JP4197557B2 - 放射線検出器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の放射線検出器は、特開昭63−182870号公報に記載されている。同公報に記載の放射線検出器は、上下面に蒸着された電極膜を有する半導体放射線検出素子を複数積層してなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の如く半導体放射線検出素子を複数積層したものの場合には、半導体放射線検出素子の側面に電極を設けるため、これにリード線を取り付けて、バイアス電位を印加することになるが、このような構造はバイアス電位の印加や取扱が困難であるいう問題点がある。本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、バイアス電位を容易に印加可能な放射線検出器を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1に係る放射線検出器は、放射線入射方向に対して略垂直に配列した第1及び第2半導体放射線検出素子と、第1及び第2半導体放射線検出素子をその両面においてそれぞれ支持する単一の第1平板状共通電極とを備え、第1平板状共通電極と同一平面内に位置するように隣接した第2平板状共通電極を備え、第2平板状共通電極の両面には第3及び第4半導体放射線検出素子がそれぞれ支持されており、半導体放射線検出素子の共通電極の同一面側に位置するものを、共通電極と共にそれぞれ挟む2つの電極膜を更に備え、電極膜間に介在する導電性のスペーサを備えることを特徴とする。本放射線検出器によれば、共通電極が両面に設けられた半導体放射線検出素子を支持するため、構造的に従来のものよりも強固であるため取扱が容易であり、また、これに所定の電位を加え、導電性スペーサ及び電極膜を介して電位を与えることによって、半導体放射線検出素子に容易にバイアスを印加することができる。
【0005】
特に、共通電極は半導体放射線検出素子の配置されるパッド部と、パッド部から延びるリードピン部とからなり、パッド部の面積が半導体放射線検出素子の面積よりも大きい場合には、半導体放射線検出素子をパッド部に容易に配置することができ、また、リードピン部に電位を与えることにより、半導体放射線検出素子に容易にバイアス電位を印加することができる。
【0006】
双方の半導体放射線検出素子への放射線の入射によって発生したそれぞれのキャリアは、バイアス電圧にしたがって共通電極方向に向けて走行するが、この走行距離は、それぞれのキャリアにとっては、2つの半導体放射線検出素子を単一の半導体放射線検出素子で構成した場合の半分となる。したがって、この構造によれば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制して高感度の放射線検出を行うことができる。
また、請求項2に係る放射線検出器においては、電極膜は、樹脂膜上に金属膜を形成してなることを特徴とする。
また、請求項3に係る放射線検出器においては、共通電極、電極膜及びこれらによって挟まれた半導体放射線検出素子を有する放射線検出素子アレイを複数備え、放射線検出素子アレイは共通電極の厚み方向に沿って配置され、且つ、それぞれの放射線検出素子アレイの長手方向は平行であることを特徴とする。
また、請求項4に係る放射線検出器においては、共通電極は放射線入射方向に延びるリードピン部を備えることを特徴とする。
また、請求項5に係る放射線検出器においては、共通電極は半導体放射線検出素子の配置されるパッド部と、パッド部から延びるリードピン部とからなり、パッド部の面積は半導体放射線検出素子の面積よりも大きいことを特徴とする。
また、請求項6に係る放射線検出器においては、複数のソケットを有する固定基板を更に備え、リードピン部記ソケットに差し込まれていることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に係る放射線検出器について説明する。同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【0008】
