JP2000294575A - ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法 - Google Patents

ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法

Info

Publication number
JP2000294575A
JP2000294575A JP11098562A JP9856299A JP2000294575A JP 2000294575 A JP2000294575 A JP 2000294575A JP 11098562 A JP11098562 A JP 11098562A JP 9856299 A JP9856299 A JP 9856299A JP 2000294575 A JP2000294575 A JP 2000294575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
paste
application
coating
data
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11098562A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4151151B2 (ja
Inventor
Seiichi Sato
聖一 佐藤
Hitoshi Mukojima
仁 向島
Nobuyuki Iwashita
展之 岩下
Nobuyuki Suefuji
伸幸 末藤
Mitsuru Osono
満 大園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP09856299A priority Critical patent/JP4151151B2/ja
Priority to US09/544,385 priority patent/US6361831B1/en
Publication of JP2000294575A publication Critical patent/JP2000294575A/ja
Priority to US09/998,526 priority patent/US6685777B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4151151B2 publication Critical patent/JP4151151B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 操作性に優れ良好な塗布品質を得ることがで
きるダイボンディング用のペースト塗布装置およびペー
スト塗布方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板に半導体チップを接着するためのペ
ーストを塗布するダイボンディング用のペースト塗布方
法において、ペースト厚みやチップサイズから求められ
るペースト塗布量および塗布パターンを記憶させてお
き、ディスペンサによって吐出されるペーストを塗布ノ
ズルに圧送してペーストを塗布する際に、ペーストの塗
布量のデータと塗布パターンのデータに基づいてディス
ペンサの吐出流量を吐出流量算出部８３によって算出
し、この吐出流量と塗布パターンのデータに基づいてデ
ィスペンサ制御部６０によってディスペンサを制御し、
移動テーブル制御部８６によって塗布ノズルを移動させ
る移動テーブルを制御する。これにより、操作性よく塗
布品質を確保することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームな
どの基板にダイボンディング用のペーストを塗布するダ
イボンディング用のペースト塗布装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造のダイボンディング工程
では、リードフレームなどの基板に半導体チップを接着
するためのペーストが塗布される。このペースト塗布は
ディスペンサから吐出されるペーストを塗布ノズルに導
き基板の塗布エリア内に塗布することにより行われる。
この塗布方法の一つとして、塗布ノズルを塗布エリア内
で移動させながらペーストを吐出することにより塗布を
行う描画塗布が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この描画塗布において
は、接着対象のチップの種類やサイズによって所要のペ
ースト塗布量が異なるため、描画時の描画パターンや塗
布ノズルの移動速度のパターンなどの塗布パターンを接
着対象に応じて設定する必要がある。ところが従来のペ
ースト塗布装置では、上述のような描画塗布を行う際の
塗布パターンの設定に、その都度複雑なデータ入力など
の手間を必要として操作性が悪いとともに、適切な設定
が行われない場合には良好な塗布品質が得られないとい
う問題点があった。
【０００４】そこで本発明は、操作性に優れ良好な塗布
品質を得ることができるダイボンディング用のペースト
塗布装置およびペースト塗布方法を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のダイボン
ディング用のペースト塗布装置は、基板に半導体チップ
を接着するためのペーストを塗布するダイボンディング
用のペースト塗布装置であって、塗布口からペーストを
吐出して基板に塗布する塗布ノズルと、この塗布ノズル
を基板に対して相対的に移動させる移動手段と、ペース
トを吐出して前記塗布ノズルにペーストを圧送するペー
スト吐出手段と、基板に塗布されるペーストの塗布量の
データと塗布パターンのデータに基づいて前記ペースト
吐出手段の吐出流量を算出する吐出流量算出手段と、こ
の吐出流量と前記塗布パターンのデータに基づいて前記
ペースト吐出手段および移動手段を制御してペースト塗
布を行わせる制御手段とを備えた。
【０００６】請求項２記載のダイボンディング用のペー
スト塗布方法は、ペースト吐出手段によって吐出される
ペーストを塗布ノズルに圧送して塗布ノズルの塗布口か
ら吐出して基板に半導体チップを接着するためのペース
トを塗布するダイボンディング用のペースト塗布方法で
