JP2000223901A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチInfo
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- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J7/00—Automatic frequency control; Automatic scanning over a band of frequencies
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で性能の優れた高周波スイッチを提供す
る。 【解決手段】 送信端子Ｔｘには、ダイオードＤ１１の
カソードが接続されている。ダイオードＤ１１のカソー
ドは、伝送線路１２を介してグランドに接地している。
ダイオードＤ１１のアノードは、アンテナ端子ＡＮＴに
接続している。アンテナ端子ＡＮＴは、伝送線路１３を
介して受信端子Ｒｘに接続している。受信端子Ｒｘに
は、ダイオードＤ１２のカソードが接続している。ダイ
オードＤ１２のアノードは、コンデンサＣ１２を介して
グランドに接地している。
る。 【解決手段】 送信端子Ｔｘには、ダイオードＤ１１の
カソードが接続されている。ダイオードＤ１１のカソー
ドは、伝送線路１２を介してグランドに接地している。
ダイオードＤ１１のアノードは、アンテナ端子ＡＮＴに
接続している。アンテナ端子ＡＮＴは、伝送線路１３を
介して受信端子Ｒｘに接続している。受信端子Ｒｘに
は、ダイオードＤ１２のカソードが接続している。ダイ
オードＤ１２のアノードは、コンデンサＣ１２を介して
グランドに接地している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波スイッチ、
特に、移動体通信機器等に組み込まれて用いられる高周
波スイッチに関する。
特に、移動体通信機器等に組み込まれて用いられる高周
波スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波スイッチは、一般的には、デジタ
ル携帯電話等において送信回路と受信回路とを切り換え
るために用いられる。図６は、従来の高周波スイッチ１
を示す電気回路図である。送信端子Ｔｘにはダイオード
Ｄ１のアノードが接続されている。ダイオードＤ１のア
ノードは、伝送線路２及びコンデンサＣ１の直列回路を
介し、グランドに接地している。伝送線路２とコンデン
サＣ１との中間接続点には、抵抗Ｒａを介して電圧制御
端子Ｖｃ１が接続している。ダイオードＤ１のカソード
は、アンテナ端子ＡＮＴに接続している。
ル携帯電話等において送信回路と受信回路とを切り換え
るために用いられる。図６は、従来の高周波スイッチ１
を示す電気回路図である。送信端子Ｔｘにはダイオード
Ｄ１のアノードが接続されている。ダイオードＤ１のア
ノードは、伝送線路２及びコンデンサＣ１の直列回路を
介し、グランドに接地している。伝送線路２とコンデン
サＣ１との中間接続点には、抵抗Ｒａを介して電圧制御
端子Ｖｃ１が接続している。ダイオードＤ１のカソード
は、アンテナ端子ＡＮＴに接続している。
【０００３】アンテナ端子ＡＮＴには、伝送線路３を介
して受信端子Ｒｘが接続している。さらに、受信端子Ｒ
ｘには、ダイオードＤ２のアノードが接続している。ダ
イオードＤ２のカソードは、グランドに接地している。
ここに、伝送線路２とグランドとの間に接続されるバイ
アスカット用コンデンサＣ１は、大容量のもの（１ＧＨ
ｚ付近で４７ｐＦ程度、２ＧＨｚ付近で２２ｐＦ程度）
である。
して受信端子Ｒｘが接続している。さらに、受信端子Ｒ
ｘには、ダイオードＤ２のアノードが接続している。ダ
イオードＤ２のカソードは、グランドに接地している。
ここに、伝送線路２とグランドとの間に接続されるバイ
アスカット用コンデンサＣ１は、大容量のもの（１ＧＨ
ｚ付近で４７ｐＦ程度、２ＧＨｚ付近で２２ｐＦ程度）
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波スイッチ
１は、伝送線路２とグランドとの間に接続されるバイア
スカット用コンデンサＣ１として、大容量のものが必要
であるため、コンデンサＣ１のサイズが大きく、高周波
スイッチ１の小型化を妨げていた。
１は、伝送線路２とグランドとの間に接続されるバイア
スカット用コンデンサＣ１として、大容量のものが必要
であるため、コンデンサＣ１のサイズが大きく、高周波
スイッチ１の小型化を妨げていた。
【０００５】また、高周波スイッチ１において、送信端
子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとが接続しているとき、ア
ンテナ端子ＡＮＴと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーシ
ョンを確保する必要がある。このアイソレーションが悪
いと、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入
損失が大きくなるからである。
子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとが接続しているとき、ア
ンテナ端子ＡＮＴと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーシ
ョンを確保する必要がある。このアイソレーションが悪
いと、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入
損失が大きくなるからである。
【０００６】そこで、本発明の目的は、小型で性能の優
れた高周波スイッチを提供することにある。
れた高周波スイッチを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するために、本発明に係る高周波スイッチは、（ａ）送
信端子、アンテナ端子、受信端子及び電圧制御端子と、
（ｂ）前記送信端子にカソードが電気的に接続され、前
記アンテナ端子にアノードが電気的に接続された第１の
ダイオードと、（ｃ）前記アンテナ端子と前記受信端子
との間に電気的に接続された第１の伝送線路と、（ｄ）
前記受信端子にカソードが電気的に接続され、前記電圧
制御端子にアノードが電気的に接続された第２のダイオ
