JP2000269767A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＷ素子の高耐電力性を有する電極を反応
性イオンエッチングにより信頼性よく形成する方法を提
供することを課題とする。 【解決手段】 Ａｌと他の金属を含む電極を備えたＳＡ
Ｗ素子の製造方法であって、該電極が反応性イオンエッ
チングによるパターニングにより形成され、反応性イオ
ンエッチングがＣｌ2とＨｅの混合ガスからなるエッチ
ングガスを使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下で行われ
ることを特徴とするＳＡＷ素子の製造方法により上記課
題を解決する。
性イオンエッチングにより信頼性よく形成する方法を提
供することを課題とする。 【解決手段】 Ａｌと他の金属を含む電極を備えたＳＡ
Ｗ素子の製造方法であって、該電極が反応性イオンエッ
チングによるパターニングにより形成され、反応性イオ
ンエッチングがＣｌ2とＨｅの混合ガスからなるエッチ
ングガスを使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下で行われ
ることを特徴とするＳＡＷ素子の製造方法により上記課
題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）素子の製造方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、ＳＡＷ素子の高耐電力性を有する電極を反応性イオ
ンエッチングにより信頼性よく形成する方法に関する。
Ｗ）素子の製造方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、ＳＡＷ素子の高耐電力性を有する電極を反応性イオ
ンエッチングにより信頼性よく形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷ素子を構成する電極に高パワーの
電極が印加されると電極がマイグレーションを生じフィ
ルタ特性を劣化させる。この対策として、耐電力性を上
げるためにＡｌ合金やＡｌ層を含む積層体を使用するこ
とが知られている（例えば、特開平７-１２２９６１号
公報、特開平１０−１３５７６７号公報参照）。この電
極は、通常反応性イオンエッチングのようなドライエッ
チングで形成される。エッチングには、ＢＣｌ3とＣｌ2
のようなハロゲンを含む混合ガスが一般に使用されてい
る（例えば、特開平８−２６４５０８号公報、特開平９
−１８１５５３号公報参照）。
電極が印加されると電極がマイグレーションを生じフィ
ルタ特性を劣化させる。この対策として、耐電力性を上
げるためにＡｌ合金やＡｌ層を含む積層体を使用するこ
とが知られている（例えば、特開平７-１２２９６１号
公報、特開平１０−１３５７６７号公報参照）。この電
極は、通常反応性イオンエッチングのようなドライエッ
チングで形成される。エッチングには、ＢＣｌ3とＣｌ2
のようなハロゲンを含む混合ガスが一般に使用されてい
る（例えば、特開平８−２６４５０８号公報、特開平９
−１８１５５３号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ドライエッチングにお
いて、電極に含まれるＡｌ以外の成分が、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｓｉ等のハロゲン化物の蒸気圧が高い物質である場合、
残渣なくエッチングを行うことが可能である。ところ
が、Ｃｕ、Ｍｇ等のようにハロゲン化物の蒸気圧が低い
金属を含む場合、ハロゲン化物が残渣として残りアフタ
ーコロージョンを誘発したり、特にこれら金属を２重量
％以上の高濃度に含む場合、エッチング自体が進行しな
いという問題があった。
いて、電極に含まれるＡｌ以外の成分が、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｓｉ等のハロゲン化物の蒸気圧が高い物質である場合、
残渣なくエッチングを行うことが可能である。ところ
が、Ｃｕ、Ｍｇ等のようにハロゲン化物の蒸気圧が低い
金属を含む場合、ハロゲン化物が残渣として残りアフタ
ーコロージョンを誘発したり、特にこれら金属を２重量
％以上の高濃度に含む場合、エッチング自体が進行しな
いという問題があった。
【０００４】また、ＳＡＷ素子では、一般にＬｉＮｂＯ
3、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7等からなる圧電基板が使
用されるが、エッチングに使用されるガスに含まれるハ
ロゲンと、圧電基板に由来するリチウムの化合物も残渣
として残り、アフターコロージョンの発生を更に増長す
るという問題もあった。希ガスによるスパッタリングの
ような物理的エッチングにより、残渣を低減しつつ、ハ
ロゲン化物の蒸気圧が低い金属とＡｌを含む層のエッチ
ングレートを上げることも考えられるが、物理的エッチ
ングではサイドウォールが厚さ方向に逆テーパー状に傾
斜するという問題があった。更に、エッチング残りを除
去するために所定時間続けてエッチング（オーバーエッ
チング）が行われるが、物理的エッチングは選択性が劣
るため、この時に圧電基板もエッチングされてしまい、
ＳＡＷ素子の特性が悪化するという問題もあった。
3、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7等からなる圧電基板が使
用されるが、エッチングに使用されるガスに含まれるハ
ロゲンと、圧電基板に由来するリチウムの化合物も残渣
として残り、アフターコロージョンの発生を更に増長す
るという問題もあった。希ガスによるスパッタリングの
ような物理的エッチングにより、残渣を低減しつつ、ハ
ロゲン化物の蒸気圧が低い金属とＡｌを含む層のエッチ
ングレートを上げることも考えられるが、物理的エッチ
ングではサイドウォールが厚さ方向に逆テーパー状に傾
斜するという問題があった。更に、エッチング残りを除
去するために所定時間続けてエッチング（オーバーエッ
チング）が行われるが、物理的エッチングは選択性が劣
るため、この時に圧電基板もエッチングされてしまい、
ＳＡＷ素子の特性が悪化するという問題もあった。
【０００５】また、ＳＡＷ素子について言及はされてい
ないが、ハロゲンを含むガスとＨｅとの混合ガスでＡｌ
を含む層をエッチングする方法が特開昭６１−１４７５
３２号公報で報告されている。この公報では、Ｈｅが、
層の冷却効果とプラズマの安定化を目的として、８００
ｓｃｃｍ以上の高流量で使用されている。ところがこの