図1は放射線検出器の単位ユニットを構成する放射線検出ユニット10の斜視図である。このユニット10は、放射線hνの入射方向に対して略垂直(X方向)に配列した第1及び第2半導体放射線検出素子1,2と、第1及び第2半導体放射線検出素子1,2をその両面においてそれぞれ支持する単一の第1平板状共通電極5とを備えている。なお、X、Y及び入射方向hνは、互いに直交している。
【0009】
第1及び第2半導体放射線検出素子1,2は、それぞれ、半導体チップ(CdTe)1s,2sと、その両面に設けられた電極膜1f,2fとを備えている。電極膜1f,2fは、銀ペースト等の導電性樹脂からなり、内側の電極膜1f,2fはチップ1s,2sを共通電極5に固定している。勿論、電極膜1f,2fは白金(Pt)からなることとしてもよく、この場合には、半導体放射線検出素子1,2の固定に、別途、銀ペーストを用いる。
【0010】
直方体状の半導体放射線検出素子1,2は、それぞれY方向の長さ(=2mm)がX方向よりの長さ(=1mm)も長く、また、入射方向hνの長さ(=4mm)がY方向よりも長い。半導体放射線検出素子1,2は、X方向を結晶成長(CdTe)の厚み方向としているため、その厚みが比較的薄い基板を用いたとしても、入射方向hνの長さ、すなわち、放射線吸収に寄与する長さは大きく設定することができる。
【0011】
共通電極5は。放射線入射方向hνに延びるリードピン部5lを備えている。リードピン部5lは、入射方向hνに沿って延びる凹み溝5gを有することによって補強されている。これにより、ソケットにリードピン部5lを差し込む場合においても、リードピン部5lが曲がりにくくなるため、製造が容易となる。
【0012】
共通電極5は、半導体放射線検出素子1,2の配置されるパッド部5pと、パッド部5pから放射線入射方向hνに沿って延びるリードピン部5lとからなる。パッド部5pの面積は半導体放射線検出素子1,2の面積よりも大きい。
【0013】
したがって、半導体放射線検出素子1,2をパッド部5pに容易に配置することができ、また、リードピン部5lに電位を与えることにより、半導体放射線検出素子1,2に容易にバイアス電位を印加することができる。なお、本例では共通電極5は正電位に設定し、外側の電極膜1f,2fはグランド電位に設定するが、この電位設定は相対的なものなので、これとは逆にすることも可能である。
【0014】
双方の半導体放射線検出素子1,2への放射線の入射によって発生したそれぞれのキャリア(電子)は、バイアス電圧にしたがって共通電極5方向に向けて走行するが、この走行距離(X1とする)は、それぞれのキャリアにとっては、2つの半導体放射線検出素子を単一の半導体放射線検出素子で構成した場合の総走行距離(X1+X1)の半分となる。したがって、この構造によれば、素子内におけるキャリアの再結合を抑制して高感度の放射線検出を行うことができる。
【0015】
以上、この放射線検出器のユニット10は、第1平板状共通電極5が両面に設けられた半導体放射線検出素子1,2を支持するため、構造的に従来のものよりも強固であるため取扱が容易であり、また、これに所定の電位を加えることによって、半導体放射線検出素子1,2に容易にバイアス電位を印加することができる。
【0016】
図2は、複数の単位ユニット10を具備してなる放射線検出素子アレイ4A,4Bを組み合わせてなるアレイ構造体4及び固定基板6からなる構造体の組立工程を説明するためのこれらの立体分解図である。
【0017】
放射線検出素子アレイ4A、4Bは同一構造を有するため、ここでは放射線検出素子アレイ4Aについてのみ説明する。
【0018】
放射線検出素子アレイ4Aは複数の単位ユニット10を備えるが、各ユニット10はY方向に沿って所定の隙間を保持して配列している。各ユニット10の隣接するものについて説明すると、特定のユニット10に隣接するユニット10’は第1平板状共通電極5と同一平面(Y−hν平面)内に位置するように隣接した第2平板状共通電極5’を備えており、第2平板状共通電極5’の両面には第3及び第4半導体放射線検出素子1’,2’がそれぞれ支持されている。
