JP2000206257A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JP2000206257A JP2000206257A JP11001961A JP196199A JP2000206257A JP 2000206257 A JP2000206257 A JP 2000206257A JP 11001961 A JP11001961 A JP 11001961A JP 196199 A JP196199 A JP 196199A JP 2000206257 A JP2000206257 A JP 2000206257A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バイアスが容易に印加可能な放射線検出器を
提供する。 【解決手段】 放射線検出器の単位ユニット１０は、放
射線ｈνの入射方向に対して略垂直（Ｘ方向）に配列し
た第１及び第２半導体放射線検出素子１，２と、第１及
び第２半導体放射線検出素子１，２をその両面において
それぞれ支持する単一の第１平板状共通電極５とを備え
ている。複数のユニット１０を備えたアレイ４Ａ又は４
Ｂは、Ｙ方向の放射線の入射位置を検出することがで
き、これらのアレイ４Ａ，４Ｂを組み合わせてなるアレ
イ組立体４は、ＸＹ平面内の放射線の入射位置を検出す
ることができる。
提供する。 【解決手段】 放射線検出器の単位ユニット１０は、放
射線ｈνの入射方向に対して略垂直（Ｘ方向）に配列し
た第１及び第２半導体放射線検出素子１，２と、第１及
び第２半導体放射線検出素子１，２をその両面において
それぞれ支持する単一の第１平板状共通電極５とを備え
ている。複数のユニット１０を備えたアレイ４Ａ又は４
Ｂは、Ｙ方向の放射線の入射位置を検出することがで
き、これらのアレイ４Ａ，４Ｂを組み合わせてなるアレ
イ組立体４は、ＸＹ平面内の放射線の入射位置を検出す
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線検出器に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の放射線検出器は、特開昭６３−１
８２８７０号公報に記載されている。同公報に記載の放
射線検出器は、上下面に蒸着された電極膜を有する半導
体放射線検出素子を複数積層してなる。
８２８７０号公報に記載されている。同公報に記載の放
射線検出器は、上下面に蒸着された電極膜を有する半導
体放射線検出素子を複数積層してなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如く半導体放射線検出素子を複数積層したものの場合に
は、半導体放射線検出素子の側面に電極を設けるため、
これにリード線を取り付けて、バイアス電位を印加する
ことになるが、このような構造はバイアス電位の印加や
取扱が困難であるいう問題点がある。本発明は、このよ
うな問題点に鑑みてなされたものであり、バイアス電位
を容易に印加可能な放射線検出器を提供することを目的
とする。
如く半導体放射線検出素子を複数積層したものの場合に
は、半導体放射線検出素子の側面に電極を設けるため、
これにリード線を取り付けて、バイアス電位を印加する
ことになるが、このような構造はバイアス電位の印加や
取扱が困難であるいう問題点がある。本発明は、このよ
うな問題点に鑑みてなされたものであり、バイアス電位
を容易に印加可能な放射線検出器を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る放射線検出器は、放射線入射方向に対
して略垂直に配列した第１及び第２半導体放射線検出素
子と、第１及び第２半導体放射線検出素子をその両面に
おいてそれぞれ支持する単一の第１平板状共通電極とを
備えることを特徴とする。本放射線検出器によれば、第
１平板状共通電極が両面に設けられた半導体放射線検出
素子を支持するため、構造的に従来のものよりも強固で
あるため取扱が容易であり、また、これに所定の電位を
加えることによって、半導体放射線検出素子に容易にバ
イアス電位を印加することができる。
め、本発明に係る放射線検出器は、放射線入射方向に対
して略垂直に配列した第１及び第２半導体放射線検出素
子と、第１及び第２半導体放射線検出素子をその両面に
おいてそれぞれ支持する単一の第１平板状共通電極とを
備えることを特徴とする。本放射線検出器によれば、第
１平板状共通電極が両面に設けられた半導体放射線検出
素子を支持するため、構造的に従来のものよりも強固で
あるため取扱が容易であり、また、これに所定の電位を
加えることによって、半導体放射線検出素子に容易にバ
