JP3177550B2 - 半導体検出器アレイ - Google Patents
半導体検出器アレイInfo
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体検出器アレイ
に関し、更に詳しくは、放射線の入射方向と略平行な面
に電極を形成した半導体セルを用いてなる半導体検出器
アレイに関する。特にＣＴ装置のデテクタとして有用で
ある。
に関し、更に詳しくは、放射線の入射方向と略平行な面
に電極を形成した半導体セルを用いてなる半導体検出器
アレイに関する。特にＣＴ装置のデテクタとして有用で
ある。
【０００２】
【従来の技術】放射線の入射方向と略平行な面に電極を
形成した半導体セルを用いてなる半導体検出器アレイの
従来例としては、特開平３−１９０２８５号公報に開示
の放射線検出器がある。この放射線検出器は、放射線に
対して有感な半導体薄膜を，導電性基板の表面の複数箇
所に間隔をあけて真空蒸着等により堆積し、それら半導
体薄膜の表面に電極を形成し、前記半導体薄膜の表面が
放射線の入射方向と略平行になるように配置したもので
ある。
形成した半導体セルを用いてなる半導体検出器アレイの
従来例としては、特開平３−１９０２８５号公報に開示
の放射線検出器がある。この放射線検出器は、放射線に
対して有感な半導体薄膜を，導電性基板の表面の複数箇
所に間隔をあけて真空蒸着等により堆積し、それら半導
体薄膜の表面に電極を形成し、前記半導体薄膜の表面が
放射線の入射方向と略平行になるように配置したもので
ある。
【０００３】また、従来のＣＴ装置用のデテクタとして
は、例えば特公平３−４６７８９号公報に記載のＸ線検
出器が知られている。このＸ線検出器は、２枚の絶縁板
の間に多数のアノード板とカソード板とを空隙を挟んで
交互に設置し、各空隙にキセノンガスなどのＸ線検出ガ
スを満たしたものである。
は、例えば特公平３−４６７８９号公報に記載のＸ線検
出器が知られている。このＸ線検出器は、２枚の絶縁板
の間に多数のアノード板とカソード板とを空隙を挟んで
交互に設置し、各空隙にキセノンガスなどのＸ線検出ガ
スを満たしたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平３−１９０
２８５号公報に開示の放射線検出器では、半導体薄膜の
膜厚が数μであるため、ＣＴ装置用のデテクタとして必
要な検出能力を得るための放射線入射面積を確保できな
い問題点がある。また、信号取出用細線を各電極にペー
スト付けする必要があるが、ＣＴ装置用のデテクタでは
チャネル数が数百もあるため、この作業負担が極めて大
きくなる問題点がある。また、上記特公平３−４６７８
９号公報に記載のＸ線検出器では、Ｘ線検出ガスを用い
ているが、Ｘ線の一部はガスを透過してしまうため、検
出効率が悪い問題点がある。そこで、この発明の目的
は、ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を有
し，配線のための作業負担が軽度であり，検出効率が高
い半導体検出器アレイを提供することにある。
２８５号公報に開示の放射線検出器では、半導体薄膜の
膜厚が数μであるため、ＣＴ装置用のデテクタとして必
要な検出能力を得るための放射線入射面積を確保できな
い問題点がある。また、信号取出用細線を各電極にペー
スト付けする必要があるが、ＣＴ装置用のデテクタでは
チャネル数が数百もあるため、この作業負担が極めて大
きくなる問題点がある。また、上記特公平３−４６７８
９号公報に記載のＸ線検出器では、Ｘ線検出ガスを用い
ているが、Ｘ線の一部はガスを透過してしまうため、検
出効率が悪い問題点がある。そこで、この発明の目的
は、ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を有
し，配線のための作業負担が軽度であり，検出効率が高
い半導体検出器アレイを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体検出器
アレイは、放射線に対して有感な半導体であって，幅
０．３ｍｍ以上，長さ５ｍｍ以上，奥行０．５ｍｍ以上
の３条件のうち少なくとも１条件を満たした半導体結晶
ブロックの長さ方向辺と奥行方向辺とで囲まれた２面の
うちの１面にバイアス用電極を形成し，他の１面に信号
取出用電極を形成した半導体セルと、バイアス仲介用電
