JP2000303180A - 処理装置 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理容器も含めて金属部材の表面を特殊処理
することにより、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難
くてクリーニングのインターバルを長くすることができ
ると共にパーティクルの発生を抑制することができる処
理装置を提供する。 【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器１６内
の載置台２２上に被処理体Ｗを載置し、前記処理容器の
天井部に設けたシャワーヘッド部７４から処理ガスを供
給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置１４に
おいて、前記処理装置に用いるアルミニウム製の金属部
材１６，７４の表面は、有機機械化学研磨処理とブラス
ト処理とアルマイト処理が順次施されている。これによ
り、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難くてクリーニ
ングのインターバルを長くすることができる。
することにより、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難
くてクリーニングのインターバルを長くすることができ
ると共にパーティクルの発生を抑制することができる処
理装置を提供する。 【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器１６内
の載置台２２上に被処理体Ｗを載置し、前記処理容器の
天井部に設けたシャワーヘッド部７４から処理ガスを供
給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置１４に
おいて、前記処理装置に用いるアルミニウム製の金属部
材１６，７４の表面は、有機機械化学研磨処理とブラス
ト処理とアルマイト処理が順次施されている。これによ
り、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難くてクリーニ
ングのインターバルを長くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の被処理体に成膜処理等を施す処理装置に関する。
ハ等の被処理体に成膜処理等を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パター
ンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むた
めにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサ
イド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライ
ド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金
属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれて
いる。
いては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パター
ンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むた
めにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサ
イド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライ
ド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金
属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれて
いる。
【０００３】この種の金属薄膜の形成方法には、３つの
方式、例えばＨ2 （水素）還元法、ＳｉＨ4 （シラン）
還元法、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）還元法など
が知られており、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 還元法は配線パターン
を形成するために例えば還元ガスとしてジクロルシラン
を用いて６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タング
ステンシリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4
還元法は、同じく配線パターンを形成するために、例え
ば還元ガスとしてシランを用いて先程よりも低い４５０
℃程度の低温下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であ
る。
方式、例えばＨ2 （水素）還元法、ＳｉＨ4 （シラン）
還元法、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）還元法など
が知られており、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 還元法は配線パターン
を形成するために例えば還元ガスとしてジクロルシラン
を用いて６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タング
ステンシリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4
還元法は、同じく配線パターンを形成するために、例え
ば還元ガスとしてシランを用いて先程よりも低い４５０
℃程度の低温下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であ
る。
【０００４】また、Ｈ2 還元法は、配線間の凹部のよう
なウエハ表面上の穴埋めのために、例えば還元ガスとし
て水素を用いて３５０〜４５０℃程度の温度下でＷ膜を
堆積させる方法である。上記の場合、いずれも例えばＷ
Ｆ6（六フッ化タングステン）が使用される。このよう
な金属薄膜を形成する一般的な成膜装置は図８に示され
ており、例えばアルミニウム等により筒体状に成形され
た処理容器２内には、例えば薄いカーボン素材或いはア
ルミ化合物により成形された載置台４が設けられてお
り、この下方には、石英製の透過窓６を介してハロゲン
ランプ等の加熱手段８を配置している。そして、半導体
ウエハＷは、載置台４上に載置され、このウエハＷの周
縁部は、昇降可能になされた例えば略リング状のクラン
プリング１０により押さえ込まれて載置台４上に固定さ
れる。この載置台４に対向させて例えばアルミニウム製
のシャワーヘッド部１２を設けており、この下面には略
均等に分布させて多数のガス噴射孔１３を形成してい
る。また、一般的には上記アルミニウム製の処理容器２
やシャワーヘッド部１２の内壁面、すなわち反応室側に
接する面は、耐腐食性を向上させるためにアルマイト処
理が施されている。
なウエハ表面上の穴埋めのために、例えば還元ガスとし
て水素を用いて３５０〜４５０℃程度の温度下でＷ膜を
堆積させる方法である。上記の場合、いずれも例えばＷ
Ｆ6（六フッ化タングステン）が使用される。このよう
な金属薄膜を形成する一般的な成膜装置は図８に示され
ており、例えばアルミニウム等により筒体状に成形され
た処理容器２内には、例えば薄いカーボン素材或いはア
ルミ化合物により成形された載置台４が設けられてお
り、この下方には、石英製の透過窓６を介してハロゲン
ランプ等の加熱手段８を配置している。そして、半導体
ウエハＷは、載置台４上に載置され、このウエハＷの周
縁部は、昇降可能になされた例えば略リング状のクラン
プリング１０により押さえ込まれて載置台４上に固定さ
れる。この載置台４に対向させて例えばアルミニウム製
のシャワーヘッド部１２を設けており、この下面には略
均等に分布させて多数のガス噴射孔１３を形成してい
る。また、一般的には上記アルミニウム製の処理容器２
やシャワーヘッド部１２の内壁面、すなわち反応室側に
接する面は、耐腐食性を向上させるためにアルマイト処
理が施されている。
【０００５】そして、加熱手段８からの熱線は透過窓６
を透過して載置台４に至り、これを加熱し、この上に配
置されている半導体ウエハＷを所定の温度に間接的に加
熱維持する。これと同時に、載置台４の上方に設けたシ
ャワーヘッド部１２のガス噴射孔１３からはプロセスガ
スとして例えばＷＦ6やＨ2 等がウエハ表面上に均等に
供給され、ウエハ表面上にＷ等の金属膜が形成されるこ
とになる。
を透過して載置台４に至り、これを加熱し、この上に配
置されている半導体ウエハＷを所定の温度に間接的に加
熱維持する。これと同時に、載置台４の上方に設けたシ
ャワーヘッド部１２のガス噴射孔１３からはプロセスガ
スとして例えばＷＦ6やＨ2 等がウエハ表面上に均等に
供給され、ウエハ表面上にＷ等の金属膜が形成されるこ
とになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハに対する各種の処理においては、歩留り低下の原因と
なる微細なパーティクルが処理容器内に発生することを
極力避ける必要がある。そして、例えば成膜処理にあっ
ては、目的とするウエハ面上に膜が付着形成されるのみ
