JP2000216591A - シ―ルド材 - Google Patents
シ―ルド材Info
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- JP2000216591A JP2000216591A JP11015598A JP1559899A JP2000216591A JP 2000216591 A JP2000216591 A JP 2000216591A JP 11015598 A JP11015598 A JP 11015598A JP 1559899 A JP1559899 A JP 1559899A JP 2000216591 A JP2000216591 A JP 2000216591A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高分子フィルム基板上に銅箔、銅メッキ、銅
蒸着層を有するシールド材は高温条件下の放置試験では
シールド減衰効果の低下が大きく問題であった。 【解決手段】 本発明は、高分子フィルム基板８上半連
続巻き取り式真空蒸着法で銅蒸着層９を形成し、連続し
て銅蒸着層９上に耐候性金属を蒸着して耐候性蒸着層１
０を形成することで、高温条件下での放置試験によるシ
ールド減衰効果の低下を押さえたものである。
蒸着層を有するシールド材は高温条件下の放置試験では
シールド減衰効果の低下が大きく問題であった。 【解決手段】 本発明は、高分子フィルム基板８上半連
続巻き取り式真空蒸着法で銅蒸着層９を形成し、連続し
て銅蒸着層９上に耐候性金属を蒸着して耐候性蒸着層１
０を形成することで、高温条件下での放置試験によるシ
ールド減衰効果の低下を押さえたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器や電子機
器、さらに電気の送電線で発生し外部に放射される電磁
波や、逆に外部からこれらの機器に進入して機器の誤動
作を発生させる電磁波のシールド又、機器に使用されて
いる電子部品が静電気により破壊されるのを防止するた
めのシールド材に関するものである。
器、さらに電気の送電線で発生し外部に放射される電磁
波や、逆に外部からこれらの機器に進入して機器の誤動
作を発生させる電磁波のシールド又、機器に使用されて
いる電子部品が静電気により破壊されるのを防止するた
めのシールド材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気機器や電子機器の高機能・高精度
化、高周波数化、デジタル化や、携帯電話に代表される
移動体無線機器の進展に伴ってこれらを構成する電子部
品、特に半導体部品の静電気による機能破壊や、機器か
ら放射される電磁波の他の機器に与える影響や、人体に
与える影響、逆に他の機器から放射される電磁波により
機器の誤動作が発生して生じる事故等を防止する目的で
各種のシールド材が提案されてきた。
化、高周波数化、デジタル化や、携帯電話に代表される
移動体無線機器の進展に伴ってこれらを構成する電子部
品、特に半導体部品の静電気による機能破壊や、機器か
ら放射される電磁波の他の機器に与える影響や、人体に
与える影響、逆に他の機器から放射される電磁波により
機器の誤動作が発生して生じる事故等を防止する目的で
各種のシールド材が提案されてきた。
【０００３】最も一般的な材料としては、鉄板であり機
器内の電気回路を覆うことにより放射電磁波や、進入電
磁波をシールドするもので、シールド効果も大である。
この鉄板は圧延等により鉄を１ｍｍ以下の厚さにして成
形加工して使用する。
器内の電気回路を覆うことにより放射電磁波や、進入電
磁波をシールドするもので、シールド効果も大である。
この鉄板は圧延等により鉄を１ｍｍ以下の厚さにして成
形加工して使用する。
【０００４】ところが近年は機器の軽薄短小化や、携帯
用の機器の増加とともに鉄板等の金属板のシールド材は
重い、加工性に難がある等により使用が減少している。
この金属板のシールド材に変わって機器の筐体をプラス
チック製にしてプラスチックの表面に金属層をメッキ法
や、蒸着法により形成する方法が用いられるようになっ
てきた。さらに、電磁波の放射や、進入個所を特定して
部分的にシールドするための金属箔を用いたシート状シ
ールド材が使用されるに至った。従来より提案されてい
る銅（Ｃｕ）を主たるシールド材としたシート状シール
ド材は、図３に示す如く銅（Ｃｕ）を箔状に形成した銅
（Ｃｕ）箔３と高分子フィルム基板１を接着剤２を介し
