JPH09181553A - 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法Info
- Publication number
- JPH09181553A JPH09181553A JP34134795A JP34134795A JPH09181553A JP H09181553 A JPH09181553 A JP H09181553A JP 34134795 A JP34134795 A JP 34134795A JP 34134795 A JP34134795 A JP 34134795A JP H09181553 A JPH09181553 A JP H09181553A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave filter
- comb
- reflector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 くし型変換器および反射器のパターンの欠陥
がほぼ解消され、電気的な特性が良好であり、高周波数
帯でも動作可能な弾性表面波フィルタおよびこの弾性表
面波フィルタを高い歩留りで製造することが可能な弾性
表面波フィルタの製造方法を提供すること。 【解決手段】 圧電基板上に形成されたくし型変換器に
隣接した反射器を有し、前記くし型変換器および反射器
にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた弾性
表面波フィルタにおいて、前記反射器を構成し、かつ前
記くし型変換器に対して外側となる電極指の幅と、該電
極指に接続するブスバーの幅とを、前記電極指のピッチ
間隔の２０〜３０倍としたことを特徴とする弾性表面波
フィルタおよびドライエッチングに用いるエッチングガ
スが四塩化ケイ素あるいは三塩化硼素、塩素および希ガ
スからなる混合ガスであることを特徴とする弾性表面波
フィルタの製造方法による。
がほぼ解消され、電気的な特性が良好であり、高周波数
帯でも動作可能な弾性表面波フィルタおよびこの弾性表
面波フィルタを高い歩留りで製造することが可能な弾性
表面波フィルタの製造方法を提供すること。 【解決手段】 圧電基板上に形成されたくし型変換器に
隣接した反射器を有し、前記くし型変換器および反射器
にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた弾性
表面波フィルタにおいて、前記反射器を構成し、かつ前
記くし型変換器に対して外側となる電極指の幅と、該電
極指に接続するブスバーの幅とを、前記電極指のピッチ
間隔の２０〜３０倍としたことを特徴とする弾性表面波
フィルタおよびドライエッチングに用いるエッチングガ
スが四塩化ケイ素あるいは三塩化硼素、塩素および希ガ
スからなる混合ガスであることを特徴とする弾性表面波
フィルタの製造方法による。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信等に用
いられる弾性表面波フィルタと、弾性表面波フィルタの
製造方法に関する。
いられる弾性表面波フィルタと、弾性表面波フィルタの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信においては、周波数の
利用効率、秘話性、信頼性およびデータ通信への適用等
の問題から、利用帯域の高周波数化が図られている。そ
して、この利用帯域の高周波数化に伴い、移動体通信用
の弾性表面波フィルタを構成するくし型変換器および反
射器の微細化が著しくなっている。
利用効率、秘話性、信頼性およびデータ通信への適用等
の問題から、利用帯域の高周波数化が図られている。そ
して、この利用帯域の高周波数化に伴い、移動体通信用
の弾性表面波フィルタを構成するくし型変換器および反
射器の微細化が著しくなっている。
【０００３】すなわち、テレビ用の中間周波数帯で用い
られている弾性表面波フィルタにおいては、動作周波数
が４０〜６０ＭＨｚであるので、弾性表面波フィルタを
構成するくし型変換器および反射器の電極指の幅および
ピッチ間隔が７〜１０μｍ程度であるのに対し、携帯電
話用の高周波数帯で用いられている弾性表面波フィルタ
においては、動作周波数が８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚ
であることから、弾性表面波フィルタを構成するくし型
変換器および反射器の電極指の幅およびピッチ間隔を
０．５４〜１．３μｍ程度にまで微細化しなければなら
ないのである。
られている弾性表面波フィルタにおいては、動作周波数
