JPH0227800A - 電磁波シールド用金属蒸着フィルム - Google Patents
電磁波シールド用金属蒸着フィルムInfo
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- JPH0227800A JPH0227800A JP17782888A JP17782888A JPH0227800A JP H0227800 A JPH0227800 A JP H0227800A JP 17782888 A JP17782888 A JP 17782888A JP 17782888 A JP17782888 A JP 17782888A JP H0227800 A JPH0227800 A JP H0227800A
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器や電子機器製品及び、これらをつなぐ
電線等への、または電気機器や電子機器製品及び、これ
らをつなぐ電線等からの不要な電磁波を遮蔽するための
電磁波シールド材に関するものである。
電線等への、または電気機器や電子機器製品及び、これ
らをつなぐ電線等からの不要な電磁波を遮蔽するための
電磁波シールド材に関するものである。
従来の技術
近年電気を動力源とする機器が増加している。
特に半導体技術の高度化にともなって、コンピューター
装置やコンピューター技術を応用したカーエレクトロニ
クス、ワードプロセッサー、 ｔりｚレクトロニクス
による医療機器等の電子機器は目覚ましい発展を遂げ、
産業用、民生用で多く使用されている。しかしこれらの
精密電子機器は、複雑で高度なゆえに機器本体や、これ
らをつなぐ電線等から不要な電磁波を発生して、生体の
生理に影響を与えたり、他の電子機器に影響を及ぼした
り、又、他からの不要な電磁波を受けて機器の誤動作を
誘発したシしている。これらの不要な電磁波を防止する
方法としては、不要な電磁波を発生させないこと、他の
機器に影響しないように電磁波を遮蔽する等が知られて
いる。以下図面を参照しながら、従来の不要電磁波シー
ルドの一例について説明する。第７図（ａ）、■）は従
来から使用されている電磁波のシールド用基材である。
装置やコンピューター技術を応用したカーエレクトロニ
クス、ワードプロセッサー、 ｔりｚレクトロニクス
による医療機器等の電子機器は目覚ましい発展を遂げ、
産業用、民生用で多く使用されている。しかしこれらの
精密電子機器は、複雑で高度なゆえに機器本体や、これ
らをつなぐ電線等から不要な電磁波を発生して、生体の
生理に影響を与えたり、他の電子機器に影響を及ぼした
り、又、他からの不要な電磁波を受けて機器の誤動作を
誘発したシしている。これらの不要な電磁波を防止する
方法としては、不要な電磁波を発生させないこと、他の
機器に影響しないように電磁波を遮蔽する等が知られて
いる。以下図面を参照しながら、従来の不要電磁波シー
ルドの一例について説明する。第７図（ａ）、■）は従
来から使用されている電磁波のシールド用基材である。
第７図（４）はシールド材の断面構造を示した。一般的
には９〜３０μｍ程度のアルミ箔や銅箔１６が接着層１
６を介して高分子フィルム１７とラミネートされている
。使用の一例として、該シールド材は幅数センチメート
ル、長さ数千メートルのテープ状に裁断して第６図（ｂ
）に示すごとく電線の不要電磁波シー）ｖドに使用され
ている。電気伝導体１８は各々絶縁体１９で絶縁されて
いる。テープ状のシールド材２０は絶縁体１９の外周を
、端部をオーバーラツプさせながら螺旋状に巻回させて
いる。さらにシールド材２０の外周に絶縁性、耐候性、
衝撃性等を考慮した外被材２１により覆われている。
には９〜３０μｍ程度のアルミ箔や銅箔１６が接着層１
６を介して高分子フィルム１７とラミネートされている
。使用の一例として、該シールド材は幅数センチメート
ル、長さ数千メートルのテープ状に裁断して第６図（ｂ
）に示すごとく電線の不要電磁波シー）ｖドに使用され
ている。電気伝導体１８は各々絶縁体１９で絶縁されて
いる。テープ状のシールド材２０は絶縁体１９の外周を
、端部をオーバーラツプさせながら螺旋状に巻回させて
いる。さらにシールド材２０の外周に絶縁性、耐候性、
衝撃性等を考慮した外被材２１により覆われている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では、不要電磁波のシー
ルド効果は十分であるが、シールドに用いる金属箔が必
要以上に厚いため電線等に使用すると、外形が大きくな
