JP2000294524A - ポリッシング装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｃｕ層を有した半導体ウエハ等の基板を研磨
した後のＣｕ表面の性状を制御することができるととも
に、被研磨面の裏面の性状をも制御することができるポ
リッシング装置及び方法を提供する。 【解決手段】 基板２０を保持するトップリング１３と
研磨面を有したターンテーブル９とを備え、基板２０の
上に半導体デバイスを形成した面を研磨面に摺接させて
研磨するポリッシング装置において、トップリング１３
とターンテーブル９とを備えた研磨部１ａ，１ｂの後段
に、研磨後の基板２０の洗浄を行なう洗浄部７ａ，７
ｂ、８ａ，８ｂを設け、洗浄部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂ
はイオン水を供給するイオン水供給手段２５ａ，２５ｂ
を有し、イオン水供給手段２５ａ，２５ｂにより基板２
０にイオン水を供給しつつ基板２０の表裏面を洗浄す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング方法及
び装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板上に形成され
たＣｕ膜を化学機械的に研磨した後に洗浄するポリッシ
ング方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板上に配線回路を形成す
るためには、基板面上にスパッタリング等を用いて導体
の成膜を行った後、さらにレジスト等のパターンマスク
を用いたケミカルドライエッチングにより膜の不要部分
を除去していた。

【０００３】配線回路を形成するための材料としては、
一般にアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金が用
いられていた。しかしながら、半導体の集積度が高くな
るにつれて配線が細くなり、電流密度が増加して熱応力
や温度上昇を生じる。これはストレスマイグレーション
やエレクトロマイグレーションによってＡｌ等が薄膜化
するに従いさらに顕著となり、ついには断線或いは短絡
等のおそれが生じる。

【０００４】そこで、通電による過度の発熱を避けるた
め、より導電性の高い銅などの材料を配線形成に採用す
ることが要求されている。しかしながら、銅又はその合
金などの配線材料はドライエッチングが難しく、基板全
面に成膜してからパターンを形成する上記の方法の採用
は困難になってきた。そこで、予め所定パターンの配線
用の溝を形成しておき、その中に銅又はその合金を充填
する工程が考えられる。これによれば、膜をエッチング
により除去する工程は不要で、表面段差を取り除くため
の研磨工程を行えばよい。また、多層回路の上下を連絡
する配線孔と呼ばれる部分も同時に形成することができ
る利点がある。

【０００５】しかしながら、このような配線溝或いは配
線孔の形状は、配線幅が微細化するに伴いかなりの高ア
スペクト比（深さと直径又は幅の比）となり、スパッタ
リング成膜では均一な金属の充填が困難であった。ま
た、種々の材料の成膜手段として気相成長（ＣＶＤ）法
が用いられるが、銅又はその合金では、適当な気体原料
を準備することが困難であり、また、有機原料を採用す
る場合には、これから堆積膜中へ炭素（Ｃ）が混入して
マイグレーション性が上がるという問題点があった。

【０００６】そこで、基板をめっき液中に浸漬させて例
えば銅（Ｃｕ）の無電解又は電解めっきを行ない、その
後表面の不要部分を化学機械研磨（ＣＭＰ）により除去
する方法が提案されている。斯かるめっきによる成膜で
は、高アスペクト比の配線溝を均一に高導電率の金属で
充填することが可能となる。前記ＣＭＰプロセスは、タ
ーンテーブル上に貼設された研磨クロスにトップリング
によって保持された半導体ウエハを押圧し、同時に砥粒
を含有した研磨砥液を供給しつつ、半導体ウエハ上のＣ
ｕ層を研磨するものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のＣＭＰプロセス
によるＣｕの研磨直後は、Ｃｕ表面の活性が高く酸化し
やすい状態になっていることが多い。これを自然に放置
していると自然酸化膜ができるが、その膜はある意味で
成り行きまかせで、ムラ（不均一）になり易く、また、
膜質も粗雑であり、そのまま放置していると酸化が進行
していく。特に、上述したように半導体ウエハに形成す
るデバイスの配線材料に使用する場合、電気特性が変わ
り、製品品質上問題になる場合がある。また、被研磨物
である半導体ウエハの裏面に関しても、研磨中に研磨砥
液やバイプロダクト（副生物）が回り込み付着し、それ
がクリーンルーム内を汚染する可能性がある。