ような高流量でＨｅを使用すると、ガス圧を下げること
ができないため、電極とエッチングにマスクとして使用
するレジストとの選択性を上げることができないという
問題があった。
ないが、ハロゲンを含むガスとＨｅとの混合ガスでＡｌ
を含む層をエッチングする方法が特開昭６１−１４７５
３２号公報で報告されている。この公報では、Ｈｅが、
層の冷却効果とプラズマの安定化を目的として、８００
ｓｃｃｍ以上の高流量で使用されている。ところがこの
ような高流量でＨｅを使用すると、ガス圧を下げること
ができないため、電極とエッチングにマスクとして使用
するレジストとの選択性を上げることができないという
問題があった。
【０００６】反応性イオンエッチングではなく、ＥＣＲ
エッチングを用い、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスを用いたＡ
ｌを含む層のエッチング方法が、特開平６−３３３８８
３号公報に示されている。ＥＣＲエッチングは、反応性
イオンエッチングに比べて、装置が高価であること、超
高真空排気が必要であるためスループットが悪くなるこ
と等の問題がある。更に、低圧高密度プラズマが使用さ
れるため、原理的に電子密度が、反応性イオンエッチン
グに比べて、２〜３桁高く、圧電基板を使用するＳＡＷ
素子がチャージし、それに由来する欠陥や不良が発生す
る問題があった。
エッチングを用い、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスを用いたＡ
ｌを含む層のエッチング方法が、特開平６−３３３８８
３号公報に示されている。ＥＣＲエッチングは、反応性
イオンエッチングに比べて、装置が高価であること、超
高真空排気が必要であるためスループットが悪くなるこ
と等の問題がある。更に、低圧高密度プラズマが使用さ
れるため、原理的に電子密度が、反応性イオンエッチン
グに比べて、２〜３桁高く、圧電基板を使用するＳＡＷ
素子がチャージし、それに由来する欠陥や不良が発生す
る問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】反応性イオンエッチング
は、ＥＣＲエッチングに比べ、入射イオンエネルギーが
高いため、選択性が劣り、下地である圧電基板に損傷を
生じさせやすいと考えられていた。ところが本発明者等
は、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスからなるエッチングガスを
使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下でエッチングを行え
ば、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属とＡｌを含む電極
を、実用的な選択比で形成できることを意外にも見出し
本発明に至った。
は、ＥＣＲエッチングに比べ、入射イオンエネルギーが
高いため、選択性が劣り、下地である圧電基板に損傷を
生じさせやすいと考えられていた。ところが本発明者等
は、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスからなるエッチングガスを
使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下でエッチングを行え
ば、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属とＡｌを含む電極
を、実用的な選択比で形成できることを意外にも見出し
本発明に至った。
【０００８】かくして本発明によれば、Ａｌと他の金属
を含む電極を備えたＳＡＷ素子の製造方法であって、該
電極が反応性イオンエッチングによるパターニングによ
り形成され、反応性イオンエッチングがＣｌ2とＨｅの
混合ガスからなるエッチングガスを使用し、０．１〜３
Ｐａのガス圧下で行われることを特徴とするＳＡＷ素子
の製造方法が提供される。
を含む電極を備えたＳＡＷ素子の製造方法であって、該
電極が反応性イオンエッチングによるパターニングによ
り形成され、反応性イオンエッチングがＣｌ2とＨｅの
混合ガスからなるエッチングガスを使用し、０．１〜３
Ｐａのガス圧下で行われることを特徴とするＳＡＷ素子
の製造方法が提供される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＳＡＷ素子の製造
方法を説明する。まず、ＳＡＷ素子は、通常基板上に所
定形状の電極を備えている。ここで、基板としては、Ｓ
ＡＷ素子に使用できるものであれば特に限定されず、例
えば、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7等の単
結晶からなる圧電基板が挙げられる。次に、圧電基板上
には所定形状の電極が形成されている。本発明において
電極は、Ａｌと他の金属を含んでいる。ここで、他の金
属が、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ等のハロゲン化物の蒸気圧が低
いものである場合に、本発明のＳＡＷ素子の製造方法
は、特に残渣やアフターコロージョンの発生を抑制する
ことができるという効果を奏する。この内、他の金属と
しては、Ｍｇが特に好ましい。
方法を説明する。まず、ＳＡＷ素子は、通常基板上に所
定形状の電極を備えている。ここで、基板としては、Ｓ
ＡＷ素子に使用できるものであれば特に限定されず、例
えば、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7等の単
結晶からなる圧電基板が挙げられる。次に、圧電基板上
には所定形状の電極が形成されている。本発明において
電極は、Ａｌと他の金属を含んでいる。ここで、他の金
属が、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｍｎ等のハロゲン化物の蒸気圧が低
いものである場合に、本発明のＳＡＷ素子の製造方法
は、特に残渣やアフターコロージョンの発生を抑制する
ことができるという効果を奏する。この内、他の金属と
しては、Ｍｇが特に好ましい。
【００１０】また、電極中の他の金属の含有割合は、１
重量％以上が好ましく、１〜３０重量％がより好まし
い。１重量％未満の場合は、マイグレーション耐性が劣
るため好ましくない。なお、他の金属の含有量を多くす
ると、一般に、耐電力性は向上するが、電極の抵抗が上
昇することが知られている。この観点から、他の金属の
含有割合は、２〜１０重量％が特に好ましい。
重量％以上が好ましく、１〜３０重量％がより好まし
い。１重量％未満の場合は、マイグレーション耐性が劣