ったり、重量が重くなったりする。これらは電子機器を
より小型で、軽量にするためには不利な条件であった。
ルド効果は十分であるが、シールドに用いる金属箔が必
要以上に厚いため電線等に使用すると、外形が大きくな
ったり、重量が重くなったりする。これらは電子機器を
より小型で、軽量にするためには不利な条件であった。
また、金属箔を長尺で数ミクロン（μｍ）の厚さにする
には現在の技術では解決すべき問題が多く残っている。
には現在の技術では解決すべき問題が多く残っている。
本発明は上記問題点に鑑み十分なシールド効果が得られ
、しかも全厚が薄く、軽量な電磁波のシールド用金属蒸
着フィルムを提供するものである。
、しかも全厚が薄く、軽量な電磁波のシールド用金属蒸
着フィルムを提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は高分子フィルム基板表面に電磁波のシー）ｖド
用金属薄膜層を形成した金属蒸着フィルムを用いて、シ
ールドする電磁波の周波数帯にあわせ該金属蒸着フィル
ムを２枚以上ラミネートしたものである。
用金属薄膜層を形成した金属蒸着フィルムを用いて、シ
ールドする電磁波の周波数帯にあわせ該金属蒸着フィル
ムを２枚以上ラミネートしたものである。
作 用
上記構成によれば、薄膜であるため薄く軽量でありなが
ら、ラミネートすることにより不要電磁波に合わせた適
正かつ十分なシールドを実現することができる。
ら、ラミネートすることにより不要電磁波に合わせた適
正かつ十分なシールドを実現することができる。
実施例
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明に用いた金属化フィルムＡの断面図を示
す。厚さ６．０μｍのポリエチレンテレフタレート（以
下ＰＥＴ）２の表面に真空蒸着法により銅（Ｃｕ）の金
属薄膜層１を１．０μｍ形成した。
す。厚さ６．０μｍのポリエチレンテレフタレート（以
下ＰＥＴ）２の表面に真空蒸着法により銅（Ｃｕ）の金
属薄膜層１を１．０μｍ形成した。
第２図（ａ）、Φ）、 （Ｃ）に第１図に示した金属化
フィルムを２枚ヲミネートした電磁波シールド用金属蒸
着フィルムを示す。（ａ）は金属化フィルムＢとＣのＰ
Ｅ７２面側を接着剤３を介してラミネートしたものであ
る。また、申）は金属化フィルムＤとＥの金属薄膜層１
面側を接着剤３を介してラミネートしたものである。さ
らに（（＋）は金属化フィルムＦのＰＥ７２面側とＧの
金属薄膜層１面側を接着剤３を介してラミネートしたも
のである。
フィルムを２枚ヲミネートした電磁波シールド用金属蒸
着フィルムを示す。（ａ）は金属化フィルムＢとＣのＰ
Ｅ７２面側を接着剤３を介してラミネートしたものであ
る。また、申）は金属化フィルムＤとＥの金属薄膜層１
面側を接着剤３を介してラミネートしたものである。さ
らに（（＋）は金属化フィルムＦのＰＥ７２面側とＧの
金属薄膜層１面側を接着剤３を介してラミネートしたも
のである。
第３図は金属化フィルムＨとＩのＰＥ７２面側の間に各
々接着剤３を介して１２μｍＰＥＴフィルム４とでラミ
ネートしたものである。
々接着剤３を介して１２μｍＰＥＴフィルム４とでラミ
ネートしたものである。
第４図は金属化フィルム■のＰＥ７２面側と金属化フィ
ルムにの金属薄膜層１面側、さらに金属化フィルムにの
ＰＥ７２面側と金属化フィルムＬの金属薄膜層１面側と
を各々接着剤３を介してラミネートし友ものである。
ルムにの金属薄膜層１面側、さらに金属化フィルムにの
ＰＥ７２面側と金属化フィルムＬの金属薄膜層１面側と
を各々接着剤３を介してラミネートし友ものである。
第６図にシールド電線への一実施例を示す。電気伝導体
１ｏを絶縁体１１で覆う。さらに、絶縁体１１の外周を
幅１２ 、７ｆｌで長尺の本発明電磁波シールド用金属
蒸着フィルム１２で端部がオーバーラツプするように螺
旋状に巻回してシールドした後、最外周に絶縁性、耐候
性、衝撃性等を考慮した外被材１３により覆われている
。本実施例では同じ直径の電気伝導体でシールド電線を
製作した場合、従来より用いられている銅（Ｃｕ）箔と
ＰＥＴをラミネートしたシールド材を使用したものに比
べて、外形で数十ミクロン、又重量で６０〜８０％も低
減できるものである。
１ｏを絶縁体１１で覆う。さらに、絶縁体１１の外周を
幅１２ 、７ｆｌで長尺の本発明電磁波シールド用金属
蒸着フィルム１２で端部がオーバーラツプするように螺
旋状に巻回してシールドした後、最外周に絶縁性、耐候
性、衝撃性等を考慮した外被材１３により覆われている