【０００８】本発明は、上記の欠点を除去するため、Ｃ
ｕ層を有した半導体ウエハ等の基板を研磨した後のＣｕ
表面の性状を制御することができるとともに、被研磨面
の裏面の性状をも制御することができるポリッシング装
置及び方法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明のポリッシング装置は、基板を保持するトッ
プリングと研磨面を有したターンテーブルとを備え、基
板上に半導体デバイスを形成した面を前記研磨面に摺接
させて研磨するポリッシング装置において、前記トップ
リングとターンテーブルとを備えた研磨部の後段に、研
磨後の基板の洗浄を行なう洗浄部を設け、該洗浄部はイ
オン水を供給するイオン水供給手段を有し、該イオン水
供給手段により基板にイオン水を供給しつつ基板の表裏
面を洗浄することを特徴とするものである。イオン水は
アノードイオン水が好適である。またターンテーブルは
セラミックテーブルが好適である。

【００１０】また本発明のポリッシング方法は、基板を
保持するトップリングと研磨面を有したターンテーブル
とを備え、基板上に半導体デバイスを形成した面を前記
研磨面に摺接させて研磨するポリッシング方法におい
て、研磨後の基板にイオン水を供給しつつ基板の表裏面
を洗浄することを特徴とするものである。

【００１１】本発明の１態様では、前記イオン水供給手
段は、イオン水を基板の表裏面に供給することができ
る。またイオン水供給手段は、イオン水を超音波発信器
を通した後に供給することができる。本発明の１態様で
は、ポリッシング装置は、基板にＤＨＦ（希フッ酸）を
供給するＤＨＦ供給手段を更に具備する。前記イオン水
供給手段は前記研磨部から洗浄部における複数箇処に設
けられる。

【００１２】上述した本発明によれば、半導体デバイス
を有した基板のＣｕ層を研磨した後に、基板の表面（Ｃ
ｕ層がある面）および裏面をアノードイオン水等のイオ
ン水で洗浄する。前記イオン水は純水又は純水に電解質
を添加したものを電気分解することにより得られる。イ
オン水には酸化性の強いアノードイオン水と還元性の強
いカソードイオン水とがあり、研磨後のＣｕ表面を酸化
するためにはアノードイオン水が好適に使用される。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置及び方法の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２は、本発明のポリッシング装置の実施の形
態を説明する図であり、図１は平面図、図２は斜視図で
ある。この装置は、全体が長方形をなす床上のスペース
の一端側に一対の研磨ユニット１ａ，１ｂが左右に対向
して配置され、他端側にそれぞれ基板収納用カセット２
ａ，２ｂを載置する一対のロード・アンロードユニット
が配置されている。そして、研磨ユニットとロード・ア
ンロードユニットを結ぶ線上に走行レール３が敷設さ
れ、このレール上に搬送ロボット４ａ，４ｂが２台配置
されて、搬送ラインが形成されている。搬送ラインの両
側に、それぞれ１台の反転機５，６とこれの両隣の２台
の洗浄機７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂが配置されている。

【００１４】２基の研磨ユニット１ａ，１ｂは、基本的
に同一の仕様の装置が搬送ラインに対称に配置されてお
り、それぞれ、上面に研磨布を貼付したターンテーブル
９と、基板を真空吸着により保持してターンテーブル面
に押し付けるトップリングヘッド１０と、研磨布の目立
てを行なうドレッシングヘッド１１とを備えている。

【００１５】図３は、研磨ユニット１ａ又は１ｂの詳細
を示す断面図である。図３に示すように、トップリング
ヘッド１０は、ターンテーブル９の上方に位置し、半導
体ウエハからなる基板２０を保持しつつターンテーブル
９に押しつけるトップリング１３を具備している。前記
ターンテーブル９はモータ（図示せず）に連結されてお
り、矢印Ａで示すようにその軸心の回わりに回転可能に
なっている。またターンテーブル９の上面には、研磨面
を構成する研磨布１４が貼設されている。

【００１６】基板上に形成されたＣｕの研磨では、スラ
リー（研磨砥液）によっては発熱する場合があり、その
反応熱によってＣｕの研磨の際に化学的研磨の要素が促
進され、ポリッシュレート（研磨速度）が変化してい
く。この問題を回避するため、本発明においては、ター
ンテーブル９にセラミックテーブル等の熱伝導性のよい
材料を用い、ポリッシュレートの安定を図るように工夫
している。このセラミックの材質は、アルミナセラミッ
クやＳｉＣが適当であり、熱伝導率として０．０７cal
／(cm×sec×℃）以上の材料が適当である。またセラミ
ックテーブル（ターンテーブル９）にはテーブル温度を
調節するための液体を流出入させる液体入口９ａと液体
出口９ｂとが設けられている。