【0019】
なお、放射線検出素子アレイ4AはY方向に配列した6個のユニット10を備えるが、簡単のため、そのうちの2つ(10、10’)のみに符号を記す。
【0020】
放射線検出素子アレイ4Aは、半導体放射線検出素子1,2、1’,2’の共通電極5の同一面側に位置するもの(1,1’の組)及び(2,2’の組)を、共通電極5と共にそれぞれ挟む2つの電極膜7,8を更に備える。
【0021】
この電極膜7,8は、それぞれ樹脂膜(ポリエチレンテレフタレート50μm又はポリイミド25μm)の両面上に金属膜(アルミ箔10μm又は銅箔35μm)を形成してなり、単独では厚み方向に可撓性を有する。
【0022】
共通電極5と電極膜7,8との間には、2つの導電性スペーサ(ニッケルメッキ処理をした真鍮)S7,S8がそれぞれ介在している。スペーサS7,S8の垂直方向(X方向)の厚みは、それぞれ第1及び第2半導体放射線検出素子1,2の垂直方向(X方向)の厚みに等しく設定されている。スペーサS7,S8間には、共通電極5と略同一形状の電極5”が介在しており、これらに所定の電位を与えている。なお、スペーサS7,S8は単一のスペーサとしてもよく、この場合のスペーサの厚みはスペーサS7,S8の厚みに共通電極5の厚みを加えたものとなる。
【0023】
電極5”にその直下のソケットSからグランド電位を与えると、導電体からなるスペーサS7,S8、電極膜7,8を介して半導体放射線検出素子1,2の外側の電極膜1f,2fにグランド電位が与えられる。なお、共通電極5にその直下のソケットSから正電位を与えると、半導体放射線検出素子1,2の内側の電極膜1f,2fに正電位が与えられる。
【0024】
放射線検出素子アレイ4Bは、放射線検出素子アレイ4Aと同一の構造を有するため、アレイ構造体4は、共通電極5及び電極膜7,8、これらによって挟まれた半導体放射線検出素子1,2、及びスペーサS7,S8を有する放射線検出素子アレイ4A,4Bを複数備えることにより、放射線検出素子アレイ4A,4Bは共通電極5の厚み方向(X方向)に沿って配置され、且つ、その長手方向(Y方向)は平行である。
【0025】
放射線検出素子アレイ4A,4Bの長手方向(Y方向)の両端部には、内部にネジ溝が設けられた貫通孔H1,H2が形成されている。詳細には、電極膜7,8の孔部はバカ穴であり、スペーサ7,8の孔部はネジ穴である。この貫通孔H1,H2にボルトB1,B2を差し込んでナットN1,N2でこれらを締めることにより、放射線検出素子アレイ4A,4Bを互いに固定し、アレイ構造体4が完成する。なお、固定基板6に設けられた複数のソケットSには、複数のリードピン部5lがそれぞれ差し込まれる。
【0026】
以上、説明したように、複数のユニット10を備えた検出素子アレイ4A又は4Bは、Y方向にユニット10が配列しているため、Y方向の放射線の一次元入射位置を検出することができ、これらのアレイ4A,4Bを組み合わせてなるアレイ組立体4は、X及びY方向にユニット10が配列しているため、XY平面内の放射線の二次元入射位置を検出することができる。
なお、上述の放射線検出器においては、図示しないパッケージ本体に設けられた開口を放射線透過性材料からなる図示しない窓材で封止してなるパッケージを更に備え、リードピン部51の差し込まれた固定基板6は、放射線入射方向hνが窓材に対して略垂直となるようにパッケージ内に収容されていることとしてもよい。
【0027】
次に、放射線検出素子アレイ4Aの製造工程について説明する。
【0028】
図3は、放射線検出素子アレイ4Aの製造工程を説明するための放射線検出素子アレイ中間体の平面図である。図4は、図3に示した中間体をIV−IV矢印方向からみた正面図、図5は中間体に電極膜7,8を設けるようすを図4と同一形式で示す説明図である。
【0029】
まず、平板状のリン青銅板(銅下地に半田メッキを施したもの、又はニッケル下地に金メッキを施したもの)を用意し、これをプレス加工で打ち抜いて、Y方向に延びる基部50、及び基部50からZ方向(hν方向に一致)に沿って延びる複数のリードピン部5l及びその先端に位置するパッド部5pを備えたリードフレームを形成する。また、リードピン部5lには凹み溝5gをプレス成形して形成する。