あって、基板に塗布されるペーストの塗布量のデータと
塗布パターンのデータに基づいて前記ペースト吐出手段
の吐出流量を吐出流量算出手段によって算出し、この吐
出流量と前記塗布パターンのデータに基づいて前記ペー
スト吐出手段および塗布ノズルを移動させる移動手段を
制御する。
【０００７】本発明によれば、基板に塗布されるペース
トの塗布量のデータと塗布パターンのデータに基づいて
前記ペースト吐出手段の吐出流量を吐出流量算出手段に
よって算出し、この吐出流量と前記塗布パターンのデー
タに基づいて前記ペースト吐出手段および塗布ノズルを
移動させる移動手段を制御することにより、操作性よく
塗布品質を確保することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態のダイ
ボンディング装置の斜視図、図２は同ペースト吐出用デ
ィスペンサの断面図、図３（ａ），（ｂ）は同ペースト
塗布ノズルの断面図、図４は同ダイボンディング装置の
制御系の構成を示すブロック図、図５は同ダイボンディ
ング装置のペースト塗布処理の処理機能を表す機能ブロ
ック図、図６は同ペースト塗布パターンの説明図、図７
は同チップのボンディング状態の説明図、図８（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ）は同ペースト塗布パターンの説
明図である。
【０００９】まず図１を参照してダイボンディング装置
の構造を説明する。図１においてチップ供給部１にはウ
ェハシート２が図示しない保持テーブルによって保持さ
れている。ウェハシート２には多数の半導体素子である
チップ３が貼着されている。チップ供給部１の側方には
搬送路５が配設されており、搬送路５は基板であるリー
ドフレーム６を搬送し、ペースト塗布位置およびボンデ
ィング位置にリードフレーム６を位置決めする。チップ
供給部１の上方にはボンディングヘッド４が配設されて
おり、ボンディングヘッド４は図示しない移動機構によ
り水平移動および上下動する。
【００１０】搬送路５の側方にはペースト塗布部９が配
設されている。ペースト塗布部９は移動テーブル１０に
Ｌ型のブラケット１５を介して塗布ノズル１８を装着し
て構成されている。塗布ノズル１８は、不動のプレート
２１上に固定配置されたペースト吐出手段であるディス
ペンサ１６と可撓性の管部材であるチューブ１７によっ
て連結されており、更にエアチューブ２０を介して吐出
制御バルブ１９と接続されている。ディスペンサ１６を
駆動することにより、ペーストがチューブ１７を介して
塗布ノズル１８へ圧送され、塗布ノズル１８の下端部に
設けられた塗布口より吐出されてリードフレーム６の塗
布エリア６ａに塗布される。塗布ノズル１８からのペー
スト吐出の断続は、吐出制御バルブ１９によって制御さ
れる。
【００１１】移動テーブル１０は、Ｙ軸テーブル１１上
にＸ軸テーブル１２を段積みし、さらにその上にＬ型の
ブラケット１３を介してＺ軸テーブル１４を垂直方向に
結合して構成されている。Ｙ軸テーブル１１、Ｘ軸テー
ブル１２、Ｚ軸テーブル１４は、それぞれＹ軸モータ１
１ａ、Ｘ軸モータ１２ａ、Ｚ軸モータ１４ａを備えてい
る。Ｘ軸モータ１２ａ、Ｙ軸モータ１１ａおよびＺ軸モ
ータ１４ａを駆動することにより、塗布ノズル１８はリ
ードフレーム６上で水平方向および上下方向に移動す
る。したがって、移動テーブル１０は塗布ノズル１８を
リードフレーム６に対して相対的に移動させる移動手段
となっている。
【００１２】リードフレーム６上面のチップ３がボンデ
ィングされるチップボンディング部位６ａは、ペースト
が塗布される塗布エリア６ａであり、塗布ノズル１８を
塗布エリア６ａ内に位置させ、塗布ノズル１８からペー
ストを吐出させながら塗布ノズル１８を移動させること
により、塗布対象物であるリードフレーム６の表面に設
定された塗布エリア６ａ内には、Ｘ字形状の塗布パター
ンでペースト７が塗布される。
【００１３】このペースト塗布後、リードフレーム６は
搬送路５上をボンディング位置８に送られ、位置決めさ
れる。、そして塗布エリア６ａ内に塗布されたペースト
７上に、ボンディングヘッド４のノズル４ａによってチ
ップ供給部１からピックアップされたチップ３がボンデ
ィングされる。
【００１４】次に図２を参照してディスペンサ１６の構
造について説明する。図２において、マニホールドブロ
ック２５の上面にはペースト７を貯溜する容器であるシ
リンジ２６が装着されている。シリンジ２６の下端部２
６ａは、マニホールドブロック２５に設けられた内孔２
７に嵌入し、シリンジ２６の内部は空間２７ａと連通し
ている。空間２７ａには水平方向の内孔２７ｂが連通し
ており、内孔２７ｂは空間３１に通じている。
【００１５】空間２７ａの内部には、ステム２９が往復
動機構２８によって往復動自在に貫入しており、ステム
２９を突出させることにより、シール面２９ａによって
内孔２７ｂの端部を閉塞する。ステム２９と内孔２７ａ
は第１のバルブＶ１を構成する。ステム２９の摺動面は
シール部材３０によってシールされ、シリンジ２６から
空間２７ａ内に流入したペースト７の外部への漏出を防
いでいる。
【００１６】空間３１内にはピストン３２が貫入してい
る。ピストン３２は、保持部材３４によって保持され、
モータ３５、送りねじ３６およびナット３７より成る往
復動手段によって保持部材３４を往復動させることによ
り、ピストン３２は空間３１内に挿入されまた抽き出さ
れる。往復動手段としては、ピストン３２の位置または
速度を制御可能なものであればよい。空間３１から下方
に向けて設けられた内孔３１ｂと直交して、吐出口４２
が設けられている。内孔３１ｂと直交して設けられた内
孔３８には、ステム４０が往復動機構３９により往復動
自在に嵌入している。ステム４０を突出させることによ
り、シール面４０ａによって吐出口４２は閉塞される。
ステム４０と吐出口４２は第２のバルブＶ２を構成す
る。
【００１７】次にディスペンサ１６の動作を説明する。
まず、シリンジ２６内のペースト７を吸入して空間３１
に充填させる吸入工程について説明する。このときには
まず、ステム４０を突出させて第２のバルブＶ２を閉
じ、ステム２９を後退させて第１のバルブＶ１を開け
る。そしてこの状態で、ピストン３２を抽き出す吸入動