【００１７】トップリング１３は、モータおよび昇降シ
リンダ（図示せず）に連結されている。これによって、
トップリング１３は矢印Ｂ，Ｃで示すように昇降可能か
つその軸心を中心に回転可能になっており、基板２０を
研磨布１４に対して任意の圧力で押圧することができる
ようになっている。また基板２０はトップリング１３の
下端面に真空等によって吸着されるようになっている。
なお、トップリング１３の下部外周部には、基板２０の
外れ止めを行なうガイドリング１６が設けられている。

【００１８】また、ターンテーブル９の上方には砥液供
給ノズル１５が設置されており、砥液供給ノズル１５に
よってターンテーブル９に張り付けられた研磨布１４上
に研磨砥液が供給されるようになっている。またターン
テーブル９の周囲には、砥液と水を回収する枠体１７が
設けられ、枠体１７の下部にはとい１７ａが形成されて
いる。

【００１９】ドレッシングヘッド１１はドレッシング部
材１８を有している。ドレッシング部材１８は、研磨布
１４上のトップリング１３の位置の反対側にあり、研磨
布１４のドレッシングを行なうことができるように構成
されている。研磨布１４には、ドレッシングに使用する
ドレッシング液、たとえば水がテーブル上に伸びたドレ
ッシング液供給ノズル２１から供給されるようになって
いる。ドレッシング部材１８は昇降用のシリンダと回転
用のモータに連結されており、矢印Ｄ，Ｅで示すように
昇降可能かつその軸心を中心に回転可能になっている。
ドレッシング部材１８はトップリング１３とほぼ同径の
円盤状であり、その下面にドレッシングツール１９を保
持している。砥液供給ノズル１５およびドレッシング液
供給ノズル２１はターンテーブル上面の回転中心付近に
まで伸び、研磨布１４上の所定位置に砥液および水をそ
れぞれ供給する。

【００２０】トップリング１３に保持された基板２０を
研磨布１４上に押圧し、ターンテーブル９およびトップ
リング１３を回転させることにより、基板２０の下面
（被研磨面）が研磨布１４と擦り合わされる。この時、
同時に研磨布１４上に砥液供給ノズル１５から砥液を供
給することにより、基板２０の被研磨面は、砥液中の砥
粒の機械的研磨作用と砥液の液体成分であるアルカリに
よる化学的研磨作用との複合作用によってポリッシング
される。ポリッシングに使用された砥液はターンテーブ
ル９の遠心力によってターンテーブル外へ飛散し、枠体
１７の下部のとい１７ａで回収される。

【００２１】基板２０の所定の研磨量を研磨した時点で
ポリッシングを終了する。このポリッシングが終了した
時点では、ポリッシングによって研磨布の特性が変化
し、次に行なうポリッシングの研磨性能が劣化するの
で、ドレッシングツール１９により研磨布のドレッシン
グを行なう。図１に示すように、研磨ユニット１ａ，１
ｂは、それぞれの搬送ライン側に、基板をトップリング
１３との間で授受するプッシャー１２を備えている。ト
ップリング１３は水平面内で旋回可能とされ、プッシャ
ー１２は上下動可能となっている。

【００２２】図４は、洗浄機７ａ，７ｂの構造を示す概
略側面図である。図示するように、洗浄機７ａ，７ｂ
は、基板２０のエッジを把持して基板２０を水平面内で
回転させるための複数の基板回転用ころ２３と、基板２
０の表裏面に接触して基板２０の表裏面をスクラブ洗浄
するロール状のＰＶＡスポンジ２４ａ，２４ｂと、基板
２０の上下方に設置されたイオン水供給ノズル２５ａ，
２５ｂおよびＤＨＦ供給ノズル２６ａ，２６ｂとを備え
ている。イオン水供給ノズル２５ａ，２５ｂの経路に
は、超音波発振子２６が設けられている。イオン水供給
ノズル２５ａ，２５ｂはアノードイオン水を基板に供給
し、ＤＨＦ供給ノズル２６ａ，２６ｂはＤＨＦ（希フッ
酸）を基板に供給する。また超音波発振子２６はアノー
ドイオン水に超音波エネルギを付与し、メガソニックア
ノードイオン水を生成する。なおイオン水はイオン水供
給ノズル２５ａ，２５ｂの可能な限り近傍で生成される
ことがイオン水の寿命（濃度変化）の関係上望ましい。
更に必要な場合には図示しないイオン水のｐＨ、イオン
濃度等の性状値をモニタ／制御する測定器／制御機構を
イオン水生成器に取り付けることが望ましい。