ならず、処理容器２やシャワーヘッド部１２の内壁面に
も不要な膜が付着することは避けられない。これらの不
要な膜は、ウエハの処理枚数が増加するに従って増大し
て、ある一定の厚さになると壁面より剥がれ落ち、パー
ティクルの発生原因となる。
ハに対する各種の処理においては、歩留り低下の原因と
なる微細なパーティクルが処理容器内に発生することを
極力避ける必要がある。そして、例えば成膜処理にあっ
ては、目的とするウエハ面上に膜が付着形成されるのみ
ならず、処理容器２やシャワーヘッド部１２の内壁面に
も不要な膜が付着することは避けられない。これらの不
要な膜は、ウエハの処理枚数が増加するに従って増大し
て、ある一定の厚さになると壁面より剥がれ落ち、パー
ティクルの発生原因となる。
【０００７】このため、一般的にはある程度、例えば１
０００〜３０００枚程度の枚数のウエハの処理を行なっ
たならば、ウエットクリーニング、或いはＣｌＦ3 ガス
等を用いたドライクリーニングを行なって不要な付着膜
の除去を行なわなければならない。スループットを向上
させる上から、このようなクリーニング操作を行なうイ
ンターバルはできるだけ長い方がよいが、膜種にもよる
が現状では上述のようにウエハ数が１０００〜３０００
枚程度が限界である。特に、膜種として金属タングステ
ン膜を成膜する場合には、成膜ガスであるＷＦ6 ガスの
フッ素がウエハ下地膜の例えばＴｉＮ膜をアタックして
ＴｉＦ化合物のようなものを飛散させ、これが水分やタ
ングステンと反応して青色のＷ・Ｔｉ・Ｆ・Ｏ複合化合
物がシャワーヘッド部１２の内壁面や処理容器２の内壁
面に付着し、これが核となって不要なタングステン膜の
堆積を助長しており、クリーニングのインターバルを短
くする原因となっていた。
０００〜３０００枚程度の枚数のウエハの処理を行なっ
たならば、ウエットクリーニング、或いはＣｌＦ3 ガス
等を用いたドライクリーニングを行なって不要な付着膜
の除去を行なわなければならない。スループットを向上
させる上から、このようなクリーニング操作を行なうイ
ンターバルはできるだけ長い方がよいが、膜種にもよる
が現状では上述のようにウエハ数が１０００〜３０００
枚程度が限界である。特に、膜種として金属タングステ
ン膜を成膜する場合には、成膜ガスであるＷＦ6 ガスの
フッ素がウエハ下地膜の例えばＴｉＮ膜をアタックして
ＴｉＦ化合物のようなものを飛散させ、これが水分やタ
ングステンと反応して青色のＷ・Ｔｉ・Ｆ・Ｏ複合化合
物がシャワーヘッド部１２の内壁面や処理容器２の内壁
面に付着し、これが核となって不要なタングステン膜の
堆積を助長しており、クリーニングのインターバルを短
くする原因となっていた。
【０００８】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、処理容器も含めて金属部材の表面を特殊処理
することにより、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難
くてクリーニングのインターバルを長くすることができ
ると共にパーティクルの発生を抑制することができる処
理装置を提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、処理容器も含めて金属部材の表面を特殊処理
することにより、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難
くてクリーニングのインターバルを長くすることができ
ると共にパーティクルの発生を抑制することができる処
理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】一般に、スループットを
向上させるために従来種々のクリーニング方法が提案さ
れているが、本発明者等は、不要な膜が付着する付着面
に注目し、膜が成膜し難い条件を見い出すことによっ
て、本発明に至ったものである。請求項１に規定する発
明は、真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に
被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャ
ワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所
定の処理を施す処理装置において、前記処理装置に用い
るアルミニウム製の金属部材の表面は、有機機械化学研
磨処理とブラスト処理とアルマイト処理が順次施される
ように構成したものである。
向上させるために従来種々のクリーニング方法が提案さ
れているが、本発明者等は、不要な膜が付着する付着面
に注目し、膜が成膜し難い条件を見い出すことによっ
て、本発明に至ったものである。請求項１に規定する発
明は、真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に
被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャ
ワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所
定の処理を施す処理装置において、前記処理装置に用い
るアルミニウム製の金属部材の表面は、有機機械化学研
磨処理とブラスト処理とアルマイト処理が順次施される
ように構成したものである。
【００１０】このように、処理装置のアルミニウム製の
金属部材の表面を処理しておくことにより、所定の処
理、例えば成膜等の処理を行なった時に、処理室に臨む
金属部材の壁面には不要な膜が付着し難くなり、しかも
付着しても膜が剥がれ難くなるので、クリーニング操作
のインターバルを長くしてスループットを向上できるの
みならず、パーティクルの発生を抑制できる。請求項２
に規定するように、例えば前記アルミニウム製の金属部
品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少
なくともいずれか一方である。また、請求項３に規定す
るように、例えば前記所定の処理は、成膜処理である。
金属部材の表面を処理しておくことにより、所定の処
理、例えば成膜等の処理を行なった時に、処理室に臨む
金属部材の壁面には不要な膜が付着し難くなり、しかも
付着しても膜が剥がれ難くなるので、クリーニング操作
のインターバルを長くしてスループットを向上できるの
みならず、パーティクルの発生を抑制できる。請求項２
に規定するように、例えば前記アルミニウム製の金属部
品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少
なくともいずれか一方である。また、請求項３に規定す
るように、例えば前記所定の処理は、成膜処理である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る処理装置の
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明
に係る処理装置を示す断面構成図、図２は図１に示す装
置のシャワーヘッド部を示す下面図、図３はアルミニウ
ム製の金属材料の表面処理の工程を説明する説明図、図
４はアルミニウム製の金属部材の表面を模式的に示す図
である。本実施例では、処理装置として成膜処理装置を
例にとって説明する。この成膜処理装置１４には、例え
ばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された
処理容器１６を有しており、この処理容器１６内には、
処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ１８上
に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２０を介して被処理体
としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２２が
設けられている。このリフレクタ１８及び保持部材２０
は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されてお
り、また、載置台２２は、厚さ１ｍｍ程度の例えばカー
ボン素材、ＡｌＮなどのアルミ化合物等により構成され
ている。
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明
に係る処理装置を示す断面構成図、図２は図１に示す装
置のシャワーヘッド部を示す下面図、図３はアルミニウ
ム製の金属材料の表面処理の工程を説明する説明図、図
４はアルミニウム製の金属部材の表面を模式的に示す図
である。本実施例では、処理装置として成膜処理装置を
例にとって説明する。この成膜処理装置１４には、例え
ばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された
処理容器１６を有しており、この処理容器１６内には、
処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ１８上
に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２０を介して被処理体
としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２２が
設けられている。このリフレクタ１８及び保持部材２０
は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されてお
り、また、載置台２２は、厚さ１ｍｍ程度の例えばカー
