JP2000188444A - 半導体光増幅器アレイ - Google Patents
半導体光増幅器アレイInfo
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- JP2000188444A JP2000188444A JP10363035A JP36303598A JP2000188444A JP 2000188444 A JP2000188444 A JP 2000188444A JP 10363035 A JP10363035 A JP 10363035A JP 36303598 A JP36303598 A JP 36303598A JP 2000188444 A JP2000188444 A JP 2000188444A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大き
くとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光
増幅器アレイを提供する。 【解決手段】 上部第２クラッド層５の側面が酸化層及
び光吸収剤を含んだポリマ膜７で覆われている場合に
は、ポリマ膜７に光吸収剤が分散あるいは充填されるの
で、各半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の入射端に接続さ
れる光ファイバからの信号光がポリマ膜７中を伝搬し、
出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧され
る。吸収剤を含まないポリマ膜７の上に金属膜１６−１
〜１６−５を形成する場合には、入射端に接続される光
ファイバからの信号光が金属膜１６−１〜１６−５で吸
収され、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが
抑圧される。上部第２クラッド層５が積層体の一方の端
面から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高
消光比特性が得られる。
くとることができ、クロストーク特性に優れた半導体光
増幅器アレイを提供する。 【解決手段】 上部第２クラッド層５の側面が酸化層及
び光吸収剤を含んだポリマ膜７で覆われている場合に
は、ポリマ膜７に光吸収剤が分散あるいは充填されるの
で、各半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の入射端に接続さ
れる光ファイバからの信号光がポリマ膜７中を伝搬し、
出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧され
る。吸収剤を含まないポリマ膜７の上に金属膜１６−１
〜１６−５を形成する場合には、入射端に接続される光
ファイバからの信号光が金属膜１６−１〜１６−５で吸
収され、出射端に接続される光ファイバへ漏れ込むのが
抑圧される。上部第２クラッド層５が積層体の一方の端
面から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高
消光比特性が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光増幅器ア
レイに関する。
レイに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体光増幅器を用いてゲート型
のマトリクス光スイッチ、光波長選択フィルタ及び光Ａ
ｄｄ／Ｄｒｏｐフィルタ等を構成する研究開発が活発に
行われるようになってきた。
のマトリクス光スイッチ、光波長選択フィルタ及び光Ａ
ｄｄ／Ｄｒｏｐフィルタ等を構成する研究開発が活発に
行われるようになってきた。
【０００３】図９は従来の半導体光増幅器アレイを用い
たゲート型のマトリクス光スイッチを示すブロック図で
ある。
たゲート型のマトリクス光スイッチを示すブロック図で
ある。
【０００４】このマトリクス光スイッチは、入力ポート
２８ａ（２８ｂ）に入力した光信号２５ａ−１（２５ｂ
−１）を出力ポート２８ｃ、２８ｄのいずれかに出力さ
せるスイッチであり、半導体光増幅器２６−１〜２６−
４のいずれかに注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流してオン状態と
するか、注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流さずにオフ状態とする
ことによりオンオフ制御するようにしたものである。な
お、２７ａ〜２７ｄは光分岐回路であり、２９ａ−１、
２９ａ−２、２９ｂ−１、２９ｂ−２は分岐ポートであ
る。
２８ａ（２８ｂ）に入力した光信号２５ａ−１（２５ｂ
−１）を出力ポート２８ｃ、２８ｄのいずれかに出力さ
せるスイッチであり、半導体光増幅器２６−１〜２６−
４のいずれかに注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流してオン状態と
するか、注入電流Ｉk1〜Ｉk4を流さずにオフ状態とする
ことによりオンオフ制御するようにしたものである。な
お、２７ａ〜２７ｄは光分岐回路であり、２９ａ−１、
２９ａ−２、２９ｂ−１、２９ｂ−２は分岐ポートであ
る。
【０００５】図１０は従来の半導体光増幅器アレイを用
いた光波長選択フィルタのブロック図である。
いた光波長選択フィルタのブロック図である。
【０００６】この光波長選択フィルタは、１入力４出力
の光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３２−４と、
４入力１出力の光分波器３６の各入力ポート３５−１〜
３５−４との間に複数の半導体光増幅器２６−１〜２６
−４を挿入したものである。
の光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３２−４と、
４入力１出力の光分波器３６の各入力ポート３５−１〜
３５−４との間に複数の半導体光増幅器２６−１〜２６
−４を挿入したものである。
【０００７】波長多重された信号光（波長λ1 〜λ4 ）
３０−１を入力ポート３１へ入力させ、分波した信号光
λ1 〜λ4 を光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３
２−４へそれぞれ出力させ、各半導体光増幅器２６−１
〜２６−４へ入力させる。光分波器３６の出力ポート３
４から出力させる信号光の波長は、半導体光増幅器２６
−１〜２６−４の各端子への注入電流Ｉk1〜Ｉk4をオン
状態とするかオフ状態とするかによって制御される。こ
のような電流制御により、所望の波長の信号光を出力ポ
ート３４から選択的に取り出すことができる。
３０−１を入力ポート３１へ入力させ、分波した信号光
λ1 〜λ4 を光分波器３３の各出力ポート３２−１〜３