【００２３】一方、カセット側の洗浄機８ａ，８ｂは、
基板２０のエッジを把持して水平面内で回転させながら
上述の純水又はアノードイオン水及び／又はメガソニッ
クイオン水を供給する形式の洗浄機である。洗浄機８
ａ，８ｂは、遠心脱水（スピン）して乾燥させる乾燥機
としての機能をも持つ。洗浄機７ａ，７ｂにおいて、処
理後の基板２０の１次洗浄を行なうことができ、洗浄機
８ａ，８ｂにおいて１次洗浄後の基板２０の２次洗浄を
行なうことができるようになっている。ここで各々の洗
浄機、反転機でのイオン水の金属表面供給の目的は金属
の酸化膜を形成することである。またＤＨＦの金属表面
への供給目的は金属酸化膜を溶かし、除去することであ
る。イオン水、ＤＨＦをその目的に応じた装置箇所・タ
イミングで供給することで性状の良い、つまり均一な酸
化膜を有する金属材表面が得られる。

【００２４】ロボット４ａ，４ｂは、例えばレール３上
を走行する台車の上部に水平面内で屈折自在に関節アー
ムが設けられているもので、それぞれ上下に２つの把持
部を、ドライフィンガーとウエットフィンガーとして使
い分ける形式となっている。この実施の形態ではロボッ
トを２基使用しているので、基本的に、第１ロボット４
ａは、反転機５，６よりカセット側の領域を、第２ロボ
ット４ｂは反転機５，６より研磨ユニット側の領域を受
け持つ。

【００２５】反転機５，６は、この実施の形態では、カ
セットの収納方式やロボットの把持機構との関係で必要
であるが、常に基板の研磨面が下向きの状態で移送され
るような場合には必要ではない。また、ロボットに反転
機能を持たせるような構造の場合も必要ではない。この
実施の形態では、２つの反転機５，６をドライな基板を
扱うものと、ウエットな基板を扱うものと使い分けてい
る。また、反転機５，６部にも純水又はアノードイオン
水を供給するノズルが存在し、処理工程の必要に応じて
基板２０に供給できる構造としてもよい。

【００２６】次に、上述のように構成されたポリッシン
グ装置の全体の動作を説明する。ポリッシング前の半導
体ウエハである基板２０はウエハカセット２ａ，２ｂに
ストックされており、装置内の全ての処理条件がインプ
ットされた後、装置は自動運転を開始する。自動運転の
処理フローは、以下のとおりである。 ａ）研磨される基板２０をカセット２ａ，２ｂにセット
し、ロード・アンロードユニットに載せる。 ｂ）ロボット４ａはカセット２ａ（又は２ｂ）から基板
２０を取り出し反転機５に搬送すると、反転機５は基板
２０を反転させ研磨表面を下側にする。 ｃ）ロボット４ｂは反転機５から基板２０を受け取り、
研磨ユニット１ａのプッシャー１２に基板２０を載せ
る。 ｄ）研磨ユニット１ａのトップリング１３は基板２０を
吸着し、基板２０の１次研磨を行なう。この時、基本的
には基板２０上に形成されたＣｕ層のみを研磨する。ま
た、１次研磨はＣｕ層のみの研磨で下のバリア層をスト
ッパーとして用いる場合がスラリー（研磨砥液）によっ
ては考えられる。この場合、バリア層が表面にでた時点
でのインサィチュ（in situ）の検出が必要で、その手
段としては、テーブルの電流値、トップリングに搭載し
たうず電流センサー、もしくは加速度センサーやテーブ
ル表面を計測する温度センサー等を装置に組み込んでい
る。