が４０〜６０ＭＨｚであるので、弾性表面波フィルタを
構成するくし型変換器および反射器の電極指の幅および
ピッチ間隔が７〜１０μｍ程度であるのに対し、携帯電
話用の高周波数帯で用いられている弾性表面波フィルタ
においては、動作周波数が８００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚ
であることから、弾性表面波フィルタを構成するくし型
変換器および反射器の電極指の幅およびピッチ間隔を
０．５４〜１．３μｍ程度にまで微細化しなければなら
ないのである。
【０００４】ここで、図４により、一般的な弾性表面波
フィルタの製造工程を説明する。
フィルタの製造工程を説明する。
【０００５】はじめに、圧電基板１上に蒸着あるいはス
パッタリング等によりアルミニウムまたはアルミニウム
合金からなる金属膜２を成膜する（図４（ａ））。次
に、金属膜２上にポジ型フォトレジスト３を塗布（図４
（ｂ））した後、露光・現像を行ってフォトレジストの
パターン形成を行う（図４（ｃ））。次いで、リン酸、
酢酸および硝酸等からなる混酸のエッチャントによるウ
ェットエッチングによって、くし型変換器および反射器
のパターンを形成する（図４（ｄ））。そして、最後
に、不要となったフォトレジストを剥離する（図４
（ｅ））。こうして、弾性表面波フィルタが製造され
る。
パッタリング等によりアルミニウムまたはアルミニウム
合金からなる金属膜２を成膜する（図４（ａ））。次
に、金属膜２上にポジ型フォトレジスト３を塗布（図４
（ｂ））した後、露光・現像を行ってフォトレジストの
パターン形成を行う（図４（ｃ））。次いで、リン酸、
酢酸および硝酸等からなる混酸のエッチャントによるウ
ェットエッチングによって、くし型変換器および反射器
のパターンを形成する（図４（ｄ））。そして、最後
に、不要となったフォトレジストを剥離する（図４
（ｅ））。こうして、弾性表面波フィルタが製造され
る。
【０００６】ところで、弾性表面波フィルタのくし型変
換器および反射器は、通常、図５（ａ）の４および５に
示した形状であるが、混酸のエッチャントを用いたウエ
ットエッチングは等方性エッチングのため、金属膜には
サイドエッチング（厚さ方向だけではなく横方向にも進
行するエッチング）が作用する。こうしたサイドエッチ
ングにより、弾性表面波フィルタのくし型変換器および
反射器の電極指の幅が所定の幅より細くなったり、ばら
ついたり、くし型変換器および反射器の端部に凹凸が発
生する。その結果、くし型変換器および反射器にショー
トおよびオープン不良が発生したり、電気的な特性に悪
影響を及ぼすという問題があった。
換器および反射器は、通常、図５（ａ）の４および５に
示した形状であるが、混酸のエッチャントを用いたウエ
ットエッチングは等方性エッチングのため、金属膜には
サイドエッチング（厚さ方向だけではなく横方向にも進
行するエッチング）が作用する。こうしたサイドエッチ
ングにより、弾性表面波フィルタのくし型変換器および
反射器の電極指の幅が所定の幅より細くなったり、ばら
ついたり、くし型変換器および反射器の端部に凹凸が発
生する。その結果、くし型変換器および反射器にショー
トおよびオープン不良が発生したり、電気的な特性に悪
影響を及ぼすという問題があった。
【０００７】また、上記ウェットエッチングによって動
作周波数１．９ＧＨｚ帯の携帯電話に用いられる弾性表
面波フィルタのくし型変換器および反射器を０．６μｍ
Ｌ＆Ｓ（線幅＆スペース）で形成する場合、ウェットエ
ッチングを行う際に必要なサイドエッチングの補正量
（片側約０．３μｍ）を、予めフォトレジストパターン
で確保しなければならない。しかしながら、この場合、
フォトレジストパターンのギャップ部は完全に埋まって
しまうため、くし型変換器および反射器を形成すること
は事実上不可能であり、高周波数帯で用いられる弾性表
面波フィルタを得ることは困難であるという問題があっ
た。
作周波数１．９ＧＨｚ帯の携帯電話に用いられる弾性表
面波フィルタのくし型変換器および反射器を０．６μｍ
Ｌ＆Ｓ（線幅＆スペース）で形成する場合、ウェットエ
ッチングを行う際に必要なサイドエッチングの補正量
（片側約０．３μｍ）を、予めフォトレジストパターン
で確保しなければならない。しかしながら、この場合、
フォトレジストパターンのギャップ部は完全に埋まって
しまうため、くし型変換器および反射器を形成すること
は事実上不可能であり、高周波数帯で用いられる弾性表
面波フィルタを得ることは困難であるという問題があっ
た。
【０００８】一方、三塩化硼素等のみからなるイオン化
ガスを利用するドライエッチング法は、サイドエッチン
グの作用が少ないために、くし型変換器および反射器の
