JP2000252310A5 - 半導体装置の製造方法およびモールド装置 - Google Patents

Description

本発明の目的は、薄膜配線基板を用いた半導体装置のモールド時のチップクラックの発生を防止してモールドの安定化とモールド品質の向上とを図る半導体装置の製造方法およびモールド装置を提供することにある。

すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置の封止部に対応したキャビティを形成する薄膜配線基板支持面に同心円状に開口した吸引孔が設けられたモールド金型を備えるモールド装置を準備する工程と、半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記モールド金型の前記キャビティに配置する工程と、前記半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記吸引孔を介して吸引して、前記モールド金型の前記薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させる工程と、前記薄膜配線基板を前記薄膜配線基板支持面に密着させた後、前記モールド金型を構成する第１金型と第２金型の型締めを行う工程と、型締め後、前記薄膜配線基板を前記薄膜配線基板支持面に密着させた状態で前記キャビティに封止用樹脂を供給して前記半導体チップをモールドする工程と、前記封止用樹脂の硬化後、前記薄膜配線基板の吸引を解放して前記モールド金型から前記封止部が形成された前記薄膜配線基板を取り出す工程とを有するものである。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、主面に半導体集積回路が形成された半導体チップを準備する工程と、前記半導体チップを搭載可能な薄膜配線基板を準備する工程と、前記半導体チップと前記薄膜配線基板とを接合する工程と、前記半導体チップの表面電極と前記薄膜配線基板の基板電極とを電気的に接続する工程と、キャビティを形成する薄膜配線基板支持面に格子状に開口した吸引孔が設けられたモールド金型の前記キャビティに前記半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を配置した後、前記吸引孔を介して前記薄膜配線基板を吸引して前記モールド金型の薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させ、その後、前記モールド金型の型締めを行って前記薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させた状態で前記キャビティに封止用樹脂を供給して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、前記薄膜配線基板の外部端子取り付け面に前記半導体チップの表面電極と電気的に接続させて外部端子を取り付ける工程とを有するものである。

Claims (8)

1. 薄膜配線基板を用いて組み立てられる樹脂封止形の半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体装置の封止部に対応したキャビティを形成する薄膜配線基板支持面に同心円状に開口した吸引孔が設けられたモールド金型を備えるモールド装置を準備する工程と、
   半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記モールド金型の前記キャビティに配置する工程と、
   前記半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記吸引孔を介して吸引して、前記モールド金型の前記薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させる工程と、
   前記薄膜配線基板を前記薄膜配線基板支持面に密着させた後、前記モールド金型を構成する第１金型と第２金型の型締めを行う工程と、
   型締め後、前記薄膜配線基板を前記薄膜配線基板支持面に密着させた状態で前記キャビティに封止用樹脂を供給して前記半導体チップをモールドする工程と、
   前記封止用樹脂の硬化後、前記薄膜配線基板の吸引を解放して前記モールド金型から前記封止部が形成された前記薄膜配線基板を取り出す工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記薄膜配線基板を前記モールド金型の前記薄膜配線基板支持面に密着させる際に、前記薄膜配線基板の外部端子取り付け面の前記半導体チップに対応したチップ領域を前記薄膜配線基板支持面に密着させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１または２記載の半導体装置の製造方法であって、前記薄膜配線基板のチップ支持面側において樹脂封止を行って前記チップ支持面側にのみ前記封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 薄膜配線基板を用いて組み立てられる半導体装置の樹脂封止を行うモールド装置であって、
   前記半導体装置の封止部に対応したキャビティが形成され、前記キャビティを形成する薄膜配線基板支持面に開口した吸引孔が設けられたモールド金型と、
   半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記モールド金型の前記薄膜配線基板支持面に支持した際に、前記吸引孔を介して前記薄膜配線基板を吸引する基板吸引部とを有し、
   前記半導体チップの樹脂封止を行う際に、前記半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を前記基板吸引部によって前記吸引孔を介して吸引して、前記モールド金型の前記薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させて樹脂封止を行うことを特徴とするモールド装置。
5. 請求項４記載のモールド装置であって、前記モールド金型に、前記吸引孔と繋がる複数の排気通路が前記薄膜配線基板支持面に開口して形成されていることを特徴とするモールド装置。
6. 請求項４または５記載のモールド装置であって、前記基板吸引部に、前記吸引孔を介して前記薄膜配線基板を吸引する真空排気手段と、前記真空排気手段と前記吸引孔との接続通路の開閉を行う弁部材と、前記弁部材の開閉動作を行う制御部とが設けられていることを特徴とするモールド装置。
7. 主面に半導体集積回路が形成された半導体チップを準備する工程と、
   前記半導体チップを搭載可能な薄膜配線基板を準備する工程と、
   前記半導体チップと前記薄膜配線基板とを接合する工程と、
   前記半導体チップの表面電極と前記薄膜配線基板の基板電極とを電気的に接続する工程と、
   キャビティを形成する薄膜配線基板支持面に格子状に開口した吸引孔が設けられたモールド金型の前記キャビティに前記半導体チップが搭載された前記薄膜配線基板を配置した後、前記吸引孔を介して前記薄膜配線基板を吸引して前記モールド金型の薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させ、その後、前記モールド金型の型締めを行って前記薄膜配線基板支持面に前記薄膜配線基板を密着させた状態で前記キャビティに封止用樹脂を供給して前記半導体チップを樹脂封止する工程と、
   前記薄膜配線基板の外部端子取り付け面に前記半導体チップの表面電極と電気的に接続させて外部端子を取り付ける工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記薄膜配線基板のチップ支持面側において樹脂封止を行って前記チップ支持面側にのみ封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。