JP2003124702A - 高周波複合部品 - Google Patents
高周波複合部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気回路素子の接地端とグランドとの間に発
生するインダクタンス成分や抵抗成分を減少させること
ができる高周波複合部品を提供する。 【解決手段】 インダクタＬ１１の接地端は分岐して２
ラインの第１及び第２の接続経路１７ａ，１７ｂを介し
て接地されている。第１の接続経路１７ａは、例えば多
層回路基板の内部に設けたビアホールを主にして構成さ
れている。第２の接続経路１７ｂは、例えば多層回路基
板の表面に設けた端子電極を主にして構成されている。
生するインダクタンス成分や抵抗成分を減少させること
ができる高周波複合部品を提供する。 【解決手段】 インダクタＬ１１の接地端は分岐して２
ラインの第１及び第２の接続経路１７ａ，１７ｂを介し
て接地されている。第１の接続経路１７ａは、例えば多
層回路基板の内部に設けたビアホールを主にして構成さ
れている。第２の接続経路１７ｂは、例えば多層回路基
板の表面に設けた端子電極を主にして構成されている。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波複合部品に
関し、特に、高周波スイッチなどに使用される高周波複
合部品に関する。 【０００２】 【従来の技術】高周波スイッチは、一般的には、デジタ
ル携帯電話等において、送信回路および受信回路とアン
テナとの間に接続され、送信回路とアンテナとが接続さ
れた状態と、受信回路とアンテナとが接続された状態と
を切り替えるために用いられている。従来、このような
高周波スイッチとして、特開２００１−４４８８３号公
報に記載されたものが知られている。 【０００３】この高周波スイッチは、電気回路素子（例
えば、ダイオードやコンデンサやインダクタなど）が多
層回路基板の内部および表面に設けられている。そし
て、これらの電気回路素子のうち、グランドに一端が接
地される電気回路素子は、多層回路基板の表面に設けた
端子電極を介してグランドに接地されたり、多層回路基
板の内部に設けたビアホールを介してグランドに接地さ
れたりする。このとき、端子電極又はビアホールのいず
れを利用するにしても、接続経路は１ラインのみであっ
た。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、電気回路素
子の接地端を１ラインのみでグランドに接地する構造の
場合、接続経路として利用される端子電極自身やビアホ
ール自身が有するインダクタンス成分や抵抗成分による
インピーダンスが大きくなる。従って、電気回路素子の
接地端が完全な接地電位にならず、高周波スイッチの高
周波特性が劣化することがあった。 【０００５】そこで、本発明の目的は、電気回路素子の
接地端とグランドとの間に発生するインダクタンス成分
や抵抗成分を減少させることができる高周波複合部品を
提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するために、本発明に係る高周波複合部品は、（ａ）複
数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板と、
（ｂ）多層回路基板の表面および内部の少なくともいず
れか一方に配設した電気回路素子とを備え、（ｃ）電気
回路素子の接地端が、多層回路基板の内部に設けたビア
ホールおよび多層回路基板の表面に設けた端子電極の少
なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経
路を介して接地される構造を有していること、を特徴と
する。 【０００７】以上の構成により、電気回路素子の接地端
を、二つ以上の接続経路を介して接地するため、グラン
ドに流れる高周波電流の電流密度が緩和され、電気回路
素子の接地端とグランドとの間に発生するインダクタン
ス成分と抵抗成分が減少する。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波複合部
品の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
本実施形態では、９００ＭＨｚ帯で動作するＧＳＭ（Ｇ
ｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏ
ｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）に使用される高周波スイッ