るため好ましくない。なお、他の金属の含有量を多くす
ると、一般に、耐電力性は向上するが、電極の抵抗が上
昇することが知られている。この観点から、他の金属の
含有割合は、２〜１０重量％が特に好ましい。
【００１１】更に、電極の構成は、例えば、Ａｌと他の
金属との合金層の単一層、Ａｌ層と他の金属層との積層
体、Ａｌ層と合金層の積層体、他の金属の含有割合を変
化させた合金層の積層体等が挙げられる。積層体は、２
層以上であれば、その層数は限定されない。但し、ボン
ディングワイヤ用金属との相性を考慮すると、最上層は
Ａｌを含む層であることが好ましい。特に、積層体は、
Ａｌ層又はＡｌ合金層／Ｍｇ層／Ａｌ層又はＡｌ合金層
との組み合わせであることが好ましい。
金属との合金層の単一層、Ａｌ層と他の金属層との積層
体、Ａｌ層と合金層の積層体、他の金属の含有割合を変
化させた合金層の積層体等が挙げられる。積層体は、２
層以上であれば、その層数は限定されない。但し、ボン
ディングワイヤ用金属との相性を考慮すると、最上層は
Ａｌを含む層であることが好ましい。特に、積層体は、
Ａｌ層又はＡｌ合金層／Ｍｇ層／Ａｌ層又はＡｌ合金層
との組み合わせであることが好ましい。
【００１２】電極の厚さは、ＳＡＷ素子の設計に応じて
重さを基準にして、電極の抵抗、マイグレーション耐性
等を考慮して適宜設定される。上記電極は、基板上に電
極形成用の金属層を積層した後、反応性イオンエッチン
グによるパターニングにより形成される。金属層の形成
方法は、特に限定されず、例えば、スパッタ法のような
公知の方法をいずれも使用することができる。
重さを基準にして、電極の抵抗、マイグレーション耐性
等を考慮して適宜設定される。上記電極は、基板上に電
極形成用の金属層を積層した後、反応性イオンエッチン
グによるパターニングにより形成される。金属層の形成
方法は、特に限定されず、例えば、スパッタ法のような
公知の方法をいずれも使用することができる。
【００１３】次に、反応性イオンエッチングによるパタ
ーニングに先立って、通常所定パターンの電極を形成す
るためのマスクが金属層上に形成される。このマスク
は、例えば、金属層上にレジスト層を塗布することによ
り形成した後、フォトリソグラフィ法により所定形状に
パターニングすることにより形成することができる。こ
の所定形状にパターニングされたレジスト層を、レジス
トパターンと称する。次いで、レジストパターンをマス
クとして、反応性イオンエッチングによるパターニング
により電極が形成される。ここで、本発明では、反応性
イオンエッチングが、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスからなる
エッチングガスを使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下で
行われることを特徴の１つとしている。
ーニングに先立って、通常所定パターンの電極を形成す
るためのマスクが金属層上に形成される。このマスク
は、例えば、金属層上にレジスト層を塗布することによ
り形成した後、フォトリソグラフィ法により所定形状に
パターニングすることにより形成することができる。こ
の所定形状にパターニングされたレジスト層を、レジス
トパターンと称する。次いで、レジストパターンをマス
クとして、反応性イオンエッチングによるパターニング
により電極が形成される。ここで、本発明では、反応性
イオンエッチングが、Ｃｌ2とＨｅの混合ガスからなる
エッチングガスを使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下で
行われることを特徴の１つとしている。
【００１４】一般にＡｌ合金のドライエッチングでは、
Ａｌ合金のエッチングレートの増大を目的として、Ｃｌ
2ガスが使用され、更に、自然酸化膜を除去するため
に、還元性のＢＣｌ3、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4等のガスが
加えられる。また、Ｃｌ2ガスに添加されるハロゲンを
含むガスは、側壁保護膜の成分となって、サイドエッチ
を防止する役割も果たす。しかし、ハロゲン化物の蒸気
圧が低い他の金属をＡｌ電極が含む場合、残渣が発生し
たり、エッチング自体が進行しない。これは塩素ラジカ
ルが電極の表面に付着しても、純Ａｌの電極と異なり、
活性化エネルギーが高いため、反応が進行しないためで
ある。
Ａｌ合金のエッチングレートの増大を目的として、Ｃｌ
2ガスが使用され、更に、自然酸化膜を除去するため
に、還元性のＢＣｌ3、ＣＣｌ4、ＳｉＣｌ4等のガスが
加えられる。また、Ｃｌ2ガスに添加されるハロゲンを
含むガスは、側壁保護膜の成分となって、サイドエッチ
を防止する役割も果たす。しかし、ハロゲン化物の蒸気
圧が低い他の金属をＡｌ電極が含む場合、残渣が発生し
たり、エッチング自体が進行しない。これは塩素ラジカ
ルが電極の表面に付着しても、純Ａｌの電極と異なり、
活性化エネルギーが高いため、反応が進行しないためで
ある。
【００１５】そこで、本発明では、Ｈｅを使用すること
により、Ｈｅの原子半径が小さいことを利用して、平均
自由工程を大きくとることができるため、基板に垂直に
入射することができ、その結果活性化エネルギーを小さ
くすることができる。ここで、平均自由工程λは、λ＝
３．１１×１０-24×Ｔ／（Ｐ×σ2）（式中、Ｔは温度
（Ｋ）、Ｐはガス圧（Ｐａ）、σは粒子の直径（ｍ）を
意味する）で表される。ここで、ガス圧を上記範囲で行
うことにより、Ｈｅの散乱を抑え、平均自由工程を所定
程度に大きく取ることができる。なお、上記した特開昭
６１−１４７５３２号公報では、Ｈｅの流量が大きいた
めガス圧が高く、平均自由工程を大きく取ることができ
ない。
により、Ｈｅの原子半径が小さいことを利用して、平均
自由工程を大きくとることができるため、基板に垂直に
入射することができ、その結果活性化エネルギーを小さ
くすることができる。ここで、平均自由工程λは、λ＝
３．１１×１０-24×Ｔ／（Ｐ×σ2）（式中、Ｔは温度
（Ｋ）、Ｐはガス圧（Ｐａ）、σは粒子の直径（ｍ）を
意味する）で表される。ここで、ガス圧を上記範囲で行
うことにより、Ｈｅの散乱を抑え、平均自由工程を所定
程度に大きく取ることができる。なお、上記した特開昭
６１−１４７５３２号公報では、Ｈｅの流量が大きいた
めガス圧が高く、平均自由工程を大きく取ることができ
ない。
【００１６】更に、ガス圧が３Ｐａより大きい場合、平
均自由工程が小さくなると共に散乱も増加することとな
る。一方、ガス圧が０．１Ｐａ未満の場合、安定なプラ
ズマ放電を得ることが困難である。なお、このようなガ
