JP2000239831A - 真空蒸着用ルツボ装置 - Google Patents
真空蒸着用ルツボ装置Info
- Publication number
- JP2000239831A JP2000239831A JP11047453A JP4745399A JP2000239831A JP 2000239831 A JP2000239831 A JP 2000239831A JP 11047453 A JP11047453 A JP 11047453A JP 4745399 A JP4745399 A JP 4745399A JP 2000239831 A JP2000239831 A JP 2000239831A
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- heater
- vacuum evaporation
- container
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱応答性の良好なものとし、少ない消費電力
で熱効率を高め、レート制御も容易に行えて均一な薄膜
形成を図れる真空蒸着用のルツボ装置を構成する。 【解決手段】 上部が開放された有底筒形のルツボ容器
１と、ルツボ容器１の外周に組付け配置する加熱ヒータ
２とを備え、ルツボ容器１を熱伝導性の良好なセラミッ
ク材料で形成すると共に、フレキシブルな薄膜状の加熱
ヒータ２をルツボ容器１の外周に直巻きした直接加熱型
のものに組み立てる。
で熱効率を高め、レート制御も容易に行えて均一な薄膜
形成を図れる真空蒸着用のルツボ装置を構成する。 【解決手段】 上部が開放された有底筒形のルツボ容器
１と、ルツボ容器１の外周に組付け配置する加熱ヒータ
２とを備え、ルツボ容器１を熱伝導性の良好なセラミッ
ク材料で形成すると共に、フレキシブルな薄膜状の加熱
ヒータ２をルツボ容器１の外周に直巻きした直接加熱型
のものに組み立てる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着用の炉内
で蒸発源として薄膜形成用の金属材料を収容装備するの
に用いられるルツボ装置の改良に関するものである。
で蒸発源として薄膜形成用の金属材料を収容装備するの
に用いられるルツボ装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の蒸着用ルツボ装置は、
図３，４で示すような上部が開放された有底筒形のルツ
ボ容器１０と、そのルツボ容器１０の外周に組付け配置
する加熱ヒータ１１とを備えて組み立てられている。
図３，４で示すような上部が開放された有底筒形のルツ
ボ容器１０と、そのルツボ容器１０の外周に組付け配置
する加熱ヒータ１１とを備えて組み立てられている。
【０００３】従来、その真空蒸着用のルツボ装置はグラ
ファイトで形成したルツボ容器１０を備え、加熱ヒータ
として巻き線状のシースヒータ１１をヒータホルダー１
２で保持することによりルツボ容器１０の外周に嵌挿
し、更に、熱反射筒１３を最外周に組み付けて構成され
ている。
ファイトで形成したルツボ容器１０を備え、加熱ヒータ
として巻き線状のシースヒータ１１をヒータホルダー１
２で保持することによりルツボ容器１０の外周に嵌挿
し、更に、熱反射筒１３を最外周に組み付けて構成され
ている。
【０００４】その真空蒸着用のルツボ装置はシースヒー
タによる間接加熱型のものであり、消費電力の割りには
熱応答性乃至は熱効率が悪い。このため、レート制御
(温度制御)が難しく、材料効率が悪くて膜厚管理も難し
いところから製品にバラ付きが生じ易い。
タによる間接加熱型のものであり、消費電力の割りには
熱応答性乃至は熱効率が悪い。このため、レート制御
(温度制御)が難しく、材料効率が悪くて膜厚管理も難し
いところから製品にバラ付きが生じ易い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱応答性の
良好なものとし、少ない消費電力で熱効率を高め、レー
ト制御も容易に行えて均一な薄膜形成を図れる真空蒸着
用のルツボ装置を提供することを目的とする。
良好なものとし、少ない消費電力で熱効率を高め、レー
ト制御も容易に行えて均一な薄膜形成を図れる真空蒸着
用のルツボ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決する手段】本発明の請求項１に係る真空蒸
着用ルツボ装置においては、上部が開放された有底筒形
のルツボ容器と、ルツボ容器の外周に組付け配置する加
熱ヒータとを備え、ルツボ容器を熱伝導性の良好なセラ
ミック材料で形成すると共に、フレキシブルな薄膜状の
加熱ヒータをルツボ容器の外周に直巻きした直接加熱型
に組み立てることにより構成されている。
着用ルツボ装置においては、上部が開放された有底筒形
のルツボ容器と、ルツボ容器の外周に組付け配置する加
熱ヒータとを備え、ルツボ容器を熱伝導性の良好なセラ
ミック材料で形成すると共に、フレキシブルな薄膜状の
加熱ヒータをルツボ容器の外周に直巻きした直接加熱型