イアス電位を印加することができる。
【０００５】特に、共通電極は半導体放射線検出素子の
配置されるパッド部と、パッド部から延びるリードピン
部とからなり、パッド部の面積が半導体放射線検出素子
の面積よりも大きい場合には、半導体放射線検出素子を
パッド部に容易に配置することができ、また、リードピ
ン部に電位を与えることにより、半導体放射線検出素子
に容易にバイアス電位を印加することができる。
配置されるパッド部と、パッド部から延びるリードピン
部とからなり、パッド部の面積が半導体放射線検出素子
の面積よりも大きい場合には、半導体放射線検出素子を
パッド部に容易に配置することができ、また、リードピ
ン部に電位を与えることにより、半導体放射線検出素子
に容易にバイアス電位を印加することができる。
【０００６】双方の半導体放射線検出素子への放射線の
入射によって発生したそれぞれのキャリアは、バイアス
電圧にしたがって共通電極方向に向けて走行するが、こ
の走行距離は、それぞれのキャリアにとっては、２つの
半導体放射線検出素子を単一の半導体放射線検出素子で
構成した場合の半分となる。したがって、この構造によ
れば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制して高感
度の放射線検出を行うことができる。
入射によって発生したそれぞれのキャリアは、バイアス
電圧にしたがって共通電極方向に向けて走行するが、こ
の走行距離は、それぞれのキャリアにとっては、２つの
半導体放射線検出素子を単一の半導体放射線検出素子で
構成した場合の半分となる。したがって、この構造によ
れば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制して高感
度の放射線検出を行うことができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る放射線検
出器について説明する。同一要素又は同一機能を有する
要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省
略する。
出器について説明する。同一要素又は同一機能を有する
要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省
略する。
【０００８】図１は放射線検出器の単位ユニットを構成
する放射線検出ユニット１０の斜視図である。このユニ
ット１０は、放射線ｈνの入射方向に対して略垂直（Ｘ
方向）に配列した第１及び第２半導体放射線検出素子
１，２と、第１及び第２半導体放射線検出素子１，２を
その両面においてそれぞれ支持する単一の第１平板状共
通電極５とを備えている。なお、Ｘ、Ｙ及び入射方向ｈ
νは、互いに直交している。
する放射線検出ユニット１０の斜視図である。このユニ
ット１０は、放射線ｈνの入射方向に対して略垂直（Ｘ
方向）に配列した第１及び第２半導体放射線検出素子
１，２と、第１及び第２半導体放射線検出素子１，２を
その両面においてそれぞれ支持する単一の第１平板状共
通電極５とを備えている。なお、Ｘ、Ｙ及び入射方向ｈ
νは、互いに直交している。
【０００９】第１及び第２半導体放射線検出素子１，２
は、それぞれ、半導体チップ（ＣｄＴｅ）１ｓ，２ｓ
と、その両面に設けられた電極膜１ｆ，２ｆとを備えて
いる。電極膜１ｆ，２ｆは、銀ペースト等の導電性樹脂
からなり、内側の電極膜１ｆ，２ｆはチップ１ｓ，２ｓ
を共通電極５に固定している。勿論、電極膜１ｆ，２ｆ
は白金（Ｐｔ）からなることとしてもよく、この場合に
は、半導体放射線検出素子１，２の固定に、別途、銀ペ
ーストを用いる。
は、それぞれ、半導体チップ（ＣｄＴｅ）１ｓ，２ｓ
と、その両面に設けられた電極膜１ｆ，２ｆとを備えて
いる。電極膜１ｆ，２ｆは、銀ペースト等の導電性樹脂
からなり、内側の電極膜１ｆ，２ｆはチップ１ｓ，２ｓ
を共通電極５に固定している。勿論、電極膜１ｆ，２ｆ
は白金（Ｐｔ）からなることとしてもよく、この場合に
は、半導体放射線検出素子１，２の固定に、別途、銀ペ
ーストを用いる。
【００１０】直方体状の半導体放射線検出素子１，２
は、それぞれＹ方向の長さ（＝２ｍｍ）がＸ方向よりの
長さ（＝１ｍｍ）も長く、また、入射方向ｈνの長さ
（＝４ｍｍ）がＹ方向よりも長い。半導体放射線検出素
子１，２は、Ｘ方向を結晶成長（ＣｄＴｅ）の厚み方向
としているため、その厚みが比較的薄い基板を用いたと
しても、入射方向ｈνの長さ、すなわち、放射線吸収に
寄与する長さは大きく設定することができる。
は、それぞれＹ方向の長さ（＝２ｍｍ）がＸ方向よりの
長さ（＝１ｍｍ）も長く、また、入射方向ｈνの長さ
