JP2020155584A - 電磁波シールドフィルム、および電磁波シールドフィルムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、物理蒸着法を用いて金属層、防錆層を形成し、その層厚さを最適することで、耐湿性を併せ持った、静電結合ノイズを除去する電磁波シールドフィルムを作製することを課題とする。【解決手段】フィルムの一方、もしくは両方の面にフィルム側から非磁性金属からなる金属層、防錆層をこの順に有する電磁波シールドフィルムであって、該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、該電磁波シールドフィルムの６５℃９０％ＲＨ環境での耐湿試験実施後の該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、該耐湿試験実施前の表面抵抗からの表面抵抗変化率が２０％以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルムである。【選択図】なし
Description
本発明は電磁波シールド、および電磁波シールドフィルムの製造方法に関する。
近年、スマートフォンやタブレット型情報端末には、大容量のデータを高速に伝送する性能が求められており、また、大容量のデータを高速伝送するためには高周波信号を用いる必要がある。しかし、高周波信号を用いると、半導体素子およびプリント配線板に設けられた信号回路から電磁波ノイズが発生し、周辺機器が誤動作しやすくなる。そこで、このような誤動作を防止するために、電磁波シールドが各所に設けられている。該電磁波シールドとしては、金属や金属層付フィルム等が使用されているが、被シールド物である半導体チップ、ケース、配線、筐体内面等の様々な形状に隙間なくシールドフィルムを貼り合わせるため、形状追従性がよい金属層付フィルムが用いられることが多い。また、該金属層付フィルムの金属には銅や銀が好適に用いられる。（例えば、特許文献１）
使用される電磁波シールド材に対して、要求される電磁波シールド性能は対象とする機器や使用される部位、遮蔽が必要な電磁波の種類によって異なっている。必要な電磁波シールド性能については、例えば特許文献２のように、高い電磁波シールド性能が必要な場合は１００ｄＢ以上、中程度の電磁波シールド性能が必要な場合は６０ｄＢ程度が指標となっている。
使用される電磁波シールド材に対して、要求される電磁波シールド性能は対象とする機器や使用される部位、遮蔽が必要な電磁波の種類によって異なっている。必要な電磁波シールド性能については、例えば特許文献２のように、高い電磁波シールド性能が必要な場合は１００ｄＢ以上、中程度の電磁波シールド性能が必要な場合は６０ｄＢ程度が指標となっている。
また、近年、携帯通信機器の充電を行うための方法として、電源ケーブルを必要としない無線給電が注目されており、スマートフォンやタブレット型情報端末にも採用される事例がある。無線給電の方式としては、例えば、電磁誘導方式、磁界共鳴方式、電界結合方式等があるが、現時点では電磁誘導方式が最も普及している。無線給電では電磁波により、電力伝送を行うため、情報端末の筐体のうち無線給電の受信部分については電磁波シールドを取り付けることができなくなる。この部分から、無線給電時に発生した電磁波が外部に漏洩し、周辺回路へ悪影響を与えるノイズ源となる可能性がある。また近年の急速充電対応により、電磁波が高出力化されているため、漏洩した電磁波が、例えば、国際非電離放射線防護委員会（ＩＣＮＩＲＰ）の「時間変化する電界、磁界及び電磁界による曝露を制限するためのガイドライン（300GHzまで）」（Guidelines for Limiting Exposure to Time-Varying Electric, Magnetic, and Electromagnetic Fields（up to 300GHz））［１９９８年４月］に定められている暴露量を超え、周辺の人体に悪影響を与える懸念がある。静電結合ノイズの一部または全部の除去のため電磁波シールドフィルムを使用することが考案されている。（例えば、特許文献３）
特許文献３に使用する電磁波シールドフィルムは、空間ノイズのうち、電磁結合ノイズは除去せずに、静電結合ノイズのみを低減させるものである。この特性は金属層を薄くし、抵抗値を高くした電磁波シールドフィルムを使用することで実現ができる。
特許文献３に使用する電磁波シールドフィルムは、空間ノイズのうち、電磁結合ノイズは除去せずに、静電結合ノイズのみを低減させるものである。この特性は金属層を薄くし、抵抗値を高くした電磁波シールドフィルムを使用することで実現ができる。
このような金属層が薄い電磁波シールドフィルムを湿度が高い場所で使用する場合、金属自体が酸化もしくは腐食してしまい導電性を失い、電磁波シールド性を失ってしまう可能性もある。これを防ぐために、金属層の表面に防錆効果のある層を追加することが提案されている。（例えば、特許文献４）
しかしながら、特許文献４のように、防錆層として銀合金を用いた場合、全体としての表面抵抗が低くなり、静電結合ノイズのみでなく、無線給電に必要な電磁結合成分も除去してしまうため、無線給電の効率を低下させてしまう問題がある。静電結合ノイズを除去する電磁波シールドフィルムにおいて、金属層の表面抵抗値および表面抵抗値の変化は、シールド特性を変える要因となる。