ードと、（ｅ）前記送信端子に一端が電気的に接続され
ると共に、他端がグランドに接地された第２の伝送線路
と、（ｆ）前記電圧制御端子とグランドとの間に電気的
に接続されたコンデンサと、を備えたことを特徴とす
る。
するために、本発明に係る高周波スイッチは、（ａ）送
信端子、アンテナ端子、受信端子及び電圧制御端子と、
（ｂ）前記送信端子にカソードが電気的に接続され、前
記アンテナ端子にアノードが電気的に接続された第１の
ダイオードと、（ｃ）前記アンテナ端子と前記受信端子
との間に電気的に接続された第１の伝送線路と、（ｄ）
前記受信端子にカソードが電気的に接続され、前記電圧
制御端子にアノードが電気的に接続された第２のダイオ
ードと、（ｅ）前記送信端子に一端が電気的に接続され
ると共に、他端がグランドに接地された第２の伝送線路
と、（ｆ）前記電圧制御端子とグランドとの間に電気的
に接続されたコンデンサと、を備えたことを特徴とす
る。
【０００８】以上の構成により、送信端子側に接続され
ていた従来の大容量コンデンサが不要になり、受信端子
側に接続される小容量コンデンサだけですむようにな
る。従って、高周波スイッチの小型化が図れる。
ていた従来の大容量コンデンサが不要になり、受信端子
側に接続される小容量コンデンサだけですむようにな
る。従って、高周波スイッチの小型化が図れる。
【０００９】また、本発明に係る高周波スイッチは、複
数の誘電体層と、第１及び第２の伝送線路と、コンデン
サのコンデンサ電極とグランド電極とを積層して構成し
た積層体の表面に、送信端子と受信端子とアンテナ端子
と電圧制御端子とをそれぞれ設けると共に、第１及び第
２のダイオードをそれぞれ搭載したことを特徴とする。
コンデンサは、積層体に内蔵される代わりに、積層体の
表面に搭載されていてもよい。
数の誘電体層と、第１及び第２の伝送線路と、コンデン
サのコンデンサ電極とグランド電極とを積層して構成し
た積層体の表面に、送信端子と受信端子とアンテナ端子
と電圧制御端子とをそれぞれ設けると共に、第１及び第
２のダイオードをそれぞれ搭載したことを特徴とする。
コンデンサは、積層体に内蔵される代わりに、積層体の
表面に搭載されていてもよい。
【００１０】以上の構成により、一つの部品内に必要な
回路が内蔵された積層構造の高周波スイッチが得られ
る。
回路が内蔵された積層構造の高周波スイッチが得られ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波スイッ
チの実施形態について添付図面を参照して説明する。
チの実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図３］図１は、本
発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図であ
る。送信端子Ｔｘには、スイッチング素子であるダイオ
ードＤ１１のカソードが接続されている。ダイオードＤ
１１のカソードは、伝送線路１２を介してグランドに接
地している。伝送線路１２は、チョーク素子として機能
する。さらに、ダイオードＤ１１のアノードは、アンテ
ナ端子ＡＮＴに接続している。
発明に係る高周波スイッチの一例を示す電気回路図であ
る。送信端子Ｔｘには、スイッチング素子であるダイオ
ードＤ１１のカソードが接続されている。ダイオードＤ
１１のカソードは、伝送線路１２を介してグランドに接
地している。伝送線路１２は、チョーク素子として機能
する。さらに、ダイオードＤ１１のアノードは、アンテ
ナ端子ＡＮＴに接続している。
【００１３】アンテナ端子ＡＮＴには、伝送線路１３を
介して受信端子Ｒｘが接続している。さらに、受信端子
Ｒｘには、ダイオードＤ１２のカソードが接続してい
る。ダイオードＤ１２のアノードは、バイアスカット用
コンデンサＣ１２を介してグランドに接地している。ダ
イオードＤ１２とコンデンサＣ１２との中間接続点に
は、抵抗Ｒ１１を介して電圧制御端子Ｖｃが接続してい
る。この電圧制御端子Ｖｃには、高周波スイッチ２１の
伝送路を切り換えるためのコントロール回路が接続され
る。
介して受信端子Ｒｘが接続している。さらに、受信端子
Ｒｘには、ダイオードＤ１２のカソードが接続してい
る。ダイオードＤ１２のアノードは、バイアスカット用
コンデンサＣ１２を介してグランドに接地している。ダ
イオードＤ１２とコンデンサＣ１２との中間接続点に
は、抵抗Ｒ１１を介して電圧制御端子Ｖｃが接続してい
る。この電圧制御端子Ｖｃには、高周波スイッチ２１の
伝送路を切り換えるためのコントロール回路が接続され
る。
【００１４】ダイオードＤ１１の両端（アノード・カソ
ード間）には、伝送線路１４及びコンデンサＣ１３の直
列回路が接続している。伝送線路１４及びコンデンサＣ
１３は、ダイオードＤ１１がＯＦＦ状態のときのアイソ
レーションを良くするためのものである。
ード間）には、伝送線路１４及びコンデンサＣ１３の直
列回路が接続している。伝送線路１４及びコンデンサＣ
１３は、ダイオードＤ１１がＯＦＦ状態のときのアイソ
レーションを良くするためのものである。
【００１５】ここに、伝送線路１２，１３として、特性
インピーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるい
は、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場
合、伝送線路１２，１３の線路長は、λ／１２以上λ／
４以下（λ：所望周波数の波長）の範囲に設定される。
伝送線路１４も、分布定数線路や高周波インダクタが使
用される。また、端子Ｔｘ，ＡＮＴ，Ｒｘとグランドと
の間にそれぞれ発生する浮遊容量Ｃｆ１，Ｃｆ２，Ｃｆ
３は、インピーダンス整合のためのバイパスコンデンサ
として機能させることができる。
インピーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるい
は、高周波インダクタが使用される。分布定数線路の場
合、伝送線路１２，１３の線路長は、λ／１２以上λ／
４以下（λ：所望周波数の波長）の範囲に設定される。
伝送線路１４も、分布定数線路や高周波インダクタが使
用される。また、端子Ｔｘ，ＡＮＴ，Ｒｘとグランドと
の間にそれぞれ発生する浮遊容量Ｃｆ１，Ｃｆ２，Ｃｆ
３は、インピーダンス整合のためのバイパスコンデンサ
として機能させることができる。
【００１６】次に、この高周波スイッチ２１を用いての