チを例にして説明するが、ＬＣフィルタ、デュプレク
サ、トリプレクサ、ダイプレクサなどの送受信デバイ
ス、ＲＦモジュールなどの高周波複合部品において、そ
れらの部品の一部に本発明を適用してもよい。 【０００９】図１は、高周波スイッチの一例を示す電気
回路図である。本実施形態は、電気回路素子であるイン
ダクタＬ１１の接地端を二つの接続経路１７ａ，１７ｂ
を介して接地したものである。高周波スイッチ１１は、
送受信用スイッチ回路１８と、該送受信用スイッチ回路
１８の送信側に電気的に接続されたローパスフィルタ回
路１９とを備えている。送受信用スイッチ回路１８の送
信用端子Ｔｘ側には、スイッチング素子であるダイオー
ドＤ１１のカソードが接続されている。ダイオードＤ１
１のカソードは、インダクタＬ１１を介してグランドに
接地している。ダイオードＤ１１のアノードは、結合コ
ンデンサＣ１２を介してアンテナ用端子ＡＮＴに接続し
ている。インダクタＬ１１の接地端は分岐して、２ライ
ンの第１および第２の接続経路１７ａ，１７ｂを介して
接地されている。 【００１０】アンテナ用端子ＡＮＴには、結合コンデン
サＣ１２、伝送線路１３および結合コンデンサＣ１３を
介して受信用端子Ｒｘが接続している。さらに、伝送線
路１３と結合コンデンサＣ１３との中間接続点には、ダ
イオードＤ１２のカソードが接続している。ダイオード
Ｄ１２のアノードは、バイアスカット用コンデンサＣ１
４を介してグランドに接地している。ダイオードＤ１２
とコンデンサＣ１４との中間接続点には、抵抗Ｒ１１を
介して電圧制御用端子Ｖｃが接続している。この電圧制
御用端子Ｖｃには、高周波スイッチ１１の伝送路を切り
換えるためのコントロール回路が接続される。 【００１１】ここに、伝送線路１３として、特性インピ
ーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるいは、高周
波インダクタが使用される。分布定数線路の場合、伝送
線路１３の線路長は、λ／１２以上λ／４以下（λ：所
望周波数の波長）の範囲に設定される。 【００１２】一方、ローパスフィルタ回路１９は、送信
用端子Ｔｘと送受信用スイッチ回路１８との間に接続さ
れている。ローパスフィルタ回路１９は、伝送線路１５
と、伝送線路１５の両端部とグランドとの間にそれぞれ
接続されたシャント（分路）コンデンサＣ１６，Ｃ１７
と、伝送線路１５に対して並列に接続されたコンデンサ
Ｃ１５にて構成されている。 【００１３】次に、この高周波スイッチ１１を用いての
送受信について説明する。電圧制御用端子Ｖｃに正電位
を印加した場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＮ状態
となる。この結果、送信用端子Ｔｘに入った送信信号
は、ローパスフィルタ回路１９、ダイオードＤ１１を経
てアンテナ用端子ＡＮＴに伝送される。このとき、送信
信号は受信用端子Ｒｘに殆ど伝送されない。ダイオード
Ｄ１２がＯＮ状態のときの自身が有するインダクタンス
とコンデンサＣ１４の容量が送信周波数で直列共振し、
インピーダンスが０となるからである。つまり、インダ
クタＬ１１および伝送線路１３はλ／４のショートスタ
ブとして動作するため、送信用端子Ｔｘとアンテナ用端
子ＡＮＴが接続され、受信用端子Ｒｘはグランドに接地
される。 【００１４】また、電圧制御用端子Ｖｃに負電位を印加
した場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＦＦ状態とな
る。従って、送信用端子Ｔｘとアンテナ用端子ＡＮＴと
の間が遮断されると共に、受信用端子Ｒｘとグランドと
の間も遮断される。この結果、アンテナ用端子ＡＮＴに
入った受信信号は、伝送線路１３を経て受信用端子Ｒｘ
に伝送され、送信用端子Ｔｘには殆ど伝送されない。こ
のように、高周波スイッチ１１は、電圧制御用端子Ｖｃ
に印加するバイアス電圧をコントロールすることによ
り、送受の信号の伝送路を切り換えることができる。 【００１５】次に、図１に示した電気回路を有した、積
層型高周波スイッチ１１について、図２および図３を参
照して説明する。図２は、図１に示した電気回路を有し
た積層型高周波スイッチ１１の外観斜視図である。図３
は、図２に示した多層回路基板５０の分解斜視図であ
る。図２および図３において、図１に示した各電気回路
素子に相当する素子には同じ符号を付している。 【００１６】高周波スイッチ１１の多層回路基板５０
は、図３に示すように、電極ランド２７〜３７を表面に
設けた絶縁性シート２１と、コンデンサ電極４０，４１