しかしながら、特許文献４のように、防錆層として銀合金を用いた場合、全体としての表面抵抗が低くなり、静電結合ノイズのみでなく、無線給電に必要な電磁結合成分も除去してしまうため、無線給電の効率を低下させてしまう問題がある。静電結合ノイズを除去する電磁波シールドフィルムにおいて、金属層の表面抵抗値および表面抵抗値の変化は、シールド特性を変える要因となる。
本発明は、上述の事実に鑑み、金属層の表面抵抗値が変化しない適切な厚みの防錆層を設けることで、耐湿性を有しつつ、静電結合ノイズを除去する電磁波シールドフィルムを作製することを目的とした。
本発明者らは、上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、以下の電磁波シールドフィルムを得るに至った。
すなわち、本発明は、フィルムの一方、もしくは両方の面にフィルム側から非磁性金属からなる金属層、防錆層をこの順に有する電磁波シールドフィルムであって、該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、該電磁波シールドフィルムの６５℃９０％ＲＨ環境での耐湿試験実施後の該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、該耐湿試験実施前の表面抵抗からの表面抵抗変化率が２０％以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルムに関する。
また、本発明は、上記の電磁波シールドフィルムの製造方法に関し、該金属層および該防錆層が真空蒸着法もしくはスパッタリング法にて成膜されることを特徴とする電磁波シールドフィルムの製造方法に関する。
本発明で、耐湿性を有しつつ、静電結合ノイズを除去する性能を有した電磁波シールド材の作製が可能となる。
本発明について以下詳細に説明する。
本発明の電磁波シールドフィルムは、フィルムの一方、もしくは両方の面にフィルム側から金属層、防錆層がこの順に形成されているものであり、金属層および防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下である。金属層および防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω／□以下にすることで、静電結合ノイズを効果的に除去する電界シールドとして機能する。表面抵抗が１８Ω／□を超える場合、均一な金属層ではなく、島状の金属層が点接触にて導通することで表面抵抗を決定するため、島状金属層の成長度合い、表面酸化により抵抗値が電界シールド性能に影響を与える。例えば１８Ω/□品に＋２０％を超える抵抗変化、すなわち、表面抵抗値が２１．６Ω/□を超える場合には、下記式によって算出した１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥが１００ｄＢを下回るため好ましくない。さらに安定した電界シールド性を求める場合は、表面抵抗が１５Ω/□以下がより好ましい。一方、表面抵抗が低くなると、無線給電で必要な誘電結合成分がシールドされてしまう。また、金属層の膜厚が厚くなると生産性が低下するので、表面抵抗は０．１Ω/□以上が好ましい。また、貴金属を金属層として使用する場合は、金属層厚を薄くすることで製造コストの面で有利となるため０．３Ω/□以上がより好ましい。
ＳＥ：電界シールド性能
Ｒｅ：反射損（ｄＢ）
Ａ：減衰損（ｄＢ）
Ｂ：多重反射損（ｄＢ）
σr：比導電率
σ0：導電率（Ｓ／ｍ）
μr：比透磁率
μ0：真空導磁率（Ｈ／ｍ）
ｆ：周波数
r：近傍距離（ｍ）
t：金属膜厚（ｍｍ）
δ：表皮厚さ（ｍ）
Rs：金属表面抵抗（Ω/□）
R：比抵抗（Ω・ｃｍ）。
Ｒｅ：反射損（ｄＢ）
Ａ：減衰損（ｄＢ）
Ｂ：多重反射損（ｄＢ）
σr：比導電率
σ0：導電率（Ｓ／ｍ）
μr：比透磁率
μ0：真空導磁率（Ｈ／ｍ）
ｆ：周波数
r：近傍距離（ｍ）
t：金属膜厚（ｍｍ）
δ：表皮厚さ（ｍ）
Rs：金属表面抵抗（Ω/□）
R：比抵抗（Ω・ｃｍ）。
本発明の電磁波シールドフィルムにおいて行った６５℃９０％ＲＨの耐湿試験については、２５℃湿潤環境下（湿度９０％ＲＨ）の加速試験として実施した。一般的に加速試験には高温高湿環境への暴露での、媒体変化の加速度を見積もって予測するアレニウスプロット等の予測が使用される。絶対温度の逆数の対数と時間の対数について直線的な関係を得ることができ、６５℃９０％ＲＨ２５０時間の試験は２５℃９０％ＲＨ環境での４０００時間に相当するものとして試験を実施した。
本発明の電磁波シールドフィルムは、６５℃９０％ＲＨ耐湿試験後の抵抗変化率として２０％以下にすることで、長期間安定した電磁波シールド性能を維持することができる。例えば、１８Ω/□の電磁波シールドフィルムが＋２０％抵抗変化を起こした場合、抵抗値が１８.０Ω/□から２１.６Ω/□に増加し、前記の式によって算出した１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは１０１ｄＢから１００ｄＢに減少する。これ以上の抵抗変化が起こった場合、電界シールド性能ＳＥは１００ｄＢのシールド性能を下回るため好ましくない。電界シールド性能の変化は少ないほうが良いため、より好ましくは抵抗変化率が１５％以内である。
