JP2000260230A - 溶融半田浴の汚染が少ないリード線とその半田付け法 - Google Patents
溶融半田浴の汚染が少ないリード線とその半田付け法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶解度の大きい銅が溶融半田と直接接触しな
いことにより、溶融半田を含む半田浴の汚染を少なくす
る。 【解決手段】 用いるリード線は、銅線、銅合金線また
は銅被覆線上に、電気メッキ法または無電解メッキ法で
薄いニッケルメッキの下地層を形成している。
いことにより、溶融半田を含む半田浴の汚染を少なくす
る。 【解決手段】 用いるリード線は、銅線、銅合金線また
は銅被覆線上に、電気メッキ法または無電解メッキ法で
薄いニッケルメッキの下地層を形成している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、溶解度の大きい銅が溶
融半田と直接接触しないことにより、溶融半田を含む半
田浴を長期間使用しても汚染が少ないリード線ないしリ
ードフレームならびにその半田付け法に関する。
融半田と直接接触しないことにより、溶融半田を含む半
田浴を長期間使用しても汚染が少ないリード線ないしリ
ードフレームならびにその半田付け法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現行のリード線は、部品素子やプリント
基板などに容易に接合できるように、銅線や銅被覆鋼線
などの銅素地上に半田（錫−鉛合金）メッキを施こし、
また、リードフレームは、後でプリント基板に半田付け
するために銅素地表面に半田メッキを施こすのが主流で
ある。リード線やリードフレームでは、特に半光沢また
は光沢の半田メッキはプレッシャークッカーテストや恒
温恒湿の加熱試験などの加速劣化試験後において半田濡
れ速度および半田付け性が優れている。
基板などに容易に接合できるように、銅線や銅被覆鋼線
などの銅素地上に半田（錫−鉛合金）メッキを施こし、
また、リードフレームは、後でプリント基板に半田付け
するために銅素地表面に半田メッキを施こすのが主流で
ある。リード線やリードフレームでは、特に半光沢また
は光沢の半田メッキはプレッシャークッカーテストや恒
温恒湿の加熱試験などの加速劣化試験後において半田濡
れ速度および半田付け性が優れている。
【０００３】 半田メッキに含まれる鉛は有毒であるた
め、製造コストとメッキ性能の点で類似する錫メッキを
使用すると、メッキ加工後に髭状単結晶のウィスカーが
発生して成長するおそれがある。このウィスカーは、銅
合金との溶接不良を起こしたり、電子部品における短絡
事故の原因となりやすい。錫メッキにおけるウィスカー
発生を防止するには、錫メッキ層を極端に薄くすればよ
い反面、これでは所定の半田付け性を維持できない。ま
た、金や銀メッキでは他の金属メッキに比べて欠陥は少
ないけれども、金メッキは非常に高価であり、一方、銀
メッキは比較的安価であっても、硫化によって表面の劣
化をまねきやすく、マイグレーションを起こして短絡事
故を発生することがあり、現状では半田メッキに完全に
代替え可能な金属メッキは存在しない。
め、製造コストとメッキ性能の点で類似する錫メッキを
使用すると、メッキ加工後に髭状単結晶のウィスカーが
発生して成長するおそれがある。このウィスカーは、銅
合金との溶接不良を起こしたり、電子部品における短絡
事故の原因となりやすい。錫メッキにおけるウィスカー
発生を防止するには、錫メッキ層を極端に薄くすればよ
い反面、これでは所定の半田付け性を維持できない。ま
た、金や銀メッキでは他の金属メッキに比べて欠陥は少
ないけれども、金メッキは非常に高価であり、一方、銀
メッキは比較的安価であっても、硫化によって表面の劣
化をまねきやすく、マイグレーションを起こして短絡事
故を発生することがあり、現状では半田メッキに完全に
代替え可能な金属メッキは存在しない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】リード線を部品素子や
プリント基板などに半田付けするには、該リード線を部
品素子とともに半田浴中に浸漬したり、プリント基板を
半田浴と接触させることを要する。この種のリード線が
溶融半田と接触すると、通常、該リード線の半田メッキ
は半田浴の溶融半田中に溶け込み、半田メッキで保護さ
れていた銅素地が露出し、露出した銅素地が溶融半田中
の錫と拡散反応で強固に結合して半田付けを完了する。
一方、使用する半田浴には、浴中の溶融半田が銅素地と
接することにより、銅成分が溶融半田に次第に溶け込ん
で汚染が進行するという問題がある。半田浴の汚染は、
浸漬する金属の種類によって顕著に異なり、銅をはじめ
としてビスマス、亜鉛、銀などの接触によって溶融半田