送受信について説明する。電圧制御端子Ｖｃに正電位を
印加した場合、この電圧は、ダイオードＤ１１，Ｄ１２
に対して順方向のバイアス電圧として働く。従って、ダ
イオードＤ１１，Ｄ１２はＯＮ状態となる。このとき、
コンデンサＣ１２によって直流分がカットされ、ダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２を含む回路に電圧制御端子Ｖｃに供
給された電圧が印加される。
送受信について説明する。電圧制御端子Ｖｃに正電位を
印加した場合、この電圧は、ダイオードＤ１１，Ｄ１２
に対して順方向のバイアス電圧として働く。従って、ダ
イオードＤ１１，Ｄ１２はＯＮ状態となる。このとき、
コンデンサＣ１２によって直流分がカットされ、ダイオ
ードＤ１１，Ｄ１２を含む回路に電圧制御端子Ｖｃに供
給された電圧が印加される。
【００１７】この結果、送信端子Ｔｘに入った送信信号
は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ端子ＡＮＴに伝送
される。このとき、送信信号は受信端子Ｒｘに殆ど伝送
されない。ダイオードＤ１２がＯＮ状態のときの自身が
有するインダクタンスとコンデンサＣ１２の容量が送信
周波数で直列共振し、インピーダンスが０となるからで
ある。つまり、伝送線路１２，１３はλ／４のショート
スタブとして動作するため、送信端子Ｔｘとアンテナ端
子ＡＮＴが接続され、受信端子Ｒｘはグランドに接地さ
れる。
は、ダイオードＤ１１を経てアンテナ端子ＡＮＴに伝送
される。このとき、送信信号は受信端子Ｒｘに殆ど伝送
されない。ダイオードＤ１２がＯＮ状態のときの自身が
有するインダクタンスとコンデンサＣ１２の容量が送信
周波数で直列共振し、インピーダンスが０となるからで
ある。つまり、伝送線路１２，１３はλ／４のショート
スタブとして動作するため、送信端子Ｔｘとアンテナ端
子ＡＮＴが接続され、受信端子Ｒｘはグランドに接地さ
れる。
【００１８】また、電圧制御端子Ｖｃを接地電位とした
場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＦＦ状態となる。
従って、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間が遮
断されると共に、受信端子Ｒｘとグランドとの間も遮断
される。この結果、アンテナ端子ＡＮＴに入った受信信
号は、伝送線路１３を経て受信端子Ｒｘに伝送され、送
信端子Ｔｘには殆ど伝送されない。このように、高周波
スイッチ２１は、電圧制御端子Ｖｃに印加するバイアス
電圧をコントロールすることにより、送受の信号の伝送
路を切り換えることができる。
場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＦＦ状態となる。
従って、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間が遮
断されると共に、受信端子Ｒｘとグランドとの間も遮断
される。この結果、アンテナ端子ＡＮＴに入った受信信
号は、伝送線路１３を経て受信端子Ｒｘに伝送され、送
信端子Ｔｘには殆ど伝送されない。このように、高周波
スイッチ２１は、電圧制御端子Ｖｃに印加するバイアス
電圧をコントロールすることにより、送受の信号の伝送
路を切り換えることができる。
【００１９】さらに、高周波スイッチ２１は、ダイオー
ドＤ１１，Ｄ１２のカソードとアノードを、図６に示し
た従来の高周波スイッチ１のダイオードＤ１，Ｄ２のカ
ソードとアノードの向きと逆にして接続することによ
り、従来の高周波スイッチ１が有していた大容量で大型
のバイアスカット用コンデンサＣ１や電圧制御端子Ｖｃ
１や抵抗Ｒａを不要にすることができる。つまり、高周
波スイッチ２１は、受信端子Ｒｘ側の、ダイオードＤ１
２とグランドとの間に接続された小容量で小型のコンデ
ンサＣ１２だけですむようになる。コンデンサＣ１２の
容量は、例えば１ＧＨｚ付近で１０ｐＦ、２ＧＨｚ付近
で３ｐＦである。従って、高周波スイッチ２１の小型化
を図ることができる。
ドＤ１１，Ｄ１２のカソードとアノードを、図６に示し
た従来の高周波スイッチ１のダイオードＤ１，Ｄ２のカ
ソードとアノードの向きと逆にして接続することによ
り、従来の高周波スイッチ１が有していた大容量で大型
のバイアスカット用コンデンサＣ１や電圧制御端子Ｖｃ
１や抵抗Ｒａを不要にすることができる。つまり、高周
波スイッチ２１は、受信端子Ｒｘ側の、ダイオードＤ１
２とグランドとの間に接続された小容量で小型のコンデ
ンサＣ１２だけですむようになる。コンデンサＣ１２の
容量は、例えば１ＧＨｚ付近で１０ｐＦ、２ＧＨｚ付近
で３ｐＦである。従って、高周波スイッチ２１の小型化
を図ることができる。
【００２０】また、コンデンサＣ１２の容量を調整する
ことにより、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとが接
続しているときの、アンテナ端子ＡＮＴと受信端子Ｒｘ
との間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより
大きくすることができる。この結果、送信端子Ｔｘとア
ンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入損失を低減することがで
きる。
ことにより、送信端子Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとが接
続しているときの、アンテナ端子ＡＮＴと受信端子Ｒｘ
との間のアイソレーションを従来の高周波スイッチより
大きくすることができる。この結果、送信端子Ｔｘとア
ンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入損失を低減することがで
きる。
【００２１】さらに、電圧制御端子Ｖｃは、送信時（ダ
イオードＤ１２がＯＮ状態時）はグランドにショート
し、受信時（ダイオードＤ１２がＯＦＦ状態時）はダイ
オードＤ１２の高インピーダンスで高周波信号から遮断
されるため、電圧制御端子Ｖｃに接続されるコントロー
ル回路と高周波信号とのアイソレーションを大きく確保
できる。
イオードＤ１２がＯＮ状態時）はグランドにショート
し、受信時（ダイオードＤ１２がＯＦＦ状態時）はダイ
