接続端子７２２，７３２
を、樹脂絶縁層やコア基板等の形成した内部配線を経由
して、ＩＣチップＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させ
ることもできる。このようにしても、コンデンサ７００
を介して、低抵抗、低インダクタンスで、マザーボード
ＷＢからＩＣチップＣＨに電源電位や接地電位を供給す
ることができる。また、コンデンサ７００によってＩＣ
チップＣＨのごく近傍でこれらの間のノイズも除去する
ことができる。なお、このコンデンサ７００は、実施形
態３のコンデンサ６００と同様にして容易に形成するこ
とができ、未焼成転換ビア導体を形成する必要がない点
でも特に形成が容易である。
【００８０】（変形形態４）上記実施形態４では、Ｐｄ
からなり上面が平坦な第１側面経由配線層７２３、第２
側面経由配線層７２４、第３接続パッド７３２Ａ、及び
第４接続パッド（図示しない）の一部をそれぞれ接続パ
ッド７２２，７３２として用いたが、例えば、ＩＣチッ
プＣＨのコンデンサ端子ＣＴＣとの接続の際、ハンダが
濡れ拡がって接続に寄与するハンダ量が不安定になった
り、隣接する接続パッド間でハンダが接触してハンダ量
が偏る場合がある。そこで、例えば本変形形態のコンデ
ンサ８００のように、ＩＣチップや配線基板など他の電
子部品との接続の際、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣
接する接続パッド間を分離する分離層（ソルダーレジス
ト層）を形成すると良い。即ち、図１４に示すコンデン
サ８００は、上記実施形態４のコンデンサ７００の上下
に、各接続パッド７２２，７３２に対応した位置に透孔
８２１Ｈ，８３１Ｈを形成したソルダーレジスト層８２
１，８３１をそれぞれ形成したものである。
からなり上面が平坦な第１側面経由配線層７２３、第２
側面経由配線層７２４、第３接続パッド７３２Ａ、及び
第４接続パッド（図示しない）の一部をそれぞれ接続パ
ッド７２２，７３２として用いたが、例えば、ＩＣチッ
プＣＨのコンデンサ端子ＣＴＣとの接続の際、ハンダが
濡れ拡がって接続に寄与するハンダ量が不安定になった
り、隣接する接続パッド間でハンダが接触してハンダ量
が偏る場合がある。そこで、例えば本変形形態のコンデ
ンサ８００のように、ＩＣチップや配線基板など他の電
子部品との接続の際、ハンダの濡れ拡がりを防止し、隣
接する接続パッド間を分離する分離層（ソルダーレジス
ト層）を形成すると良い。即ち、図１４に示すコンデン
サ８００は、上記実施形態４のコンデンサ７００の上下
に、各接続パッド７２２，７３２に対応した位置に透孔
８２１Ｈ，８３１Ｈを形成したソルダーレジスト層８２
１，８３１をそれぞれ形成したものである。
【００８１】本変形形態のコンデンサ８００は、積層部
４１０の他、上下に２つの転換部、第１側面−側面転換
部８２０及び第２側面−側面転換部８３０を有する。こ
のうち、第１側面−側面転換部８２０は、実施形態４と
同じく積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を
備え、この転換絶縁層７２１の外表面７２１Ｔには、図
１４に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続
パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状
に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４
Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７
２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、
互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パター
ンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層
７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ
上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７
２２Ｂとなっている。
４１０の他、上下に２つの転換部、第１側面−側面転換
部８２０及び第２側面−側面転換部８３０を有する。こ
のうち、第１側面−側面転換部８２０は、実施形態４と
同じく積層部４１０の最上第２電極層４０２ＢＵの積層
方向外側（図中上方）に積層された転換絶縁層７２１を
備え、この転換絶縁層７２１の外表面７２１Ｔには、図
１４に破線で示す第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続
パッド７２２Ｂの２種類の接続パッド７２２が、格子状
に多数形成されている。さらに２つの共通電極層４０４
Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁層７２１の側面７
２１Ａ，７２１Ｂを経由して外表面７２１Ｔに拡がり、
互いに絶縁されながらも互いにかみ合った櫛歯状パター
ンの第１側面経由配線層７２３及び第２側面経由配線層
７２４を備える。これらは、そのうちの一部がそれぞれ
上記した第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッド７
２２Ｂとなっている。
【００８２】さらに、この第１側面経由配線層７２３及
び第２側面経由配線層７２４上には、エポキシ樹脂から
なり、図１４に破線で示す上記第１接続パッド７２２Ａ
及び第２接続パッド７２２Ｂにそれぞれ対応する位置に
透孔８２１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト
層８２１が形成されている。このため、例えば、第１接
続パッド７２２Ａや第２接続パッド７２２Ｂと、ＩＣチ
ップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとの接続に際して
（図８参照）、ハンダが第１接続パッド７２２Ａ等以外
の第１側面経由配線層７２３や第２側面経由配線層７２
４上に濡れ拡がることが無くなる。従って、このコンデ
ンサ８００の第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッ
ド７２２Ｂと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安
定し、確実に接続することができる。
び第２側面経由配線層７２４上には、エポキシ樹脂から
なり、図１４に破線で示す上記第１接続パッド７２２Ａ
及び第２接続パッド７２２Ｂにそれぞれ対応する位置に
透孔８２１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト
層８２１が形成されている。このため、例えば、第１接
続パッド７２２Ａや第２接続パッド７２２Ｂと、ＩＣチ
ップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとの接続に際して
（図８参照）、ハンダが第１接続パッド７２２Ａ等以外
の第１側面経由配線層７２３や第２側面経由配線層７２
４上に濡れ拡がることが無くなる。従って、このコンデ
ンサ８００の第１接続パッド７２２Ａ及び第２接続パッ
ド７２２Ｂと他の電子部品との接続に与るハンダ量が安
定し、確実に接続することができる。
【００８３】同様に第２側面−側面転換部８３０も、実
施形態４と同じく積層部４１０の最下第２電極層４０２
ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁
層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面７３１
Ｖには、図１４に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ及
び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド
７３２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの
共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁
層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７
３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合
った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第
４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうち
の一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び
第４接続パッドとなっている。
施形態４と同じく積層部４１０の最下第２電極層４０２
ＢＳの積層方向外側（図中下方）に積層された転換絶縁
層７３１を備え、この転換絶縁層７３１の外表面７３１
Ｖには、図１４に破線で示す第３接続パッド７３２Ａ及
び第４接続パッド（図示しない）の２種類の接続パッド
７３２が、格子状に多数形成されている。さらに２つの
共通電極層４０４Ａ，４０４Ｂから、それぞれ転換絶縁
層７３１の側面７３１Ａ，７３１Ｂを経由して外表面７
３１Ｖに拡がり、互いに絶縁されながらも互いにかみ合
った櫛歯状パターンの第３側面経由配線層７３３及び第
４側面経由配線層７３４を備える。これらは、そのうち
の一部がそれぞれ上記した第３接続パッド７３２Ａ及び
第４接続パッドとなっている。