ボン素材、ＡｌＮなどのアルミ化合物等により構成され
ている。
【００１２】この載置台２２の下方には、複数本、例え
ば３本のリフタピン２４が支持部材２６に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材２６を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒２８により上下
動させることにより、上記リフタピン２４を載置台２２
に貫通させて設けたリフタピン穴３０に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。
ば３本のリフタピン２４が支持部材２６に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材２６を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒２８により上下
動させることにより、上記リフタピン２４を載置台２２
に貫通させて設けたリフタピン穴３０に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。
【００１３】上記押し上げ棒２８の下端は、処理容器１
６において内部の気密状態を保持するために伸縮可能な
ベローズ３２を介してアクチュエータ３４に接続されて
いる。上記載置台２２の周縁部には、ウエハＷの周縁部
を保持してこれを載置台２２側へ固定するために、例え
ばウエハの輪郭形状に沿った略リング状のセラミック製
クランプリング３８が設けられている。このクランプリ
ング３８は、上記保持部材２０を遊嵌状態で貫通した支
持棒４０を介して上記支持部材２６に連結されており、
リフタピン２４と一体的に昇降するようになっている。
ここで保持部材２０と支持部材２６との間の支持棒４０
にはコイルバネ４２が介設されており、クランプリング
３８等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実なら
しめている。これらのリフタピン２４、支持部材２６及
び保持部材２０も石英等の熱線透過部材により構成され
ている。
６において内部の気密状態を保持するために伸縮可能な
ベローズ３２を介してアクチュエータ３４に接続されて
いる。上記載置台２２の周縁部には、ウエハＷの周縁部
を保持してこれを載置台２２側へ固定するために、例え
ばウエハの輪郭形状に沿った略リング状のセラミック製
クランプリング３８が設けられている。このクランプリ
ング３８は、上記保持部材２０を遊嵌状態で貫通した支
持棒４０を介して上記支持部材２６に連結されており、
リフタピン２４と一体的に昇降するようになっている。
ここで保持部材２０と支持部材２６との間の支持棒４０
にはコイルバネ４２が介設されており、クランプリング
３８等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実なら
しめている。これらのリフタピン２４、支持部材２６及
び保持部材２０も石英等の熱線透過部材により構成され
ている。
【００１４】また、載置台２２の直下の処理容器底部に
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４４が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４４を囲むよう
に箱状の加熱室４６が設けられている。この加熱室４６
内には加熱部として複数個の加熱ランプ４８が反射鏡も
兼ねる回転台５０に取り付けられており、この回転台５
０は、回転軸を介して加熱室４６の底部に設けた回転モ
ータ５４により回転される。従って、この加熱ランプ４
８より放出された熱線は、透過窓４４を透過して載置台
２２の下面を照射してこれを加熱し得るようになってい
る。尚、加熱手段として加熱ランプ４８に替えて、抵抗
加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４４が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４４を囲むよう
に箱状の加熱室４６が設けられている。この加熱室４６
内には加熱部として複数個の加熱ランプ４８が反射鏡も
兼ねる回転台５０に取り付けられており、この回転台５
０は、回転軸を介して加熱室４６の底部に設けた回転モ
ータ５４により回転される。従って、この加熱ランプ４
８より放出された熱線は、透過窓４４を透過して載置台
２２の下面を照射してこれを加熱し得るようになってい
る。尚、加熱手段として加熱ランプ４８に替えて、抵抗
加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
【００１５】また、載置台２２の外周側には、多数の整
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
３８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理容器１６内を所
定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理
容器１６の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉され
るゲートバルブ７２が設けられる。
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
３８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理容器１６内を所
定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理
容器１６の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉され
るゲートバルブ７２が設けられる。
【００１６】一方、上記載置台２２と対向する処理容器
天井部には、処理ガス等を処理容器１６内へ導入するた
めのシャワーヘッド部７４が設けられている。具体的に
は、このシャワーヘッド部７４は、例えばアルミニウム
等により円形箱状に成形されたヘッド本体７６を有し、
この天井部にはガス導入口７８が設けられている。この
ガス導入口７８には、ガス通路を介して処理に必要なガ
ス、例えばＷＦ6、Ａｒ、ＳｉＨ4、Ｈ2 、Ｎ2 等のガス
源が流量制御可能に接続されている。ヘッド本体７６の
下部７９には、ヘッド本体７６内へ供給されたガスを処
理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔８０が面内
の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを
放出するようになっている。
天井部には、処理ガス等を処理容器１６内へ導入するた
めのシャワーヘッド部７４が設けられている。具体的に
は、このシャワーヘッド部７４は、例えばアルミニウム
等により円形箱状に成形されたヘッド本体７６を有し、
この天井部にはガス導入口７８が設けられている。この
ガス導入口７８には、ガス通路を介して処理に必要なガ
ス、例えばＷＦ6、Ａｒ、ＳｉＨ4、Ｈ2 、Ｎ2 等のガス
源が流量制御可能に接続されている。ヘッド本体７６の
下部７９には、ヘッド本体７６内へ供給されたガスを処
理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔８０が面内
の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを
放出するようになっている。
【００１７】また、ヘッド本体７６内には、多数のガス
分散孔８２を有する拡散板８４が配設されており、ウエ
ハ面に、より均等にガスを供給するようになっている。
そして、本発明はの特徴として、この装置に用いるアル
ミニウム製の金属部材、すなわちここでは処理容器１６
とシャワーヘッド部７４のそれぞれの表面は、この装置
の組み立て前に有機機械化学処理（以下、ＯＭＣＰ（Ｏ
ｒｇａｎｉｃＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）と称す）とブラスト処理とアル
マイト処理が順次施されて各処理層８６、８８が形成さ
れている。ここでは処理容器１６とシャワーヘッド部７
４の双方の表面に処理が加えられているが、少なくとも
いずれか一方の部材に表面処理を行なえば本発明の効果
は現れる。
分散孔８２を有する拡散板８４が配設されており、ウエ
ハ面に、より均等にガスを供給するようになっている。
そして、本発明はの特徴として、この装置に用いるアル
ミニウム製の金属部材、すなわちここでは処理容器１６
とシャワーヘッド部７４のそれぞれの表面は、この装置
の組み立て前に有機機械化学処理（以下、ＯＭＣＰ（Ｏ
ｒｇａｎｉｃＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）と称す）とブラスト処理とアル
マイト処理が順次施されて各処理層８６、８８が形成さ
れている。ここでは処理容器１６とシャワーヘッド部７
４の双方の表面に処理が加えられているが、少なくとも
いずれか一方の部材に表面処理を行なえば本発明の効果
は現れる。
【００１８】ここで表面とは、装置の内側に面している
部分であり、少なくとも処理空間Ｓに面している面を指
す。具体的には、上記処理容器１６の内壁面全体に亘っ
て処理層８６が形成される。また、シャワーヘッド部７