をそれぞれ表面に設けた絶縁性シート２２，２３と、伝
送線路（分布定数線路）１３，１５を表面に設けた絶縁
性シート２４と、コンデンサ電極４２，４３を表面に設
けた絶縁性シート２５と、広面積のグランド電極４４を
表面に設けた絶縁性シート２６等にて構成されている。 【００１７】絶縁性シート２１〜２６は、誘電体粉末や
磁性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状に
したものである。電極ランド２７〜３７やコンデンサ電
極４０〜４４や伝送線路１３，１５は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、スパッタリン
グ法、蒸着法、フォトリソグラフィ法などの薄膜形成
法、あるいはパターン印刷法により形成される。絶縁性
シート２１〜２５にそれぞれ設けたビアホール４５ａ〜
４５ｃ，４６ａ〜４６ｄ，４７ａ〜４７ｃ，４８ａ〜４
８ｅ，４９ａ〜４９ｄは、絶縁性シート２１〜２５に金
型、レーザ等で穴をあけ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料をこの穴に充填したり、
穴の内周壁に付与したりすることにより形成される。 【００１８】ビアホール４５ａ〜４５ｃ，４６ａ〜４６
ｄ，４７ａ〜４７ｃ，４８ａ〜４８ｅ，４９ａ〜４９ｄ
は、それぞれ絶縁性シート２１〜２６の積み重ね方向に
連接して接続経路を形成する。コンデンサ電極４０，４
１はシート２２を挟んで対向しており、コンデンサＣ１
５を形成する。コンデンサ電極４２，４３はそれぞれシ
ート２５を挟んでグランド電極４４に対向しており、グ
ランド電極４４と共にコンデンサＣ１６，Ｃ１７を形成
する。 【００１９】以上の構成からなる各シート２１〜２６は
積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図２に
示すように多層回路基板５０とされる。多層回路基板５
０の手前側の側面部には、送信用端子Ｔｘ、電極制御用
端子Ｖｃおよび受信用端子Ｒｘが形成される。多層回路
基板５０の奥側の側面部には、アンテナ用端子ＡＮＴが
形成される。多層回路基板５０の左右の側面部には、そ
れぞれグランド用端子Ｇ２，Ｇ１が形成される。多層回
路基板５０の上面の電極ランド２７〜３７には、それぞ
れダイオードＤ１１，Ｄ１２、コンデンサＣ１１，Ｃ１
２，Ｃ１３，Ｃ１４、抵抗Ｒ１１、並びに、インダクタ
Ｌ１１が半田付けされている。 【００２０】こうして、図１に示した電気回路を有し
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ１１が得ら
れる。この高周波スイッチ１１は、外付けのインダクタ
Ｌ１１の接地端を、ビアホール４８ａ〜４８ｅを主にし
てグランド電極４４と共に構成した第１の接続経路１７
ａ、並びに、グランド用端子Ｇ１を主にして電極ランド
３６と共に構成した第２の接続経路１７ｂを介して接地
される構造を有している。このため、インダクタＬ１１
を通ってグランドに流れる高周波電流の電流密度が緩和
され、インダクタＬ１１の接地端とグランドとの間に発
生するインダクタンス成分や抵抗成分を減少させること
ができる。この結果、インダクタＬ１１の接地端が殆ど
完全に接地電位になり、高周波スイッチ１１の減衰特性
を改善することができる。 【００２１】図４は、高周波スイッチ１１の送信用端子
Ｔｘ−アンテナ用端子ＡＮＴ間の減衰特性を示すグラフ
である（実線６１参照）。比較のために、端子電極又は
ビアホールの１ラインのみで、インダクタＬ１１の接地
端をグランドに接地した従来の高周波スイッチの減衰特
性も併せて記載している（点線６２参照）。図４から、
減衰特性は、ＧＳＭの動作周波数（９００ＭＨｚ帯）の
２倍波（１８００ＭＨｚ帯）の領域で約３ｄＢ（＝３
８．７９０ｄＢ−３５．７０２ｄＢ）改善され、３倍波
（２７００ＭＨｚ帯）の領域で約４ｄＢ（＝３６．５１
３ｄＢ−３２．７６１ｄＢ）改善されていることが認め
られる。 【００２２】なお、本発明に係る高周波複合部品は前記
実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変更することができる。例えば、前記実施形態で
は、電極ランド３６とグランド電極４４がともにグラン
ド用端子Ｇ１に接続されているが、電極ランド３６又は
グランド電極４４のいずれか一方を、異なる側面に形成
された別のグランド用端子に接続するようにしてもよ
い。 【００２３】また、図５に示す多層回路基板５０Ａのよ
うに、電極ランド３６の両端をそれぞれビアホール４８
