JP2006157093A5 - - Google Patents

Description

高周波スイッチ

本発明は準マイクロ波帯などの高周波帯域で用いられる高周波スイッチに関する。

近年の携帯電話の普及には目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービス向上が図られている。当初、携帯電話は１つの送受信系で用いられるシングルバンド携帯電話から始まり、そのための高周波部品として、積層体を用いた高周波スイッチが開発された。（例えば特許文献１）。

その後の携帯電話サービスへの加入者数の急増に伴い、デュアルバンド携帯電話等が市場に投入されている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、２つの送受信系を取り扱うものであって、利用者は特に意識することなく都合の良い送受信系を選択して利用することができるものである。
例えば、デュアルバンド携帯電話では、ＧＳＭ１８００システム（送信Ｔｘ：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信Ｒｘ：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）、第２の送受信系としてＥＧＳＭ９００システム（送信Ｔｘ：８８０〜９１５ＭＨｚ、受信Ｒｘ：９２５〜９６０ＭＨｚ）の２つのシステムに対応する。このような携帯電話では、それぞれの周波数に応じた信号経路、および複数の周波数を切り換えるための分波器と高周波スイッチを用いて構成される高周波スイッチモジュールが用いられている（例えば特許文献２）。
特開平０６−１９７０４０号 特開平１１−２２５０８８号

前記高周波スイッチは一般的にデジタル携帯電話などにおいて、送信回路と受信回路を切り換えるスイッチ回路として用いられる。図１２は、インダクタンス素子と、スイッチング素子としてダイオードを用いて構成された高周波スイッチの等価回路図である。
第３のポートＰ３にはダイオードＤＰ２のカソードとインダクタンス素子Ｌｓが接続されている。前記インダクタンス素子Ｌｓは伝送線路として形成される。そしてダイオードＤＰ２のアノード側には、一端がグランドに接続されたキャパシタンス素子ＣＰ１が直列回路で接続されており、キャパシタンス素子ＣＰ１とダイオードＤＰ２の中間接続点には、抵抗端子ＲＰを介して電源端子Ｔ１が接続されている。第１のポートＰ１はダイオードＤＰ１を介して第２のポートＰ２と接続しており、ダイオードＤＰ１のカソード側と第２のポートＰ２の中間接続点からインダクタンス素子Ｌｐを介してグランドと接続している。

次に、この高周波スイッチを用いた場合の送受信系の動作について説明する。電源端子Ｔ１に正電圧を印加した場合は、ダイオードＤＰ１、ＤＰ２に対して順方向の正電圧バイアスとして働く。そのためダイオードＤＰ１、ＤＰ２はＯＮ状態になる。このとき第２のポートＰ２からの送信信号は前記第１のポートＰ１に伝送され、前記第３のポートＰ３にはほとんど伝送されない。なぜなら、送信時、伝送線路Ｌｓとキャパシタンス素子ＣＰ１は送信周波数で共振周波数を持つ直列共振回路であり、送信周波数においては、は伝送線路Ｌｓの受信端子Ｒｘから、第２のダイオードＤＰ２への回路は高周波的にグランドに接地された状態になり、また伝送線路Ｌｓの線路長はλ／４線路長になるように設計されているから、反共振によって、第１のポートＰ１から第３のポートＰ３へは理論上インピーダンスが無限大になっているためである。

次に、電源端子Ｔ１に電圧を印加しない場合には、ダイオードＤＰ１、ＤＰ２はＯＦＦ状態となる。このとき、第１のポートＰ１から入った受信信号はダイオードＤＰ１がＯＦＦのため、第２のポートＰ２へは伝送されない。またダイオードＤＰ２もＯＦＦのため、キャパシタンス素子ＣＰ１や抵抗端子ＲＰ１側へは伝送されず、第３のポートＰ３へ伝送される。

前記伝送線路Ｌｓは、外部回路のインピーダンスにあわせた特性インピーダンスに設定される。通常外部回路のインピーダンスは５０オームであるので、前記特性インピーダンスも略５０オームに調整されることとなる。