【００８４】さらに、この第３側面経由配線層７３３及
び第４側面経由配線層７３４上にも、エポキシ樹脂から
なり、図１４に破線で示す上記第３接続パッド７３２Ａ
及び第４接続パッドにそれぞれ対応する位置に透孔８３
１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８３１
が形成されている。このため、例えば、第３接続パッド
７３２Ａや第４接続パッドと、マザーボードＷＢのコン
デンサ接続端子ＷＴＷとの接続に際して（図８参照）、
ハンダが第３接続パッド７３２Ａ等以外の第３側面経由
配線層７３３や第４側面経由配線層７３４上に濡れ拡が
ることが無くなる。従って、このコンデンサ８００の第
３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドと他の電子部
品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続するこ
とができる。
び第４側面経由配線層７３４上にも、エポキシ樹脂から
なり、図１４に破線で示す上記第３接続パッド７３２Ａ
及び第４接続パッドにそれぞれ対応する位置に透孔８３
１Ｈが形成されたパターンのソルダーレジスト層８３１
が形成されている。このため、例えば、第３接続パッド
７３２Ａや第４接続パッドと、マザーボードＷＢのコン
デンサ接続端子ＷＴＷとの接続に際して（図８参照）、
ハンダが第３接続パッド７３２Ａ等以外の第３側面経由
配線層７３３や第４側面経由配線層７３４上に濡れ拡が
ることが無くなる。従って、このコンデンサ８００の第
３接続パッド７３２Ａ及び第４接続パッドと他の電子部
品との接続に与るハンダ量が安定し、確実に接続するこ
とができる。
【００８５】なお、このコンデンサ８００は、コンデン
サ７００を形成した後、所定パターンの樹脂ペーストの
塗布や、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術に
より透孔８２１Ｈや８３１Ｈを有するソルダーレジスト
層８２１，８３１を形成するなど公知の手法によれば良
い。また、上記変形形態では、ソルダーレジスト層８２
１，８３１を、円形の透孔８２１Ｈ，８３１Ｈの部分を
除き、コンデンサ７００の上下の略全面に形成したが、
ソルダーレジスト層は、ハンダの濡れ拡がりを防止し、
隣接する接続パッド間を分離できれば良く、略全面に形
成する必要はない。また、透孔の形状も円形とは限ら
ず、正方形状等適宜の形状とすることができる。但し、
個々の接続パッド７２２等に対応する開口の面積を互い
に等しくするのが好ましい。ハンダの濡れ拡がる面積を
一定にすることで、接続に与るハンダ量を均一にできる
からである。
サ７００を形成した後、所定パターンの樹脂ペーストの
塗布や、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ技術に
より透孔８２１Ｈや８３１Ｈを有するソルダーレジスト
層８２１，８３１を形成するなど公知の手法によれば良
い。また、上記変形形態では、ソルダーレジスト層８２
１，８３１を、円形の透孔８２１Ｈ，８３１Ｈの部分を
除き、コンデンサ７００の上下の略全面に形成したが、
ソルダーレジスト層は、ハンダの濡れ拡がりを防止し、
隣接する接続パッド間を分離できれば良く、略全面に形
成する必要はない。また、透孔の形状も円形とは限ら
ず、正方形状等適宜の形状とすることができる。但し、
個々の接続パッド７２２等に対応する開口の面積を互い
に等しくするのが好ましい。ハンダの濡れ拡がる面積を
一定にすることで、接続に与るハンダ量を均一にできる
からである。
【００８６】（実施形態５）次いで、さらに他の実施形
態について説明する。上記実施形態では、コンデンサは
いずれも積層部の他、ビア−側面転換部あるいは側面−
側面転換部を有していた。これに対し、本実施形態で
は、例えば、図１５に示すように、共通電極層９０４
Ａ，９０４Ｂを、いずれも転換ビア導体によって面接続
可能な接続パッドに変換する。即ち、本実施形態にかか
るコンデンサ９００は、積層部９１０の他、ビア−ビア
転換部９２０を有する。このうち積層部９１０は、実施
形態１の積層部１１０とほぼ同様の構造を有し、多数の
誘電体層９０１と電極層９０２とが交互に積層した略正
方形板状の積層セラミックコンデンサ構造の積層体９０
３を有する。さらに、この積層体９０３のうち積層方向
（図中上下方向）に平行な側面９０３Ａ，９０３Ｂに
は、各電極層９０２と１層おきに導通ししかも互いに絶
縁された一対の共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂがそれぞ
れ形成されている。つまりこの積層部９１０も、従来の
積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされてい
る。なお、この積層部９１０のうち積層方向最外側（図
中上方）には、一方の共通電極層９０４Ａと導通する最
上第１電極層９０２ＡＵが積層形成されている。
態について説明する。上記実施形態では、コンデンサは
いずれも積層部の他、ビア−側面転換部あるいは側面−
側面転換部を有していた。これに対し、本実施形態で
は、例えば、図１５に示すように、共通電極層９０４
Ａ，９０４Ｂを、いずれも転換ビア導体によって面接続
可能な接続パッドに変換する。即ち、本実施形態にかか
るコンデンサ９００は、積層部９１０の他、ビア−ビア
転換部９２０を有する。このうち積層部９１０は、実施
形態１の積層部１１０とほぼ同様の構造を有し、多数の
誘電体層９０１と電極層９０２とが交互に積層した略正
方形板状の積層セラミックコンデンサ構造の積層体９０
３を有する。さらに、この積層体９０３のうち積層方向
（図中上下方向）に平行な側面９０３Ａ，９０３Ｂに
は、各電極層９０２と１層おきに導通ししかも互いに絶
縁された一対の共通電極層９０４Ａ，９０４Ｂがそれぞ
れ形成されている。つまりこの積層部９１０も、従来の
積層セラミックコンデンサとほぼ同様の構造とされてい
る。なお、この積層部９１０のうち積層方向最外側（図
中上方）には、一方の共通電極層９０４Ａと導通する最
上第１電極層９０２ＡＵが積層形成されている。
【００８７】一方、ビア−ビア転換部９２０には、積層
部９１０の最上第１電極層９０２ＡＵの積層方向外側
（図中上方）に積層された第１転換絶縁層９２１、及び
さらにその外側（図中上方）に積層された第２転換絶縁
層９２２を備える。この２つの転換絶縁層９２１，９２
２の間には、転換電極層９２３が形成されている。ま
た、この第２転換絶縁層９２２の外表面（図中上方面）
９２２Ｔには、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パ
ッド９２４Ｂの２種類の接続パッド９２４が、格子状に
多数形成されている。この接続パッド９２４は、実施形
態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴ
Ｃなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。さ
らに、第１接続パッド９２４Ａは、第１転換絶縁層９２
１及び第２転換絶縁層９２２を貫通する第１転換ビア導
体９２５によって、最上第１電極層９０２ＡＵを通じて
一方の共通電極層９０４Ａに接続している。また、第２
接続パッド９２３Ｂは、第２転換絶縁層９２２を貫通す
る第２転換ビア導体９２６によって転換電極層９２３に
接続しており、この転換電極層９２３は、他方の共通電
極層９０４Ｂがビア−ビア転換部９２０に延出した延在
電極層９２７に接続している。つまり、第２接続パッド
９２３Ｂは、他方の共通電極層９０４Ｂと導通してい
る。
部９１０の最上第１電極層９０２ＡＵの積層方向外側
（図中上方）に積層された第１転換絶縁層９２１、及び
さらにその外側（図中上方）に積層された第２転換絶縁
層９２２を備える。この２つの転換絶縁層９２１，９２
２の間には、転換電極層９２３が形成されている。ま
た、この第２転換絶縁層９２２の外表面（図中上方面）
９２２Ｔには、第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続パ
ッド９２４Ｂの２種類の接続パッド９２４が、格子状に
多数形成されている。この接続パッド９２４は、実施形
態１と同様にＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴ
Ｃなどとそれぞれ接続するものである（図２参照）。さ
らに、第１接続パッド９２４Ａは、第１転換絶縁層９２
１及び第２転換絶縁層９２２を貫通する第１転換ビア導
体９２５によって、最上第１電極層９０２ＡＵを通じて
一方の共通電極層９０４Ａに接続している。また、第２
接続パッド９２３Ｂは、第２転換絶縁層９２２を貫通す
る第２転換ビア導体９２６によって転換電極層９２３に
接続しており、この転換電極層９２３は、他方の共通電
極層９０４Ｂがビア−ビア転換部９２０に延出した延在
電極層９２７に接続している。つまり、第２接続パッド
９２３Ｂは、他方の共通電極層９０４Ｂと導通してい
る。
【００８８】従って、このコンデンサ９００において
も、図中上方から第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続
パッド９２４Ｂによって、２つの共通電極９０４Ａ，９
０４Ｂを引き出すことができる。従って、前記コンデン
サ１００と同様に（図２参照）、このコンデンサ９００
とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接
続によって直接接続させることができる。つまり、ごく
短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダ
クタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極