本発明の電磁波シールドフィルムは、ＫＥＣ法での測定で１５０ｋＨｚにおいて測定上限値３０ｄＢ以上の電界シールド性能を持ち、前記の式により計算した１５０ｋＨｚにおける電界シールド性能ＳＥが１００ｄＢ以上であることが好ましい。また、ＫＥＣ法での測定において１５０ｋＨｚで５ｄＢ以下の磁界シールド性能を持つことが好ましい。無線給電の効率を阻害しないためには磁界シールド性能は低いほうが好ましく、より好ましくはＫＥＣ法での測定値で３ｄＢ以下、さらに好ましくは２ｄＢ以下である。ＫＥＣ法とは、ＫＥＣ（関西電子工業振興センター）で開発された方法であり、ＫＥＣにおける「電磁波シールド特性測定法」を指すものである。
本発明における金属層については、電気電導度の高い金属であれば必要な金属量が少なく、柔軟性の良い電磁波シールドフィルムを作製可能となるため好ましい。具体的には、導電率が１．０×１０７Ｓ／ｍ（２０℃の値。以下同様）以上の金属によって形成することが好ましく、３．０×１０７Ｓ／ｍ以上であると好ましい。このような金属としては、導電率が３．９６×１０７Ｓ／ｍのアルミニウム、導電率が５．８０×１０７Ｓ／ｍの銅、及び導電率が６．１４×１０７Ｓ／ｍの銀がある。すなわち主成分が銀、銅、アルミニウムのいずれかの金属が好ましい。静電結合ノイズに対するシールド性能を得るには、表面抵抗で制御すればよいため、前述の金属を単体で使用しても、合金を使用しても構わない。本発明においては８０重量％を超える含有量のものを主成分と定義する。
本発明における防錆層の材質については金属を用いるが、防錆層に使用する金属は酸化膜が安定している金属、もしくは単体で安定している貴金属であることが好ましい。すなわち、主成分がチタン、クロム、金、白金のいずれか１つ以上を含む金属層であることが好ましい。耐湿性を得ることができれば、前述の金属を単体で使用しても、合金を使用しても構わない。本発明においては８０重量％を超える含有量のものを主成分と定義する。また防錆層の膜厚は、その膜厚を該防錆層の膜厚が０．１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下に制御することで、耐湿性のある電磁波シールドを作製することである。防錆性能が発揮できるものであれば、耐湿性をより確実にするためには防錆層は厚いほうが好ましく、１ｎｍ以上であることがより好ましい。また、防錆層に使用する金属は蒸着速度が低い、もしくは貴金属であるため、生産性および生産コストの面から膜厚が薄いほうが好ましく、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
本発明で用いられるフィルムとは、合成樹脂などの高分子を薄い膜状に成型したものである。
基材に使用するフィルムの材質によっては、金属が拡散し、フィルムと金属層の密着力が低下する場合があるため、密着力の低下を防止するために、該金属層と該フィルムの間に、バッファー層を形成してもよい。バッファー層に使用する材質としては、樹脂への金属拡散を抑制するのに有効な金属であればよい。すなわち、金属としてはニッケル、チタンが好ましく、バッファー層の厚みとしては２ｎｍ以上、５０ｎｍ以下が好ましい。バッファー層の効果をより強くするためには５ｎｍ以上がより好ましい。また、生産効率の観点から３０ｎｍ以下がより好ましい。
本発明で好適に用いられるフィルムとしては、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムの中でもポリエチレンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましく例示される。このうちポリエチレンテレフタレートフィルムがより好ましく用いられる。これらのフィルムは単独で用いても構わないし、複合されたものを用いても構わない。またフィルム表面に樹脂や粘着剤等をコーティングしたものを用いても構わない。
またかかるフィルムの厚みは１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。フィルムの厚みが１μｍ未満であると蒸着中に生じる応力によってフィルムが変形したり破れたりしてしまう可能性がある。また２０μｍを超えると筐体内面等の様々な形状に隙間なく貼り合わせることができなくなってしまうため好ましくない。フィルムの厚みはより好ましくは２μｍ以上１５μｍ以下である。
本発明における金属層、および防錆層は、物理蒸着法におけるスパッタリング法、もしくは真空蒸着法にて形成されることが好ましい。スパッタリング法には、２極スパッタリング、マグネトロンスパッタリング、デュアルマグネトロンスパッタリング（ＤＭＳ）、イオンビームスパッタリングなどを単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。また、ターゲットの印加方式はＤＣ（直流）スパッタリング、ＤＣパルススパッタリング、ＡＣ（交流）スパッタリング及びＲＦ（高周波）スパッタリングのいずれを用いてもよい。真空蒸着法には誘導加熱蒸着法、抵抗加熱蒸着法、レーザービーム蒸着法、電子ビーム蒸着法などがある。どの方法を用いてもよいが、密着性や該電磁波シールドの狙い膜厚、および生産安定性を考えると、ＤＣパルス電源を用いたマグネトロンスパッタリング法が好適に用いられる。蒸着中は基材の温度が上昇しないようにフィルムを冷却しながら蒸着を行ってもよい。