極板および信号取出仲介用電極板を，前記半導体セルの
厚さに合せた空隙を挟んで，合わせて少なくとも３枚，
交互に設置したホルダとを具備し、そのホルダの前記空
隙に前記半導体セルを挟み込み、その半導体セルの幅方
向辺と長さ方向辺とで囲まれた２面のうちの１面を放射
線入射面とし，前記バイアス用電極を前記バイアス仲介
用電極板に接触させ，前記信号取出用電極を前記信号取
出仲介用電極板に接触させ、前記バイアス仲介用電極板
を介して前記半導体セルにバイアス電圧を印加し、前記
信号取出仲介用電極板を介して前記半導体セルから信号
を取り出すことを構成上の特徴とするものである。
アレイは、放射線に対して有感な半導体であって，幅
０．３ｍｍ以上，長さ５ｍｍ以上，奥行０．５ｍｍ以上
の３条件のうち少なくとも１条件を満たした半導体結晶
ブロックの長さ方向辺と奥行方向辺とで囲まれた２面の
うちの１面にバイアス用電極を形成し，他の１面に信号
取出用電極を形成した半導体セルと、バイアス仲介用電
極板および信号取出仲介用電極板を，前記半導体セルの
厚さに合せた空隙を挟んで，合わせて少なくとも３枚，
交互に設置したホルダとを具備し、そのホルダの前記空
隙に前記半導体セルを挟み込み、その半導体セルの幅方
向辺と長さ方向辺とで囲まれた２面のうちの１面を放射
線入射面とし，前記バイアス用電極を前記バイアス仲介
用電極板に接触させ，前記信号取出用電極を前記信号取
出仲介用電極板に接触させ、前記バイアス仲介用電極板
を介して前記半導体セルにバイアス電圧を印加し、前記
信号取出仲介用電極板を介して前記半導体セルから信号
を取り出すことを構成上の特徴とするものである。
【０００６】上記構成において、半導体セルの奥行方向
辺と信号取出用電極の間に余白を設けるか，または，半
導体セルの奥行方向辺と信号取出用電極の間およびバイ
アス用電極の間に余白を設けて、半導体セルをその奥行
方向辺側でホルダに接着したとき接着剤が信号取出用電
極，または，信号取出用電極およびバイアス用電極に接
触しないようにするのが好ましい。
辺と信号取出用電極の間に余白を設けるか，または，半
導体セルの奥行方向辺と信号取出用電極の間およびバイ
アス用電極の間に余白を設けて、半導体セルをその奥行
方向辺側でホルダに接着したとき接着剤が信号取出用電
極，または，信号取出用電極およびバイアス用電極に接
触しないようにするのが好ましい。
【０００７】また、上記構成において、バイアス仲介用
電極板および信号取出仲介用電極板を放射線入射側に延
設し，且つ，それら電極板自身を放射線遮蔽材にて製作
するか，それら電極板に放射線遮蔽板を含ませて、コリ
メータの機能を持たせることが好ましい。
電極板および信号取出仲介用電極板を放射線入射側に延
設し，且つ，それら電極板自身を放射線遮蔽材にて製作
するか，それら電極板に放射線遮蔽板を含ませて、コリ
メータの機能を持たせることが好ましい。
【０００８】
【作用】この発明の半導体検出器アレイでは、半導体セ
ルの放射線入射面は幅方向辺と長さ方向辺とで囲まれた
面であり、０．３ｍｍ×５ｍｍ以上の面積になる。従っ
て、ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得る
ための放射線入射面積を容易に確保できる。また、ホル
ダのバイアス仲介用電極板と信号取出仲介用電極板の間
の空隙に半導体セルを挟み込むことで多数の半導体セル
を規則的に配列できる。ホルダのバイアス仲介用電極板
と信号取出仲介用電極板の配列の方が、半導体セルの配
列より容易であるから、トータルでは配列作業が容易に
なる。また、バイアス仲介用電極板と信号取出仲介用電
極板を介してバイアスの印加や信号の取出しを行い、個
々の半導体セルに対する配線は行わない。ホルダのバイ
アス仲介用電極板と信号取出仲介用電極板に対する配線
の方が、半導体セルに対する配線より容易であるから、
トータルでは配線作業が容易になる。また、半導体で放
射線を検出するから、検出効率が高くなる。
ルの放射線入射面は幅方向辺と長さ方向辺とで囲まれた
面であり、０．３ｍｍ×５ｍｍ以上の面積になる。従っ
て、ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得る
ための放射線入射面積を容易に確保できる。また、ホル
ダのバイアス仲介用電極板と信号取出仲介用電極板の間
の空隙に半導体セルを挟み込むことで多数の半導体セル
を規則的に配列できる。ホルダのバイアス仲介用電極板