の汚染が進行しやすい（図４のグラフ参照）。
プリント基板などに半田付けするには、該リード線を部
品素子とともに半田浴中に浸漬したり、プリント基板を
半田浴と接触させることを要する。この種のリード線が
溶融半田と接触すると、通常、該リード線の半田メッキ
は半田浴の溶融半田中に溶け込み、半田メッキで保護さ
れていた銅素地が露出し、露出した銅素地が溶融半田中
の錫と拡散反応で強固に結合して半田付けを完了する。
一方、使用する半田浴には、浴中の溶融半田が銅素地と
接することにより、銅成分が溶融半田に次第に溶け込ん
で汚染が進行するという問題がある。半田浴の汚染は、
浸漬する金属の種類によって顕著に異なり、銅をはじめ
としてビスマス、亜鉛、銀などの接触によって溶融半田
の汚染が進行しやすい（図４のグラフ参照）。
【０００５】 半田浴の汚染が進行すると、リード線に
めっきする半田の光沢が変化し、さらに汚染がひどくな
るとブリッジやつららという不良が発生するので、これ
らの不良防止のために半田浴の汚染状況を常に管理しな
ければならない。最終的には、半田浴を定期的に交換す
ることが必要になり、溶融半田の交換には古い半田を全
部取り出して廃棄し、新しい半田と取り換えるので相当
な時間とコストが掛かってしまう。
めっきする半田の光沢が変化し、さらに汚染がひどくな
るとブリッジやつららという不良が発生するので、これ
らの不良防止のために半田浴の汚染状況を常に管理しな
ければならない。最終的には、半田浴を定期的に交換す
ることが必要になり、溶融半田の交換には古い半田を全
部取り出して廃棄し、新しい半田と取り換えるので相当
な時間とコストが掛かってしまう。
【０００６】 本発明は、リード線やリードフレームの
接続に用いる半田浴に関する前記の問題点を改善するた
めに提案されたものであり、素材表面にニッケルメッキ
の下地層を介して半田付けすることにより、溶解度の比
較的大きい銅素地が半田浴中の溶融半田と直接接触しな
いリード線またはリードフレームを提供することを目的
としている。本発明の他の目的は、ニッケルメッキの下
地層上の必要個所だけ半田付けを行うことにより、半田
浴の汚染が少ないリード線やリードフレームの半田付け
法を提供することである。
接続に用いる半田浴に関する前記の問題点を改善するた
めに提案されたものであり、素材表面にニッケルメッキ
の下地層を介して半田付けすることにより、溶解度の比
較的大きい銅素地が半田浴中の溶融半田と直接接触しな
いリード線またはリードフレームを提供することを目的
としている。本発明の他の目的は、ニッケルメッキの下
地層上の必要個所だけ半田付けを行うことにより、半田
浴の汚染が少ないリード線やリードフレームの半田付け
法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るリード線には、銅線、銅合金線または
銅被覆線上に、ニッケルメッキの下地層および半田メッ
キ層を形成する。通常、ニッケルメッキの下地層は電気
メッキ法または無電解メッキ法によって形成し、半田メ
ッキ層は電気メッキ法によって形成する。
に、本発明に係るリード線には、銅線、銅合金線または
銅被覆線上に、ニッケルメッキの下地層および半田メッ
キ層を形成する。通常、ニッケルメッキの下地層は電気
メッキ法または無電解メッキ法によって形成し、半田メ
ッキ層は電気メッキ法によって形成する。
【０００８】 このリード線は、溶融半田と接触するこ
とで部品素子などに半田付けし、発熱が少ないコンデン
サなどの環境で使用すると好ましい。また、リードフレ
ームも、前記のリード線とほぼ同じニッケルメッキの下
地層および半田メッキ層を有し、用途的な制限もほぼ同
じである。
とで部品素子などに半田付けし、発熱が少ないコンデン
サなどの環境で使用すると好ましい。また、リードフレ
ームも、前記のリード線とほぼ同じニッケルメッキの下
地層および半田メッキ層を有し、用途的な制限もほぼ同
じである。
【０００９】 本発明の半田付け法では、銅、銅合金ま
たは銅被覆材の素材上に、電気メッキ法または無電解メ
ッキ法によってニッケルメッキの下地層を形成したリー
ド線を用いる。このリード線を部品素子やプリント基板
などに付着する際に、ニッケルメッキの下地層だけが半
田浴中の溶融半田と接触し、下地層の所定個所に半田層
を形成する。したがって、銅、銅合金または銅被覆材
は、ニッケルメッキを介して溶融半田と間接接触させ
る。一般に、ニッケルメッキの下地層は可能な限りメッ
キ厚が小さいことが望ましい。
たは銅被覆材の素材上に、電気メッキ法または無電解メ
ッキ法によってニッケルメッキの下地層を形成したリー
ド線を用いる。このリード線を部品素子やプリント基板
などに付着する際に、ニッケルメッキの下地層だけが半
田浴中の溶融半田と接触し、下地層の所定個所に半田層
を形成する。したがって、銅、銅合金または銅被覆材
