JP2000302754A - 含窒素ヘテロ環化合物、有機発光素子材料、有機発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高輝度・高色純度発光が可能な電子輸送材料、
または発光材料などの有機発光素子材料を提供する。 【解決手段】一般式（１）で表される部分構造を有する
化合物を用いる。 【化１】 Ｒ¹¹、Ｒ¹²は水素原子または置換基を表す。但し、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²は互いに結合してベンゾ縮環を形成すること
はなく、ヘテロ環を形成するのが好ましい。Ｘ¹ は酸素
原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子、−Ｃ
（Ｒ¹³）Ｒ¹⁴−を表す。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は水素原子または置
換基を表す。Ｙ¹は酸素原子、硫黄原子、置換または無
置換の窒素原子を表す。Ｍ¹は金属イオンまたは水素原
子を表す。Ｚ¹は、５員環または６員環を形成するに必
要な原子群を表す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な含窒素ヘテ
ロ環化合物及びそれらから成る有機発光素子材料及びそ
れを含有する有機発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日、有機蛍光材料を用いる種々の表示
素子に関する研究開発が活発であり、中でも、有機ＥＬ
（エレクトロルミネッセンス）素子は、低電圧で高輝度
の発光を得ることができ、有望な表示素子として注目さ
れている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を
形成するＥＬ素子が知られている（アプライド フィジ
ックス レターズ、５１巻、９１３頁、１９８７年）。
これに記載の有機ＥＬ素子は電子輸送材料と正孔輸送材
料の積層構造を有し、従来の単層型素子に比べてその発
光特性が大幅に向上している。

【０００３】この報告を契機に、有機ＥＬ開発研究が活
発に行われるようになり、効率向上の為の電子輸送材
料、ホール輸送材料の開発が種々検討されてきた。しか
しながら、電子輸送材料開発においては、Ａｌｑ（トリ
ス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を上回
る性能の化合物は未だ見出されておらず、改良が望まれ
ていた。また、Ａｌｑは緑色の蛍光を有する為、青色発
光素子用の電子輸送材料としては不適であり、開発が望
まれていた。

【０００４】また、近年、有機ＥＬ素子をフルカラーデ
ィスプレイへと適用することが活発に検討されている。
高性能フルカラーディスプレイを開発する為には青・緑
・赤、それぞれの発光色純度を高くする必要がある。し
かしながら、高色純度の発光を得ることは難しく、例え
ば、監修宮田清蔵「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」
（エヌ・ティー・エス社）１９９８年ｐ４０及び、特開
平７−１３３４８３号や同１０−３３０７４４号に記載
のベンゾ縮環含窒素ヘテロ環化合物などは広範に検討さ
れる青色発光材料であるが、色純度の低い青色発光しか
えられず、改良が望まれていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上、本発明の目的
は、高輝度・高色純度発光が可能な電子輸送材料、また
は、発光材料などの有機発光素子材料を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】一般式（１）で表され
る部分構造を有する化合物から成る有機発光素子材料。

【０００７】

【化５】

【０００８】Ｒ¹¹、Ｒ¹²は水素原子または置換基を表
す。但し、Ｒ¹¹、Ｒ¹²は結合してベンゾ縮環を形成する
ことはない。Ｘ¹ は酸素原子、硫黄原子、置換または無
置換の窒素原子、−Ｃ（Ｒ¹³）Ｒ¹⁴−を表す。Ｒ¹³、Ｒ
¹⁴は水素原子または置換基を表す。Ｙ¹は酸素原子、硫
黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｍ¹は金
属イオンまたは水素原子を表す。Ｚ¹は、５員環または
６員環を形成するに必要な原子群を表す。 一般式（２）で表される部分構造を有する化合物から
成る有機発光素子材料。

【０００９】

【化６】

【００１０】Ｑ¹はヘテロ環を形成するに必要な原子群
を表す。Ｘ² は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換
の窒素原子、−Ｃ（Ｒ¹⁵）Ｒ¹⁶−を表す。Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は
水素原子または置換基を表す。Ｙ²は酸素原子、硫黄原
子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｍ²は金属イ
オンまたは水素原子を表す。Ｚ²は、５員環または６員
環を形成するに必要な原子群を表す。 一般式（３）で表される化合物。

【００１１】

【化７】

【００１２】Ｒ²¹、Ｒ²²はそれぞれ水素原子、アルキル
基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。Ｘ³ は
酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子、−
Ｃ（Ｒ²³）Ｒ²⁴−を表す。Ｒ²³、Ｒ²⁴は水素原子または
置換基を表す。Ｙ³は酸素原子、硫黄原子、置換または
無置換の窒素原子を表す。Ｍ³は金属イオンを表す。ｑ¹
は１以上の整数を表す。Ｌ¹は配位子を表し、ｍ¹は０以
上の整数を表す。一般式（４）で表される化合物。

【００１３】

【化８】

【００１４】Ｑ²はヘテロ環を形成するに必要な原子群
を表す。Ｘ⁴ は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換
の窒素原子、−Ｃ（Ｒ²⁵）Ｒ²⁶−を表す。Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は
水素原子または置換基を表す。Ｙ⁴は酸素原子、硫黄原
子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｍ⁴は金属イ
オンを表す。ｑ²は１以上の整数を表す。Ｌ²は配位子を
表し、ｍ²は０以上の整数を表す。 一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有
機薄膜層を形成した発光素子において、少なくとも一層
が、、、に記載の化合物を少なくとも一種含有
する層であることを特徴とする発光素子。 有機薄膜層の少なくとも一層を塗布プロセスで成膜す
るに記載の有機発光素子。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の化合物は、一般式（１）
で表される部分構造を有する化合物である。一般式
（１）で表される部分構造を有する化合物は金属錯体で
あることが好ましい。金属錯体としては、金属錯体中に
一般式（１）で表される部分構造を少なくとも一つ有し
ている化合物であれば良い。同一分子中に複数の金属種
を有する、いわゆる複核錯体であっても良い。また、複
数種の配位子を有していても良い。本発明の化合物は、
中性の金属錯体であることがさらに好ましい。