【００２７】ｅ）研磨終了後、研磨ユニット１ａのトッ
プリング１３に保持された基板２０をプッシャー１２に
戻し、ロボット４ｂにより基板２０をプッシャー１２か
ら受け取り、洗浄機７ａに搬送する。 ｆ）洗浄機７ａにおいて基板２０の表面および裏面をＰ
ＶＡスポンジ２４ａ，２４ｂでスクラブ洗浄を行なう。
この洗浄機７ａでは、基本的には純水のみのスクラブ洗
浄を行なう。基板２０の表面と裏面をほぼ同時に洗浄を
行い、１次研磨の際に付着したスラリーを洗い落とす。
このとき、スラリーによっては、イオン水供給ノズル２
５ａ，２５ｂからアノードイオン水やカソードイオン水
を基板２０に供給してもよい。また、図示しないノズル
から界面活性剤、アンモニア、クエン酸等の薬液を供給
してもよい。 ｇ）洗浄終了後、ロボット４ｂは洗浄機７ａから基板２
０を受け取り、研磨ユニット１ｂのプッシャー１２に基
板２０を移送する。 ｈ）研磨ユニット１ｂのトップリング１３により基板２
０を吸着し、基板２０の２次研磨を行なう。Ｃｕの２次
研磨では、バリア層を研磨する場合が多い。この研磨も
化学的研磨の要素の安定を得るため、セラミックテーブ
ルを用いる。また、研磨の終点の検出も上記ｄ）の手段
を用いる。本発明の処理フローでは、次工程の洗浄装置
でアノードイオン水により酸化させる方法をとっている
が、酸化剤の種類によっては、この２次研磨工程でスラ
リー（研磨砥液）の次に酸化剤、例えばアノードイオン
水を投入してＣｕ表面を強制酸化させてもよい。この場
合には、研磨部である研磨ユニット１ｂに、図４に示す
イオン水供給ノズルを設置する。

【００２８】ｉ）研磨終了後、研磨ユニット１ｂのトッ
プリング１３により基板２０をプッシャー１２まで移動
させた後、ロボット４ｂにより基板２０をプッシャー１
２から受け取る。なお基板２０がプッシャー１２上で待
機しているとき、プッシャー１２上で基板２０にアノー
ドイオン水をかけてもよい。 ｊ）ロボット４ｂにより基板２０を洗浄機７ｂに搬送
し、洗浄機７ｂにより基板２０の表面および裏面をスク
ラブ洗浄する。この場合、まず最初に、ＰＶＡスポンジ
２４ａ，２４ｂによりスラリー（研磨砥液）の除去を基
板２０の表面および裏面ともに行なう。この時、純水を
供給してもよいが、洗浄時間を短縮させるためアノード
イオン水をスポンジの外側もしくは内側から供給しても
よい。

【００２９】ｋ）純水を供給した場合又は供給しない場
合のいずれの場合にも、次に、イオン水ノズル２５ａ，
２５ｂからアノードイオン水を基板２０の表面および裏
面に供給し、Ｃｕ表面の酸化処理を行なう。このとき、
アノードイオン水に超音波発振子２６によって超音波を
加えたメガソニックアノードイオン水を用いると、よい
膜質のＣｕ酸化膜が得られる。また、研磨後なるべく早
く酸化処理を行なうのがよいため、本ポリッシング装置
では、研磨後５分以内に基板にイオン水をかけられるよ
うにしている。この装置ではアノードイオン水を基板２
０の表面および裏面ともにかけられるようになってい
る。

【００３０】ｌ）その後、ＤＨＦ（希フッ酸）を基板２
０にかけ、酸化膜の除去を行なう。これにより、Ｓｉ面
においてもＣｕ付着が１×１０^１１atoms/cm^２以下にな
る。本発明のポリッシング装置においては、基板２０に
イオン水をかけた後、すぐにＤＨＦをかけることが可能
なように洗浄機７ｂにはイオン水供給ノズル２５ａ，２
５ｂ、ＤＨＦ供給ノズル２６ａ，２６ｂが並置される。

【００３１】ｍ）酸化膜の除去の後、ロボット４ｂは洗
浄機７ｂから基板２０を受け取り反転機６に搬送する
と、反転機６は基板２０を反転させる。 ｎ）ロボット４ａにより基板２０を反転機６から受け取
り、洗浄機８ａまたは８ｂに基板２０を搬送する。 ｏ）その後、基板２０をスピンドライにより乾燥させた
後、ロボット４ａにより基板２０を洗浄機８ａまたは８
ｂから受け取り、カセット２ａまたは２ｂに戻す。

【００３２】上記のシステムはＣｕの研磨を１次，２次
に分けて行なうものである。しかし、今後加工能率を考
え、一つのテーブルで研磨を行なうスラリー（研磨砥
液）が開発された場合は、上記のａ）〜ｏ）のうちｄ）
〜ｇ）の工程が省かれる。本ポリッシング装置は、その
場合を想定し、研磨ユニット１ａ，１ｂのシリーズ運転
ばかりでなく、バラレル運転できるようになっている。
その場合は、特にソフトの入れ替えを行なうのでなく、
操作画面のスイッチで切り替えられる。パラレル運転の
処理フローは以下のとおりである。

