JP2000200943A - 半導体レ―ザ評価装置 - Google Patents

半導体レ―ザ評価装置

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JP2000200943A
JP2000200943A JP11000313A JP31399A JP2000200943A JP 2000200943 A JP2000200943 A JP 2000200943A JP 11000313 A JP11000313 A JP 11000313A JP 31399 A JP31399 A JP 31399A JP 2000200943 A JP2000200943 A JP 2000200943A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号電極と接地電極が同一平面上にない半導
体レーザであっても、高周波特性を測定可能にする。 【解決手段】 接地ステージ２上に半導体レーザ１を載
置し、この半導体レーザ１と同じ厚みを持つ導体プレー
ト３，４を半導体レーザの両側から挟み込むように構成
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザの
高周波特性をチップもしくはサブマウント状態で測定す
る半導体レーザ評価装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信分野等で使用される半導体レーザ
は、高周波変調時の特性評価が必要であるが、一方、デ
バイスの低価格化に伴うテストコストの削減には、チッ
プ状態での高精度な選別が不可欠である。図８は従来の
半導体レーザの形状を示す斜視図であり、図において、
３１は表面に設けられた信号電極、３２は裏面にパター
ニングされた接地電極、３３は発光点であり、矢印は発
光方向を表している。このような形状を持つ半導体レー
ザは、信号電極３１及び接地電極３２が素子の表裏にあ
るため、両電極間にチップ厚みの分の段差が生じ、高周
波でのインピーダンスが取れず、チップ状態では高周波
での測定が正確にできない問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ評
価装置は以上のように構成されているので、信号電極と
接地電極が同一平面上にない半導体レーザでは、高周波
信号源とのインピーダンス整合が取れず、高周波変調時
の特性を高精度に測定することができないという問題点
があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、信号電極と接地電極が同一平面
上にない半導体レーザであっても、高周波特性を測定す
ることが可能な半導体レーザ評価装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体レーザ評価装置は、接地ステージ上に半導体レ
ーザを載置すると共に、半導体レーザと同じ厚みを有す
る導体プレートを半導体レーザの両側から挟み込み、半
導体レーザ及び導体プレートの上面にプローブを接触さ
せたものである。
【０００６】この発明の請求項２に係る半導体レーザ評
価装置は、接地ステージ上に半導体レーザを載置すると
共に、板バネ構造を有する導体プレートを半導体レーザ
の両側から挟み込み、半導体レーザ及び導体プレートの
上面にプローブを接触させたものである。
【０００７】この発明の請求項３に係る半導体レーザ評
価装置は、接地ステージ上にサブマウントを介して半導
体レーザを載置すると共に、下面にサブマウントの厚み
分の切り取り部が設けられ、かつ高さが半導体レーザと
同一である導体プレートを半導体レーザの両側から挟み
込み、半導体レーザ及び導体プレートの上面にプローブ
を接触させたものである。
【０００８】この発明の請求項４に係る半導体レーザ評
価装置は、接地ステージ上の半導体レーザ設置個所に受
動素子成分を埋め込んだものである。
【０００９】この発明の請求項５に係る半導体レーザ評
価装置は、導体プレート上のプローブコンタクト位置に
受動素子成分を埋め込んだものである。
【００１０】この発明の請求項６に係る半導体レーザ評
価装置は、プローブにおける接地信号ライン及び高周波
信号ラインとの間に受動素子成分を接続させたものであ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施形態を図について説明する。図１はこの発明の実
施の形態１による高周波特性が測定可能な半導体レーザ
評価装置を示す斜視図であり、図において、１は半導体
レーザ、１ａは半導体レーザ１の発光点、１ｂは半導体
レーザ１の表面に設けられた信号電極、２は接地ステー
ジ、３，４は半導体レーザ１と高精度に同じ厚みを持つ
よう加工された導体プレートである。導体プレート３，
４は、半導体レーザ１を両側から挟み込む形で、接地ス
テージ２上に電気的接触を保って配置され、更に導体プ
レート３，４は、半導体レーザ１の発光点の位置精度を
合わせる目的も兼ねている。
【００１２】また、半導体レーザ１を両側から挟み込む
構造は、半導体レーザ１の裏面光の採光を可能にし、裏
面光に対する特性評価を可能にする。接地ステージ２及
び導体プレート３，４は、マイクロ波帯の高周波信号を
良好に伝達するため、金などの材質を使用する必要があ
る。この構造により接地面を導体プレート３，４の上面