ａ〜４８ｅおよびビアホール７０ａ〜７０ｅを介してグ
ランド電極４４に接続させてもよい。これにより、高周
波スイッチ１１の外付けインダクタＬ１１の接地端は、
ビアホール４８ａ〜４８ｅを主にしてグランド電極４４
と共に構成した第１の接続経路１７ａ、並びに、ビアホ
ール７０ａ〜７０ｅを主にしてグランド電極４４および
電極ランド３６と共に構成した第２の接続経路１７ｂを
介して接地される。 【００２４】また、前記実施形態において、外付けイン
ダクタＬ１１の代わりに多層回路基板５０の内部に分布
定数線路からなるインダクタを形成し、このインダクタ
の接地端を、ビアホールを主として構成した２ラインの
接続経路を介して接地させたり、あるいは、端子電極を
主として構成した２ラインの接続経路を介して接地させ
たりしてもよい。さらに、送受信用スイッチ回路のスイ
ッチング素子として、可変容量ダイオード、バイポーラ
トランジスタ、電界効果トランジスタなどを用いてもよ
い。電気回路素子としては、インダクタに限らず、コン
デンサ、ダイオード、抵抗体、ＬＣフィルタ、表面弾性
波フィルタなど種々の電気回路素子に適用できる。 【００２５】さらに、前記実施形態は、それぞれ電極や
ビアホールが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、
一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定さ
れない。絶縁性シートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によって高周波複合部
品を製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状の
絶縁材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面に
ペースト状の導電性材料を塗布して電極やビアホールを
形成する。次に、ペースト状の絶縁材料を上から塗布し
て絶縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることに
より積層構造を有する高周波複合部品が得られる。 【００２６】 【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、電気回路素子の接地端を、二つ以上の接続経路
を介して接地させたので、グランドに流れる高周波電流
の電流密度が緩和され、電気回路素子の接地端とグラン
ドとの間に発生するインダクタンス成分と抵抗成分を減
少させることができる。この結果、電気特性の優れた高
周波複合部品を得ることができる。
関し、特に、高周波スイッチなどに使用される高周波複
合部品に関する。 【０００２】 【従来の技術】高周波スイッチは、一般的には、デジタ
ル携帯電話等において、送信回路および受信回路とアン
テナとの間に接続され、送信回路とアンテナとが接続さ
れた状態と、受信回路とアンテナとが接続された状態と
を切り替えるために用いられている。従来、このような
高周波スイッチとして、特開２００１−４４８８３号公
報に記載されたものが知られている。 【０００３】この高周波スイッチは、電気回路素子（例
えば、ダイオードやコンデンサやインダクタなど）が多
層回路基板の内部および表面に設けられている。そし
て、これらの電気回路素子のうち、グランドに一端が接
地される電気回路素子は、多層回路基板の表面に設けた
端子電極を介してグランドに接地されたり、多層回路基
板の内部に設けたビアホールを介してグランドに接地さ
れたりする。このとき、端子電極又はビアホールのいず
れを利用するにしても、接続経路は１ラインのみであっ
た。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、電気回路素
子の接地端を１ラインのみでグランドに接地する構造の
場合、接続経路として利用される端子電極自身やビアホ
ール自身が有するインダクタンス成分や抵抗成分による
インピーダンスが大きくなる。従って、電気回路素子の
接地端が完全な接地電位にならず、高周波スイッチの高
周波特性が劣化することがあった。 【０００５】そこで、本発明の目的は、電気回路素子の
接地端とグランドとの間に発生するインダクタンス成分
や抵抗成分を減少させることができる高周波複合部品を
提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するために、本発明に係る高周波複合部品は、（ａ）複
数の絶縁層を積み重ねて構成した多層回路基板と、