は、ニッケルメッキを介して溶融半田と間接接触させ
る。一般に、ニッケルメッキの下地層は可能な限りメッ
キ厚が小さいことが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係るリード線１は、図１
または図２に示すように、銅線２ないし銅合金線または
銅被覆線３上にニッケルメッキの下地層５を形成し、さ
らに所望に応じて半田メッキ層７を形成する。銅被覆線
における銅下地層は比較的厚く、銅被覆線の素線は例え
ばニッケル，鉄，アルミニウムまたはこれらの合金製で
ある。この金属素線において、鉄またはその合金には炭
素鋼，ステンレス鋼などを含み、銅被覆鋼線は通常ＣＰ
またはＥＦ線である。また、銅合金としてはリン青銅，
黄銅（真鍮）などが例示できる。
または図２に示すように、銅線２ないし銅合金線または
銅被覆線３上にニッケルメッキの下地層５を形成し、さ
らに所望に応じて半田メッキ層７を形成する。銅被覆線
における銅下地層は比較的厚く、銅被覆線の素線は例え
ばニッケル，鉄，アルミニウムまたはこれらの合金製で
ある。この金属素線において、鉄またはその合金には炭
素鋼，ステンレス鋼などを含み、銅被覆鋼線は通常ＣＰ
またはＥＦ線である。また、銅合金としてはリン青銅，
黄銅（真鍮）などが例示できる。
【００１１】 ニッケルメッキの下地層５は、電気メッ
キ法や無電解メッキ法によって形成し、メッキ厚が０.
５〜５μｍで可能な限り薄いと好ましく、厚みが５μｍ
を超えると曲げによるクラックが発生しやすくなる。図
示しないけれども、リードフレームについても、リード
線１とほぼ同様に銅、銅合金または銅被覆鋼のフレーム
素材表面に、電気メッキ法や無電解メッキ法によって薄
いニッケルメッキの下地層を形成する。
キ法や無電解メッキ法によって形成し、メッキ厚が０.
５〜５μｍで可能な限り薄いと好ましく、厚みが５μｍ
を超えると曲げによるクラックが発生しやすくなる。図
示しないけれども、リードフレームについても、リード
線１とほぼ同様に銅、銅合金または銅被覆鋼のフレーム
素材表面に、電気メッキ法や無電解メッキ法によって薄
いニッケルメッキの下地層を形成する。
【００１２】 所望に応じて、リード線１またはリード
フレームには、ついで電気メッキ法によって半田メッキ
層７を形成する。半田メッキ層７は部分メッキであって
もよく、半田メッキ層７の組成は鉛１〜９０％，錫９９
〜１０％である。半田メッキ層７の厚みは一般に１〜５
０μｍであり、１μｍ以下であると接合効果が少なく、
メッキ厚が通常１０μｍ以上であるとリード線１の接合
効果を十分に発揮できる。
フレームには、ついで電気メッキ法によって半田メッキ
層７を形成する。半田メッキ層７は部分メッキであって
もよく、半田メッキ層７の組成は鉛１〜９０％，錫９９
〜１０％である。半田メッキ層７の厚みは一般に１〜５
０μｍであり、１μｍ以下であると接合効果が少なく、
メッキ厚が通常１０μｍ以上であるとリード線１の接合
効果を十分に発揮できる。
【００１３】 リード線１またはリードフレームは、つ
いで溶融半田と接触することによって部品素子などに半
田付けする。半田付けするには、半田浴の溶融半田に浸
漬したり、フロー半田と接触させることを要する。半田
浴中の溶融半田は鉛−錫合金であり、次の段階で半田付
け個所をさらにプリント基板などにフロー半田付けする
場合には、その段階で半田付け個所が溶けないように鉛
量を多くして高融点にすると好ましい。
いで溶融半田と接触することによって部品素子などに半
田付けする。半田付けするには、半田浴の溶融半田に浸
漬したり、フロー半田と接触させることを要する。半田
浴中の溶融半田は鉛−錫合金であり、次の段階で半田付
け個所をさらにプリント基板などにフロー半田付けする
場合には、その段階で半田付け個所が溶けないように鉛
量を多くして高融点にすると好ましい。
【００１４】 図３では、一部にニッケルメッキの下地
層５を設けたリード線１およびコンデンサなどの電子部
品８を半田浴１０に浸漬する特殊な態様を示し、溶融半
田によってリード線１を電子部品８に付着させる。リー
ド線１と電子部品８はさらにプリント基板などにフロー
半田付けし、この際に、該リード線の半田付けの反対側
でプリント基板などに付着させるならば比較的低融点の
半田付けでよく、該リード線の半田付け個所をさらにプ
リント基板などに付着させるならば高融点の半田付けを
する。下地層５のニッケルメッキは、比較的硬く加工時
にクラックが発生しやすくなるので、その厚さは５μｍ
以下であると好ましい。
層５を設けたリード線１およびコンデンサなどの電子部
品８を半田浴１０に浸漬する特殊な態様を示し、溶融半
田によってリード線１を電子部品８に付着させる。リー
ド線１と電子部品８はさらにプリント基板などにフロー
半田付けし、この際に、該リード線の半田付けの反対側
