JP2000261602A - Cmosイメージセンサにおけるアナログディジタル変換装置 - Google Patents
Cmosイメージセンサにおけるアナログディジタル変換装置Info
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Abstract
CMOSイメージセンサ用A/D変換装置を提供する。 【解決手段】 N×M画素アレイを具備するCMOSイ
メージセンサ用A/D変換装置において、R、G、Bカ
ラーフィルターが被せられた単位画素からのアナログ出
力に基づいて互いに異なる初期電圧レベルからクロック
によって互いに異なる減少率で線形的に減少するアナロ
グ比較基準電圧を生成するR、G、BのD/A変換手段
と、画素アレイのカラム別に制御信号に応答してD/A
変換手段から出力されるアナログ比較基準電圧を選択的
に出力するN個の選択手段と、そのアナログ比較基準電
圧と画素アレイのカラム別に出力されるアナログイメー
ジ信号を比較するN個の比較手段とを備えて、カラーフ
ィルターから出力される特定カラーのアナログイメージ
データ特性に応じて画素アレイのロー単位にて各単位画
素で感知してA/D信号に変換する。
Description
ntary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサに
関し、特にCMOSイメージセンサを構成する画素アレ
イ(pixel array)から出力されるアナログイメージデ
ータをディジタルイメージデータに変換する装置に関す
るものである。
物質を利用してイメージを捕獲(capturing)するため
の装置である。CMOSイメージセンサはその全体的な
動作を制御して外部システムとのインタフェース役割を
担当する制御及びシステムインタフェース部と、画素ア
レイ及び同画素アレイからのアナログイメージデータを
ディジタルイメージデータに変換するアナログディジタ
ル変換器(analog-digital converter)とによって構成
されている。この場合、アナログディジタル変換器は、
各画素で感知した電圧と比較することに用いられてクロ
ックによって線形的に減少するランプ(ramp)形態の基
準電圧(reference voltage)を発生するランプ電圧発
生器と、前記基準電圧とアナログイメージデータを比較
してディジタルイメージデータを出力する比較器と、前
記ディジタルイメージデータを貯蔵するための二重バッ
ファとにより構成される。
re)ブロック図であって、ここに示したCMOSイメー
ジセンサは単位画素200、比較器320及び二重バッ
ファを構成する単位ラッチ400とを含んでいる。図3
は比較器と二重バッファの動作を示した概念図である。
上記CMOSイメージセンサコアの動作は本出願人が出
願した日本特許出願番号52964/1999の明細書
において「自己診断ロジックをもつCMOSイメージセ
ンサ及びその診断方法」という発明の名称で記載されて
いるので、その詳細な説明は省略する。
は、画素アレイを構成する各画素の特性に関係なしに単
純にランプ電圧発生器からの基準電圧とアナログイメー
ジデータを比較してディジタルイメージデータに変換す
るため、アナログディジタル変換の際カラーの特性を考
慮できない。
点を解決するために案出されたもので、その目的は画素
アレイを構成する各画素の特性に応じて互いに異なる初
期電圧レベルと電圧減少率を有する基準電圧を生成し、
画素アレイからのアナログイメージデータと比較するこ
とによってアナログイメージデータをディジタルデータ
に変換するCMOSイメージセンサのためのアナログデ
ィジタル変換装置を提供することにある。
め、本発明は、一定のパターンにR(Red)、G(Gree
n)、B(Blue)のカラーフィルターが被せられて各々
が一つの特定カラーのみを検出する複数の単位画素を配
列したN×M画素アレイを具備するCMOSイメージセ
ンサのためのアナログディジタル変換装置において、互