作を行うが、このときエア源４３からのエアを制御弁４
４を介してシリンジ２６内に供給することによりペース
ト７は加圧されており、ピストン３２の抽き出し動作と
あいまって、ペースト７は空間２７ａ、内孔２７ｂを介
して空間３１内に到達する。このとき、第２のバルブＶ
２が閉じられていることから、空間３１はペースト７に
よって充填される。
【００１８】次にペーストの吐出工程について説明す
る。前述の状態から第１のバルブＶ１を閉じるとともに
第２のバルブＶ２を開け、ピストン３２を空間３１内に
挿入する。これにより、空間３１内のペースト７は内孔
３１ｂより押し出され、吐出口４２から吐出される。そ
して上述の吸入工程、吐出工程を反復して行うことによ
り、シリンジ２６内のペースト７は空間３１内に間欠的
に吸入され、吐出口４２から吐出される。吐出されたペ
ースト７は、チューブ１７を介して塗布ノズル１８に圧
送される。このとき、モータ３５の回転数を制御してピ
ストン３２の動作速度を制御することにより、単位時間
あたりの吐出量である吐出流量を調整することができ
る。
【００１９】次に図３を参照して塗布ノズル１８につい
て説明する。図３において、ノズルブロック１８ａは下
部が円錐状に加工された略円柱形状の部材であり、円柱
の中心部には軸方向に連通した段付きの内孔５３が設け
られている。この内孔５３にはバルブステム５４が上下
動自在に嵌入している。内孔５３の上部はバルブステム
５４の上端部のピストン５４ａが嵌合するシリンダ部５
０と連通しており、ピストン５４ａはスプリング５２に
よって上方に付勢されている。ノズルブロック１８ａに
設けられたカバー部材１８ｂによって閉じられたシリン
ダ部５０内に管継手５１を介してエアチューブ２０から
エアを供給することにより、ピストン５４ａはエアによ
り加圧され、スプリング５２の付勢力に抗してバルブス
テム５４を押し下げる。
【００２０】ノズルブロック１８ａの中間部分に設けら
れた第１の空間５３ａには、管継手５５を介してペース
ト７が圧送されるチューブ１７が連結されている。第１
の空間５３ａは、ペースト７を吐出して塗布する塗布口
５７の直前に設けられた第２の空間５６と、バルブステ
ム５４が挿通するクリアランス部５３ｂを介して連通し
ている。バルブステム５４は下方に延出して第２の空間
５６内に到達しており、バルブステム５４の下端部には
テーパ状のシール面５４ｂが設けられている。シール面
５４ｂは図３（ｂ）に示すように、クリアランス部５３
ｂの下端部に設けられたバルブシート５３ｃと当接して
クリアランス部５３ｂの下端部を閉塞する。
【００２１】したがって図３（ａ）に示すように、シリ
ンダ部５０内を加圧した状態ではバルブステム５４は下
降位置にあり、チューブ１７を介して圧送されるペース
ト７は、第１の空間５３ａ、クリアランス部５３ｂ、第
２の空間５６を経由して塗布口５７から吐出される。ま
た図３（ｂ）に示すように、シリンダ部５０の加圧を解
除した状態ではステム５４は上昇位置にあり、バルブシ
ート５３ｃがクリアランス部５３ｂを閉塞してペースト
７の吐出は停止される。すなわち塗布ノズル１８に設け
られたバルブステム５４およびバルブシート５３ｃは、
塗布ノズルと一体的に設けられ塗布口５７を開閉する開
閉手段となっている。
【００２２】次に図４を参照してダイボンディング装置
の制御系の構成を説明する。図４において、ディスペン
サ制御部６０は、ピストン３２を駆動するモータ３６、
第１のバルブおよび第２のバルブをそれぞれ駆動する往
復動機構２８，３９を制御して、ディスペンサ１６によ
るペーストの吐出を制御する。吐出制御バルブ駆動部６
１は、吐出制御バルブ１９の開閉を駆動することにより
塗布ノズル１８のシリンダ部５０に供給される制御エア
を制御し、塗布ノズル１８の前記開閉手段の開閉を行
う。
【００２３】Ｚ軸モータ駆動部６２、Ｙ軸モータ駆動部
６３、Ｘ軸モータ駆動部６４は、移動テーブル１０のＺ
軸モータ１４ａ、Ｙ軸モータ１１ａ、Ｘ軸モータ１２ａ
をそれぞれ駆動する。ボンディングヘッド駆動部６５
は、チップ３をボンディングするボンディングヘッド４
を駆動する。記憶部６６は、各部の動作や処理に必要な
プログラムや塗布パターンのデータを記憶する。制御部
６７は、記憶部６６に記憶されたプログラムに基づいて
各部の動作を制御する。操作部６８は、キーボードやマ
ウスなどの入力手段であり制御コマンドの入力やデータ
入力を行う。表示部６９はディスプレイ装置であり、操
作入力時の画面を表示する。
【００２４】次に図５を参照して、ダイボンディング装
置のペースト塗布処理の処理機能について説明する。図
５において枠７０，７６，７８で囲まれた各部はそれぞ
れ第１の記憶部、塗布パターン設定部、第２の記憶部を
構成する。図５に示す各要素のうち、塗布量算出部７
５、塗布パターン設定部７６、入力処理部７７、表示処
理部８２、吐出流量算出部８３、塗布流速算出部８４、
判定部８５、移動テーブル制御部８６は、図４に示す制
御部６７による処理を示しており、第１の記憶部７０、
第２の記憶部７８は図４の記憶部６６に記憶されるデー
タの内容を示すものである。
【００２５】まず第１の記憶部７０を構成する各部につ
いて説明する。ノズルサイズデータ記憶部７１は、塗布
ノズル１８の下端部に設けられペーストを吐出する塗布
口のサイズのデータ、すなわち塗布口の径や断面積など
のデータを記憶する。このデータは塗布ノズル１８から
吐出されるペーストの塗布流速算出に用いられる。ペー
スト厚みデータ記憶部７２は、図７に示すようにボンデ
ィング状態でリードフレーム６とチップ３の間に介在す
るペーストの厚みＴＰのデータをボンディング対象のチ
ップごとに記憶する。このデータは、各塗布エリアに塗
布されるペーストの必要塗布量の算出に用いられる。
【００２６】チップサイズデータ記憶部７３は、ボンデ
ィング対象のチップサイズ、すなわちチップ３の幅や長
さのデータを記憶する。このデータは塗布量算出のデー
タとして用いられるとともに、塗布パターンを選択する
基準としても用いられる。塗布パターンデータ記憶部７
４は、塗布エリア内に塗布されるペーストの塗布パター
ン、すなわち塗布パターンを構成する塗布点や塗布線の
基準座標データ７４ａ、塗布ノズル１８が移動する移動
軌跡における基準速度パターン７４ｂなどを表わす複数