でプリント基板などに付着させるならば比較的低融点の
半田付けでよく、該リード線の半田付け個所をさらにプ
リント基板などに付着させるならば高融点の半田付けを
する。下地層５のニッケルメッキは、比較的硬く加工時
にクラックが発生しやすくなるので、その厚さは５μｍ
以下であると好ましい。
【００１５】 図４は、銅などの金属が溶融半田と直接
接触する際に、溶融半田に対する金属の溶解度を示すグ
ラフである。銅線２や銅被覆線３のような銅素材は、半
田付けする際に３〜５秒溶融半田と接触するので、その
溶解度は０．５〜０．７μに達し、浸漬などの接触によ
って半田浴をかなり汚染する。これに対し、本願発明の
リード線のように、ニッケルメッキを介して溶融半田と
接触すると、ニッケルは浸漬時間が１００秒以下である
と溶解度が実質的にゼロであり、浸漬を繰り返しても半
田浴を殆ど汚染しないことが明らかになる。
接触する際に、溶融半田に対する金属の溶解度を示すグ
ラフである。銅線２や銅被覆線３のような銅素材は、半
田付けする際に３〜５秒溶融半田と接触するので、その
溶解度は０．５〜０．７μに達し、浸漬などの接触によ
って半田浴をかなり汚染する。これに対し、本願発明の
リード線のように、ニッケルメッキを介して溶融半田と
接触すると、ニッケルは浸漬時間が１００秒以下である
と溶解度が実質的にゼロであり、浸漬を繰り返しても半
田浴を殆ど汚染しないことが明らかになる。
【００１６】 図５は、化学反応の速度定数の温度変化
を関するアレニウスの式について、反応速度と温度とを
プロットしたグラフである。半田付けしたリード線を加
熱した場合に、半田中の錫Ｓｎと線素材または下地層の
金属とが拡散反応を起こし、拡散層（金属間化合物）を
形成する度合が明らかになる。線素材の銅ＣｕとＳｎは
金属間化合物Ｃｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５となり、ニッケ
ルＮｉとＳｎは金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４となる。
を関するアレニウスの式について、反応速度と温度とを
プロットしたグラフである。半田付けしたリード線を加
熱した場合に、半田中の錫Ｓｎと線素材または下地層の
金属とが拡散反応を起こし、拡散層（金属間化合物）を
形成する度合が明らかになる。線素材の銅ＣｕとＳｎは
金属間化合物Ｃｕ３ＳｎとＣｕ６Ｓｎ５となり、ニッケ
ルＮｉとＳｎは金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４となる。
【００１７】 図５から明らかなように、金属間化合物
Ｎｉ３Ｓｎ４は、加熱温度が上昇すると急増し、約１６
０℃以上になると成長速度がＣｕ３ＳｎやＣｕ６Ｓｎ５
よりも大きく、リード線１にニッケルと錫の厚い拡散層
が形成されることになる。この拡散層は、非常に硬くて
脆く、加工する際に割れたり剥離する可能性が高くなる
ので、ニッケルメッキの下地層５および半田層を形成し
たリード線１またはリードフレームは、発熱が少ないコ
ンデンサなどの環境で使用し、高温に発熱することが多
い抵抗などに使用するのは望ましくない。
Ｎｉ３Ｓｎ４は、加熱温度が上昇すると急増し、約１６
０℃以上になると成長速度がＣｕ３ＳｎやＣｕ６Ｓｎ５
よりも大きく、リード線１にニッケルと錫の厚い拡散層
が形成されることになる。この拡散層は、非常に硬くて
脆く、加工する際に割れたり剥離する可能性が高くなる
ので、ニッケルメッキの下地層５および半田層を形成し
たリード線１またはリードフレームは、発熱が少ないコ
ンデンサなどの環境で使用し、高温に発熱することが多
い抵抗などに使用するのは望ましくない。
【００１８】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明は実施例に限定されるものではない。
が、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００１９】実施例１ 図１に示すように、前処理した直径０.５ｍｍの銅線２
を下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬する。浴のｐＨ
３．０〜４．０、液温３０〜４０℃、電流密度約１０Ａ
／ｄｍ２により、厚さ１μｍのニッケルメッキの下地層
５を形成する。
を下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬する。浴のｐＨ
３．０〜４．０、液温３０〜４０℃、電流密度約１０Ａ
／ｄｍ２により、厚さ１μｍのニッケルメッキの下地層
５を形成する。
【００２０】 スルファミン酸ニッケル ３２０ｇ／ｌ ホウ酸 ３０ｇ／ｌ
【００２１】 次に、下地層５を形成した銅線２を、下