ス圧の範囲であれば、図１に示すように、電極とレジス
トとの選択性を向上させることができる。なお、電極に
は、Ａｌ（２０００Å）／Ｍｇ（３００Å）／Ａｌ（２
０００Å）の積層膜を用いた。
均自由工程が小さくなると共に散乱も増加することとな
る。一方、ガス圧が０．１Ｐａ未満の場合、安定なプラ
ズマ放電を得ることが困難である。なお、このようなガ
ス圧の範囲であれば、図１に示すように、電極とレジス
トとの選択性を向上させることができる。なお、電極に
は、Ａｌ（２０００Å）／Ｍｇ（３００Å）／Ａｌ（２
０００Å）の積層膜を用いた。
【００１７】Ｈｅの混合割合は、流量比で７０％以上で
あることが好ましく、８０〜９８％であることがより好
ましい。また、混合ガスの全流量は、１０〜１００ｓｃ
ｃｍ程度である。流量比を７０％以上とすることによ
り、・平均自由工程を大きく取ることができ、・必要な
量のＣｌ2のみ使用するので、基板に由来する不揮発性
のリチウムの塩化物の発生を抑制することができ、・ア
フターコロージョンの発生を防止することができ、・図
２に示すように、電極とレジストとの選択性を向上させ
ることができる。ここで、電極の構成は図１の場合と同
じである。
あることが好ましく、８０〜９８％であることがより好
ましい。また、混合ガスの全流量は、１０〜１００ｓｃ
ｃｍ程度である。流量比を７０％以上とすることによ
り、・平均自由工程を大きく取ることができ、・必要な
量のＣｌ2のみ使用するので、基板に由来する不揮発性
のリチウムの塩化物の発生を抑制することができ、・ア
フターコロージョンの発生を防止することができ、・図
２に示すように、電極とレジストとの選択性を向上させ
ることができる。ここで、電極の構成は図１の場合と同
じである。
【００１８】なお、本発明では上記エッチング条件で、
実用的なエッチングレートで自然酸化膜も除去すること
ができる。また、自然酸化膜を含めた電極に使用される
金属と塩素ラジカルの反応の活性化エネルギーは、基板
と塩素ラジカルの活性化エネルギーより小さいので、基
板と電極との選択性を十分確保することができる。反応
性イオンエッチングのＲＦパワーは、３０〜１２０Ｗで
あることが好ましい。ＲＦパワーが３０Ｗ未満の場合、
実用的なエッチングレート及び選択比が得られないので
好ましくなく、１２０Ｗより大きい場合、レジスト及び
基板にダメージが生じるので好ましくない。ここで、電
極が、Ａｌ層又はＡｌ合金層と他の金属（特にＭｇ）層
との積層体からなる場合、他の金属層の部分でエッチン
グレートが劣化する場合がある。この場合、１００〜３
００℃で金属層をアニール処理することにより、他の金
属がＡｌ中に拡散し固溶体となり、エッチングレートの
劣化を防ぐことができる。
実用的なエッチングレートで自然酸化膜も除去すること
ができる。また、自然酸化膜を含めた電極に使用される
金属と塩素ラジカルの反応の活性化エネルギーは、基板
と塩素ラジカルの活性化エネルギーより小さいので、基
板と電極との選択性を十分確保することができる。反応
性イオンエッチングのＲＦパワーは、３０〜１２０Ｗで
あることが好ましい。ＲＦパワーが３０Ｗ未満の場合、
実用的なエッチングレート及び選択比が得られないので
好ましくなく、１２０Ｗより大きい場合、レジスト及び
基板にダメージが生じるので好ましくない。ここで、電
極が、Ａｌ層又はＡｌ合金層と他の金属（特にＭｇ）層
との積層体からなる場合、他の金属層の部分でエッチン
グレートが劣化する場合がある。この場合、１００〜３
００℃で金属層をアニール処理することにより、他の金
属がＡｌ中に拡散し固溶体となり、エッチングレートの
劣化を防ぐことができる。
【００１９】また、近年ＳＡＷ素子の高周波数化が進
み、電極のパターンの微細化が進む傾向にある。ＳＡＷ
素子が高周波化されるほど、弾性表面波の波長が短くな
り、ドライエッチング時（特にオーバーエッチング時）
の圧電基板表面へのダメージに対して敏感になり、例え
ば素子の損失が増加する。そこで、反応性イオンエッチ
ングを２段階に分け、後半のエッチング時に、ＲＦパワ
ーを下げる及び／又はガス圧を上げることにより、圧電
基板表面のダメージを軽減することができる。後半のエ
ッチング時間は全エッチング時間の１０〜４０％である
ことが好ましい。ここで、後半のエッチングは、オーバ
ーエッチングであることが好ましい。
み、電極のパターンの微細化が進む傾向にある。ＳＡＷ
素子が高周波化されるほど、弾性表面波の波長が短くな
り、ドライエッチング時（特にオーバーエッチング時）
の圧電基板表面へのダメージに対して敏感になり、例え
ば素子の損失が増加する。そこで、反応性イオンエッチ
ングを２段階に分け、後半のエッチング時に、ＲＦパワ
ーを下げる及び／又はガス圧を上げることにより、圧電
基板表面のダメージを軽減することができる。後半のエ
ッチング時間は全エッチング時間の１０〜４０％である
ことが好ましい。ここで、後半のエッチングは、オーバ
ーエッチングであることが好ましい。
【００２０】ＲＦパワーを下げる程度は、前半のＲＦパ
ワーに対して、後半のＲＦパワーが５０％以上１００％
未満であることが好ましく、６０〜９５％であることが
より好ましい。ガス圧を上げる程度は、前半のガス圧に
対して、後半のガス圧を１．５〜３倍程度にすることが
好ましく、２〜３倍であることがより好ましい。
ワーに対して、後半のＲＦパワーが５０％以上１００％
未満であることが好ましく、６０〜９５％であることが
より好ましい。ガス圧を上げる程度は、前半のガス圧に
対して、後半のガス圧を１．５〜３倍程度にすることが
好ましく、２〜３倍であることがより好ましい。
【００２１】本発明により製造されたＳＡＷ素子は、一
般に２つの反射電極と１組の櫛形の励振電極とから構成
される。ＳＡＷ素子の一例を図３に示す。図３は、ＳＡ
Ｗ素子の概略平面図である。図中、Ａ及びＢは１組の櫛
形の励振電極であり、Ｃ及びＤは反射電極である。Ｙは
開口長を、λは電極の周期を意味する。なお、図３の構
成は単なる例示であって、本発明により形成されるＳＡ
Ｗ素子はこの構造に限定されない。
般に２つの反射電極と１組の櫛形の励振電極とから構成
される。ＳＡＷ素子の一例を図３に示す。図３は、ＳＡ
Ｗ素子の概略平面図である。図中、Ａ及びＢは１組の櫛
形の励振電極であり、Ｃ及びＤは反射電極である。Ｙは
開口長を、λは電極の周期を意味する。なお、図３の構
成は単なる例示であって、本発明により形成されるＳＡ
Ｗ素子はこの構造に限定されない。
【００２２】このＳＡＷ素子は、フィルタ、共振器、遅
延線、発振器、マッチドフィルタ、音響光学装置、コン
ボルバー等に使用することができる。例えば、フィルタ
に使用する場合、ＳＡＷ素子を直列腕と並列腕に所望数