形成においてはウェットエッチングと比較して容易に行
える。
ガスを利用するドライエッチング法は、サイドエッチン
グの作用が少ないために、くし型変換器および反射器の
形成においてはウェットエッチングと比較して容易に行
える。
【０００９】しかしながら、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金からなるくし型変換器および反射器のエッチ
ングに塩素系のガスを使用すると、圧電基板上に残留し
た塩素と空気中の水分とが反応して塩酸が形成され、ア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなるくし型変換
器および反射器にアフターコロージョンが発生する。こ
のアフターコロージョンは、特に図５（ｂ）に示したく
し型変換器４および反射器５の斜線部に起こりやすく、
また、レジスト剥離時に側壁保護膜の除去が困難である
という問題があった。
ニウム合金からなるくし型変換器および反射器のエッチ
ングに塩素系のガスを使用すると、圧電基板上に残留し
た塩素と空気中の水分とが反応して塩酸が形成され、ア
ルミニウムまたはアルミニウム合金からなるくし型変換
器および反射器にアフターコロージョンが発生する。こ
のアフターコロージョンは、特に図５（ｂ）に示したく
し型変換器４および反射器５の斜線部に起こりやすく、
また、レジスト剥離時に側壁保護膜の除去が困難である
という問題があった。
【００１０】したがって、動作周波数が高周波数帯であ
る弾性表面波フィルタのくし型変換器および反射器を精
度よく、高い歩留りで形成することは困難であるという
問題があった。
る弾性表面波フィルタのくし型変換器および反射器を精
度よく、高い歩留りで形成することは困難であるという
問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決すべくなされたもので、くし型変換器および
反射器のパターンの欠陥がほぼ解消され、電気的な特性
が良好であり、高周波数帯でも動作可能な弾性表面波フ
ィルタおよびこの弾性表面波フィルタを高い歩留りで製
造することが可能な弾性表面波フィルタの製造方法を提
供することを目的とする。
問題を解決すべくなされたもので、くし型変換器および
反射器のパターンの欠陥がほぼ解消され、電気的な特性
が良好であり、高周波数帯でも動作可能な弾性表面波フ
ィルタおよびこの弾性表面波フィルタを高い歩留りで製
造することが可能な弾性表面波フィルタの製造方法を提
供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る弾性表面波
フィルタは、圧電基板上に形成されたくし型変換器に隣
接した反射器を有し、前記くし型変換器および反射器に
アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた弾性表
面波フィルタにおいて、前記反射器を構成し、かつ前記
くし型変換器に対して外側となる電極指の幅と、該電極
指に接続するブスバーの幅とを、前記電極指のピッチ間
隔の２０〜３０倍としたことを特徴としている。
フィルタは、圧電基板上に形成されたくし型変換器に隣
接した反射器を有し、前記くし型変換器および反射器に
アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた弾性表
面波フィルタにおいて、前記反射器を構成し、かつ前記
くし型変換器に対して外側となる電極指の幅と、該電極
指に接続するブスバーの幅とを、前記電極指のピッチ間
隔の２０〜３０倍としたことを特徴としている。
【００１３】本発明の弾性表面波フィルタにおいては、
反射器を構成し、くし型変換器に対して外側となる電極
指の幅および隣接する前記電極指に接続するブスバーの
幅が電極指のピッチ間隔の２０〜３０倍とされる。した
がって、圧電基板上にくし型変換器と反射器を形成する
にあたり、特に、電極指端部（図５（ｂ）に示したくし
型変換器４および反射器５の斜線部）における反応物の
生成を最少にする事ができ、アフターコロージョンおよ
びフォトレジストの剥離残滓の発生等もほぼ抑制する事
ができる。
反射器を構成し、くし型変換器に対して外側となる電極
指の幅および隣接する前記電極指に接続するブスバーの
幅が電極指のピッチ間隔の２０〜３０倍とされる。した
がって、圧電基板上にくし型変換器と反射器を形成する
にあたり、特に、電極指端部（図５（ｂ）に示したくし
型変換器４および反射器５の斜線部）における反応物の
生成を最少にする事ができ、アフターコロージョンおよ
びフォトレジストの剥離残滓の発生等もほぼ抑制する事
ができる。