の塗布パターンを記憶する。図８に塗布パターンの例を
示す。ペースト塗布に際しては、これらの複数の塗布パ
ターンの中から、チップサイズや形状（長方形か、正方
形か等）に基づいて適切な塗布パターンが選択される。
【００２７】入力処理部７７は、操作部６８から入力さ
れる操作入力信号を処理し、各部への制御コマンドを出
力するとともに、第１の記憶部７０へのデータ書き込み
を行う。塗布量算出部７５は、第１の記憶部７０に記憶
されるペースト厚みデータとチップサイズデータに基づ
いて、各塗布エリアに塗布されるペーストの塗布量を算
出する。算出方法は、チップサイズデータよりチップの
平面投影面積を求め、この面積と図７に示すペースト厚
みＴＰと補正係数との積を計算する。算出結果は、第２
の記憶部７８の塗布量記憶部７９に記憶される。
【００２８】塗布パターン設定部７６は、塗布パターン
選択部７６ｂおよび拡大・縮小処理部７６ａより構成さ
れ、塗布パターンの選択と選択された塗布パターンを実
際の対象チップのサイズに適合させる処理を行う。すな
わち塗布パターン選択部７６ｂは、チップサイズデータ
に基づき塗布パターンデータ記憶部７４に記憶された複
数の塗布パターンの中から適切な塗布パターンを選択
し、この選択された塗布パターンを拡大・縮小処理部７
６ａによって実際のチップサイズに合せて拡大や縮小な
どの必要な適合処理を行う。この拡大・縮小処理を行う
ことにより、塗布パターンとしては基本的な基準パター
ンを揃えるのみでよく、限られた少数の基準パターンを
用いて多数のチップ品種に対応することができる。
【００２９】この塗布パターン設定処理により、実際の
塗布動作の制御に必要な塗布パターンのデータ、すなわ
ち各塗布点や塗布線を特定する座標データ（ｃ）や、こ
れらの塗布点、塗布線を塗布ノズル１８が移動する移動
軌跡における速度パターン（ｖ）、この移動軌跡上で実
際にペーストを吐出して塗布を行うことができる時間を
示す塗布時間（ｔ）が算出される。
【００３０】これらの塗布パターンのデータのうち、前
述の座標データ（ｃ）および速度パターン（ｖ）は、第
２の記憶部７８の塗布パターン記憶部８１に設けられた
座標データ記憶部８１ｂ、速度パターン記憶部８１ａに
それぞれ記憶される。そして、これらの座標データ、速
度パターンの信号は、移動テーブル制御部８６に出力さ
れ、移動テーブル制御部８６は、座標データ、速度パタ
ーンに基づいてＸ軸モータ駆動部６４、Ｙ軸モータ駆動
部６３、Ｚ軸モータ駆動部６２を制御する。これによ
り、塗布ノズル１８は移動テーブル１０によって塗布パ
ターンが示す移動軌跡に基づいて移動する。
【００３１】また塗布パターンのデータのうち塗布時間
（ｔ）のデータは、吐出流量算出部８３によって行われ
る吐出流量の算出に用いられる。すなわち、塗布量記憶
部７９に記憶された塗布量を塗布時間（ｔ）で除するこ
とにより、ディスペンサ１６に必要とされる単位時間当
りの吐出量である吐出流量が吐出流量算出部８３によっ
て算出される。したがって、吐出流量算出部８３はペー
ストの塗布量のデータと塗布パターンのデータに基づい
てディスペンサ１６の吐出流量を算出する吐出流量算出
手段となっている。
【００３２】この算出結果は、吐出流量記憶部８０に記
憶される。記憶された吐出流量のデータは、ディスペン
サ制御部６０（図４も参照）に送られ、ディスペンサ制
御部６０はこの吐出流量のデータに従ってディスペンサ
１６のモータ３６を制御し、ディスペンサ１６の吐出口
４２から所定の吐出流量でペーストを吐出させる。した
がって、ディスペンサ制御部６０および前述の移動テー
ブル制御部８６は、吐出流量と塗布パターンのデータに
基づいてペースト吐出手段であるディスペンサ１６およ
び移動手段である移動テーブル１０を制御する制御手段
となっている。
【００３３】さらに、吐出流量のデータと塗布ノズル１
８のサイズを表わすノズルサイズデータに基づいて、塗
布ノズル１８の塗布口から吐出されるペーストの流速を
示す塗布流速（ｕ）が塗布流速算出部８３により算出さ
れる。この算出結果は判定部８４に送られ、求められた
塗布流速（ｕ）が塗布動作中の塗布ノズル１８の移動速
度と適合しているか否かを確認する判定が行われる。
【００３４】すなわち塗布ノズル１８の塗布口５７から
吐出されるペーストの塗布流速（ｕ）が塗布ノズル１８
の移動速度よりも小さい場合には、ノズル移動にペース
トの吐出が追いつかず塗布線のかすれなどの塗布状態の
不良が生じることから、速度パターン記憶部８０ａに記
憶された速度パターンの中から最大移動速度Ｖｍａｘを
抽出し、このＶｍａｘと塗布流速（ｕ）とを比較して適
否を判定する処理が行われる。すなわち、塗布流速
（ｕ）≧Ｖｍａｘ＋α（αは安全側に設定される定数）
の条件を充たす場合には適合の判定が、充たさない場合
には不適の判定がなされる。そして判定の結果は表示処
理部８１に送られ、表示部６９によってその旨表示され
る。
【００３５】表示処理部８２は、上記判定結果の表示の
外、第２の記憶部７８に記憶されたデータを処理して実
際の塗布動作に用いられているデータを所定の表示形式
で参照データとして表示部６９に表示させる。これによ
り、作業者は常にどのような塗布条件で塗布が行われて
いるかを監視することができる。
【００３６】このダイボンディング装置は上記の様に構
成されており、以下ダイボンディング装置のペースト塗
布処理について、図６を参照して説明する。図６におい
て、リードフレーム６上の塗布エリア６ａには、Ｘ字状
の塗布パターンを構成する第１の塗布線Ｌ１、第２の塗
布線Ｌ２が設定されている。第１の塗布線Ｌ１、第２の
塗布線Ｌ２は、それぞれ塗布開始点ＰＳ（１），ＰＳ
（２）、および塗布終了点ＰＥ（１），ＰＥ（２）によ
って位置が特定され、これらの座標データは座標データ
記憶部８１ｂに記憶され、第１の塗布線Ｌ１、第２の塗
布線Ｌ２上を塗布ノズル１８が移動する速度パターンは
速度パターン記憶部８１ａに記憶されている。
【００３７】さらに、この塗布パターンにおいて、第１
の塗布線Ｌ１、第２の塗布線Ｌ２に塗布されるペースト
の塗布量は、チップサイズによって定まる塗布エリア６
ａの大きさおよびペースト厚みデータにより算出され、
塗布量記憶部７９に記憶されている。そしてこの塗布量
と塗布時間より求められた吐出流量のデータは、吐出流