【0030】
しかる後、パッド部5pの両面に、半導体放射線検出素子1,2及びスペーサS7,S8の内側面を導電性樹脂を用いて貼り付ける。全ての半導体放射線検出素子1,2の貼着後、電極膜7,8を導電性樹脂を用いて半導体放射線検出素子1,2及びスペーサS7,S8の外側面に貼り付ける。
【0031】
最後に、図2に示したボルトB1,B2を締めた後、図3に示したC線に沿ってリードピン部5lの基部側を切断し、放射線検出素子アレイ4Aが完成する。
【0032】
図6は、上記組立体を備えた放射線検出器の斜視図である。検出素子アレイ4は固定基板6上に設けられており、固定基板6の下面側には信号読み出し回路(IC)11が固定されている。検出素子アレイ4の各素子ユニット10は、固定基板6を介してIC11に電気的に接続されており、各ユニット10の電気的信号はIC11によって二次元的に読み出され、処理される。
【0033】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明に係る放射線検出器は、第1平板状共通電極が両面に設けられた半導体放射線検出素子を支持するため、構造的に従来のものよりも強固であるため取扱が容易であり、また、これに所定の電位を加えることによって、半導体放射線検出素子に容易にバイアス電位を印加することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】放射線検出器の単位ユニットを構成する放射線検出ユニット10の斜視図。
【図2】アレイ構造体4及び固定基板6からなる構造体の立体分解図。
【図3】放射線検出素子アレイ4Aの製造工程を説明するための放射線検出素子アレイ中間体の平面図。
【図4】図3に示した中間体をIV−IV矢印方向からみた正面図。
【図5】中間体に電極膜7,8を設けるようすを図4と同一形式で示す説明図。
【図6】放射線検出器の斜視図。
【符号の説明】
hν…放射線入射方向、X…垂直方向、1,2…半導体放射線検出素子、5…平板状共通電極。
Claims (6)
- 放射線入射方向に対して略垂直に配列した第1及び第2半導体放射線検出素子と、前記第1及び第2半導体放射線検出素子をその両面においてそれぞれ支持する単一の第1平板状共通電極とを備え、
前記第1平板状共通電極と同一平面内に位置するように隣接した第2平板状共通電極を備え、前記第2平板状共通電極の両面には第3及び第4半導体放射線検出素子がそれぞれ支持されており、
前記半導体放射線検出素子の前記共通電極の同一面側に位置するものを、前記共通電極と共にそれぞれ挟む2つの電極膜を更に備え、
前記電極膜間に介在する導電性のスペーサを備えることを特徴とする放射線検出器。 - 前記電極膜は、樹脂膜上に金属膜を形成してなることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記共通電極、前記電極膜及びこれらによって挟まれた前記半導体放射線検出素子を有する放射線検出素子アレイを複数備え、前記放射線検出素子アレイは前記共通電極の厚み方向に沿って配置され、且つ、それぞれの前記放射線検出素子アレイの長手方向は平行であることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線検出器。
- 前記共通電極は前記放射線入射方向に延びるリードピン部を備えることを特徴とする請求項3に記載の放射線検出器。
- 前記共通電極は前記半導体放射線検出素子の配置されるパッド部と、前記パッド部から延びるリードピン部とからなり、前記パッド部の面積は前記半導体放射線検出素子の面積よりも大きいことを特徴とする請求項3に記載の放射線検出器。
- 複数のソケットを有する固定基板を更に備え、前記リードピン部は前記ソケットに差し込まれていることを特徴とする請求項4に記載の放射線検出器。
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