【００１６】

【化９】

【００１７】一般式（１）について詳細に説明する。Ｒ
¹¹、Ｒ¹²は水素原子または置換基を表す。置換基として
は、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数
１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピ
ル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ
−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シ
クロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好
ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１
２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニ
ル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げ
られる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２
０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭
素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニ
ルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素
数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ま
しくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メ
チルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換カ
ルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましく
は炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であ
り、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニ
ル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボ
ニル、フェニルアミノカルボニル、などが挙げられ
る。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好
ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１
２であり、例えばジメチルアミノ、メチルカルボニルア
ミノ、エチルスルフォニルアミノ、ジメチルアミノカル
ボニルアミノ基、フタルイミド基などが挙げられ
る。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、よ
り好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１
〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられ
る。）、スルホ基、カルボキシル基、ヘテロ環基（脂肪
族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、
酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ま
しくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３
０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミ
ダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリ
ノ、ベンズオキサゾリル、トリアゾリル基などが挙げら
れる。）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（好ましくは炭
素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好
ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメトキシ基、ベ
ンジルオキシ基等が挙げられる。）、アリールオキシ基
（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６
〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えば
フェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられ
る。）、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子）、チオール基、アルキルチオ
基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数
１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例え
ばメチルチオ基等が挙げられる）、アリールチオ基（好
ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１
６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェ
ニルチオ基などが挙げられる）、シアノ基、シリル基
（好ましくは炭素数０〜４０、より好ましくは炭素数３
〜３０、特に好ましくは炭素数３〜１８であり、例えば
トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔ−ブチ
ルジフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げら
れる。これらの置換基は更に置換されてもよい。

【００１８】Ｒ¹¹、Ｒ¹²が結合して環（例えば、ヘテロ
環（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
３〜１２、特に好ましくは炭素数３〜８であり、ヘテロ
原子としては窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原
子が挙げられる。例えば後述のＱ¹で形成されるヘテロ
環）、シクロアルケン環（好ましくは炭素数４〜２０、
より好ましくは炭素数５〜１２、特に好ましくは炭素数
５〜８でありシクロヘキセン環、シクロペンテン環な
ど）などが挙げられる）を形成しても良い。但し、
Ｒ¹¹、Ｒ¹²は結合してベンゾ縮環（ベンゼン環、ナフタ
レン環、アントラキノン環を含む）を形成することはな
い。

【００１９】Ｒ¹¹、Ｒ¹²はそれぞれ水素原子、アルキル
基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、または互いに結合
してヘテロ環を形成する基であることが好ましく、さら
に好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、また
は互いに結合してヘテロ環を形成する基であり、特に好
ましくは、水素原子、アリール基、または互いに結合し
てヘテロ環を形成する基である。

【００２０】Ｘ¹は酸素原子、硫黄原子、置換または無
置換の窒素原子、−ＣＲ¹³（Ｒ¹⁴）−を表す。本願明細
書でいう「無置換の窒素原子」とは−ＮＨ−を意味す
る。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は水素原子、置換基を表し、置換基とし
ては前記Ｒ¹¹で説明した置換基が挙げられる。窒素原子
上の置換基としてはアルキル基（好ましくは炭素数１〜
２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは
炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−
プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシ
ル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル
基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数
２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えば
ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが
挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜
２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは
炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチ
ニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭
素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好
ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−
メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換
カルボニル基（好ましくは炭素数１〜４０、より好まし
くは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２で
あり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニ
ル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボ
ニル基などが挙げられる。）、置換スルホニル基（好ま
しくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１
６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシ
ル、トシルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好まし
くは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含
み、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数
１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例え
ばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジルなどが
挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更
に置換されてもよい。窒素上の置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基が好ましく、アル
キル基、アリール基がさらに好ましい。

【００２１】Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は好ましくは水素原子、アルキ
ル基、アリール基であり、より好ましくは、水素原子、
アルキル基であり、特に好ましくはアルキル基である。

【００２２】Ｘ¹として好ましくは、酸素原子、硫黄原
子、置換または無置換の窒素原子であり、より好ましく
は、酸素原子、置換窒素原子であり、さらに好ましくは
酸素原子、アルキル基置換窒素原子、アリール基置換窒
素原子であり、特に好ましくは、アリール基置換窒素原
子である。。

【００２３】Ｙ¹は酸素原子、硫黄原子、置換または無
置換の窒素原子を表す。窒素上の置換基は、例えば上記
Ｘ¹に記載の窒素上の置換基が上げられ、好ましくは置
換スルホニル基、置換カルボニル基であり、より好まし
くは置換スルホニル基、さらに好ましくは、アリールス
ルホニル基である。