４の下部７９の下面であるガス噴射面７４Ａ及び側面７
４Ｂに処理層８８が形成されている。すなわち、好まし
くは、処理空間Ｓを臨むアルミニウム面の全てに上述し
た一連の処理を施すのがよい。また、ヘッド本体７６の
内壁面にも上述した一連の処理を施すようにしてもよ
い。ここでＯＭＣＰ処理は、例えばアルコールのような
有機溶媒に例えばＡｌ2 Ｏ3 よりなる研磨砥粒を混ぜ
て、機械的なバフ研磨のような手法で被加工物の表面を
研磨する処理である。上記研磨砥粒の大きさを変えて研
磨粗さを変化させる。このＯＭＣＰ処理では、例えばア
ルミニウムのような比較的柔らかい金属に鏡面研磨がで
き、しかもアウトガスや水分吸着が通常の研磨よりも少
ないという利点を有する。
部分であり、少なくとも処理空間Ｓに面している面を指
す。具体的には、上記処理容器１６の内壁面全体に亘っ
て処理層８６が形成される。また、シャワーヘッド部７
４の下部７９の下面であるガス噴射面７４Ａ及び側面７
４Ｂに処理層８８が形成されている。すなわち、好まし
くは、処理空間Ｓを臨むアルミニウム面の全てに上述し
た一連の処理を施すのがよい。また、ヘッド本体７６の
内壁面にも上述した一連の処理を施すようにしてもよ
い。ここでＯＭＣＰ処理は、例えばアルコールのような
有機溶媒に例えばＡｌ2 Ｏ3 よりなる研磨砥粒を混ぜ
て、機械的なバフ研磨のような手法で被加工物の表面を
研磨する処理である。上記研磨砥粒の大きさを変えて研
磨粗さを変化させる。このＯＭＣＰ処理では、例えばア
ルミニウムのような比較的柔らかい金属に鏡面研磨がで
き、しかもアウトガスや水分吸着が通常の研磨よりも少
ないという利点を有する。
【００１９】また、ブラスト処理は、例えば圧力が３ｋ
ｇ／ｃｍ2 の高圧ガス（空気やアルゴン等）でアルミナ
砥粒等を被加工物の表面に一定の距離を維持しつつ当て
て表面に独特の微少な凹凸を付ける操作である。この場
合、被加工物表面とノズルとの距離は２００ｍｍ程度で
あり、ガス圧力、距離、砥粒の材質及び粒径を変えるこ
とにより、処理条件を種々選択することができる。尚、
このブラスト処理の後には、被加工物の表面に残ってい
る砥粒や不純物を取り除くために、溶剤として例えば苛
性ソーダを用いてエッチング処理を行なう。また、アル
マイト処理は、アルミニウム部材の表面を陽極酸化する
ことにより、一定の厚さ、例えばここでは７０００Å程
度のアルミナ層を形成する。
ｇ／ｃｍ2 の高圧ガス（空気やアルゴン等）でアルミナ
砥粒等を被加工物の表面に一定の距離を維持しつつ当て
て表面に独特の微少な凹凸を付ける操作である。この場
合、被加工物表面とノズルとの距離は２００ｍｍ程度で
あり、ガス圧力、距離、砥粒の材質及び粒径を変えるこ
とにより、処理条件を種々選択することができる。尚、
このブラスト処理の後には、被加工物の表面に残ってい
る砥粒や不純物を取り除くために、溶剤として例えば苛
性ソーダを用いてエッチング処理を行なう。また、アル
マイト処理は、アルミニウム部材の表面を陽極酸化する
ことにより、一定の厚さ、例えばここでは７０００Å程
度のアルミナ層を形成する。
【００２０】ここで、図３を用いて上記した一連の処理
の過程における被加工物、ここではシャワーヘッド部７
４のヘッド本体７６の表面や処理容器１６の内壁面の形
態が変化する様子を模式的に説明する。まず、図３
（Ａ）は被加工物を所定の形状に切り出してその表面を
所定の粗さで仕上げ加工した時の断面拡大図を示してい
る。ここでは表面粗さＲａは設定値通りになっている
が、表面に微少なギザギザ状の或いはささくれ状の切削
跡９０が非常に多く存在している。次に、図３（Ｂ）に
示すようにこの表面に前述したようなＯＭＣＰ処理を施
すと、表面のうねり（粗さ）が少し小さくなる。これと
同時に、切削跡９０も少し小さくなって円滑性が増した
状態となる。更に、図３（Ｃ）に示すようにこの表面に
前述したようなブラスト処理を施すと表面の切削跡（ギ
ザギザ状のもの）がなくなり、非常に表面が滑らかにな
って円滑性が向上する。そして、図３（Ｄ）に示すよう
に、この表面にアルマイト処理を施して処理層８６（８
８）を形成して表面処理を完了することになる。
の過程における被加工物、ここではシャワーヘッド部７
４のヘッド本体７６の表面や処理容器１６の内壁面の形
態が変化する様子を模式的に説明する。まず、図３
（Ａ）は被加工物を所定の形状に切り出してその表面を
所定の粗さで仕上げ加工した時の断面拡大図を示してい
る。ここでは表面粗さＲａは設定値通りになっている
が、表面に微少なギザギザ状の或いはささくれ状の切削
跡９０が非常に多く存在している。次に、図３（Ｂ）に
示すようにこの表面に前述したようなＯＭＣＰ処理を施
すと、表面のうねり（粗さ）が少し小さくなる。これと
同時に、切削跡９０も少し小さくなって円滑性が増した
状態となる。更に、図３（Ｃ）に示すようにこの表面に
前述したようなブラスト処理を施すと表面の切削跡（ギ
ザギザ状のもの）がなくなり、非常に表面が滑らかにな
って円滑性が向上する。そして、図３（Ｄ）に示すよう
に、この表面にアルマイト処理を施して処理層８６（８
８）を形成して表面処理を完了することになる。
【００２１】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、ウエハ表面に例えばタン
グステンのような金属膜の成膜処理を施す場合には、処
理容器１６の側壁に設けたゲートバルブ７２を開いて搬
送アームにより処理容器１６内にウエハＷを搬入し、リ
フタピン２４を押し上げることによりウエハＷをリフタ
ピン２４側に受け渡す。そして、リフタピン２４を、押
し上げ棒２８を下げることによって降下させ、ウエハＷ
を載置台２２上に載置すると共に更に押し上げ棒２８を
下げることによってウエハＷの周縁部をクランプリング
３８で押圧してこれを固定する。
動作について説明する。まず、ウエハ表面に例えばタン
グステンのような金属膜の成膜処理を施す場合には、処
理容器１６の側壁に設けたゲートバルブ７２を開いて搬
送アームにより処理容器１６内にウエハＷを搬入し、リ
フタピン２４を押し上げることによりウエハＷをリフタ
ピン２４側に受け渡す。そして、リフタピン２４を、押
し上げ棒２８を下げることによって降下させ、ウエハＷ
を載置台２２上に載置すると共に更に押し上げ棒２８を
下げることによってウエハＷの周縁部をクランプリング
３８で押圧してこれを固定する。
【００２２】次に、図示しない処理ガス源から処理ガス
としてＷＦ6，ＳｉＨ4，Ｈ2 等をシャワーヘッド部７４
へ所定量ずつ供給して混合し、これをヘッド本体７６の
下面のガス噴射孔８０から処理容器１６内へ略均等に供
給する。これと同時に、排気口６８から内部雰囲気を吸
引排気することにより処理容器１６内を所定の真空度、
例えば２００Ｐａ〜１１０００Ｐａの範囲内の値に設定
し、且つ載置台２２の下方に位置する加熱ランプ４８を
回転させながら駆動し、熱エネルギを放射する。放射さ
れた熱線は、透過窓４４を透過した後、載置台２２の裏
面を照射してこれを加熱する。この載置台２２は、前述
のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱さ
れ、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所
定の温度まで加熱することができる。供給された混合ガ
スは所定の化学反応を生じ、例えばタングステン膜がウ
エハ表面に堆積し、形成されることになる。
としてＷＦ6，ＳｉＨ4，Ｈ2 等をシャワーヘッド部７４
へ所定量ずつ供給して混合し、これをヘッド本体７６の
下面のガス噴射孔８０から処理容器１６内へ略均等に供
給する。これと同時に、排気口６８から内部雰囲気を吸
引排気することにより処理容器１６内を所定の真空度、
例えば２００Ｐａ〜１１０００Ｐａの範囲内の値に設定
し、且つ載置台２２の下方に位置する加熱ランプ４８を
回転させながら駆動し、熱エネルギを放射する。放射さ
れた熱線は、透過窓４４を透過した後、載置台２２の裏
面を照射してこれを加熱する。この載置台２２は、前述
のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱さ
れ、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所
定の温度まで加熱することができる。供給された混合ガ
スは所定の化学反応を生じ、例えばタングステン膜がウ
エハ表面に堆積し、形成されることになる。
【００２３】このようにして、連続して多数枚のウエハ
に対して成膜処理を行なうと、ウエハ表面以外に主とし
て処理空間Ｓに面している部分、例えばシャワーヘッド
部７４のヘッド本体７６のガス噴射面７４Ａやその側面
７４Ｂ及び処理容器１６の内壁面に不要な膜が付着する
傾向となる。しかしながら、本実施例にあっては、この
ヘッド本体７６の表面７４Ａ、７４Ｂや処理容器１６の
内壁面には、前述したような一連の処理を行なっている
ので、表面円滑性が良好となっており、この表面部分に
不要な堆積膜が付着し難くなっている。また、不要な膜
が付着しても、これが剥がれ難くなっている。従って、
クリーニング操作のインターバルを長くできのみなら
ず、パーティクルの発生も抑制することが可能となる。
に対して成膜処理を行なうと、ウエハ表面以外に主とし
て処理空間Ｓに面している部分、例えばシャワーヘッド
部７４のヘッド本体７６のガス噴射面７４Ａやその側面
７４Ｂ及び処理容器１６の内壁面に不要な膜が付着する
傾向となる。しかしながら、本実施例にあっては、この
ヘッド本体７６の表面７４Ａ、７４Ｂや処理容器１６の