と信号取出仲介用電極板の配列の方が、半導体セルの配
列より容易であるから、トータルでは配列作業が容易に
なる。また、バイアス仲介用電極板と信号取出仲介用電
極板を介してバイアスの印加や信号の取出しを行い、個
々の半導体セルに対する配線は行わない。ホルダのバイ
アス仲介用電極板と信号取出仲介用電極板に対する配線
の方が、半導体セルに対する配線より容易であるから、
トータルでは配線作業が容易になる。また、半導体で放
射線を検出するから、検出効率が高くなる。
【０００９】なお、放射線入射面に信号取出用電極を形
成し，それに対向した面にバイアス用電極を形成する構
造が考えられるが、その場合、信号取出用電極からの信
号の取出しが複雑になり，コリメータとも干渉しやすく
なる。さらに、放射線の入射深さが異なると、その深さ
で生じる電荷が信号取出用電極まで到達するまでの移動
距離が異なってきて、出力の安定性が悪くなる。これに
対して、この発明の半導体検出器アレイでは、放射線の
入射方向と略平行な面に電極を形成したから、信号の取
出しが容易であり，コリメータとの干渉がない。さら
に、電荷の生じる深さが異なっても信号取出用電極まで
到達するまでの移動距離は同じであり、出力の安定性が
向上する。
成し，それに対向した面にバイアス用電極を形成する構
造が考えられるが、その場合、信号取出用電極からの信
号の取出しが複雑になり，コリメータとも干渉しやすく
なる。さらに、放射線の入射深さが異なると、その深さ
で生じる電荷が信号取出用電極まで到達するまでの移動
距離が異なってきて、出力の安定性が悪くなる。これに
対して、この発明の半導体検出器アレイでは、放射線の
入射方向と略平行な面に電極を形成したから、信号の取
出しが容易であり，コリメータとの干渉がない。さら
に、電荷の生じる深さが異なっても信号取出用電極まで
到達するまでの移動距離は同じであり、出力の安定性が
向上する。
【００１０】
【実施例】以下、図に示す実施例に基づいてこの発明を
説明する。なお、これによりこの発明が限定されるもの
ではない。図１は、この発明の一実施例の半導体検出器
アレイ１を、放射線の入射方向と直交する方向から見た
構成図である（図中の上から下に放射線が入射する）。
説明する。なお、これによりこの発明が限定されるもの
ではない。図１は、この発明の一実施例の半導体検出器
アレイ１を、放射線の入射方向と直交する方向から見た
構成図である（図中の上から下に放射線が入射する）。
【００１１】この半導体検出器アレイ１は、各チャネル
ごとの半導体セル１０，１０，…と、ホルダ２０とから
なっている。
ごとの半導体セル１０，１０，…と、ホルダ２０とから
なっている。
【００１２】半導体セル１０は、テルル化カドミウムの
半導体結晶ブロック１１と，インジウム層をオーミック
接合したバイアス用電極１２と，白金層をショットキー
接合した信号取出用電極１３とからなっている。半導体
結晶ブロック１１は、幅（図中の左右方向）０．８ｍｍ
（最小部），長さ（図面を貫く方向）２０ｍｍ，奥行
（図中の上下方向）２ｍｍの短冊形である。放射線の広
がりに合わせて、半導体結晶ブロック１１の下面が上面
より広くなっている。各寸法は、放射線の質，チャネル
数，検知領域の大きさなどから適宜決定される。半導体
結晶ブロック１１の幅方向辺と長さ方向辺で囲まれた上
下の２面のうちの上面が放射線入射面である。従って、
放射線入射面の面積は、０．８ｍｍ×２０ｍｍになり、
ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得るため
に十分である。なお、半導体として、セレン化カドミウ
ムやヒ化ガリウムなどを用いてもよい。また、半導体結
晶ブロック１１の形状が直方体であってもよい。
半導体結晶ブロック１１と，インジウム層をオーミック
接合したバイアス用電極１２と，白金層をショットキー
接合した信号取出用電極１３とからなっている。半導体
結晶ブロック１１は、幅（図中の左右方向）０．８ｍｍ
（最小部），長さ（図面を貫く方向）２０ｍｍ，奥行
（図中の上下方向）２ｍｍの短冊形である。放射線の広
がりに合わせて、半導体結晶ブロック１１の下面が上面
より広くなっている。各寸法は、放射線の質，チャネル
数，検知領域の大きさなどから適宜決定される。半導体
結晶ブロック１１の幅方向辺と長さ方向辺で囲まれた上
下の２面のうちの上面が放射線入射面である。従って、
放射線入射面の面積は、０．８ｍｍ×２０ｍｍになり、
ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得るため
に十分である。なお、半導体として、セレン化カドミウ
ムやヒ化ガリウムなどを用いてもよい。また、半導体結
晶ブロック１１の形状が直方体であってもよい。
【００１３】ホルダ２０は、前記半導体セル１０の厚さ
に合せた空隙を挟んで，信号取出仲介用電極板２１およ
びバイアス仲介用電極板２２を交互に設置してなる。具
体的には、図２に示すように、２枚のセラミック絶縁板
２６，２７の間に、信号取出仲介用電極板２１およびバ
イアス仲介用電極板２２を交互に配置し、接着剤により
固着したものである。信号取出仲介用電極板２１は、例
えばモリブデン材の放射線遮蔽板２３の両面を絶縁層２
４，２４で被覆し、その絶縁層２４の表面に接触電極２
５，２５を形成した構造である。放射線遮蔽板２３は、
接触電極２５，２５間のクロストークを防ぐため、接地
されている。また、接触電極２５，２５からは、信号取
出線がそれぞれ引き出されている。バイアス仲介用電極
板２２は、例えばモリブデン材のような放射線遮蔽材の
板であり、バイアス電圧を印加されている。
に合せた空隙を挟んで，信号取出仲介用電極板２１およ
びバイアス仲介用電極板２２を交互に設置してなる。具
体的には、図２に示すように、２枚のセラミック絶縁板
２６，２７の間に、信号取出仲介用電極板２１およびバ
イアス仲介用電極板２２を交互に配置し、接着剤により
固着したものである。信号取出仲介用電極板２１は、例
えばモリブデン材の放射線遮蔽板２３の両面を絶縁層２
４，２４で被覆し、その絶縁層２４の表面に接触電極２
５，２５を形成した構造である。放射線遮蔽板２３は、
接触電極２５，２５間のクロストークを防ぐため、接地
されている。また、接触電極２５，２５からは、信号取
出線がそれぞれ引き出されている。バイアス仲介用電極
板２２は、例えばモリブデン材のような放射線遮蔽材の
板であり、バイアス電圧を印加されている。
【００１４】半導体セル１０は、バイアス用電極１２が
バイアス仲介用電極板２２に接触し，且つ，信号取出用
電極１３が信号取出仲介用電極板２１の接触電極２５に
接触するように、ホルダ２０の信号取出仲介用電極板２
１とバイアス仲介用電極板２２の空隙に挿入される。そ
こで、ホルダ２０を精度良く製作すれば、多数の半導体
セル１０を容易に規則的に配列できる。なお、ホルダ２
０を精度良く製作することは、例えば前記特公平３−４
６７８９号公報に記載の技術によればよい。また、バイ
アス仲介用電極板２２を介してバイアスの印加を行い、
信号取出仲介用電極板２１を介して信号の取出しを行う
ので、個々の半導体セル１０に対する配線は不要とな
り、配線作業が容易になる。この配線作業については、
図４を参照して後述する。
バイアス仲介用電極板２２に接触し，且つ，信号取出用
電極１３が信号取出仲介用電極板２１の接触電極２５に
接触するように、ホルダ２０の信号取出仲介用電極板２
１とバイアス仲介用電極板２２の空隙に挿入される。そ
こで、ホルダ２０を精度良く製作すれば、多数の半導体
セル１０を容易に規則的に配列できる。なお、ホルダ２
０を精度良く製作することは、例えば前記特公平３−４
６７８９号公報に記載の技術によればよい。また、バイ
アス仲介用電極板２２を介してバイアスの印加を行い、
信号取出仲介用電極板２１を介して信号の取出しを行う
ので、個々の半導体セル１０に対する配線は不要とな
り、配線作業が容易になる。この配線作業については、
図４を参照して後述する。
【００１５】信号取出仲介用電極板２１およびバイアス
仲介用電極板２２は、半導体セル１０よりも放射線入射
側に延びており，且つ，それら電極板２１，２２が放射
線遮蔽機能を有するから、コリメータの働きを奏する。
仲介用電極板２２は、半導体セル１０よりも放射線入射
側に延びており，且つ，それら電極板２１，２２が放射
線遮蔽機能を有するから、コリメータの働きを奏する。
【００１６】図２は、半導体セル１０をホルダ２０に取
り付ける工程の説明図である。ホルダ２０は、放射線源
を曲率中心として湾曲しているので、信号取出仲介用電
極板２１とバイアス仲介用電極板２２の間の空隙は、放
射線源側開口が狭く，反放射線源側開口が広い。そこ
で、反放射線源側開口より半導体セル１０を挿入する。
そして、図３に示すように、半導体セル１０の半導体結
晶ブロック１１を、その奥行方向辺側で、ホルダ２０の