２−４へそれぞれ出力させ、各半導体光増幅器２６−１
〜２６−４へ入力させる。光分波器３６の出力ポート３
４から出力させる信号光の波長は、半導体光増幅器２６
−１〜２６−４の各端子への注入電流Ｉk1〜Ｉk4をオン
状態とするかオフ状態とするかによって制御される。こ
のような電流制御により、所望の波長の信号光を出力ポ
ート３４から選択的に取り出すことができる。
【０００８】図９に示したマトリクス光スイッチ及び図
１０に示した光波長選択フィルタに用いられる半導体光
増幅器アレイには、図１１に示すようなアレイ構造のも
のが用いられる。図１１（ａ）は４つの半導体光増幅器
Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものの外観斜視図
であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の部分拡大透視図
である。なお、図１１（ｂ）において、１９は波長λ＝
１．５５μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ下部クラッド層、２
０は波長λ＝１．３μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、
２１はｎ−ＩｎＰ層（スポットサイズ変換層）をそれぞ
れ示す。
１０に示した光波長選択フィルタに用いられる半導体光
増幅器アレイには、図１１に示すようなアレイ構造のも
のが用いられる。図１１（ａ）は４つの半導体光増幅器
Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものの外観斜視図
であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の部分拡大透視図
である。なお、図１１（ｂ）において、１９は波長λ＝
１．５５μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ下部クラッド層、２
０は波長λ＝１．３μｍのｉ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、
２１はｎ−ＩｎＰ層（スポットサイズ変換層）をそれぞ
れ示す。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体光増幅器アレイには以下のような問題が
ある。
た従来の半導体光増幅器アレイには以下のような問題が
ある。
【００１０】(1) 隣接する半導体光増幅器は、各光増幅
器同士の光の干渉により、半導体光増幅器のオン状態と
オフ状態との光パワー比、すなわち、消光比が４５ｄＢ
程度しかなく、不十分である。
器同士の光の干渉により、半導体光増幅器のオン状態と
オフ状態との光パワー比、すなわち、消光比が４５ｄＢ
程度しかなく、不十分である。
【００１１】(2) 各半導体光増幅器の光入射端面や光出
射端面からの反射光が他の半導体光増幅器内に取り込ま
れ易く、消光比やクロストーク特性が劣化する。
射端面からの反射光が他の半導体光増幅器内に取り込ま
れ易く、消光比やクロストーク特性が劣化する。
【００１２】(3) 図１１（ａ）、（ｂ）に示す半導体光
増幅器アレイは、活性層２０及びスポットサイズ変換層
２１が高誘電率のＩｎＰ系の下部クラッド層１９、上部
クラッド層２２０、埋め込み層で覆われているために、
高速のスイッチング特性が得られない。この対策とし
て、本発明者は先に図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
すようなリッジ型半導体光増幅器を提案した。これは、
上部第２クラッド層５をリッジ状にし、その周囲を低誘
電率のＳｉＯ2 層６とポリイミド膜７とで覆った構造を
有している。このような構成にすると高速のスイッチン
グ特性を期待することができる。図１２（ａ）は本発明
者が先に提案したリッジ型半導体光増幅器の正面図であ
り、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
り、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であ
る。
増幅器アレイは、活性層２０及びスポットサイズ変換層
２１が高誘電率のＩｎＰ系の下部クラッド層１９、上部
クラッド層２２０、埋め込み層で覆われているために、
高速のスイッチング特性が得られない。この対策とし
て、本発明者は先に図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
すようなリッジ型半導体光増幅器を提案した。これは、
上部第２クラッド層５をリッジ状にし、その周囲を低誘
電率のＳｉＯ2 層６とポリイミド膜７とで覆った構造を
有している。このような構成にすると高速のスイッチン
グ特性を期待することができる。図１２（ａ）は本発明
者が先に提案したリッジ型半導体光増幅器の正面図であ
り、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
り、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であ
る。
【００１３】(4) 図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示し
た半導体光増幅器をアレイ状に構成すると（図１３
（ａ）、（ｂ）参照）、４個の半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４内を伝搬している信号光Ｐi1〜Ｐi4が容易に干渉
し合って消光比やクロストーク特性を劣化させることが
わかった。すなわち、本来ならばＣｈ１の信号光Ｐi1は
増幅されてＰ01として出力されるが、Ｐ01にＰi1、
Ｐi2、Ｐi3、Ｐi4の信号光が漏れ込んでくる。特に、隣
接の信号光Ｐi2が漏れ込んで消光比やクロストーク特性
を劣化させることがわかった。なお、図１３（ａ）は本
発明者が先に提案した半導体光増幅器アレイの正面図で
あり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図で
ある。
た半導体光増幅器をアレイ状に構成すると（図１３
（ａ）、（ｂ）参照）、４個の半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４内を伝搬している信号光Ｐi1〜Ｐi4が容易に干渉
し合って消光比やクロストーク特性を劣化させることが
わかった。すなわち、本来ならばＣｈ１の信号光Ｐi1は
増幅されてＰ01として出力されるが、Ｐ01にＰi1、
Ｐi2、Ｐi3、Ｐi4の信号光が漏れ込んでくる。特に、隣
接の信号光Ｐi2が漏れ込んで消光比やクロストーク特性
を劣化させることがわかった。なお、図１３（ａ）は本