（＝４ｍｍ）がＹ方向よりも長い。半導体放射線検出素
子１，２は、Ｘ方向を結晶成長（ＣｄＴｅ）の厚み方向
としているため、その厚みが比較的薄い基板を用いたと
しても、入射方向ｈνの長さ、すなわち、放射線吸収に
寄与する長さは大きく設定することができる。
【００１１】共通電極５は。放射線入射方向ｈνに延び
るリードピン部５ｌを備えている。リードピン部５ｌ
は、入射方向ｈνに沿って延びる凹み溝５ｇを有するこ
とによって補強されている。これにより、ソケットにリ
ードピン部５ｌを差し込む場合においても、リードピン
部５ｌが曲がりにくくなるため、製造が容易となる。
るリードピン部５ｌを備えている。リードピン部５ｌ
は、入射方向ｈνに沿って延びる凹み溝５ｇを有するこ
とによって補強されている。これにより、ソケットにリ
ードピン部５ｌを差し込む場合においても、リードピン
部５ｌが曲がりにくくなるため、製造が容易となる。
【００１２】共通電極５は、半導体放射線検出素子１，
２の配置されるパッド部５ｐと、パッド部５ｐから放射
線入射方向ｈνに沿って延びるリードピン部５ｌとから
なる。パッド部５ｐの面積は半導体放射線検出素子１，
２の面積よりも大きい。
２の配置されるパッド部５ｐと、パッド部５ｐから放射
線入射方向ｈνに沿って延びるリードピン部５ｌとから
なる。パッド部５ｐの面積は半導体放射線検出素子１，
２の面積よりも大きい。
【００１３】したがって、半導体放射線検出素子１，２
をパッド部５ｐに容易に配置することができ、また、リ
ードピン部５ｌに電位を与えることにより、半導体放射
線検出素子１，２に容易にバイアス電位を印加すること
ができる。なお、本例では共通電極５は正電位に設定
し、外側の電極膜１ｆ，２ｆはグランド電位に設定する
が、この電位設定は相対的なものなので、これとは逆に
することも可能である。
をパッド部５ｐに容易に配置することができ、また、リ
ードピン部５ｌに電位を与えることにより、半導体放射
線検出素子１，２に容易にバイアス電位を印加すること
ができる。なお、本例では共通電極５は正電位に設定
し、外側の電極膜１ｆ，２ｆはグランド電位に設定する
が、この電位設定は相対的なものなので、これとは逆に
することも可能である。
【００１４】双方の半導体放射線検出素子１，２への放
射線の入射によって発生したそれぞれのキャリア（電
子）は、バイアス電圧にしたがって共通電極５方向に向
けて走行するが、この走行距離（Ｘ１とする）は、それ
ぞれのキャリアにとっては、２つの半導体放射線検出素
子を単一の半導体放射線検出素子で構成した場合の総走
行距離（Ｘ１＋Ｘ１）の半分となる。したがって、この
構造によれば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制
して高感度の放射線検出を行うことができる。
射線の入射によって発生したそれぞれのキャリア（電
子）は、バイアス電圧にしたがって共通電極５方向に向
けて走行するが、この走行距離（Ｘ１とする）は、それ
ぞれのキャリアにとっては、２つの半導体放射線検出素
子を単一の半導体放射線検出素子で構成した場合の総走
行距離（Ｘ１＋Ｘ１）の半分となる。したがって、この
構造によれば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制
して高感度の放射線検出を行うことができる。
【００１５】以上、この放射線検出器のユニット１０
は、第１平板状共通電極５が両面に設けられた半導体放
射線検出素子１，２を支持するため、構造的に従来のも
のよりも強固であるため取扱が容易であり、また、これ
に所定の電位を加えることによって、半導体放射線検出
素子１，２に容易にバイアス電位を印加することができ
る。
は、第１平板状共通電極５が両面に設けられた半導体放
射線検出素子１，２を支持するため、構造的に従来のも
のよりも強固であるため取扱が容易であり、また、これ
に所定の電位を加えることによって、半導体放射線検出
素子１，２に容易にバイアス電位を印加することができ
る。
【００１６】図２は、複数の単位ユニット１０を具備し
てなる放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを組み合わせて
なるアレイ構造体４及び固定基板６からなる構造体の組
立工程を説明するためのこれらの立体分解図である。
てなる放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを組み合わせて
なるアレイ構造体４及び固定基板６からなる構造体の組
立工程を説明するためのこれらの立体分解図である。
【００１７】放射線検出素子アレイ４Ａ、４Ｂは同一構
造を有するため、ここでは放射線検出素子アレイ４Ａに