いに異なる上記カラーフィルターが被せられた各単位画
素から出力されるアナログイメージデータによって互い
に異なる初期電圧レベルからクロックによって互いに異
なる減少率で線形的に減少するアナログ比較基準電圧を
生成するためのR、G、Bディジタルアナログ変換手段
と、上記画素アレイのカラム別に制御信号に応答して上
記R、G、Bディジタルアナログ変換手段から出力され
るアナログ比較基準電圧を選択的に出力するN個の選択
手段と、同選択手段から出力されるアナログ比較基準電
圧と上記画素アレイのカラム別に出力されるアナログイ
メージ信号を比較するN個の比較手段とを備えて、上記
カラーィルターから出力される特定カラーのアナログイ
メージデータ特性に応じて上記画素アレイのロー単位に
て各単位画素で感知したアナログデータ信号をディジタ
ルデータ信号に変換することを特徴とする。
ター及びGカラーフィルターを反復的に被せた第1ロー
と上記単位画素にGカラーフィルター及びBカラーフィ
ルターを反復的に被せた第2ローにより構成されて各々
が一つの特定カラーのみを検出する複数の単位画素をバ
イエル(Bayer)パターンで配列したN×M画素アレイ
を具備するCMOSイメージセンサのためのアナログデ
ィジタル変換装置において、互いに異なるカラーフィル
ターが被せられた上記の各単位画素から出力されるアナ
ログイメージデータに基づいて互いに異なる初期電圧レ
ベルからクロックによって互いに異なる減少率で線形的
に減少するアナログ比較基準電圧を生成するR、G、B
ディジタルアナログ変換手段と、上記画素アレイのカラ
ム別に上記バイエルパターンの第1または第2ローを表
す制御信号に応答して上記R、G、Bディジタルアナロ
グ変換手段から出力されるアナログ比較基準電圧を選択
的に出力するN個の選択手段と、同選択手段から出力さ
れるアナログ比較基準電圧と上記画素アレイのカラム別
に出力されるアナログイメージ信号を比較するためのN
個の比較手段とを備えて、上記カラーフィルターから出
力される特定カラーのアナログイメージデータ特性に応
じて上記画素アレイのロー単位にて各単位画素で感知し
たアナログデータ信号をディジタルデータ信号に変換す
ることを特徴とする。
知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施でき
る程度に詳細に説明するため、本発明の最も好ましい実
施例を添付図面を参照し説明する。
ック図であって、ここに示したCMOSイメージセンサ
は制御及びシステムインタフェース部10、多数の光感
知素子を配列した画素アレイ20及びアナログディジタ
ル変換部30により構成されている。アナログディジタ
ル変換器30は、基準電圧を発生させるランプ電圧発生
器31、前記基準電圧と前記画素アレイ20からのアナ
ログイメージデータを比較してディジタルイメージデー
タを出力する比較器32及び前記ディジタルイメージデ
ータを貯蔵する二重バッファ20により構成されてい
る。
サの一実施例を示すブロック図であって、ここに示した
CMOSイメージセンサは通常的なバイエルパターンに
配列されたM(row line)×N(column line)画素アレ
イ50と、同画素アレイ50からのアナログイメージデ
ータをディジタルイメージデータに変換するためのアナ
ログディジタル変換部60とにより構成されている。
イ50においては奇数ローライン及び偶数ローラインに
てそれぞれRGRG形態及びGBGB形態が反復的に配
列される。ここで、「R」は赤色画素を、「G」は緑色
画素を、「B」は青色画素を表す。このようなバイエル
パターン形態のイメージセンサにおいては、各カラー画
素に該当する画素値(すなわちアナログ電圧信号)が互
いに異なる特性を有する。したがって、本発明は、かか
る特性を利用して、アナログディジタル変換の際必要と
する基準電圧を各カラー別に生成してアナログイメージ
データをディジタルイメージデータに変換する。
グ基準電圧発生器601A、601B、601C、N個
のマルチプレクサ602A、602B及びN個の比較器