に組み立てることにより構成されている。
【０００７】本発明の請求項２に係る真空蒸着用ルツボ
装置においては、窒化ホウ素，窒化アルミ，炭化シリコ
ンのいずれかのセラミック材料で形成したルツボ容器を
備えることにより構成されている。
装置においては、窒化ホウ素，窒化アルミ，炭化シリコ
ンのいずれかのセラミック材料で形成したルツボ容器を
備えることにより構成されている。
【０００８】本発明の請求項３に係る真空蒸着用ルツボ
装置においては、薄膜状のステンレスヒータをルツボ容
器の外周に直巻きすることにより構成されている。
装置においては、薄膜状のステンレスヒータをルツボ容
器の外周に直巻きすることにより構成されている。
【０００９】本発明の請求項４に係る真空蒸着用ルツボ
装置においては、熱伝導率の低い石英ガラスの絶縁膜を
ルツボ容器に直巻きした加熱ヒータに被せることにより
構成されている。
装置においては、熱伝導率の低い石英ガラスの絶縁膜を
ルツボ容器に直巻きした加熱ヒータに被せることにより
構成されている。
【００１０】本発明の請求項５に係る真空蒸着用ルツボ
装置においては、装置全体を外回りから緊締バンドで締
付け固定することにより構成されている。
装置においては、装置全体を外回りから緊締バンドで締
付け固定することにより構成されている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照して説明
すれば、図示実施の真空蒸着用ルツボ装置は上部が開放
された有底筒形のルツボ容器１と、ルツボ容器１の外周
に組付け配置する加熱ヒータ２とを備えて熱応答性の良
好なものに構成することを主眼とし、ルツボ容器１を熱
伝導性の良好なセラミック材料で形成すると共に、フレ
キシブルな薄膜の加熱ヒータ２をルツボ容器１の外周に
直巻きすることにより直接加熱型のものに構成されてい
る。
すれば、図示実施の真空蒸着用ルツボ装置は上部が開放
された有底筒形のルツボ容器１と、ルツボ容器１の外周
に組付け配置する加熱ヒータ２とを備えて熱応答性の良
好なものに構成することを主眼とし、ルツボ容器１を熱
伝導性の良好なセラミック材料で形成すると共に、フレ
キシブルな薄膜の加熱ヒータ２をルツボ容器１の外周に
直巻きすることにより直接加熱型のものに構成されてい
る。
【００１２】そのルツボ容器１は、窒化ホウ素，窒化ア
ルミ，炭化シリコンのいずれかのセラミック材料で形成
することにより熱伝導率を５０Ｗ／ｍＫ以上と良好なも
のに形成できる。加熱ヒータ２としては防錆性を有する
ステンレスヒータを用いるとよく、このステンレスヒー
タはフレキシブルな薄膜状のものとしてルツボ容器１の
外周に緊密に直巻きできる。
ルミ，炭化シリコンのいずれかのセラミック材料で形成
することにより熱伝導率を５０Ｗ／ｍＫ以上と良好なも
のに形成できる。加熱ヒータ２としては防錆性を有する
ステンレスヒータを用いるとよく、このステンレスヒー
タはフレキシブルな薄膜状のものとしてルツボ容器１の
外周に緊密に直巻きできる。
【００１３】このように構成する真空蒸着用ルツボ装置
では、ルツボ容器１それ自体を熱伝導率の高い材質のも
ので形成すると共に、加熱ヒータ２をルツボ容器１の外
周に緊密に直巻きする直接加熱型のものに組み立てられ
ている。これにより、熱応答性が良好で少ない消費電力
により熱効率を高め、レート制御も容易に行えるため、
均一な薄膜形成を確実に行えるよう構成できる。
では、ルツボ容器１それ自体を熱伝導率の高い材質のも
ので形成すると共に、加熱ヒータ２をルツボ容器１の外
周に緊密に直巻きする直接加熱型のものに組み立てられ
ている。これにより、熱応答性が良好で少ない消費電力
により熱効率を高め、レート制御も容易に行えるため、
均一な薄膜形成を確実に行えるよう構成できる。
【００１４】その各部の構成に加えて、熱伝導率の低い
石英ガラスの絶縁膜３を加熱ヒータ２に被せるとよい。
この絶縁膜３は加熱ヒータ２の絶縁性を保つと共に、石
英ガラスの材質から熱伝導率を低くしかも熱容量を低く
抑えられるため、直接加熱型の加熱ヒータ２によるルツ
ボ容器１の熱応答性乃至は熱効率をより高められるよう
構成できる。
石英ガラスの絶縁膜３を加熱ヒータ２に被せるとよい。
この絶縁膜３は加熱ヒータ２の絶縁性を保つと共に、石
英ガラスの材質から熱伝導率を低くしかも熱容量を低く
抑えられるため、直接加熱型の加熱ヒータ２によるルツ
ボ容器１の熱応答性乃至は熱効率をより高められるよう
構成できる。
【００１５】その絶縁膜３は、薄膜状の加熱ヒータ２を
巻装したルツボ容器１の外周に対する組付け性から二分
割程度に分割形成した筒形のものを用いるとよい。ま
た、この絶縁膜３で被覆することから、電流の導入部と
してステンレスヒータの端末を端子２ａ，２ｂとして絶
縁膜３の外方に折曲げ突出させればよい。
巻装したルツボ容器１の外周に対する組付け性から二分
割程度に分割形成した筒形のものを用いるとよい。ま
た、この絶縁膜３で被覆することから、電流の導入部と
してステンレスヒータの端末を端子２ａ，２ｂとして絶
縁膜３の外方に折曲げ突出させればよい。
【００１６】その絶縁膜３を組み付けて、装置全体は外
