JP2000248366A - 導電性金属酸化物に基づく層 - Google Patents
導電性金属酸化物に基づく層Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 既存の方法より簡単で経済的であり、もっと
厚い金属酸化物層の形成を可能にする基質上に導電性金
属酸化物層を形成するための方法を提供すること。 【解決手段】 水溶液中の金属塩を化学的に還元し、得
られる水性金属分散液を洗浄の後に基質、好ましくはガ
ラス上にコーティングし、コーティングされた層を酸化
処理、例えば、加熱段階に付すことにより、基質上の導
電性金属酸化物に基づく層を形成する。好ましい態様の
場合、金属酸化物は酸化錫又は酸化錫と他の金属酸化物
の混合物である。
厚い金属酸化物層の形成を可能にする基質上に導電性金
属酸化物層を形成するための方法を提供すること。 【解決手段】 水溶液中の金属塩を化学的に還元し、得
られる水性金属分散液を洗浄の後に基質、好ましくはガ
ラス上にコーティングし、コーティングされた層を酸化
処理、例えば、加熱段階に付すことにより、基質上の導
電性金属酸化物に基づく層を形成する。好ましい態様の
場合、金属酸化物は酸化錫又は酸化錫と他の金属酸化物
の混合物である。
Description
【０００１】
【発明の分野】本発明は金属酸化物に基づく導電層の分
野に関する。
野に関する。
【０００２】
【発明の背景】柔軟性透明基質上に付着させられた導電
層は種々の電子及び光−電子装置において主要な用途を
見いだしてきた。特に有用な型の透明導電層は金属酸化
物に基づくものである。これらの金属酸化物を種々の幾
分やっかいな方法により基質に適用することができる。
その概覧はＫ．Ｌ．Ｃｈｏｐｒａ ｅｔ ａｌ，“Ｔｒ
ａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ−Ａ Ｓｔ
ａｔｕｓ Ｒｅｖｉｅｗ”，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ
ｉｌｍｓ，１０２，（１９８３），ｐ．１−４６に示さ
れている。
層は種々の電子及び光−電子装置において主要な用途を
見いだしてきた。特に有用な型の透明導電層は金属酸化
物に基づくものである。これらの金属酸化物を種々の幾
分やっかいな方法により基質に適用することができる。
その概覧はＫ．Ｌ．Ｃｈｏｐｒａ ｅｔ ａｌ，“Ｔｒ
ａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ−Ａ Ｓｔ
ａｔｕｓ Ｒｅｖｉｅｗ”，Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ
ｉｌｍｓ，１０２，（１９８３），ｐ．１−４６に示さ
れている。
【０００３】導電層において用いられる最も重要な金属
酸化物は、非−化学量論的及びドーピングされた錫、イ
ンジウム、カドミウム、亜鉛及びそれらの種々の合金の
酸化物である。後者のカテゴリーに属する周知の例に
は、アンチモンがドーピングされた酸化錫（ＴＯ）（Ａ
ＴＯ）又はフッ素がドーピングされた酸化錫（ＦＴ
Ｏ）、錫がドーピングされた酸化インジウム（ＩＯ）
（ＩＴＯ）及びインジウムがドーピングされた酸化亜鉛
（ＩＺＯ）が含まれる。これらの金属酸化物は可視分光
領域における高い透過率、ＩＲ領域における高い反射率
及びほとんど金属的な導電性を示す。これらの材料の電
気的ならびに光学的性質を付着パラメーターの制御によ
り注文通りに適応させることができる。
酸化物は、非−化学量論的及びドーピングされた錫、イ
ンジウム、カドミウム、亜鉛及びそれらの種々の合金の
酸化物である。後者のカテゴリーに属する周知の例に
は、アンチモンがドーピングされた酸化錫（ＴＯ）（Ａ
ＴＯ）又はフッ素がドーピングされた酸化錫（ＦＴ
Ｏ）、錫がドーピングされた酸化インジウム（ＩＯ）
（ＩＴＯ）及びインジウムがドーピングされた酸化亜鉛
（ＩＺＯ）が含まれる。これらの金属酸化物は可視分光
領域における高い透過率、ＩＲ領域における高い反射率
及びほとんど金属的な導電性を示す。これらの材料の電
気的ならびに光学的性質を付着パラメーターの制御によ
り注文通りに適応させることができる。
【０００４】柔軟性基質上のこれらの透明導電層の用途
は： −ディスプレー（エレクトロルミネセントディスプレ
ー、液晶デバイス、プラズマディスプレーパネル）、タ
ッチスクリーン（ｔｏｕｃｈｓｃｒｅｅｎｓ）、太陽電
池及びスマートウィンドウズ（ｓｍａｒｔ ｗｉｎｄｏ
ｗｓ）に用途を有する高度に導電性の層（＜０．５ｋΩ
／平方）； −ＥＭＩ−遮蔽箔、エレクトロルミネセンスランプ及び
膜スイッチにおいて用途を有する導電層（＞０．５ｋΩ
／平方）に分けられ得る。
は： −ディスプレー（エレクトロルミネセントディスプレ
ー、液晶デバイス、プラズマディスプレーパネル）、タ
ッチスクリーン（ｔｏｕｃｈｓｃｒｅｅｎｓ）、太陽電
池及びスマートウィンドウズ（ｓｍａｒｔ ｗｉｎｄｏ
ｗｓ）に用途を有する高度に導電性の層（＜０．５ｋΩ
／平方）； −ＥＭＩ−遮蔽箔、エレクトロルミネセンスランプ及び
膜スイッチにおいて用途を有する導電層（＞０．５ｋΩ
／平方）に分けられ得る。
【０００５】他の用途には航空機及び自動車の窓のため
の加熱部材、熱−反射鏡、反射防止コーティング及びガ
スセンサーが含まれる。
の加熱部材、熱−反射鏡、反射防止コーティング及びガ
スセンサーが含まれる。
【０００６】金属酸化物に基づく導電層の種々の用途を
扱っている参照文献の例には： −太陽電池において、ＴＯ層の使用がＪＰ−Ａ ０５−
２１８４７７、ＪＰ−Ａ０５−２１８４７６、ＥＰ ２
９０３４５に、ＦＴＯ層の使用がＪＰ−Ａ ０５−０１
７８７８に開示されており； −エレクトロルミネセンスディスプレーに関して、種々
の金属酸化物層の使用が例えばＪＰ−Ａ ０９−０２４
５７４、ＪＰ−Ａ ０８−２８１８５７、ＦＲ２７２８
０８２、ＪＰ−Ａ ０８−０３１５７２及びＪＰ−Ａ
０１−０８１１１２に開示されている；が含まれる。
扱っている参照文献の例には： −太陽電池において、ＴＯ層の使用がＪＰ−Ａ ０５−
２１８４７７、ＪＰ−Ａ０５−２１８４７６、ＥＰ ２
９０３４５に、ＦＴＯ層の使用がＪＰ−Ａ ０５−０１
７８７８に開示されており； −エレクトロルミネセンスディスプレーに関して、種々
の金属酸化物層の使用が例えばＪＰ−Ａ ０９−０２４
５７４、ＪＰ−Ａ ０８−２８１８５７、ＦＲ２７２８
０８２、ＪＰ−Ａ ０８−０３１５７２及びＪＰ−Ａ