記の電気メッキ浴組成の半田メッキ浴に浸漬する。液温
１５〜２０℃、電流密度２０Ａ／ｄｍ2により、厚さ１
５μｍの半光沢半田メッキ層７を形成する。
記の電気メッキ浴組成の半田メッキ浴に浸漬する。液温
１５〜２０℃、電流密度２０Ａ／ｄｍ2により、厚さ１
５μｍの半光沢半田メッキ層７を形成する。
【００２２】 ホウフッ化第一錫 ３５０ｇ／ｌ ホウフッ化鉛 ３０ｇ／ｌ 遊離ホウフッ化水素酸 ２００ｇ／ｌ 半光沢剤（品名：５１３Ｙ） ６０ｍｌ／ｌ 分散剤（品名：５１４Ｈ） ４５ｇ／ｌ
【００２３】 得たリード線１の処理過程として、電子
部品を製造する際の特殊例を図３に示す。リード線１
は、部品素子に接合させる際に、コンデンサ、リレー、
ダイオードなどの部品素子８とともに、半田浴１０に浸
漬する。リード線１は、溶融半田１１によって部品素子
８に半田付けされ、この際に溶融半田１１はリード線１
と接触する。
部品を製造する際の特殊例を図３に示す。リード線１
は、部品素子に接合させる際に、コンデンサ、リレー、
ダイオードなどの部品素子８とともに、半田浴１０に浸
漬する。リード線１は、溶融半田１１によって部品素子
８に半田付けされ、この際に溶融半田１１はリード線１
と接触する。
【００２４】 図１に示すリード線１を半田付けする際
に、半田浴１０中の溶融半田１１が下地層５のニッケル
メッキとだけ接触し、銅線２と直接接しない。この結
果、リード線１を製造する際に、銅成分が溶融半田１１
に溶け込むことが殆どないので半田浴１０の汚染が進行
せず、溶融半田１１の定期的な交換時期が非常に長くな
り、半田の交換のための煩雑な作業の回数が減り、時間
ロスとコスト高を軽減できる。
に、半田浴１０中の溶融半田１１が下地層５のニッケル
メッキとだけ接触し、銅線２と直接接しない。この結
果、リード線１を製造する際に、銅成分が溶融半田１１
に溶け込むことが殆どないので半田浴１０の汚染が進行
せず、溶融半田１１の定期的な交換時期が非常に長くな
り、半田の交換のための煩雑な作業の回数が減り、時間
ロスとコスト高を軽減できる。
【００２５】実施例２ 図２に示すように、直径０.５ｍｍの銅被覆鋼線３を前
処理してから、下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬す
る。液温３０〜４０℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ2によ
り、銅被覆鋼線３に厚さ０.５〜１μｍのニッケルメッ
キの下地層５を形成する。
処理してから、下記の浴組成の電気メッキ浴に浸漬す
る。液温３０〜４０℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ2によ
り、銅被覆鋼線３に厚さ０.５〜１μｍのニッケルメッ
キの下地層５を形成する。
【００２６】 硫酸ニッケル １００ｇ／ｌ 塩化ニッケル ５０ｇ／ｌ ホウ酸 ３０ｇ／ｌ
【００２７】 次に、ニッケルメッキの下地層５を形成
した銅被覆鋼線３を、下記のメッキ浴組成の半田メッキ
浴に浸漬する。ニッケルメッキ銅被覆鋼線３を走行さ
せ、液温１５〜２０℃、電流密度２０〜２５Ａ／ｄｍ2
により、鉛３％，錫９７％を有する厚さ５〜８μｍの光
沢半田メッキ層７を形成する。
した銅被覆鋼線３を、下記のメッキ浴組成の半田メッキ
浴に浸漬する。ニッケルメッキ銅被覆鋼線３を走行さ
せ、液温１５〜２０℃、電流密度２０〜２５Ａ／ｄｍ2
により、鉛３％，錫９７％を有する厚さ５〜８μｍの光
沢半田メッキ層７を形成する。
【００２８】 ホウフッ化第一錫 ４０ｇ／ｌ ホウフッ化鉛 １５ｇ／ｌ ホウフッ化水素酸 ５０ｇ／ｌ ホルマリン １０ｍｌ／ｌ 光沢剤 ５０ｍｌ／ｌ 分散剤 ３０ｇ／ｌ
【００２９】 図２に示すリード線１２は、実施例１と
同様にコンデンサ、リレー、ダイオードなどの部品素材
に組み込まれ、得た電子部品をさらにプリント基板（図
示しない）に適宜取り付ける。各電子部品のリード線１
２は、フロー半田機（図示しない）によってプリント基
板に半田付けされ、この際にフロー半田機の溶融半田は
リード線１２と接触する。
同様にコンデンサ、リレー、ダイオードなどの部品素材
に組み込まれ、得た電子部品をさらにプリント基板（図
示しない）に適宜取り付ける。各電子部品のリード線１
２は、フロー半田機（図示しない）によってプリント基
板に半田付けされ、この際にフロー半田機の溶融半田は
リード線１２と接触する。
【００３０】 各電子部品のリード線１２がプリント基
板に半田付けされる際に、フロー半田機の溶融半田は下
地層５のニッケルメッキと接触しても、銅被覆鋼線３と
は直接接触しない。この結果、リード線１２を半田付け
する際に、銅成分が溶融半田に溶け込むことが殆どない
ので半田浴の汚染が進行せず、溶融半田の定期的な交換
時期が非常に長くなり、半田の交換のための煩雑な作業