オードＤ１２の高インピーダンスで高周波信号から遮断
されるため、電圧制御端子Ｖｃに接続されるコントロー
ル回路と高周波信号とのアイソレーションを大きく確保
できる。
【００２２】次に、図１に示した電気回路を有した、積
層型高周波スイッチの一例について、図２及び図３を参
照して説明する。図２に示すように、高周波スイッチ３
１は、分布定数線路３２ａ，３２ｂ等を設けた誘電体シ
ート４５と、広面積のグランド電極３５，３６を設けた
誘電体シート４５と、分布定数線路３３ａ，３３ｂ，３
４ａ，３４ｂを設けた誘電体シート４５と、ビアホール
付きパッド５０ａ〜５４ｂを設けた誘電体シート４５等
にて構成されている。
層型高周波スイッチの一例について、図２及び図３を参
照して説明する。図２に示すように、高周波スイッチ３
１は、分布定数線路３２ａ，３２ｂ等を設けた誘電体シ
ート４５と、広面積のグランド電極３５，３６を設けた
誘電体シート４５と、分布定数線路３３ａ，３３ｂ，３
４ａ，３４ｂを設けた誘電体シート４５と、ビアホール
付きパッド５０ａ〜５４ｂを設けた誘電体シート４５等
にて構成されている。
【００２３】分布定数線路３３ａ，３３ｂは例えば渦巻
き形状をしており、シート４５の左側に設けられてい
る。分布定数線路３３ａの引出し部４２ａはシート４５
の奥側の辺の左側に露出し、分布定数線路３３ｂの引出
し部４２ｂはシート４５の左辺に露出している。分布定
数線路３３ａ，３３ｂは、シート４５に設けたビアホー
ル５８を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１２
を形成する。
き形状をしており、シート４５の左側に設けられてい
る。分布定数線路３３ａの引出し部４２ａはシート４５
の奥側の辺の左側に露出し、分布定数線路３３ｂの引出
し部４２ｂはシート４５の左辺に露出している。分布定
数線路３３ａ，３３ｂは、シート４５に設けたビアホー
ル５８を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１２
を形成する。
【００２４】分布定数線路３４ａ，３４ｂは大略ミアン
ダ形状をしており、シート４５の右側に設けられてい
る。分布定数線路３４ａの引出し部４３ａはシート４５
の手前側の辺の中央に露出し、分布定数線路３４ｂの引
出し部４３ｂはシート４５の奥側の辺の右側に露出して
いる。分布定数線路３４ａ，３４ｂは、シート４５に設
けたビアホール５９を介して電気的に直列に接続され、
伝送線路１３を形成する。
ダ形状をしており、シート４５の右側に設けられてい
る。分布定数線路３４ａの引出し部４３ａはシート４５
の手前側の辺の中央に露出し、分布定数線路３４ｂの引
出し部４３ｂはシート４５の奥側の辺の右側に露出して
いる。分布定数線路３４ａ，３４ｂは、シート４５に設
けたビアホール５９を介して電気的に直列に接続され、
伝送線路１３を形成する。
【００２５】分布定数線路３２ａ，３２ｂは渦巻き形状
をしており、シート４５の右側に設けられている。分布
定数線路３２ａ，３２ｂは、シート４５に設けたビアホ
ール５７を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１
４を形成する。このように、一定の特性インピーダンス
を有した伝送線路１２〜１４を、それぞれ分布定数線路
３３ａ，３３ｂ、３４ａ，３４ｂ、３２ａ，３２ｂの２
層で構成することにより、１層当りの伝送線路の長さは
従来より短くてすむ。従って、シート４５のサイズを小
さくでき、プリント基板等に対する占有面積が小さい高
周波スイッチ３１が得られる。
をしており、シート４５の右側に設けられている。分布
定数線路３２ａ，３２ｂは、シート４５に設けたビアホ
ール５７を介して電気的に直列に接続され、伝送線路１
４を形成する。このように、一定の特性インピーダンス
を有した伝送線路１２〜１４を、それぞれ分布定数線路
３３ａ，３３ｂ、３４ａ，３４ｂ、３２ａ，３２ｂの２
層で構成することにより、１層当りの伝送線路の長さは
従来より短くてすむ。従って、シート４５のサイズを小
さくでき、プリント基板等に対する占有面積が小さい高
周波スイッチ３１が得られる。
【００２６】グランド電極３５，３６は、それぞれシー
ト４５の表面に広面積に設けられている。グランド電極
３５，３６の引出し部３５ａ，３６ａはシート４５の左
辺に露出し、引出し部３５ｂ，３６ｂはシート４５の右
辺に露出し、引出し部３５ｃ，３６ｃはシート４５の奥
側の辺の中央に露出し、引出し部３５ｄ，３６ｄはシー
ト４５の手前側の辺の右側に露出している。これら二つ
のグランド電極３５，３６の間に、伝送線路１２，１３
が並設されている。
ト４５の表面に広面積に設けられている。グランド電極
３５，３６の引出し部３５ａ，３６ａはシート４５の左
辺に露出し、引出し部３５ｂ，３６ｂはシート４５の右
辺に露出し、引出し部３５ｃ，３６ｃはシート４５の奥
側の辺の中央に露出し、引出し部３５ｄ，３６ｄはシー
ト４５の手前側の辺の右側に露出している。これら二つ
のグランド電極３５，３６の間に、伝送線路１２，１３
が並設されている。
【００２７】さらに、分布定数線路３２ａが設けられて
いるシート４５の表面には、引出し電極３７，３８，３
９及び中継電極４０が設けられている。引出し電極３
７，３８の一端はそれぞれシート４５の奥側の辺の左側
及び右側に露出し、引出し電極３９の一端はシート４５
の手前側の辺の左側に露出している。そして、分布定数
線路３２ａはビアホール付きパッド５２ｂに電気的に接
続され、引出し電極３７はビアホール付きパッド５０
ａ，５２ａに電気的に接続され、引出し電極３８はビア
ホール付きパッド５１ａに電気的に接続され、中継電極
４０はビアホール付きパッド５３ｂ，５４ｂ，５１ｂに
電気的に接続される。
いるシート４５の表面には、引出し電極３７，３８，３
９及び中継電極４０が設けられている。引出し電極３
７，３８の一端はそれぞれシート４５の奥側の辺の左側
及び右側に露出し、引出し電極３９の一端はシート４５
の手前側の辺の左側に露出している。そして、分布定数
線路３２ａはビアホール付きパッド５２ｂに電気的に接
続され、引出し電極３７はビアホール付きパッド５０
ａ，５２ａに電気的に接続され、引出し電極３８はビア
ホール付きパッド５１ａに電気的に接続され、中継電極
４０はビアホール付きパッド５３ｂ，５４ｂ，５１ｂに
電気的に接続される。
【００２８】分布定数線路３２ｂが設けられているシー