発明者が先に提案した半導体光増幅器アレイの正面図で
あり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図で
ある。
【００１４】ここで、図１２（ａ）〜（ｃ）及び図１３
（ａ）、（ｂ）において、リッジ型の上部第２クラッド
層２が光伝搬方向に曲線状に形成されているのは高消光
比を実現するためである。すなわち、両端面に光ファイ
バを突き合わせ、一方（図の左側）の端面の光ファイバ
内を伝搬してきた光信号Ｐｉは活性層３内に全て閉じ込
められて伝搬するのではなく、ＳｉＯ2 層６、ポリイミ
ド膜７、上部及び下部クラッド層２、４、５内にも漏れ
込んで伝搬する。上部第２クラッド層５が伝搬方向に直
線状に構成されていると、ＳｉＯ2 層６、ポリイミド膜
７及びクラッド層内に漏れて伝搬していった光信号は他
方（図の右側）の端面に突き合わせられた光ファイバ内
に混入してしまう。注入電流を流しているオン状態の場
合には混入光は悪影響を及ぼさないが、注入電流を流し
ていないオフ状態の場合には混入光は不要光となり、結
局、オン／オフ消光比は悪くなる。
（ａ）、（ｂ）において、リッジ型の上部第２クラッド
層２が光伝搬方向に曲線状に形成されているのは高消光
比を実現するためである。すなわち、両端面に光ファイ
バを突き合わせ、一方（図の左側）の端面の光ファイバ
内を伝搬してきた光信号Ｐｉは活性層３内に全て閉じ込
められて伝搬するのではなく、ＳｉＯ2 層６、ポリイミ
ド膜７、上部及び下部クラッド層２、４、５内にも漏れ
込んで伝搬する。上部第２クラッド層５が伝搬方向に直
線状に構成されていると、ＳｉＯ2 層６、ポリイミド膜
７及びクラッド層内に漏れて伝搬していった光信号は他
方（図の右側）の端面に突き合わせられた光ファイバ内
に混入してしまう。注入電流を流しているオン状態の場
合には混入光は悪影響を及ぼさないが、注入電流を流し
ていないオフ状態の場合には混入光は不要光となり、結
局、オン／オフ消光比は悪くなる。
【００１５】これに対し、図１２（ａ）〜（ｃ）及び図
１３（ａ）、（ｂ）に示す上部第２クラッド層５を伝搬
方向に曲線状に形成しておくと、ポリイミド膜、ＳｉＯ
2 層及びクラッド層内を漏れて伝搬していった光信号は
他方の端面に設けた光ファイバ内へ混入しなくなる。こ
のような混入を防止するためには入射端面と出射端面と
の幅方向間隔Ｗを光ファイバの直径（通常１２５μｍ）
よりも大きくとっておけばよい。
１３（ａ）、（ｂ）に示す上部第２クラッド層５を伝搬
方向に曲線状に形成しておくと、ポリイミド膜、ＳｉＯ
2 層及びクラッド層内を漏れて伝搬していった光信号は
他方の端面に設けた光ファイバ内へ混入しなくなる。こ
のような混入を防止するためには入射端面と出射端面と
の幅方向間隔Ｗを光ファイバの直径（通常１２５μｍ）
よりも大きくとっておけばよい。
【００１６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大きくとる
ことができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器
アレイを提供することにある。
し、各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大きくとる
ことができ、クロストーク特性に優れた半導体光増幅器
アレイを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体光増幅器アレイは、半導体基板上に、
スラブ状の下部クラッド層、活性層及び上部第１クラッ
ド層が順次形成され、上部第１クラッド層の上に略矩形
断面形状の上部第２クラッド層が少なくとも２本並列に
形成され、上部第２クラッド層の側面が酸化層及び光吸
収剤を含んだポリマ膜で覆われ、上部第２クラッド層の
上にコンタクト層を介して上部電極が形成され、半導体
基板裏面に下部電極が形成されると共に、上部電極と下
部電極との間に電流が注入されるようにした積層体から
なる光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成さ
れ、積層体の一方の端面の上部第２クラッド層の真下の
活性層内に信号光がそれぞれ入射され、活性層で増幅さ
れた信号光を積層体の他方の端面から出射させるように
したものである。
に本発明の半導体光増幅器アレイは、半導体基板上に、
スラブ状の下部クラッド層、活性層及び上部第１クラッ
ド層が順次形成され、上部第１クラッド層の上に略矩形
断面形状の上部第２クラッド層が少なくとも２本並列に
形成され、上部第２クラッド層の側面が酸化層及び光吸
収剤を含んだポリマ膜で覆われ、上部第２クラッド層の
上にコンタクト層を介して上部電極が形成され、半導体
基板裏面に下部電極が形成されると共に、上部電極と下
部電極との間に電流が注入されるようにした積層体から
なる光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成さ
れ、積層体の一方の端面の上部第２クラッド層の真下の
活性層内に信号光がそれぞれ入射され、活性層で増幅さ
れた信号光を積層体の他方の端面から出射させるように
したものである。
【００１８】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの上部第２クラッド層は積層体の一方の端面から他
方の端面へ斜めに湾曲しているのが好ましい。
レイの上部第２クラッド層は積層体の一方の端面から他
方の端面へ斜めに湾曲しているのが好ましい。
【００１９】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの下部クラッド層と活性層との間に、屈折率が下部
クラッド層の屈折率よりも高く、活性層の屈折率よりも
低いバッファ層を設けてもよい。
レイの下部クラッド層と活性層との間に、屈折率が下部
クラッド層の屈折率よりも高く、活性層の屈折率よりも
低いバッファ層を設けてもよい。
【００２０】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの積層体の両端面は１０°以内の角度で斜めに形成
されていてもよい。
レイの積層体の両端面は１０°以内の角度で斜めに形成
されていてもよい。
【００２１】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの光吸収剤として信号光を吸収する材料を用いても
よい。
レイの光吸収剤として信号光を吸収する材料を用いても
よい。
【００２２】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの光吸収剤を含んだポリマ膜は光吸収剤がポリマ膜
内に部分的に含まれていてもよい。
レイの光吸収剤を含んだポリマ膜は光吸収剤がポリマ膜
内に部分的に含まれていてもよい。