内壁面には、前述したような一連の処理を行なっている
ので、表面円滑性が良好となっており、この表面部分に
不要な堆積膜が付着し難くなっている。また、不要な膜
が付着しても、これが剥がれ難くなっている。従って、
クリーニング操作のインターバルを長くできのみなら
ず、パーティクルの発生も抑制することが可能となる。
【００２４】この点について、図４を参照して説明す
る。図４（Ａ）は従来の例えばシャワーヘッド部の表面
の拡大断面の模式図であり、表面には切削跡９２が存在
した状態でアルマイトの処理層９４が形成されている。
これに対し、図４（Ｂ）は本発明のシャワーヘッド部７
４のヘッド本体７６の表面の拡大断面の模式図であり、
表面は非常に滑らかになされた状態でアルマイトの処理
層８８が形成されている。図４（Ａ）に示す従来のシャ
ワーヘッド部の場合には、数ミクロン程度の切削跡９２
が多数残っていることから、不要な膜が容易に付着し易
く、且つ表面とその不要な膜の密着性も低いことから容
易に剥がれ易くなっている。また、切削跡９２自身もは
がれ落ち易いのみならず、切削跡９２の部分は処理層９
４の耐腐食性も劣っているので、これより腐食が発生す
る。更には、切削跡９２が有ることから、アルマイトの
耐性が劣化してＡｌ表面がむき出しになり易く、この結
果、このむき出し部分に不要な付着物が付き易い。これ
に対して、図４（Ｂ）に示す本発明のシャワーヘッド部
の場合には、表面が非常に滑らかになっているので、こ
れに不要な膜が付着し難く、且つ不要な膜が付着しても
密着性が高いので容易に剥がれ落ちることはない。ま
た、切削跡も少ないことから、処理層８８の耐腐食性を
高く維持することができる。
る。図４（Ａ）は従来の例えばシャワーヘッド部の表面
の拡大断面の模式図であり、表面には切削跡９２が存在
した状態でアルマイトの処理層９４が形成されている。
これに対し、図４（Ｂ）は本発明のシャワーヘッド部７
４のヘッド本体７６の表面の拡大断面の模式図であり、
表面は非常に滑らかになされた状態でアルマイトの処理
層８８が形成されている。図４（Ａ）に示す従来のシャ
ワーヘッド部の場合には、数ミクロン程度の切削跡９２
が多数残っていることから、不要な膜が容易に付着し易
く、且つ表面とその不要な膜の密着性も低いことから容
易に剥がれ易くなっている。また、切削跡９２自身もは
がれ落ち易いのみならず、切削跡９２の部分は処理層９
４の耐腐食性も劣っているので、これより腐食が発生す
る。更には、切削跡９２が有ることから、アルマイトの
耐性が劣化してＡｌ表面がむき出しになり易く、この結
果、このむき出し部分に不要な付着物が付き易い。これ
に対して、図４（Ｂ）に示す本発明のシャワーヘッド部
の場合には、表面が非常に滑らかになっているので、こ
れに不要な膜が付着し難く、且つ不要な膜が付着しても
密着性が高いので容易に剥がれ落ちることはない。ま
た、切削跡も少ないことから、処理層８８の耐腐食性を
高く維持することができる。
【００２５】ここで、従来のシャワーヘッド部（表面ア
ルマイト処理）と本発明のシャワーヘッド部の比較実験
を行なったので、その結果を図５及び図６に示す。図５
（Ａ）は従来のシャワーヘッド部であり、１０００枚の
ウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによると、
シャワーヘッド部の中央部より中周部にかけて多くの不
要な膜が付着している。これに対して、図５（Ｂ）は本
発明のシャワーヘッド部であり、３０００枚のウエハを
成膜処理した時の状態を示す。これによると、図５
（Ａ）の場合よりも３倍も多いウエハを成膜処理したに
もかかわらず、不要な膜がそれ程付着していないのが判
明する。
ルマイト処理）と本発明のシャワーヘッド部の比較実験
を行なったので、その結果を図５及び図６に示す。図５
（Ａ）は従来のシャワーヘッド部であり、１０００枚の
ウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによると、
シャワーヘッド部の中央部より中周部にかけて多くの不
要な膜が付着している。これに対して、図５（Ｂ）は本
発明のシャワーヘッド部であり、３０００枚のウエハを
成膜処理した時の状態を示す。これによると、図５
（Ａ）の場合よりも３倍も多いウエハを成膜処理したに
もかかわらず、不要な膜がそれ程付着していないのが判
明する。
【００２６】また、図６（Ａ）は他の従来のシャワーヘ
ッド部であり、１０００枚のウエハを成膜処理した時の
状態を示す。これによれば、ガス噴射面全体に亘って不
要な膜が付着している。これに対して、図６（Ｂ）は本
発明のシャワーヘッド部であり、５０００枚のウエハを
成膜処理した時の状態を示す。これによると、図６
（Ａ）の場合よりも５倍も多いウエハを成膜処理してい
るにもかかわらず、不要な膜の付着は非常に少ないこと
が判明する。また、シャワーヘッド部の耐腐食性に対す
る表面粗さＲａの影響及びブラスト処理の影響も調べる
ために、表面粗さＲａを少し変え、且つブラスト処理の
有無の基で試験を行なった。その時の表面粗さＲａ、表
面粗さの最大値Ｒｍａｘ、表面の円滑性、耐腐食性は表
１に示す。
ッド部であり、１０００枚のウエハを成膜処理した時の
状態を示す。これによれば、ガス噴射面全体に亘って不
要な膜が付着している。これに対して、図６（Ｂ）は本
発明のシャワーヘッド部であり、５０００枚のウエハを
成膜処理した時の状態を示す。これによると、図６
（Ａ）の場合よりも５倍も多いウエハを成膜処理してい
るにもかかわらず、不要な膜の付着は非常に少ないこと
が判明する。また、シャワーヘッド部の耐腐食性に対す
る表面粗さＲａの影響及びブラスト処理の影響も調べる
ために、表面粗さＲａを少し変え、且つブラスト処理の
有無の基で試験を行なった。その時の表面粗さＲａ、表
面粗さの最大値Ｒｍａｘ、表面の円滑性、耐腐食性は表
１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】尚、腐食の程度は、少ないが○、中程度が
△、多いが×の記号でそれぞれ示される。また、耐腐食
性の試験は、塩化ナトリウム溶液に塩化第二銅を添加し
た酢酸酸性の溶液（ｐＨ３）を表面に噴霧して行なっ
た。また、図７に併せて各例の表面の顕微鏡写真（２０
０倍）も示す。本実施例は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処
理、ブラスト処理及びアルマイト処理を行なっている。
比較例１は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処理及びアルマイト
処理を行なった場合（ブラスト処理はなし）、比較例２
は、切削仕上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭ
ＣＰ処理とブラスト処理はなし）、比較例３も、切削仕
上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭＣＰ処理と
ブラスト処理はなし、但し表面粗さＲａは変更）であ
る。
△、多いが×の記号でそれぞれ示される。また、耐腐食
性の試験は、塩化ナトリウム溶液に塩化第二銅を添加し
た酢酸酸性の溶液（ｐＨ３）を表面に噴霧して行なっ
た。また、図７に併せて各例の表面の顕微鏡写真（２０
０倍）も示す。本実施例は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処
理、ブラスト処理及びアルマイト処理を行なっている。
比較例１は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処理及びアルマイト
処理を行なった場合（ブラスト処理はなし）、比較例２
は、切削仕上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭ
ＣＰ処理とブラスト処理はなし）、比較例３も、切削仕
上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭＣＰ処理と
ブラスト処理はなし、但し表面粗さＲａは変更）であ
る。
【００２９】この結果から、図７も参照するとブラスト
処理を行なわない比較例１〜３は切削跡が多く残ってお
り、耐腐食性も×或いは△であって好ましくない。これ
に対し、本実施例は切削跡がほとんどなくて表面が滑ら
かであり、耐腐食性も良好（○）である。これによれ
ば、腐食性については表面粗さはほとんど関与していな
いことが判明する。試験後に、実際にアルミニウムが侵
食されている部位を観察してみると、切削跡に沿って侵
食する部位が見られた。従って、切削跡の部分がアルマ
イト被膜が弱くなっているものと推測できる。従って、
ブラスト処理を行なうことによって、切削跡のささくれ
部が減少し、これによって耐腐食性が向上したものと推
測できる。
処理を行なわない比較例１〜３は切削跡が多く残ってお
り、耐腐食性も×或いは△であって好ましくない。これ
に対し、本実施例は切削跡がほとんどなくて表面が滑ら
かであり、耐腐食性も良好（○）である。これによれ
ば、腐食性については表面粗さはほとんど関与していな
いことが判明する。試験後に、実際にアルミニウムが侵
食されている部位を観察してみると、切削跡に沿って侵
食する部位が見られた。従って、切削跡の部分がアルマ
イト被膜が弱くなっているものと推測できる。従って、
ブラスト処理を行なうことによって、切削跡のささくれ
部が減少し、これによって耐腐食性が向上したものと推
測できる。
【００３０】尚、本実施例では、シャワーヘッド部の表
面と処理容器の表面の双方に一連の処理を施した場合を