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
（金属層蒸着）
ロール式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＷＣ−０６０）内にフィルムを設置し、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度１×１０−２Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を印加して金属層を形成した。
ロール式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＷＣ−０６０）内にフィルムを設置し、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度１×１０−２Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を印加して金属層を形成した。
なお、後に実施する防錆層蒸着については連続して処理を行い、金属層と防錆層の間で大気と触れさせないようにした。
（防錆層蒸着）
ロール式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＷＣ−０６０）内にフィルムを設置し、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度１×１０−２Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を印加して防錆層を形成した。
ロール式真空蒸着装置（アルバック製 ＥＷＣ−０６０）内にフィルムを設置し、７０ｍｍ×５５０ｍｍサイズのターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中で真空到達度１×１０−２Ｐａ以下に調整して、ＤＣ電源を印加して防錆層を形成した。
（耐湿性試験）
電磁波シールドフィルムを約５００ｍｍ×約５０ｍｍの大きさにカットして、プラスチック板に張り付けた後、水滴の付着をしないように電磁波シールドフィルムを下向きにして６５℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽（ＩＭＶ製 ＴＨＣ-１２０）に入れ２５０時間放置した。
電磁波シールドフィルムを約５００ｍｍ×約５０ｍｍの大きさにカットして、プラスチック板に張り付けた後、水滴の付着をしないように電磁波シールドフィルムを下向きにして６５℃９０％ＲＨの恒温恒湿槽（ＩＭＶ製 ＴＨＣ-１２０）に入れ２５０時間放置した。
（表面抵抗測定）
電磁波シールドフィルムを約５００ｍｍ×約５０ｍｍの大きさにカットして、簡易型低抵抗率計（株式会社三菱ケミカルアナリテック製 ロレスタＥＰ ＭＣＰ-Ｔ３６０）を使って、４端子法にて面内複数個所の表面抵抗を測定した。
電磁波シールドフィルムを約５００ｍｍ×約５０ｍｍの大きさにカットして、簡易型低抵抗率計（株式会社三菱ケミカルアナリテック製 ロレスタＥＰ ＭＣＰ-Ｔ３６０）を使って、４端子法にて面内複数個所の表面抵抗を測定した。
（防錆層厚み）
フィルム上に防錆層のみを蒸着したサンプルを作製し、透過率計（井原電子工業株式会社製 ポータブル白黒透過濃度計 Ｉｈａｃ−Ｔ５）で波長５５５ｎｍの透過率を測定した。金属厚計算にはランバート・ベールの法則を用い、下記式に当てはめて計算を行った。 なお、計算で使用する消衰係数としては、チタン：２．５６、クロム：３．３３、金：２．７３、白金：３．７２を使用した。
フィルム上に防錆層のみを蒸着したサンプルを作製し、透過率計（井原電子工業株式会社製 ポータブル白黒透過濃度計 Ｉｈａｃ−Ｔ５）で波長５５５ｎｍの透過率を測定した。金属厚計算にはランバート・ベールの法則を用い、下記式に当てはめて計算を行った。 なお、計算で使用する消衰係数としては、チタン：２．５６、クロム：３．３３、金：２．７３、白金：３．７２を使用した。
I：薄膜通過後の光量
I０：初期光量
ｋ：消衰係数
Z：膜厚（ｎｍ）
λ：波長（ｎｍ）。
I０：初期光量
ｋ：消衰係数
Z：膜厚（ｎｍ）
λ：波長（ｎｍ）。
（耐湿性判定）
耐湿性試験前表面抵抗Ｒ０、２５０時間の６５℃９０％ＲＨでの耐湿試験後表面抵抗Ｒ２５０から、下記式を使って、変化率ＲΔを算出した。算出した変化率の値が２０％以下であれば〇、２０％を超える場合は×と判定した。
ＲΔ＝（Ｒ２５０−Ｒ０）／Ｒ０。
耐湿性試験前表面抵抗Ｒ０、２５０時間の６５℃９０％ＲＨでの耐湿試験後表面抵抗Ｒ２５０から、下記式を使って、変化率ＲΔを算出した。算出した変化率の値が２０％以下であれば〇、２０％を超える場合は×と判定した。