０１−０８１１１２に開示されている；が含まれる。
【０００７】基質上に金属酸化物層を形成するための付
着法の第１の主たるカテゴリーは蒸着（ｅｖａｐｏｒａ
ｔｉｏｎ）である。この方法はさらに金属フィルムの後
−酸化、反応的蒸着、活性化反応的蒸着及び直接蒸着に
細分され得る。第２の主たるカテゴリーはスパッタリン
グであり、それはさらに金属ターゲットの反応的スパッ
タリング、酸化物ターゲットの直接スパッタリング及び
イオンビームスパッタリングに細分され得る。さらに別
の型の付着法には反応的イオンメッキ、化学蒸着、噴霧
熱分解、浸漬法、化学的溶液成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｇｒｏｗｔｈ）、反応的三極管スパ
ッタリング及びグロー放電組成物（ｇｌｏｗ ｄｉｓｃ
ｈａｒｇｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）が含まれる。
着法の第１の主たるカテゴリーは蒸着（ｅｖａｐｏｒａ
ｔｉｏｎ）である。この方法はさらに金属フィルムの後
−酸化、反応的蒸着、活性化反応的蒸着及び直接蒸着に
細分され得る。第２の主たるカテゴリーはスパッタリン
グであり、それはさらに金属ターゲットの反応的スパッ
タリング、酸化物ターゲットの直接スパッタリング及び
イオンビームスパッタリングに細分され得る。さらに別
の型の付着法には反応的イオンメッキ、化学蒸着、噴霧
熱分解、浸漬法、化学的溶液成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｇｒｏｗｔｈ）、反応的三極管スパ
ッタリング及びグロー放電組成物（ｇｌｏｗ ｄｉｓｃ
ｈａｒｇｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）が含まれる。
【０００８】科学文献（Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ．Ｊｐ
ｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９（１９７０）１５５
１；Ｔ．Ｎｉｓｈｉｎｏ ａｎｄ Ｙ．Ｈａｍａｋａｗ
ａ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９（１９７
０）１０８５；Ｇ．Ｂａｕｅｒ，Ａｎｎ．Ｐｈｙｓ．
（Ｐａｒｉｓ），３０（１９３７）４３３；Ｇ．Ｒｕｐ
ｐｒｅｃｈｔ，Ｚ．Ｐｈｙｓ．，１３９（１９５４）５
０４；Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ｐｈｙ
ｓ．，９（１９７０）４１８）に、蒸発により付着させ
た非常に薄い（最大５０ｎｍ）Ｓｎ層（又はＩｎもしく
はＺｎ）を酸化し、それにより透明な導電層を形成でき
ることが開示されている。この方法の重大な欠点は、比
較的厚い層の場合に酸化を完全に行うことができないこ
とである。おそらく金属フィルムの連続相性のために、
このフィルムを介する酸素の通過が不十分なのである。
ｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９（１９７０）１５５
１；Ｔ．Ｎｉｓｈｉｎｏ ａｎｄ Ｙ．Ｈａｍａｋａｗ
ａ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９（１９７
０）１０８５；Ｇ．Ｂａｕｅｒ，Ａｎｎ．Ｐｈｙｓ．
（Ｐａｒｉｓ），３０（１９３７）４３３；Ｇ．Ｒｕｐ
ｐｒｅｃｈｔ，Ｚ．Ｐｈｙｓ．，１３９（１９５４）５
０４；Ｍ．Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ｐｈｙ
ｓ．，９（１９７０）４１８）に、蒸発により付着させ
た非常に薄い（最大５０ｎｍ）Ｓｎ層（又はＩｎもしく
はＺｎ）を酸化し、それにより透明な導電層を形成でき
ることが開示されている。この方法の重大な欠点は、比
較的厚い層の場合に酸化を完全に行うことができないこ
とである。おそらく金属フィルムの連続相性のために、
このフィルムを介する酸素の通過が不十分なのである。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的は、上記の既存の方法より
やっかいでなく且つより経済的である、基質上に導電性
金属酸化物層を形成するための方法を提供することであ
る。
やっかいでなく且つより経済的である、基質上に導電性
金属酸化物層を形成するための方法を提供することであ
る。
【００１０】本発明のさらに別の目的は、先行技術の方
法を用いて可能であるより厚い金属酸化物層の形成を可
能にする方法を提供することである。
法を用いて可能であるより厚い金属酸化物層の形成を可
能にする方法を提供することである。
【００１１】
【発明の概略】本発明の目的は、順に以下の段階： （ａ）少なくとも１つの型の金属塩を含有する水性媒体
を調製し、（ｂ）該金属塩を還元剤により化学的に還元
して金属粒子の分散液を生ぜしめ、（ｃ）該金属粒子の
分散液を洗浄し、（ｄ）該洗浄された分散液を基質上に
コーティングし、それにより金属粒子を含有するコーテ
ィングされた層を得、（ｅ）該コーティングされた層を
酸化処理に付して金属酸化物粒子を含有する導電層を形
成することを含んでなる、基質上に導電性金属酸化物に
基づく層を形成するための方法を提供することにより実
現される。
を調製し、（ｂ）該金属塩を還元剤により化学的に還元
して金属粒子の分散液を生ぜしめ、（ｃ）該金属粒子の
分散液を洗浄し、（ｄ）該洗浄された分散液を基質上に
コーティングし、それにより金属粒子を含有するコーテ
ィングされた層を得、（ｅ）該コーティングされた層を
酸化処理に付して金属酸化物粒子を含有する導電層を形
成することを含んでなる、基質上に導電性金属酸化物に
基づく層を形成するための方法を提供することにより実
現される。
【００１２】最も好ましい態様では、金属酸化物は酸化
錫又は錫と他の金属の酸化物の混合物である。酸化処理
は好ましくは酸素含有雰囲気中における熱処理である。
錫又は錫と他の金属の酸化物の混合物である。酸化処理
は好ましくは酸素含有雰囲気中における熱処理である。
【００１３】本発明のさらなる利点及び態様は以下の記
述から明らかになるであろう。
述から明らかになるであろう。
【００１４】
【発明の詳細な記述】金属酸化物が酸化錫である場合の
好ましい態様を以て透明支持体上における導電性金属酸
化物層の形成のための方法を説明する。