セラミック絶縁板２６，２７に、接着剤Ａ１，Ａ２で固
着する。このとき、接着剤Ａ１，Ａ２がバイアス仲介用
電極板２２と半導体セル１０の信号取出用電極１３とを
短絡しないように、信号取出用電極１３は、半導体セル
１０の長さ方向辺から余白１３ａ，１３ｂをあけて形成
されている。また、同じ理由および表裏の接触電極２
５，２５の接着剤による短絡を防ぐために、接触電極２
５，２５もセラミック絶縁板２６，２７側に余白を設け
てある。なお、この実施例では、バイアス用電極１２
も、半導体セル１０の長さ方向辺から余白をあけて形成
されている。
り付ける工程の説明図である。ホルダ２０は、放射線源
を曲率中心として湾曲しているので、信号取出仲介用電
極板２１とバイアス仲介用電極板２２の間の空隙は、放
射線源側開口が狭く，反放射線源側開口が広い。そこ
で、反放射線源側開口より半導体セル１０を挿入する。
そして、図３に示すように、半導体セル１０の半導体結
晶ブロック１１を、その奥行方向辺側で、ホルダ２０の
セラミック絶縁板２６，２７に、接着剤Ａ１，Ａ２で固
着する。このとき、接着剤Ａ１，Ａ２がバイアス仲介用
電極板２２と半導体セル１０の信号取出用電極１３とを
短絡しないように、信号取出用電極１３は、半導体セル
１０の長さ方向辺から余白１３ａ，１３ｂをあけて形成
されている。また、同じ理由および表裏の接触電極２
５，２５の接着剤による短絡を防ぐために、接触電極２
５，２５もセラミック絶縁板２６，２７側に余白を設け
てある。なお、この実施例では、バイアス用電極１２
も、半導体セル１０の長さ方向辺から余白をあけて形成
されている。
【００１７】図４は、半導体検出器アレイ１における配
線方法の説明図である。バイアス仲介用電極板２２への
配線は、導電ゴム３１によりコモン化して行う。これに
より、多数のバイアス仲介用電極板２２にも容易にバイ
アス電圧を印加できる。なお、図２に示すように信号取
出仲介用電極板２１には切欠が設けてあるため、導電ゴ
ム３１は信号取出仲介用電極板２１には接触しない。信
号取出仲介用電極板２１の接触電極１２，１３への配線
は、フレキシブルプリント基板３２を用いて行う。これ
により、多数の信号取出仲介用電極板２１にも容易に配
線できる。さらに、信号取出仲介用電極板２１の放射線
遮蔽板２３への配線は、導電ゴム３３によりコモン化し
て行う。これにより、多数の放射線遮蔽板２３を容易に
接地できる。なお、バイアス仲介用電極板２２には切欠
が設けてあるため、導電ゴム３３には接触しない。ま
た、信号取出仲介用電極板２１の接触電極１２，１３を
周囲の辺から余白を設けて形成しているため、これらも
導電ゴム３３には接触しない。
線方法の説明図である。バイアス仲介用電極板２２への
配線は、導電ゴム３１によりコモン化して行う。これに
より、多数のバイアス仲介用電極板２２にも容易にバイ
アス電圧を印加できる。なお、図２に示すように信号取
出仲介用電極板２１には切欠が設けてあるため、導電ゴ
ム３１は信号取出仲介用電極板２１には接触しない。信
号取出仲介用電極板２１の接触電極１２，１３への配線
は、フレキシブルプリント基板３２を用いて行う。これ
により、多数の信号取出仲介用電極板２１にも容易に配
線できる。さらに、信号取出仲介用電極板２１の放射線
遮蔽板２３への配線は、導電ゴム３３によりコモン化し
て行う。これにより、多数の放射線遮蔽板２３を容易に
接地できる。なお、バイアス仲介用電極板２２には切欠
が設けてあるため、導電ゴム３３には接触しない。ま
た、信号取出仲介用電極板２１の接触電極１２，１３を
周囲の辺から余白を設けて形成しているため、これらも
導電ゴム３３には接触しない。
【００１８】なお、ＣＴ装置のデテクタとして例えば８
００チャネルが必要なとき、８００チャネルをホルダ２
０で一体に製作してもよいが、例えば２００チャネルず
つの中モジュールに分けて作成してもよい。また、信号
取出仲介用電極板２１と同じものをバイアス仲介用電極
板に用いてもよい。
００チャネルが必要なとき、８００チャネルをホルダ２
０で一体に製作してもよいが、例えば２００チャネルず
つの中モジュールに分けて作成してもよい。また、信号
取出仲介用電極板２１と同じものをバイアス仲介用電極
板に用いてもよい。
【００１９】図５は、この発明の他の実施例の小モジュ
ール化した半導体検出器アレイ２の図１相当図である。
この半導体検出器アレイ２において、１０Ａは半導体セ