【００２４】Ｙ¹として好ましくは、酸素原子、置換窒
素原子であり、さらに好ましくは、酸素原子である。

【００２５】Ｚ¹は、５員環または６員環を形成するに
必要な原子群を表す。Ｚ¹を含む環は置換基を有してい
ても良く（置換基としては前記Ｒ¹¹上の置換基で説明し
た置換基が挙げられる）、また、他の環と縮合しても良
い。上記Ｚ¹を含む環としては、例えば、シクロペンテ
ン、シクロヘキセン、ベンゼン、ナフタレン、アントラ
セン、フェナントレン、ピレン、ペリレン、ピリジン、
キノリン、フラン、チオフェン、ピラジン、ピリミジ
ン、チアゾール、ベンゾチアゾール、ナフトチアゾー
ル、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサ
ゾール、イソオキサゾール、セレナゾール、ベンゾセレ
ナゾール、ナフトセレナゾール、イミダゾール、ベンゾ
イミダゾール、ナフトイミダゾール、イソキノリン、ピ
ラゾール、トリアゾール等が挙げられる。Ｚ¹を含む環
は、芳香環であることが好ましい。例えば、好ましく
は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピリジン、
チオフェン、ピラジン、ピリミジンであり、より好まし
くはベンゼン、ナフタレンであり、さらに好ましくはベ
ンゼンである。

【００２６】Ｍ¹は金属イオンまたは水素原子を表す。
Ｍ¹は金属イオンであることが好ましい。金属イオンは
特に限定しないが、好ましくは２価または３価の金属イ
オンであり、より好ましくは、Ｂｅ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ａ
ｌ³⁺、Ｚｎ²⁺であり、さらに好ましくはＡｌ³⁺、Ｚｎ²⁺
である。

【００２７】一般式（１）の好ましい形態は一般式
（２）である。

【００２８】

【化１０】

【００２９】一般式（２）について説明する。Ｑ¹はヘ
テロ環（脂肪族ヘテロ環および芳香族ヘテロ環を含む。
ヘテロ原子として好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒
素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数２〜２０、
より好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数
４〜１０であり、例えばピリジン環、ピラジン環、ピリ
ミジン環、キノリン環、インドール環、フラン環、ピラ
ン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チ
オフェン環、ジヒドロピラン環、ジヒドロピリジン環な
どが挙げられる。）を形成する基を表す。Ｑ¹上に置換
基を有していても良い。Ｑ¹上の置換基としては、前記
Ｒ¹¹で説明した置換基が挙げられる。Ｑ¹で形成される
ヘテロ環として好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピ
リミジン環であり、より好ましくは、ピリジン環、ピラ
ジン環であり、さらに好ましくはピリジン環である。一
般式（２）中のＸ² 、Ｚ² 、Ｙ² 、及びＭ² についての
詳細な説明（好ましい範囲）は、一般式（１）のＸ¹ 、
Ｚ¹ 、Ｙ² 及びＭ¹ についての事柄がそのまま適用され
る。

【００３０】一般式（１）で表される部分構造を有する
金属錯体の金属イオンの数は一つでも複数でも良く、ま
た、その種類は一つでも複数でも良い。好ましくは金属
錯体中に２種類以下の金属イオンを２個以下含む金属錯
体であり、特に好ましくは金属錯体中に１種類の金属イ
オンを２個以下含む金属錯体であり、さらに好ましくは
金属錯体中に１種類の金属イオンを１個含む金属錯体で
ある。

【００３１】一般式（１）で表される部分構造を有する
金属錯体の配位子の種類は１種類でも良いし、複数の種
類があっても良い。金属錯体中の配位子の数は好ましく
は１〜３種類であり、特に好ましくは１，２種類であ
り、さらに好ましくは１種類（一般式（１）で表される
部分構造由来の配位子１種のみ）である。一般式（１）
で表される部分構造由来の配位子以外の配位子として
は、例えば、後述のＬ¹が挙げられる。

【００３２】一般式（１）で表される部分構造を有する
金属錯体は蛍光の極大波長（λｍａｘ）が３７０ｎｍ以
上４９０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましく
は３９０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である。さらに好まし
くは３９０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下である。

【００３３】本発明の化合物（一般式（１）の部分構造
を有する化合物、より好ましくは一般式（２）の部分構
造を有する化合物）は、一般式（３）で表される金属錯
体（より好ましくは一般式（４）で表される金属錯体）
が好ましく、より好ましくは一般式（５）で表される金
属錯体（より好ましくは一般式（６）で表される金属錯
体）、さらに好ましくは一般式（７）で表される金属錯
体（より好ましくは一般式（８）で表される金属錯体）
であり、特に好ましくは一般式（９）で表される金属錯
体、一般式（１０）で表される金属錯体である。

【００３４】

【化１１】

【００３５】

【化１２】

【００３６】

【化１３】

【００３７】

【化１４】

【００３８】

【化１５】

【００３９】

【化１６】

【００４０】

【化１７】

【００４１】

【化１８】

【００４２】一般式（３）について説明する。Ｚ³、
Ｘ³、Ｙ³ は前記のＺ¹、Ｘ¹、Ｙ¹ とそれぞれ同義であ
り、好ましい範囲も同じである。Ｒ²¹、Ｒ²²はそれぞれ
水素原子、アルキル基、アリール基またはヘテロアリー
ル基を表し、好ましくは、アルキル基、アリール基であ
り、より好ましくはアリール基である。Ｍ³ は金属イオ
ンを表す。金属イオンの例、好ましい範囲は、前記Ｍ¹
で挙げた金属イオンと同じである。