603A、603Bとにより構成されている。ここで、
上記のアナログ基準電圧発生器は、青色画素に対する基
準電圧を発生する第1基準電圧発生器601A、緑色画
素に対する基準電圧を発生する第2基準電圧発生器60
1B及び赤色画素に対する基準電圧を発生する第3基準
電圧発生器601Cにより構成され、各基準電圧発生器
は互いに異なる初期電圧レベルから互いに異なる減少率
を有する基準電圧を発生する。上記のマルチプレクサ6
02A、602Bは、選択信号SELに応答して上記の
基準電圧発生器601A、601B、601Cからの出
力信号を選択的に出力する。上記の比較器603A、6
03Bは上記マルチプレクサ602A、602Bからの
出力信号と上記画素アレイ50からのアナログイメージ
データを比較する。この場合、画素アレイ50中の第1
カラムライン、第3カラムライン、第5カラムライン等
奇数カラムラインには赤色画素または緑色画素が配列さ
れているため、該当カラー画素によって上記奇数カラム
ラインに配列されたマルチプレクサ602Aは第2また
は第3基準電圧発生器の出力信号中の1つを出力する。
これに対し、第2カラムライン、第4カラムライン、第
6カラムライン等偶数カラムラインには緑色画素または
青色画素が配列されているため、該当カラー画素によっ
て上記偶数カラムラインに配列されたマルチプレクサ6
02Bは第1または第2基準電圧発生器の出力信号中の
1つを出力する。
配列された複数のカラー画素で感知されたアナログイメ
ージデータをディジタルイメージデータに変換する動作
を説明する。第1ローラインの奇数カラムラインには赤
色画素が配列されているため、奇数カラムに配列された
マルチプレクサら602Aは選択信号SELに応答して
上記第3基準電圧発生器601Cからの基準電圧を選択
して同基準電圧を奇数カラムラインに配列された比較器
603Aに出力する。第1ローラインの偶数カラムライ
ンには緑色画素が配列されているため、偶数カラムライ
ンに配列されたマルチプレクサら602Bは選択信号S
ELに応答して上記第2基準電圧発生器601Bからの
基準電圧を選択して同基準電圧を偶数カラムラインに配
列された比較器603Bに出力する。かくして、奇数カ
ラムラインに配列された比較器603Aは赤色画素から
のアナログイメージデータと上記マルチプレクサ602
Aから出力される基準電圧とを比較し、偶数カラムライ
ンに配列された比較器603Bは青色画素からのアナロ
グイメージデータと上記マルチプレクサ602Bから出
力される基準電圧とを比較する。それ以後の変換過程は
上記の従来技術で詳述したのと同様になされる。
配列された複数のカラー画素で感知されたアナログイメ
ージデータをディジタルイメージデータに変換する動作
を説明する。第2ローラインの奇数カラムラインには緑
色画素が配列されているため、奇数カラムに配列された
マルチプレクサら602Aは選択信号SELに応答して
上記第2基準電圧発生器601Bからの基準電圧を選択
して同基準電圧を奇数カラムラインに配列された比較器
603Bに出力する。偶数カラムラインには青色画素が
配列されているため、偶数カラムに配列されたマルチプ
レクサら602Bは選択信号SELに応答して上記第1
基準電圧発生器601Aからの基準電圧を選択して同基
準電圧を偶数カラムラインに配列された比較器603B
に出力する。かくして、奇数カラムラインに配列された
比較器603Aは緑色画素からのアナログイメージデー
タと上記マルチプレクサ602Aから出力される基準電
圧とを比較し、偶数カラムラインに配列された比較器6
03Bは青色画素からのアナログイメージデータと上記
マルチプレクサ602Bから出力される基準電圧とを比
較する。それ以後の変換過程は上記の従来技術で詳述し
たのと同様になされる。
行することによって、画素アレイの全ての単位画素が感
知したアナログイメージデータをディジタルイメージデ
ータに変換できる。
タルイメージデータへの変換過程で、特定カラーのアナ
ログイメージデータ特性に応じて互いに異なる基準電圧