量記憶部８０に記憶されている。
【００３８】塗布動作について説明する。リードフレー
ム６をペースト塗布部９に位置決めしたならば、まず塗
布ノズル１８を塗布開始点ＰＳ（１）上に移動させ、所
定のノズル高さまで下降させてペーストの吐出を開始す
る。このペーストの吐出は、制御部６７からの指令に従
い、ディスペンサ制御部６０によってディスペンサ１６
を駆動するとともに、吐出制御バルブ駆動部６１によっ
て吐出制御バルブ１９を駆動して塗布口５７を開状態に
することにより行われる。このとき、ディスペンサ１６
は、吐出流量記憶部８０に記憶された所定の吐出流量で
ペーストを吐出し、塗布ノズル１８に圧送する。これに
より、各塗布線には所定の塗布量のペーストが塗布され
る。
【００３９】ペーストの吐出とともに塗布ノズル１８は
塗布終了点ＰＥ（１）に向って移動し、塗布終了点ＰＥ
（１）に到達したならば塗布ノズル１８からのペースト
の吐出を停止する。この後塗布ノズル１８はペーストの
吐出を停止した状態で第２の塗布線Ｌ２の塗布開始点Ｐ
Ｓ（２）まで移動し（破線矢印参照）、この後再びペー
ストの吐出を開始して塗布終了点ＰＥ（２）までペース
トを吐出しながら移動する。そしてこの位置でペースト
の吐出を停止し、塗布ノズル１８は上昇して、１つの塗
布エリア６ａに対するペースト塗布を終了する。
【００４０】このペースト塗布過程において、前述のよ
うな塗布ノズル１８を用いてペーストを塗布することに
より、以下に説明するような優れた効果を得ることがで
きる。まず、描画塗布において、軽量・コンパクトな塗
布ノズル１８のみを移動させるようにしているため移動
速度を高速化して高速描画を行わせることが可能とな
り、塗布効率を向上させることができる。
【００４１】また、塗布ノズル１８からのペースト７の
吐出の断続は、塗布ノズル１８と一体にしかも塗布口５
７の直前に設けられて塗布口５７を開閉する開閉手段に
よって行われるため、ペースト吐出の断続時の応答性が
極めて良好である。さらに、吐出を遮断する閉塞動作時
には、塗布口５７の直前に設けられた第２の空間５６内
でステム５４が上方に移動するため、第２の空間５６内
のペースト７は確実に上方に引き戻されて塗布口５７か
らの吐出が停止される。これにより、従来のディスペン
サで生じていたような吐出停止指令後もなお少量のペー
ストが吐出される糸引き現象が発生しない。したがって
描画塗布による複雑な塗布パターンに対しても、塗布パ
ターンを構成する各塗布線ごとに正確にペーストの吐出
開始・終了を制御することができる。
【００４２】これにより、従来はペーストの糸引きによ
る塗布不良を避けるために採用されていた一筆描き描画
の問題点、すなわち、同一塗布線上を吐出口が複数回移
動することによる塗布時間の増大を招くことなく、より
複雑な塗布パターンを短時間で描画塗布することができ
る。また吐出断続動作を高い応答性で行えることから、
塗布開始・終了点での安定時間を必要とせず、塗布ノズ
ル１８移動速度の高速化と相まって高効率の描画塗布を
実現できる。
【００４３】さらに、上記のような正確な塗布を効率よ
く行うためには、ボンディング対象のチップ毎に適正な
塗布パターンの設定を行う必要があるが、上記本実施の
形態に説明したように、この塗布パターンの設定に際
し、作業者は単にチップの品種を指定するのみで、当該
品種に応じた適正なペーストの塗布パターンが設定さ
れ、この塗布パターンに従ってペースト吐出および塗布
ノズルの移動が行われる。これにより、従来必要とされ
たチップ品種毎の複雑なデータ設定を行う必要が無く、
チップボンディング用のペースト塗布装置の操作性を向
上させることができるとともに、常に適正な塗布パター
ンが設定されることにより高い塗布品質を確保すること
ができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、基板に塗布されるペー
ストの塗布量のデータと塗布パターンのデータに基づい
てペースト吐出手段の吐出流量を吐出流量算出手段によ
って算出し、この吐出流量と塗布パターンのデータに基
づいて前記ペースト吐出手段および塗布ノズルを移動さ
せる移動手段を制御するようにしたので、チップボンデ
ィング用のペースト塗布装置の操作性を向上させること
ができるとともに、常に適正な塗布パターンが設定され
ることにより高い塗布品質を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態のペースト吐出用ディス
ペンサの断面図
【図３】（ａ）本発明の一実施の形態のペースト塗布ノ
ズルの断面図（ｂ）本発明の一実施の形態のペースト塗
布ノズルの断面図
【図４】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
の制御系の構成を示すブロック図
【図５】本発明の一実施の形態のダイボンディング装置
のペースト塗布処理の処理機能を示す機能ブロック図
【図６】本発明の一実施の形態のペースト塗布パターン
の説明図
【図７】本発明の一実施の形態のチップのボンディング
状態の説明図
【図８】（ａ）本発明の一実施の形態のペースト塗布パ
ターンの説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のペースト塗布パターンの
説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のペースト塗布パターンの
説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のペースト塗布パターンの
説明図
【符号の説明】
３ チップ ６ リードフレーム ６ａ 塗布エリア ７ ペースト １０ 移動テーブル １６ ディスペンサ １８ 塗布ノズル ５７ 塗布口 ６０ ディスペンサ制御部 ８３ 吐出流量算出部 ８６ 移動テーブル制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩下 展之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 末藤 伸幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大園 満 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F047 AA11 BB02 BB16 FA22 FA77