層９０４Ａ，９０４Ｂを利用し、一方の共通電極層を電
源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサ９
００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去するこ
とができる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接
地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通
じて、コンデンサ９００から低抵抗、低インダクタンス
で電源電位や接地電位を供給することができる。
も、図中上方から第１接続パッド９２４Ａ及び第２接続
パッド９２４Ｂによって、２つの共通電極９０４Ａ，９
０４Ｂを引き出すことができる。従って、前記コンデン
サ１００と同様に（図２参照）、このコンデンサ９００
とＩＣチップＣＨのコンデンサ接続端子ＣＴＣとを面接
続によって直接接続させることができる。つまり、ごく
短い距離でＩＣチップＣＨと接続でき、この間のインダ
クタンスや抵抗をごく小さくすることができる。しか
も、接続したＩＣチップＣＨにおいて、２つの共通電極
層９０４Ａ，９０４Ｂを利用し、一方の共通電極層を電
源電位に、他方を接地電位にすることで、コンデンサ９
００を利用して、両電位間のノイズを確実に除去するこ
とができる。さらに、ＩＣチップＣＨ内の電源電位や接
地電位が必要な各所に、コンデンサ接続端子ＣＴＣを通
じて、コンデンサ９００から低抵抗、低インダクタンス
で電源電位や接地電位を供給することができる。
【００８９】なお、上記では、格子状に配置された接続
パッド９２４のうち、いずれが第１転換ビア導体９２５
を経由して最上第１電極層９０２ＡＵに接続する第１接
続パッド９２４Ａで、いずれが第２転換ビア導体９２６
を経由して転換電極層９２３に接続しする第２接続パッ
ド９２４Ｂであるか説明しなかった。接続するＩＣチッ
プ等に応じて適宜の配置とすればよいからである。しか
し、格子状に配置した接続パッド９２４が、第１転換ビ
ア導体９２５及び第２転換ビア導体と交互に接続するよ
うに配置すると良い。即ち、第１転換ビア導体９２５に
接続する第１接続パッド９２４Ａと、第２転換ビア導体
９２６に接続する第２接続パッド９２４Ｂとが、格子上
の各点に交互に並ぶように、第１転換ビア導体９２５及
び第２転換ビア導体９２６を形成すると良い。
パッド９２４のうち、いずれが第１転換ビア導体９２５
を経由して最上第１電極層９０２ＡＵに接続する第１接
続パッド９２４Ａで、いずれが第２転換ビア導体９２６
を経由して転換電極層９２３に接続しする第２接続パッ
ド９２４Ｂであるか説明しなかった。接続するＩＣチッ
プ等に応じて適宜の配置とすればよいからである。しか
し、格子状に配置した接続パッド９２４が、第１転換ビ
ア導体９２５及び第２転換ビア導体と交互に接続するよ
うに配置すると良い。即ち、第１転換ビア導体９２５に
接続する第１接続パッド９２４Ａと、第２転換ビア導体
９２６に接続する第２接続パッド９２４Ｂとが、格子上
の各点に交互に並ぶように、第１転換ビア導体９２５及
び第２転換ビア導体９２６を形成すると良い。
【００９０】例えば、このようにしたコンデンサ９００
の一方の共通電極層９０４Ａに＋電位を、他方の共通電
極層９０４Ｂに−電位（接地電位）を接続すると、図１
６（ａ）（ｂ）に示すように、第１電極層９０２Ａ及び
第１転換ビア導体９２５が＋電位となり、第２電極層９
０２Ｂ、転換電極層９２３及び第２転換ビア導体９２６
が−電位となる。さらに、第１接続パッド９２４Ａが＋
電位に、第２接続パッド９２４Ｂが−電位になり、図１
６（ａ）に示すように、接続パッド９２４について、＋
電位と−電位が交互に格子上の各点に並んだ状態に見え
る。このようにすると、図１６（ｃ）に矢印で示すよう
に、第１転換ビア導体９２５から流れ出る電流Ｉ１と、
第２転換ビア導体９２６に流れ込む電流Ｉ２の向きがち
ょうど逆向きとなるため、この電流によって第１転換ビ
ア導体９２５と第２転換ビア導体９２６の周りに発生す
る磁界が打ち消しあう。このため、第１転換ビア導体９
２５及び第２転換ビア導体９２６に生じるインダクタン
スが低減され、ひいては、コンデンサ９００のインダク
タンスを低減させることができる。従って、このように
配置したコンデンサ９００では、更に低インダクタンス
となって、ノイズを有効に除去することができる。
の一方の共通電極層９０４Ａに＋電位を、他方の共通電
極層９０４Ｂに−電位（接地電位）を接続すると、図１
６（ａ）（ｂ）に示すように、第１電極層９０２Ａ及び
第１転換ビア導体９２５が＋電位となり、第２電極層９
０２Ｂ、転換電極層９２３及び第２転換ビア導体９２６
が−電位となる。さらに、第１接続パッド９２４Ａが＋
電位に、第２接続パッド９２４Ｂが−電位になり、図１
６（ａ）に示すように、接続パッド９２４について、＋
電位と−電位が交互に格子上の各点に並んだ状態に見え
る。このようにすると、図１６（ｃ）に矢印で示すよう
に、第１転換ビア導体９２５から流れ出る電流Ｉ１と、
第２転換ビア導体９２６に流れ込む電流Ｉ２の向きがち
ょうど逆向きとなるため、この電流によって第１転換ビ
ア導体９２５と第２転換ビア導体９２６の周りに発生す
る磁界が打ち消しあう。このため、第１転換ビア導体９
２５及び第２転換ビア導体９２６に生じるインダクタン
スが低減され、ひいては、コンデンサ９００のインダク
タンスを低減させることができる。従って、このように
配置したコンデンサ９００では、更に低インダクタンス
となって、ノイズを有効に除去することができる。
【００９１】次いで、コンデンサ９００の製造方法につ
いて、図１７を参照して説明する。まず、図１７（ａ）
に示すように、実施形態１と同様の高誘電体セラミック
グリーンシート１８１を多数製造する。次いで、このシ
ート１８１のうち１枚については、図１７（ｂ）に示す
ように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペースト
からなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する
第１未焼成ビア導体９８１及び第２未焼成ビア導体９８
２を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうちこれらの未
焼成ビア導体９８１，９８２に接続する位置に、Ｐｄペ
ーストからなる第１未焼成接続パッド９８３及び第２未
焼成接続パッド９８４を形成する。また、このシート１
８１のうち他の１枚については、図１７（ｃ）に示すよ
うに、このシート１８１のうち上記第１未焼成ビア導体
９８１に対応する位置に、Ｐｄペーストからなり、表面
１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第３未焼成ビア
導体９８５を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうち、
この第３未焼成ビア導体９８５に接続する位置にＰｄペ
ーストからなる未焼成カバーパッド９８６を、また、そ
の余の部分に未焼成転換電極層９８７を形成する。この
未焼成カバーパッド９８６は、上記した第１未焼成ビア
導体９８１と第３未焼成ビア導体９８５と間に介在して
両者間を確実に接続するための役割を有する。
いて、図１７を参照して説明する。まず、図１７（ａ）
に示すように、実施形態１と同様の高誘電体セラミック
グリーンシート１８１を多数製造する。次いで、このシ
ート１８１のうち１枚については、図１７（ｂ）に示す
ように、このシート１８１の所定位置に、Ｐｄペースト
からなり、表面１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する
第１未焼成ビア導体９８１及び第２未焼成ビア導体９８
２を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうちこれらの未
焼成ビア導体９８１，９８２に接続する位置に、Ｐｄペ
ーストからなる第１未焼成接続パッド９８３及び第２未
焼成接続パッド９８４を形成する。また、このシート１
８１のうち他の１枚については、図１７（ｃ）に示すよ
うに、このシート１８１のうち上記第１未焼成ビア導体
９８１に対応する位置に、Ｐｄペーストからなり、表面
１８１Ｔ及び裏面１８１Ｖ間を貫通する第３未焼成ビア
導体９８５を形成する。さらに、表面１８１Ｔのうち、
この第３未焼成ビア導体９８５に接続する位置にＰｄペ
ーストからなる未焼成カバーパッド９８６を、また、そ
の余の部分に未焼成転換電極層９８７を形成する。この
未焼成カバーパッド９８６は、上記した第１未焼成ビア
導体９８１と第３未焼成ビア導体９８５と間に介在して
両者間を確実に接続するための役割を有する。
【００９２】他のシート１８１のうち半数については、
図１７（ｄ）に示すように、実施形態１と同様にその表
面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１
８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１
７（ｅ）に示すように実施形態１と同様、その表面１８
１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂ
を形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２
電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１
Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシ
ート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８
２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターン
とされている。
図１７（ｄ）に示すように、実施形態１と同様にその表
面１８１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第１電極層１
８２Ａを形成する。また、残りの半数については、図１
７（ｅ）に示すように実施形態１と同様、その表面１８
１ＴにＰｄペーストからなる未焼成第２電極層１８２Ｂ
を形成する。未焼成第１電極層１８２Ａ及び未焼成第２
電極層１８２Ｂはいずれも、シート１８１の表面１８１
Ｔのほぼ全面を覆うが、未焼成第１電極層１８２Ａはシ
ート１８１の図中右端近傍、逆に未焼成第２電極層１８
２Ｂはシート１８１の図中左端近傍を覆わないパターン
とされている。
【００９３】次いで、未焼成第１電極層１８２Ａが形成
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層する。これらの上
に、未焼成転換電極層９８７や第３未焼成ビア導体９８
５が形成されたシート１８１を積層し、さらに第１未焼
成接続パッド９８３や第２未焼成接続パッド９８４が形
成されたシート１８１を積層し、圧着して、図１７
（ｆ）に示すように、積層体９８８を形成する。この積
層体９８８の側面９８８Ａには未焼成第１電極層１８２
Ａが、また側面９８８Ｂには未焼成第２電極層１８２Ｂ
及び未焼成転換電極層９８７が、露出する。さらにこの
側面９８８Ａ，９８８Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電
極層９８９Ａ，９８９Ｂをそれぞれ形成する。なお、未
焼成共通電極層９８９Ｂは未焼成転換電極層９８７とも
接続するように形成する。
されたシート１８１と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形
成されたシート１８１とを交互に積層する。これらの上
に、未焼成転換電極層９８７や第３未焼成ビア導体９８
５が形成されたシート１８１を積層し、さらに第１未焼
成接続パッド９８３や第２未焼成接続パッド９８４が形
成されたシート１８１を積層し、圧着して、図１７
（ｆ）に示すように、積層体９８８を形成する。この積
層体９８８の側面９８８Ａには未焼成第１電極層１８２
Ａが、また側面９８８Ｂには未焼成第２電極層１８２Ｂ
及び未焼成転換電極層９８７が、露出する。さらにこの
側面９８８Ａ，９８８Ｂに、Ｐｄからなる未焼成共通電
極層９８９Ａ，９８９Ｂをそれぞれ形成する。なお、未
焼成共通電極層９８９Ｂは未焼成転換電極層９８７とも
接続するように形成する。
【００９４】この積層体９８８では、未焼成共通電極層
９８９Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最
上未焼成第１電極層１８２ＡＵ、第３未焼成ビア導体９
８５、未焼成カバーパッド９８６，第１未焼成ビア導体
９８１を経由して第１未焼成接続パッド９８３とも接続
する。一方、未焼成共通電極層９８８Ｂは、いずれの未
焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成転
換電極層９８７、第２未焼成ビア導体９８２を経由して
第２未焼成接続パッド９８４とも接続する。次いで、こ
の積層体９８８を焼成（同時焼成）して、図１５に示す
コンデンサ９００を形成する。コンデンサ９００をこの
ようにして形成したので、コンデンサ１００と同様、焼
成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。
なお、ハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１接続パ
ッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂについて、Ｎ
ｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によって形成すると、容易かつ安
価にコンデンサ９００を形成することができる。
９８９Ａはいずれの未焼成第１電極層１８２Ａとも接続
し、しかも、そのうち積層方向最外側（図中最上）の最
上未焼成第１電極層１８２ＡＵ、第３未焼成ビア導体９
８５、未焼成カバーパッド９８６，第１未焼成ビア導体
９８１を経由して第１未焼成接続パッド９８３とも接続
する。一方、未焼成共通電極層９８８Ｂは、いずれの未
焼成第２電極層１８２Ｂとも接続し、しかも、未焼成転
換電極層９８７、第２未焼成ビア導体９８２を経由して
第２未焼成接続パッド９８４とも接続する。次いで、こ
の積層体９８８を焼成（同時焼成）して、図１５に示す
コンデンサ９００を形成する。コンデンサ９００をこの
ようにして形成したので、コンデンサ１００と同様、焼
成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。
なお、ハンダ濡れ性改善のため、焼成後に、第１接続パ
ッド９２４Ａ及び第２接続パッド９２４Ｂについて、Ｎ
ｉ−Ａｕメッキなどのメッキを施すようにしても良い。
このように、同時焼成によって形成すると、容易かつ安
価にコンデンサ９００を形成することができる。
【００９５】（変形形態５）上記実施形態５では、積層
部９１０とビア−ビア転換部９２０とを有するコンデン
サ９００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積
層部を形成した後にビア−ビア転換部を形成して同様な
構造のコンデンサとすることもできる。本変形形態のコ
ンデンサ１０００は、上記コンデンサ９００とは製造方
法が異なり、前記変形形態１と同様にレーザを用いる
が、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場
合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明
を省略あるいは簡略化する。
部９１０とビア−ビア転換部９２０とを有するコンデン
サ９００を同時焼成によって形成した。しかし、先に積
層部を形成した後にビア−ビア転換部を形成して同様な
構造のコンデンサとすることもできる。本変形形態のコ
ンデンサ１０００は、上記コンデンサ９００とは製造方
法が異なり、前記変形形態１と同様にレーザを用いる
が、コンデンサの構造やＩＣチップＣＨ等と接続した場
合の利点は変わらないので、同様の部分についての説明
を省略あるいは簡略化する。
【００９６】本変形形態のコンデンサ１０００の製造方
法としては、前記変形形態１と同様にして、未焼成第１
電極層１８２Ａが形成されたシート１８１（図１７
（ｄ）参照）と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成され
たシート１８１（図１７（ｅ）参照）とを交互に積層
し、さらに未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂ形成後
に同時焼成して、まず積層部１０１０を形成する。続い
て、この積層部１０１０上にビア−ビア転換部１０２０
を形成する。まず図１８（ａ）に示すように、最上第１
電極層１００２ＡＵの上面１００２ＡＵＴ及びこの最上
第１電極層１００２ＡＵの直下に位置する最上誘電体層
１００１Ｕの上面１００１ＵＴのうち露出部分（図中右
端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる
第１転換絶縁層１０２１を形成する。具体的には、フィ
ルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
法としては、前記変形形態１と同様にして、未焼成第１
電極層１８２Ａが形成されたシート１８１（図１７
（ｄ）参照）と、未焼成第２電極層１８２Ｂが形成され
たシート１８１（図１７（ｅ）参照）とを交互に積層
し、さらに未焼成共通電極層９８９Ａ，９８９Ｂ形成後
に同時焼成して、まず積層部１０１０を形成する。続い
て、この積層部１０１０上にビア−ビア転換部１０２０
を形成する。まず図１８（ａ）に示すように、最上第１
電極層１００２ＡＵの上面１００２ＡＵＴ及びこの最上
第１電極層１００２ＡＵの直下に位置する最上誘電体層
１００１Ｕの上面１００１ＵＴのうち露出部分（図中右
端部分）に、公知の手法によってエポキシ樹脂からなる
第１転換絶縁層１０２１を形成する。具体的には、フィ
ルム状の未硬化樹脂を貼り付け、硬化させて形成する。
【００９７】次いで、図１８（ｂ）に示すように、この
第１転換絶縁層１０２１の所定位置に、レーザにより最
上第１電極層１００２ＡＵまで届く貫通孔１０２１Ｈを
形成する。その後、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔
１０２１Ｈ内、第１転換絶縁層１０２１の上面１０２１
Ｔ、及び共通電極層１００４Ｂに近い第１転換絶縁層１
０２１の側面１０２１Ｂに、Ａｇ含有導電性樹脂ペース
トを充填・塗布し硬化させて、第３転換ビア導体１０２
２、延在電極層１０２３Ｂを含む転換電極層１０２３、
及びカバーパッド１０２４を形成する。
第１転換絶縁層１０２１の所定位置に、レーザにより最
上第１電極層１００２ＡＵまで届く貫通孔１０２１Ｈを
形成する。その後、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔
１０２１Ｈ内、第１転換絶縁層１０２１の上面１０２１
Ｔ、及び共通電極層１００４Ｂに近い第１転換絶縁層１
０２１の側面１０２１Ｂに、Ａｇ含有導電性樹脂ペース
トを充填・塗布し硬化させて、第３転換ビア導体１０２
２、延在電極層１０２３Ｂを含む転換電極層１０２３、
及びカバーパッド１０２４を形成する。