【００４３】Ｌ¹は単座または多座の配位子を表す。配
位子としては、例えば、ハロゲンイオン（例えばＣ
ｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-等が挙げられる）、パークロレートイ
オン、アルコキシイオン（好ましくは炭素数１〜２０、
より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５であ
り、例えばメトキシイオン、エトキシイオン、イソプロ
ポキシイオン、アセチルアセトンイオン等が挙げられ
る）、アリールオキシイオン（好ましくは炭素数６〜２
０、より好ましくは６〜１２、さらに好ましくは６〜８
であり、例えばフェノキシイオン、キノリノールイオ
ン、２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズアゾールイ
オンなどが挙げられる）、含窒素ヘテロ環（好ましくは
炭素数１〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ま
しくは３〜８であり、フェナンスレン、ビピリジルなど
が挙げられる）、アシルオキシイオン（好ましくは炭素
数１〜２０、より好ましくは２〜１０、さらに好ましく
は３〜８であり、アセチルオキシイオンなどが挙げられ
る）、エーテル化合物（好ましくは炭素数２〜２０、特
に好ましくは３〜１０、さらに好ましくは３〜８であ
り、テトラヒドロフランなどが挙げられる）、ヒドロキ
シイオンなどが挙げられる。アルコキシイオン、アリー
ルオキシイオンが好ましく、特に好ましくは、アリール
オキシイオンである。

【００４４】ｑ¹は１以上の整数を表し、ｍ¹は０以上の
整数を表す。ｑ¹、ｍ¹の好ましい範囲は、金属イオンに
より異なり、特に限定されないが、ｑ¹は１〜４が好ま
しく、更に好ましくは１〜３である。特に好ましくは
２、３である。ｍ¹は好ましくは０〜２、さらに好まし
くは０、１、特に好ましくは０である。ｑ¹、ｍ¹ の数
の組み合わせは、一般式（３）で表される金属錯体が中
性錯体となる数の組み合わせが好ましい。

【００４５】一般式（４）について説明する。Ｘ⁴、
Ｙ⁴、Ｚ⁴、Ｑ²、Ｍ⁴、Ｌ²、ｑ²、ｍ² は前記Ｘ²、Ｙ²、
Ｚ²、Ｑ¹、Ｍ³、Ｌ¹、ｑ¹、ｍ¹ とそれぞれ同義であ
り、好ましい範囲も同じである。

【００４６】一般式（５）について説明する。Ｒ³¹、Ｒ
³²、Ｚ⁵、Ｘ⁵、Ｙ⁵、Ｍ⁵ は前記のＲ²¹、Ｒ²²、Ｚ¹、Ｘ
¹、Ｙ¹、Ｍ³とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同
じである。ｑ³は２以上の整数を表し、好ましくは２、
３、４、より好ましくは２、３である。

【００４７】一般式（６）について説明する。Ｘ⁶、
Ｙ⁶、Ｚ⁶、Ｑ³、Ｍ⁶、ｑ⁴ は前記Ｘ²、Ｙ²、Ｚ²、Ｑ¹、
Ｍ⁴、ｑ³ とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じ
である。

【００４８】一般式（７）について説明する。Ｒ⁴¹、Ｒ
⁴²、Ｘ⁷、Ｙ⁷、Ｍ⁷、ｑ⁵ は前記のＲ²¹、Ｒ²²、Ｘ¹、Ｙ
¹、Ｍ³、ｑ³とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同
じである。Ｒ⁴⁵は置換基を表し、置換基の例としては、
前記Ｒ¹¹上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ⁴⁵は
アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリー
ル基、アルコキシ基、シアノ基が好ましく、アルキル
基、アリール基がより好ましく、アルキル基がさらに好
ましい。ｎ¹は０〜４の整数を表し、０、１が好まし
く、０がより好ましい。

【００４９】一般式（８）について説明する。Ｘ⁸、
Ｙ⁸、Ｑ⁴、Ｍ⁸、ｑ⁶、Ｒ⁴⁶、ｎ² は前記Ｘ²、Ｙ²、
Ｑ¹、Ｍ³、ｑ³、Ｒ⁴⁵、ｎ¹ とそれぞれ同義であり、好
ましい範囲も同じである。

【００５０】一般式（９）について説明する。Ｒ⁵¹、Ｒ
⁵²、Ｘ⁹、Ｍ⁹、ｑ⁷、Ｒ⁵⁵、ｎ³ は前記Ｒ²¹、Ｒ²²、
Ｘ¹、Ｍ⁷、ｑ⁵、Ｒ⁴⁵、ｎ¹ と同義である。

【００５１】一般式（１０）について説明する。Ｍ¹⁰、
ｑ⁸、Ｒ⁵⁶、ｎ⁴ は前記Ｍ³、ｑ³、Ｒ⁴⁵、ｎ¹ とそれぞ
れ同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ⁵⁷は置換
基を表し、置換基の例、好ましい範囲はＲ⁵⁶と同じであ
る。ｎ⁵は０〜３の整数を表し、０、１が好ましく、０
がより好ましい。Ｒ⁵⁸は置換基を表し、置換基の例とし
ては、前記Ｘ¹の窒素上の置換基で説明した基が挙げら
れる。Ｒ⁵⁸はアルキル基、アリール基、ヘテロアリール
基が好ましく、アリール基がより好ましい。