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板に半導体チップを接着するためのペー
    ストを塗布するダイボンディング用のペースト塗布装置
    であって、塗布口からペーストを吐出して基板に塗布す
    る塗布ノズルと、この塗布ノズルを基板に対して相対的
    に移動させる移動手段と、ペーストを吐出して前記塗布
    ノズルにペーストを圧送するペースト吐出手段と、基板
    に塗布されるペーストの塗布量のデータと塗布パターン
    のデータに基づいて前記ペースト吐出手段の吐出流量を
    算出する吐出流量算出手段と、この吐出流量と前記塗布
    パターンのデータに基づいて前記ペースト吐出手段およ
    び移動手段を制御してペースト塗布を行わせる制御手段
    とを備えたことを特徴とするダイボンディング用のペー
    スト塗布装置。
  2. 【請求項２】ペースト吐出手段によって吐出されるペー
    ストを塗布ノズルに圧送して塗布ノズルの塗布口から吐
    出して基板に半導体チップを接着するためのペーストを
    塗布するダイボンディング用のペースト塗布方法であっ
    て、基板に塗布されるペーストの塗布量のデータと塗布
    パターンのデータに基づいて前記ペースト吐出手段の吐
    出流量を吐出流量算出手段によって算出し、この吐出流
    量と前記塗布パターンのデータに基づいて前記ペースト
    吐出手段および塗布ノズルを移動させる移動手段を制御
    することを特徴とするダイボンディング用のペースト塗
    布方法。
JP09856299A 1999-04-06 1999-04-06 ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法 Expired - Fee Related JP4151151B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09856299A JP4151151B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法
US09/544,385 US6361831B1 (en) 1999-04-06 2000-04-06 Paste application method for die bonding
US09/998,526 US6685777B2 (en) 1999-04-06 2001-11-28 Paste applicator and paste application method for die bonding

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09856299A JP4151151B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000294575A true JP2000294575A (ja) 2000-10-20
JP4151151B2 JP4151151B2 (ja) 2008-09-17

Family

ID=14223131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP09856299A Expired - Fee Related JP4151151B2 (ja) 1999-04-06 1999-04-06 ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6361831B1 (ja)
JP (1) JP4151151B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004661A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 塗布状態検査方法
US6605315B1 (en) * 1999-11-05 2003-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding paste applicator and method of using it
JP2006294950A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップのボンディング装置およびボンディング方法
JP2007313502A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Top Engineering Co Ltd ペースト塗布機のためのペースト模擬塗布装置及び方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4277428B2 (ja) * 2000-07-18 2009-06-10 パナソニック株式会社 ボンディングペーストの塗布装置および塗布方法
US7289878B1 (en) 2000-05-15 2007-10-30 Nordson Corporation Apparatus and method for modifying operation of an electric gun driver
JP4511786B2 (ja) * 2000-07-16 2010-07-28 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 基板とこの基板から離れたテンプレートを整列させる方法
EP1303793B1 (en) * 2000-07-17 2015-01-28 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
JP2002033339A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ボンディングペーストの塗布方法