配置することにより形成されたラダー型の構造が挙げら
れる。この構造以外にも公知の構造をいずれも採用する
ことができる。
延線、発振器、マッチドフィルタ、音響光学装置、コン
ボルバー等に使用することができる。例えば、フィルタ
に使用する場合、ＳＡＷ素子を直列腕と並列腕に所望数
配置することにより形成されたラダー型の構造が挙げら
れる。この構造以外にも公知の構造をいずれも採用する
ことができる。
【００２３】
【実施例】次に本発明の具体的形態を実施例により説明
するが、これらの実施例により本発明は何ら制限を受け
るものでない。 （実施例１）ＬｉＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板上
に、厚さ４００ｎｍのＡｌ層、Ａｌ中にＭｇを２重量％
含む合金層（以下、Ａｌ−２％Ｍｇ合金層、以下同じ意
味で使用）及びＡｌ−４％Ｍｇ合金層を形成し、Ａｌ層
及び合金層上に１．２μｍルールの櫛形電極形成用のレ
ジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成し
た。この後、レジストパターンをマスクとして、以下の
条件で、前記層を反応性イオンエッチングによりドライ
エッチングに付した。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比１：
９） ガス圧：１Ｐａ ＲＦパワー：７０Ｗ エッチング後、アッシャー室でＯ2によりレジストパタ
ーンをアッシングし、アフターコロージョン対策として
のＳＦ6によるポストエッチング、溶液処理、水洗を施
した。
するが、これらの実施例により本発明は何ら制限を受け
るものでない。 （実施例１）ＬｉＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板上
に、厚さ４００ｎｍのＡｌ層、Ａｌ中にＭｇを２重量％
含む合金層（以下、Ａｌ−２％Ｍｇ合金層、以下同じ意
味で使用）及びＡｌ−４％Ｍｇ合金層を形成し、Ａｌ層
及び合金層上に１．２μｍルールの櫛形電極形成用のレ
ジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成し
た。この後、レジストパターンをマスクとして、以下の
条件で、前記層を反応性イオンエッチングによりドライ
エッチングに付した。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比１：
９） ガス圧：１Ｐａ ＲＦパワー：７０Ｗ エッチング後、アッシャー室でＯ2によりレジストパタ
ーンをアッシングし、アフターコロージョン対策として
のＳＦ6によるポストエッチング、溶液処理、水洗を施
した。
【００２４】Ａｌ−２％Ｍｇ合金層及びＡｌ−４％Ｍｇ
合金層のいずれにおいても、Ａｌ層と同程度のシャープ
さで電極を形成することができた。なお、レジストと、
Ａｌ層、Ａｌ−２％Ｍｇ合金層及びＡｌ−４％Ｍｇ合金
層との選択比は、それぞれ１．９、１．５及び１．２で
あった。
合金層のいずれにおいても、Ａｌ層と同程度のシャープ
さで電極を形成することができた。なお、レジストと、
Ａｌ層、Ａｌ−２％Ｍｇ合金層及びＡｌ−４％Ｍｇ合金
層との選択比は、それぞれ１．９、１．５及び１．２で
あった。
【００２５】（実施例２）３６°ＹカットＸ伝播のＬｉ
ＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板１（図４Ａ）上に、
厚さ４３０ｎｍのＡｌ−３％Ｃｕ合金層２をスパッタ法
で形成し（図４Ｂ）、その上に８００ＭＨｚ帯用フィル
タの櫛形電極形成用のレジストパターン３をフォトリソ
グラフィ法により形成した（図４Ｃ）。この後、レジス
トパターン３をマスクとして、以下の条件で、オーバー
エッチング時間を種々変更しつつ、合金層２を反応性イ
オンエッチングによりドライエッチングすることによ
り、電極４を形成した（図４Ｄ）。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比０．
５：９．５） ガス圧：２Ｐａ ＲＦパワー：６０Ｗ
ＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板１（図４Ａ）上に、
厚さ４３０ｎｍのＡｌ−３％Ｃｕ合金層２をスパッタ法
で形成し（図４Ｂ）、その上に８００ＭＨｚ帯用フィル
タの櫛形電極形成用のレジストパターン３をフォトリソ
グラフィ法により形成した（図４Ｃ）。この後、レジス
トパターン３をマスクとして、以下の条件で、オーバー
エッチング時間を種々変更しつつ、合金層２を反応性イ
オンエッチングによりドライエッチングすることによ
り、電極４を形成した（図４Ｄ）。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比０．
５：９．５） ガス圧：２Ｐａ ＲＦパワー：６０Ｗ
【００２６】エッチング後、アッシャー室でＯ2により
レジストパターンをアッシングし（図４Ｅ）、アフター
コロージョン対策としてのＳＦ6によるポストエッチン
グ、溶液処理、水洗を施した。得られたフィルタのオー
バーエッチング時間に対する中心周波数及び最小挿入損
失との関係を図５及び６に示す。図から分かるように、
オーバーエッチング時間を変動させても、中心周波数及
び最小挿入損失の変動は低く抑えることができた。この
ことは、上記エッチング条件が、圧電基板へ与えるダメ
ージは、問題にならないレベルであることを示してい
る。
レジストパターンをアッシングし（図４Ｅ）、アフター
コロージョン対策としてのＳＦ6によるポストエッチン
グ、溶液処理、水洗を施した。得られたフィルタのオー
バーエッチング時間に対する中心周波数及び最小挿入損
失との関係を図５及び６に示す。図から分かるように、
オーバーエッチング時間を変動させても、中心周波数及
び最小挿入損失の変動は低く抑えることができた。この
ことは、上記エッチング条件が、圧電基板へ与えるダメ
ージは、問題にならないレベルであることを示してい
る。
【００２７】（実施例３）以下の手順で、帯域が１９２
０〜１９８０ＭＨｚのフィルタを作製した。３６°Ｙカ
ットＸ伝播のＬｉＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板上
に、スパッタ法により、下からＡｌ層（８５０Å）、Ｍ
ｇ層（１４０Å）及びＡｌ層（８５０Å）の積層体を形
成した。形成後、真空中で１時間、２００℃でアニール
処理した。積層体上に所定形状のレジストパターンをフ
ォトリソグラフィ法により形成した。この後、レジスト
パターンをマスクとして、以下の条件で、前記積層体を
反応性イオンエッチングによりドライエッチングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比１：
９） ガス圧：１Ｐａ ＲＦパワー：最初７０Ｗで、オーバーエッチング時（全
エッチング時間の％）に５０Ｗに下げる
０〜１９８０ＭＨｚのフィルタを作製した。３６°Ｙカ
ットＸ伝播のＬｉＴａＯ3の単結晶からなる圧電基板上
に、スパッタ法により、下からＡｌ層（８５０Å）、Ｍ
ｇ層（１４０Å）及びＡｌ層（８５０Å）の積層体を形
成した。形成後、真空中で１時間、２００℃でアニール
処理した。積層体上に所定形状のレジストパターンをフ
ォトリソグラフィ法により形成した。この後、レジスト
パターンをマスクとして、以下の条件で、前記積層体を
反応性イオンエッチングによりドライエッチングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：Ｃｌ2とＨｅの混合ガス（流量比１：
９） ガス圧：１Ｐａ ＲＦパワー：最初７０Ｗで、オーバーエッチング時（全
エッチング時間の％）に５０Ｗに下げる
【００２８】エッチング後、アッシャー室でＯ2により
レジストパターンをアッシングし、アフターコロージョ
ン対策としてのＳＦ6によるポストエッチング、溶液処
理、水洗を施した。得られたフィルタは、図７の等価回
路図に示すように、正規型一端子対弾性表面波共振器
（ＳＡＷ素子）が、直列腕に３つ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３）、並列腕に２つ（Ｐ１、Ｐ２）配置された構成のラ
ダー型フィルタである。なお、直列腕の弾性表面波共振
器を直列共振器、並列腕の弾性表面波共振器を並列共振
器と称する。直列共振器は、電極の周期１．９４μｍ、
開口長３０μｍ、励振電極の対数１６５、反射電極の対
数８０とした。並列共振器Ｐ１は、電極の周期２．０３
μｍ、開口長５５μｍ、励振電極の対数１００、反射電
極の対数７８とし、Ｐ２は反射電極の対数を３９とする
こと以外はＰ１と同一とした。
レジストパターンをアッシングし、アフターコロージョ
ン対策としてのＳＦ6によるポストエッチング、溶液処
理、水洗を施した。得られたフィルタは、図７の等価回
路図に示すように、正規型一端子対弾性表面波共振器
（ＳＡＷ素子）が、直列腕に３つ（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３）、並列腕に２つ（Ｐ１、Ｐ２）配置された構成のラ
ダー型フィルタである。なお、直列腕の弾性表面波共振
器を直列共振器、並列腕の弾性表面波共振器を並列共振
器と称する。直列共振器は、電極の周期１．９４μｍ、
開口長３０μｍ、励振電極の対数１６５、反射電極の対
数８０とした。並列共振器Ｐ１は、電極の周期２．０３
μｍ、開口長５５μｍ、励振電極の対数１００、反射電
極の対数７８とし、Ｐ２は反射電極の対数を３９とする
こと以外はＰ１と同一とした。
【００２９】得られたフィルタは、残渣やアフターコロ
ージョンも発生せず、良好なパターンの電極を有してい
た。更に、フィルタの通過特性を図８に示す。この図に
は、ほぼシュミレーション通りのフィルタ特性が得られ
ることが示されていることから、圧電基板へのエッチン
グによるダメージはないものと考えられる。更に、ＲＦ
パワーを７０Ｗのままで、ガス圧を最初１Ｐａで、オー
バーエッチング時に３Ｐａに上げること以外は、上記と
同様にしてフィルタを作製した。得られたフィルタは、
上記と同様に良好な電極を有し、通過特性もほぼシュミ
レーション通りの結果が得られた。
ージョンも発生せず、良好なパターンの電極を有してい
た。更に、フィルタの通過特性を図８に示す。この図に
は、ほぼシュミレーション通りのフィルタ特性が得られ
ることが示されていることから、圧電基板へのエッチン
グによるダメージはないものと考えられる。更に、ＲＦ
パワーを７０Ｗのままで、ガス圧を最初１Ｐａで、オー
バーエッチング時に３Ｐａに上げること以外は、上記と
同様にしてフィルタを作製した。得られたフィルタは、
上記と同様に良好な電極を有し、通過特性もほぼシュミ
レーション通りの結果が得られた。
【００３０】（比較例１）エッチング条件を下記のよう
に変更すること以外は実施例１と同様にして、Ａｌ層、
Ａｌ−２％Ｍｇ合金層及びＡｌ−４％Ｍｇ合金層をエッ
チングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガス（流量比
１：１） ガス圧：５Ｐａ ＲＦパワー：５０Ｗ
に変更すること以外は実施例１と同様にして、Ａｌ層、
Ａｌ−２％Ｍｇ合金層及びＡｌ−４％Ｍｇ合金層をエッ
チングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：ＢＣｌ3とＣｌ2の混合ガス（流量比
１：１） ガス圧：５Ｐａ ＲＦパワー：５０Ｗ
【００３１】実施例１と同様にして後処理した。Ａｌ層
の場合は、マスクの形状を反映したシャープな電極を得
ることができた。Ａｌ−２％Ｍｇ合金層の場合は、エッ
チングは最後まで進行したものの、Ｍｇ、Ｃｌ、Ｃ及び
Ｏの成分からなる残渣が多数圧電基板上に残ると共に、
アフターコロージョンも多く見られた。更に、Ａｌ−４
％Ｍｇ合金層の場合、約１５０ｎｍの厚さまでエッチン
グが進んだものの、これ以上エッチングは進まなかっ
た。また、アフターコロージョンも多く見られた。
の場合は、マスクの形状を反映したシャープな電極を得
ることができた。Ａｌ−２％Ｍｇ合金層の場合は、エッ
チングは最後まで進行したものの、Ｍｇ、Ｃｌ、Ｃ及び
Ｏの成分からなる残渣が多数圧電基板上に残ると共に、
アフターコロージョンも多く見られた。更に、Ａｌ−４
％Ｍｇ合金層の場合、約１５０ｎｍの厚さまでエッチン
グが進んだものの、これ以上エッチングは進まなかっ
た。また、アフターコロージョンも多く見られた。
【００３２】（実施例４）Ｍｇの含有割合を０〜５重量
％に変動させること以外は、実施例１と同様にして電極
を形成した。得られた電極のＭｇの含有割合に対する電
極とレジストの選択性を図９に示す。また、Ｍｇの含有
割合を０〜５重量％に変動させること以外は、比較例１
と同様にして電極を形成した。得られた電極のＭｇの含
有割合に対する電極とレジストの選択性も図９に示す。
図９から、本発明のエッチング条件によれば、Ｍｇの含
有割合が増えても、選択性が維持されていることが分か
る。
％に変動させること以外は、実施例１と同様にして電極
を形成した。得られた電極のＭｇの含有割合に対する電
極とレジストの選択性を図９に示す。また、Ｍｇの含有
割合を０〜５重量％に変動させること以外は、比較例１