ト４５の表面には、引出し電極４１が設けられている。
引出し電極４１の一端はシート４５の手前側の辺の中央
に露出している。そして、引出し電極４１は分布定数線
路３２ｂに電気的に接続されると共に、ビアホール５５
を介してビアホール付きパッド５０ｂに電気的に接続さ
れる。また、ビアホール付きパッド５３ａは、シート４
５に設けたビアホール５６ａ，５６ｂを介してグランド
電極３５に電気的に接続される。
ト４５の表面には、引出し電極４１が設けられている。
引出し電極４１の一端はシート４５の手前側の辺の中央
に露出している。そして、引出し電極４１は分布定数線
路３２ｂに電気的に接続されると共に、ビアホール５５
を介してビアホール付きパッド５０ｂに電気的に接続さ
れる。また、ビアホール付きパッド５３ａは、シート４
５に設けたビアホール５６ａ，５６ｂを介してグランド
電極３５に電気的に接続される。
【００２９】以上の構成からなる各シート４５は積み重
ねられ、一体的に焼成されることにより、図３に示すよ
うに積層体６０とされる。積層体６０の奥側の側面部の
左側、中央及び右側には、それぞれ送信端子Ｔｘ、グラ
ンド端子Ｇ３及び受信端子Ｒｘが形成される。積層体６
０の手前側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞ
れ電圧制御端子Ｖｃ、アンテナ端子ＡＮＴ及びグランド
端子Ｇ４が形成される。積層体６０の左右の側面部に
は、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成される。
ねられ、一体的に焼成されることにより、図３に示すよ
うに積層体６０とされる。積層体６０の奥側の側面部の
左側、中央及び右側には、それぞれ送信端子Ｔｘ、グラ
ンド端子Ｇ３及び受信端子Ｒｘが形成される。積層体６
０の手前側の側面部の左側、中央及び右側には、それぞ
れ電圧制御端子Ｖｃ、アンテナ端子ＡＮＴ及びグランド
端子Ｇ４が形成される。積層体６０の左右の側面部に
は、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成される。
【００３０】送信端子Ｔｘは、伝送線路１２の一方の端
部（具体的には、分布定数線路３３ａの引出し部４２
ａ）と、引出し電極３７とに電気的に接続している。受
信端子Ｒｘは、伝送線路１３の一方の端部（具体的に
は、分布定数線路３４ｂの引出し部４３ｂ）と、引出し
電極３８とに電気的に接続している。アンテナ端子ＡＮ
Ｔは、伝送線路１３の他方の端部（具体的には、分布定
数線路３４ａの引出し部４３ａ）と、引出し電極４１と
に電気的に接続している。電圧制御端子Ｖｃは、引出し
電極３９に電気的に接続している。グランド端子Ｇ１
は、伝送線路１２の他方の端部（具体的には、分布定数
線路３３ｂの引出し部４２ｂ）と、グランド電極３５，
３６の引出し部３５ａ，３６ａとに電気的に接続してい
る。グランド端子Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、それぞれグラン
ド電極３５，３６の引出し部３５ｂ，３６ｂ、３５ｃ，
３６ｃ、３５ｄ，３６ｄに電気的に接続している。
部（具体的には、分布定数線路３３ａの引出し部４２
ａ）と、引出し電極３７とに電気的に接続している。受
信端子Ｒｘは、伝送線路１３の一方の端部（具体的に
は、分布定数線路３４ｂの引出し部４３ｂ）と、引出し
電極３８とに電気的に接続している。アンテナ端子ＡＮ
Ｔは、伝送線路１３の他方の端部（具体的には、分布定
数線路３４ａの引出し部４３ａ）と、引出し電極４１と
に電気的に接続している。電圧制御端子Ｖｃは、引出し
電極３９に電気的に接続している。グランド端子Ｇ１
は、伝送線路１２の他方の端部（具体的には、分布定数
線路３３ｂの引出し部４２ｂ）と、グランド電極３５，
３６の引出し部３５ａ，３６ａとに電気的に接続してい
る。グランド端子Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４は、それぞれグラン
ド電極３５，３６の引出し部３５ｂ，３６ｂ、３５ｃ，
３６ｃ、３５ｄ，３６ｄに電気的に接続している。
【００３１】さらに、積層体６０の上面のパッド５０
ａ，５０ｂにはそれぞれダイオードＤ１１のカソード電
極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５１ａ，５
１ｂにはそれぞれダイオードＤ１２のカソード電極及び
アノード電極が半田付けされ、パッド５２ａ，５２ｂに
はそれぞれコンデンサＣ１３の端子電極が半田付けさ
れ、パッド５３ａ，５３ｂにはそれぞれコンデンサＣ１
２の端子電極が半田付けされ、パッド５４ａ，５４ｂに
はそれぞれ抵抗Ｒ１１の端子電極が半田付けされる。
ａ，５０ｂにはそれぞれダイオードＤ１１のカソード電
極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５１ａ，５
１ｂにはそれぞれダイオードＤ１２のカソード電極及び
アノード電極が半田付けされ、パッド５２ａ，５２ｂに
はそれぞれコンデンサＣ１３の端子電極が半田付けさ
れ、パッド５３ａ，５３ｂにはそれぞれコンデンサＣ１
２の端子電極が半田付けされ、パッド５４ａ，５４ｂに
はそれぞれ抵抗Ｒ１１の端子電極が半田付けされる。
【００３２】こうして、図１に示した電気回路を有し
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ３１が得ら
れる。この積層型高周波スイッチ３１は、図６に示した
従来の高周波スイッチ１が有していた大容量のバイアス
カット用コンデンサＣ１を積層体６０に内蔵あるいは搭
載する必要がないので、伝送線路１２〜１４を２層で構
成しているにもかかわらず、積層体６０の層数を少なく
することができる。さらに、シート４５のサイズも小さ
くでき、高周波スイッチ３１のプリント基板等に占める
面積を小さくできる。
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ３１が得ら
れる。この積層型高周波スイッチ３１は、図６に示した
従来の高周波スイッチ１が有していた大容量のバイアス
カット用コンデンサＣ１を積層体６０に内蔵あるいは搭
載する必要がないので、伝送線路１２〜１４を２層で構
成しているにもかかわらず、積層体６０の層数を少なく
することができる。さらに、シート４５のサイズも小さ