JP2004523906A (ja) * 2000-10-12 2004-08-05 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
US20060005657A1 (en) * 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US6926929B2 (en) * 2002-07-09 2005-08-09 Molecular Imprints, Inc. System and method for dispensing liquids
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6916584B2 (en) * 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
US7071088B2 (en) * 2002-08-23 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Method for fabricating bulbous-shaped vias
US8349241B2 (en) * 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US6929762B2 (en) * 2002-11-13 2005-08-16 Molecular Imprints, Inc. Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
US7122079B2 (en) * 2004-02-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US7964237B2 (en) * 2003-08-21 2011-06-21 International Business Machines Corporation Fully automated paste dispense process for dispensing small dots and lines
US7136150B2 (en) * 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US20050106321A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Molecular Imprints, Inc. Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput
SE0302985D0 (sv) * 2003-11-13 2003-11-13 Mydata Automation Ab A method for generating a jetting program
DE10355776B4 (de) * 2003-11-26 2014-11-27 Nikolaus Theato Vorrichtung zum kontrollierten Auftragen von flüssigen Medien auf feste Gegenstände
US20050156353A1 (en) * 2004-01-15 2005-07-21 Watts Michael P. Method to improve the flow rate of imprinting material
US7906180B2 (en) 2004-02-27 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US20050276919A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method for dispensing a fluid on a substrate
US7811505B2 (en) * 2004-12-07 2010-10-12 Molecular Imprints, Inc. Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense
PT1798149E (pt) * 2005-12-19 2009-04-27 Tetra Laval Holdings & Finance Método e aparelho para aplicação de adesivo a bicas para colagem das mesmas a embalagens de produtos alimentares vazáveis
US8105880B2 (en) 2007-12-05 2012-01-31 Analog Devices, Inc. Method for attaching a semiconductor die to a leadframe, and a semiconductor device
ATE543734T1 (de) * 2008-10-30 2012-02-15 Tetra Laval Holdings & Finance Klebeeinheit zum aufbringen von klebstoff auf eine reihe von öffnungsvorrichtungen, die an versiegelte verpackungen von fliessfähiger nahrungsmittel klebbar sind
US20100233369A1 (en) * 2009-02-16 2010-09-16 Esec Ag Method Of Forming A Paste Pattern
CH704254B1 (de) * 2010-12-22 2014-05-15 Esec Ag Verfahren zum Auftragen eines Klebstoffmusters auf ein Substrat mittels einer entlang einer vorbestimmten Bahn bewegbaren Schreibdüse.
CH705229B1 (de) 2011-07-08 2015-06-15 Esec Ag Verfahren und Vorrichtung für die Montage von Halbleiterchips.