て接着ラミネートしたもので、通常銅（Ｃｕ）箔で厚さ
２５μｍ前後、接着層４μｍ前後、高分子フィルム９μ
ｍ前後である。
用の機器の増加とともに鉄板等の金属板のシールド材は
重い、加工性に難がある等により使用が減少している。
この金属板のシールド材に変わって機器の筐体をプラス
チック製にしてプラスチックの表面に金属層をメッキ法
や、蒸着法により形成する方法が用いられるようになっ
てきた。さらに、電磁波の放射や、進入個所を特定して
部分的にシールドするための金属箔を用いたシート状シ
ールド材が使用されるに至った。従来より提案されてい
る銅（Ｃｕ）を主たるシールド材としたシート状シール
ド材は、図３に示す如く銅（Ｃｕ）を箔状に形成した銅
（Ｃｕ）箔３と高分子フィルム基板１を接着剤２を介し
て接着ラミネートしたもので、通常銅（Ｃｕ）箔で厚さ
２５μｍ前後、接着層４μｍ前後、高分子フィルム９μ
ｍ前後である。
【０００５】図４に高分子フィルム基板１に直接銅（Ｃ
ｕ）箔４を圧着等の方法で密着したものを示す。
ｕ）箔４を圧着等の方法で密着したものを示す。
【０００６】図５に高分子フィルム基板１に仲介金属５
を介して主に銅（Ｃｕ）層６をメッキ法で形成したもの
を示す。
を介して主に銅（Ｃｕ）層６をメッキ法で形成したもの
を示す。
【０００７】図６に高分子フィルム基板１に蒸着法によ
り直接銅（Ｃｕ）層７を形成したものを示す。
り直接銅（Ｃｕ）層７を形成したものを示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの構造
を持ったシールド材は銅（Ｃｕ）箔や、メッキ銅（Ｃ
ｕ）、蒸着による銅（Ｃｕ）層を単独で用いているもの
であり銅（Ｃｕ）層の耐候性が問題で、シールド効果の
経時劣化が課題であった。
を持ったシールド材は銅（Ｃｕ）箔や、メッキ銅（Ｃ
ｕ）、蒸着による銅（Ｃｕ）層を単独で用いているもの
であり銅（Ｃｕ）層の耐候性が問題で、シールド効果の
経時劣化が課題であった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するための手段として高分子フィルム基板上に半
連続巻き取り式真空蒸着法で銅（Ｃｕ）を主成分とする
銅（Ｃｕ）蒸着層を形成した後、該銅（Ｃｕ）蒸着層上
に半連続巻き取り式真空蒸着法にて高耐候性金属層を形
成することを特徴とするシールド材を提供するものであ
る。
を解決するための手段として高分子フィルム基板上に半
連続巻き取り式真空蒸着法で銅（Ｃｕ）を主成分とする
銅（Ｃｕ）蒸着層を形成した後、該銅（Ｃｕ）蒸着層上
に半連続巻き取り式真空蒸着法にて高耐候性金属層を形
成することを特徴とするシールド材を提供するものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明は、半連続巻き取り式真空
蒸着法で高分子フィルム基板を連続走行させながら蒸着
用ドラム上で銅（Ｃｕ）の蒸着層を形成した直後に、同
一蒸着用ドラム上で銅（Ｃｕ）蒸着層上に耐候性金属で
あるニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、
チタン（Ｔｉ）の中から選択された金属層を蒸着して高
分子フィルム基板／銅（Ｃｕ）蒸着層／耐候性金属蒸着
層とすることで、銅（Ｃｕ）蒸着層の耐候性を改善した
ものである。
蒸着法で高分子フィルム基板を連続走行させながら蒸着
用ドラム上で銅（Ｃｕ）の蒸着層を形成した直後に、同
一蒸着用ドラム上で銅（Ｃｕ）蒸着層上に耐候性金属で
あるニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、
チタン（Ｔｉ）の中から選択された金属層を蒸着して高
分子フィルム基板／銅（Ｃｕ）蒸着層／耐候性金属蒸着
層とすることで、銅（Ｃｕ）蒸着層の耐候性を改善した
ものである。
【００１１】以下本発明の内容について実施例にて詳細
な説明をする。
な説明をする。
【００１２】
【実施例】図１に本発明シールド材の製造装置を示す。
【００１３】図１において、真空蒸着機を構成する真空
槽１１は仕切り板１４によりフィルム基板がセットさ
れ、真空蒸着中は通常１０-1（Ｐａ）以下に保たれる上
室１２部と真空蒸着が行われる真空蒸着中は通常１０-2
（Ｐａ）以下に保たれる下室１３部に分離構成されてい
る。上室１２は真空バルブ１６を経て排気管１５により
真空排気されている。下室１３は真空バルブ１８を経て
排気管１７により真空排気されている。