【００５２】本発明の化合物はポリマー化合物であって
も良いが、低分子化合物であることが好ましい。

【００５３】本発明の化合物例を次に示すが、本発明は
これに限定されない。

【００５４】

【化１９】

【００５５】

【化２０】

【００５６】

【化２１】

【００５７】

【化２２】

【００５８】

【化２３】

【００５９】

【化２４】

【００６０】

【化２５】

【００６１】

【化２６】

【００６２】

【化２７】

【００６３】

【化２８】

【００６４】

【化２９】

【００６５】

【化３０】

【００６６】本発明の化合物は、公知の合成方法、例え
ば特開平１０−３３０７４４号に記載の方法に準じて製
造可能である。

【００６７】次に、本発明の化合物を含有する有機発光
素子に関して説明する。有機発光素子は、本発明の化合
物からの発光を利用する物であればシステム、駆動方
法、利用形態など問わないが、代表的な有機発光素子と
して有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を上げ
ることができる。

【００６８】本発明の化合物を含有する有機ＥＬ素子に
関して説明する。プライド フィジックス レターズ、
５１巻、９１３頁、１９８７年に記載の様に、一般的に
有機ＥＬ素子は有機層が積層構造であることが好まし
い。本発明の化合物を含有するＥＬ素子の有機層の形成
方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーテ
ィング法、インクジェット法などの方法が用いられ、特
性面、製造面で抵抗加熱蒸着やコーティング法が好まし
い。

【００６９】本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電
極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機薄膜層を
形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸
送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても
よく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたも
のであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料
を用いることができる。

【００７０】陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層な
どに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用
いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材
料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金
属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金
属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物
または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物
質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど
の有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物な
どが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、
特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好
ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能である
が、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、よ
り好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは
１００ｎｍ〜５００ｎｍである。

【００７１】陽極は通常、ソーダライムガラス、無アル
カリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが
用いられる。ガラスを用いる場合、その材質について
は、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アル
カリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライ
ムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施
したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機
械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガ
ラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましく
は０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料
によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場
合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着
法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウム
スズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は
洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、
発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場
合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的であ
る。

【００７２】陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層な
どに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送
層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン
化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の
材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化
物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる
ことができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬ
ｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属
（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、
鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそ
れらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそ
れらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの
混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属
等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料
であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アル
ミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−
銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記
化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及
び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜
厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜
５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍ
である。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング
法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用い
られ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時
に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に
蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあ
らかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰
極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が
好ましい。

【００７３】発光層の材料は、電界印加時に陽極または
正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができ
ると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を
注入することができる機能や、注入された電荷を移動さ
せる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させ
る機能を有する層を形成することができるものであれば
何でもよい。例えば本発明の化合物、ベンゾオキサゾー
ル誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾー
ル誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導
体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタ
ジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導
体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シク
ロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導
体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チア
ジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
スチリルアミン誘導体、有機ケイ素誘導体、有機ホウ素
誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノー
ル誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属
錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニ
レンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光
層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ
〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎ
ｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎ
ｍである。発光層の形成方法は、特に限定されるもので
はないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリン
グ、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キ
ャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法、インクジ
ェット法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸
着やコーティング法である。

【００７４】正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極か
ら正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘
導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ
サジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリー
ルアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導
体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共
重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導
電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層、正
孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常
１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましく
は５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５
００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材
料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよ
いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構
造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法
としては、真空蒸着法、インクジェット法、ＬＢ法、前
記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーテ
ィングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディッ
プコート法など）が用いられる。コーティング法の場
合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹
脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ
ブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、
ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−
ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フ
ェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビ
ニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽
和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコン樹脂などが挙げられる。

【００７５】電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極か
ら電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているも
のであればよい。その具体例としては、本発明の化合
物、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノ
ジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン
誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド
誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピ
ラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカ
ルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノ
ール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾ
オキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯
体に代表される各種金属錯体が挙げられる。電子注入
層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではない
が、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より
好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０
ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上
述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であ
ってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からな
る多層構造であってもよい。電子注入層、電子輸送層の
形成方法としては、真空蒸着法、インクジェット法、Ｌ
Ｂ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させ
てコーティングする方法（スピンコート法、キャスト
法、ディップコート法など）などが用いられる。コーテ
ィング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散するこ
とができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の
場合に例示したものが適用できる。

【００７６】保護層の材料としては水分や酸素等の素子
劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能
を有しているものであればよい。その具体例としては、
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ
ｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｇ
ｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｔ
ｉＯ₂等の金属酸化物、ＭｇＦ₂、ＬｉＦ、ＡｌＦ₃、Ｃ
ａＦ₂等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレ
ア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフル
オロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロ
ロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレン
との共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１
種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて
得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フ
ッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率
０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形
成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、
スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ
（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、
イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起
イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザ
ーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーテ
ィング法を適用できる。

【００７７】

【実施例】以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本
発明の実施の態様はこれらに限定されない。 （１−１）の合成 サリチル酸１２．２ｇに酢酸エチル１００ｍｌとジメチ
ルホルムアミド０．５ｍｌを加え、室温で攪拌した。こ
れに、オキザリルクロライド８．４６ｍｌを滴下し、３
０分攪拌した。この溶液にベンゾイン１５ｇ、トリエチ
ルアミン２４．４ｍｌを加え、３時間攪拌した。反応溶
液に、酢酸エチル２００ｍｌ、水３００ｍｌを加え、有
機層を分離した。有機層を１Ｎ塩酸水３００ｍｌで２
回、水３００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、有
機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。有機層を濃縮し、粗
生成物をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エ
チル）で生成し、化合物ａを５ｇ得た。化合物a ５ｇに
酢酸３０ｍｌ、酢酸ナトリウム２．３ｇを加え、還流下
４時間攪拌した。室温に冷却し、析出した固体をろ別
し、水、メタノールで洗浄した。クロロホルム／メタノ
ール系で再結晶し化合物ｂを２．２ｇ得た。化合物b １
ｇにエタノール５ｍｌを加え、酢酸亜鉛２水和物０．２
８ｇを加え、３時間還流攪拌した。室温に冷却し、析出
した固体をろ別し、エタノールで洗浄し、青色の蛍光を
有する白色固体（１−１）０．４ｇを得た。ジクロロエ
タン中で蛍光スペクトルを測定した結果、λｍａｘ＝４
３２ｎｍであった。