【００１４】ここで、「電極指の幅」とは、弾性表面波
フィルタにおける表面波の伝搬方向に沿った電極指の長
さのことであり、「ブスバーの幅」とは、弾性表面波フ
ィルタにおける表面波の伝搬方向に直交したブスバーの
長さのことである。
フィルタにおける表面波の伝搬方向に沿った電極指の長
さのことであり、「ブスバーの幅」とは、弾性表面波フ
ィルタにおける表面波の伝搬方向に直交したブスバーの
長さのことである。
【００１５】また、本発明の弾性表面波フィルタにおい
ては、電極指のピッチ間隔を１μｍ以下、例えば、０．
６〜０．７μｍに狭められるので、携帯電話等の高周波
数帯で用いられている弾性表面波フィルタとして用いる
ことが可能である。
ては、電極指のピッチ間隔を１μｍ以下、例えば、０．
６〜０．７μｍに狭められるので、携帯電話等の高周波
数帯で用いられている弾性表面波フィルタとして用いる
ことが可能である。
【００１６】さらに、くし型変換器のブスバーの幅につ
いては特に限定されないが、通常は反射器のブスバーの
幅に合わせられる。
いては特に限定されないが、通常は反射器のブスバーの
幅に合わせられる。
【００１７】次に、本発明に係る弾性表面波フィルタの
製造方法は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を
用いたくし型変換器および反射器をドライエッチングに
より圧電基板上に形成する弾性表面波フィルタの製造方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチング
ガスが四塩化ケイ素あるいは三塩化硼素、塩素および希
ガスからなる混合ガスであることを特徴としている。
製造方法は、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を
用いたくし型変換器および反射器をドライエッチングに
より圧電基板上に形成する弾性表面波フィルタの製造方
法において、前記ドライエッチングに用いるエッチング
ガスが四塩化ケイ素あるいは三塩化硼素、塩素および希
ガスからなる混合ガスであることを特徴としている。
【００１８】本発明の弾性表面波フィルタの製造方法に
おいては、エッチングガスとして四塩化ケイ素あるいは
三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガスを用い
たドライエッチングにより、圧電基板上にアルミニウム
あるいはアルミニウム合金を用いたくし型変換器および
反射器が形成される。したがって、高精細のくし型変換
器および反射器の形成が可能となり、電気的特性のバラ
ツキの少ない弾性表面波フィルタを高い歩留りで得るこ
とができる。
おいては、エッチングガスとして四塩化ケイ素あるいは
三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガスを用い
たドライエッチングにより、圧電基板上にアルミニウム
あるいはアルミニウム合金を用いたくし型変換器および
反射器が形成される。したがって、高精細のくし型変換
器および反射器の形成が可能となり、電気的特性のバラ
ツキの少ない弾性表面波フィルタを高い歩留りで得るこ
とができる。
【００１９】ドライエッチングに用いる四塩化ケイ素あ
るいは三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガス
の希ガス成分あるいは混合ガスの組成比等は、弾性表面
波フィルタの規格および製造条件により適宜決定される
ものである。しかしながら、混合ガスの希ガス成分とし
ては、分子量の最も小さなヘリウムを好適に用いること
ができる。
るいは三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガス
の希ガス成分あるいは混合ガスの組成比等は、弾性表面
波フィルタの規格および製造条件により適宜決定される
ものである。しかしながら、混合ガスの希ガス成分とし
ては、分子量の最も小さなヘリウムを好適に用いること
ができる。
【００２０】また、混合ガスの希ガス成分として特にヘ
リウムを用いた場合には、混合ガスの組成比を、四塩化
ケイ素あるいは三塩化硼素：塩素：ヘリウム＝１１７〜
１４３：３６〜４４：９０〜１１０（体積比）、好まし
くは混合ガスの組成比を、四塩化ケイ素あるいは三塩化
硼素：塩素：ヘリウム＝１３０：４０：１００（体積
比）とする。
リウムを用いた場合には、混合ガスの組成比を、四塩化
ケイ素あるいは三塩化硼素：塩素：ヘリウム＝１１７〜
１４３：３６〜４４：９０〜１１０（体積比）、好まし
くは混合ガスの組成比を、四塩化ケイ素あるいは三塩化
硼素：塩素：ヘリウム＝１３０：４０：１００（体積
比）とする。
【００２１】さらに、ドライエッチングの条件は、混合
ガスの組成比および弾性表面波フィルタの規格等によ
り、適切な条件が適宜設定される。例えば、四塩化ケイ
素、塩素およびヘリウムを混合ガスとし、アルミニウム
からなる層厚が１５００オングストロームのくし型変換
器および反射器を形成する場合には、 １．パワー（高周波電力）：１００〜２００Ｗ ２．混合ガスの圧力 ：２２〜２６Ｐａ ３．定常エッチング時間 ：７０〜８０ｓｅｃ ４．エッチング時間 ：８〜１２ｓｅｃ （ここで、エッチング時間とは、定常エッチングの終了
検知からの処理時間を表す）の範囲内でドライエッチン
グの条件を設定する。
ガスの組成比および弾性表面波フィルタの規格等によ
り、適切な条件が適宜設定される。例えば、四塩化ケイ
素、塩素およびヘリウムを混合ガスとし、アルミニウム
からなる層厚が１５００オングストロームのくし型変換
器および反射器を形成する場合には、 １．パワー（高周波電力）：１００〜２００Ｗ ２．混合ガスの圧力 ：２２〜２６Ｐａ ３．定常エッチング時間 ：７０〜８０ｓｅｃ ４．エッチング時間 ：８〜１２ｓｅｃ （ここで、エッチング時間とは、定常エッチングの終了
検知からの処理時間を表す）の範囲内でドライエッチン
グの条件を設定する。
【００２２】また、電極材料として、銅を含有したアル
ミニウム合金を用いた場合、従来のエッチングによれば
銅等の金属残滓物が発生するが、こうした系にも本発明
の弾性表面波フィルタの製造方法を用いることにより、
金属残滓物の発生をほぼ防止することが可能である。た
だし、このときは、より高精細なパターンを形成するこ
とができることから、混合ガスの成分として三塩化硼素
ではなく四塩化ケイ素を選択することが望ましい。
ミニウム合金を用いた場合、従来のエッチングによれば
銅等の金属残滓物が発生するが、こうした系にも本発明
の弾性表面波フィルタの製造方法を用いることにより、
金属残滓物の発生をほぼ防止することが可能である。た
だし、このときは、より高精細なパターンを形成するこ
とができることから、混合ガスの成分として三塩化硼素
ではなく四塩化ケイ素を選択することが望ましい。
【００２３】
（実施例１およびは比較例１）以下に、図面を参照しな
がら本発明の実施例について詳細に説明する。
がら本発明の実施例について詳細に説明する。
【００２４】図１は、本発明の一実施例である弾性表面
波フィルタの製造工程を示した図である。
波フィルタの製造工程を示した図である。
【００２５】はじめに、図１（ａ）に示すように、厚さ
３５０μｍのＬｉＴａＯ3 からなる圧電基板１上に、Ｒ
Ｆスパッタリングにより厚さ０．１５μｍのアルミニウ
ム合金（Ａｌ−Ｃｕ０．５％−Ｓｉ０．５％）の金属膜
２を成膜した。
３５０μｍのＬｉＴａＯ3 からなる圧電基板１上に、Ｒ
Ｆスパッタリングにより厚さ０．１５μｍのアルミニウ
ム合金（Ａｌ−Ｃｕ０．５％−Ｓｉ０．５％）の金属膜
２を成膜した。
【００２６】次に、図１（ｂ）に示すように、ｉ線用の
ポジ型フォトレジスト３を塗布し、露光・現像を行っ
て、図１（ｃ）に示したようにレジストパターンの形成
を行った。
ポジ型フォトレジスト３を塗布し、露光・現像を行っ
て、図１（ｃ）に示したようにレジストパターンの形成
を行った。
【００２７】次いで、四塩化ケイ素：塩素：ヘリウム＝
１１７〜１４３：３６〜４４：９０〜１１０（体積比）
からなる混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッ
チングにより、図１（ｄ）に示すようなパターン形成を
行った。なお、ドライエッチングの条件は、 １．パワー（高周波電力）： １００Ｗ ２．混合ガスの圧力 ： ２６Ｐａ ３．定常エッチング時間 ：６０〜７０ｓｅｃ ４．エッチング時間 ： １０ｓｅｃ （ここで、エッチング時間とは、定常エッチングの終了
検知からの処理時間を表す）と設定された。
１１７〜１４３：３６〜４４：９０〜１１０（体積比）
からなる混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッ
チングにより、図１（ｄ）に示すようなパターン形成を
行った。なお、ドライエッチングの条件は、 １．パワー（高周波電力）： １００Ｗ ２．混合ガスの圧力 ： ２６Ｐａ ３．定常エッチング時間 ：６０〜７０ｓｅｃ ４．エッチング時間 ： １０ｓｅｃ （ここで、エッチング時間とは、定常エッチングの終了
検知からの処理時間を表す）と設定された。
【００２８】最後に、図１（ｅ）に示したように、不要
となったポジ型フォトレジスト３を剥離した。こうし
て、図２に示された弾性表面波フィルタ６を得た。な
お、くし型変換器４および反射器５の形状は、図３に示
された通りである。また、図３において、Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、ＥおよびＦの幅は、それぞれ２０、２０、０．７
１、０．７１、０．７１および０．７μｍとなっている
（実施例１）。
となったポジ型フォトレジスト３を剥離した。こうし
て、図２に示された弾性表面波フィルタ６を得た。な
お、くし型変換器４および反射器５の形状は、図３に示
された通りである。また、図３において、Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、ＥおよびＦの幅は、それぞれ２０、２０、０．７
１、０．７１、０．７１および０．７μｍとなっている
（実施例１）。
【００２９】一方、図４に示したように、リン酸、酢酸
および硝酸等からなる混酸のエッチャントによるウェッ
トエッチングによって、図５（ａ）に示したくし型変換
器４および反射器５のパターンを形成した以外は、実施
例１と同様にして弾性表面波フィルタ６を得た（比較例
１）。なお、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦの幅は、図３と同様で
あり、Ｊの幅は２０μｍである。
および硝酸等からなる混酸のエッチャントによるウェッ
トエッチングによって、図５（ａ）に示したくし型変換
器４および反射器５のパターンを形成した以外は、実施
例１と同様にして弾性表面波フィルタ６を得た（比較例
１）。なお、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦの幅は、図３と同様で
あり、Ｊの幅は２０μｍである。
【００３０】そして、実施例１および比較例１の弾性表
面波フィルタのくし型変換器および反射器を比較検討し
たところ、実施例１のくし型変換器および反射器におい
てはドライエッチング後のアフターコロージョンやフォ
トレジストの残滓物の発生は見られなかったが、比較例
１のくし型変換器および反射器においては、アフターコ
ロージョンやフォトレジストの残滓物の発生が多く見ら
れた。
面波フィルタのくし型変換器および反射器を比較検討し
たところ、実施例１のくし型変換器および反射器におい
てはドライエッチング後のアフターコロージョンやフォ
トレジストの残滓物の発生は見られなかったが、比較例
１のくし型変換器および反射器においては、アフターコ
ロージョンやフォトレジストの残滓物の発生が多く見ら
れた。
【００３１】したがって、実施例１においては、比較例
１と比べて高精細なくし型変換器および反射器を得ると
共に、高い歩留まりを実現することができた。
１と比べて高精細なくし型変換器および反射器を得ると
共に、高い歩留まりを実現することができた。
【００３２】なお、本実施例および比較例においては、
圧電基板としてＬｉＴａＯ3 を用いたが、圧電基板とし
てＬｉＮｂＯ3 を用いても同様な効果を得ることができ
る。また、本発明は、共振型あるいはトランスバーサル
型といった、各種の弾性表面波フィルタに適用可能であ
ることはいうまでもない。
圧電基板としてＬｉＴａＯ3 を用いたが、圧電基板とし
てＬｉＮｂＯ3 を用いても同様な効果を得ることができ
る。また、本発明は、共振型あるいはトランスバーサル
型といった、各種の弾性表面波フィルタに適用可能であ
ることはいうまでもない。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形
成された弾性表面波フィルタのくし型変換器および反射
器において、反射器を構成しくし型変換器に対して外側
となる電極指の幅および隣接する電極指に接続するブス
バーの幅を、電極指のピッチ間隔の２０〜３０倍とする
と共に、弾性表面波フィルタの製造方法において、ドラ
イエッチングに用いるエッチングガスを四塩化ケイ素あ
るいは三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガス
としたので、サイドエッチングやアフターコロージョン
によるくし型変換器および反射器の線幅の減少や腐食お
よびフォトレジストの残滓物の発生をほぼ抑制すること
ができ、くし型変換器および反射器のパターンの欠陥が
ほぼ解消され電気的な特性が良好であり、高周波数帯で
も動作可能な弾性表面波フィルタおよびこの弾性表面波
フィルタを高い歩留りで製造することが可能な弾性表面
波フィルタの製造方法を提供することができる。
ば、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形
成された弾性表面波フィルタのくし型変換器および反射
器において、反射器を構成しくし型変換器に対して外側
となる電極指の幅および隣接する電極指に接続するブス
バーの幅を、電極指のピッチ間隔の２０〜３０倍とする
と共に、弾性表面波フィルタの製造方法において、ドラ
イエッチングに用いるエッチングガスを四塩化ケイ素あ
るいは三塩化硼素、塩素および希ガスからなる混合ガス
としたので、サイドエッチングやアフターコロージョン
によるくし型変換器および反射器の線幅の減少や腐食お
よびフォトレジストの残滓物の発生をほぼ抑制すること
ができ、くし型変換器および反射器のパターンの欠陥が
ほぼ解消され電気的な特性が良好であり、高周波数帯で
も動作可能な弾性表面波フィルタおよびこの弾性表面波
フィルタを高い歩留りで製造することが可能な弾性表面
波フィルタの製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である弾性表面波フィルタの
製造工程を示した図。
製造工程を示した図。
【図２】本発明の一実施例である弾性表面波フィルタを
示した図。
示した図。
【図３】本発明の一実施例である弾性表面波フィルタの
くし型変換器および反射器の形状を示した図。
くし型変換器および反射器の形状を示した図。
【図４】一般的な弾性表面波フィルタの製造工程を示し
た図。
た図。
【図５】一般的な弾性表面波フィルタのくし型変換器お
よび反射器の形状を示した図。
よび反射器の形状を示した図。
１……圧電基板 ２……金属膜 ３……ポジ型フォ
トレジスト ４……くし形変換器 ５……反射器
トレジスト ４……くし形変換器 ５……反射器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三島 直之 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板上に形成されたくし型変換器に
隣接した反射器を有し、前記くし型変換器および反射器
にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いた弾性
表面波フィルタにおいて、前記反射器を構成し、かつ前
記くし型変換器に対して外側となる電極指の幅と、該電
極指に接続するブスバーの幅とを、前記電極指のピッチ
間隔の２０〜３０倍としたことを特徴とする弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項２】 前記電極指のピッチ間隔が１μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項３】 アルミニウムあるいはアルミニウム合金
を用いたくし型変換器および反射器をドライエッチング
により圧電基板上に形成する弾性表面波フィルタの製造
方法において、前記ドライエッチングに用いるエッチン
グガスが四塩化ケイ素あるいは三塩化硼素、塩素および
希ガスからなる混合ガスであることを特徴とする弾性表
面波フィルタの製造方法。 - 【請求項４】 前記希ガスがヘリウムガスであることを
特徴とする請求項３に記載の弾性表面波フィルタの製造
方法。 - 【請求項５】 前記混合ガスの組成比が四塩化ケイ素あ
るいは三塩化硼素：塩素：ヘリウム＝１３０：４０：１
００（体積比）であることを特徴とする請求項４に記載
の弾性表面波フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34134795A JPH09181553A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34134795A JPH09181553A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181553A true JPH09181553A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18345365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34134795A Pending JPH09181553A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09181553A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413439B1 (en) * | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