【００９８】さらに、図１８（ｄ）に示すように、これ
らの上に第２転換絶縁層１０２５を形成する。この第２
転換絶縁層１０２５のうち転換電極層１０２３及びカバ
ーパッド１０２４に対応する所定位置に、図１８（ｅ）
に示すように、同じくレーザにより貫通孔１０２５Ｈを
穿孔する。さらに、貫通孔１０２５Ｈ内及び転換絶縁層
１０２５の上面１０２５Ｔに、Ａｇ含有導電性樹脂ペー
ストを充填・塗布し硬化させて、第１転換ビア導体１０
２６、第２転換ビア導体１０２７、第１接続パッド１０
２８Ａ、及び第２接続パッド１０２８Ｂを形成してビア
−ビア転換部１０２０とする。これによりコンデンサの
機能を有する積層部１０１０と、２つの共通電極層１０
０４Ａ，１００４Ｂを面接続可能な第１接続パッド１０
２８Ａ及び第２接続パッド１０２８Ｂに転換するビア−
ビア転換部１０２０とを有するコンデンサ１０００が形
成される。このコンデンサ１０００は、前記コンデンサ
９００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、
ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせること
ができる。また、前記変形形態２と同様に、フォトリソ
グラフィ技術を用いて貫通孔を有する転換絶縁層を形成
したり、メッキ技術によって転換ビア導体や接続パッド
等を形成することもできる。
らの上に第２転換絶縁層１０２５を形成する。この第２
転換絶縁層１０２５のうち転換電極層１０２３及びカバ
ーパッド１０２４に対応する所定位置に、図１８（ｅ）
に示すように、同じくレーザにより貫通孔１０２５Ｈを
穿孔する。さらに、貫通孔１０２５Ｈ内及び転換絶縁層
１０２５の上面１０２５Ｔに、Ａｇ含有導電性樹脂ペー
ストを充填・塗布し硬化させて、第１転換ビア導体１０
２６、第２転換ビア導体１０２７、第１接続パッド１０
２８Ａ、及び第２接続パッド１０２８Ｂを形成してビア
−ビア転換部１０２０とする。これによりコンデンサの
機能を有する積層部１０１０と、２つの共通電極層１０
０４Ａ，１００４Ｂを面接続可能な第１接続パッド１０
２８Ａ及び第２接続パッド１０２８Ｂに転換するビア−
ビア転換部１０２０とを有するコンデンサ１０００が形
成される。このコンデンサ１０００は、前記コンデンサ
９００と同様に、ＩＣチップＣＨ等に直接面接続でき、
ノイズ除去や各部への電位供給の役割を果たさせること
ができる。また、前記変形形態２と同様に、フォトリソ
グラフィ技術を用いて貫通孔を有する転換絶縁層を形成
したり、メッキ技術によって転換ビア導体や接続パッド
等を形成することもできる。
【００９９】（実施形態６）上記実施形態５及び変形形
態５では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−
ビア転換部を設け、このビア−ビア転換部でＩＣチップ
等を面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビ
ア−ビア転換部は積層部の積層方向両側に設けても良
い。即ち、図１９に平面図及び斜視断面図を示す本発明
のコンデンサ１１００は、平面視略正方形板状で、大別
して積層部１１１０と、この上下に２つの転換部、第１
ビア−ビア転換部１１２０と第２ビア−ビア転換部１１
３０とを有する。なお、このコンデンサ１１００は、転
換部を２つ備える点を除き、実施形態５のコンデンサ９
００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説
明を省略あるいは簡略化する。
態５では、積層部の積層方向片側（図中上部）にビア−
ビア転換部を設け、このビア−ビア転換部でＩＣチップ
等を面接続できるようにしたコンデンサを示したが、ビ
ア−ビア転換部は積層部の積層方向両側に設けても良
い。即ち、図１９に平面図及び斜視断面図を示す本発明
のコンデンサ１１００は、平面視略正方形板状で、大別
して積層部１１１０と、この上下に２つの転換部、第１
ビア−ビア転換部１１２０と第２ビア−ビア転換部１１
３０とを有する。なお、このコンデンサ１１００は、転
換部を２つ備える点を除き、実施形態５のコンデンサ９
００とほぼ同様であるので、同様な部分については、説
明を省略あるいは簡略化する。
【０１００】積層部１１１０は、実施形態５と同様に多
数の誘電体層１１０１と電極層１１０２とを交互に積層
した略正方形板状の積層体１１０３を有する。さらに、
この積層体１１０３のうち積層方向（図中上下方向）に
平行な側面１１０３Ａ，１１０３Ｂには、各電極層１１
０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の
共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂがそれぞれ形成され
ている。なお、この積層部１１１０のうち積層方向最外
側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極
層４０４Ａと導通する最上第１電極層１１０２ＡＵ及び
最下第１電極層１１０２ＡＳが積層形成されている。
数の誘電体層１１０１と電極層１１０２とを交互に積層
した略正方形板状の積層体１１０３を有する。さらに、
この積層体１１０３のうち積層方向（図中上下方向）に
平行な側面１１０３Ａ，１１０３Ｂには、各電極層１１
０２と１層おきに導通ししかも互いに絶縁された一対の
共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂがそれぞれ形成され
ている。なお、この積層部１１１０のうち積層方向最外
側（図中上方及び下方）には、それぞれ一方の共通電極
層４０４Ａと導通する最上第１電極層１１０２ＡＵ及び
最下第１電極層１１０２ＡＳが積層形成されている。
【０１０１】また、第１ビア−ビア転換部１１２０も、
実施形態５におけるビア−ビア転換部９２０と同様であ
る。即ち、第１ビア−ビア転換部１１２０には、積層部
１１１０の最上第１電極層１１０２ＡＵの積層方向外側
（図中上方）に積層された第１転換絶縁層１１２１、さ
らにその外側の第２転換絶縁層１１２２を備える。この
間には第１転換電極層１１２３が形成されている。この
第２転換絶縁層１１２２の外表面１１２２Ｔには、ＩＣ
チップのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第１
接続パッド１１２４Ａ及び第２接続パッド１１２４Ｂの
２種類の接続パッド１１２４が、格子状に多数形成され
ている。さらに、第１接続パッド１１２４Ａは、第１転
換絶縁層１１２１及び第２転換絶縁層１１２２を貫通す
る第１転換ビア導体１１２５によって、最上第１電極層
１１０２ＡＵを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接
続している。また、第２接続パッド１１２４Ｂは、第２
転換絶縁層１１２２を貫通する第２転換ビア導体１１２
６によって第１転換電極層１１２３に接続し、さらに上
部延在電極層１１２７によって他方の共通電極層１１０
４Ｂに接続している。
実施形態５におけるビア−ビア転換部９２０と同様であ
る。即ち、第１ビア−ビア転換部１１２０には、積層部
１１１０の最上第１電極層１１０２ＡＵの積層方向外側
（図中上方）に積層された第１転換絶縁層１１２１、さ
らにその外側の第２転換絶縁層１１２２を備える。この
間には第１転換電極層１１２３が形成されている。この
第２転換絶縁層１１２２の外表面１１２２Ｔには、ＩＣ
チップのコンデンサ接続端子等に対応する位置に、第１
接続パッド１１２４Ａ及び第２接続パッド１１２４Ｂの
２種類の接続パッド１１２４が、格子状に多数形成され
ている。さらに、第１接続パッド１１２４Ａは、第１転
換絶縁層１１２１及び第２転換絶縁層１１２２を貫通す
る第１転換ビア導体１１２５によって、最上第１電極層
１１０２ＡＵを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接
続している。また、第２接続パッド１１２４Ｂは、第２
転換絶縁層１１２２を貫通する第２転換ビア導体１１２
６によって第１転換電極層１１２３に接続し、さらに上
部延在電極層１１２７によって他方の共通電極層１１０
４Ｂに接続している。
【０１０２】さらに、本実施形態のコンデンサ１１００
では、第２ビア−ビア転換部１１３０を有する。この第
２ビア−ビア転換部１１３０は、第１ビア−ビア転換部
１１２０と概略同様な構造であり、積層部１１１０の最
下第１電極層１１０２ＡＳの積層方向外側（図中下方）
に積層された第３転換絶縁層１１３１、さらにその外側
の第４転換絶縁層１１３２を備える。この間には第２転
換電極層１１３３が形成されている。この第４転換絶縁
層１１３２の外表面１１３２Ｖには、マザーボードのコ
ンデンサ接続端子等に対応する位置に、第３接続パッド
１１３４Ａ及び第４接続パッド１１３４Ｂの２種類の接
続パッド１１３４が、格子状に多数形成されている。さ
らに、第３接続パッド１１３４Ａは、第３転換絶縁層１
１３１及び第４転換絶縁層１１３２を貫通する第３転換
ビア導体１１３５によって、最下第１電極層１１０２Ａ
Ｓを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続してい
る。また、第４接続パッド１１３４Ｂは、第４転換絶縁
層１１３２を貫通する第４転換ビア導体１１３６によっ
て第２転換電極層１１３３に接続し、さらに下部延在電
極層１１３７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接
続している。
では、第２ビア−ビア転換部１１３０を有する。この第
２ビア−ビア転換部１１３０は、第１ビア−ビア転換部
１１２０と概略同様な構造であり、積層部１１１０の最
下第１電極層１１０２ＡＳの積層方向外側（図中下方）