（ｂ）多層回路基板の表面および内部の少なくともいず
れか一方に配設した電気回路素子とを備え、（ｃ）電気
回路素子の接地端が、多層回路基板の内部に設けたビア
ホールおよび多層回路基板の表面に設けた端子電極の少
なくともいずれか一方にて構成された二つ以上の接続経
路を介して接地される構造を有していること、を特徴と
する。 【０００７】以上の構成により、電気回路素子の接地端
を、二つ以上の接続経路を介して接地するため、グラン
ドに流れる高周波電流の電流密度が緩和され、電気回路
素子の接地端とグランドとの間に発生するインダクタン
ス成分と抵抗成分が減少する。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波複合部
品の一実施形態について添付図面を参照して説明する。
本実施形態では、９００ＭＨｚ帯で動作するＧＳＭ（Ｇ
ｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏ
ｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）に使用される高周波スイッ
チを例にして説明するが、ＬＣフィルタ、デュプレク
サ、トリプレクサ、ダイプレクサなどの送受信デバイ
ス、ＲＦモジュールなどの高周波複合部品において、そ
れらの部品の一部に本発明を適用してもよい。 【０００９】図１は、高周波スイッチの一例を示す電気
回路図である。本実施形態は、電気回路素子であるイン
ダクタＬ１１の接地端を二つの接続経路１７ａ，１７ｂ
を介して接地したものである。高周波スイッチ１１は、
送受信用スイッチ回路１８と、該送受信用スイッチ回路
１８の送信側に電気的に接続されたローパスフィルタ回
路１９とを備えている。送受信用スイッチ回路１８の送
信用端子Ｔｘ側には、スイッチング素子であるダイオー
ドＤ１１のカソードが接続されている。ダイオードＤ１
１のカソードは、インダクタＬ１１を介してグランドに
接地している。ダイオードＤ１１のアノードは、結合コ
ンデンサＣ１２を介してアンテナ用端子ＡＮＴに接続し
ている。インダクタＬ１１の接地端は分岐して、２ライ
ンの第１および第２の接続経路１７ａ，１７ｂを介して
接地されている。 【００１０】アンテナ用端子ＡＮＴには、結合コンデン
サＣ１２、伝送線路１３および結合コンデンサＣ１３を
介して受信用端子Ｒｘが接続している。さらに、伝送線
路１３と結合コンデンサＣ１３との中間接続点には、ダ
イオードＤ１２のカソードが接続している。ダイオード
Ｄ１２のアノードは、バイアスカット用コンデンサＣ１
４を介してグランドに接地している。ダイオードＤ１２
とコンデンサＣ１４との中間接続点には、抵抗Ｒ１１を
介して電圧制御用端子Ｖｃが接続している。この電圧制
御用端子Ｖｃには、高周波スイッチ１１の伝送路を切り
換えるためのコントロール回路が接続される。 【００１１】ここに、伝送線路１３として、特性インピ
ーダンスが４０Ω以上の分布定数線路、あるいは、高周
波インダクタが使用される。分布定数線路の場合、伝送
線路１３の線路長は、λ／１２以上λ／４以下（λ：所
望周波数の波長）の範囲に設定される。 【００１２】一方、ローパスフィルタ回路１９は、送信
用端子Ｔｘと送受信用スイッチ回路１８との間に接続さ
れている。ローパスフィルタ回路１９は、伝送線路１５
と、伝送線路１５の両端部とグランドとの間にそれぞれ
接続されたシャント（分路）コンデンサＣ１６，Ｃ１７
と、伝送線路１５に対して並列に接続されたコンデンサ
Ｃ１５にて構成されている。 【００１３】次に、この高周波スイッチ１１を用いての
送受信について説明する。電圧制御用端子Ｖｃに正電位
を印加した場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＮ状態
となる。この結果、送信用端子Ｔｘに入った送信信号
は、ローパスフィルタ回路１９、ダイオードＤ１１を経
てアンテナ用端子ＡＮＴに伝送される。このとき、送信
信号は受信用端子Ｒｘに殆ど伝送されない。ダイオード
Ｄ１２がＯＮ状態のときの自身が有するインダクタンス
とコンデンサＣ１４の容量が送信周波数で直列共振し、
インピーダンスが０となるからである。つまり、インダ
クタＬ１１および伝送線路１３はλ／４のショートスタ
ブとして動作するため、送信用端子Ｔｘとアンテナ用端
子ＡＮＴが接続され、受信用端子Ｒｘはグランドに接地
される。 【００１４】また、電圧制御用端子Ｖｃに負電位を印加
した場合、ダイオードＤ１１，Ｄ１２はＯＦＦ状態とな
る。従って、送信用端子Ｔｘとアンテナ用端子ＡＮＴと