【００７８】（１−２）の合成 化合物b １ｇにエタノール５ｍｌを加え、トリイソプロ
ポキシアルミニウム０．２０ｇを加え、３時間還流攪拌
した。室温に冷却し、析出した固体をろ別し、エタノー
ルで洗浄し、青色の蛍光を有する白色固体（１−２）
０．４ｇを得た。ジクロロエタン中で蛍光スペクトルを
測定した結果、λｍａｘ＝４７８ｎｍであった。

【００７９】

【化３１】

【００８０】（１−３）の合成 サリチルアルデヒド５．８ｇに酢酸５０ｍｌ、酢酸アン
モニウム１１ｇを加え、４時間還流攪拌した。室温に冷
却し、析出した固体をろ別し、メタノールで洗浄した。
クロロホルム／メタノールで再結晶し、化合物ｃ４．１
ｇを得た。化合物c ２ｇにエタノール１０ｍｌを加え、
酢酸亜鉛２水和物０．７ｇを加え、３時間還流攪拌し
た。室温に冷却し、析出した固体をろ別し、エタノール
で洗浄し、青色の蛍光を有する白色固体（１−３）０．
６ｇを得た。ジクロロエタン中で蛍光スペクトルを測定
した結果、λｍａｘ＝４０５ｎｍであった。

【００８１】（１−４）の合成 化合物b ２ｇにエタノール１０ｍｌを加え、トリイソプ
ロポキシアルミニウム０．４３ｇを加え、３時間還流攪
拌した。室温に冷却し、析出した固体をろ別し、エタノ
ールで洗浄し、青色の蛍光を有する白色固体（１−４）
０．５ｇを得た。ジクロロエタン中で蛍光スペクトルを
測定した結果、λｍａｘ＝４４９ｎｍであった。

【００８２】

【化３２】

【００８３】（２−１）の合成

【００８４】

【化３３】

【００８５】１）化合物２ｂの合成 ２−クロロ−３−ニトロピリジン５０．８ｇ（０．３２
０モル）、炭酸カリウム９０．８ｇ（０．６５７モ
ル）、ヨウ化銅（Ｉ）７．９０ｇ（０．０４１６モ
ル）、トルエン３００ミリリットルを室温にて窒素雰囲
気下攪拌しているところへ、アニリン４５．７ｇ（０．
４９０モル）を加えた。５時間加熱還流した後、反応液
を濾過し、濾液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）にて精製し
た後、クロロホルム／ヘキサンにて再結晶することによ
り化合物２ｂを４５．７ｇ（０．２１モル）得た。収率
６６％ ２）化合物２ｄの合成 化合物２ｂ １６．０ｇ（０．０７４３モル）をテトラ
ヒドロフラン１６０ミリリットル／メタノール４０ミリ
リットルに溶解し、室温にて窒素雰囲気下攪拌している
ところへハイドロサルファイトナトリウム６５．１ｇ
（０．３７４モル）／水２２０ミリリットルの溶液を滴
下した。１時間攪拌した後、酢酸エチル１８０ミリリッ
トルを加え、次に炭酸水素ナトリウム１３．６ｇ（０．
１６２モル）／水１３０ミリリットルの溶液を滴下し
た。更に２−メトキシベンゾイルクロリド１２．０ｇ
（０．０７０モル）／酢酸エチル５０ミリリットルの溶
液を滴下し、室温下５時間攪拌した。飽和食塩水を加
え、有機相を分取した。水相を酢酸エチルで抽出し、有
機相を飽和食塩水で洗浄した。有機相を分取し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後濃縮し、酢酸エチル／ｎ−ヘキ
サンで再結晶することにより、目的物２ｄを１８．３ｇ
（０．０５７３モル）得た。収率８２％ ３）化合物２ｅの合成 化合物２ｄ １８．３ｇ（０．０５７３モル）、ｐ−ト
ルエンスルホン酸一水和物２．３ｇ（０．０１２１モ
ル）にキシレン２００ミリリットルを加え、窒素雰囲気
下６時間加熱還流し、共沸脱水した。反応液を減圧濃縮
後、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展
開溶媒：クロロホルム）にて精製し、更にクロロホルム
／アセトニトリルで再結晶することにより、目的物２ｅ
を５．６ｇ（０．０１８６モル）得た。収率３２％ ４）化合物２ｆの合成 化合物２ｅ ４．３０ｇ（０．０１４３モル）、ピリジ
ン塩酸塩１０．０ｇ（０．０８６５モル）を窒素雰囲気
下、外温２００℃にて４時間加熱攪拌した。反応液をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロ
ホルム）にて精製した後、クロロホルム／アセトニトリ
ル／ｎ−ヘキサンで再結晶することにより、目的物２ｅ
を３．５０ｇ（０．０１２２モル）得た。収率８５％ ５）例示化合物２−１の合成 化合物２ｆ １．１９ｇ（４．１４ミリモル）をエタノ
ール２０ミリリットルに溶解し、トリイソプロポキシア
ルミニウム２８１ｍｇ（１．３８ミリモル）およびエタ
ノール５ミリリットルを加え、３時間加熱還流した。室
温まで冷却後、析出した固体を濾取し、エタノールで洗
浄することにより例示化合物２−１を０．８５ｇ（０．
９５９ミリモル）得た。収率６９％ 融点：２２８〜２３０℃