に積層された第３転換絶縁層１１３１、さらにその外側
の第４転換絶縁層１１３２を備える。この間には第２転
換電極層１１３３が形成されている。この第４転換絶縁
層１１３２の外表面１１３２Ｖには、マザーボードのコ
ンデンサ接続端子等に対応する位置に、第３接続パッド
１１３４Ａ及び第４接続パッド１１３４Ｂの２種類の接
続パッド１１３４が、格子状に多数形成されている。さ
らに、第３接続パッド１１３４Ａは、第３転換絶縁層１
１３１及び第４転換絶縁層１１３２を貫通する第３転換
ビア導体１１３５によって、最下第１電極層１１０２Ａ
Ｓを通じて一方の共通電極層１１０４Ａに接続してい
る。また、第４接続パッド１１３４Ｂは、第４転換絶縁
層１１３２を貫通する第４転換ビア導体１１３６によっ
て第２転換電極層１１３３に接続し、さらに下部延在電
極層１１３７によって他方の共通電極層１１０４Ｂに接
続している。
【０１０３】従って、このコンデンサ１１００では、実
施形態５と同様に、例えばＩＣチップと直接接続するこ
とができ、さらに第２ビア−ビア転換部１１３０でマザ
ーボード等の配線基板と接続させることができる。つま
り、実施形態２のコンデンサ４００と同様、マザーボー
ドＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔内にコンデンサ
を有するコンデンサ付属配線基板を介在させるようにし
て、両者間を接続することができる（図８、図９参
照）。従って、配線基板の内部配線を介することなく、
低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位
及び接地電位を供給することができる。しかも、この電
位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおい
てコンデンサ１１００によって確実に除去することもで
きる。
施形態５と同様に、例えばＩＣチップと直接接続するこ
とができ、さらに第２ビア−ビア転換部１１３０でマザ
ーボード等の配線基板と接続させることができる。つま
り、実施形態２のコンデンサ４００と同様、マザーボー
ドＷＢとＩＣチップＣＨとの間に貫通孔内にコンデンサ
を有するコンデンサ付属配線基板を介在させるようにし
て、両者間を接続することができる（図８、図９参
照）。従って、配線基板の内部配線を介することなく、
低抵抗、低インダクタンスでＩＣチップＣＨに電源電位
及び接地電位を供給することができる。しかも、この電
位間に生じるノイズをＩＣチップＣＨのごく近くにおい
てコンデンサ１１００によって確実に除去することもで
きる。
【０１０４】あるいは、コンデンサ１１００を内蔵固着
したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ１１
００の接続パッド１１２４，１１３４を、樹脂絶縁層や
コア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップ
ＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。
このようにしても、コンデンサ１１００を介して、低抵
抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチ
ップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができ
る。また、コンデンサ１１００によってＩＣチップＣＨ
のごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができ
る。なお、このコンデンサ１１００は、実施形態５のコ
ンデンサ９００と同様に同時焼成により、あるいは、変
形形態５のコンデンサ１０００と同様にして樹脂製の転
換絶縁層を形成しレーザによって穿孔するなどの手法に
より形成することができる。コンデンサ１１００では、
側面経由配線層を形成せず、各接続パッド１１２４，１
１３４と共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂと転換ビア
導体１１２５等を介して接続するので、ＩＣチップやマ
ザーボード等の接続端子の位置に合わせて接続パッド１
１２４，１１３４を容易に形成できる。
したコンデンサ付属配線基板を形成し、コンデンサ１１
００の接続パッド１１２４，１１３４を、樹脂絶縁層や
コア基板等の形成した内部配線を経由して、ＩＣチップ
ＣＨやマザーボードＷＢ等に接続させることもできる。
このようにしても、コンデンサ１１００を介して、低抵
抗、低インダクタンスで、マザーボードＷＢからＩＣチ
ップＣＨに電源電位や接地電位を供給することができ
る。また、コンデンサ１１００によってＩＣチップＣＨ
のごく近傍でこれらの間のノイズも除去することができ
る。なお、このコンデンサ１１００は、実施形態５のコ
ンデンサ９００と同様に同時焼成により、あるいは、変
形形態５のコンデンサ１０００と同様にして樹脂製の転
換絶縁層を形成しレーザによって穿孔するなどの手法に
より形成することができる。コンデンサ１１００では、
側面経由配線層を形成せず、各接続パッド１１２４，１
１３４と共通電極層１１０４Ａ，１１０４Ｂと転換ビア
導体１１２５等を介して接続するので、ＩＣチップやマ
ザーボード等の接続端子の位置に合わせて接続パッド１
１２４，１１３４を容易に形成できる。
【０１０５】なお、本実施形態６においても、上記実施
形態５における接続パッド９２４、第１転換ビア導体９
２５、及び第２転換ビア導体９２６と同様に、格子状に
配置した接続パッド１１２４が、第１転換ビア導体１１
２５及び第２転換ビア導体１１２６と交互に接続するよ
うに配置すると良い。各ビアにおいてインダクタンスを
低減できるからである。さらに、格子状に配置した接続
パッド１１３４が、第３転換ビア導体１１３５及び第４
転換ビア導体１１３６と交互に接続するように配置する
と良い。これらのビアにおいてもインダクタンスを低減
でき、コンデンサ１１００のインダクタンスをより低く
できるからである。
形態５における接続パッド９２４、第１転換ビア導体９
２５、及び第２転換ビア導体９２６と同様に、格子状に
配置した接続パッド１１２４が、第１転換ビア導体１１
２５及び第２転換ビア導体１１２６と交互に接続するよ
うに配置すると良い。各ビアにおいてインダクタンスを
低減できるからである。さらに、格子状に配置した接続
パッド１１３４が、第３転換ビア導体１１３５及び第４
転換ビア導体１１３６と交互に接続するように配置する
と良い。これらのビアにおいてもインダクタンスを低減
でき、コンデンサ１１００のインダクタンスをより低く
できるからである。
【０１０６】以上において、本発明を実施形態及び変形
形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、
適宜変更して適用できることはいうまでもない。例え
ば、上記実施形態等では、誘電体層１０１等にＢａＴｉ
Ｏ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘
電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ
3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉ
Ｏ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ
3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが
挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応
じて適宜選択すればよい。また、電極層１０２等や共通
電極層１０４等、側面経由配線層１２３等、転換ビア導
体１２５等に、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との
適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙
げられる。
形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、
適宜変更して適用できることはいうまでもない。例え
ば、上記実施形態等では、誘電体層１０１等にＢａＴｉ
Ｏ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘
電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ
3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉ
Ｏ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ
3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ
（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが
挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応
じて適宜選択すればよい。また、電極層１０２等や共通
電極層１０４等、側面経由配線層１２３等、転換ビア導
体１２５等に、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との
適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａ
ｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙
げられる。
【０１０７】変形形態１等では、転換絶縁層２０５等
に、エポキシ樹脂を用いたが、耐熱性、パターン成形性