一般的な伝送線路の特性インピーダンスと、線路幅、グランドとの間隔の関係は次の通りである。伝送線路の線路幅が細くなることにより、グランドとの寄生容量が減少するため伝送線路の特性インピーダンスは増大し、グランドとの間隔が狭くなるほど伝送線路の特性インピーダンスは増大する。
また線路長が同じであっても、伝送線路の形成方法によって、その特性インピーダンスは変化する。例えば、伝送線路をコイル状に形成した場合、伝送線路の巻数の増加に伴うインダクタンス成分の増大により、その特性インピーダンスが増大することが知られている。

前記したように、伝送線路Ｌｓの長さは、通過帯域における信号のλ／４線路長に相当する長さが必要であり、かつ、その伝送線路の特性インピーダンスを、外部回路のインピーダンスと整合するように、線路導体の幅や、グランドとの間隔等により調整する必要がある。

例えば、図１２に開示した従来の高周波スイッチを、比誘電率εｒが８の誘電体を用いて形成し、ＧＳＭ９００に対応させる場合には、前記伝送線路Ｌｓの長さは約３０ｍｍ必要である。これを比較的大きなサイズ、例えば６．７ｍｍ×５．０ｍｍ×１．２ｍｍ程度の積層体に形成する場合であれば、線路導体の幅や、グランドとの間隔等により調整の自由度があり、その形成はそれほど困難ではないが、高周波スイッチの更なる小型化、低背化、複合化が進む中で、より小型で、複数のインダクタンス素子やキャパシタンス素子などの回路素子を積層体に形成する場合では、伝送線路の調整変更が困難となる場合があった。

そこで、伝送線路を積層体に構成する場合に、線路導体をコイルのように重ね合わせて接続し、多層にわたって巻回させて線路長を短く構成することが行われている。前記構成方法は、積層体のような限られた空間において、必要な線路長を有する伝送線路を形成するのに有用な方法である。
しかしながら、図１３に示すように、このような伝送線路は等価的に分布容量Ｃｄとの並列共振回路として表される。線路導体を多層にわたって密に重ねあわせると、設計上、伝送線路の特性インピーダンスを５０オームとしても、インダクタンス成分、導体線路間の分布容量の増加により、実際に積層体に構成した場合には、特性インピーダンスが５０オームよりも大きくなり、外部回路とのインピーダンス不整合が生じることが問題となってきた。
また分布容量Ｃｄにより共振周波数が低下し、その結果、第１のポートＰ１から第３のポートＰ３を見たインピーダンスが十分大きくならず、送信信号の一部が第３のポートＰ３に現れ、アイソレーションが劣化すると言った問題もあった。

そこで本発明は、小型の積層体に構成される高周波スイッチにおいて、伝送線路の特性インピーダンスの調整が容易であり、低損失で電気的特性に優れた高周波スイッチを得ることを目的とする。

本発明は、複数の誘電体層と複数の線路導体を積層した積層体に、前記線路導体を積層方向に誘電体層を介して配置し、同一の巻回方向（周回する電流の方向が同方向）となるように電気的に接続してなるインダクタンス素子と、前記積層体に搭載したスイッチング素子を有する高周波スイッチであって、前記インダクタンス素子は前記積層体の水平方向に分かれた領域に形成された、少なくとも２つの線路導体を有し、第１の線路導体と第２の線路導体を直列接続してなる高周波スイッチである。

本発明においては、他の回路素子との干渉を防ぐように、前記インダクタンス素子をマイクロストリップライン、あるいはストリップラインで構成するのが好ましい。
また本発明においては、前記第１の線路導体と前記第２の線路導体とを、異なる特性インピーダンスとするステップ線路とすれば、他の回路との整合が容易となるので好ましい。異なる特性インピーダンスとするには、線路導体の幅やグランドとの距離を異ならせて構成すればよい。
本発明の高周波スイッチは、前記第１の回路と前記第３の回路との間に接続される第１のスイッチング素子と、前記第３の回路と前記第２の回路との間に接続されるインダクタンス素子と、前記インダクタンス素子の前記第２の回路側とグランドとの間に接続される第２のスイッチング素子を具備するのが好ましい。

本発明によれば、小型の積層体に構成される高周波スイッチにおいて、インダクタンス素子の特性インピーダンスの調整が容易であり、低損失で電気的特性に優れた高周波スイッチを得ることが出来る。

