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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955384B2 (ja) * 1998-04-08 2007-08-08 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 化学増幅型レジスト組成物
JP4272805B2 (ja) * 1999-12-27 2009-06-03 富士フイルム株式会社 ポジ型感放射線性組成物
JP4253427B2 (ja) * 2000-09-19 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
WO2002082185A1 (en) * 2001-04-05 2002-10-17 Arch Specialty Chemicals, Inc. Perfluoroalkylsulfonic acid compounds for photoresists
JP3912767B2 (ja) * 2001-06-21 2007-05-09 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US6949329B2 (en) 2001-06-22 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern formation method
TWI300516B (enExample) * 2001-07-24 2008-09-01 Jsr Corp
EP1308781A3 (en) * 2001-10-05 2003-09-03 Shipley Co. L.L.C. Cyclic sulfonium and sulfoxonium photoacid generators and photoresists containing them
JP3901997B2 (ja) * 2001-11-27 2007-04-04 富士通株式会社 レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
US7214465B2 (en) * 2002-01-10 2007-05-08 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition
US7108951B2 (en) * 2002-02-26 2006-09-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive resin composition
JP4410977B2 (ja) * 2002-07-09 2010-02-10 富士通株式会社 化学増幅レジスト材料及びそれを用いたパターニング方法
US7208249B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Method of producing a patterned photoresist used to prepare high performance photomasks
US7314700B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-01 International Business Machines Corporation High sensitivity resist compositions for electron-based lithography
KR100937613B1 (ko) * 2002-12-16 2010-01-20 이 잉크 코포레이션 전기-광학 디스플레이용 백플레인
KR100561842B1 (ko) * 2003-08-25 2006-03-16 삼성전자주식회사 단량체 광산발생제 조성물, 상기 조성물로 코팅된 기판,상기 단량체 광산발생제 조성물을 이용하여 기판상에서화합물을 합성하는 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된마이크로어레이
US7488565B2 (en) * 2003-10-01 2009-02-10 Chevron U.S.A. Inc. Photoresist compositions comprising diamondoid derivatives
US7393627B2 (en) * 2004-03-16 2008-07-01 Cornell Research Foundation, Inc. Environmentally friendly photoacid generators (PAGs) with no perfluorooctyl sulfonates (PFOS)
JP4308051B2 (ja) * 2004-03-22 2009-08-05 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US20050214674A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Yu Sui Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
KR100599076B1 (ko) * 2004-05-31 2006-07-13 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JP2006078760A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 電子線またはｅｕｖ（極端紫外光）用レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
EP1829942B1 (en) * 2006-02-28 2012-09-26 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coating compositions for use with an overcoated photoresist
WO2007124092A2 (en) * 2006-04-21 2007-11-01 Cornell Research Foundation, Inc. Photoacid generator compounds and compositions
JP4355725B2 (ja) * 2006-12-25 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US8088548B2 (en) * 2007-10-23 2012-01-03 Az Electronic Materials Usa Corp. Bottom antireflective coating compositions
US20090181319A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 International Business Machines Corporation Aromatic fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing the same
US8034533B2 (en) * 2008-01-16 2011-10-11 International Business Machines Corporation Fluorine-free heteroaromatic photoacid generators and photoresist compositions containing the same
JP5216573B2 (ja) 2008-03-31 2013-06-19 富士フイルム株式会社 感活性光線または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8163461B2 (en) * 2008-04-09 2012-04-24 Cornell Research Foundation, Inc. Photoacid generator compounds and compositions
JP5192277B2 (ja) * 2008-04-14 2013-05-08 シャープ株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP5746818B2 (ja) * 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
WO2010075232A1 (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Novomer, Inc. Tunable polymer compositions
JP5746824B2 (ja) 2009-02-08 2015-07-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 上塗りフォトレジストと共に使用するのに好適なコーティング組成物
EP2216683B1 (en) 2009-02-08 2018-11-14 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Substrates coated with an antireflective composition and a photoresist
US20100203450A1 (en) * 2009-02-11 2010-08-12 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and methods of use
US8883407B2 (en) 2009-06-12 2014-11-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Coating compositions suitable for use with an overcoated photoresist
US8227307B2 (en) * 2009-06-24 2012-07-24 International Business Machines Corporation Method for removing threshold voltage adjusting layer with external acid diffusion process
US8632948B2 (en) * 2009-09-30 2014-01-21 Az Electronic Materials Usa Corp. Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US20110086312A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Dammel Ralph R Positive-Working Photoimageable Bottom Antireflective Coating
US8460851B2 (en) * 2010-01-14 2013-06-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
TWI513678B (zh) 2010-06-29 2015-12-21 Sumitomo Chemical Co 鹽、酸產生劑及光阻組成物
US20120040288A1 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 Microchem Corp. Epoxy formulations with controllable photospeed
JP6049250B2 (ja) * 2010-11-30 2016-12-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ 光酸発生剤
JP5906787B2 (ja) 2011-03-08 2016-04-20 住友化学株式会社 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5886696B2 (ja) 2011-07-19 2016-03-16 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5990041B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-07 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP5985898B2 (ja) 2011-07-19 2016-09-06 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2013174660A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置および液晶表示装置