ル、２０Ａはホルダ、２１Ａは信号取出仲介用電極板、
２５Ａは絶縁板である。バイアス仲介用電極板は、信号
取出仲介用電極板２１Ａと同じものを使用している。こ
の半導体検出器アレイ２のチャネル数は１６チャネル以
下とする。チャネル数が少ないから、信号取出仲介用電
極板２１Ａおよびバイアス仲介用電極板は平行とし、半
導体セル１０Ａは直方体とする。ＣＴ装置のデテクタを
構成するときは、多数の半導体検出器アレイ２，２，…
を円弧に沿わせて並べる。
ール化した半導体検出器アレイ２の図１相当図である。
この半導体検出器アレイ２において、１０Ａは半導体セ
ル、２０Ａはホルダ、２１Ａは信号取出仲介用電極板、
２５Ａは絶縁板である。バイアス仲介用電極板は、信号
取出仲介用電極板２１Ａと同じものを使用している。こ
の半導体検出器アレイ２のチャネル数は１６チャネル以
下とする。チャネル数が少ないから、信号取出仲介用電
極板２１Ａおよびバイアス仲介用電極板は平行とし、半
導体セル１０Ａは直方体とする。ＣＴ装置のデテクタを
構成するときは、多数の半導体検出器アレイ２，２，…
を円弧に沿わせて並べる。
【００２０】
【発明の効果】この発明の半導体検出器アレイによれ
ば、次のような効果が得られる。 ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得るた
めの放射線入射面積を容易に確保できる。 多数の半導体セルを規則的に配列する作業が容易にな
る。 バイアス用配線および信号取出用配線の作業が容易に
なる。 検出効率が高くなる。 出力安定性が向上する。
ば、次のような効果が得られる。 ＣＴ装置用のデテクタとして必要な検出能力を得るた
めの放射線入射面積を容易に確保できる。 多数の半導体セルを規則的に配列する作業が容易にな
る。 バイアス用配線および信号取出用配線の作業が容易に
なる。 検出効率が高くなる。 出力安定性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の半導体検出器アレイの一実施例の構
成図である。
成図である。
【図２】図１の半導体検出器アレイの組立て工程説明図
である。
である。
【図３】図１の半導体検出器アレイの接着状態の説明図
である。
である。
【図４】図１の半導体検出器アレイの配線説明図であ
る。
る。
【図５】この発明の半導体検出器アレイの他の実施例の
構成図である。
構成図である。
１，２ 半導体検出器アレイ １０，１０Ａ 半導体セル １１ 半導体結晶ブロック １２ バイアス用電極 １３ 信号取出用電極 １３ａ，１３ｂ 余白 ２０，２０Ａ ホルダ ２１，２１Ａ 信号取出仲介用電極板 ２２ バイアス仲介用電極板 ２３ 放射線遮断板 ２４ 絶縁層 ２５，２５Ａ 接触電極 ２６，２７ 絶縁板 ３１，３３ 導電性ゴム ３２ フレキシブルプリント基板 Ａ１，Ａ２ 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−106586（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−17185（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−47167（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−218990（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−76467（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−190285（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−162884（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−41278（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01T 1/24 A61B 6/03 320
Claims (3)
- 【請求項１】 放射線に対して有感な半導体であって，
幅０．３ｍｍ以上，長さ５ｍｍ以上，奥行０．５ｍｍ以
上の３条件のうち少なくとも１条件を満たした半導体結
晶ブロックの長さ方向辺と奥行方向辺とで囲まれた２面
のうちの１面にバイアス用電極を形成し，他の１面に信