【００２３】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの上部第２クラッド層間の光吸収剤を含んだポリマ
膜は部分的に除去されて空隙が形成されていてもよい。
レイの上部第２クラッド層間の光吸収剤を含んだポリマ
膜は部分的に除去されて空隙が形成されていてもよい。
【００２４】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイの上部第１クラッド層が略矩形断面形状に形成され
ていてもよい。
レイの上部第１クラッド層が略矩形断面形状に形成され
ていてもよい。
【００２５】また、本発明の半導体光増幅器アレイは、
半導体基板上に、スラブ状の下部クラッド層、活性層及
び上部第１クラッド層が順次形成され、上部第１クラッ
ド層の上に略矩形断面形状の上部第２クラッド層が少な
くとも２本並列に形成され、上部第２クラッド層の側面
がポリマ膜で覆われ、上部第２クラッド層の上にコンタ
クト層を介して上部電極が形成され、半導体基板裏面に
下部電極が形成されると共に、上部電極と下部電極との
間に電流が注入されるようにした積層体からなる光増幅
器の両端面に無反射コーティング層が形成され、積層体
の一方の端面の上部第２クラッド層の真下の活性層内に
信号光がそれぞれ入射され、活性層で増幅された信号光
を積層体の他方の端面から出射させるようにすると共
に、ポリマ膜の上に金属膜を形成したものである。
半導体基板上に、スラブ状の下部クラッド層、活性層及
び上部第１クラッド層が順次形成され、上部第１クラッ
ド層の上に略矩形断面形状の上部第２クラッド層が少な
くとも２本並列に形成され、上部第２クラッド層の側面
がポリマ膜で覆われ、上部第２クラッド層の上にコンタ
クト層を介して上部電極が形成され、半導体基板裏面に
下部電極が形成されると共に、上部電極と下部電極との
間に電流が注入されるようにした積層体からなる光増幅
器の両端面に無反射コーティング層が形成され、積層体
の一方の端面の上部第２クラッド層の真下の活性層内に
信号光がそれぞれ入射され、活性層で増幅された信号光
を積層体の他方の端面から出射させるようにすると共
に、ポリマ膜の上に金属膜を形成したものである。
【００２６】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイのポリマ膜には光吸収剤が含まれておらず、酸化層
が含まれていてもよい。
レイのポリマ膜には光吸収剤が含まれておらず、酸化層
が含まれていてもよい。
【００２７】上記構成に加え本発明の半導体光増幅器ア
レイのポリマ膜としてポリイミド膜、あるいはフッ素を
含んだポリマ膜を用いてもよい。
レイのポリマ膜としてポリイミド膜、あるいはフッ素を
含んだポリマ膜を用いてもよい。
【００２８】本発明によれば、上部第２クラッド層の側
面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜で覆われてい
る場合には、ポリマ膜に光吸収剤が分散あるいは充填さ
れるので、各半導体光増幅器の入射端に接続される光フ
ァイバからの信号光がポリマ膜中を伝搬し、出射端に接
続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。
面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリマ膜で覆われてい
る場合には、ポリマ膜に光吸収剤が分散あるいは充填さ
れるので、各半導体光増幅器の入射端に接続される光フ
ァイバからの信号光がポリマ膜中を伝搬し、出射端に接
続される光ファイバへ漏れ込むのが抑圧される。
【００２９】吸収剤を含まないポリマ膜の上に金属膜を
形成する場合には、入射端に接続される光ファイバから
の信号光が金属膜で吸収され、出射端に接続される光フ
ァイバへ漏れ込むのが抑圧される。
形成する場合には、入射端に接続される光ファイバから
の信号光が金属膜で吸収され、出射端に接続される光フ
ァイバへ漏れ込むのが抑圧される。
【００３０】上部第２クラッド層が積層体の一方の端面
から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高消
光比特性が得られる。
から他方の端面へ斜めに湾曲していることにより、高消
光比特性が得られる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００３２】図１（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの一実施の形態を示す正面図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
イの一実施の形態を示す正面図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【００３３】本半導体光増幅器アレイは、４つの半導体
光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものであ
る。本半導体光増幅器アレイには、高消光比及び低クロ
ストーク特性を実現するために二つの特徴ある構成が採
用されている。
光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４をアレイ状に構成したものであ
る。本半導体光増幅器アレイには、高消光比及び低クロ
ストーク特性を実現するために二つの特徴ある構成が採
用されている。
【００３４】第１の特徴は、上部のポリイミド膜１４に
光吸収剤を分散（あるいは充填）させたことである。光
吸収剤としては、染料、顔料、金属微粒子等を用いるこ
とができる。例えば、本半導体光増幅器アレイは波長
１．５μｍ帯の信号光を用いるので、黒色顔料（カーボ
ンブラック）を充填するのが有効である。また、染料を
用いる場合には分散染料を分散させるようにしてもよ
い。さらに金属微粒子としてＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の１．
５μｍ帯で光吸収の大きい材料を分散させてもよい。
光吸収剤を分散（あるいは充填）させたことである。光
吸収剤としては、染料、顔料、金属微粒子等を用いるこ
とができる。例えば、本半導体光増幅器アレイは波長
１．５μｍ帯の信号光を用いるので、黒色顔料（カーボ
ンブラック）を充填するのが有効である。また、染料を
用いる場合には分散染料を分散させるようにしてもよ
い。さらに金属微粒子としてＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の１．
５μｍ帯で光吸収の大きい材料を分散させてもよい。
【００３５】このように光吸収剤を含んだポリイミド膜
１４を用いれば、図示しない光ファイバからの信号光が
入射側の端面（図１（ｂ）では下側の端面）からポリイ
ミド膜１４中を伝搬し、出射側の端面（図１（ｂ）では