JP5856991B2 (ja) 2012-05-21 2016-02-10 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物、ネガ型化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法
US10248020B2 (en) * 2012-12-28 2019-04-02 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Acid generators and photoresists comprising same
JP5789705B2 (ja) * 2014-06-16 2015-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
JP2018109701A (ja) 2017-01-04 2018-07-12 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR102656042B1 (ko) * 2018-03-08 2024-04-11 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물 및 그의 제조 방법 그리고 레지스트 패턴 형성 방법
US11820735B2 (en) * 2018-04-12 2023-11-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt, acid generator, resist composition and method for producing resist pattern
SG11202011800YA (en) * 2018-06-22 2021-01-28 Merck Patent Gmbh A photoresist composition, a method for manufacturing a photoresist coating, etched photoresist coating, and etched si containing layer(s), and manufacturing a device using thereof
JP7344108B2 (ja) 2019-01-08 2023-09-13 信越化学工業株式会社 レジスト組成物、及びパターン形成方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02309358A (ja) * 1989-05-24 1990-12-25 Nippon Paint Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
US5322765A (en) 1991-11-22 1994-06-21 International Business Machines Corporation Dry developable photoresist compositions and method for use thereof
JPH06130666A (ja) * 1992-10-16 1994-05-13 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト組成物
US5374500A (en) 1993-04-02 1994-12-20 International Business Machines Corporation Positive photoresist composition containing photoacid generator and use thereof
JP3568599B2 (ja) * 1993-12-28 2004-09-22 富士通株式会社 放射線感光材料及びパターン形成方法
JP2715881B2 (ja) * 1993-12-28 1998-02-18 日本電気株式会社 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
JPH07219216A (ja) 1994-01-31 1995-08-18 Nippon Kayaku Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いるパターン形成法
JP3573358B2 (ja) 1994-02-25 2004-10-06 クラリアント インターナショナル リミテッド 放射線感応性組成物
US5663035A (en) 1994-04-13 1997-09-02 Hoechst Japan Limited Radiation-sensitive mixture comprising a basic iodonium compound
JP3290303B2 (ja) * 1994-07-04 2002-06-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US5532106A (en) 1994-08-31 1996-07-02 Cornell Research Foundation, Inc. Positive-tone photoresist containing diester dissolution inhibitors
JP2942167B2 (ja) * 1994-09-02 1999-08-30 和光純薬工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
US5558971A (en) * 1994-09-02 1996-09-24 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Resist material
JP3399141B2 (ja) * 1995-03-07 2003-04-21 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
TW477913B (en) * 1995-11-02 2002-03-01 Shinetsu Chemical Co Sulfonium salts and chemically amplified positive resist compositions
JP3591549B2 (ja) * 1995-11-02 2004-11-24 信越化学工業株式会社 新規ヨ−ドニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3918880B2 (ja) * 1995-11-02 2007-05-23 信越化学工業株式会社 新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
DE69628996T2 (de) 1995-12-21 2004-04-22 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymerzusammensetzung und Rezistmaterial
JP3409619B2 (ja) * 1995-12-21 2003-05-26 和光純薬工業株式会社 ポリマー組成物及びこれを含んで成るレジスト材料
US5731364A (en) 1996-01-24 1998-03-24 Shipley Company, L.L.C. Photoimageable compositions comprising multiple arylsulfonium photoactive compounds
US5942367A (en) * 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
JPH1097075A (ja) * 1996-06-07 1998-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP3623058B2 (ja) * 1996-06-13 2005-02-23 和光純薬工業株式会社 新規ポリマー及びこれを用いたレジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
JP3679206B2 (ja) 1996-09-20 2005-08-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、それを用いた多層レジスト材料及びレジストパターン形成方法
JP3679205B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US5939236A (en) * 1997-02-07 1999-08-17 Shipley Company, L.L.C. Antireflective coating compositions comprising photoacid generators
JP3674243B2 (ja) * 1997-05-21 2005-07-20 Ｊｓｒ株式会社 レジストパターン形成方法
JPH1124273A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
KR100551653B1 (ko) 1997-08-18 2006-05-25 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성수지조성물
US6037107A (en) * 1997-08-28 2000-03-14 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
KR19990036901A (ko) 1997-10-08 1999-05-25 카나가와 치히로 폴리스티렌계 고분자 화합물, 화학증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR100489576B1 (ko) 1997-10-08 2005-12-21 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
IT1295307B1 (it) 1997-10-10 1999-05-04 Niarb S A Finitrice per la posa in opera dei conglomerati bituminosi munita di un rasatore estensibile perfezionato
EP0955562A1 (de) 1998-05-07 1999-11-10 Siemens Aktiengesellschaft Chemisch verstärkter Resist
JP3743187B2 (ja) 1998-05-08 2006-02-08 住友化学株式会社 フォトレジスト組成物
US6280911B1 (en) 1998-09-10 2001-08-28 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of ionic and non-ionic photoacid generators

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Publication Publication Date Title
BE2016C018I2 (enExample)
BE2014C009I2 (enExample)
BE2013C048I2 (enExample)
BE2012C026I2 (enExample)
BE2010C008I2 (enExample)
BRPI0112928B8 (enExample)
BE2010C040I2 (enExample)
BRPI0113372A8 (enExample)
BY5768C1 (enExample)
IN191624B (enExample)
CN3138718S (enExample)
CN3141409S (enExample)
AU2002213435A8 (enExample)
CL45687B (enExample)
CN3133795S (enExample)
CN3134619S (enExample)
CN3134731S (enExample)
CN3135489S (enExample)
CN3135563S (enExample)
CN3135585S (enExample)
CN3135639S (enExample)
CN3135640S (enExample)
CN3135921S (enExample)
CN3137476S (enExample)
AU2000276780A8 (enExample)