本発明者等は、高周波スイッチのインダクタンス素子を積層体に構成するにあたり、限られた空間内に、必要な線路長を得ながら分布容量を低減するように、少なくとも２つの線路導体を直列接続して形成することを着想した。
図１は、本発明の一実施例に係る高周波スイッチの等価回路である。この高周波スイッチはスイッチング素子とインダクタンス素子を主構成とするものであり、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３の間には、ダイオードＤＰ２のカソードとインダクタンス素子Ｌｓが接続されている。ダイオードＤＰ２のアノード側には、一端がグランドに接続されたキャパシタンス素子ＣＰ１が直列回路で接続されており、キャパシタンス素子ＣＰ１とダイオードＤＰ２の中間接続点には、抵抗端子ＲＰを介して電源端子Ｔ１が接続されている。第１のポートＰ１はダイオードＤＰ１を介して第２のポートＰ２と接続しており、ダイオードＤＰ１のカソード側と第２のポートＰ２の中間接続点からインダクタンス素子Ｌｐを介してグランドと接続している。
なお前記インダクタンス素子Ｌｐはチョークコイルとして用いられるものであり、図７のスイッチ回路に示すように、線路導体Ｌｐで高インピーダンス線路を構成して置き換えることも可能である。

第１の線路導体Ｌｓ１と第２の線路導体Ｌｓ２は、例えば図２に示すように、複数の誘電体層（図示せず）に、左右に分割されて形成されている１ターン未満の線路導体Ｌｓ１−１〜Ｌｓ１−６、Ｌｓ２−１〜Ｌｓ２−６を積層して、スルーホール（図中黒丸で表示）で接続し、線路導体Ｌｓ１−１〜Ｌｓ１−６で第１の線路導体Ｌｓ１、線路導体Ｌｓ２−１〜Ｌｓ２−６で第２の線路導体Ｌｓ２を構成している。第１の線路導体Ｌｓ１は外周側から内周側へと時計方向に巻回され、第２の線路導体Ｌｓ２は内周側から外周側へと時計方向に巻回される構成となっており、もって前記第１の線路導体と前記第２の線路導体を同じ巻回方向としている。前記第１の線路導体Ｌｓ１と前記第２の線路導体Ｌｓ２は、接続線路を介して直列接続され、高周波信号のλ／４線路長に相当する長さを有するインダクタンス素子Ｌｓを構成している。
図５は、第１、第２の線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２の他の構成例であり、同一層に形成されたスパイラル状の線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２を、他の層に形成された接続線路を介して直列接続している。また図６は、複数の層に形成されたスパイラル状の線路導体をスルーホールで接続して線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２とし、他の層に形成された接続線路を介して直列接続している。

複数の線路導体を直列に接続し線路導体Ｌｓを構成する場合、その等価回路は図３のように表される。
第１、第２の線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２には、それぞれ並列に分布容量Ｃｄ１、Ｃｄ２が等価的に接続している。ここで第１、第２の線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２を直列接続することで、前記分布容量Ｃｄ１、Ｃｄ２どうしが直列に接続されるため、線路導体Ｌｓの分布容量Ｃｄは、その合成容量となり著しく小さなものとなる。このため、前記分布容量により特性インピーダンスが大きくなるのを防ぐことが出来る。また、分布容量Ｃｄにより共振周波数が低下することが無いので、アイソレーション特性の劣化を防ぐことが出来、送信信号、受信信号の損失が増加することがない。
また、線路導体が形成される層の垂直方向から線路導体に流れる高周波電流を見た場合、インダクタンス素子に流れる高周波電流の周回方向を、第１、第２の線路導体Ｌｓ１、Ｌｓ２で同方向にすることで、各スパイラル線路部に発生する逆起電力が、夫々のスパイラル線路へ与える影響を少なく出来る。このため、線路導体に伝送される高周波信号をスムーズに伝送することが出来る。