と同様にして電極を形成した。得られた電極のＭｇの含
有割合に対する電極とレジストの選択性も図９に示す。
図９から、本発明のエッチング条件によれば、Ｍｇの含
有割合が増えても、選択性が維持されていることが分か
る。
【００３３】（比較例２）エッチング条件を下記のよう
に変更すること以外は実施例１と同様にして、Ａｌ−５
％Ｃｕ合金層をエッチングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：ＢＣｌ3とＣｌ2とＨｅの混合ガス（流
量比ＢＣｌ3＋Ｃｌ2：Ｈｅ＝１：９、ＢＣｌ3とＣｌ2の
添加割合を変化させた） ガス圧：２Ｐａ ＲＦパワー：１００Ｗ
に変更すること以外は実施例１と同様にして、Ａｌ−５
％Ｃｕ合金層をエッチングした。 ・エッチング条件 エッチングガス：ＢＣｌ3とＣｌ2とＨｅの混合ガス（流
量比ＢＣｌ3＋Ｃｌ2：Ｈｅ＝１：９、ＢＣｌ3とＣｌ2の
添加割合を変化させた） ガス圧：２Ｐａ ＲＦパワー：１００Ｗ
【００３４】実施例１と同様にして後処理した。図１０
にＢＣｌ3とＣｌ2の添加割合に対する合金層のエッチン
グレートを示す。図１０から明らかなように、ＢＣｌ3
の添加量が増加するに従って、エッチングレートが減少
し、ＢＣｌ3の添加が逆効果であることが分かった。
にＢＣｌ3とＣｌ2の添加割合に対する合金層のエッチン
グレートを示す。図１０から明らかなように、ＢＣｌ3
の添加量が増加するに従って、エッチングレートが減少
し、ＢＣｌ3の添加が逆効果であることが分かった。
【００３５】
【発明の効果】本発明のＳＡＷ素子の製造方法によれ
ば、ハロゲン化物の蒸気圧が低い他の金属とＡｌとを高
濃度に含む電極を反応性イオンエッチングでパターニン
グすることにより形成するに際して、アフターコロージ
ョンの発生を抑制し、電極下の基板の掘れを生じないエ
ッチングを実現することができる。本発明の製造方法に
より、高耐電力性の電極を用いたＳＡＷ素子の製造が容
易となり、ＳＡＷ素子を用いたアンテナ分波器のような
装置の信頼性を向上させることができる。
ば、ハロゲン化物の蒸気圧が低い他の金属とＡｌとを高
濃度に含む電極を反応性イオンエッチングでパターニン
グすることにより形成するに際して、アフターコロージ
ョンの発生を抑制し、電極下の基板の掘れを生じないエ
ッチングを実現することができる。本発明の製造方法に
より、高耐電力性の電極を用いたＳＡＷ素子の製造が容
易となり、ＳＡＷ素子を用いたアンテナ分波器のような
装置の信頼性を向上させることができる。
【図１】ガス圧と選択比の関係を示すグラフである。
【図２】混合ガス中のＨｅの割合と選択比の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図３】ＳＡＷ素子の概略平面図である。
【図４】実施例２のＳＡＷ素子の製造方法の概略断面図
である。
である。
【図５】実施例２のＳＡＷ素子のオーバーエッチング時
間と中心周波数の関係を示すグラフである。
間と中心周波数の関係を示すグラフである。
【図６】実施例２のＳＡＷ素子のオーバーエッチング時
間と最小挿入損失の関係を示すグラフである。
間と最小挿入損失の関係を示すグラフである。
【図７】実施例３のＳＡＷ素子の等価回路図である。
【図８】実施例３のＳＡＷ素子の通過特性を示すグラフ
である。
である。
【図９】実施例４のＭｇの含有割合と選択比の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１０】比較例２のＢＣｌ3とＣｌ2の添加割合と合金
層のエッチングレートの関係を示すグラフである。
層のエッチングレートの関係を示すグラフである。
１ 圧電基板 ２ 合金層 ３ レジストパターン ４ 電極 Ｐ１、Ｐ２ 並列共振器 Ｓ１〜Ｓ３ 直列共振器 Ａ、Ｂ 励振電極 Ｃ、Ｄ 反射電極 Ｙ 開口長 λ 電極の周期
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊形 理 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 佐藤 良夫 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA08 BB13 CA02 CA03 DA04 DA18 DA22 DB09 DB12 EA28 FA01 5F043 DD12 DD15 GG10 5J097 AA28 AA31 BB01 BB11 CC02 DD13 DD16 FF01 FF03 GG03 GG05 HA02 KK01 KK04 KK09
Claims (11)
- 【請求項１】 Ａｌと他の金属を含む電極を備えた弾性
表面波素子の製造方法であって、該電極が反応性イオン
エッチングによるパターニングにより形成され、反応性
イオンエッチングがＣｌ2とＨｅの混合ガスからなるエ
ッチングガスを使用し、０．１〜３Ｐａのガス圧下で行
われることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項２】 他の金属がＣｕ、Ｍｇ又はその両方であ
る請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法 - 【請求項３】 他の金属がハロゲン化物の蒸気圧が低い
金属である請求項１に記載の弾性表面波素子の製造方法 - 【請求項４】 電極が、Ａｌ層又はその合金層とＭｇ層
との積層体である請求項２に記載の弾性表面波素子の製
造方法。 - 【請求項５】 電極が、他の金属を１重量％以上含む請
求項１〜４のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方
法。 - 【請求項６】 電極が、ＬｉＮｂＯ3、ＬｉＴａＯ3又は
Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7の単結晶からなる圧電基板上に形成された
請求項１〜５のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造
方法。 - 【請求項７】 Ｈｅが、全混合ガス中に、流量比で７０
％以上含まれる請求項１〜６のいずれかに記載の弾性表
面波素子の製造方法。 - 【請求項８】 パターニング前に、電極形成用の金属層
がアニール処理に付される請求項１〜７のいずれかに記
載の弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項９】 アニール処理が、１００〜３００℃の温
度下で行われる請求項８に記載の弾性表面波素子の製造
方法。 - 【請求項１０】 反応性イオンエッチングが２段階から