くでき、高周波スイッチ３１のプリント基板等に占める
面積を小さくできる。
【００３３】また、図６に示した従来の高周波スイッチ
１は、伝送線路２とコンデンサＣ１との中間接続点に抵
抗Ｒａ（実装部品）が電気的に接続されていたので、配
線が複雑であった。これに対して、高周波スイッチ３１
は、伝送線路１２の一端がグランド端子Ｇ１に接続して
いるので、配線が簡素になり、積層体６０の層数の削減
や、不要結合の削減に伴う挿入損失の改善を図ることが
できる。
１は、伝送線路２とコンデンサＣ１との中間接続点に抵
抗Ｒａ（実装部品）が電気的に接続されていたので、配
線が複雑であった。これに対して、高周波スイッチ３１
は、伝送線路１２の一端がグランド端子Ｇ１に接続して
いるので、配線が簡素になり、積層体６０の層数の削減
や、不要結合の削減に伴う挿入損失の改善を図ることが
できる。
【００３４】［第２実施形態、図４及び図５］図１に示
した電気回路を有した、積層型高周波スイッチの別の例
について、図４及び図５を参照して説明する。この第２
実施形態の高周波スイッチ６１は、バイアスカット用コ
ンデンサＣ１２が積層体に内蔵されている。なお、図４
及び図５において、図２及び図３と同じ部品及び部分に
は同じ符号を付し、その説明は省略する。
した電気回路を有した、積層型高周波スイッチの別の例
について、図４及び図５を参照して説明する。この第２
実施形態の高周波スイッチ６１は、バイアスカット用コ
ンデンサＣ１２が積層体に内蔵されている。なお、図４
及び図５において、図２及び図３と同じ部品及び部分に
は同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３５】図４に示すように、高周波スイッチ６１
は、分布定数線路６２やコンデンサ電極７０を設けた誘
電体シート４５と、広面積のグランド電極３５，３６を
設けた誘電体シート４５と、分布定数線路６３，６４を
設けた誘電体シート４５と、引出し電極３７，３８等を
設けた誘電体シート４５と、ビアホール付きパッド５０
ａ，５０ｂ等を設けた誘電体シート４５等にて構成され
ている。
は、分布定数線路６２やコンデンサ電極７０を設けた誘
電体シート４５と、広面積のグランド電極３５，３６を
設けた誘電体シート４５と、分布定数線路６３，６４を
設けた誘電体シート４５と、引出し電極３７，３８等を
設けた誘電体シート４５と、ビアホール付きパッド５０
ａ，５０ｂ等を設けた誘電体シート４５等にて構成され
ている。
【００３６】分布定数線路６２は例えばミアンダ形状を
しており、伝送線路１４を形成する。分布定数線路６２
の一端は引出し電極４１に電気的に接続され、他端はシ
ート４５に設けたビアホール６７を介してビアホール付
きパッド５２ｂに電気的に接続される。分布定数線路６
３，６４も大略ミアンダ形状をしており、それぞれ伝送
線路１２，１３を形成する。分布定数線路６３の一方の
引出し部６３ａはシート４５の奥側の辺の左側に露出
し、他方の引出し部６３ｂはシート４５の左辺に露出し
ている。分布定数線路６４の一方の引出し部６４ａはシ
ート４５の手前側の辺の中央に露出し、他方の引出し部
６４ｂはシート４５の奥側の辺の右側に露出している。
このように、伝送線路１２〜１４を、それぞれ分布定数
線路６３，６４，６２の１層で構成することにより、積
層体８０（後述）の層数をさらに抑えることができる。
しており、伝送線路１４を形成する。分布定数線路６２
の一端は引出し電極４１に電気的に接続され、他端はシ
ート４５に設けたビアホール６７を介してビアホール付
きパッド５２ｂに電気的に接続される。分布定数線路６
３，６４も大略ミアンダ形状をしており、それぞれ伝送
線路１２，１３を形成する。分布定数線路６３の一方の
引出し部６３ａはシート４５の奥側の辺の左側に露出
し、他方の引出し部６３ｂはシート４５の左辺に露出し
ている。分布定数線路６４の一方の引出し部６４ａはシ
ート４５の手前側の辺の中央に露出し、他方の引出し部
６４ｂはシート４５の奥側の辺の右側に露出している。
このように、伝送線路１２〜１４を、それぞれ分布定数
線路６３，６４，６２の１層で構成することにより、積
層体８０（後述）の層数をさらに抑えることができる。
【００３７】コンデンサ電極７０は、シート４５を挟ん
でグランド電極３５に対向しており、グランド電極３５
と共にコンデンサＣ１２を形成する。コンデンサ電極７
０は、シート４５に設けた中継電極６５にビアホール６
６を介して電気的に接続される。さらに、中継電極６５
はビアホール付きパッド５１ｂ，５４ｂに電気的に接続
される。
でグランド電極３５に対向しており、グランド電極３５
と共にコンデンサＣ１２を形成する。コンデンサ電極７
０は、シート４５に設けた中継電極６５にビアホール６
６を介して電気的に接続される。さらに、中継電極６５
はビアホール付きパッド５１ｂ，５４ｂに電気的に接続
される。
【００３８】以上の構成からなる各シート４５は積み重
ねられ、一体的に焼成されることにより、図５に示すよ
うに積層体８０とされる。積層体８０の奥側の側面部に
は、それぞれ送信端子Ｔｘ、グランド端子Ｇ３及び受信
端子Ｒｘが形成される。積層体８０の手前側の側面部に
は、それぞれ電圧制御端子Ｖｃ、アンテナ端子ＡＮＴ及
びグランド端子Ｇ４が形成される。積層体８０の左右の
側面部には、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成さ
れる。
ねられ、一体的に焼成されることにより、図５に示すよ
うに積層体８０とされる。積層体８０の奥側の側面部に
は、それぞれ送信端子Ｔｘ、グランド端子Ｇ３及び受信
端子Ｒｘが形成される。積層体８０の手前側の側面部に
は、それぞれ電圧制御端子Ｖｃ、アンテナ端子ＡＮＴ及
びグランド端子Ｇ４が形成される。積層体８０の左右の
側面部には、それぞれグランド端子Ｇ１，Ｇ２が形成さ
れる。
【００３９】送信端子Ｔｘは、分布定数線路６３の引出
し部６３ａと、引出し電極３７とに電気的に接続してい
る。受信端子Ｒｘは、分布定数線路６４の引出し部６４
ｂと、引出し電極３８とに電気的に接続している。アン
テナ端子ＡＮＴは、分布定数線路６４の引出し部６４ａ
と、引出し電極４１とに電気的に接続している。電圧制
御端子Ｖｃは、引出し電極３９に電気的に接続してい
る。グランド端子Ｇ１は、分布定数線路６３の引出し部
６３ｂと、グランド電極３５，３６の引出し部３５ａ，