上側の端面）に接続される光ファイバ（図示せず）へ漏
れ込むのが抑圧される。すなわち、端面Ｐo1に端面Ｐi2
〜Ｐi4からの信号光の混入がなくなり、端面Ｐo3に端面
Ｐi1〜Ｐi3からの信号光の混入がなくなり、低クロスト
ーク特性が得られる。
１４を用いれば、図示しない光ファイバからの信号光が
入射側の端面（図１（ｂ）では下側の端面）からポリイ
ミド膜１４中を伝搬し、出射側の端面（図１（ｂ）では
上側の端面）に接続される光ファイバ（図示せず）へ漏
れ込むのが抑圧される。すなわち、端面Ｐo1に端面Ｐi2
〜Ｐi4からの信号光の混入がなくなり、端面Ｐo3に端面
Ｐi1〜Ｐi3からの信号光の混入がなくなり、低クロスト
ーク特性が得られる。
【００３６】第２の特徴は、リッジ型の上部第２クラッ
ド層５を光の伝搬方向に曲線状にパターン化し（積層体
の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲させ）、入射
部と出射部とが同一直線上に位置しないように間隔Ｗを
持たせたことである。この間隔Ｗは光ファイバの直径
（通常１２５μｍ）よりも大きい値が好ましい。
ド層５を光の伝搬方向に曲線状にパターン化し（積層体
の一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲させ）、入射
部と出射部とが同一直線上に位置しないように間隔Ｗを
持たせたことである。この間隔Ｗは光ファイバの直径
（通常１２５μｍ）よりも大きい値が好ましい。
【００３７】入射部と出射部との間にはＳ字状曲線部１
３が設けられており、このＳ字状曲線部１３により、高
消光比特性が得られる。なお、図１（ａ）、（ｂ）にお
いて、１はＩｎＰ（ｎ+ ）基板、２はスラブ状のＩｎＰ
（ｎ）下部クラッド層、３はスラブ状の活性層、４はス
ラブ状のＩｎＰ（ｐ）上部第１クラッド層、５はリッジ
状のＩｎＰ（ｐ）上部第２クラッド層、６はＳｉＯ
2 層、８はＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９−１〜９−
４は上部電極、１０は下部電極、１１−１、１１−２は
スポットサイズ変換部、１２−１、２−２は直線部、１
７−１、１７−２は無反射コーティング層、１８は電流
注入用の端子である。
３が設けられており、このＳ字状曲線部１３により、高
消光比特性が得られる。なお、図１（ａ）、（ｂ）にお
いて、１はＩｎＰ（ｎ+ ）基板、２はスラブ状のＩｎＰ
（ｎ）下部クラッド層、３はスラブ状の活性層、４はス
ラブ状のＩｎＰ（ｐ）上部第１クラッド層、５はリッジ
状のＩｎＰ（ｐ）上部第２クラッド層、６はＳｉＯ
2 層、８はＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９−１〜９−
４は上部電極、１０は下部電極、１１−１、１１−２は
スポットサイズ変換部、１２−１、２−２は直線部、１
７−１、１７−２は無反射コーティング層、１８は電流
注入用の端子である。
【００３８】図２（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図２（ｂ）は
図２（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【００３９】本半導体光増幅器アレイの特徴は、入射端
部１５−１及び出射端部１５−２を角度θ（２°から１
０°の範囲が好ましい。）だけ斜め構造にすることによ
り、両端面からの反射光が半導体光増幅器内を伝搬しに
くくした点である。なお、Ｆ１とＦ２は１２５μｍより
も大きい値に選ぶことが好ましい。
部１５−１及び出射端部１５−２を角度θ（２°から１
０°の範囲が好ましい。）だけ斜め構造にすることによ
り、両端面からの反射光が半導体光増幅器内を伝搬しに
くくした点である。なお、Ｆ１とＦ２は１２５μｍより
も大きい値に選ぶことが好ましい。
【００４０】図３（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【００４１】本半導体光増幅器アレイの特徴は、ポリイ
ミド膜７に部分的に光吸収剤を含ませたポリイミド膜１
４−１〜１４−３を用いた点である。本半導体増幅器ア
レイの構成は、光吸収剤を含んだポリイミド膜１４−１
〜１４−３により、それぞれの半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４が光干渉を起こしにくいように分離されたもので
ある。ポリイミド膜１４−１〜１４−３は光入射部から
光出射部までの伝搬方向に沿って形成されている。
ミド膜７に部分的に光吸収剤を含ませたポリイミド膜１
４−１〜１４−３を用いた点である。本半導体増幅器ア
レイの構成は、光吸収剤を含んだポリイミド膜１４−１
〜１４−３により、それぞれの半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４が光干渉を起こしにくいように分離されたもので
ある。ポリイミド膜１４−１〜１４−３は光入射部から
光出射部までの伝搬方向に沿って形成されている。
【００４２】図４（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図４（ｂ）は
図４（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図４（ｂ）は
図４（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【００４３】本半導体光増幅器アレイの特徴は、各半導
体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４間に空気の空隙２２−１、２
２−２、２２−３を設けることにより、隣接した半導体
光増幅器との光干渉をより一層抑圧すると共に、リッジ
構造の上部第２クラッド層５の真下の活性層４内への光
の閉じ込めをより効率的になるようにした点である。
体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４間に空気の空隙２２−１、２
２−２、２２−３を設けることにより、隣接した半導体
光増幅器との光干渉をより一層抑圧すると共に、リッジ
構造の上部第２クラッド層５の真下の活性層４内への光
の閉じ込めをより効率的になるようにした点である。
【００４４】図５（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図５（ｂ）は
図５（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図５（ｂ）は
図５（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
【００４５】本半導体光増幅器アレイの特徴は、上部第