【００８６】（２−２）の合成 化合物２ｆ １．４４ｇ（５．０１ミリモル）をエタノ
ール２０ミリリットルに溶解し、酢酸亜鉛・２水和物５
４９ｍｇ（２．５０ミリモル）およびエタノール５ミリ
リットルを加え、４時間加熱還流した。室温まで冷却
後、析出した固体を濾取し、エタノールで洗浄すること
により例示化合物２−２を１．３６ｇ（２．１３ミリモ
ル）得た。収率８５％ 融点：２４９〜２５１℃（分解）

【００８７】ＥＬ素子の作製、評価 比較例１ 洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した後、化合物Ａ（Ｚｎ
（ＯＸＺ）₂）を５０ｎｍ、Ａｌｑ（トリス（８−ヒド
ロキシキノリン）アルミニウム錯体）を１０ｎｍ蒸着し
た。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が
５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内で
マグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、
銀５０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製
ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電
圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社
の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製ス
ペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。
ＥＬｍａｘ＝４７５ｎｍ、色度（ｘ，ｙ）＝（０．２
０，０．２４）と色純度の低い青色発光を得、最高輝度
８９５ｃｄ／ｍ² （９Ｖ）であった。

【００８８】比較例２ 洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した後、化合物Ｂ（ＤＰ
ＶＢｉ）を６０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニン
グしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマス
ク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：
１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。作
製した素子に電圧を印加したが、微弱な青色発光しか得
られなかった。 比較例３ 洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した後、化合物Ｃを２０
ｎｍ蒸着し、化合物Ａを４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上
にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍ
となるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：
銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸
着した。作製した素子に１０Ｖの電圧を印加したとこ
ろ、ＥＬｍａｘ：４５５（ｎｍ）、色度（ｘ，ｙ）＝
（０．１５，０．２０）９８０ｃｄ／ｍ² の発光が得ら
れた。 比較例４ 洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した後、Ａｌｑ（トリス
（キノリナト）アルミニウム）と化合物Ｄを１００：１
の比率で２０ｎｍ共蒸着し、この上にＡｌｑを４０ｎｍ
蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光
面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装
置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着し
た後、銀５０ｎｍを蒸着した。作製した素子に８Ｖの電
圧を印加したところ、ＥＬｍａｘ：５９７（ｎｍ）、色
度（ｘ，ｙ）＝（０．５４，０．４４）２６２０ｃｄ／
ｍ² の発光が得られた。１００ｃｄ／ｍ²付近での外部
量子収率を算出したところ０．８％であった。

【００８９】

【化３４】

【００９０】実施例１ 比較例１の化合物Ａの代わりに本発明の化合物（１−
１）を用い同様に素子作製、評価した。６Ｖの電圧を印
加したところ、ＥＬｍａｘ：４４０（ｎｍ）、色度
（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１１）の青色発光を得、
その最高輝度は１０１０ｃｄ／ｍ²（１１Ｖ）であっ
た。本発明のアゾール化合物を発光層に有するＥＬ素子
が高色純度の青色発光を示すことが分かった。

【００９１】実施例２ 比較例２の化合物Ｂの代わりに本発明の化合物（１−
１）を用い同様に素子作製、評価した。７Ｖの電圧を印
加したところ、ＥＬｍａｘ：４４０（ｎｍ）、色度
（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１０）の青色発光を得、
その最高輝度は２２０ｃｄ／ｍ²（１１Ｖ）であった。
本発明のアゾール化合物が良好な電子注入・輸送材料と
して機能することが分かった。

【００９２】実施例３ 比較例２の化合物Ｂの代わりに本発明の化合物（１−
４）を用い同様に素子作製、評価した。１２Ｖの電圧を
印加したところ、ＥＬｍａｘ：４５０（ｎｍ）、色度
（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１５）の青色発光を得、
その最高輝度は１０８ｃｄ／ｍ²（１４Ｖ）であった。

【００９３】実施例４ 比較例３のＡｌｑの代わりに、本発明の化合物（１−
１）を用い、同様に評価した。１２Ｖの電圧を印加した
ところ、ＥＬｍａｘ：４５０（ｎｍ）、色度（ｘ，ｙ）
＝（０．１５，０．１６）９００ｃｄ／ｍ² の発光が得
られた。 実施例５ 比較例３のＡｌｑの代わりに、本発明の化合物（２−
１）を用い、同様に評価した。１１Ｖの電圧を印加した
ところ、ＥＬｍａｘ：４５０（ｎｍ）、色度（ｘ，ｙ）
＝（０．１５，０．１３）１９００ｃｄ／ｍ² の発光が
得られた。 実施例６ 比較例３のＡｌｑの代わりに、本発明の化合物（２−
２）を用い、同様に評価した。１１Ｖの電圧を印加した
ところ、ＥＬｍａｘ：４５０（ｎｍ）、色度（ｘ，ｙ）
＝（０．１５，０．１３）１７７０ｃｄ／ｍ² の発光が
得られた。 実施例７ 洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置内に設置し、ＴＰＤ
（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）
−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着した後、Ａｌｑ（トリス
（キノリナト）アルミニウム）と化合物Ｄを１００：１
の比率で２０ｎｍ共蒸着し、この上に本発明の化合物
（２−１）を４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニ
ングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマス
ク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：
１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。作
製した素子に８Ｖの電圧を印加したところ、ＥＬｍａ
ｘ：５９５（ｎｍ）、色度（ｘ，ｙ）＝（０．５４，
０．４４）２７１０ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。１０
０ｃｄ／ｍ²付近での外部量子収率を算出したところ
１．２％であった。 実施例８ ポリビニルカルバゾール４０ｍｇをジクロロエタン３ｍ
ｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコートした
（２０００ｒｐｍ、１０ｓｅｃ）。有機膜の膜厚は、約
４０ｎｍであった。これを蒸着装置内に設置し、化合物
Ｃを２０ｎｍ蒸着し、本発明の化合物（２−１）を４０
ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク
（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、
蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共
蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着した。作製した素子に１
４Ｖの電圧を印加したところ、ＥＬｍａｘ：４５０（ｎ
ｍ）、色度（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１３）７４０
ｃｄ／ｍ² の発光が得られた。