US9931665B2 (en) 2014-10-28 2018-04-03 Flextronics Ap, Llc Motorized adhesive dispensing module
CN113414073A (zh) * 2021-06-25 2021-09-21 四川通妙科技有限公司 一种整盘芯片点芯装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5022556A (en) * 1989-10-25 1991-06-11 Raytheon Company Programmable volume dispensing apparatus
US5348585A (en) * 1993-01-07 1994-09-20 Weston Colin K Liquid dispensing apparatus
US5782410A (en) * 1994-10-31 1998-07-21 Weston; Colin K. Fluid flow control device
US6348234B1 (en) * 1999-03-31 2002-02-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Paste applying method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605315B1 (en) * 1999-11-05 2003-08-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Bonding paste applicator and method of using it
JP2003004661A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 塗布状態検査方法
JP2006294950A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップのボンディング装置およびボンディング方法
JP2007313502A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Top Engineering Co Ltd ペースト塗布機のためのペースト模擬塗布装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4151151B2 (ja) 2008-09-17
US6361831B1 (en) 2002-03-26
US20020037372A1 (en) 2002-03-28
US6685777B2 (en) 2004-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000294575A (ja) ダイボンディング用のペースト塗布装置およびペースト塗布方法
US7980197B2 (en) Method and apparatus for dispensing a viscous material on a substrate
TWI458566B (zh) 用於在施配流體物料之量時連續移動流體施配器之方法
JP3178023B2 (ja) 粘性液状物の塗布装置
US7735695B2 (en) Liquid material delivering method and device therefor
US7645018B2 (en) Method of adjusting a liquid droplet, method of discharging the liquid droplet and apparatus therefor
JPH09327648A (ja) 定量吐出装置及び定量吐出方法
JP2001239197A (ja) ペースト塗布装置およびペースト塗布方法
US20020014519A1 (en) Method of applying bonding paste
JP3480362B2 (ja) ダイボンディング用のペースト塗布装置
US6605315B1 (en) Bonding paste applicator and method of using it
JP4277428B2 (ja) ボンディングペーストの塗布装置および塗布方法
KR20170053619A (ko) 디스펜서용 밸브 시트
JP3903905B2 (ja) ペースト塗布装置およびペースト塗布方法ならびにペースト塗布における描画性判定装置
JP2823236B2 (ja) 塗布装置
JP3893838B2 (ja) ペースト塗布方法
JP3416248B2 (ja) 液体の定量供給方法
JP4329189B2 (ja) ボンディングペーストの塗布装置
JP4762596B2 (ja) チップのボンディング装置およびボンディング方法
JP4058866B2 (ja) ボンディングペーストの塗布装置および塗布方法
JP2001144113A (ja) ボンディングペーストの塗布方法
JP4175128B2 (ja) 粘性流体の塗布装置
JP3454207B2 (ja) ボンディングペーストの塗布装置および塗布方法
JP3112690B2 (ja) 粘性液状物の塗布装置
JP2000288452A (ja) ペースト塗布装置およびペースト塗布方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060308

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080318

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080513

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080610

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080623

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees