JP2000261602A - Cmosイメージセンサにおけるアナログディジタル変換装置 - Google Patents

Cmosイメージセンサにおけるアナログディジタル変換装置

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JP2000261602A
JP2000261602A JP11364894A JP36489499A JP2000261602A JP 2000261602 A JP2000261602 A JP 2000261602A JP 11364894 A JP11364894 A JP 11364894A JP 36489499 A JP36489499 A JP 36489499A JP 2000261602 A JP2000261602 A JP 2000261602A
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Kenin Kin
顯殷 金
Suk Joong Lee
錫中 李
Gyu Tae Hwang
圭泰 黄
Oh-Bong Kwon
五鳳 權
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 各カラーに応じ緻密なカラー制御が可能な、
CMOSイメージセンサ用A/D変換装置を提供する。 【解決手段】 N×M画素アレイを具備するCMOSイ
メージセンサ用A/D変換装置において、R、G、Bカ
ラーフィルターが被せられた単位画素からのアナログ出
力に基づいて互いに異なる初期電圧レベルからクロック
によって互いに異なる減少率で線形的に減少するアナロ
グ比較基準電圧を生成するR、G、BのD/A変換手段
と、画素アレイのカラム別に制御信号に応答してD/A
変換手段から出力されるアナログ比較基準電圧を選択的
に出力するN個の選択手段と、そのアナログ比較基準電
圧と画素アレイのカラム別に出力されるアナログイメー
ジ信号を比較するN個の比較手段とを備えて、カラーフ
ィルターから出力される特定カラーのアナログイメージ
データ特性に応じて画素アレイのロー単位にて各単位画
素で感知してA/D信号に変換する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明はCMOS(Compleme
ntary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサに
関し、特にCMOSイメージセンサを構成する画素アレ
イ(pixel array)から出力されるアナログイメージデ
ータをディジタルイメージデータに変換する装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、イメージセンサは光感知半導体
物質を利用してイメージを捕獲(capturing)するため
の装置である。CMOSイメージセンサはその全体的な
動作を制御して外部システムとのインタフェース役割を
担当する制御及びシステムインタフェース部と、画素ア
レイ及び同画素アレイからのアナログイメージデータを
ディジタルイメージデータに変換するアナログディジタ
ル変換器(analog-digital converter)とによって構成
されている。この場合、アナログディジタル変換器は、
各画素で感知した電圧と比較することに用いられてクロ
ックによって線形的に減少するランプ(ramp)形態の基
準電圧(reference voltage)を発生するランプ電圧発
生器と、前記基準電圧とアナログイメージデータを比較
してディジタルイメージデータを出力する比較器と、前
記ディジタルイメージデータを貯蔵するための二重バッ
ファとにより構成される。
【0003】図2はCMOSイメージセンサのコア(co
re)ブロック図であって、ここに示したCMOSイメー
ジセンサは単位画素200、比較器320及び二重バッ
ファを構成する単位ラッチ400とを含んでいる。図3
は比較器と二重バッファの動作を示した概念図である。
上記CMOSイメージセンサコアの動作は本出願人が出
願した日本特許出願番号52964/1999の明細書
において「自己診断ロジックをもつCMOSイメージセ
ンサ及びその診断方法」という発明の名称で記載されて
いるので、その詳細な説明は省略する。
【0004】上述した従来のアナログディジタル変換器
は、画素アレイを構成する各画素の特性に関係なしに単
純にランプ電圧発生器からの基準電圧とアナログイメー
ジデータを比較してディジタルイメージデータに変換す
るため、アナログディジタル変換の際カラーの特性を考
慮できない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決するために案出されたもので、その目的は画素
アレイを構成する各画素の特性に応じて互いに異なる初
期電圧レベルと電圧減少率を有する基準電圧を生成し、
画素アレイからのアナログイメージデータと比較するこ
とによってアナログイメージデータをディジタルデータ
に変換するCMOSイメージセンサのためのアナログデ
ィジタル変換装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、一定のパターンにR(Red)、G(Gree
n)、B(Blue)のカラーフィルターが被せられて各々
が一つの特定カラーのみを検出する複数の単位画素を配