の間が遮断されると共に、受信用端子Ｒｘとグランドと
の間も遮断される。この結果、アンテナ用端子ＡＮＴに
入った受信信号は、伝送線路１３を経て受信用端子Ｒｘ
に伝送され、送信用端子Ｔｘには殆ど伝送されない。こ
のように、高周波スイッチ１１は、電圧制御用端子Ｖｃ
に印加するバイアス電圧をコントロールすることによ
り、送受の信号の伝送路を切り換えることができる。 【００１５】次に、図１に示した電気回路を有した、積
層型高周波スイッチ１１について、図２および図３を参
照して説明する。図２は、図１に示した電気回路を有し
た積層型高周波スイッチ１１の外観斜視図である。図３
は、図２に示した多層回路基板５０の分解斜視図であ
る。図２および図３において、図１に示した各電気回路
素子に相当する素子には同じ符号を付している。 【００１６】高周波スイッチ１１の多層回路基板５０
は、図３に示すように、電極ランド２７〜３７を表面に
設けた絶縁性シート２１と、コンデンサ電極４０，４１
をそれぞれ表面に設けた絶縁性シート２２，２３と、伝
送線路（分布定数線路）１３，１５を表面に設けた絶縁
性シート２４と、コンデンサ電極４２，４３を表面に設
けた絶縁性シート２５と、広面積のグランド電極４４を
表面に設けた絶縁性シート２６等にて構成されている。 【００１７】絶縁性シート２１〜２６は、誘電体粉末や
磁性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状に
したものである。電極ランド２７〜３７やコンデンサ電
極４０〜４４や伝送線路１３，１５は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、スパッタリン
グ法、蒸着法、フォトリソグラフィ法などの薄膜形成
法、あるいはパターン印刷法により形成される。絶縁性
シート２１〜２５にそれぞれ設けたビアホール４５ａ〜
４５ｃ，４６ａ〜４６ｄ，４７ａ〜４７ｃ，４８ａ〜４
８ｅ，４９ａ〜４９ｄは、絶縁性シート２１〜２５に金
型、レーザ等で穴をあけ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料をこの穴に充填したり、
穴の内周壁に付与したりすることにより形成される。 【００１８】ビアホール４５ａ〜４５ｃ，４６ａ〜４６
ｄ，４７ａ〜４７ｃ，４８ａ〜４８ｅ，４９ａ〜４９ｄ
は、それぞれ絶縁性シート２１〜２６の積み重ね方向に
連接して接続経路を形成する。コンデンサ電極４０，４
１はシート２２を挟んで対向しており、コンデンサＣ１
５を形成する。コンデンサ電極４２，４３はそれぞれシ
ート２５を挟んでグランド電極４４に対向しており、グ
ランド電極４４と共にコンデンサＣ１６，Ｃ１７を形成
する。 【００１９】以上の構成からなる各シート２１〜２６は
積み重ねられ、一体的に焼成されることにより、図２に
示すように多層回路基板５０とされる。多層回路基板５
０の手前側の側面部には、送信用端子Ｔｘ、電極制御用
端子Ｖｃおよび受信用端子Ｒｘが形成される。多層回路
基板５０の奥側の側面部には、アンテナ用端子ＡＮＴが
形成される。多層回路基板５０の左右の側面部には、そ
れぞれグランド用端子Ｇ２，Ｇ１が形成される。多層回
路基板５０の上面の電極ランド２７〜３７には、それぞ
れダイオードＤ１１，Ｄ１２、コンデンサＣ１１，Ｃ１
２，Ｃ１３，Ｃ１４、抵抗Ｒ１１、並びに、インダクタ
Ｌ１１が半田付けされている。 【００２０】こうして、図１に示した電気回路を有し
た、表面実装タイプの積層型高周波スイッチ１１が得ら
れる。この高周波スイッチ１１は、外付けのインダクタ
Ｌ１１の接地端を、ビアホール４８ａ〜４８ｅを主にし
てグランド電極４４と共に構成した第１の接続経路１７
ａ、並びに、グランド用端子Ｇ１を主にして電極ランド
３６と共に構成した第２の接続経路１７ｂを介して接地
される構造を有している。このため、インダクタＬ１１
を通ってグランドに流れる高周波電流の電流密度が緩和
され、インダクタＬ１１の接地端とグランドとの間に発
生するインダクタンス成分や抵抗成分を減少させること
ができる。この結果、インダクタＬ１１の接地端が殆ど
完全に接地電位になり、高周波スイッチ１１の減衰特性
を改善することができる。 【００２１】図４は、高周波スイッチ１１の送信用端子
Ｔｘ−アンテナ用端子ＡＮＴ間の減衰特性を示すグラフ
である（実線６１参照）。比較のために、端子電極又は
ビアホールの１ラインのみで、インダクタＬ１１の接地
端をグランドに接地した従来の高周波スイッチの減衰特
性も併せて記載している（点線６２参照）。図４から、
減衰特性は、ＧＳＭの動作周波数（９００ＭＨｚ帯）の