ついてのみ説明する。
造を有するため、ここでは放射線検出素子アレイ４Ａに
ついてのみ説明する。
【００１８】放射線検出素子アレイ４Ａは複数の単位ユ
ニット１０を備えるが、各ユニット１０はＹ方向に沿っ
て所定の隙間を保持して配列している。各ユニット１０
の隣接するものについて説明すると、特定のユニット１
０に隣接するユニット１０’は第１平板状共通電極５と
同一平面（Ｙ−ｈν平面）内に位置するように隣接した
第２平板状共通電極５’を備えており、第２平板状共通
電極５’の両面には第３及び第４半導体放射線検出素子
１’，２’がそれぞれ支持されている。
ニット１０を備えるが、各ユニット１０はＹ方向に沿っ
て所定の隙間を保持して配列している。各ユニット１０
の隣接するものについて説明すると、特定のユニット１
０に隣接するユニット１０’は第１平板状共通電極５と
同一平面（Ｙ−ｈν平面）内に位置するように隣接した
第２平板状共通電極５’を備えており、第２平板状共通
電極５’の両面には第３及び第４半導体放射線検出素子
１’，２’がそれぞれ支持されている。
【００１９】なお、放射線検出素子アレイ４ＡはＹ方向
に配列した６個のユニット１０を備えるが、簡単のた
め、そのうちの２つ（１０、１０’）のみに符号を記
す。
に配列した６個のユニット１０を備えるが、簡単のた
め、そのうちの２つ（１０、１０’）のみに符号を記
す。
【００２０】放射線検出素子アレイ４Ａは、半導体放射
線検出素子１，２、１’，２’の共通電極５の同一面側
に位置するもの（１，１’の組）及び（２，２’の組）
を、共通電極５と共にそれぞれ挟む２つの電極膜７，８
を更に備える。
線検出素子１，２、１’，２’の共通電極５の同一面側
に位置するもの（１，１’の組）及び（２，２’の組）
を、共通電極５と共にそれぞれ挟む２つの電極膜７，８
を更に備える。
【００２１】この電極膜７，８は、それぞれ樹脂膜（ポ
リエチレンテレフタレート５０μｍ又はポリイミド２５
μｍ）の両面上に金属膜（アルミ箔１０μｍ又は銅箔３
５μｍ）を形成してなり、単独では厚み方向に可撓性を
有する。
リエチレンテレフタレート５０μｍ又はポリイミド２５
μｍ）の両面上に金属膜（アルミ箔１０μｍ又は銅箔３
５μｍ）を形成してなり、単独では厚み方向に可撓性を
有する。
【００２２】共通電極５と電極膜７，８との間には、２
つの導電性スペーサ（ニッケルメッキ処理をした真鍮）
Ｓ７，Ｓ８がそれぞれ介在している。スペーサＳ７，Ｓ
８の垂直方向（Ｘ方向）の厚みは、それぞれ第１及び第
２半導体放射線検出素子１，２の垂直方向（Ｘ方向）の
厚みに等しく設定されている。スペーサＳ７，Ｓ８間に
は、共通電極５と略同一形状の電極５”が介在してお
り、これらに所定の電位を与えている。なお、スペーサ
Ｓ７，Ｓ８は単一のスペーサとしてもよく、この場合の
スペーサの厚みはスペーサＳ７，Ｓ８の厚みに共通電極
５の厚みを加えたものとなる。
つの導電性スペーサ（ニッケルメッキ処理をした真鍮）
Ｓ７，Ｓ８がそれぞれ介在している。スペーサＳ７，Ｓ
８の垂直方向（Ｘ方向）の厚みは、それぞれ第１及び第
２半導体放射線検出素子１，２の垂直方向（Ｘ方向）の
厚みに等しく設定されている。スペーサＳ７，Ｓ８間に
は、共通電極５と略同一形状の電極５”が介在してお
り、これらに所定の電位を与えている。なお、スペーサ
Ｓ７，Ｓ８は単一のスペーサとしてもよく、この場合の
スペーサの厚みはスペーサＳ７，Ｓ８の厚みに共通電極
５の厚みを加えたものとなる。
【００２３】電極５”にその直下のソケットＳからグラ
ンド電位を与えると、導電体からなるスペーサＳ７，Ｓ
８、電極膜７，８を介して半導体放射線検出素子１，２
の外側の電極膜１ｆ，２ｆにグランド電位が与えられ
る。なお、共通電極５にその直下のソケットＳから正電
位を与えると、半導体放射線検出素子１，２の内側の電
極膜１ｆ，２ｆに正電位が与えられる。
ンド電位を与えると、導電体からなるスペーサＳ７，Ｓ
８、電極膜７，８を介して半導体放射線検出素子１，２
の外側の電極膜１ｆ，２ｆにグランド電位が与えられ
る。なお、共通電極５にその直下のソケットＳから正電
位を与えると、半導体放射線検出素子１，２の内側の電
極膜１ｆ，２ｆに正電位が与えられる。
【００２４】放射線検出素子アレイ４Ｂは、放射線検出
素子アレイ４Ａと同一の構造を有するため、アレイ構造
体４は、共通電極５及び電極膜７，８、これらによって
挟まれた半導体放射線検出素子１，２、及びスペーサＳ
７，Ｓ８を有する放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを複
数備えることにより、放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂ
は共通電極５の厚み方向（Ｘ方向）に沿って配置され、
且つ、その長手方向（Ｙ方向）は平行である。
素子アレイ４Ａと同一の構造を有するため、アレイ構造
体４は、共通電極５及び電極膜７，８、これらによって
挟まれた半導体放射線検出素子１，２、及びスペーサＳ
７，Ｓ８を有する放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを複
数備えることにより、放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂ
は共通電極５の厚み方向（Ｘ方向）に沿って配置され、
且つ、その長手方向（Ｙ方向）は平行である。
【００２５】放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂの長手方
向（Ｙ方向）の両端部には、内部にネジ溝が設けられた
貫通孔Ｈ１，Ｈ２が形成されている。詳細には、電極膜
７，８の孔部はバカ穴であり、スペーサ７，８の孔部は
ネジ穴である。この貫通孔Ｈ１，Ｈ２にボルトＢ１，Ｂ
２を差し込んでナットＮ１，Ｎ２でこれらを締めること
により、放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを互いに固定
し、アレイ構造体４が完成する。なお、固定基板６に設
けられた複数のソケットＳには、複数のリードピン部５
ｌがそれぞれ差し込まれる。
向（Ｙ方向）の両端部には、内部にネジ溝が設けられた
貫通孔Ｈ１，Ｈ２が形成されている。詳細には、電極膜
７，８の孔部はバカ穴であり、スペーサ７，８の孔部は
ネジ穴である。この貫通孔Ｈ１，Ｈ２にボルトＢ１，Ｂ
２を差し込んでナットＮ１，Ｎ２でこれらを締めること
により、放射線検出素子アレイ４Ａ，４Ｂを互いに固定
し、アレイ構造体４が完成する。なお、固定基板６に設
けられた複数のソケットＳには、複数のリードピン部５
ｌがそれぞれ差し込まれる。
【００２６】以上、説明したように、複数のユニット１
０を備えた検出素子アレイ４Ａ又は４Ｂは、Ｙ方向にユ
ニット１０が配列しているため、Ｙ方向の放射線の一次
元入射位置を検出することができ、これらのアレイ４
Ａ，４Ｂを組み合わせてなるアレイ組立体４は、Ｘ及び
Ｙ方向にユニット１０が配列しているため、ＸＹ平面内
の放射線の二次元入射位置を検出することができる。
０を備えた検出素子アレイ４Ａ又は４Ｂは、Ｙ方向にユ
ニット１０が配列しているため、Ｙ方向の放射線の一次
元入射位置を検出することができ、これらのアレイ４
Ａ，４Ｂを組み合わせてなるアレイ組立体４は、Ｘ及び
Ｙ方向にユニット１０が配列しているため、ＸＹ平面内
の放射線の二次元入射位置を検出することができる。
【００２７】次に、放射線検出素子アレイ４Ａの製造工
程について説明する。
程について説明する。
【００２８】図３は、放射線検出素子アレイ４Ａの製造
工程を説明するための放射線検出素子アレイ中間体の平
面図である。図４は、図３に示した中間体をＩＶ−ＩＶ
矢印方向からみた正面図、図５は中間体に電極膜７，８
を設けるようすを図４と同一形式で示す説明図である。
工程を説明するための放射線検出素子アレイ中間体の平
面図である。図４は、図３に示した中間体をＩＶ−ＩＶ
矢印方向からみた正面図、図５は中間体に電極膜７，８
を設けるようすを図４と同一形式で示す説明図である。
【００２９】まず、平板状のリン青銅板（銅下地に半田
メッキを施したもの、又はニッケル下地に金メッキを施
したもの）を用意し、これをプレス加工で打ち抜いて、
Ｙ方向に延びる基部５０、及び基部５０からＺ方向（ｈ
ν方向に一致）に沿って延びる複数のリードピン部５ｌ
及びその先端に位置するパッド部５ｐを備えたリードフ
レームを形成する。また、リードピン部５ｌには凹み溝
５ｇをプレス成形して形成する。
メッキを施したもの、又はニッケル下地に金メッキを施
したもの）を用意し、これをプレス加工で打ち抜いて、
Ｙ方向に延びる基部５０、及び基部５０からＺ方向（ｈ
ν方向に一致）に沿って延びる複数のリードピン部５ｌ
及びその先端に位置するパッド部５ｐを備えたリードフ
レームを形成する。また、リードピン部５ｌには凹み溝
５ｇをプレス成形して形成する。
【００３０】しかる後、パッド部５ｐの両面に、半導体
放射線検出素子１，２及びスペーサＳ７，Ｓ８の内側面
を導電性樹脂を用いて貼り付ける。全ての半導体放射線
検出素子１，２の貼着後、電極膜７，８を導電性樹脂を
用いて半導体放射線検出素子１，２及びスペーサＳ７，
Ｓ８の外側面に貼り付ける。
放射線検出素子１，２及びスペーサＳ７，Ｓ８の内側面
を導電性樹脂を用いて貼り付ける。全ての半導体放射線