の回数が減り、時間ロスとコスト高を軽減できる。
板に半田付けされる際に、フロー半田機の溶融半田は下
地層５のニッケルメッキと接触しても、銅被覆鋼線３と
は直接接触しない。この結果、リード線１２を半田付け
する際に、銅成分が溶融半田に溶け込むことが殆どない
ので半田浴の汚染が進行せず、溶融半田の定期的な交換
時期が非常に長くなり、半田の交換のための煩雑な作業
の回数が減り、時間ロスとコスト高を軽減できる。
【００３１】実施例３ 前処理した直径０.５ｍｍの銅線を、実施例１と同様の
ニッケル浴組成の電気メッキ浴に浸漬する。浴のｐＨ
３．０〜４．０、液温３０〜４０℃、電流密度約１０Ａ
／ｄｍ２により、厚さ１μｍのニッケルメッキの下地層
５を形成する。
ニッケル浴組成の電気メッキ浴に浸漬する。浴のｐＨ
３．０〜４．０、液温３０〜４０℃、電流密度約１０Ａ
／ｄｍ２により、厚さ１μｍのニッケルメッキの下地層
５を形成する。
【００３２】 ニッケルメッキ銅線について、紫外線硬
化型レジストを所定のピッチ間隔ごとに一定幅印刷して
硬化させる。この印刷と同時に、所定のピッチ間隔をお
いてセンサ判別部を設ける。
化型レジストを所定のピッチ間隔ごとに一定幅印刷して
硬化させる。この印刷と同時に、所定のピッチ間隔をお
いてセンサ判別部を設ける。
【００３３】 次に、ニッケルメッキの下地層を形成し
た銅線を、下記の電気メッキ浴組成の半田メッキ浴に浸
漬する。液温１５〜２０℃、電流密度２０〜２５Ａ／ｄ
ｍ2により、鉛３％，錫９７％を有する厚さ５〜８μｍ
の半光沢半田層を形成する。
た銅線を、下記の電気メッキ浴組成の半田メッキ浴に浸
漬する。液温１５〜２０℃、電流密度２０〜２５Ａ／ｄ
ｍ2により、鉛３％，錫９７％を有する厚さ５〜８μｍ
の半光沢半田層を形成する。
【００３４】 ホウフッ化第一錫 ２００ｇ／ｌ ホウフッ化鉛 ２０ｇ／ｌ 遊離ホウフッ酸 １５０ｇ／ｌ 半光沢剤 ２０ｍｌ／ｌ 分散剤 １５ｇ／ｌ
【００３５】 半田メッキ後の銅線を剥離剤に浸漬し、
前記の紫外線硬化型レジストを剥離してから洗浄する。
次に、この銅線について、紫外線硬化型レジストを所定
のピッチ間隔ごとに別の幅で印刷して硬化させる。以
下、前記と同様に処理し、常法にしたがって銀メッキ層
を形成し、銀メッキ後の銅線を剥離剤に浸漬し、前記の
紫外線硬化型レジストを剥離してから洗浄する。
前記の紫外線硬化型レジストを剥離してから洗浄する。
次に、この銅線について、紫外線硬化型レジストを所定
のピッチ間隔ごとに別の幅で印刷して硬化させる。以
下、前記と同様に処理し、常法にしたがって銀メッキ層
を形成し、銀メッキ後の銅線を剥離剤に浸漬し、前記の
紫外線硬化型レジストを剥離してから洗浄する。
【００３６】 さらに、この銅線について、紫外線硬化
型レジストを所定のピッチ間隔ごとにさらに別の幅で印
刷して硬化させる。以下、前記と同様に処理し、常法に
したがって金メッキ層を形成し、金メッキ後の銅線を剥
離剤に浸漬し、前記の紫外線硬化型レジストを剥離して
から乾燥する。
型レジストを所定のピッチ間隔ごとにさらに別の幅で印
刷して硬化させる。以下、前記と同様に処理し、常法に
したがって金メッキ層を形成し、金メッキ後の銅線を剥
離剤に浸漬し、前記の紫外線硬化型レジストを剥離して
から乾燥する。
【００３７】 得たリード線の表面には、ピッチごとに
半光沢半田メッキ部、銅素地部、銀メッキ部、金メッキ
部とを有する。このリード線は、半光沢半田メッキ部の
個所で半田付けする際に、銅成分が半田浴に溶け込むこ
とがなく、半田浴中の溶融半田の定期的な交換時期が非
常に長くなる。
半光沢半田メッキ部、銅素地部、銀メッキ部、金メッキ
部とを有する。このリード線は、半光沢半田メッキ部の
個所で半田付けする際に、銅成分が半田浴に溶け込むこ
とがなく、半田浴中の溶融半田の定期的な交換時期が非
常に長くなる。
【００３８】 このリード線は、銅素地部、銀メッキ
部、金メッキ部の個所で適宜の電子部品と溶接する際
に、両者の間に半田などの阻害金属が存在せず、溶接不
良にならずに確実な溶接が達成できる。また、このリー
ド線は、各センサ判別部での切断により、同一長さの３
部分メッキ層を有するリード線となり、金や銀メッキを
全体に施したものと比べて経済的である。
部、金メッキ部の個所で適宜の電子部品と溶接する際
に、両者の間に半田などの阻害金属が存在せず、溶接不
良にならずに確実な溶接が達成できる。また、このリー
ド線は、各センサ判別部での切断により、同一長さの３
部分メッキ層を有するリード線となり、金や銀メッキを
全体に施したものと比べて経済的である。
【００３９】
【発明の効果】本発明に係るリード線やリードフレーム
では、半田付けする前に、銅、銅合金または銅被覆材の
素材上に薄いニッケルメッキを形成する。ついで半田付