列したN×M画素アレイを具備するCMOSイメージセ
ンサのためのアナログディジタル変換装置において、互
いに異なる上記カラーフィルターが被せられた各単位画
素から出力されるアナログイメージデータによって互い
に異なる初期電圧レベルからクロックによって互いに異
なる減少率で線形的に減少するアナログ比較基準電圧を
生成するためのR、G、Bディジタルアナログ変換手段
と、上記画素アレイのカラム別に制御信号に応答して上
記R、G、Bディジタルアナログ変換手段から出力され
るアナログ比較基準電圧を選択的に出力するN個の選択
手段と、同選択手段から出力されるアナログ比較基準電
圧と上記画素アレイのカラム別に出力されるアナログイ
メージ信号を比較するN個の比較手段とを備えて、上記
カラーィルターから出力される特定カラーのアナログイ
メージデータ特性に応じて上記画素アレイのロー単位に
て各単位画素で感知したアナログデータ信号をディジタ
ルデータ信号に変換することを特徴とする。
【0007】また、本発明は単位画素にRカラーフィル
ター及びGカラーフィルターを反復的に被せた第1ロー
と上記単位画素にGカラーフィルター及びBカラーフィ
ルターを反復的に被せた第2ローにより構成されて各々
が一つの特定カラーのみを検出する複数の単位画素をバ
イエル(Bayer)パターンで配列したN×M画素アレイ
を具備するCMOSイメージセンサのためのアナログデ
ィジタル変換装置において、互いに異なるカラーフィル
ターが被せられた上記の各単位画素から出力されるアナ
ログイメージデータに基づいて互いに異なる初期電圧レ
ベルからクロックによって互いに異なる減少率で線形的
に減少するアナログ比較基準電圧を生成するR、G、B
ディジタルアナログ変換手段と、上記画素アレイのカラ
ム別に上記バイエルパターンの第1または第2ローを表
す制御信号に応答して上記R、G、Bディジタルアナロ
グ変換手段から出力されるアナログ比較基準電圧を選択
的に出力するN個の選択手段と、同選択手段から出力さ
れるアナログ比較基準電圧と上記画素アレイのカラム別
に出力されるアナログイメージ信号を比較するためのN
個の比較手段とを備えて、上記カラーフィルターから出
力される特定カラーのアナログイメージデータ特性に応
じて上記画素アレイのロー単位にて各単位画素で感知し
たアナログデータ信号をディジタルデータ信号に変換す
ることを特徴とする。
【0008】以下、本発明が属する技術分野にて通常の
知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施でき
る程度に詳細に説明するため、本発明の最も好ましい実
施例を添付図面を参照し説明する。
【0009】図1はCMOSイメージセンサを示すブロ
ック図であって、ここに示したCMOSイメージセンサ
は制御及びシステムインタフェース部10、多数の光感
知素子を配列した画素アレイ20及びアナログディジタ
ル変換部30により構成されている。アナログディジタ
ル変換器30は、基準電圧を発生させるランプ電圧発生
器31、前記基準電圧と前記画素アレイ20からのアナ
ログイメージデータを比較してディジタルイメージデー
タを出力する比較器32及び前記ディジタルイメージデ
ータを貯蔵する二重バッファ20により構成されてい
る。
【0010】図4は本発明によるCMOSイメージセン
サの一実施例を示すブロック図であって、ここに示した
CMOSイメージセンサは通常的なバイエルパターンに
配列されたM(row line)×N(column line)画素アレ
イ50と、同画素アレイ50からのアナログイメージデ
ータをディジタルイメージデータに変換するためのアナ
ログディジタル変換部60とにより構成されている。
【0011】通常的なバイエルパターン形態の画素アレ
イ50においては奇数ローライン及び偶数ローラインに
てそれぞれRGRG形態及びGBGB形態が反復的に配
列される。ここで、「R」は赤色画素を、「G」は緑色
画素を、「B」は青色画素を表す。このようなバイエル
パターン形態のイメージセンサにおいては、各カラー画
素に該当する画素値(すなわちアナログ電圧信号)が互
いに異なる特性を有する。したがって、本発明は、かか
る特性を利用して、アナログディジタル変換の際必要と
する基準電圧を各カラー別に生成してアナログイメージ
データをディジタルイメージデータに変換する。
【0012】アナログディジタル変換部60は、アナロ
グ基準電圧発生器601A、601B、601C、N個
のマルチプレクサ602A、602B及びN個の比較器
603A、603Bとにより構成されている。ここで、
上記のアナログ基準電圧発生器は、青色画素に対する基
準電圧を発生する第1基準電圧発生器601A、緑色画
素に対する基準電圧を発生する第2基準電圧発生器60
1B及び赤色画素に対する基準電圧を発生する第3基準
電圧発生器601Cにより構成され、各基準電圧発生器
は互いに異なる初期電圧レベルから互いに異なる減少率
を有する基準電圧を発生する。上記のマルチプレクサ6
02A、602Bは、選択信号SELに応答して上記の
基準電圧発生器601A、601B、601Cからの出
力信号を選択的に出力する。上記の比較器603A、6
03Bは上記マルチプレクサ602A、602Bからの
出力信号と上記画素アレイ50からのアナログイメージ
データを比較する。この場合、画素アレイ50中の第1
カラムライン、第3カラムライン、第5カラムライン等
奇数カラムラインには赤色画素または緑色画素が配列さ