３６ａとに電気的に接続している。グランド端子Ｇ２，
Ｇ３，Ｇ４は、それぞれグランド電極３５，３６の引出
し部３５ｂ，３６ｂ、３５ｃ，３６ｃ、３５ｄ，３６ｄ
に電気的に接続している。
し部６３ａと、引出し電極３７とに電気的に接続してい
る。受信端子Ｒｘは、分布定数線路６４の引出し部６４
ｂと、引出し電極３８とに電気的に接続している。アン
テナ端子ＡＮＴは、分布定数線路６４の引出し部６４ａ
と、引出し電極４１とに電気的に接続している。電圧制
御端子Ｖｃは、引出し電極３９に電気的に接続してい
る。グランド端子Ｇ１は、分布定数線路６３の引出し部
６３ｂと、グランド電極３５，３６の引出し部３５ａ，
３６ａとに電気的に接続している。グランド端子Ｇ２，
Ｇ３，Ｇ４は、それぞれグランド電極３５，３６の引出
し部３５ｂ，３６ｂ、３５ｃ，３６ｃ、３５ｄ，３６ｄ
に電気的に接続している。
【００４０】さらに、積層体８０の上面のパッド５０
ａ，５０ｂにはそれぞれダイオードＤ１１のカソード電
極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５１ａ，５
１ｂにはそれぞれダイオードＤ１２のカソード電極及び
アノード電極が半田付けされ、パッド５２ａ，５２ｂに
はそれぞれコンデンサＣ１３の端子電極が半田付けさ
れ、パッド５４ａ，５４ｂにはそれぞれ抵抗Ｒ１１の端
子電極が半田付けされる。
ａ，５０ｂにはそれぞれダイオードＤ１１のカソード電
極及びアノード電極が半田付けされ、パッド５１ａ，５
１ｂにはそれぞれダイオードＤ１２のカソード電極及び
アノード電極が半田付けされ、パッド５２ａ，５２ｂに
はそれぞれコンデンサＣ１３の端子電極が半田付けさ
れ、パッド５４ａ，５４ｂにはそれぞれ抵抗Ｒ１１の端
子電極が半田付けされる。
【００４１】こうして、図１に示した電気回路を有し
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ６１が得ら
れる。コンデンサＣ１２は小容量であるため、コンデン
サ電極７０の面積が小さく、積層体８０に内蔵しても占
有エリアが小さい。従って、高周波スイッチ６１を従来
より小型化することができる。
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ６１が得ら
れる。コンデンサＣ１２は小容量であるため、コンデン
サ電極７０の面積が小さく、積層体８０に内蔵しても占
有エリアが小さい。従って、高周波スイッチ６１を従来
より小型化することができる。
【００４２】さらに、高周波スイッチ６１は、コンデン
サＣ１２を積層体８０に内蔵しているので、コンデンサ
Ｃ１２を実装部品として積層体上に搭載した場合と比較
して、コンデンサＣ１２からグランドに到る配線路の長
さが短くなる。従って、残留インダクタンスが小さくな
り、バイアスカット作用が向上する。さらに、コンデン
サＣ１２の値はコンデンサ電極７０の大きさを変えるこ
とで微調整することが可能であり、送信端子Ｔｘとアン
テナ端子ＡＮＴとが接続しているときの、アンテナ端子
ＡＮＴと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーションを従来
の高周波スイッチより大きくすることができ、送信端子
Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入損失低減の効果
を効率よく享受できる。
サＣ１２を積層体８０に内蔵しているので、コンデンサ
Ｃ１２を実装部品として積層体上に搭載した場合と比較
して、コンデンサＣ１２からグランドに到る配線路の長
さが短くなる。従って、残留インダクタンスが小さくな
り、バイアスカット作用が向上する。さらに、コンデン
サＣ１２の値はコンデンサ電極７０の大きさを変えるこ
とで微調整することが可能であり、送信端子Ｔｘとアン
テナ端子ＡＮＴとが接続しているときの、アンテナ端子
ＡＮＴと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーションを従来
の高周波スイッチより大きくすることができ、送信端子
Ｔｘとアンテナ端子ＡＮＴとの間の挿入損失低減の効果
を効率よく享受できる。
【００４３】［他の実施形態］なお、本発明に係る高周
波スイッチは前記実施形態に限定するものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々に変更することができる。
波スイッチは前記実施形態に限定するものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００４４】例えば、図１に示した高周波スイッチ２１
において、ダイオードＤ１２の両端（アノード・カソー
ド間）にも伝送線路及びコンデンサの直列回路を接続し
てもよい。あるいは、伝送線路及びコンデンサの直列回
路と並列に、コンデンサをダイオードＤ１１，Ｄ１２の
それぞれの両端（アノード・カソード間）に並列に接続
して、ダイオードＤ１１，Ｄ１２がＯＦＦ状態のときの
アイソレーションを良くしてもよい。また、逆バイアス
印加時の電圧安定化のための抵抗（１０ＫΩ以上）をダ
イオードＤ１１，Ｄ１２のそれぞれの両端に並列接続し
てもよい。
において、ダイオードＤ１２の両端（アノード・カソー
ド間）にも伝送線路及びコンデンサの直列回路を接続し
てもよい。あるいは、伝送線路及びコンデンサの直列回
路と並列に、コンデンサをダイオードＤ１１，Ｄ１２の
それぞれの両端（アノード・カソード間）に並列に接続
して、ダイオードＤ１１，Ｄ１２がＯＦＦ状態のときの
アイソレーションを良くしてもよい。また、逆バイアス
印加時の電圧安定化のための抵抗（１０ＫΩ以上）をダ
イオードＤ１１，Ｄ１２のそれぞれの両端に並列接続し
てもよい。
【００４５】また、前記実施形態において、端子Ｔｘ，
Ｒｘ，ＡＮＴには直流バイアスが印加されることになる
ため、別途必要に応じて、別部品のバイアスカット用の
カップリングコンデンサをこれらの端子Ｔｘ〜ＡＮＴに
接続してもよい。
Ｒｘ，ＡＮＴには直流バイアスが印加されることになる
ため、別途必要に応じて、別部品のバイアスカット用の
カップリングコンデンサをこれらの端子Ｔｘ〜ＡＮＴに
接続してもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、ダイオードのカソードとアノードの向きを従来
の高周波スイッチの場合とは逆にすることにより、送信