図４は高周波スイッチの断面図であって、多層基板に本発明に係る高周波スイッチを構成した例である。多層基板は、例えば低温焼結セラミクスを用いて構成される。
低温焼結可能な誘電体材料をドクターブレード法などの公知のシート成形方法によって得られたグリーンシートに、ＡｇやＣｕといった低抵抗金属材料を用いた導体ペーストで、線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２や接続線路、コンデンサ電極パターン、グランド電極パターン等を印刷形成する。得られたグリーンシートを、所定の回路構成となるように適宜積層し、加熱圧着して積層体とする。これを焼結して多層基板とした後、前記多層基板の主面に形成された電極パターン（ランド）にダイオードＤｐ１，Ｄｐ２、インダクタンス素子Ｌｐ、ＤＣカットコンデンサＣｐ２、Ｃｐ３、Ｃｐ４を実装してはんだ接続した。なお、インダクタンス素子Ｌｐは線路導体として、ＤＣカットコンデンサ電極パターンとして積層基板に形成しても良い。また、ダイオードＤｐ１，Ｄｐ２等の実装部品と多層基板に形成された電極パターン、また実装面側に形成された外部端子は、適宜スルーホールで電気的に接続されている。
前記多層基板内において、第１、第２の線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２はグランド電極パターンＧＮＤに挟まれた領域に形成されている。第１、第２の線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２を分割して構成することで、積層基板の厚みを低減することが出来る。また、第１、第２の線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２を構成する線路導体とグランド電極パターンＧＮＤとの間隔を広く取ることが出来るため、線路導体の幅を広く構成でき、直流抵抗を低減することが出来る。また、線路導体とグランド電極パターンＧＮＤとの間隔、線路導体の幅の調整等の自由度が従来よりも向上するため、特性インピーダンスの調整も容易となる。
さらには、第１、第２の線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２で生じる磁束に伴うグランド電極パターンＧＮＤに生じる渦電流で、第１、第２の線路導体Ｌｓ１，Ｌｓ２のインダクタンスを減じることが少なく、このためＱ値（クオリティーファクター）の大きなインダクタンスとなり、スイッチ回路としての損失（Ｐ１−Ｐ３間での挿入損失）を低減することが出来る。

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
図８は本発明の高周波スイッチ回路を含む、マルチバンド携帯電話のフロントエンド部の回路ブロックであり、図９はその等価回路であり、図１０は、図９のフロントエンド回路を多層基板に形成した複合高周波部品の斜視図であり、図１１はその多層基板の構成を示す分解斜視図である。本実施例では、分波回路、フィルタ回路、スイッチ回路を多層基板に構成し、スイッチング素子や、高容量値のキャパシタンス素子や抵抗等のチップ部品を多層基板に搭載して、ワンチップ化した第１乃至４の通信システムに対応した高周波複合部品について説明する。なお説明においては、第１の通信システムをＤＣＳ１８００、第２の通信システムをＰＣＳ１９００、第３の通信システムをＧＳＭ８５０、第４の通信システムをＧＳＭ９００としている。

前記高周波複合部品は、図８に示したクワッドバンド携帯電話器のフロントエンド部の、ダイプレクサ回路、フィルタ回路、スイッチ回路を備えるものであり、本発明に係る伝送線路はスイッチ回路６のＬ２０部に対応する。
前記スイッチ回路６のアンテナ側ポートＰ３６１（図１の第１ポートＰ１に対応）にはインダクタンス素子ＬＦ１、キャパシタンス素子ＣＦ１、ＣＦ２を備えたＬ型のローパスフィルタ３が接続されている。そして、ローパスフィルタ３のアンテナ側ポートＰ３４１には２つのフィルタ回路を並列接続したダイプレクサ回路２と接続されている。
前記ダイプレクサ回路２は、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００或いはＤＣＳ１８００，ＰＣＳ１９００の送受信信号が、互いの信号経路に回りこまないように、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタ、ノッチフィルタから選ばれる複数のフィルタ回路で構成される。４つの通信システムにおいて、相対的に低周波であるＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００の信号経路には、ローパスフィルタを用い、ＤＣＳ１８００，ＰＣＳ１９００の信号経路にはハイパスフィルタを用いることが多い。実施例においても、インダクタンス素子ＤＬ１、キャパシタンス素子ＤＣ１，ＤＣ２で構成されたローパスフィルタと、インダクタンス素子ＤＬ２、キャパシタンス素子ＤＣ３，ＤＣ４、ＤＣ５で構成されたハイパスフィルタとでダイプレクサ回路２を構成している。