ＲΔ＝（Ｒ２５０−Ｒ０）／Ｒ０。
（シールド性能試験）
マイクロ波・ミリ波帯評価システムＥ５０７１Ｃ ＥＮＡネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用い、ＫＥＣ法にて、１５０ｋＨｚの電界シールド性能（ｄＢ）と磁界シールド性能（ｄＢ）を測定した。なお、測定限界については厚さ３ｍｍの銅板を挟み測定した結果を測定上限値とした。
マイクロ波・ミリ波帯評価システムＥ５０７１Ｃ ＥＮＡネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用い、ＫＥＣ法にて、１５０ｋＨｚの電界シールド性能（ｄＢ）と磁界シールド性能（ｄＢ）を測定した。なお、測定限界については厚さ３ｍｍの銅板を挟み測定した結果を測定上限値とした。
（シールド性能計算）
耐湿試験を行う前後の電磁波シールドフィルムの表面抵抗値測定結果を下記式に当てはめて電界シールド性能ＳＥの計算を行った。なお、計算で使用する比導電率については銀１.０５、銅１.０、アルミニウム０.６３を使用し、導電率として銀６.１×１０７(Ｓ／ｍ)、銅５.８×１０７(Ｓ／ｍ)、アルミニウム３.７×１０７(Ｓ／ｍ)、比透磁率として銀１、銅１、アルミニウム１、真空導磁率としては４π×１０７(Ｈ／ｍ)、近傍距離としてはＫＥＣ測定装置から０．０２ｍを使用し、比抵抗は銀１．５９×１０６（Ω・ｃｍ）銅１．６８×１０６（Ω・ｃｍ）アルミニウム２．６５×１０６（Ω・ｃｍ）を使って計算を行った。
耐湿試験を行う前後の電磁波シールドフィルムの表面抵抗値測定結果を下記式に当てはめて電界シールド性能ＳＥの計算を行った。なお、計算で使用する比導電率については銀１.０５、銅１.０、アルミニウム０.６３を使用し、導電率として銀６.１×１０７(Ｓ／ｍ)、銅５.８×１０７(Ｓ／ｍ)、アルミニウム３.７×１０７(Ｓ／ｍ)、比透磁率として銀１、銅１、アルミニウム１、真空導磁率としては４π×１０７(Ｈ／ｍ)、近傍距離としてはＫＥＣ測定装置から０．０２ｍを使用し、比抵抗は銀１．５９×１０６（Ω・ｃｍ）銅１．６８×１０６（Ω・ｃｍ）アルミニウム２．６５×１０６（Ω・ｃｍ）を使って計算を行った。
ＳＥ：電界シールド性能
Ｒｅ：反射損（ｄＢ）
Ａ：減衰損（ｄＢ）
Ｂ：多重反射損（ｄＢ）
σr：比導電率
σ0：導電率（Ｓ／ｍ）
μr：比透磁率
μ0：真空導磁率（Ｈ／ｍ）
ｆ：周波数
r：近傍距離（ｍ）
t：金属膜厚（ｍｍ）
δ：表皮厚さ（ｍ）
Rs：金属表面抵抗（Ω/□）
R：比抵抗（Ω・ｃｍ）。
Ｒｅ：反射損（ｄＢ）
Ａ：減衰損（ｄＢ）
Ｂ：多重反射損（ｄＢ）
σr：比導電率
σ0：導電率（Ｓ／ｍ）
μr：比透磁率
μ0：真空導磁率（Ｈ／ｍ）
ｆ：周波数
r：近傍距離（ｍ）
t：金属膜厚（ｍｍ）
δ：表皮厚さ（ｍ）
Rs：金属表面抵抗（Ω/□）
R：比抵抗（Ω・ｃｍ）。
（シールド性能判定）
本発明の電磁波シールドフィルムは電磁誘導式無線給電機器にてシールド材として、使用することを想定しているが、現在の普及している電磁誘導式無線給電機器は周波数１００ｋＨｚから２００ｋＨｚの電磁波が使用されている。そのため、本発明の中ではこの範囲の中央である１５０ｋＨｚでの電磁波シールド性能にて判断をおこなうこととした。
本発明の電磁波シールドフィルムは電磁誘導式無線給電機器にてシールド材として、使用することを想定しているが、現在の普及している電磁誘導式無線給電機器は周波数１００ｋＨｚから２００ｋＨｚの電磁波が使用されている。そのため、本発明の中ではこの範囲の中央である１５０ｋＨｚでの電磁波シールド性能にて判断をおこなうこととした。
シールド性能試験で測定した１５０ｋＨｚでの磁界シールド性能が５ｄＢ以下であり、シールド性能計算で求めた１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥが１００ｄＢ以上の両方を満たすものについて、シールド性能〇とし、どちらか、もしくは両方を満たさないものについては×と判定した。
（実施例１）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で純銀を８ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを３ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）、磁界シールド性能が１ｄＢであった。 表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前５．９Ω/□、耐湿試験後６．４Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は９％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で純銀を８ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを３ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）、磁界シールド性能が１ｄＢであった。 表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前５．９Ω/□、耐湿試験後６．４Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は９％で、耐湿性判定は〇であった。