例にとって説明したが、これらの部材のいずれか一方の
みに一連の表面処理を行なった場合にも本発明の効果を
発揮するのは勿論である。更には、上記シャワーヘッド
部と処理容器の２つの部材に限らず、処理容器内の他の
アルミニウム製の部材にも、同様に一連の処理を施すよ
うにしてもよい。また、ここではタングステンの金属成
膜を行なう場合を例にとって説明したが、これに限定さ
れず、ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜等の他の膜を
形成する場合、更には、成膜装置に限らず、酸化拡散装
置、アニール装置、スパッタ装置、エッチング装置、ア
ッシング装置等にも適用できるのは勿論である。更に、
被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ
基板、ガラス基板等に成膜等の所定の処理を行なう場合
にも適用できる。
面と処理容器の表面の双方に一連の処理を施した場合を
例にとって説明したが、これらの部材のいずれか一方の
みに一連の表面処理を行なった場合にも本発明の効果を
発揮するのは勿論である。更には、上記シャワーヘッド
部と処理容器の２つの部材に限らず、処理容器内の他の
アルミニウム製の部材にも、同様に一連の処理を施すよ
うにしてもよい。また、ここではタングステンの金属成
膜を行なう場合を例にとって説明したが、これに限定さ
れず、ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜等の他の膜を
形成する場合、更には、成膜装置に限らず、酸化拡散装
置、アニール装置、スパッタ装置、エッチング装置、ア
ッシング装置等にも適用できるのは勿論である。更に、
被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ
基板、ガラス基板等に成膜等の所定の処理を行なう場合
にも適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
によれば、次のような優れた作用効果を発揮することが
できる。処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の
表面に一連の処理を施すようにしたので、表面の切削跡
が抑制されて表面が非常に滑らかとなり、このため、こ
の表面に不要な膜が付着することを抑制できるのみなら
ず、膜に対する密着性が向上して付着した膜の剥離も抑
制することができる。従って、クリーニング操作のイン
ターバルを長くしてスループットを向上できるのみなら
ず、パーティクルの発生を抑制して歩留りも向上させる
ことができる。
によれば、次のような優れた作用効果を発揮することが
できる。処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の
表面に一連の処理を施すようにしたので、表面の切削跡
が抑制されて表面が非常に滑らかとなり、このため、こ
の表面に不要な膜が付着することを抑制できるのみなら
ず、膜に対する密着性が向上して付着した膜の剥離も抑
制することができる。従って、クリーニング操作のイン
ターバルを長くしてスループットを向上できるのみなら
ず、パーティクルの発生を抑制して歩留りも向上させる
ことができる。
【図１】本発明に係る処理装置を示す断面構成図であ
る。
る。
【図２】図１に示す装置のシャワーヘッド部を示す下面
図である。
図である。
【図３】アルミニウム製の金属材料の表面処理の工程を
説明する説明図である。
説明する説明図である。
【図４】アルミニウム製の金属部材の表面を模式的に示
す図である。
す図である。
【図５】従来のシャワーヘッド部と本発明のシャワーヘ
ッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
ッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
【図６】従来のシャワーヘッド部と本発明のシャワーヘ
ッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
ッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
【図７】本発明の実施例と比較例の表面の状態を示す図
面代用写真である。
面代用写真である。
【図８】従来の処理装置を示す概略構成図である。
１４ 成膜処理装置（処理装置） １６ 処理容器（金属部材） ２２ 載置台（金属部材） ４４ 透過窓 ４８ 加熱ランプ ７４ シャワーヘッド部 ７６ ヘッド本体 ７４Ａ ガス噴射面 ７４Ｂ 側面 ８６，８８ 処理層 Ｓ 処理空間 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中塚 栄 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650番地 東京 エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 饗場 康 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650番地 東京 エレクトロン山梨株式会社内 Ｆターム(参考） 4F033 AA14 BA01 CA04 DA05 EA01 JA03 NA01 4K030 AA04 AA06 AA17 AA18 BA20 BA40 BA44 CA04 CA06 CA12 EA04 FA10 KA17 KA46 LA15 4M104 BB14 BB18 BB25 BB28 BB30 DD39 DD44 HH20
Claims (3)
- 【請求項１】 真空引き可能になされた処理容器内の載
置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設
けたシャワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処
理体に所定の処理を施す処理装置において、前記処理装
置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面は、有機機
械化学研磨処理とブラスト処理とアルマイト処理が順次
施されていることを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 前記アルミニウム製の金属部品は、前記
処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少なくともい
ずれか一方であることを特徴とする請求項１記載の処理
装置。 - 【請求項３】 前記所定の処理は、成膜処理であること
を特徴とする請求項１または２記載の処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014799A JP3911902B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 処理装置及び金属部品の表面処理方法 |
| KR10-2000-0019558A KR100525972B1 (ko) | 1999-04-16 | 2000-04-14 | 처리장치 및 그 제조방법 |
| US09/550,015 US6625862B2 (en) | 1999-04-16 | 2000-04-14 | Method of manufacturing a processing apparatus |
| TW089107097A TW475209B (en) | 1999-04-16 | 2000-04-15 | Processing apparatus and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11014799A JP3911902B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 処理装置及び金属部品の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000303180A true JP2000303180A (ja) | 2000-10-31 |
| JP3911902B2 JP3911902B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=14528248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11014799A Expired - Lifetime JP3911902B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 処理装置及び金属部品の表面処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6625862B2 (ja) |
| JP (1) | JP3911902B2 (ja) |
| KR (1) | KR100525972B1 (ja) |
| TW (1) | TW475209B (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003019633A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de surface de composants d'un dispositif de traitement sous vide |