好ましい態様を以て透明支持体上における導電性金属酸
化物層の形成のための方法を説明する。
【００１５】第１段階（ａ）において、錫（ＩＶ）塩の
水溶液を調製する。最も適した錫塩として、塩化錫（Ｉ
Ｖ）が選ばれる。溶液中に十分な量の錫イオンを保持す
るために、錯化剤を加えるのが望ましい。好ましい錯化
剤は周知のエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）又はそ
の同族化合物もしくは塩である。他の好ましいものはク
エン酸塩、例えばクエン酸三アンモニウムである。他の
適した錯化剤には、ジエチレントリアミン−五酢酸（Ｄ
ＴＰＡ）、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン
−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、エチレン
グリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（２−アミノエチル）−
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＥＧＴＡ）、Ｎ−（２−
ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−
三酢酸（ＨＥＤＴＡ）などが含まれる。
水溶液を調製する。最も適した錫塩として、塩化錫（Ｉ
Ｖ）が選ばれる。溶液中に十分な量の錫イオンを保持す
るために、錯化剤を加えるのが望ましい。好ましい錯化
剤は周知のエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）又はそ
の同族化合物もしくは塩である。他の好ましいものはク
エン酸塩、例えばクエン酸三アンモニウムである。他の
適した錯化剤には、ジエチレントリアミン−五酢酸（Ｄ
ＴＰＡ）、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン
−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＣＤＴＡ）、エチレン
グリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（２−アミノエチル）−
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸（ＥＧＴＡ）、Ｎ−（２−
ヒドロキシエチル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−
三酢酸（ＨＥＤＴＡ）などが含まれる。
【００１６】続く段階で、溶液中の錫イオンを還元剤の
添加によって高度に分散した金属性錫粒子に還元する。
好ましい還元剤はＫＨＢ4である。他の適した還元剤は
次亜硫酸ナトリウムである。他にはグルコース、ホルム
アルデヒド及び次亜リン酸が含まれる。最初の錫塩溶液
に還元剤を固体の粉末として加えることができる。他
方、還元剤を第２の水性媒体中に別に溶解し、シングル
ジェット又はダブルジェット法に従って錫塩溶液に加え
ることができる。好ましくはダブルジェットの原理に従
い、錫塩を含有する水性媒体と還元剤を含有する第２の
溶液を一緒に第３の水性媒体に加える。
添加によって高度に分散した金属性錫粒子に還元する。
好ましい還元剤はＫＨＢ4である。他の適した還元剤は
次亜硫酸ナトリウムである。他にはグルコース、ホルム
アルデヒド及び次亜リン酸が含まれる。最初の錫塩溶液
に還元剤を固体の粉末として加えることができる。他
方、還元剤を第２の水性媒体中に別に溶解し、シングル
ジェット又はダブルジェット法に従って錫塩溶液に加え
ることができる。好ましくはダブルジェットの原理に従
い、錫塩を含有する水性媒体と還元剤を含有する第２の
溶液を一緒に第３の水性媒体に加える。
【００１７】還元により生成する金属性錫粒子をコロイ
ド分散液として保つために、含まれる３つの水溶液のい
ずれかに好ましくは保護結合剤を加える。好ましくは、
この保護結合剤は他の両者が噴射される第３の水性媒体
に加えられる。特に好ましい保護結合剤は、好ましくは
高粘度タイプのカルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）
である。他の可能な結合剤にはゼラチン、アラビアゴ
ム、ポリ（アクリル酸）、ポリビニルアルコール、セル
ロース誘導体及び他の多糖類が含まれる。
ド分散液として保つために、含まれる３つの水溶液のい
ずれかに好ましくは保護結合剤を加える。好ましくは、
この保護結合剤は他の両者が噴射される第３の水性媒体
に加えられる。特に好ましい保護結合剤は、好ましくは
高粘度タイプのカルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）
である。他の可能な結合剤にはゼラチン、アラビアゴ
ム、ポリ（アクリル酸）、ポリビニルアルコール、セル
ロース誘導体及び他の多糖類が含まれる。
【００１８】還元が実質的に完了したら、水性媒体中に
存在する余分のイオンを、好ましくは限外濾過及び／又
は透析濾過（ｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）を含む洗浄
法（段階ｃ）により水性媒体から除去する。調製に含ま
れる溶液のいずれにも、いわゆる分散助剤が存在するこ
とができる。好ましい態様の場合、この化合物を調製の
最後の段階において透析液に加える。錫の場合の適した
分散助剤はピロリン酸塩、より特定的にはヘキサメタリ
ン酸ナトリウムなどのヘキサメタリン酸塩である。金属
酸化物へのリン酸塩の高い親和性の故に、リン酸塩は、
洗浄段階の最初の段階の間に過剰の還元剤を除去すると
形成される生成したばかりの金属酸化物表面層にすぐに
吸着（ａｂｓｏｒｂ）するであろう。このリン酸塩の吸
着はさらなる酸化／不動態化プロセスを抑制し、非常に
薄く且つ安定な金属酸化物殻を生ずる。さらに、リン酸
塩の吸着の故に錫粒子は負に帯電する。これは静電的反
発を引き起こし、それにより粒子は分散状態に保たれる
であろう。
存在する余分のイオンを、好ましくは限外濾過及び／又
は透析濾過（ｄｉａｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ）を含む洗浄
法（段階ｃ）により水性媒体から除去する。調製に含ま
れる溶液のいずれにも、いわゆる分散助剤が存在するこ
とができる。好ましい態様の場合、この化合物を調製の