回りから緊締バンド４で締付け固定するとよい。この緊
締バンド４としては、防錆性を有するステンレスバンド
を用いるのがよい。その緊締バンド４により、真空蒸着
用ルツボ装置としてユニット化できると共に、薄膜の加
熱ヒータ２並びに絶縁膜３を緊密に密着できるから各部
機能をより効果的に発揮することができる。
回りから緊締バンド４で締付け固定するとよい。この緊
締バンド４としては、防錆性を有するステンレスバンド
を用いるのがよい。その緊締バンド４により、真空蒸着
用ルツボ装置としてユニット化できると共に、薄膜の加
熱ヒータ２並びに絶縁膜３を緊密に密着できるから各部
機能をより効果的に発揮することができる。
【００１７】その他に、膜厚モニター，温度制御器，ヒ
ータコントローラ等を装備し、真空炉の炉内に挿置され
るワークの下方に配置させて電流を導入すると共に、膜
厚モニターの情報に基づいて加熱ヒータを制御すること
により蒸着膜厚をコントロールすることができる。
ータコントローラ等を装備し、真空炉の炉内に挿置され
るワークの下方に配置させて電流を導入すると共に、膜
厚モニターの情報に基づいて加熱ヒータを制御すること
により蒸着膜厚をコントロールすることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上の如く、本発明の請求項１に係る真
空蒸着用ルツボ装置に依れば、ルツボ容器を熱伝導性の
良好なセラミック材料で形成すると共に、フレキシブル
な薄膜状の加熱ヒータをルツボ容器の外周に直巻きした
直接加熱型のものに組み立てるため、熱応答性が良好で
少ない消費電力により熱効率を高め、レート制御も容易
に行えて均一な薄膜形成を確実に行えるよう構成でき
る。
空蒸着用ルツボ装置に依れば、ルツボ容器を熱伝導性の
良好なセラミック材料で形成すると共に、フレキシブル
な薄膜状の加熱ヒータをルツボ容器の外周に直巻きした
直接加熱型のものに組み立てるため、熱応答性が良好で
少ない消費電力により熱効率を高め、レート制御も容易
に行えて均一な薄膜形成を確実に行えるよう構成でき
る。
【００１９】本発明の請求項２に係る真空蒸着用ルツボ
装置に依れば、窒化ホウ素，窒化アルミ，炭化シリコン
のいずれかのセラミック材料で形成したルツボ容器を備
えることにより、熱伝導率を５０Ｗ／ｍＫ以上のルツボ
容器を備えて熱応答性の良好なものに構成できる。
装置に依れば、窒化ホウ素，窒化アルミ，炭化シリコン
のいずれかのセラミック材料で形成したルツボ容器を備
えることにより、熱伝導率を５０Ｗ／ｍＫ以上のルツボ
容器を備えて熱応答性の良好なものに構成できる。
【００２０】本発明の請求項３に係る真空蒸着用ルツボ
装置に依れば、薄膜のステンレスヒータをルツボ容器の
外周に直巻きすることにより、錆が発生しない加熱ヒー
タとしてルツボ容器の外周に緊密に直巻きでき、熱伝導
率乃至は熱応答性のより良好なものに構成できる。
装置に依れば、薄膜のステンレスヒータをルツボ容器の
外周に直巻きすることにより、錆が発生しない加熱ヒー
タとしてルツボ容器の外周に緊密に直巻きでき、熱伝導
率乃至は熱応答性のより良好なものに構成できる。
【００２１】本発明の請求項４に係る真空蒸着用ルツボ
装置に依れば、熱伝導率の低い石英ガラスの絶縁膜を加
熱ヒータに被せることにより、石英ガラスの材質から熱
伝導率を低くしかも熱容量を低く抑え、直接加熱型の加
熱ヒータによるルツボ容器の熱応答性乃至は熱効率をよ
り高めるよう構成できる。
装置に依れば、熱伝導率の低い石英ガラスの絶縁膜を加
熱ヒータに被せることにより、石英ガラスの材質から熱
伝導率を低くしかも熱容量を低く抑え、直接加熱型の加
熱ヒータによるルツボ容器の熱応答性乃至は熱効率をよ
り高めるよう構成できる。
【００２２】本発明の請求項５に係る真空蒸着用ルツボ
装置に依れば、装置全体を外回りから緊締バンドで締付
け固定することにより、薄膜状の加熱ヒータ，絶縁膜を
緊密に密着させられて各部機能をより効果的に発揮させ
られるよう構成できる。
装置に依れば、装置全体を外回りから緊締バンドで締付
け固定することにより、薄膜状の加熱ヒータ，絶縁膜を
緊密に密着させられて各部機能をより効果的に発揮させ
られるよう構成できる。
【図１】本発明に係る真空蒸着用のルツボ装置を示す側
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る真空蒸着用のルツボ装置を各構成
部に分解させて示す説明図である。
部に分解させて示す説明図である。
【図３】本発明に係る真空蒸着用のルツボ装置を側断面
で部分的に拡大させて示す説明図である。
で部分的に拡大させて示す説明図である。
【図４】従来例に係る真空蒸着用のルツボ装置を示す側
断面図である。
断面図である。
【図５】従来例に係る真空蒸着用のルツボ装置を各構成
部に分解させて示す説明図である。
部に分解させて示す説明図である。
１ ルツボ容器 ２ 薄膜状の加熱ヒータ ３ 絶縁膜 ４ 緊締バンド
Claims (5)
- 【請求項１】 真空蒸着による薄膜形成用の金属材料を
収容するルツボ装置であって、上部が開放された有底筒