測定した表面抵抗の値から、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１１１ｄＢ、耐湿試験後は１１０ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例２）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを０．４ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．６Ω/□、耐湿試験後９．２Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は７％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを０．４ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．６Ω/□、耐湿試験後９．２Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は７％で、耐湿性判定は〇であった。
測定した表面抵抗の値から、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０８ｄＢ、耐湿試験後は１０７ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例３）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを０．８ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．５Ω/□、耐湿試験後８．９Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は５％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを０．８ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．５Ω/□、耐湿試験後８．９Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は５％で、耐湿性判定は〇であった。
測定した表面抵抗の値から、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０８ｄＢ、耐湿試験後は１０７ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例４）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを１．６ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．４Ω/□、耐湿試験後９．５Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１３％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを１．６ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．４Ω/□、耐湿試験後９．５Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１３％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０８ｄＢ、耐湿試験後は１０７ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例５）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを３．３ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．１Ω/□、耐湿試験後１０．１Ω/□で、耐湿性試験前後の表面抵抗変化率は１１％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを３．３ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．１Ω/□、耐湿試験後１０．１Ω/□で、耐湿性試験前後の表面抵抗変化率は１１％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０７ｄＢ、耐湿試験後は１０６ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例６）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを４．１ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．３Ω/□、耐湿試験後１０．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１４％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを４．１ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．３Ω/□、耐湿試験後１０．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１４％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０７ｄＢ、耐湿試験後は１０６ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例７）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを４．９ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．５Ω/□、耐湿試験後９．４Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は−１％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを４．９ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．５Ω/□、耐湿試験後９．４Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は−１％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０７ｄＢ、耐湿試験後は１０６ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例８）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを５．７ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．８Ω/□、耐湿試験後１１．１Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１３％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを５．７ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前９．８Ω/□、耐湿試験後１１．１Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は１３％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０７ｄＢ、耐湿試験後は１０６ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（実施例９）
厚さ５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン製、“カプトン（登録商標）”タイプＥＮ）にマグネトロンスパッタリング法によってチタンを９．２ｎｍの厚さに蒸着し、バッファー層を形成した。その後、マグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を５．７ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを９．２ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前１０．１Ω/□、耐湿試験後１０．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は５％で、耐湿性判定は〇であった。
厚さ５μｍのポリイミドフィルム（東レデュポン製、“カプトン（登録商標）”タイプＥＮ）にマグネトロンスパッタリング法によってチタンを９．２ｎｍの厚さに蒸着し、バッファー層を形成した。その後、マグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を５．７ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。その後、マグネトロンスパッタリング法によってチタンを９．２ｎｍの厚さに蒸着した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前１０．１Ω/□、耐湿試験後１０．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は５％で、耐湿性判定は〇であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１０７ｄＢ、耐湿試験後は１０６ｄＢであり、シールド性能判定は〇であった。