最後の段階において透析液に加える。錫の場合の適した
分散助剤はピロリン酸塩、より特定的にはヘキサメタリ
ン酸ナトリウムなどのヘキサメタリン酸塩である。金属
酸化物へのリン酸塩の高い親和性の故に、リン酸塩は、
洗浄段階の最初の段階の間に過剰の還元剤を除去すると
形成される生成したばかりの金属酸化物表面層にすぐに
吸着（ａｂｓｏｒｂ）するであろう。このリン酸塩の吸
着はさらなる酸化／不動態化プロセスを抑制し、非常に
薄く且つ安定な金属酸化物殻を生ずる。さらに、リン酸
塩の吸着の故に錫粒子は負に帯電する。これは静電的反
発を引き起こし、それにより粒子は分散状態に保たれる
であろう。
【００１９】好ましい態様において、錫粒子は、例え
ば、Ｆｒｅｓｅｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して
限外濾過し、続いて水／エタノール（９８．５／１．
５）中のヘキサメタリン酸ナトリウムの溶液に対して透
析濾過する。
ば、Ｆｒｅｓｅｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して
限外濾過し、続いて水／エタノール（９８．５／１．
５）中のヘキサメタリン酸ナトリウムの溶液に対して透
析濾過する。
【００２０】１種もしくはそれより多いコーティング剤
の添加の後、洗浄された水性媒体を基質、好ましくは透
明基質上に、スライドホッパー、カーテンコーティン
グ、スピンコーティング、押出及びエア−ナイフコーテ
ィングのような通常のコーティング法を用いてコーティ
ングする（段階ｄ）。コーティングの後に層を乾燥す
る。
の添加の後、洗浄された水性媒体を基質、好ましくは透
明基質上に、スライドホッパー、カーテンコーティン
グ、スピンコーティング、押出及びエア−ナイフコーテ
ィングのような通常のコーティング法を用いてコーティ
ングする（段階ｄ）。コーティングの後に層を乾燥す
る。
【００２１】適したコーティング剤には、サポニン、ア
ルキレンオキシド、例えばポリエチレングリコール、ポ
リエチレングリコール／ポリプロピレングリコール縮合
生成物、ポリエチレングリコールアルキルエステルもし
くはポリエチレングリコールアルキルアリールエステ
ル、ポリエチレングリコールエステル、ポリエチレング
リコールソルビタンエステル、ポリアルキレングリコー
ルアルキルアミンもしくはアルキルアミド、シリコーン
−ポリエチレンオキシド付加物、グリシドール誘導体、
多価アルコールの脂肪酸エステル及び糖類のアルキルエ
ステルのような非−イオン性コーティング剤；カルボキ
シ、スルホ、ホスホ、硫酸もしくはリン酸エステル基な
どの酸基を含むアニオン性コーティング剤；アミノ酸、
アミノアルキルスルホン酸、アミノアルキル硫酸塩もし
くはリン酸塩、アルキルベタイン及びアミン−Ｎ−オキ
シドのような両性コーティング剤；ならびにアルキルア
ミン塩、脂肪族、芳香族もしくは複素環式第４級アンモ
ニウム塩、脂肪族もしくは複素環式環−含有ホスホニウ
ムもしくはスルホニウム塩のようなカチオン性コーテイ
ング剤が含まれる。他の適した界面活性剤には過フッ化
化合物が含まれる。
ルキレンオキシド、例えばポリエチレングリコール、ポ
リエチレングリコール／ポリプロピレングリコール縮合
生成物、ポリエチレングリコールアルキルエステルもし
くはポリエチレングリコールアルキルアリールエステ
ル、ポリエチレングリコールエステル、ポリエチレング
リコールソルビタンエステル、ポリアルキレングリコー
ルアルキルアミンもしくはアルキルアミド、シリコーン
−ポリエチレンオキシド付加物、グリシドール誘導体、
多価アルコールの脂肪酸エステル及び糖類のアルキルエ
ステルのような非−イオン性コーティング剤；カルボキ
シ、スルホ、ホスホ、硫酸もしくはリン酸エステル基な
どの酸基を含むアニオン性コーティング剤；アミノ酸、
アミノアルキルスルホン酸、アミノアルキル硫酸塩もし
くはリン酸塩、アルキルベタイン及びアミン−Ｎ−オキ
シドのような両性コーティング剤；ならびにアルキルア
ミン塩、脂肪族、芳香族もしくは複素環式第４級アンモ
ニウム塩、脂肪族もしくは複素環式環−含有ホスホニウ
ムもしくはスルホニウム塩のようなカチオン性コーテイ
ング剤が含まれる。他の適した界面活性剤には過フッ化
化合物が含まれる。
【００２２】本発明の好ましい態様では、サポニンがコ
ーティング助剤として用いられる。
ーティング助剤として用いられる。
【００２３】得られるＳｎ層の厚さは好ましくは０．１
〜１．５μｍに含まれる。
〜１．５μｍに含まれる。
【００２４】本発明の好ましい態様の場合、Ｓｎ層がコ
ーティングされるべき基質は透明基質である。最も適し
ているのはガラス基質である。そのような集成体（ａｓ
ｓｅｍｂｌａｇｅ）は電子もしくは光−電子装置内に導
入するために特に適している。
ーティングされるべき基質は透明基質である。最も適し
ているのはガラス基質である。そのような集成体（ａｓ
ｓｅｍｂｌａｇｅ）は電子もしくは光−電子装置内に導
入するために特に適している。
【００２５】ガラスの代わりに、透明ポリマー樹脂を薄
層のための基質として選ぶことができる。有用な透明有
機樹脂支持体には、例えば、硝酸セルロースフィルム、
酢酸セルロースフィルム、ポリビニルアセタールフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリ塩化ビニルフィルム又はポリ−α−オレフ
ィンフィルム、例えばポリエチレンもしくはポリプロピ
レンフィルムが含まれる。そのような有機樹脂フィルム
の厚さは好ましくは０．０５〜０．３５ｍｍに含まれ
る。本発明の最も好ましい態様の場合、支持体は下塗り
層が設けられたポリエチレンテレフタレート層である。
この下塗り層はポリエステルフィルム支持体の延伸の前
もしくは後に適用されることができる。ポリエステルフ
ィルム支持体を好ましくは例えば７０〜１２０℃の高め
られた温度で２軸的に延伸し、その厚さを約１／２〜１
／９かそれより小さく減少させ、その面積を２〜９倍に
増加させる。延伸はいずれかの順序で横及び縦に２段階
で又は同時に行うことができる。下塗り層が存在する場
合、それは好ましくは縦延伸と横延伸の間に水性コーテ
ィングにより０．１〜５ｍｍの厚さで適用される。下塗
り層は好ましくは、ヨーロッパ特許出願ＥＰ０ ４６４
９０６に記載されている通り、共有結合している塩素
を含むモノマーのホモポリマーもしくはコポリマーを含
有する。下塗り層において用いるのに適した該ホモポリ
マーもしくはコポリマーの例は、例えば、ポリ塩化ビニ
ル；ポリ塩化ビニリデン；塩化ビニリデン、アクリル酸
エステル及びイタコン酸のコポリマー；塩化ビニル及び
塩化ビニリデンのコポリマー；塩化ビニル及び酢酸ビニ
ルのコポリマー；アクリル酸ブチル、酢酸ビニル及び塩
化ビニルもしくは塩化ビニリデンのコポリマー；塩化ビ
ニル、塩化ビニリデン及びイタコン酸のコポリマー；塩
化ビニル、酢酸ビニルおよびビニルアルコールのコポリ
マーなどである。水分散性であるポリマーが好ましく、
それは生態学的に有利な下塗り層の水性コーティングが
可能となるからである。
層のための基質として選ぶことができる。有用な透明有
機樹脂支持体には、例えば、硝酸セルロースフィルム、
酢酸セルロースフィルム、ポリビニルアセタールフィル
ム、ポリイミドフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリ塩化ビニルフィルム又はポリ−α−オレフ
ィンフィルム、例えばポリエチレンもしくはポリプロピ
レンフィルムが含まれる。そのような有機樹脂フィルム
の厚さは好ましくは０．０５〜０．３５ｍｍに含まれ
る。本発明の最も好ましい態様の場合、支持体は下塗り
層が設けられたポリエチレンテレフタレート層である。
この下塗り層はポリエステルフィルム支持体の延伸の前
もしくは後に適用されることができる。ポリエステルフ
ィルム支持体を好ましくは例えば７０〜１２０℃の高め
られた温度で２軸的に延伸し、その厚さを約１／２〜１
／９かそれより小さく減少させ、その面積を２〜９倍に
増加させる。延伸はいずれかの順序で横及び縦に２段階
で又は同時に行うことができる。下塗り層が存在する場
合、それは好ましくは縦延伸と横延伸の間に水性コーテ
ィングにより０．１〜５ｍｍの厚さで適用される。下塗
り層は好ましくは、ヨーロッパ特許出願ＥＰ０ ４６４
９０６に記載されている通り、共有結合している塩素
を含むモノマーのホモポリマーもしくはコポリマーを含
有する。下塗り層において用いるのに適した該ホモポリ
マーもしくはコポリマーの例は、例えば、ポリ塩化ビニ
ル；ポリ塩化ビニリデン；塩化ビニリデン、アクリル酸
エステル及びイタコン酸のコポリマー；塩化ビニル及び
塩化ビニリデンのコポリマー；塩化ビニル及び酢酸ビニ
ルのコポリマー；アクリル酸ブチル、酢酸ビニル及び塩
化ビニルもしくは塩化ビニリデンのコポリマー；塩化ビ
ニル、塩化ビニリデン及びイタコン酸のコポリマー；塩
化ビニル、酢酸ビニルおよびビニルアルコールのコポリ
マーなどである。水分散性であるポリマーが好ましく、
それは生態学的に有利な下塗り層の水性コーティングが
可能となるからである。
【００２６】金属層の形成を金属が錫である好ましい態
様を以て記載してきた。しかしながら、本発明の範囲は
錫に限られず、類似の方法により薄い金属層を形成する
ことができ、その酸化物が導電性である他の金属に拡張
される。可能な他の金属にはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、
Ｂｉ、Ａｓ及びＳｂが含まれる。
様を以て記載してきた。しかしながら、本発明の範囲は
錫に限られず、類似の方法により薄い金属層を形成する
ことができ、その酸化物が導電性である他の金属に拡張
される。可能な他の金属にはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、
Ｂｉ、Ａｓ及びＳｂが含まれる。
【００２７】さらに、２種もしくはそれより多い金属塩
の混合物を還元し、コーティングすることができる。好
ましい態様では、混合物は錫塩と他の金属塩、例えばア
ンチモン塩の組合わせである。
の混合物を還元し、コーティングすることができる。好
ましい態様では、混合物は錫塩と他の金属塩、例えばア
ンチモン塩の組合わせである。
【００２８】それぞれの特定の金属（又は金属の組合わ
せ）に関して、金属塩、もし用いるなら錯化剤、結合剤
及び分散助剤、還元剤などの選択を最適化しなければな
らないこと、そして好ましい態様はほとんどの場合に金
属が錫である好ましい態様から変動するであろうことが
容易に理解されるであろう。
せ）に関して、金属塩、もし用いるなら錯化剤、結合剤
及び分散助剤、還元剤などの選択を最適化しなければな
らないこと、そして好ましい態様はほとんどの場合に金
属が錫である好ましい態様から変動するであろうことが
容易に理解されるであろう。
【００２９】最後の段階（ｅ）において、コーティング
された層中に含有される金属粒子は金属酸化物もしくは
金属酸化物の混合物に酸化される。最も好ましく且つ簡
単な態様の場合、酸化処理は酸化含有雰囲気中における
熱処理である。金属層が加えられた基質を通常の大気条
件下で熱炉中に導入することによりこれを最も簡単に行
うことができる。例えば、Ｓｎ粒子を含有する層がコー
ティングされたガラス基質という特定の場合、現在の
（ｃｕｒｒｅｎｔ）大気組成物下に、４００〜６００℃
において炉を約６時間運転する。コーティングされた金
属層の酸化は、おそらく蒸着した金属フィルム（ｅｖａ
ｐｏｒａｔｅｄ ｍｅｔａｌ ｆｉｌｍ）の連続相性と
対照的な金属粒子の不連続性の故に、蒸着した金属層の
酸化よりうまくいく。比較的厚い層を介する酸素の通過
が可能なままであり、結果としてこれらの比較的厚い層
を完全に酸化することができる。
された層中に含有される金属粒子は金属酸化物もしくは
金属酸化物の混合物に酸化される。最も好ましく且つ簡
単な態様の場合、酸化処理は酸化含有雰囲気中における
熱処理である。金属層が加えられた基質を通常の大気条
件下で熱炉中に導入することによりこれを最も簡単に行
うことができる。例えば、Ｓｎ粒子を含有する層がコー
ティングされたガラス基質という特定の場合、現在の
（ｃｕｒｒｅｎｔ）大気組成物下に、４００〜６００℃
において炉を約６時間運転する。コーティングされた金
属層の酸化は、おそらく蒸着した金属フィルム（ｅｖａ
ｐｏｒａｔｅｄ ｍｅｔａｌ ｆｉｌｍ）の連続相性と
対照的な金属粒子の不連続性の故に、蒸着した金属層の
酸化よりうまくいく。比較的厚い層を介する酸素の通過
が可能なままであり、結果としてこれらの比較的厚い層
を完全に酸化することができる。
【００３０】得られる最終的導電率は相対的抵抗率の測
定により評価される。
定により評価される。
【００３１】かくして形成される基質上の導電性金属酸
化物層は、上記で挙げたような種々の型の電子もしくは
光−電子装置において有利に存在することができる。
化物層は、上記で挙げたような種々の型の電子もしくは
光−電子装置において有利に存在することができる。
【００３２】ここで以下の実施例によって本発明を例示
するが、本発明はそれらに制限されるものではない。
するが、本発明はそれらに制限されるものではない。
【００３３】
【実施例】実施例１ 錫分散液の調製及びコーティング 以下の溶液を調製した：
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】
【表３】
【００３７】錫分散液を以下の通りに調製した：４０℃
に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液３に、
２００ｍｌ／分の流量における溶液１を１１７ｍｌ／分
における溶液２と同時に加えた。還元が完了した後、錫
分散液をＦｒｅｓｅｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介
して限外濾過し、水／エタノール（９８．５／１．５）
中のヘキサメタリン酸ナトリウムの０．２％溶液を用い
て透析濾過した（分散液１）。分散液を撹拌し、水／エ
タノール（８０／２０）中のＳａｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉ
ｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａｎｎ）の１２．５％溶
液の１０ｍｌを加えた。
に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液３に、
２００ｍｌ／分の流量における溶液１を１１７ｍｌ／分
における溶液２と同時に加えた。還元が完了した後、錫
分散液をＦｒｅｓｅｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介
して限外濾過し、水／エタノール（９８．５／１．５）
中のヘキサメタリン酸ナトリウムの０．２％溶液を用い
て透析濾過した（分散液１）。分散液を撹拌し、水／エ
タノール（８０／２０）中のＳａｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉ
ｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａｎｎ）の１２．５％溶
液の１０ｍｌを加えた。
【００３８】Ｄｉｓｃ Ｃｅｎｔｒｉｆｕｇｅ Ｐｈｏ
ｔｏｓｅｄｉｍｅｎｔｏｍｅｔｅｒＢＲＯＯＫＨＡＶＥ
Ｎ ＢＩ−ＤＣＰを用いて分散液をその粒度分布（重量
平均ｄwa）に関して分析した。９３ｎｍ（σwa＝１２）
というｄwaが得られた。
ｔｏｓｅｄｉｍｅｎｔｏｍｅｔｅｒＢＲＯＯＫＨＡＶＥ
Ｎ ＢＩ−ＤＣＰを用いて分散液をその粒度分布（重量
平均ｄwa）に関して分析した。９３ｎｍ（σwa＝１２）
というｄwaが得られた。
【００３９】この錫分散液を７５μｍのコーティングナ
イフを用いてガラス基質（ＦＬＡＣＨＧＬＡＳ ＡＧ）
上にコーティングした。この層は２．４ｘ１０12オーム
／平方という横抵抗率及び３．００より高い可視光学濃
度を有した。
イフを用いてガラス基質（ＦＬＡＣＨＧＬＡＳ ＡＧ）
上にコーティングした。この層は２．４ｘ１０12オーム
／平方という横抵抗率及び３．００より高い可視光学濃
度を有した。
【００４０】横抵抗率はＫｅｉｔｈｌｅｙ ｐｉｃｏ
Ａｍｐｅｒｅｏメーターを用い、ＤＩＮ ５３４８２に
従って測定し、濃度はＭａｃｂｅｔｈ光学的デンシトメ
ーターを用いて測定した。導電性透明層の形成 続いてコーティングされた層を６００℃において、炉中
に６時間置いた。２ｘ１０6オーム／平方という横抵抗
率及び０．４０という可視光学濃度が得られた。
Ａｍｐｅｒｅｏメーターを用い、ＤＩＮ ５３４８２に
従って測定し、濃度はＭａｃｂｅｔｈ光学的デンシトメ
ーターを用いて測定した。導電性透明層の形成 続いてコーティングされた層を６００℃において、炉中
に６時間置いた。２ｘ１０6オーム／平方という横抵抗
率及び０．４０という可視光学濃度が得られた。
【００４１】実施例２ 錫分散液の調製及びコーティング 前の実施例の場合と同じ溶液２及び３を用いた。以下の
新しい溶液を調製した：
新しい溶液を調製した：
【００４２】
【表４】
【００４３】
【表５】
【００４４】
【表６】
【００４５】３種の錫分散液を以下の通りに調製した：
４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液
３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液４を１１７ｍ
ｌ／分における溶液２と同時に加えた。（錫分散液
２）。
４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液
３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液４を１１７ｍ
ｌ／分における溶液２と同時に加えた。（錫分散液
２）。
【００４６】４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌さ
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
５を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液３）。
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
５を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液３）。
【００４７】４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌さ
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液４）。
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液４）。
【００４８】還元が完了した後、錫分散液をＦｒｅｓｅ
ｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水
／エタノール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン
酸ナトリウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分
散液を撹拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａ
ｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａ
ｎｎ）の１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
ｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水
／エタノール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン
酸ナトリウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分
散液を撹拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａ
ｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａ
ｎｎ）の１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
【００４９】Ｄｉｓｃ ｃｅｎｔｒｉｆｕｇｅ Ｐｈｏ
ｔｏｓｅｄｉｍｅｎｔｏｍｅｔｅｒＢＲＯＯＫＨＡＶＥ
Ｎ ＢＩ−ＤＣＰを用いて分散液をその粒度分布（重量
平均ｄwa）に関して分析した。これらの錫分散液を７５
μｍのコーティングナイフを用い、ガラス基質上にコー
ティングした。横抵抗率及び可視光学濃度を表１にまと
める。導電性透明層の形成 表１に試料の熱処理の後に得られる結果をまとめて示
す。
ｔｏｓｅｄｉｍｅｎｔｏｍｅｔｅｒＢＲＯＯＫＨＡＶＥ
Ｎ ＢＩ−ＤＣＰを用いて分散液をその粒度分布（重量
平均ｄwa）に関して分析した。これらの錫分散液を７５
μｍのコーティングナイフを用い、ガラス基質上にコー
ティングした。横抵抗率及び可視光学濃度を表１にまと
める。導電性透明層の形成 表１に試料の熱処理の後に得られる結果をまとめて示
す。
【００５０】
【表７】
【００５１】表１からわかる通り、熱処理の後の表面導
電率はＳｎ分散液の調製条件に依存する。
電率はＳｎ分散液の調製条件に依存する。
【００５２】実施例３ この実施例では、還元剤の濃度の影響を示す。
【００５３】以下の新しい溶液を調製した。
【００５４】
【表８】
【００５５】
【表９】
【００５６】３種の錫分散液を以下の通りに調製した：
４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液
３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液６を１１７ｍ
ｌ／分における溶液７と同時に加えた。（錫分散液
５）。
４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されている溶液
３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液６を１１７ｍ
ｌ／分における溶液７と同時に加えた。（錫分散液
５）。
【００５７】４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌さ
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液６）。
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。
（錫分散液６）。
【００５８】４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌さ
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液８と同時に加えた。
（錫分散液７）。
れている溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液
６を１１７ｍｌ／分における溶液８と同時に加えた。
（錫分散液７）。
【００５９】還元が完了した後、錫分散液をＦｒｅｓｅ
ｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水
／エタノール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン
酸ナトリウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分
散液を撹拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａ
ｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａ
ｎｎ）の１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
ｎｉｕｓ Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水
／エタノール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン
酸ナトリウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分
散液を撹拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａ
ｐｏｎｉｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａ
ｎｎ）の１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
【００６０】これらの錫分散液を７５μｍのコーティン
グナイフを用い、ガラス基質上にコーティングした。横
抵抗率及び可視光学濃度を表２にまとめて示す。導電性
透明層の形成表２は試料の熱処理の後に得られる結果を
まとめている。
グナイフを用い、ガラス基質上にコーティングした。横
抵抗率及び可視光学濃度を表２にまとめて示す。導電性
透明層の形成表２は試料の熱処理の後に得られる結果を
まとめている。
【００６１】
【表１０】
【００６２】表２からわかる通り、熱処理の後の表面導
電率はＳｎ分散液の調製条件に依存する。
電率はＳｎ分散液の調製条件に依存する。
【００６３】実施例４ 錫／アンチモン分散液の調製及びコーティング 以下の新しい溶液を調製した：
【００６４】
【表１１】