けを行う際に、半田浴中の溶融半田は、下地層のニッケ
ルメッキとだけ接触し、銅、銅合金または銅被覆材と直
接接しないことにより、銅成分が溶融半田に溶け込んで
汚染が進行することが激減する。
では、半田付けする前に、銅、銅合金または銅被覆材の
素材上に薄いニッケルメッキを形成する。ついで半田付
けを行う際に、半田浴中の溶融半田は、下地層のニッケ
ルメッキとだけ接触し、銅、銅合金または銅被覆材と直
接接しないことにより、銅成分が溶融半田に溶け込んで
汚染が進行することが激減する。
【００４０】 本発明の半田付け法によって半田浴の汚
染進行を防止すると、リード線に付着する半田の光沢が
変化せず、ブリッジやつららという不良が発生しないの
で、半田付けの不良防止のために半田浴の汚染状況を管
理することが容易になる。この半田付け法を用いると、
半田浴の定期的な交換時期が非常に長くなり、半田の交
換のために古い半田を全部取り出し、新しい半田と取り
換えるという煩雑な作業の回数が減り、時間ロスとコス
ト高を軽減できる。
染進行を防止すると、リード線に付着する半田の光沢が
変化せず、ブリッジやつららという不良が発生しないの
で、半田付けの不良防止のために半田浴の汚染状況を管
理することが容易になる。この半田付け法を用いると、
半田浴の定期的な交換時期が非常に長くなり、半田の交
換のために古い半田を全部取り出し、新しい半田と取り
換えるという煩雑な作業の回数が減り、時間ロスとコス
ト高を軽減できる。
【図１】 本発明のリード線を例示する拡大断面図であ
る。
る。
【図２】 本発明のリード線の変形例を示す拡大断面図
である。
である。
【図３】 リード線の処理過程として、電子部品を製造
する際の特殊例を示す概略側面図である。
する際の特殊例を示す概略側面図である。
【図４】 銅などの金属を溶融半田に浸漬した際に溶融
半田に対する溶解度を示すグラフである。
半田に対する溶解度を示すグラフである。
【図５】 金属の半田付けによって金属間化合物が発生
する度合を示すグラフである。
する度合を示すグラフである。
１ リード線 ２ 銅線 ３ 銅被覆線 ５ ニッケル下地層 ７ 半田メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 3/60 Ｃ２５Ｄ 3/60 5/12 5/12 7/00 7/00 Ｊ 7/06 7/06 Ｕ Ｈ０１Ｇ 4/228 Ｃ２３Ｃ 2/08 // Ｃ２３Ｃ 2/08 Ｈ０１Ｇ 1/14 Ｆ Ｂ２３Ｋ 103:12 (72)発明者 瀬川 勲 大阪府寝屋川市楠根北町２番５号 協和電 線株式会社大阪工場内 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA34 AA41 AA42 BA14 BA31 EA04 4K023 AA12 AB34 BA06 BA08 BA13 CA09 CB04 4K024 AA03 AA22 AB01 AB02 AB08 BA09 BB09 BB13 BC03 FA05 GA14 4K027 AA02 AA06 AA25 AB12 AB50 AC15 AC47 5G307 BA03 BA04 BB02 BC09 BC10
Claims (3)
- 【請求項１】 銅線、銅合金線または銅被覆線上に、電
気メッキ法または無電解メッキ法で薄いニッケルメッキ
の下地層を形成したリード線であって、溶融半田と接触
することによって部品素子などに半田付けし、発熱が少
ないコンデンサなどの環境で使用するリード線。 - 【請求項２】 銅線、銅合金線または銅被覆線上に、電
気メッキ法または無電解メッキ法で薄いニッケルメッキ
の下地層と、電気メッキ法で半田メッキ層とを形成した
リード線であって、溶融半田と接触することによって部
品素子などに半田付けし、発熱が少ないコンデンサなど
の環境で使用するリード線。 - 【請求項３】 銅、銅合金または銅被覆材の素材上に、
電気メッキ法または無電解メッキ法によってニッケルメ
ッキの下地層を形成したリード線を用い、このリード線
を部品素子に付着する際に、ニッケルメッキの下地層だ
けを鉛量の多い半田浴中の溶融半田と接触させ、下地層
の所定個所に高融点の半田層を形成し、ついでリード線
と部品素子との半田付け個所をさらにプリント基板など
にフロー半田付けする際に、リード線と部品素子との半
田付け個所がフロー半田付けの際に溶けることを防ぐと
ともに、銅、銅合金または銅被覆材はニッケルメッキを