れているため、該当カラー画素によって上記奇数カラム
ラインに配列されたマルチプレクサ602Aは第2また
は第3基準電圧発生器の出力信号中の1つを出力する。
これに対し、第2カラムライン、第4カラムライン、第
6カラムライン等偶数カラムラインには緑色画素または
青色画素が配列されているため、該当カラー画素によっ
て上記偶数カラムラインに配列されたマルチプレクサ6
02Bは第1または第2基準電圧発生器の出力信号中の
1つを出力する。
【0013】次に、画素アレイ50の第1ローラインに
配列された複数のカラー画素で感知されたアナログイメ
ージデータをディジタルイメージデータに変換する動作
を説明する。第1ローラインの奇数カラムラインには赤
色画素が配列されているため、奇数カラムに配列された
マルチプレクサら602Aは選択信号SELに応答して
上記第3基準電圧発生器601Cからの基準電圧を選択
して同基準電圧を奇数カラムラインに配列された比較器
603Aに出力する。第1ローラインの偶数カラムライ
ンには緑色画素が配列されているため、偶数カラムライ
ンに配列されたマルチプレクサら602Bは選択信号S
ELに応答して上記第2基準電圧発生器601Bからの
基準電圧を選択して同基準電圧を偶数カラムラインに配
列された比較器603Bに出力する。かくして、奇数カ
ラムラインに配列された比較器603Aは赤色画素から
のアナログイメージデータと上記マルチプレクサ602
Aから出力される基準電圧とを比較し、偶数カラムライ
ンに配列された比較器603Bは青色画素からのアナロ
グイメージデータと上記マルチプレクサ602Bから出
力される基準電圧とを比較する。それ以後の変換過程は
上記の従来技術で詳述したのと同様になされる。
【0014】次に、画素アレイ50の第2ローラインに
配列された複数のカラー画素で感知されたアナログイメ
ージデータをディジタルイメージデータに変換する動作
を説明する。第2ローラインの奇数カラムラインには緑
色画素が配列されているため、奇数カラムに配列された
マルチプレクサら602Aは選択信号SELに応答して
上記第2基準電圧発生器601Bからの基準電圧を選択
して同基準電圧を奇数カラムラインに配列された比較器
603Bに出力する。偶数カラムラインには青色画素が
配列されているため、偶数カラムに配列されたマルチプ
レクサら602Bは選択信号SELに応答して上記第1
基準電圧発生器601Aからの基準電圧を選択して同基
準電圧を偶数カラムラインに配列された比較器603B
に出力する。かくして、奇数カラムラインに配列された
比較器603Aは緑色画素からのアナログイメージデー
タと上記マルチプレクサ602Aから出力される基準電
圧とを比較し、偶数カラムラインに配列された比較器6
03Bは青色画素からのアナログイメージデータと上記
マルチプレクサ602Bから出力される基準電圧とを比
較する。それ以後の変換過程は上記の従来技術で詳述し
たのと同様になされる。
【0015】上記のような動作をロー単位で繰り返し遂
行することによって、画素アレイの全ての単位画素が感
知したアナログイメージデータをディジタルイメージデ
ータに変換できる。
【0016】上述したアナログイメージデータのディジ
タルイメージデータへの変換過程で、特定カラーのアナ
ログイメージデータ特性に応じて互いに異なる基準電圧
を各々生成して比較動作を遂行することによって、単位
画素から出力されるアナログイメージデータをディジタ
ルイメージデータに変換する際各カラーの特性を制御で
きる。
【0017】本発明の技術思想は、上記の好ましい実施
例によって具体的に記述されたが、上記実施例はその説
明のためのものであって、本発明はこれに限定されない
ことに留意されるべきである。また、本発明の技術分野
における通常の専門家であるならば、本発明の技術思想
の範囲内で種々の実施例が可能であることを理解される
べきである。
【0018】
【発明の効果】上述したとおり、本発明によれば、アナ
ログイメージデータのディジタルイメージデータへの変
換の際、特定カラーのアナログイメージデータ特性に応
じて互いに異なる基準電圧を生成し比較動作を遂行する
ことによって、単位画素から出力されるアナログイメー
ジデータをディジタルイメージデータに変換する際各々
のカラーに応じて調節してさらに緻密なカラー制御が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 CMOSイメージセンサに対する一実施例ブ
ロック図。
【図2】 CMOSイメージセンサのコアブロック図。
【図3】 比較器及び二重バッファの動作を説明するた
めの概念図。
【図4】 本発明にかかるCMOSイメージセンサの一
実施ブロック図。
【符号の説明】
50 画素アレイ 60 アナログディジタル変換部 601A、601B 基準電圧発生器 602A、602B マルチプレクサ 603A、603B 比較器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黄 圭泰 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山136 −1 現代電子産業株式会社内 (72)発明者 權 五鳳 大韓民国京畿道利川市夫鉢邑牙美里山136 −1 現代電子産業株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CMOSイメージセンサにおいて、第1