【００９４】同様に、本発明のその他の化合物を含有す
るＥＬ素子を評価したところ、青色発光材料、電子注入
・輸送材料として機能することが確認された。

【００９５】

【発明の効果】本発明の化合物を有機発光素子用青色発
光材料、もしくは、電子輸送・注入材料として用いる
と、高効率、高色純度など優れた特性を得ることができ
る。また、本発明の化合物は、色純度の高い青色の蛍光
を有し、医療用途などの種々の蛍光材料、有機発光デバ
イスに適用可能と考えられる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 413/04 Ｃ０７Ｄ 413/04 ４Ｃ０６５ 471/04 １０７ 471/04 １０７Ｋ ４Ｃ０６９ 487/04 １４４ 487/04 １４４ ４Ｃ０７１ 491/048 491/048 495/14 495/14 Ｆ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４５ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６４５ ６５０ ６５０ ６５５ ６５５ ６６０ ６６０ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ 33/22 33/22 Ｂ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB04 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 FA03 4C033 AD03 AD06 AD17 4C050 AA01 AA07 BB05 CC08 EE04 FF05 GG01 HH01 4C056 AA01 AB01 AC02 AD01 AE03 BA08 BA10 BA11 BB01 BC01 4C063 AA01 BB01 CC52 CC58 CC92 DD12 DD52 EE10 4C065 AA04 AA05 BB06 CC01 DD03 EE02 HH01 JJ01 KK04 KK05 LL01 PP02 PP05 PP08 4C069 AC07 BA01 BB08 BB15 4C071 AA01 BB02 CC04 CC22 EE13 EE14 FF04 FF10 GG01 GG03 JJ01 LL05

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で表される部分構造を有す
   る化合物から成る有機発光素子材料。 【化１】 Ｒ¹¹、Ｒ¹²は水素原子または置換基を表す。但し、
   Ｒ¹¹、Ｒ¹²は結合してベンゾ縮環を形成することはな
   い。Ｘ¹ は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒
   素原子、−Ｃ（Ｒ¹³）Ｒ¹⁴−を表す。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は水素
   原子または置換基を表す。Ｙ¹は酸素原子、硫黄原子、
   置換または無置換の窒素原子を表す。Ｍ¹は金属イオン
   または水素原子を表す。Ｚ¹は、５員環または６員環を
   形成するに必要な原子群を表す。
2. 【請求項２】一般式（２）で表される部分構造を有する
   化合物から成る有機発光素子材料。 【化２】 Ｑ¹はヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Ｘ²
   は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子、
   −Ｃ（Ｒ¹⁵）Ｒ¹⁶−を表す。Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶は水素原子また
   は置換基を表す。Ｙ²は酸素原子、硫黄原子、置換また
   は無置換の窒素原子を表す。Ｍ²は金属イオンまたは水
   素原子を表す。Ｚ²は、５員環または６員環を形成する
   に必要な原子群を表す。
3. 【請求項３】一般式（３）で表される化合物。 【化３】 Ｒ²¹、Ｒ²²はそれぞれ水素原子、アルキル基、アリール
   基またはヘテロアリール基を表す。Ｘ³ は酸素原子、硫
   黄原子、置換または無置換の窒素原子、−Ｃ（Ｒ²³）Ｒ
   ²⁴−を表す。Ｒ²³、Ｒ²⁴は水素原子または置換基を表
   す。Ｙ³は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒
   素原子を表す。Ｍ³は金属イオンを表す。ｑ¹は１以上の
   整数を表す。Ｌ¹は配位子を表し、ｍ¹は０以上の整数を
   表す。
4. 【請求項４】一般式（４）で表される化合物。 【化４】 Ｑ²はヘテロ環を形成するに必要な原子群を表す。Ｘ⁴
   は酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子、
   −Ｃ（Ｒ²⁵）Ｒ²⁶−を表す。Ｒ²⁵、Ｒ²⁶は水素原子また
   は置換基を表す。Ｙ⁴は酸素原子、硫黄原子、置換また
   は無置換の窒素原子を表す。Ｍ⁴は金属イオンを表す。
   ｑ²は１以上の整数を表す。Ｌ²は配位子を表し、ｍ²は
   ０以上の整数を表す。
5. 【請求項５】一対の電極間に発光層もしくは発光層を含
   む複数の有機薄膜層を形成した発光素子において、少な
   くとも一層が請求項１、２、３、４に記載の化合物を少
   なくとも一種含有する層であることを特徴とする有機発
   光素子。
6. 【請求項６】有機薄膜層の少なくとも一層を塗布プロセ
   スで成膜する請求項５に記載の有機発光素子。