２倍波（１８００ＭＨｚ帯）の領域で約３ｄＢ（＝３
８．７９０ｄＢ−３５．７０２ｄＢ）改善され、３倍波
（２７００ＭＨｚ帯）の領域で約４ｄＢ（＝３６．５１
３ｄＢ−３２．７６１ｄＢ）改善されていることが認め
られる。 【００２２】なお、本発明に係る高周波複合部品は前記
実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で
種々に変更することができる。例えば、前記実施形態で
は、電極ランド３６とグランド電極４４がともにグラン
ド用端子Ｇ１に接続されているが、電極ランド３６又は
グランド電極４４のいずれか一方を、異なる側面に形成
された別のグランド用端子に接続するようにしてもよ
い。 【００２３】また、図５に示す多層回路基板５０Ａのよ
うに、電極ランド３６の両端をそれぞれビアホール４８
ａ〜４８ｅおよびビアホール７０ａ〜７０ｅを介してグ
ランド電極４４に接続させてもよい。これにより、高周
波スイッチ１１の外付けインダクタＬ１１の接地端は、
ビアホール４８ａ〜４８ｅを主にしてグランド電極４４
と共に構成した第１の接続経路１７ａ、並びに、ビアホ
ール７０ａ〜７０ｅを主にしてグランド電極４４および
電極ランド３６と共に構成した第２の接続経路１７ｂを
介して接地される。 【００２４】また、前記実施形態において、外付けイン
ダクタＬ１１の代わりに多層回路基板５０の内部に分布
定数線路からなるインダクタを形成し、このインダクタ
の接地端を、ビアホールを主として構成した２ラインの
接続経路を介して接地させたり、あるいは、端子電極を
主として構成した２ラインの接続経路を介して接地させ
たりしてもよい。さらに、送受信用スイッチ回路のスイ
ッチング素子として、可変容量ダイオード、バイポーラ
トランジスタ、電界効果トランジスタなどを用いてもよ
い。電気回路素子としては、インダクタに限らず、コン
デンサ、ダイオード、抵抗体、ＬＣフィルタ、表面弾性
波フィルタなど種々の電気回路素子に適用できる。 【００２５】さらに、前記実施形態は、それぞれ電極や
ビアホールが形成された絶縁性シートを積み重ねた後、
一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定さ
れない。絶縁性シートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によって高周波複合部
品を製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状の
絶縁材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面に
ペースト状の導電性材料を塗布して電極やビアホールを
形成する。次に、ペースト状の絶縁材料を上から塗布し
て絶縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることに
より積層構造を有する高周波複合部品が得られる。 【００２６】 【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、電気回路素子の接地端を、二つ以上の接続経路
を介して接地させたので、グランドに流れる高周波電流
の電流密度が緩和され、電気回路素子の接地端とグラン
ドとの間に発生するインダクタンス成分と抵抗成分を減
少させることができる。この結果、電気特性の優れた高
周波複合部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波複合部品の一実施形態を示
す電気回路図。 【図２】図１の電気回路を有した高周波複合部品の外観
斜視図。 【図３】図２の多層回路基板の分解斜視図。 【図４】図２の高周波複合部品の減衰特性を示すグラ
フ。 【図５】図３に示した多層回路基板の変形例を示す分解
斜視図。 【符号の説明】 １１…高周波スイッチ １３，１５…伝送線路 １７ａ，１７ｂ…接続経路 ２１〜２６…絶縁性シート ２７〜３７…電極ランド ４４…グランド電極 ４８ａ〜４８ｅ…ビアホール ５０…多層回路基板 Ｌ１１…インダクタ Ｃ１１〜Ｃ１７…コンデンサ Ｄ１１，Ｄ１２…ダイオード Ｇ１，Ｇ２…グランド用端子
す電気回路図。 【図２】図１の電気回路を有した高周波複合部品の外観
斜視図。 【図３】図２の多層回路基板の分解斜視図。 【図４】図２の高周波複合部品の減衰特性を示すグラ
フ。 【図５】図３に示した多層回路基板の変形例を示す分解