。本実施例では同じ直径の電気伝導体でシールド電線を
製作した場合、従来より用いられている銅（Ｃｕ）箔と
ＰＥＴをラミネートしたシールド材を使用したものに比
べて、外形で数十ミクロン、又重量で６０〜８０％も低
減できるものである。
第６図にタケダ理研法で測定したシールド効果を示す。
（４）、（ｂ）は１０〜１０００ Ｍｚでの磁界シール
ド効果を測定したものであり、（ａ）は３６μｍ銅箔、
（ロ）は本発明第２図（ａ）に示した銅１．０μｍの金
属薄膜層を有する金属化フィルムを２枚うミネートシた
電磁波シールド用金属蒸着フィルムによる磁界シールド
効果である。又、（０）、 （ｄ）は１０〜１０００
Ｍｚでの電界シールド効果を測定したものであり、（Ｃ
）は３６μｍ銅箔、（ｄ）は本発明ぺ第２図（ａ）に示
した銅１．０μｍの金属薄膜層を有する。金属化フィル
ムを２枚うミネートシた電磁波シールド用金属蒸着フィ
ルムによる電界シールド効果である。
ド効果を測定したものであり、（ａ）は３６μｍ銅箔、
（ロ）は本発明第２図（ａ）に示した銅１．０μｍの金
属薄膜層を有する金属化フィルムを２枚うミネートシた
電磁波シールド用金属蒸着フィルムによる磁界シールド
効果である。又、（０）、 （ｄ）は１０〜１０００
Ｍｚでの電界シールド効果を測定したものであり、（Ｃ
）は３６μｍ銅箔、（ｄ）は本発明ぺ第２図（ａ）に示
した銅１．０μｍの金属薄膜層を有する。金属化フィル
ムを２枚うミネートシた電磁波シールド用金属蒸着フィ
ルムによる電界シールド効果である。
尚、実施例の説明にあたってはＰＥＴの厚み寸法や金属
薄膜層の金属、厚みを記述したが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
薄膜層の金属、厚みを記述したが、本発明はこれらに限
定されるものではない。
発明の効果
以上のように本発明は電磁波シールド用の金属薄膜層を
ＰＥＴ表面に形成した電磁波シールド用金属蒸着フィル
ムをラミネートして使用することによシ、不要電磁波の
電界、磁界９周波数、低減量に対応して金属薄膜層厚さ
、ラミネート枚数を設定することで適正な不要電磁波シ
ールドが可能で、薄く、軽量なンーｐド材が提供できる
。
ＰＥＴ表面に形成した電磁波シールド用金属蒸着フィル
ムをラミネートして使用することによシ、不要電磁波の
電界、磁界９周波数、低減量に対応して金属薄膜層厚さ
、ラミネート枚数を設定することで適正な不要電磁波シ
ールドが可能で、薄く、軽量なンーｐド材が提供できる
。
第１図は本発明の一実施例に用いた金属化フィルムの断
面図、第２図（、）〜（Ｃ）、第３図および第４図は本
発明の実施例におけるラミネートフィルムの断面構造図
、第５図は本発明の実施例における不要電磁波シールド
を施した電線の斜視図、第６図（ａ）〜（ｄ）は従来例
と本発明の電磁波シールド用金属蒸着フィｐムによる電
界、磁界のシールド効果を示すグラフ、第７図（ａ）お
よび申）は各々従来例の不要電磁波シールドを示す要部
断面図及び電線の斜視図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 第３図 第２図 第４図 第 図 第 図 （の） ＳプＰｊＯｔ ＳＰＡＮ １０１）ＯＭＨｚ ｔｌｌＮｒＷｔ５０１）ＭＨｔ ｔＷＰ Ｉ（ｌ ｆ （ｂ） １ｗＰ １０ ＃ ５ＰＡＮ ＋ＯＯＯＭＬ ＣＷｎｒ ＳＯＤ ＭＨｚ 第 図 （α） ■ （ｂン （Ｃ） ｅＥＭＭ ＳＯＤ ＭＨｚ （ｄ−）
面図、第２図（、）〜（Ｃ）、第３図および第４図は本
発明の実施例におけるラミネートフィルムの断面構造図
、第５図は本発明の実施例における不要電磁波シールド
を施した電線の斜視図、第６図（ａ）〜（ｄ）は従来例
と本発明の電磁波シールド用金属蒸着フィｐムによる電
界、磁界のシールド効果を示すグラフ、第７図（ａ）お
よび申）は各々従来例の不要電磁波シールドを示す要部
断面図及び電線の斜視図である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名第１
図 第３図 第２図 第４図 第 図 第 図 （の） ＳプＰｊＯｔ ＳＰＡＮ １０１）ＯＭＨｚ ｔｌｌＮｒＷｔ５０１）ＭＨｔ ｔＷＰ Ｉ（ｌ ｆ （ｂ） １ｗＰ １０ ＃ ５ＰＡＮ ＋ＯＯＯＭＬ ＣＷｎｒ ＳＯＤ ＭＨｚ 第 図 （α） ■ （ｂン （Ｃ） ｅＥＭＭ ＳＯＤ ＭＨｚ （ｄ−）
Claims (3)
- （１）高分子より成るフィルム基板表面に金属薄膜層を
形成した金属化フィルムを用いて、該金属化フィルムを