を各々生成して比較動作を遂行することによって、単位
画素から出力されるアナログイメージデータをディジタ
ルイメージデータに変換する際各カラーの特性を制御で
きる。
例によって具体的に記述されたが、上記実施例はその説
明のためのものであって、本発明はこれに限定されない
ことに留意されるべきである。また、本発明の技術分野
における通常の専門家であるならば、本発明の技術思想
の範囲内で種々の実施例が可能であることを理解される
べきである。
ログイメージデータのディジタルイメージデータへの変
換の際、特定カラーのアナログイメージデータ特性に応
じて互いに異なる基準電圧を生成し比較動作を遂行する
ことによって、単位画素から出力されるアナログイメー
ジデータをディジタルイメージデータに変換する際各々
のカラーに応じて調節してさらに緻密なカラー制御が可
能となる。
ロック図。
めの概念図。
実施ブロック図。
Claims (6)
- 【請求項1】 CMOSイメージセンサにおいて、第1
カラーを感知するための第1カラー画素と、第2カラー
を感知するための第2カラー画素と、第3カラーを感知
するための第3カラー画素をM個のローラインに配列す
ると共にN個のカラムラインに配列した画素アレイ及び
同画素アレイからのアナログイメージデータをディジタ
ルイメージデータに変換するための装置において、 前記の各カラー画素によって互いに異なる初期電圧レベ
ルから異なる減少率で減少するアナログ基準電圧を生成
するアナログ基準電圧発生手段と、 選択信号に応答して前記の各カラー画素に対応して前記
アナログ基準電圧を選択的に出力する選択手段と、該選
択手段から出力されるアナログ基準電圧と前記画素アレ
イから出力されるアナログイメージデータを比較してデ
ィジタルイメージデータを出力する比較手段とを備え
て、前記各カラーのアナログイメージデータ特性に応じ
て前記画素アレイの各カラー画素から感知したアナログ
イメージデータをディジタルイメージデータに変換する
ことを特徴とするCMOSイメージセンサのためのアナ
ログディジタル変換装置。 - 【請求項2】 前記アナログ基準電圧発生手段が、 第1カラー画素からのアナログイメージデータに対して
第1基準電圧を発生する第1基準電圧発生器と、 第2カラー画素からのアナログイメージデータに対して
第2基準電圧を発生する第2基準電圧発生器と、 第3カラー画素からのアナログイメージデータに対して
第3基準電圧を発生する第3基準電圧発生器とを含むこ
とを特徴とする請求項1記載のCMOSイメージセンサ
のためのアナログディジタル変換装置。 - 【請求項3】 前記画素アレイが奇数ローラインに反復
的に配列された前記第1カラー画素及び第2カラー画素
と、偶数ローラインに反復的に配列された前記第2カラ
ー画素及び第3カラー画素をバイエルパターン( Bayer
pattern)形式で配列して構成されたことを特徴とする
請求項2記載のCMOSイメージセンサのためのアナロ
グディジタル変換装置。 - 【請求項4】 前記選択手段が、 前記奇数カラムラインに配列され前記選択信号に応答し
て前記カラー画素に対応して前記第1基準電圧と第2基
準電圧を選択的に出力する第1選択手段と、 前記偶数カラムラインに配列され前記選択信号に応答し
て前記カラー画素に対応して前記第2基準電圧と第3基
準電圧のいずれかを選択的に出力する第2選択手段とを
含むことを特徴とする請求項3記載のCMOSイメージ
センサのためのアナログディジタル変換装置。 - 【請求項5】 前記第1カラー画素は赤色画素であり、
前記第2カラー画素は緑色画素であり、前記第3カラー
画素は青色画素であることを特徴とする請求項4記載の
CMOSイメージセンサのためのアナログディジタル変
換装置。 - 【請求項6】 前記選択手段がマルチプレクサであるこ
とを特徴とする請求項4記載のCMOSイメージセンサ
のためのアナログディジタル変換装置。
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