等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド
樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦ
Ｅなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等
の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられ
る。また、側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０
７、第２接続パッド２０８等を、Ａｇ含有導電性樹脂ペ
ーストを充填塗布して形成したが、他の材質の導電性ペ
ーストを用いて形成しても良い。また、変形形態２等で
は、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、第２
接続パッド３０８等を無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメ
ッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。
に、エポキシ樹脂を用いたが、耐熱性、パターン成形性
等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド
樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦ
Ｅなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等
の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられ
る。また、側面経由配線層２０６、転換ビア導体２０
７、第２接続パッド２０８等を、Ａｇ含有導電性樹脂ペ
ーストを充填塗布して形成したが、他の材質の導電性ペ
ーストを用いて形成しても良い。また、変形形態２等で
は、側面経由配線層３０６、転換ビア導体３０７、第２
接続パッド３０８等を無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメ
ッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎ
ｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良い。
【０１０８】上記実施形態１等では、側面経由配線層１
２３等が、多数の第１接続パッド１２２Ａを含み、複数
接続パッドとなっているものを示したが、ここの第１接
続パッドと共通電極層とをそれぞれ接続する側面経由配
線としても良い。
２３等が、多数の第１接続パッド１２２Ａを含み、複数
接続パッドとなっているものを示したが、ここの第１接
続パッドと共通電極層とをそれぞれ接続する側面経由配
線としても良い。
【図１】実施形態１にかかり、一方（図（ｂ）中上方）
にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平
面図、（ｂ）は斜視断面図である。
にビア−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平
面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２】コンデンサを収納する貫通孔を有する配線基板
と、この貫通孔内に収容された実施形態１にかかるコン
デンサからなるコンデンサ付属配線基板の説明図であ
る。
と、この貫通孔内に収容された実施形態１にかかるコン
デンサからなるコンデンサ付属配線基板の説明図であ
る。
【図３】実施形態１にかかるコンデンサの製造方法を説
明する説明図である。
明する説明図である。
【図４】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のう
ち積層部を形成するまでを説明する説明図である。
ち積層部を形成するまでを説明する説明図である。
【図５】変形形態１にかかるコンデンサの製造方法のう
ちビア−側面転換部をレーザ孔空けによって形成する工
程を説明する説明図である。
ちビア−側面転換部をレーザ孔空けによって形成する工
程を説明する説明図である。
【図６】変形形態２にかかるコンデンサの製造方法のう
ちビア−側面転換部をフォトリソグラフィ技術によって
形成する工程を説明する説明図である。
ちビア−側面転換部をフォトリソグラフィ技術によって
形成する工程を説明する説明図である。
【図７】実施形態２にかかり、両側（図中上下）にビア
−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、
（ｂ）は斜視断面図である。
−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面図、
（ｂ）は斜視断面図である。
【図８】実施形態２にかかるコンデンサを貫通孔内に収
容したコンデンサ付属配線基板の説明図である。
容したコンデンサ付属配線基板の説明図である。
【図９】図８のコンデンサ付属配線基板に収容したコン
デンサの接続回路図である。
デンサの接続回路図である。
【図１０】変形形態３にかかり、接続パッドの一部を複
数接続パッドとしたビア−側面転換部を有するコンデン
サの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
数接続パッドとしたビア−側面転換部を有するコンデン
サの、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１１】実施形態３にかかり、一方（図（ｂ）中上
方）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）
は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
方）に側面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）
は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１２】実施形態３にかかるコンデンサの製造方法を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図１３】実施形態４にかかり、両側（図中上下）に側
面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視断面図である。
面−側面転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１４】変形形態４にかかり、図１３のコンデンサの
上下に円形の開口を有する分離層を形成したコンデンサ
の、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
上下に円形の開口を有する分離層を形成したコンデンサ
の、（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１５】実施形態５にかかり、一方（図（ｂ）中上
方）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）
は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
方）にビア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）
は平面図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図１６】実施形態５のコンデンサにかかり、一方の共
通電極層に＋電位を他方の共通電極に−電位を接続した
ときの様子を示す説明図である。
通電極層に＋電位を他方の共通電極に−電位を接続した
ときの様子を示す説明図である。
【図１７】実施形態５にかかるコンデンサの製造方法を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図１８】変形形態５にかかるコンデンサの製造方法の
うち積層部上にレーザ孔空けを用いてビア−ビア転換部
を形成する工程を説明する説明図である。
うち積層部上にレーザ孔空けを用いてビア−ビア転換部
を形成する工程を説明する説明図である。
【図１９】実施形態６にかかり、両側（図中上下）にビ
ア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視断面図である。
ア−ビア転換部を有するコンデンサの、（ａ）は平面
図、（ｂ）は斜視断面図である。
【図２０】従来の積層セラミックコンデンサの構造を示
す断面説明図である。
す断面説明図である。
【図２１】コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。
線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説
明図である。
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７
００，８００，９０，１０００，１１００ コンデンサ １１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７
１０，８１０，９１０，１０１０，１１１０ 積層部 １２０，２２０，３２０，４２０，４３０，５２０ ビ
ア−側面転換部 ６２０，７２０，７３０，８２０，８３０ 側面−側面
転換部 ９２０，１０２０，１１２０，１１３０ ビア−ビア転
換部 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７