号取出用電極を形成した半導体セルと、バイアス仲介用
電極板および信号取出仲介用電極板を，前記半導体セル
の厚さに合せた空隙を挟んで，合わせて少なくとも３
枚，交互に設置したホルダとを具備し、そのホルダの前
記空隙に前記半導体セルを挟み込み、その半導体セルの
幅方向辺と長さ方向辺とで囲まれた２面のうちの１面を
放射線入射面とし，前記バイアス用電極を前記バイアス
仲介用電極板に接触させ，前記信号取出用電極を前記信
号取出仲介用電極板に接触させ、前記バイアス仲介用電
極板を介して前記半導体セルにバイアス電圧を印加し、
前記信号取出仲介用電極板を介して前記半導体セルから
信号を取り出すことを特徴とする半導体検出器アレイ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体検出器アレイに
おいて、半導体セルの奥行方向辺と信号取出用電極の間
に余白を設けるか，または，半導体セルの奥行方向辺と
信号取出用電極の間およびバイアス用電極の間に余白を
設けて、半導体セルをその奥行方向辺側でホルダに接着
したとき接着剤が信号取出用電極，または，信号取出用
電極およびバイアス用電極に接触しないようにしたこと
を特徴とする半導体検出器アレイ。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の半導体
検出器アレイにおいて、バイアス仲介用電極板および信
号取出仲介用電極板を放射線入射側に延設し，且つ，そ
れら電極板自身を放射線遮蔽材にて製作するか，それら
電極板に放射線遮蔽板を含ませて、コリメータの機能を
持たせたことを特徴とする半導体検出器アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02314493A JP3177550B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体検出器アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02314493A JP3177550B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体検出器アレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06235770A JPH06235770A (ja) | 1994-08-23 |
| JP3177550B2 true JP3177550B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=12102377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02314493A Expired - Fee Related JP3177550B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 半導体検出器アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3177550B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7560702B2 (en) * | 2005-11-28 | 2009-07-14 | General Electric Company | Interconnect and packaging method for multi-slice CT detector modules |
| WO2010015959A2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Combined asg, cathode, and carrier for a photon detector |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP02314493A patent/JP3177550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06235770A (ja) | 1994-08-23 |
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