| KR20030077184A (ko) * | 2002-03-25 | 2003-10-01 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| WO2004030011A3 (en) * | 2002-09-30 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Improved upper electrode plate in a plasma processing system and manufacturing method for the electrode |
| JP2006241589A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-09-14 | Applied Materials Inc | 多層コーティングを有する耐食アルミニウムコンポーネント |
| US7678226B2 (en) | 2002-09-30 | 2010-03-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| WO2010087385A1 (ja) | 2009-01-29 | 2010-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置およびガス吐出部材 |
| US7780786B2 (en) | 2002-11-28 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US7846291B2 (en) | 1999-12-10 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US8057600B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US8117986B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-02-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| US8118936B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| CN110872702A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776873B1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-08-17 | Jennifer Y Sun | Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers |
| US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
| WO2004095532A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | A barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
| US8372205B2 (en) * | 2003-05-09 | 2013-02-12 | Applied Materials, Inc. | Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor |
| US20040221959A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Anodized substrate support |
| JP4312063B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2009-08-12 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 薄膜製造装置及びその方法 |
| US20050284573A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Egley Fred D | Bare aluminum baffles for resist stripping chambers |
| US7552521B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| US20060225654A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fink Steven T | Disposable plasma reactor materials and methods |
| US8173228B2 (en) * | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
| US8034176B2 (en) * | 2006-03-28 | 2011-10-11 | Tokyo Electron Limited | Gas distribution system for a post-etch treatment system |
| US20080131622A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | White John M | Plasma reactor substrate mounting surface texturing |
| US8568555B2 (en) * | 2007-03-30 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing substrate temperature variability |
| US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| KR100938874B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2010-01-27 | 주식회사 에스에프에이 | 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치 |
| CN102422394B (zh) * | 2009-03-16 | 2015-10-14 | 奥塔装置公司 | 用于气相沉积的反应器盖子组件 |
| US20110097488A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Fluid distribution manifold including mirrored finish plate |
| US20120052216A1 (en) * | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution showerhead with high emissivity surface |
| WO2015023435A1 (en) * | 2013-08-12 | 2015-02-19 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping for symmetrical gas exhaust to control critical dimension uniformity in plasma reactors |
| TWI674392B (zh) * | 2014-03-27 | 2019-10-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 頂板開閉機構及檢查裝置 |
| JP6714978B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の部品、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置用の部品の製造方法 |
| US20160362782A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas dispenser and deposition apparatus using the same |
| EP3178540A1 (en) | 2015-12-09 | 2017-06-14 | Point Engineering Co., Ltd. | Fluid permeable anodic oxide film and fluid permeable body using anodic oxide film |
| JP6527482B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2019-06-05 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN107275250A (zh) * | 2016-04-08 | 2017-10-20 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置 |