接着層を介して２枚以上ラミネートしたことを特徴とす
る電磁波シールド用金属蒸着フィルム。 - （２）金属化フィルムを接着層とともに高分子フィルム
を介して２枚以上ラミネートしたことを特徴とする請求
項１に記載の電磁波シールド用金属蒸着フィルム。 - （３）金属薄膜層が、銅（Ｃｕ），アルミニウム（Ａｌ
）銀（Ａｑ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ）またはニ
ッケル（Ｎｉ）を主成分とする単一成分、もしくは混合
物より成ることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シ
ールド用金属蒸着フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782888A JPH0227800A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電磁波シールド用金属蒸着フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782888A JPH0227800A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電磁波シールド用金属蒸着フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227800A true JPH0227800A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16037818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17782888A Pending JPH0227800A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電磁波シールド用金属蒸着フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227800A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216591A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ―ルド材 |
| US6286902B1 (en) | 1999-12-10 | 2001-09-11 | Tachi-S Co. Ltd. | Seat back framework of seat |
| KR101145413B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2012-05-15 | 주식회사 씨에이디 | 전자파 차폐용 금속시트 |
| WO2012141394A1 (ko) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Song Min Hwa | Ｓｍｄ 공정을 위한 실드캔용 판재 및 이의 제조방법과 상기 판재를 이용한 실드캔 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17782888A patent/JPH0227800A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000216591A (ja) * | 1999-01-25 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | シ―ルド材 |
| US6286902B1 (en) | 1999-12-10 | 2001-09-11 | Tachi-S Co. Ltd. | Seat back framework of seat |
| KR101145413B1 (ko) * | 2010-03-30 | 2012-05-15 | 주식회사 씨에이디 | 전자파 차폐용 금속시트 |
| WO2012141394A1 (ko) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Song Min Hwa | Ｓｍｄ 공정을 위한 실드캔용 판재 및 이의 제조방법과 상기 판재를 이용한 실드캔 |
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