なり、後半のエッチング時のＲＦパワーが、前半に比べ
て５０％以上１００％未満となる請求項１〜９のいずれ
かに記載の弾性表面波素子の製造方法。 - 【請求項１１】 反応性イオンエッチングが２段階から
なり、後半のエッチング時のガス圧が、前半に比べて
１．５〜３倍高い請求項１〜１０のいずれかに記載の弾
性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07384499A JP3725360B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| US09/437,832 US6413439B1 (en) | 1999-03-18 | 1999-11-10 | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07384499A JP3725360B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269767A true JP2000269767A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3725360B2 JP3725360B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=13529868
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07384499A Expired - Fee Related JP3725360B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 弾性表面波素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6413439B1 (ja) |
| JP (1) | JP3725360B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017503432A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-01-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 電子音響フィルタおよび電子音響フィルタを製造する方法。 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19925800C1 (de) * | 1999-06-03 | 2000-12-21 | Dresden Ev Inst Festkoerper | Wandler für akustische Oberflächenwellen |
| US20130043559A1 (en) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | International Business Machines Corporation | Trench formation in substrate |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61147532A (ja) | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| GB2186456B (en) * | 1986-01-13 | 1989-11-08 | Hitachi Ltd | Surface acoustic wave device |
| JPH06333883A (ja) | 1993-03-26 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体の選択ドライエッチング方法，および半導体装置の製造方法 |
| JPH0774572A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波トランスデューサの製造方法 |
| JP3379049B2 (ja) | 1993-10-27 | 2003-02-17 | 富士通株式会社 | 表面弾性波素子とその製造方法 |
| JPH08264508A (ja) | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Tdk Corp | エッチング方法 |
| US5667630A (en) * | 1995-04-28 | 1997-09-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Low charge-up reactive ion metal etch process |
| JPH09181553A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-11 | Toshiba Electron Eng Corp | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
| US5976986A (en) * | 1996-08-06 | 1999-11-02 | International Business Machines Corp. | Low pressure and low power C12 /HC1 process for sub-micron metal etching |
| JPH10135767A (ja) | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP07384499A patent/JP3725360B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-11-10 US US09/437,832 patent/US6413439B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017503432A (ja) * | 2014-01-15 | 2017-01-26 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 電子音響フィルタおよび電子音響フィルタを製造する方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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