スイッチ回路５、６は、３つの送受信系を切り替えるもので、制御電源Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４から供給される電圧により、第１及び第２の通信システムに共通の送信回路ＴＸ１，２と第１の通信システムの受信回路Ｒｘ１と第２の通信システムの受信回路Ｒｘ２とを切り替えるスイッチであり（スイッチ回路５）、第３及び第４の通信システムに共通の送信回路ＴＸ３，４と第３の通信システムの受信回路Ｒｘ３と第４の通信システムの受信回路Ｒｘ４とを切り替えるスイッチである（スイッチ回路６）。
なお、スイッチ回路５，６は等価回路として実質的に同様の構成であり、動作も同様なので、スイッチ回路５について説明し、スイッチ回路６については、その説明を省く。
本発明に係る高周波スイッチ回路は、第１〜第６のポートを備え、カソードが第１ポートＰ３６１に接続されアノードが第２ポートＰ３６２に接続された第１ダイオードＤｇ１と、前記第２ポートＰ３６２に接続され接地される第１キャパシタンス素子Ｃ２３と、前記第１ダイオードＤｇ１のアノード側に接続され、第２キャパシタンス素子Ｃ２１を介して接地される第１インダクタンス素子Ｌ２１と、前記第１インダクタンス素子Ｌ２１と第２キャパシタンス素子Ｃ２１の間に接続される第３ポートＶ３と、前記第１ポートＰ３６１と第４ポートＰ３６３との間に接続される第２インダクタンス素子Ｌ２０（Ｌ２０−１、Ｌ２０−２）と、前記第２インダクタンス素子Ｌ２０の第４ポート側Ｐ３６３とアノードが接続し、並列接続された第３キャパシタンス素子Ｃｇ３と抵抗素子Ｒｇ１を介して接地される第２ダイオードＤｇ３と、カソードが第１ポートＰ３６１に接続され、アノードが第５ポートＰ３６４に接続された第３ダイオードＤｇ２と、前記第３ダイオードＤｇ２のアノード側に第４キャパシタンス素子Ｃ２２を介して接地される第３インダクタンス素子Ｌ２２と、前記第３インダクタンス素子Ｌ２２と第４キャパシタンス素子ＣＣ２２の間に接続される第６ポートＶ４とを備えるものである。
第１、第３ダイオードＤｇ１、Ｄｇ２には、ＯＦＦ状態でのアイソレーション特性の改善のため、直列接続されたインダクタンス素子Ｌｇ１，Ｌｇ２、キャパシタンス素子Ｃｇ１，Ｃｇ２が、第１、第３ダイオードＤｇ１，Ｄｇ２と並列接続されている。

前記第１インダクタンス素子Ｌ２１、第３インダクタンス素子Ｌ２２は線路導体、あるいはインダクターで形成されており、チョークコイルコイルとして機能するものである。
前記第２インダクタンス素子Ｌ２０（Ｌ２０−１、Ｌ２０−２）はインダクタンス素子を直列に接続して形成されており、それぞれ線路導体で形成されている。

ＧＳＭ８５０あるいはＧＳＭ９００の送信時（第１ポートＰ３６１と第２ポートＰ３６２を接続）には、第３ポートＶ３に接続された制御電源から与えられた電圧により、第１、第２ダイオードＤｇ１，Ｄｇ３がＯＮ状態となり、第２インダクタンス素子Ｌ２０高周波的に接地される。このためＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００の送信周波数において、第１ポートＰ３６１から第４ポートＰ３６３を見たインピーダンスが、高インピーダンス（オープン状態）となり、送信信号が第４ポートＰ３６３に表れない。また、第１ポートＰ３６１と第５ポートＰ３６４の間の第３ダイオードＤｇ２はＯＦＦ状態であるので、そのアイソレーション特性により、第５ポートＰ３６４にも送信信号が表れず、高出力増幅器からの送信信号は第１ポートＰ３６１に表れる。

ＧＳＭ９００の受信時（第１ポートＰ３６１と第５ポートＰ３６４を接続）には、第６ポートＶ４に接続された制御電源から与えられた電圧により、第３、第２ダイオードＤｇ２，Ｄｇ３がＯＮ状態となり、第２インダクタンス素子Ｌ２０高周波的に接地される。このためＧＳＭ９００の受信周波数において、第１ポートＰ３６１から第４ポートＰ３６３を見たインピーダンスが、高インピーダンス（オープン状態）となり、送信信号が第４ポートＰ３６３に表れない。また、第１ポートＰ３６１と第２ポートＰ３６２の間の第１ダイオードＤｇ１はＯＦＦ状態であるので、そのアイソレーション特性により、第２ポートＰ３６２にも受信信号が表れず、アンテナ１からの送信信号は第５ポートＰ３６４に表れる。