槽１１は仕切り板１４によりフィルム基板がセットさ
れ、真空蒸着中は通常１０-1（Ｐａ）以下に保たれる上
室１２部と真空蒸着が行われる真空蒸着中は通常１０-2
（Ｐａ）以下に保たれる下室１３部に分離構成されてい
る。上室１２は真空バルブ１６を経て排気管１５により
真空排気されている。下室１３は真空バルブ１８を経て
排気管１７により真空排気されている。
【００１４】フィルム基板への金属蒸着は上室１２に設
けられた巻きだし軸１９にセットされた幅５２０ｍｍ、
長さ５０００ｍ、フィルム厚１６μｍのポリエチレンテ
レフタレート（以降ＰＥＴ）フィルム２０をフリーロー
ル２１を経て、直径１０００ｍｍ、幅６００ｍｍ、外表
面が平滑かつ硬質金属メッキされたＰＥＴフィルムを冷
却するための蒸着ドラム２２の外表面に入り蒸着ドラム
の外表面と密着した後蒸着ドラム２２と同期して回転方
向Ａに走行をする。
けられた巻きだし軸１９にセットされた幅５２０ｍｍ、
長さ５０００ｍ、フィルム厚１６μｍのポリエチレンテ
レフタレート（以降ＰＥＴ）フィルム２０をフリーロー
ル２１を経て、直径１０００ｍｍ、幅６００ｍｍ、外表
面が平滑かつ硬質金属メッキされたＰＥＴフィルムを冷
却するための蒸着ドラム２２の外表面に入り蒸着ドラム
の外表面と密着した後蒸着ドラム２２と同期して回転方
向Ａに走行をする。
【００１５】蒸着ドラム２２の冷却はＰＥＴフィルムの
冷却効果を高めるためにキャンの内部に−２０℃の冷却
媒体を循環させた。
冷却効果を高めるためにキャンの内部に−２０℃の冷却
媒体を循環させた。
【００１６】下室１３に設けられた蒸着部は蒸着分離板
３４によりさらに２室に分離した。蒸着ドラム２２と同
期して回転方向Ａに分速２０ｍで走行をするＰＥＴフィ
ルムは、下室部蒸着ドラム２２の前半約１／２と対向し
た下部の耐火物よりなる蒸発源容器２６内に収納された
第２種無酸素銅（Ｃｕ）２７を電子ビーム加熱源２８に
より加熱溶融して銅（Ｃｕ）蒸発蒸気２９としてＰＥＴ
フィルム上に付着、堆積させ厚さ１．０μｍの銅（Ｃ
ｕ）蒸着層を形成する。この後、銅（Ｃｕ）蒸着層を形
成した蒸着ＰＥＴフィルムは直後に下室部蒸着ドラム２
２の後半約１／２と対向した下部の耐火物よりなる蒸発
源容器３０内に収納されたニッケル（Ｎｉ）３１を電子
ビーム加熱源３２により加熱溶融してニッケル（Ｎｉ）
蒸発蒸気３３とし銅（Ｃｕ）蒸着層上に厚さ０．１μｍ
のニッケル（Ｎｉ）蒸着層を形成した。このようにして
ＰＥＴフィルム上に銅（Ｃｕ）蒸着層を形成した直後に
ニッケル（Ｎｉ）蒸着層を形成したシールド用蒸着フィ
ルム２３は、フリーロール２４を経て巻き取り軸２５に
巻き取られる。
３４によりさらに２室に分離した。蒸着ドラム２２と同
期して回転方向Ａに分速２０ｍで走行をするＰＥＴフィ
ルムは、下室部蒸着ドラム２２の前半約１／２と対向し
た下部の耐火物よりなる蒸発源容器２６内に収納された
第２種無酸素銅（Ｃｕ）２７を電子ビーム加熱源２８に
より加熱溶融して銅（Ｃｕ）蒸発蒸気２９としてＰＥＴ
フィルム上に付着、堆積させ厚さ１．０μｍの銅（Ｃ
ｕ）蒸着層を形成する。この後、銅（Ｃｕ）蒸着層を形
成した蒸着ＰＥＴフィルムは直後に下室部蒸着ドラム２
２の後半約１／２と対向した下部の耐火物よりなる蒸発
源容器３０内に収納されたニッケル（Ｎｉ）３１を電子
ビーム加熱源３２により加熱溶融してニッケル（Ｎｉ）
蒸発蒸気３３とし銅（Ｃｕ）蒸着層上に厚さ０．１μｍ
のニッケル（Ｎｉ）蒸着層を形成した。このようにして
ＰＥＴフィルム上に銅（Ｃｕ）蒸着層を形成した直後に
ニッケル（Ｎｉ）蒸着層を形成したシールド用蒸着フィ
ルム２３は、フリーロール２４を経て巻き取り軸２５に
巻き取られる。
【００１７】このようにして制作されたシールド用蒸着
フィルムは大気中に取り出され、所定の幅、長さや形状
に加工されて、電磁波シールド、静電気シールド材とし
て用いられる。
フィルムは大気中に取り出され、所定の幅、長さや形状
に加工されて、電磁波シールド、静電気シールド材とし
て用いられる。
【００１８】（実施例１）図２に実施例により製造され
たシールド材の構造を示す。
たシールド材の構造を示す。
【００１９】厚さ１６μｍのＰＥＴフィルム８に真空蒸
着法により銅（Ｃｕ）を主成分として厚さ１．０μｍの
銅（Ｃｕ）蒸着層９を形成し、該銅（Ｃｕ）蒸着層９上
に厚さ０．１μｍのニッケル（Ｎｉ）層１０を蒸着形成
したものである。
着法により銅（Ｃｕ）を主成分として厚さ１．０μｍの
銅（Ｃｕ）蒸着層９を形成し、該銅（Ｃｕ）蒸着層９上