    カラーを感知するための第1カラー画素と、第2カラー
    を感知するための第2カラー画素と、第3カラーを感知
    するための第3カラー画素をM個のローラインに配列す
    ると共にN個のカラムラインに配列した画素アレイ及び
    同画素アレイからのアナログイメージデータをディジタ
    ルイメージデータに変換するための装置において、 前記の各カラー画素によって互いに異なる初期電圧レベ
    ルから異なる減少率で減少するアナログ基準電圧を生成
    するアナログ基準電圧発生手段と、 選択信号に応答して前記の各カラー画素に対応して前記
    アナログ基準電圧を選択的に出力する選択手段と、該選
    択手段から出力されるアナログ基準電圧と前記画素アレ
    イから出力されるアナログイメージデータを比較してデ
    ィジタルイメージデータを出力する比較手段とを備え
    て、前記各カラーのアナログイメージデータ特性に応じ
    て前記画素アレイの各カラー画素から感知したアナログ
    イメージデータをディジタルイメージデータに変換する
    ことを特徴とするCMOSイメージセンサのためのアナ
    ログディジタル変換装置。
  2. 【請求項2】 前記アナログ基準電圧発生手段が、 第1カラー画素からのアナログイメージデータに対して
    第1基準電圧を発生する第1基準電圧発生器と、 第2カラー画素からのアナログイメージデータに対して
    第2基準電圧を発生する第2基準電圧発生器と、 第3カラー画素からのアナログイメージデータに対して
    第3基準電圧を発生する第3基準電圧発生器とを含むこ
    とを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサ
    のためのアナログディジタル変換装置。
  3. 【請求項3】 前記画素アレイが奇数ローラインに反復
    的に配列された前記第1カラー画素及び第2カラー画素
    と、偶数ローラインに反復的に配列された前記第2カラ
    ー画素及び第3カラー画素をバイエルパターン( Bayer
    pattern)形式で配列して構成されたことを特徴とする
    請求項2記載のCMOSイメージセンサのためのアナロ
    グディジタル変換装置。
  4. 【請求項4】 前記選択手段が、 前記奇数カラムラインに配列され前記選択信号に応答し
    て前記カラー画素に対応して前記第1基準電圧と第2基
    準電圧を選択的に出力する第1選択手段と、 前記偶数カラムラインに配列され前記選択信号に応答し
    て前記カラー画素に対応して前記第2基準電圧と第3基
    準電圧のいずれかを選択的に出力する第2選択手段とを
    含むことを特徴とする請求項3記載のCMOSイメージ
    センサのためのアナログディジタル変換装置。
  5. 【請求項5】 前記第1カラー画素は赤色画素であり、
    前記第2カラー画素は緑色画素であり、前記第3カラー
    画素は青色画素であることを特徴とする請求項4記載の
    CMOSイメージセンサのためのアナログディジタル変
    換装置。
  6. 【請求項6】 前記選択手段がマルチプレクサであるこ
    とを特徴とする請求項4記載のCMOSイメージセンサ
    のためのアナログディジタル変換装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6548833B1 (en) * 2000-10-26 2003-04-15 Biomorphic Vlsi, Inc. Color-optimized pixel array design
JP2006020171A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujitsu Ltd 差動型コンパレータ、アナログ・デジタル変換装置、撮像装置
JP2006352597A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置におけるad変換方法および撮像装置
JP2010087962A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置、ad変換ゲイン調整方法
US7746390B2 (en) 2004-03-27 2010-06-29 Pantech & Curitel Communications, Inc. Method and device for processing pixel array data of mobile terminal equipped with digital camera function
US7804535B2 (en) 2004-05-12 2010-09-28 Sony Corporation AD conversion method and semiconductor device for use in physical quantity distribution detection

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100588751B1 (ko) * 1999-12-28 2006-06-13 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서를 위한 아날로그-디지털 변환 장치