ＧＳＭ８５０の受信時（第１ポートＰ３６１と第４ポートＰ３６３を接続）には、第３、第６ポートＶ３、Ｖ４に接続された制御電源から与えられた電圧により、第１〜第３ダイオードＤｇ１〜Ｄｇ３をＯＦＦ状態とする。このため、ダイオードのアイソレーション特性により、第２ポートＰ３６２、第５ポートＰ３６４にも受信信号が表れず、アンテナ１からの送信信号は伝送線路Ｌ２０を介して第４ポートＰ３６３に表れる。

本発明において、ダイプレクサ回路２、ローパスフィルタ回路３，４の構成については、特に限定されるものではなく、公知の他の回路構成を採用しても良い。

多層基板の内部構造について図１１をもとに説明する。図１１に付与した符号は、図９に付与した符号と対応し一致するものである。図１１中に示されていない回路素子は、実装部品２００として多層基板１００に実装されている。
高周波スイッチ回路６を構成する第２インダクタンス素子Ｌ２０は電極パターンで形成されたコイル状のラインパターンで、多層基板内の第３層から第６層にかけて形成されている。前記第２インダクタンス素子Ｌ２０は、図９の等価回路でインダクタンス素子Ｌ２０−１．Ｌ２０−２として表した、積層体の水平方向に分かれた領域に形成された少なくとも２つの伝送線路で構成され、同一の巻回方向となるように第１の伝送線路Ｌ２０−１と第２の伝送線路Ｌ２０−２を直列接続して構成される。

以上の構成により、５．４ｍｍ×４．０ｍｍ×０．７ｍｍの積層基板にダイプレクサ回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路を配置した複合高周波部品を構成することが出来た。
本実施例によれば、複合高周波部品を小型に構成出来るとともに、スイッチ回路としての損失（Ｐ３６１−Ｐ３６３間での挿入損失）を低減することが出来た。

本発明によれば、小型の積層体に構成される高周波スイッチにおいて、伝送線路の特性インピーダンスの調整が容易であり、低損失で電気的特性に優れた高周波スイッチを得ることができる。

本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の等価回路である。 本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の線路導体の構成例を示す斜視図である。 本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の線路導体の等価回路である。 本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の断面図である。 本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の線路導体の構成例を示す斜視図である。 本発明の一実施例に係る高周波スイッチ回路の線路導体の構成例を示す斜視図である。 本発明の他の実施例に係る高周波スイッチ回路の等価回路である。 マルチバンド携帯電話のフロンドエンド部の回路ブロック図である。 本発明の一実施例に係る高周波複合部品の等価回路である。 本発明の一実施例に係る高周波複合部品の斜視図である。 本発明の一実施例に係る高周波複合部品に用いる積層基板の分解斜視図である。 従来の高周波スイッチ回路の等価回路である。 従来の高周波スイッチ回路の線路導体の等価回路である。

符号の説明

１ アンテナ
２ 分波器
３，４ フィルタ
５，６ 高周波スイッチ

Claims (4)

1. 複数の誘電体層と複数の線路導体を積層した積層体に、前記線路導体を積層方向に誘電体層を介して配置し、同一の巻回方向となるように電気的に接続してなるインダクタンス素子と、前記積層体に搭載したスイッチング素子を有する高周波スイッチであって、
   前記インダクタンス素子は、前記積層体の水平方向に分かれた領域に形成された少なくとも２つの線路導体を有し、第１の線路導体と第２の線路導体を直列接続してなることを特徴とする高周波スイッチ。
2. 前記インダクタンス素子が、マイクロストリップライン、あるいはストリップラインで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ。
3. 前記第１の線路導体と前記第２の線路導体とが、異なる特性インピーダンスを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波スイッチ。
4. 第１の回路と第３の回路との間に接続される第１のスイッチング素子と、前記第３の回路と第２の回路との間に接続されるインダクタンス素子と、前記インダクタンス素子の前記第２の回路側とグランドとの間に接続される第２のスイッチング素子を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の高周波スイッチ。