検出素子１，２の貼着後、電極膜７，８を導電性樹脂を
用いて半導体放射線検出素子１，２及びスペーサＳ７，
Ｓ８の外側面に貼り付ける。
【００３１】最後に、図２に示したボルトＢ１，Ｂ２を
締めた後、図３に示したＣ線に沿ってリードピン部５ｌ
の基部側を切断し、放射線検出素子アレイ４Ａが完成す
る。
締めた後、図３に示したＣ線に沿ってリードピン部５ｌ
の基部側を切断し、放射線検出素子アレイ４Ａが完成す
る。
【００３２】図６は、上記組立体を備えた放射線検出器
の斜視図である。検出素子アレイ４は固定基板６上に設
けられており、固定基板６の下面側には信号読み出し回
路（ＩＣ）１１が固定されている。検出素子アレイ４の
各素子ユニット１０は、固定基板６を介してＩＣ１１に
電気的に接続されており、各ユニット１０の電気的信号
はＩＣ１１によって二次元的に読み出され、処理され
る。
の斜視図である。検出素子アレイ４は固定基板６上に設
けられており、固定基板６の下面側には信号読み出し回
路（ＩＣ）１１が固定されている。検出素子アレイ４の
各素子ユニット１０は、固定基板６を介してＩＣ１１に
電気的に接続されており、各ユニット１０の電気的信号
はＩＣ１１によって二次元的に読み出され、処理され
る。
【００３３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る放
射線検出器は、第１平板状共通電極が両面に設けられた
半導体放射線検出素子を支持するため、構造的に従来の
ものよりも強固であるため取扱が容易であり、また、こ
れに所定の電位を加えることによって、半導体放射線検
出素子に容易にバイアス電位を印加することができる。
射線検出器は、第１平板状共通電極が両面に設けられた
半導体放射線検出素子を支持するため、構造的に従来の
ものよりも強固であるため取扱が容易であり、また、こ
れに所定の電位を加えることによって、半導体放射線検
出素子に容易にバイアス電位を印加することができる。
【図１】放射線検出器の単位ユニットを構成する放射線
検出ユニット１０の斜視図。
検出ユニット１０の斜視図。
【図２】アレイ構造体４及び固定基板６からなる構造体
の立体分解図。
の立体分解図。
【図３】放射線検出素子アレイ４Ａの製造工程を説明す
るための放射線検出素子アレイ中間体の平面図。
るための放射線検出素子アレイ中間体の平面図。
【図４】図３に示した中間体をＩＶ−ＩＶ矢印方向から
みた正面図。
みた正面図。
【図５】中間体に電極膜７，８を設けるようすを図４と
同一形式で示す説明図。
同一形式で示す説明図。
【図６】放射線検出器の斜視図。
ｈν…放射線入射方向、Ｘ…垂直方向、１，２…半導体
放射線検出素子、５…平板状共通電極。
放射線検出素子、５…平板状共通電極。
Claims (10)
- 【請求項１】 放射線入射方向に対して略垂直に配列し
た第１及び第２半導体放射線検出素子と、前記第１及び
第２半導体放射線検出素子をその両面においてそれぞれ
支持する単一の第１平板状共通電極とを備えることを特
徴とする放射線検出器。 - 【請求項２】 前記第１平板状共通電極と同一平面内に
位置するように隣接した第２平板状共通電極を備え、前
記第２平板状共通電極の両面には第３及び第４半導体放
射線検出素子がそれぞれ支持されていることを特徴とす
る請求項１に記載の放射線検出器。 - 【請求項３】 前記半導体放射線検出素子の前記共通電
極の同一面側に位置するものを、前記共通電極と共にそ
れぞれ挟む２つの電極膜を更に備えることを特徴とする
請求項２に記載の放射線検出器。 - 【請求項４】 前記電極膜は、樹脂膜上に金属膜を形成
してなることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出
器。 - 【請求項５】 前記電極膜間に介在する導電性のスペー
サを備えることを特徴とする請求項３に記載の放射線検
出器。 - 【請求項６】 前記共通電極、前記電極膜及びこれらに
よって挟まれた前記半導体放射線検出素子を有する放射
線検出素子アレイを複数備え、前記放射線検出素子アレ
イは前記共通電極の厚み方向に沿って配置され、且つ、
それぞれの前記放射線検出素子アレイの長手方向は平行
であることを特徴とする請求項３に記載の放射線検出
器。 - 【請求項７】 前記共通電極は前記放射線入射方向に延
びるリードピン部を備えることを特徴とする請求項６に
記載の放射線検出器。 - 【請求項８】 前記共通電極は半導体放射線検出素子の
配置されるパッド部と、前記パッド部から延びるリード
ピン部とからなり、前記パッド部の面積は前記半導体放
射線検出素子の面積よりも大きいことを特徴とする請求
項６に記載の放射線検出器。 - 【請求項９】 複数のソケットを有する固定基板を更に