斜視図。 【符号の説明】 １１…高周波スイッチ １３，１５…伝送線路 １７ａ，１７ｂ…接続経路 ２１〜２６…絶縁性シート ２７〜３７…電極ランド ４４…グランド電極 ４８ａ〜４８ｅ…ビアホール ５０…多層回路基板 Ｌ１１…インダクタ Ｃ１１〜Ｃ１７…コンデンサ Ｄ１１，Ｄ１２…ダイオード Ｇ１，Ｇ２…グランド用端子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数の絶縁層を積み重ねて構成した多層
回路基板と、 前記多層回路基板の表面および内部の少なくともいずれ
か一方に配設した電気回路素子とを備え、 前記電気回路素子の接地端が、前記多層回路基板の内部
に設けたビアホールおよび前記多層回路基板の表面に設
けた端子電極の少なくともいずれか一方にて構成された
二つ以上の接続経路を介して接地される構造を有してい
ること、 を特徴とする高周波複合部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316042A JP2003124702A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 高周波複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001316042A JP2003124702A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 高周波複合部品 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006103390A Division JP4007392B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | 高周波複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124702A true JP2003124702A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19134111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001316042A Pending JP2003124702A (ja) | 2001-10-12 | 2001-10-12 | 高周波複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7456703B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switch and method for manufacturing the same |
| JP2011077723A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチモジュール |
-
2001
- 2001-10-12 JP JP2001316042A patent/JP2003124702A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7456703B2 (en) | 2004-09-30 | 2008-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switch and method for manufacturing the same |
| JP2011077723A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| CN102035522A (zh) * | 2009-09-29 | 2011-04-27 | 株式会社村田制作所 | 高频开关模块 |
| EP2302814A3 (en) * | 2009-09-29 | 2012-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch module |
| US8466733B2 (en) | 2009-09-29 | 2013-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency switch module |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060817 |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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