JP2000261095A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2000261095A5
JP2000261095A5 JP1999063111A JP6311199A JP2000261095A5 JP 2000261095 A5 JP2000261095 A5 JP 2000261095A5 JP 1999063111 A JP1999063111 A JP 1999063111A JP 6311199 A JP6311199 A JP 6311199A JP 2000261095 A5 JP2000261095 A5 JP 2000261095A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
reflection mirror
mirror layer
high resistance
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1999063111A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP3800852B2 (ja
JP2000261095A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP06311199A priority Critical patent/JP3800852B2/ja
Priority claimed from JP06311199A external-priority patent/JP3800852B2/ja
Publication of JP2000261095A publication Critical patent/JP2000261095A/ja
Publication of JP2000261095A5 publication Critical patent/JP2000261095A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3800852B2 publication Critical patent/JP3800852B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP06311199A 1999-03-10 1999-03-10 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3800852B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06311199A JP3800852B2 (ja) 1999-03-10 1999-03-10 面発光型半導体レーザ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06311199A JP3800852B2 (ja) 1999-03-10 1999-03-10 面発光型半導体レーザ及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2000261095A JP2000261095A (ja) 2000-09-22
JP2000261095A5 true JP2000261095A5 (enExample) 2004-09-09
JP3800852B2 JP3800852B2 (ja) 2006-07-26

Family

ID=13219866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06311199A Expired - Fee Related JP3800852B2 (ja) 1999-03-10 1999-03-10 面発光型半導体レーザ及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3800852B2 (enExample)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4138629B2 (ja) * 2003-11-06 2008-08-27 株式会社東芝 面発光型半導体素子及びその製造方法
JP5408477B2 (ja) 2008-05-13 2014-02-05 株式会社リコー 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP5316783B2 (ja) * 2008-05-15 2013-10-16 株式会社リコー 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置
JP5282673B2 (ja) * 2009-06-22 2013-09-04 富士ゼロックス株式会社 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP5532321B2 (ja) * 2009-11-17 2014-06-25 株式会社リコー 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3791584B2 (ja) 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイ
CN1405938A (zh) 通过形成绝缘叠层对表面发射激光器进行横模和偏振控制
KR960003000A (ko) 패턴화 미러 수직 공동 표면 방출 레이저(vcsel) 및 그 제조 방법
CA2411445A1 (en) Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same
JP2005340625A5 (enExample)
JP2003204122A5 (enExample)
US6636542B1 (en) Surface emitting semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser array, and method for manufacturing surface emitting semiconductor laser
JP2000261095A5 (enExample)
JP2000077772A5 (enExample)
JP6753236B2 (ja) ブロードエリア半導体レーザ素子
JP2008243963A (ja) ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
TW200721618A (en) Ridge-stripe semiconductor laser
JP2004509478A5 (enExample)
JP2007508687A5 (enExample)
JP2855729B2 (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
JP3800852B2 (ja) 面発光型半導体レーザ及びその製造方法
JPH07231138A (ja) 面発光半導体レーザ
JP3788699B2 (ja) 集積型光回路素子及びその製造方法
JP3541539B2 (ja) 面発光半導体レーザ
JP2004111709A (ja) 半導体レーザ
JP2000244059A (ja) 半導体レーザ装置
JP3470282B2 (ja) 面発光半導体レーザとその製造方法
JPH104240A (ja) 半導体光素子、ウエハ及びその製造方法
JPH01280388A (ja) 半導体素子の製造方法
US20100303116A1 (en) Semiconductor laser device and optical apparatus employing the same