に厚さ０．１μｍのニッケル（Ｎｉ）層１０を蒸着形成
したものである。
【００２０】（実施例２）実施例１と同様に図２に実施
例により製造されたシールド材の構造を示す。
例により製造されたシールド材の構造を示す。
【００２１】厚さ１６μｍのＰＥＴフィルム８に真空蒸
着法により銅（Ｃｕ）を主成分として厚さ１．０μｍの
銅（Ｃｕ）蒸着層９を形成し、該銅（Ｃｕ）蒸着層９上
に厚さ０．０２μｍのニッケル（Ｎｉ）層１０を蒸着形
成したものである。
着法により銅（Ｃｕ）を主成分として厚さ１．０μｍの
銅（Ｃｕ）蒸着層９を形成し、該銅（Ｃｕ）蒸着層９上
に厚さ０．０２μｍのニッケル（Ｎｉ）層１０を蒸着形
成したものである。
【００２２】尚、本文の詳細な説明で具体的な材料、寸
法について記述したが本発明がこれらに限定されるもの
ではない。特に高分子フィルム基板上についてはＰＥＴ
を例に挙げて説明したが、高分子フィルム基板にポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥ
Ｉ）、ポリアラミドを用いて本発明構造のシールド材を
製造、耐候性試験を実施したがＰＥＴと同様な結果が得
られたし、高耐候性金属がクロム（Ｃｒ）、金（Ａ
ｕ）、チタン（Ｔｉ）、でもニッケル（Ｎｉ）と同様の
効果が得られた。
法について記述したが本発明がこれらに限定されるもの
ではない。特に高分子フィルム基板上についてはＰＥＴ
を例に挙げて説明したが、高分子フィルム基板にポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタ
レート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰ
Ｓ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥ
Ｉ）、ポリアラミドを用いて本発明構造のシールド材を
製造、耐候性試験を実施したがＰＥＴと同様な結果が得
られたし、高耐候性金属がクロム（Ｃｒ）、金（Ａ
ｕ）、チタン（Ｔｉ）、でもニッケル（Ｎｉ）と同様の
効果が得られた。
【００２３】
【発明の効果】本発明の構成をしたシールド材及び、従
来から提案されているシールド材のシールド特性をＫＥ
Ｃ法にて測定した１ＧＨｚにおける電界の減衰特性結果
を（表１）、同様にＫＥＣ法にて測定した１ＧＨｚにお
ける磁界の減衰特性結果を（表２）に示す。
来から提案されているシールド材のシールド特性をＫＥ
Ｃ法にて測定した１ＧＨｚにおける電界の減衰特性結果
を（表１）、同様にＫＥＣ法にて測定した１ＧＨｚにお
ける磁界の減衰特性結果を（表２）に示す。
【００２４】尚、（表１）、（表２）において初期とは
シールド材製造後、常温常圧下で保管されたシールド材
であり、試験されたものは表中に示された条件下で恒温
恒湿槽に放置されたシールド材である。
シールド材製造後、常温常圧下で保管されたシールド材
であり、試験されたものは表中に示された条件下で恒温
恒湿槽に放置されたシールド材である。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】（表１）に示されたごとく１ＧＨｚにおけ
る電界シールド特性の減衰効果は初期に比べての変化の
割合で１２５℃，１００％，１５ｈで従来例２の次に良
好で、１４５℃，１１４ｈの放置後では最も良好であっ
た。
る電界シールド特性の減衰効果は初期に比べての変化の
割合で１２５℃，１００％，１５ｈで従来例２の次に良
好で、１４５℃，１１４ｈの放置後では最も良好であっ
た。
【００２８】又、（表２）に示されたごとく１ＧＨｚに
おける磁界シールド特性の減衰効果は初期に比べての変
化の割合で１２５℃，１００％，１５ｈ及び、１４５
℃，１１４ｈの放置後とも最も良好であった。
おける磁界シールド特性の減衰効果は初期に比べての変
化の割合で１２５℃，１００％，１５ｈ及び、１４５
℃，１１４ｈの放置後とも最も良好であった。
【００２９】（表１）、（表２）において本発明につい
ては実施例１についての結果を示したが、実施例２の場
合も実施例１と同様の結果を得た。
ては実施例１についての結果を示したが、実施例２の場
合も実施例１と同様の結果を得た。
【００３０】この様にＰＥＴ上に銅（Ｃｕ）層を蒸着に
より形成し、さらに銅（Ｃｕ）蒸着層上にニッケル（Ｎ
ｉ）層を蒸着形成した本発明シールド材は耐候性に優れ
た特性を持つものである。
より形成し、さらに銅（Ｃｕ）蒸着層上にニッケル（Ｎ