US7088390B2 (en) * 2000-06-19 2006-08-08 Olympus Optical Co., Ltd. Imaging apparatus in which exposure control is performed to suppress changes in sensitivity due to changes in gradation mode
DE10133361C2 (de) * 2001-07-10 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Verpackung für Halbleiterchips
US7274363B2 (en) * 2001-12-28 2007-09-25 Pioneer Corporation Panel display driving device and driving method
KR20040017862A (ko) * 2002-08-22 2004-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서를 위한 아날로그-디지털 변환기
US20040134988A1 (en) 2003-01-09 2004-07-15 Hand Held Products, Inc. Analog-to-digital converter with automatic range and sensitivity adjustment
FR2868176B1 (fr) * 2004-03-24 2006-05-19 Commissariat Energie Atomique Interface tactile
US7151475B2 (en) * 2004-08-31 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Minimized differential SAR-type column-wide ADC for CMOS image sensors
KR100660858B1 (ko) * 2005-01-28 2006-12-26 삼성전자주식회사 선 블랙 현상을 방지하는 시모스 이미지 센서의 칼럼 adc
JP4363390B2 (ja) * 2005-10-04 2009-11-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
US7924483B2 (en) * 2006-03-06 2011-04-12 Smith Scott T Fused multi-array color image sensor
US7969493B2 (en) * 2006-03-20 2011-06-28 Intellectual Ventures Fund 27 Llc Matching free dynamic digital pixel sensor
US7768562B2 (en) * 2006-10-10 2010-08-03 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system providing imager vertical binning and scaling using column parallel sigma-delta digital conversion
JP4311482B2 (ja) * 2007-05-17 2009-08-12 ソニー株式会社 撮像回路、cmosセンサ、および撮像装置
KR100835894B1 (ko) * 2007-06-18 2008-06-09 (주)실리콘화일 다이내믹 레인지가 넓고, 색재현성과 해상능력이 우수한픽셀어레이 및 이미지센서
US7671317B2 (en) * 2007-07-25 2010-03-02 Panasonic Corporation Physical quantity detecting apparatus and method for driving the same
US8178145B1 (en) 2007-11-14 2012-05-15 JMC Enterprises, Inc. Methods and systems for applying sprout inhibitors and/or other substances to harvested potatoes and/or other vegetables in storage facilities
JP2009303088A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Panasonic Corp 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ
US9605890B2 (en) 2010-06-30 2017-03-28 Jmc Ventilation/Refrigeration, Llc Reverse cycle defrost method and apparatus
JP6116152B2 (ja) 2012-07-31 2017-04-19 キヤノン株式会社 イメージセンサ駆動装置および方法、放射線画像撮像装置