０１，８０１，９０１，１００１，１１０１ 誘電体層 １０２，２０２，４０２，９０２，１０２１，１１０２
電極層 １０３，２０３，４０３，９０３，１１０３ 積層体 １０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７
０４，８０４，９０４，１００４，１１０４ 共通電極
層 １２１，２０５，３０５，４２１，４３１，５２１，６
２１，７２１，７３１，９２１，９２２，１０２１，１
０２５，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２ 転
換絶縁層 １２２，２０８，３０６Ｐ，３０８，４２２，４３２，
５２２，５２４，６２２，７２２，７３２，９２４，１
０２８、１１２４，１１３４ 接続パッド １２５，２０７，３０７，５２５，９２５，９２６，１
０２２，１０２６，１０２７，１１２５，１１２６，１
１３５，１１３６転換ビア導体 ＣＨ ＩＣチップ（接続対象部材） ＣＴＣ コンデンサ接続端子 １５０ コンデンサ付属配線基板 ＷＢ マザーボード（接続対象部材）
００，８００，９０，１０００，１１００ コンデンサ １１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０，７
１０，８１０，９１０，１０１０，１１１０ 積層部 １２０，２２０，３２０，４２０，４３０，５２０ ビ
ア−側面転換部 ６２０，７２０，７３０，８２０，８３０ 側面−側面
転換部 ９２０，１０２０，１１２０，１１３０ ビア−ビア転
換部 １０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７
０１，８０１，９０１，１００１，１１０１ 誘電体層 １０２，２０２，４０２，９０２，１０２１，１１０２
電極層 １０３，２０３，４０３，９０３，１１０３ 積層体 １０４，２０４，３０４，４０４，５０４，６０４，７
０４，８０４，９０４，１００４，１１０４ 共通電極
層 １２１，２０５，３０５，４２１，４３１，５２１，６
２１，７２１，７３１，９２１，９２２，１０２１，１
０２５，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２ 転
換絶縁層 １２２，２０８，３０６Ｐ，３０８，４２２，４３２，
５２２，５２４，６２２，７２２，７３２，９２４，１
０２８、１１２４，１１３４ 接続パッド １２５，２０７，３０７，５２５，９２５，９２６，１
０２２，１０２６，１０２７，１１２５，１１２６，１
１３５，１１３６転換ビア導体 ＣＨ ＩＣチップ（接続対象部材） ＣＴＣ コンデンサ接続端子 １５０ コンデンサ付属配線基板 ＷＢ マザーボード（接続対象部材）
Claims (9)
- 【請求項１】高誘電率セラミックからなる誘電体層と電
極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層お
きに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える
積層コンデンサ部と、 上記積層コンデンサ部の積層方向両外側のいずれかに位
置する転換部と、を備え、 上記転換部は、 それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な
複数の接続パッドと、 上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれ
かとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上
記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの
少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、 を有することを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項２】高誘電率セラミックからなる誘電体層と電
極層とが交互に積層され、それぞれ上記電極層と１層お
きに導通し互いに絶縁された一対の共通電極層を備える
積層コンデンサ部と、 上記積層コンデンサ部の積層方向両外側にそれぞれ位置
する第１転換部及び第２転換部と、を備え、 上記第１転換部及び第２転換部はいずれも、 それぞれ接続対象部材の複数の接続端子と面接続可能な
複数の接続パッドと、 上記接続パッドと上記一対の共通電極層のうちのいずれ
かとをそれぞれ導通させる複数の転換配線であって、上
記一対の共通電極層のいずれも上記複数の接続パッドの
少なくともいずれかと導通させる複数の転換配線と、 を有することを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載のコンデン
サであって、 前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部の
うち少なくともいずれかの転換部は、 前記積層コンデンサ部の積層方向外側に積層された転換
絶縁層を備えると共に、 この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換
絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、 この転換部に属する前記複数の転換配線は、 前記一対の共通電極層のうちの一方から、上記転換絶縁
層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッド
に接続する第１側面経由転換配線と、 前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁
層の周方向側面及び外表面を経由して、上記接続パッド
に接続する第２側面経由転換配線と、 を有する側面−側面転換部であることを特徴とするコン
デンサ。 - 【請求項４】請求項１または請求項２に記載のコンデン
サであって、 前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最
外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と
導通する最外側電極層を備え、 前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部の
うち少なくともいずれかの転換部は、 上記最外側電極層の積層方向外側に積層された転換絶縁
層を備えると共に、 この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記転換
絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、 この転換部に属する前記複数の転換配線は、 上記最外側電極層から上記転換絶縁層を貫通して上記外
表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する転
換ビア導体と、 前記一対の共通電極層のうちの他方から、上記転換絶縁
層の周方向側面及び上記外表面を経由して、上記接続パ
ッドのいずれかに接続する側面経由転換配線と、 を有するビア−側面転換部であることを特徴とするコン
デンサ。 - 【請求項５】請求項１または請求項２に記載のコンデン
サであって、 前記積層コンデンサ部は、前記電極層のうち積層方向最
外側に積層され、前記一対の共通電極層のうちの一方と
導通する最外側電極層を備え、 前記転換部、または前記第１転換部または第２転換部の
うち少なくともいずれかの転換部は、 上記最外側電極層の積層方向外側に積層された第１転換
絶縁層と、 上記第１転換絶縁層の積層方向外側に積層された第２転
換絶縁層と、 上記第１転換絶縁層と第２転換絶縁層との層間に形成さ
れ、前記一対の共通電極層のうちの他方と接続する転換
電極層と、 を備えると共に、 この転換部に属する前記複数の接続パッドは、上記第２
転換絶縁層の積層方向外側の外表面に形成され、 この転換部に属する前記複数の転換配線歯、 上記最外側電極層から上記第１転換絶縁層及び第２転換
絶縁層を貫通して第２転換絶縁層の外表面に延出し、上
記接続パッドのいずれかに接続する複数の第１転換ビア
導体と、 上記転換電極層から上記第２転換絶縁層を貫通してその
外表面に延出し、上記接続パッドのいずれかに接続する
複数の第２転換ビア導体と、 を有するビア−ビア転換部であることを特徴とするコン
デンサ。 - 【請求項６】請求項５に記載のコンデンサであって、 前記複数の接続パッドは、略格子状に配置され、 前記複数の第１転換ビア導体及び複数の第２転換ビア導
体は、上記複数の接続パッドにそれぞれ交互に接続して
いることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項７】請求項１〜請求項５のいずれかに記載のコ
ンデンサであって、 前記接続パッドのうち少なくともいずれかは、接続させ
る前記接続対象部材の接続端子のうち複数の接続端子と
面接続可能な複数接続パッドであることを特徴とするコ
ンデンサ。 - 【請求項８】請求項３または請求項４に記載のコンデン
サであって、 前記側面経由転換配線に接続する前記接続パッドのいず
れもが、接続させる前記接続対象部材の接続端子のうち
複数の接続端子と接続可能な複数接続パッドであること
を特徴とするコンデンサ。 - 【請求項９】請求項７または請求項８に記載のコンデン
サであって、 少なくとも前記複数接続パッドの表面上には、この複数
接続パッドの表面を、この複数接続パッドに接続させる
前記接続対象部材の複数の接続端子がそれぞれ１つずつ
接続可能な複数の領域に分離する分離層を備えることを
特徴とするコンデンサ。
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