まで延長することができる。導体プレート３，４は半導
体レーザ１と高精度に厚みを同じくしているため、図２
に示すように、一般的なＧＳＧ（接地―信号−接地）構
造やＳＧ構造を持つ高周波プローブによる高周波コンタ
クトが可能となる。図２において、５は接地―信号−接
地構造を持つ高周波プローブである。
【００１３】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装
置を示す平面図であり、図において、２は接地ステー
ジ、３，４は導体プレート、６は接地ステージ２上の半
導体レーザ配置箇所に埋め込んだ、抵抗，容量，インダ
クタンス等を持つ受動素子成分である。受動素子成分６
は、半導体レーザの持つインピーダンスを考慮に入れ
て、高周波信号源とのインピーダンス整合を取るように
設計する必要があり、半導体レーザのような抵抗性を示
す素子については、抵抗成分を埋め込むことで信号源と
のインピーダンス整合を図ることが可能となる。
【００１４】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装
置を示す平面図であり、図において、２は接地ステー
ジ、３，４は導体プレート、７は導体プレート３，４上
の高周波プローブコンタクト位置に埋め込んだ、抵抗，
容量，インダクタンス等を持つ受動素子成分である。受
動素子成分７は、半導体レーザの持つインピーダンスを
考慮に入れて、高周波信号源とのインピーダンス整合を
取るように設計する必要があり、半導体レーザのような
抵抗性を示す素子については、抵抗成分を埋め込むこと
で信号源とのインピーダンス整合を図ることが可能とな
る。
【００１５】実施の形態４．図５はこの発明の実施の形
態４による半導体レーザ評価装置にコンタクトを取るた
めの高周波プローブを示す斜視図であり、図において、
８は信号源と接続されている高周波ケーブル、９は高周
波コネクタ、１０はセラミック等からなる誘電体プレー
ト、１１，１２は接地信号ライン、１３は高周波信号ラ
イン、１４は信号源と被測定物とのインピーダンス整合
を取るための抵抗，容量，インダクタンス等を持つ受動
素子成分、１５は接地信号ライン１１，１２及び高周波
信号ライン１３から被測定物へコンタクトを取るための
プローブ先端部である。
【００１６】接地信号ライン１１，１２は高周波コネク
タ９の接地部と電気接触を取り、高周波信号ライン１３
は高周波コネクタ９の中心の信号ラインと電気接触を取
る必要がある。又、接地信号ライン１１，１２及び高周
波信号ライン１３は金などのマイクロ波帯良導体により
構成される必要があり、分布定数を持つ導波路で構成し
ても良い。受動素子成分１４は、半導体レーザの持つイ
ンピーダンスを考慮に入れて、高周波信号源とのインピ
ーダンス整合を取るように設計する必要があり、半導体
レーザのような抵抗性を示す素子については、抵抗成分
を埋め込むことで、信号源とのインピーダンス整合を図
ることが可能となる。
【００１７】実施の形態５．図６はこの発明の実施の形
態５による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装
置を示す側面図であり、図において、１は被測定物であ
る半導体レーザ、２は接地ステージ、１６，１７は下面
に切欠きを設けてバネ性を有するようにした導体プレー
トである。即ち、導体プレート１６，１７には、半導体
レーザ１の厚みのばらつきを吸収し、接地面と高周波信
号面を高精度に同一平面にするための板バネ構造を持つ
よう加工する。
【００１８】接地ステージ２上の斜線部分は、導体プレ
ート１６，１７との電気接触を取っている部位を示して
いる。半導体レーザ１及び導体プレート１６，１７の上
面から図示しない高周波プローブにてコンタクトを行っ
た場合、導体プレート１６，１７がプレート自身の持つ
バネ性により、半導体レーザ１の上面と高さが同じくな
るまで矢印の方向にたわむことで、接地面と信号面の高
さを高精度に同じくすることができる。
【００１９】実施の形態６．図７はこの発明の実施の形
態６による高周波特性が測定可能な半導体レーザ評価装
置を示す斜視図であり、図において、１は被測定物であ
る半導体レーザ、２は接地ステージ、１８，１９は下面
に切り取り部が設けられている導体プレート、２０は半
導体レーザ１を接着しているサブマウント又はブロック
等である。導体プレート１８，１９は、サブマウント２
０の厚み分の切り取り部を設け、図７に示されるような
斜線部分にてサブマウント２０と接地させるようにす
る。サブマウント２０には、導体プレート１８，１９の
斜線部分において接触可能なように、半導体レーザ１の
裏面の接地電極と電気的に接触している構造を取る必要
がある。
【００２０】導体プレート１８，１９は、半導体レーザ
１と高精度に高さを同じくするよう加工することで、被
測定物である半導体レーザ１の接地面と信号面をほぼ同
一平面上に配置することができ、ＧＳＧ構造やＳＧ構造
を持つ高周波プローブによる高周波コンタクトが可能と
なる。更に、インピーダンス整合を取るためには、上記
形態による構造に加えて、実施の形態２〜実施の形態４
に示した構造を採用することにより実現する。
【００２１】
【発明の効果】この発明の請求項１に係る半導体レーザ
評価装置によれば、接地ステージ上に半導体レーザを載
置すると共に、半導体レーザと同じ厚みを有する導体プ