| JP2011519422A (ja) * | 2008-04-23 | 2011-07-07 | ソシエテ ドゥ コメルシャリザシオン デ プロデュイ ドゥ ラ ルシェルシェ アプリケ−ソクプラ−シャーンス エ ジェニ エス．ウー．セー． | せん断垂直弾性表面波一体型表面プラズモン共鳴センシング装置および方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34134795A patent/JPH09181553A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413439B1 (en) * | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
| JP2011519422A (ja) * | 2008-04-23 | 2011-07-07 | ソシエテ ドゥ コメルシャリザシオン デ プロデュイ ドゥ ラ ルシェルシェ アプリケ−ソクプラ−シャーンス エ ジェニ エス．ウー．セー． | せん断垂直弾性表面波一体型表面プラズモン共鳴センシング装置および方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4690512B2 (ja) | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 | |
| JP2010062723A (ja) | Ａｔカット水晶振動片、ａｔカット水晶振動子及び発振器 | |
| CN100530956C (zh) | 表面声波器件 | |
| JP3170791B2 (ja) | Ａｌ系材料膜のエッチング方法 | |
| JPH10270974A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3543772B2 (ja) | 圧電振動片の製造方法 | |
| JPH09181553A (ja) | 弾性表面波フィルタおよび弾性表面波フィルタの製造方法 | |
| US6306313B1 (en) | Selective etching of thin films | |
| JPH1188101A (ja) | 弾性表面波素子および弾性表面波素子の製造方法 | |
| US5106471A (en) | Reactive ion etch process for surface acoustic wave (SAW) device fabrication | |
| CN115811293A (zh) | 声表面波滤波器的制造方法及声表面波滤波器 | |
| JPS5955615A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| TW494626B (en) | Method of manufacturing piezoelectric device | |
| CN111327284A (zh) | 一种叉指电极的制备方法 | |
| US6413439B1 (en) | Method of manufacturing surface acoustic wave device | |
| JP2002141762A (ja) | 弾性表面波フィルタの製造方法 | |
| JPS63314906A (ja) | 表面弾性波装置の製造方法 | |
| JPH1079636A (ja) | Ｓａｗフィルタの周波数特性調整方法 | |
| JPH0998043A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH04365211A (ja) | 弾性表面波フィルタとその製造方法 | |
| JPH11312942A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JPH09162670A (ja) | 弾性表面波デバイス及びそのパターン形成方法 | |
| JPH11214951A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH05291863A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JPH0294911A (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040608 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20040922 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041126 |