端子側に接続されていた従来の大容量で大型のバイアス
カット用コンデンサを不要にし、受信端子側に接続され
た小容量で小型のバイアスカット用コンデンサだけです
むようにできる。従って、高周波スイッチを小型化する
ことができる。
よれば、ダイオードのカソードとアノードの向きを従来
の高周波スイッチの場合とは逆にすることにより、送信
端子側に接続されていた従来の大容量で大型のバイアス
カット用コンデンサを不要にし、受信端子側に接続され
た小容量で小型のバイアスカット用コンデンサだけです
むようにできる。従って、高周波スイッチを小型化する
ことができる。
【００４７】また、この小型のコンデンサの容量を調整
することにより、送信端子とアンテナ端子とが接続して
いるときの、アンテナ端子と受信端子との間のアイソレ
ーションを従来の高周波スイッチより大きくすることが
できる。従って、送信端子とアンテナ端子との間の挿入
損失を低減することができる。さらに、電圧制御端子
は、送信時はグランドにショートし、受信時は第２のダ
イオードの高インピーダンスで高周波信号から遮断され
るため、電圧制御端子に接続されるコントロール回路と
高周波信号とのアイソレーションを大きく確保できる。
この結果、性能の優れた高周波スイッチを得ることがで
きる。
することにより、送信端子とアンテナ端子とが接続して
いるときの、アンテナ端子と受信端子との間のアイソレ
ーションを従来の高周波スイッチより大きくすることが
できる。従って、送信端子とアンテナ端子との間の挿入
損失を低減することができる。さらに、電圧制御端子
は、送信時はグランドにショートし、受信時は第２のダ
イオードの高インピーダンスで高周波信号から遮断され
るため、電圧制御端子に接続されるコントロール回路と
高周波信号とのアイソレーションを大きく確保できる。
この結果、性能の優れた高周波スイッチを得ることがで
きる。
【図１】本発明に係る高周波スイッチの第１実施形態を
示す電気回路図。
示す電気回路図。
【図２】図１に示した電気回路を有した積層型高周波ス
イッチの分解斜視図。
イッチの分解斜視図。
【図３】図２に示した高周波スイッチの外観を示す斜視
図。
図。
【図４】本発明に係る高周波スイッチの第２実施形態を
示す分解斜視図。
示す分解斜視図。
【図５】図４に示した高周波スイッチの外観斜視図。
【図６】従来の高周波スイッチを示す電気回路図。
２１，３１，６１…高周波スイッチ Ｄ１１，Ｄ１２…ダイオード Ｃ１２…コンデンサ １２，１３…伝送線路 ６０，８０…積層体 Ｔｘ…送信端子 ＡＮＴ…アンテナ端子 Ｒｘ…受信端子 Ｖｃ…電圧制御端子 Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４…グランド端子
Claims (3)
- 【請求項１】 送信端子、アンテナ端子、受信端子及び
電圧制御端子と、 前記送信端子にカソードが電気的に接続され、前記アン
テナ端子にアノードが電気的に接続された第１のダイオ
ードと、 前記アンテナ端子と前記受信端子との間に電気的に接続
された第１の伝送線路と、 前記受信端子にカソードが電気的に接続され、前記電圧
制御端子にアノードが電気的に接続された第２のダイオ
ードと、 前記送信端子に一端が電気的に接続されると共に、他端
がグランドに接地された第２の伝送線路と、 前記電圧制御端子とグランドとの間に電気的に接続され
たコンデンサと、 を備えたことを特徴とする高周波スイッチ。 - 【請求項２】 複数の誘電体層と、前記第１及び第２の
伝送線路と、前記コンデンサのコンデンサ電極とグラン
ド電極とを積層して構成した積層体の表面に、前記送信
端子と前記受信端子と前記アンテナ端子と前記電圧制御
端子とをそれぞれ設けると共に、前記第１及び第２のダ
イオードをそれぞれ搭載したことを特徴とする請求項１
記載の高周波スイッチ。 - 【請求項３】 複数の誘電体層と、前記第１及び第２の
伝送線路とを積層して構成した積層体の表面に、前記送
信端子と前記受信端子と前記アンテナ端子と前記電圧制
御端子とをそれぞれ設けると共に、前記第１及び第２の
ダイオードとコンデンサとをそれぞれ搭載したことを特
徴とする請求項１記載の高周波スイッチ。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01866299A JP3675210B2 (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 高周波スイッチ |
| DE60044687T DE60044687D1 (de) | 1999-01-27 | 2000-01-04 | Hochfrequenzschalter |
| EP05014478A EP1583253B1 (en) | 1999-01-27 | 2000-01-04 | High-frequency switch |
| EP00100027A EP1024605A3 (en) | 1999-01-27 | 2000-01-04 | High-frequency switch |
| SG200000079A SG92665A1 (en) | 1999-01-27 | 2000-01-06 | High-frequency switch |
| KR1020000003152A KR100324720B1 (ko) | 1999-01-27 | 2000-01-24 | 고주파 스위치 |
| US09/492,927 US6633206B1 (en) | 1999-01-27 | 2000-01-27 | High-frequency switch |
| US10/423,967 US6897738B2 (en) | 1999-01-27 | 2003-04-28 | High-frequency switch |
| US11/034,278 US7391284B2 (en) | 1999-01-27 | 2005-01-12 | High-frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01866299A JP3675210B2 (ja) | 1999-01-27 | 1999-01-27 | 高周波スイッチ |
Related Child Applications (1)
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