【００６５】錫／アンチモン分散液を以下の通りに調製
した：４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されてい
る溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液９を１
１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。還元が完
了した後、錫／アンチモン分散液をＦｒｅｓｅｎｉｕｓ
Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水／エタノ
ール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン酸ナトリ
ウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分散液を撹
拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａｐｏｎｉ
ｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａｎｎ）の
１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
した：４０℃に保たれ且つ４５０ｒｐｍで撹拌されてい
る溶液３に、２００ｍｌ／分の流量における溶液９を１
１７ｍｌ／分における溶液２と同時に加えた。還元が完
了した後、錫／アンチモン分散液をＦｒｅｓｅｎｉｕｓ
Ｆ６０カートリッジを介して限外濾過し、水／エタノ
ール（９８．５／１．５）中のヘキサメタリン酸ナトリ
ウムの０．２％溶液を用いて透析濾過した。分散液を撹
拌し、水／エタノール（８０／２０）中のＳａｐｏｎｉ
ｎｅ Ｑｕｉｌｌａｙａ（Ｓｃｈｍｉｔｔｍａｎｎ）の
１２．５％溶液の１０ｍｌを加えた。
【００６６】この錫／アンチモン分散液（８）を７５μ
ｍのコーティングナイフを用い、ガラス基質上にコーテ
ィングした。この層は１０12オーム／平方の横抵抗率及
び３．００より高い可視光学濃度を有する。導電性透明層の形成 表３に試料の熱処理の後に得られる結果をまとめて示
す。
ｍのコーティングナイフを用い、ガラス基質上にコーテ
ィングした。この層は１０12オーム／平方の横抵抗率及
び３．００より高い可視光学濃度を有する。導電性透明層の形成 表３に試料の熱処理の後に得られる結果をまとめて示
す。
【００６７】
【表１２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステフエン・レジイ ベルギー・ビー2640モルトセル・セプテス トラート27・アグフア−ゲヴエルト・ナー ムローゼ・フエンノートシヤツプ内
Claims (12)
- 【請求項１】 順に以下の段階： （ａ）少なくとも１つの型の金属塩を含有する水性媒体
を調製し、（ｂ）該金属塩を還元剤により化学的に還元
して金属粒子の分散液を生ぜしめ、（ｃ）該金属粒子の
分散液を洗浄し、（ｄ）該洗浄された分散液を基質上に
コーティングし、それにより金属粒子を含有するコーテ
ィングされた層を得、（ｅ）該コーティングされた層を
酸化処理に付して金属酸化物粒子を含有する導電層を形
成することを含んでなる基質上に導電性金属酸化物に基
づく層を形成するための方法。 - 【請求項２】 該金属塩が錫（ＩＶ）塩である請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】 該少なくとも１つの金属塩が錫（ＩＶ）
塩及びＳｂ（Ｖ）塩の混合物である請求項１に記載の方
法。 - 【請求項４】 該酸化処理（ｅ）が酸素含有雰囲気中に
おける熱処理である請求項１〜３のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項５】 化学的還元段階（ｂ）を、該少なくとも
１つの型の金属塩を含有する該水性媒体（ａ）を該還元
剤を含有する第２の水溶液と同時に第３の水性媒体に加
えることによって行う請求項１〜４のいずれかに記載の
方法。 - 【請求項６】 該還元剤がＫＢＨ4である請求項１〜５
のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 保護結合剤を段階（ａ）、（ｂ）又は
（ｃ）のいずれかにおいて加える請求項１〜６のいずれ
かに記載の方法。 - 【請求項８】 該保護結合剤がカルボキシメチルセルロ
ースである請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 該洗浄段階（ｃ）が限外濾過及び／又は
透析濾過を含む請求項１〜８のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】 該基質が透明基質である請求項１〜９
のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】 該透明基質がガラスである請求項１０
に記載の方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれかに従って形
成される導電性金属酸化物に基づく層を含んでなる電子
又は光−電子装置。
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7507447B2 (en) | 2002-02-26 | 2009-03-24 | Fujifilm Corporation | Transparent conductive film, method for producing same and method for forming pattern |
| JP2006283141A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 金属酸化物膜の製造方法 |
| JP2012508819A (ja) * | 2008-11-12 | 2012-04-12 | ラム リサーチ コーポレーション | ルテニウムの無電解析出のためのメッキ溶液 |
| JP2010218954A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Akita Univ | 錫含有ペースト、錫含有ペーストの製造方法、および、リチウムイオン二次電池用電極 |
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