介して溶融半田と間接接触するリード線の半田付け法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6595699A JP2000260230A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 溶融半田浴の汚染が少ないリード線とその半田付け法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6595699A JP2000260230A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 溶融半田浴の汚染が少ないリード線とその半田付け法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260230A true JP2000260230A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13301958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6595699A Pending JP2000260230A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 溶融半田浴の汚染が少ないリード線とその半田付け法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260230A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020079100A (ko) * | 2001-04-13 | 2002-10-19 | 삼아트론 주식회사 | 전자부품용 리드 와이어 |
| JP2007231407A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Hitachi Cable Ltd | はんだめっき導体及びその製造方法 |
| WO2010084532A1 (ja) * | 2009-01-20 | 2010-07-29 | 三菱伸銅株式会社 | 導電部材及びその製造方法 |
| JP2010196084A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 導電部材及びその製造方法 |
| WO2010119489A1 (ja) * | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 三菱伸銅株式会社 | 導電部材及びその製造方法 |
| WO2011077487A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 三菱電機株式会社 | 電子部品装置 |
| JP2012238784A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| CN104060244A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-09-24 | 安徽省宁国天成电工有限公司 | 一种铜丝表面的镀镍处理方法 |
| CN104152972A (zh) * | 2014-05-07 | 2014-11-19 | 厦门凯璇玑金刚石线锯有限公司 | 一种金刚石线锯的制造方法 |
| WO2020224592A1 (zh) * | 2019-05-06 | 2020-11-12 | 德州乐瀚焊材有限公司 | 焊丝分展式镀铜去碱装置及其工艺 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP6595699A patent/JP2000260230A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20020079100A (ko) * | 2001-04-13 | 2002-10-19 | 삼아트론 주식회사 | 전자부품용 리드 와이어 |
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| US8698002B2 (en) | 2009-01-20 | 2014-04-15 | Mitsubishi Shindoh Co., Ltd. | Conductive member and method for producing the same |
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| JPWO2011077487A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-05-02 | 三菱電機株式会社 | 電子部品装置 |
| CN102714095A (zh) * | 2009-12-24 | 2012-10-03 | 三菱电机株式会社 | 电子元器件装置 |
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