レートを半導体レーザの両側から挟み込み、半導体レー
ザ及び導体プレートの上面にプローブを接触させたの
で、高周波プローブによる高周波コンタクトが可能とな
り、又、半導体レーザの発光点の位置精度を合わせるこ
とができ、更に、半導体レーザの裏面光の採光を可能に
することによって、裏面光に対する特性評価を可能にす
ることができる。
【００２２】この発明の請求項２に係る半導体レーザ評
価装置によれば、接地ステージ上に半導体レーザを載置
すると共に、板バネ構造を有する導体プレートを半導体
レーザの両側から挟み込み、半導体レーザ及び導体プレ
ートの上面にプローブを接触させたので、接地面と信号
面の高さを高精度に同じくすることができる。
【００２３】この発明の請求項３に係る半導体レーザ評
価装置によれば、接地ステージ上にサブマウントを介し
て半導体レーザを載置すると共に、下面にサブマウント
の厚み分の切り取り部が設けられ、かつ高さが半導体レ
ーザと同一である導体プレートを半導体レーザの両側か
ら挟み込み、半導体レーザ及び導体プレートの上面にプ
ローブを接触させたので、高周波プローブによる高周波
コンタクトが可能となる。
【００２４】この発明の請求項４に係る半導体レーザ評
価装置によれば、接地ステージ上の半導体レーザ設置個
所に受動素子成分を埋め込んだので、信号源とのインピ
ーダンス整合を図ることが可能となる。
【００２５】この発明の請求項５に係る半導体レーザ評
価装置によれば、導体プレート上のプローブコンタクト
位置に受動素子成分を埋め込んだので、信号源とのイン
ピーダンス整合を図ることが可能となる。
【００２６】この発明の請求項６に係る半導体レーザ評
価装置によれば、プローブにおける接地信号ライン及び
高周波信号ラインとの間に受動素子成分を接続させたの
で、信号源とのインピーダンス整合を図ることが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体レーザ
評価装置を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による半導体レーザ
評価装置を示す斜視図である。
【図３】 この発明の実施の形態２による半導体レーザ
評価装置を示す平面図である。
【図４】 この発明の実施の形態３による半導体レーザ
評価装置を示す平面図である。
【図５】 この発明の実施の形態４によるプローブを示
す斜視図である。
【図６】 この発明の実施の形態５による半導体レーザ
評価装置を示す側面図である。
【図７】 この発明の実施の形態６による半導体レーザ
評価装置を示す斜視図である。
【図８】 従来の半導体レーザを示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ、２は接地ステージ、３，４，１６，
１７，１８，１９ 導体プレート、５ プローブ、６，
７，１４ 受動素子成分、１１，１２ 接地信号ライ
ン、１３ 高周波信号ライン、２０ サブマウント。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 接地ステージ上に半導体レーザを載置す
    ると共に、上記半導体レーザと同じ厚みを有する導体プ
    レートを上記半導体レーザの両側から挟み込み、上記半
    導体レーザ及び上記導体プレートの上面にプローブを接
    触させたことを特徴とする半導体レーザ評価装置。
  2. 【請求項２】 接地ステージ上に半導体レーザを載置す
    ると共に、板バネ構造を有する導体プレートを上記半導
    体レーザの両側から挟み込み、上記半導体レーザ及び上
    記導体プレートの上面にプローブを接触させたことを特
    徴とする半導体レーザ評価装置。
  3. 【請求項３】 接地ステージ上にサブマウントを介して
    半導体レーザを載置すると共に、下面に上記サブマウン
    トの厚み分の切り取り部が設けられ、かつ高さが上記半
    導体レーザと同一である導体プレートを上記半導体レー
    ザの両側から挟み込み、上記半導体レーザ及び上記導体
    プレートの上面にプローブを接触させたことを特徴とす
    る半導体レーザ評価装置。
  4. 【請求項４】 接地ステージ上の半導体レーザ設置個所
    に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項１
    から請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ評価
    装置。
  5. 【請求項５】 導体プレート上のプローブコンタクト位
    置に受動素子成分を埋め込んだことを特徴とする請求項
    １から請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ評
    価装置。
  6. 【請求項６】 プローブにおける接地信号ライン及び高
    周波信号ラインとの間に受動素子成分を接続させたこと
    を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記
    載の半導体レーザ評価装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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