２クラッド層５だけでなく上部第１クラッド層４もリッ
ジ構造とした点である。
２クラッド層５だけでなく上部第１クラッド層４もリッ
ジ構造とした点である。
【００４６】上部第１クラッド層４のリッジ幅ａは上部
第２クラッド層５のリッジ幅ｂよりも広くしておくこと
により、偏波依存性のほとんどない光増幅特性を得るこ
とができる。すなわち、リッジ幅ａ方向の光の閉じ込め
が増加することによって上述したのと同様の効果が得ら
れる。
第２クラッド層５のリッジ幅ｂよりも広くしておくこと
により、偏波依存性のほとんどない光増幅特性を得るこ
とができる。すなわち、リッジ幅ａ方向の光の閉じ込め
が増加することによって上述したのと同様の効果が得ら
れる。
【００４７】ここで、リッジ幅ａはリッジ幅ｂの１．２
〜２倍の範囲が好ましい。また上部第１クラッド層４も
リッジ構造とすることにより、図１（ａ）、（ｂ）〜図
３（ａ）、（ｂ）の場合よりも活性層３内の幅及び厚み
方向の光強度分布をより急俊にすることができる。すな
わち、上部第１クラッド層４及び上部第２クラッド層５
の真下の活性層３内の光強度分布をより急俊にすること
ができる。これは半導体光増幅器間の光干渉をより少な
くするように作用するので、低クロストーク特性を得る
ことができる。
〜２倍の範囲が好ましい。また上部第１クラッド層４も
リッジ構造とすることにより、図１（ａ）、（ｂ）〜図
３（ａ）、（ｂ）の場合よりも活性層３内の幅及び厚み
方向の光強度分布をより急俊にすることができる。すな
わち、上部第１クラッド層４及び上部第２クラッド層５
の真下の活性層３内の光強度分布をより急俊にすること
ができる。これは半導体光増幅器間の光干渉をより少な
くするように作用するので、低クロストーク特性を得る
ことができる。
【００４８】図６（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図６（ｂ）は
図６（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図６（ｂ）は
図６（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。
【００４９】本半導体光増幅器アレイの特徴は、図４
（ａ）、（ｂ）及び図５（ａ）、（ｂ）に示した実施の
形態の構成を組み合わせた点である。すなわち、本半導
体光増幅器アレイは、上部第１クラッド層４をリッジ構
造とし、それぞれの半導体光増幅器間に空隙２２−１〜
２２−３を設けた構造としたものである。このような構
造により、より高消光比、低クロストーク特性を得るこ
とができる。また、活性層内の光強度分布をより急俊に
することはより高い利得特性も期待することができる。
（ａ）、（ｂ）及び図５（ａ）、（ｂ）に示した実施の
形態の構成を組み合わせた点である。すなわち、本半導
体光増幅器アレイは、上部第１クラッド層４をリッジ構
造とし、それぞれの半導体光増幅器間に空隙２２−１〜
２２−３を設けた構造としたものである。このような構
造により、より高消光比、低クロストーク特性を得るこ
とができる。また、活性層内の光強度分布をより急俊に
することはより高い利得特性も期待することができる。
【００５０】図７（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図７（ｂ）は
図７（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図７（ｂ）は
図７（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。
【００５１】本半導体光増幅器アレイの特徴は、光吸収
剤を分散させたポリイミド膜１４の上に金属膜１６−１
〜１６−５を形成し、ポリイミド膜１４内を漏洩して伝
搬する不要光を金属膜１６−１〜１６−５で吸収させる
ようにした点である。
剤を分散させたポリイミド膜１４の上に金属膜１６−１
〜１６−５を形成し、ポリイミド膜１４内を漏洩して伝
搬する不要光を金属膜１６−１〜１６−５で吸収させる
ようにした点である。
【００５２】図８（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレ
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図８（ｂ）は
図８（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。
イの他の実施の形態を示す正面図であり、図８（ｂ）は
図８（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。
【００５３】本半導体光増幅器アレイの特徴は、図４
（ａ）、（ｂ）に示した半導体光増幅器アレイ間の空隙
２２−１〜２２−３に金属膜１６−２〜１６−４を形成
した点である。また、両端の半導体光増幅器の空隙にも
金属膜１６−１、１６−５が形成されている。これら金
属膜１６−１〜１６−５は高消光比、低ストローク特性
を実現する上で有効に作用する。
（ａ）、（ｂ）に示した半導体光増幅器アレイ間の空隙
２２−１〜２２−３に金属膜１６−２〜１６−４を形成
した点である。また、両端の半導体光増幅器の空隙にも
金属膜１６−１、１６−５が形成されている。これら金
属膜１６−１〜１６−５は高消光比、低ストローク特性
を実現する上で有効に作用する。
【００５４】本発明は上記実施の形態に限定されない。
まず、半導体光増幅器アレイの半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４の数は図では４個であるが限定されるものではな
く、２個以上、数十個程度実装することができる。Ｓｉ
Ｏ2 層６及びポリイミド膜７にはフッ素を添加して低誘
電率化を図ると、より高速スイッチング特性を実現する
ことができる。図７（ａ）、（ｂ）及び図８（ａ）、
（ｂ）において、金属膜１６−１〜１６−５を上部電極
９−１〜９−４へのワイヤボンディング供給用ターミナ
ルとして兼用してもよい。
まず、半導体光増幅器アレイの半導体光増幅器Ｃｈ１〜
Ｃｈ４の数は図では４個であるが限定されるものではな
く、２個以上、数十個程度実装することができる。Ｓｉ
Ｏ2 層６及びポリイミド膜７にはフッ素を添加して低誘
電率化を図ると、より高速スイッチング特性を実現する
ことができる。図７（ａ）、（ｂ）及び図８（ａ）、
（ｂ）において、金属膜１６−１〜１６−５を上部電極
９−１〜９−４へのワイヤボンディング供給用ターミナ
ルとして兼用してもよい。
【００５５】図１（ａ）、（ｂ）〜図８（ａ）、（ｂ）
に示す半導体光増幅器アレイにおいて、それぞれの半導
体増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の間に、図１１（ａ）、（ｂ）
に示すような分離溝（空隙）２２を設けてもよい。その