形のルツボ容器と、ルツボ容器の外周に組付け配置する
加熱ヒータとを備え、ルツボ容器を熱伝導性の良好なセ
ラミック材料で形成すると共に、フレキシブルな薄膜状
の加熱ヒータをルツボ容器の外周に直巻きした直接加熱
型に組み立ててなることを特徴とする真空蒸着用ルツボ
装置。 - 【請求項２】 窒化ホウ素，窒化アルミ，炭化シリコン
のいずれかのセラミック材料で形成したルツボ容器を備
えてなることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着用
ルツボ装置。 - 【請求項３】 薄膜状のステンレスヒータをルツボ容器
の外周に直巻きしてなることを特徴とする請求項１また
は２に記載の真空蒸着用ルツボ装置。 - 【請求項４】 熱伝導率の低い石英ガラスの絶縁膜をル
ツボ容器に直巻きした加熱ヒータに被せてなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の真空蒸着用ル
ツボ装置。 - 【請求項５】 装置全体を外回りから緊締バンドで締付
け固定してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
かに記載の真空蒸着用ルツボ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047453A JP2000239831A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 真空蒸着用ルツボ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11047453A JP2000239831A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 真空蒸着用ルツボ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239831A true JP2000239831A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=12775582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11047453A Withdrawn JP2000239831A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 真空蒸着用ルツボ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000239831A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006111965A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Shinku:Kk | 有機材料蒸発源及びこれを用いた蒸着装置 |
| JP2010015694A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 有機ｅｌの成膜装置および蒸着装置 |
| KR101241071B1 (ko) * | 2003-07-31 | 2013-03-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착 용기 및 기상 증착 장치 |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11047453A patent/JP2000239831A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101241071B1 (ko) * | 2003-07-31 | 2013-03-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착 용기 및 기상 증착 장치 |
| JP2006111965A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Shinku:Kk | 有機材料蒸発源及びこれを用いた蒸着装置 |
| JP4584087B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-11-17 | 株式会社昭和真空 | 有機材料蒸発源及びこれを用いた蒸着装置 |
| JP2010015694A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 有機ｅｌの成膜装置および蒸着装置 |
| KR101088828B1 (ko) * | 2008-07-01 | 2011-12-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ의 성막 장치 및 증착 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060509 |