US10076129B1 (en) 2016-07-15 2018-09-18 JMC Enterprises, Inc. Systems and methods for inhibiting spoilage of stored crops
CN107358900B (zh) * 2017-09-15 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 测试用显示面板及其驱动方法和制作方法
KR102656526B1 (ko) * 2019-02-08 2024-04-12 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP2023002407A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971065A (en) * 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
JPH0267873A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Canon Inc 画像読取装置
US5874994A (en) * 1995-06-30 1999-02-23 Eastman Kodak Company Filter employing arithmetic operations for an electronic sychronized digital camera
JPH10155158A (ja) * 1996-11-20 1998-06-09 Sony Corp 撮像装置及びカラー画像信号の処理方法
KR19980079159A (ko) * 1997-04-30 1998-11-25 배순훈 디지탈 캠코더의 플레어(flare)보정 장치 및 방법
US5982318A (en) * 1997-10-10 1999-11-09 Lucent Technologies Inc. Linearizing offset cancelling white balancing and gamma correcting analog to digital converter for active pixel sensor imagers with self calibrating and self adjusting properties
US6137432A (en) * 1998-11-04 2000-10-24 I C Media Corporation Low-power column parallel ADC in CMOS image sensors

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6548833B1 (en) * 2000-10-26 2003-04-15 Biomorphic Vlsi, Inc. Color-optimized pixel array design
US7746390B2 (en) 2004-03-27 2010-06-29 Pantech & Curitel Communications, Inc. Method and device for processing pixel array data of mobile terminal equipped with digital camera function
US7804535B2 (en) 2004-05-12 2010-09-28 Sony Corporation AD conversion method and semiconductor device for use in physical quantity distribution detection
JP2006020171A (ja) * 2004-07-02 2006-01-19 Fujitsu Ltd 差動型コンパレータ、アナログ・デジタル変換装置、撮像装置
US7145494B2 (en) 2004-07-02 2006-12-05 Fujitsu Limited Differential comparator, analog/digital conversion apparatus and imaging apparatus
JP2006352597A (ja) * 2005-06-17 2006-12-28 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置におけるad変換方法および撮像装置
JP4720310B2 (ja) * 2005-06-17 2011-07-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置におけるad変換方法および撮像装置
JP2010087962A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sony Corp 固体撮像装置、撮像装置、ad変換ゲイン調整方法
US8427551B2 (en) 2008-10-01 2013-04-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, imaging apparatus, and ad conversion gain adjusting method

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