備え、前記リードピン部は前記ソケットに差し込まれて
いることを特徴とする請求項７に記載の放射線検出器。 - 【請求項１０】 パッケージ本体に設けられた開口を放
射線透過性材料からなる窓材で封止してなるパッケージ
を更に備え、前記リードピン部の差し込まれた固定基板
は、前記放射線入射方向が窓材に対して略垂直となるよ
うに前記パッケージ内に収容されていることを特徴とす
る請求項９に記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00196199A JP4197557B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00196199A JP4197557B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206257A true JP2000206257A (ja) | 2000-07-28 |
| JP4197557B2 JP4197557B2 (ja) | 2008-12-17 |
Family
ID=11516198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00196199A Expired - Fee Related JP4197557B2 (ja) | 1999-01-07 | 1999-01-07 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4197557B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003084068A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Toshiba Corp | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP2006242958A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-09-14 | Hitachi Ltd | 放射線検出器，放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
| US7183557B2 (en) | 2004-10-25 | 2007-02-27 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| JP2007078671A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | 放射線検出モジュール、プリント基板および核医学診断装置 |
-
1999
- 1999-01-07 JP JP00196199A patent/JP4197557B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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| JP4582022B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2010-11-17 | 株式会社日立製作所 | 放射線検出器，放射線検出素子及び放射線撮像装置 |
| US7183557B2 (en) | 2004-10-25 | 2007-02-27 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7372036B2 (en) | 2004-10-25 | 2008-05-13 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| US7381073B2 (en) | 2004-10-25 | 2008-06-03 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
| JP2007078671A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-03-29 | Hitachi Ltd | 放射線検出モジュール、プリント基板および核医学診断装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4197557B2 (ja) | 2008-12-17 |
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