分離溝２２の具体的な構成は、ポリイミド膜７（あるい
は１４）、ＳｉＯ2 層６を貫通し、ＩｎＰ（ｐ）上部第
１クラッド層４の途中まで達するように分離溝を形成し
たものである。
に示す半導体光増幅器アレイにおいて、それぞれの半導
体増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ４の間に、図１１（ａ）、（ｂ）
に示すような分離溝（空隙）２２を設けてもよい。その
分離溝２２の具体的な構成は、ポリイミド膜７（あるい
は１４）、ＳｉＯ2 層６を貫通し、ＩｎＰ（ｐ）上部第
１クラッド層４の途中まで達するように分離溝を形成し
たものである。
【００５６】図１（ａ）、（ｂ）〜図８（ａ）、（ｂ）
に示す半導体光増幅器アレイにおいて、ＩｎＰ（ｐ）上
部第１クラッド層４を用いない構造としてもよい。ま
た、ＩｎＰ（ｎ）下部クラッド層２と活性層３との間
に、ＩｎＰの屈折率３．１６３よりも高く、ＩｎＧａＡ
ｓＰの活性層の屈折率３．３７５よりも低い値を有する
バッファ層（屈折率３．２〜３．３）を設けることによ
り、スポットサイズ変換部１１−１、１１−２でのＸ方
向（幅方向）及びＹ方向（厚み方向）の光強度分布を拡
大することができる。
に示す半導体光増幅器アレイにおいて、ＩｎＰ（ｐ）上
部第１クラッド層４を用いない構造としてもよい。ま
た、ＩｎＰ（ｎ）下部クラッド層２と活性層３との間
に、ＩｎＰの屈折率３．１６３よりも高く、ＩｎＧａＡ
ｓＰの活性層の屈折率３．３７５よりも低い値を有する
バッファ層（屈折率３．２〜３．３）を設けることによ
り、スポットサイズ変換部１１−１、１１−２でのＸ方
向（幅方向）及びＹ方向（厚み方向）の光強度分布を拡
大することができる。
【００５７】図７（ａ）、（ｂ）において、金属膜１６
−１〜１６−５の下のポリイミド膜１４には光吸収剤を
含まないポリイミド膜を用いてもよい。これは金属膜１
６−１〜１６−５が光吸収層として作用するからであ
る。
−１〜１６−５の下のポリイミド膜１４には光吸収剤を
含まないポリイミド膜を用いてもよい。これは金属膜１
６−１〜１６−５が光吸収層として作用するからであ
る。
【００５８】以上において本発明によれば、 (1) それぞれの半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大
きくとることができると共に、クロストーク特性を低い
値に保つことができる。従来は、入射側の光ファイバか
らの信号光が半導体光増幅器アレイのポリイミド膜、Ｓ
ｉＯ2 層、上部クラッド層内に漏れ込んで伝搬し、出射
側の光ファイバ内に混入していた。本発明はこのような
漏れ込み光のうち、最も大きな容積を占めるポリイミド
膜内を伝搬する漏れ光を吸収させることによって消光比
を改善すると共に他の半導体光増幅器からの不要な信号
光も吸収させることによって抑圧し、低クロストーク特
性を実現するようにしたものである。
きくとることができると共に、クロストーク特性を低い
値に保つことができる。従来は、入射側の光ファイバか
らの信号光が半導体光増幅器アレイのポリイミド膜、Ｓ
ｉＯ2 層、上部クラッド層内に漏れ込んで伝搬し、出射
側の光ファイバ内に混入していた。本発明はこのような
漏れ込み光のうち、最も大きな容積を占めるポリイミド
膜内を伝搬する漏れ光を吸収させることによって消光比
を改善すると共に他の半導体光増幅器からの不要な信号
光も吸収させることによって抑圧し、低クロストーク特
性を実現するようにしたものである。
【００５９】(2) 高速の光スイッチング特性を得ること
ができる。
ができる。
【００６０】(3) 半導体光増幅器アレイ端面及びその端
面に突き合わせる光ファイバ端面からの反射光が半導体
光増幅器アレイ内を伝搬するのを減衰させることができ
るので、消光比及びクロストーク特性を改善することが
できる。
面に突き合わせる光ファイバ端面からの反射光が半導体
光増幅器アレイ内を伝搬するのを減衰させることができ
るので、消光比及びクロストーク特性を改善することが
できる。
【００６１】(4) 半導体光増幅器アレイを簡易プロセス
で低コストに製造することができる。
で低コストに製造することができる。
【００６２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６３】各半導体光増幅器のオン／オフ消光比を大
きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体
光増幅器アレイの提供を実現することができる。
きくとることができ、クロストーク特性に優れた半導体
光増幅器アレイの提供を実現することができる。
【図１】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの一実
施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ
線断面図である。
施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ
線断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−
Ｅ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−
Ｅ線断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−
Ｆ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−
Ｆ線断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−
Ｇ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−
Ｇ線断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＨ−
Ｈ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＨ−
Ｈ線断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線
断面図である。
実施の形態を示す図であり、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線
断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＪ−
Ｊ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＪ−
Ｊ線断面図である。
【図８】（ａ）は本発明の半導体光増幅器アレイの他の
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＫ−
Ｋ線断面図である。