ｉ）層を蒸着形成した本発明シールド材は耐候性に優れ
た特性を持つものである。
【００３１】さらに、薄い・軽い・屈曲性に富む、半連
続巻き取り式蒸着法で製造できるため、長尺のシールド
材が比較的短時間で製造できる。
続巻き取り式蒸着法で製造できるため、長尺のシールド
材が比較的短時間で製造できる。
【００３２】従って、低コストの製品が供給でき、工業
的な価値が高い等の特徴を有した発明である。
的な価値が高い等の特徴を有した発明である。
【図１】実施例におけるシールド材の製造装置を示す図
【図２】実施例におけるシールド材の断面図
【図３】従来例１のシールド材の断面図
【図４】従来例２のシールド材の断面図
【図５】従来例３のシールド材の断面図
【図６】従来例４のシールド材の断面図
１ 高分子フィルム基板 ２ 接着剤 ３ 銅（Ｃｕ）箔 ４ 銅（Ｃｕ）箔 ５ 仲介金属 ６ メッキ銅（Ｃｕ）層 ７ 銅（Ｃｕ）蒸着層 ８ ＰＥＴフィルム ９ 銅（Ｃｕ）蒸着層 １０ ニッケル（Ｎｉ）層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA05 BA07 BA08 BA12 BA17 BB02 BC00 BC05 BD00 CA01 DB03 5E321 BB23 BB25 GG01 GG05
Claims (3)
- 【請求項１】 電子機器に使用している電子部品を静電
気よりシールドしたり、電子機器やこれら機器間を継ぐ
電子ワイヤーから放射される電磁波、逆に外部から電子
機器に進入する電磁波をシールドするためのシート状シ
ールド材であって、広幅、長尺の高分子フィルム基板上
に半連続巻き取り式真空蒸着法で銅（Ｃｕ）を主成分と
する銅（Ｃｕ）蒸着層を形成した後、該銅（Ｃｕ）蒸着
層上に半連続巻き取り式真空蒸着法にて高耐候性金属層
を形成して成ることを特徴とするシールド材。 - 【請求項２】 高分子フィルムが、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥ
Ｎ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリイ
ミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリア
ラミドであることを特徴とする請求項１記載のシールド
材。 - 【請求項３】 高耐候性金属がニッケル（Ｎｉ）、クロ
ム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、の中から選
択された金属であることを特徴とする請求項１または２
いずれか記載のシールド材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11015598A JP2000216591A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | シ―ルド材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11015598A JP2000216591A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | シ―ルド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216591A true JP2000216591A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11893167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11015598A Pending JP2000216591A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | シ―ルド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000216591A (ja) |
Cited By (3)
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1999
- 1999-01-25 JP JP11015598A patent/JP2000216591A/ja active Pending
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