【００３３】基板２０が、カセット２ａ又は２ｂ→反転
機５→研磨ユニット１ａ→洗浄機７ａ→反転機６→洗浄
機８ａ→カセット２ａ又は２ｂと移動する流れと、基板
２０がカセット２ａ又は２ｂ→反転機５→研磨ユニット
１ｂ→洗浄機７ｂ→反転機６→洗浄機８ｂ→カセット２
ａ又は２ｂと移動する流れの２系列あることになる。反
転機５，６は、シリーズ処理の場合と同様に、研磨前の
ドライな基板を扱うものと、研磨後のウエットな基板を
扱うものと使い分けるが、洗浄機は搬送ラインの両側の
いずれを用いてもよい。パラレル処理においては、研磨
ユニット１ａ，１ｂにおける研磨条件は同一であり、洗
浄機７ａ，７ｂにおける洗浄条件は同一であり、洗浄機
８ａ，８ｂにおける洗浄条件は同一である。洗浄機８
ａ，８ｂにおいて、基板２０は洗浄およびスピン乾燥さ
れた後、カセット２ａ又は２ｂへ戻される。

【００３４】本ポリッシング装置は、装置全体が排気ダ
クトを有したハウジング内に収容されており、処理前の
ドライな基板を装置内に搬入し、研磨及び洗浄・乾燥後
のドライな基板を装置外に搬出できる。すなわち、Ｃｕ
層を有した半導体ウエハ等の基板のドライイン・ドライ
アウトが達成できる。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に形成されたＣｕ膜を研磨したときに安定した膜
質を得ることができる。そして、研磨後の基板もＣｕ汚
染されることなくカセットに戻すことができる。またイ
オン水は、他の薬液を使用するよりも廃液が非常に清浄
であり、特に特別の処理を行なう必要がないので、廃液
処理の設備の負荷を軽減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のポリッシング装置を模式的に示す平面
図である。

【図２】本発明のポリッシング装置の外観を示す斜視図
である。

【図３】図１及び図２に示す研磨ユニットの詳細を示す
断面図である。

【図４】本発明のポリッシング装置における洗浄機の構
造を示す概略側面図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ 研磨ユニット ２ａ，２ｂ カセット ３ 走行レール ４ａ，４ｂ 搬送ロボット ５，６ 反転機 ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ 洗浄機 ９ ターンテーブル ９ａ 液体入口 ９ｂ 液体出口 １０ トップリングヘッド １１ ドレッシングヘッド １２ プッシャー １３ トップリング １４ 研磨布 １５ 砥液供給ノズル １６ ガイドリング １７ 枠体 １７ａ とい １８ ドレッシング部材 １９ ドレッシングツール ２０ 基板 ２１ ドレッシング液供給ノズル ２３ 基板回転用ころ ２４ａ，２４ｂ ＰＶＡスポンジ ２５ａ，２５ｂ イオン水供給ノズル ２６ 超音波発振子 ２６ａ，２６ｂ ＤＨＦ供給ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白樫 充彦 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 徳重 克彦 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 浅見 正男 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 宮下 直人 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 小寺 雅子 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 松井 嘉孝 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 灘原 壮一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 冨田 寛 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を保持するトップリングと研磨面を
   有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイ
   スを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリ
   ッシング装置において、 前記トップリングとターンテーブルとを備えた研磨部の
   後段に、研磨後の基板の洗浄を行なう洗浄部を設け、該
   洗浄部はイオン水を供給するイオン水供給手段を有し、
   該イオン水供給手段により基板にイオン水を供給しつつ
   基板の表裏面を洗浄することを特徴とするポリッシング
   装置。
2. 【請求項２】 前記イオン水供給手段は、イオン水を基
   板の表裏面に供給することができることを特徴とする請
   求項１に記載のポリッシング装置。
3. 【請求項３】 前記イオン水供給手段は、イオン水を超
   音波発信器を通した後に供給することができることを特
   徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 基板にＤＨＦ（希フッ酸）を供給するＤ
   ＨＦ供給手段を具備することを特徴とする請求項１乃至
   ３のいずれか１項に記載のポリッシング装置。
5. 【請求項５】 基板を保持するトップリングと研磨面を
   有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイ
   スを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリ
   ッシング方法において、 研磨後の基板にイオン水を供給しつつ基板の表裏面を洗
   浄することを特徴とするポリッシング方法。