| JP7109211B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-07-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3655467A (en) * | 1969-05-14 | 1972-04-11 | Aluminum Co Of America | Etching of aluminum base alloys |
| JPS5521130A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing aluminum solid electrolytic capacitor |
| US4872947A (en) * | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| US4820371A (en) * | 1987-12-15 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Apertured ring for exhausting plasma reactor gases |
| US5581874A (en) * | 1994-03-28 | 1996-12-10 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a bonding portion |
| US5595602A (en) * | 1995-08-14 | 1997-01-21 | Motorola, Inc. | Diffuser for uniform gas distribution in semiconductor processing and method for using the same |
| US6194628B1 (en) * | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US5648175A (en) * | 1996-02-14 | 1997-07-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit |
| US5895530A (en) * | 1996-02-26 | 1999-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber |
| US6162112A (en) * | 1996-06-28 | 2000-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical-mechanical polishing apparatus and method |
| EP0821395A3 (en) * | 1996-07-19 | 1998-03-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6055927A (en) * | 1997-01-14 | 2000-05-02 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Apparatus and method for white powder reduction in silicon nitride deposition using remote plasma source cleaning technology |
| US6149974A (en) * | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Method for elimination of TEOS/ozone silicon oxide surface sensitivity |
| JP3160229B2 (ja) | 1997-06-06 | 2001-04-25 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 |
| US5934980A (en) * | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing |
| US6106630A (en) * | 1997-08-07 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Ceramic-coated heating assembly for high temperature processing chamber |
| JP3480271B2 (ja) * | 1997-10-07 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のシャワーヘッド構造 |
| US6063198A (en) * | 1998-01-21 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | High pressure release device for semiconductor fabricating equipment |
| US6117244A (en) * | 1998-03-24 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Deposition resistant lining for CVD chamber |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP11014799A patent/JP3911902B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-04-14 KR KR10-2000-0019558A patent/KR100525972B1/ko active IP Right Grant
- 2000-04-14 US US09/550,015 patent/US6625862B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-15 TW TW089107097A patent/TW475209B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7846291B2 (en) | 1999-12-10 | 2010-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US7879179B2 (en) | 1999-12-10 | 2011-02-01 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| JP2003068653A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びこの構成部品の洗浄方法 |
| WO2003019633A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement de surface de composants d'un dispositif de traitement sous vide |
| KR20030077184A (ko) * | 2002-03-25 | 2003-10-01 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| US8118936B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7678226B2 (en) | 2002-09-30 | 2010-03-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US8057600B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US8117986B2 (en) | 2002-09-30 | 2012-02-21 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| WO2004030011A3 (en) * | 2002-09-30 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Improved upper electrode plate in a plasma processing system and manufacturing method for the electrode |
| US7780786B2 (en) | 2002-11-28 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US8449715B2 (en) | 2002-11-28 | 2013-05-28 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
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| JP2006241589A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-09-14 | Applied Materials Inc | 多層コーティングを有する耐食アルミニウムコンポーネント |
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