実施の形態を示す正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＫ−
Ｋ線断面図である。
【図９】従来の半導体光増幅器アレイを用いたゲート型
のマトリクス光スイッチを示すブロック図である。
のマトリクス光スイッチを示すブロック図である。
【図１０】従来の半導体光増幅器アレイを用いた光波長
選択フィルタのブロック図である。
選択フィルタのブロック図である。
【図１１】（ａ）は４つの半導体光増幅器Ｃｈ１〜Ｃｈ
４をアレイ状に構成したものの外観斜視図であり、
（ｂ）は（ａ）の部分拡大透視図である。
４をアレイ状に構成したものの外観斜視図であり、
（ｂ）は（ａ）の部分拡大透視図である。
【図１２】（ａ）は本発明者が先に提案したリッジ型半
導体光増幅器の正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であ
る。
導体光増幅器の正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であ
る。
【図１３】（ａ）は本発明者が先に提案した半導体光増
幅器アレイの正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線
断面図である。
幅器アレイの正面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線
断面図である。
１ 基板 ２ 下部クラッド層 ３ 活性層 ４ 上部第１クラッド層 ５ 上部第２クラッド層 ６ ＳｉＯ2 層 ７ ポリマ膜（ポリイミド膜） ９−１〜９−４ 上部電極 １０ 下部電極 １６−１〜１６−５ 金属膜 Ｃｈ１〜Ｃｈ４ 半導体光増幅器
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板上に、スラブ状の下部クラッ
ド層、活性層及び上部第１クラッド層が順次形成され、
該上部第１クラッド層の上に略矩形断面形状の上部第２
クラッド層が少なくとも２本並列に形成され、該上部第
２クラッド層の側面が酸化層及び光吸収剤を含んだポリ
マ膜で覆われ、上記上部第２クラッド層の上にコンタク
ト層を介して上部電極が形成され、上記半導体基板裏面
に下部電極が形成されると共に、上記上部電極と上記下
部電極との間に電流が注入されるようにした積層体から
なる光増幅器の両端面に無反射コーティング層が形成さ
れ、該積層体の一方の端面の上記上部第２クラッド層の
真下の活性層内に信号光がそれぞれ入射され、上記活性
層で増幅された信号光を上記積層体の他方の端面から出
射させるようにしたことを特徴とする半導体光増幅器ア
レイ。 - 【請求項２】 上記上部第２クラッド層は上記積層体の
一方の端面から他方の端面へ斜めに湾曲している請求項
１に記載の半導体光増幅器アレイ。 - 【請求項３】 上記下部クラッド層と上記活性層との間
に、屈折率が上記下部クラッド層の屈折率よりも高く、
上記活性層の屈折率よりも低いバッファ層を設けた請求
項１または２に記載の半導体光増幅器アレイ。 - 【請求項４】 上記積層体の両端面は１０°以内の角度
で斜めに形成されている請求項１〜３のいずれかに記載
の半導体光増幅器アレイ。 - 【請求項５】 上記光吸収剤として信号光を吸収する材
料を用いた請求項１に記載の半導体光増幅器アレイ。 - 【請求項６】 上記光吸収剤を含んだポリマ膜は光吸収
剤がポリマ膜内に部分的に含まれている請求項１〜４の
いずれかに記載の半導体光増幅器アレイ。 - 【請求項７】 上記上部第２クラッド層間の光吸収剤を
含んだポリマ膜は部分的に除去されて空隙が形成されて
いる請求項１〜６のいずれかに記載の半導体光増幅器ア
レイ。 - 【請求項８】 上記上部第１クラッド層が略矩形断面形
状に形成されている請求項１〜７のいずれかに記載の半
導体光増幅器アレイ。 - 【請求項９】 上記半導体基板上に、スラブ状の下部ク
ラッド層、活性層及び上部第１クラッド層が順次形成さ
れ、上部第１クラッド層の上に略矩形断面形状の上部第
２クラッド層が少なくとも２本並列に形成され、該上部
第２クラッド層の側面がポリマ膜で覆われ、上記上部第
２クラッド層の上にコンタクト層を介して上部電極が形
成され、上記半導体基板裏面に下部電極が形成されると
共に、上記上部電極と上記下部電極との間に電流が注入
されるようにした積層体からなる光増幅器の両端面に無
反射コーティング層が形成され、該積層体の一方の端面
の上記上部第２クラッド層の真下の活性層内に信号光が
それぞれ入射され、活性層で増幅された信号光を上記積
層体の他方の端面から出射させるようにすると共に、上
記ポリマ膜の上に金属膜を形成したことを特徴とする半
導体光増幅器アレイ。 - 【請求項１０】 上記ポリマ膜には光吸収剤が含まれて
おらず、酸化層が含まれている請求項９に記載の半導体
光増幅器アレイ。 - 【請求項１１】 上記ポリマ膜としてポリイミド膜、あ
るいはフッ素を含んだポリマ膜を用いた請求項１〜１０
のいずれかに記載の半導体光増幅器アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36303598A JP3804316B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 半導体光増幅器アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36303598A JP3804316B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 半導体光増幅器アレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000188444A true JP2000188444A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3804316B2 JP3804316B2 (ja) | 2006-08-02 |
Family
ID=18478354
Family Applications (1)
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| JP2007243072A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体光増幅器複合半導体レーザー装置 |
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1998
- 1998-12-21 JP JP36303598A patent/JP3804316B2/ja not_active Expired - Fee Related
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