（比較例１）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で純銀を８ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前５．３Ω/□、耐湿試験後２５．１Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は３７５％で、耐湿性判定は×であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で純銀を８ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が０ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前５．３Ω/□、耐湿試験後２５．１Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は３７５％で、耐湿性判定は×であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥは、耐湿試験前は１１２ｄＢ、耐湿試験後は９８ｄＢであり、シールド性能判定は×であった。
（比較例２）
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．３Ω/□、耐湿試験後２７．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は２３３％で、耐湿性判定は×であった。
厚さ６μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）製、“ルミラー（登録商標）”タイプ：Ｆ５３）にマグネトロンスパッタリング法で銀合金（三菱マテリアル（株）製、銀合金＃３１７）を４ｎｍの厚さに蒸着した。条件として、スパッタリング出力はＤＣ電源を用いて２．５ｋｗを採用し、搬送速度を調整して所定の膜厚になるように調整した。このように作製した電磁波シールドフィルムについて、シールド性能試験を行った結果、電界シールド性能が３０ｄＢ（測定上限値）で、磁界シールド性能が１ｄＢであった。表面抵抗測定を行った後、耐湿性試験を実施した。耐湿性試験後のサンプルについて表面抵抗測定を行った。表面抵抗については耐湿試験前８．３Ω/□、耐湿試験後２７．６Ω/□で、耐湿試験前後の表面抵抗変化率は２３３％で、耐湿性判定は×であった。
また、１５０ｋＨｚでの電界シールドＳＥは、耐湿試験前は１０８ｄＢ、耐湿試験後は９８ｄＢであり、シールド性能判定は×であった。
１ フィルム
２ バッファー層
３ 金属層
４ 防錆層
２ バッファー層
３ 金属層
４ 防錆層
Claims (9)
- フィルムの一方、もしくは両方の面にフィルム側から非磁性金属からなる金属層、防錆層をこの順に有する電磁波シールドフィルムであって、該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、６５℃９０％ＲＨ環境での耐湿試験実施後の該金属層、該防錆層を合わせた表面抵抗が１８Ω/□以下であり、該耐湿試験実施前の表面抵抗からの表面抵抗変化率が２０％以下であることを特徴とする電磁波シールドフィルム。
- 少なくともフィルムの一方にある該金属層と該フィルムの間に、バッファー層を持つ請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
- 下記式を用いて計算した電界シールド性能ＳＥにおいて、１５０ｋＨｚでの電界シールド性能ＳＥが１００ｄＢ以上であり、ＫＥＣ法を用いたシールド性能試験において、１５０ｋＨｚでの磁界シールド性能が５ｄＢ以下である請求項１または２に記載の電磁波シールドフィルム。
Ｒｅ：反射損（ｄＢ）
Ａ：減衰損（ｄＢ）
Ｂ：多重反射損（ｄＢ）
σr：比導電率
σ0：導電率（Ｓ／ｍ）
μr：比透磁率
μ0：真空導磁率（Ｈ／ｍ）
ｆ：周波数
r：近傍距離（ｍ）
t：金属膜厚（ｍｍ）
δ：表皮厚さ（ｍ）
Rs：金属表面抵抗（Ω/□）
R：比抵抗（Ω・ｃｍ） - 該金属層の主成分が銀、銅、アルミニウムのいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の電磁波シールドフィルム。
- 該防錆層の主成分がチタン、クロム、金、白金からなる群から選ばれる少なくとも１つを含む金属層である請求項１から４のいずれかに記載の電磁波シールドフィルム。
- 該防錆層の膜厚が０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の電磁波シールドフィルム。
- 該フィルムがポリエステル、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレンのいずれかである請求項１から６のいずれかに記載の電磁波シールドフィルム
- 該フィルムの厚みが１μｍ以上、２０μｍ以下である請求項１から７のいずれかに記載の電磁波シールドフィルム。
- 請求項１から８のいずれかに記載の電磁波シールドフィルムの製造方法であって、該金属層および該防錆層が、真空蒸着法もしくはスパッタリング法にて成膜される電磁波シールドフィルムの製造方法。
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