JP4501359B2

JP4501359B2 - 半導体レーザ装置

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Publication number: JP4501359B2
Application number: JP2003155661A
Authority: JP
Inventors: 公一宮崎; 健博谷口
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Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2010-07-14
Anticipated expiration: 2023-05-30
Also published as: JP2004356586A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばマルチビーム半導体レーザ装置に関し、更に詳しくは、分離溝を介して隣り合う一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏れ光の入射による悪影響を排除できる半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体レーザ装置は、例えば光ディスク等の光学記録媒体に対する記録再生を行う光学装置、あるいはレーザビームプリンタ等の光源として用いられているが、近年、半導体レーザ装置を用いてより高速に記録再生あるいはプリントを行うことができるようにするために、複数のレーザ発振部をそれぞれ独立に駆動するようにマルチビーム化の要求が高まっている。
【０００３】
図１０に、従来の２ビーム・ジャンクションアップ・マルチビーム半導体レーザ装置の構成を模式的に示す。図示する半導体レーザ装置は、半導体基板１上に２つのレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２を分離溝１０を介して並置形成して構成されている。
なお、図１０は、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２をその共振器構造の長手方向正面側から見たときの図である。
【０００４】
各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２は互いに同一の構成を有し、半導体基板１の上面にはバッファ層２、ｎ型クラッド層３、活性層４、第１のｐ型クラッド層５、第２のｐ型クラッド層６、ｐ側電極７が積層形成され、半導体基板１の下面にはｎ側電極９が形成されている。なお、８は電流ブロック層である。
【０００５】
このような構成の半導体レーザ装置は、ｐ側電極７とｎ側電極９との間に所定の電圧が印加されることにより、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の活性層４に電流が注入され、電子−正孔再結合による発光がそれぞれ起こる。レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２において発生した光は、活性層４において図１０において紙面垂直方向の各端面を往復して増幅され、外部に射出されるようになっている。
【０００６】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献を以下に示す。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−３５４８８８号公報
【特許文献２】
特開平６−２９６１８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように構成される従来の半導体レーザ装置において、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の間に形成される分離溝１０は、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の電気的絶縁を図るためのもので、電流ブロック層８の表面からバッファ層２に至る深さに形成されている。これにより、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２を各々個別に出力制御できるようにしている。
【０００９】
しかしながら、従来の半導体レーザ装置の構成においては、各々のレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の各々の活性層４が分離溝１０を介して対向する位置関係にあるので、２つのレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２を同時に駆動させたときに、一方のレーザ発振部の活性層４から漏れ出た光Ｌが他方のレーザ発振部の活性層４へ入射し、当該他方のレーザ発振部の発振動作に悪影響を及ぼすという問題がある。漏出光Ｌが入射したレーザ発振部においては出力変動が引き起こされ、例えばレーザビームプリンタに適用した場合、「白スジ」と称される色ムラを発生させる場合がある。
【００１０】
なお、上記特許文献１には、素子間を分離する分離溝にポリイミド等の平坦化膜を充填した構成が記載されている。また、上記特許文献２には、素子間を分離する分離溝を窒化シリコン膜でコーティングした構成が記載されている。しかしながら、これら平坦化膜及びコーティング膜はそもそも光透過性であるので、上述したような隣接するレーザ発振部からの漏出光の入射を規制することはできない。
【００１１】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、分離溝を介して隣り合う一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏出光の入射を規制して出力の安定化を図ることができる半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の半導体レーザ装置は、分離溝の形成領域に、レーザ発振部の活性層からの漏出光を吸収する光吸収層を形成したことを特徴とする。
【００１３】
このような構成の半導体レーザ装置は、隣り合うレーザ発振部の間に分離溝を形成する工程と、分離溝の内部に吸光性材料を充填する工程とを経て製造することができる。
【００１４】
以上の構成の半導体レーザ装置においては、分離溝の形成領域に形成された光吸収層によって各レーザ発振部の活性層からの漏出光を効率良く吸収し、対向するレーザ発振部の活性層へ上記漏出光を到達できないようにする。これにより、一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏出光の入射を規制して各レーザ発振部の出力の安定化を図ることが可能となる。
【００１５】
また、本発明の他の半導体レーザ装置は、分離溝の何れか一方の側面に、一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層へ向かう漏出光を遮る遮光膜を形成したことを特徴とする。
【００１６】
このような構成の半導体レーザ装置は、隣り合うレーザ発振部の間に分離溝を形成する工程と、分離溝の何れか一方の側面に遮光膜を形成する工程とを経て製造することができる。
【００１７】
以上の構成の半導体レーザ装置においては、分離溝の一方の側面に形成された遮光膜によって一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏出光の入射を防止できる。これにより、各レーザ発振部の出力の安定化を図ることが可能となる。
【００１８】
本発明の更に他の半導体レーザ装置は、分離溝の各側面を、一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏出光の入射を制限できる角度のテーパ面としたことを特徴とする。
【００１９】
このような構成の半導体レーザ装置は、隣り合うレーザ発振部の間に分離溝を形成する工程と、分離溝の各側面を、一方のレーザ発振部の活性層から他方のレーザ発振部の活性層への漏出光の入射を制限できる角度のテーパ面に形成する工程とを経て製造される。
【００２０】
以上の構成の半導体レーザ装置においては、分離溝の側面の傾斜角を調整することにより、漏出光の出射方向を規制でき、対向する活性層への漏出光の入射量を低減することができる。これにより、各レーザ発振部の出力の安定化を図ることが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
なお、以下に説明する各実施の形態では、例えばジャンクションアップ型マルチビーム半導体レーザ装置に本発明を適用した例について説明する。また、具体的な数値及び組成を挙げて説明しているが、これに限定されることはない。
【００２２】
（第１の実施の形態）(参考例)
図１は、本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ装置１００の構成を示す断面模式図であり、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２をその共振器構造の長手方向正面側から見た図である。
【００２３】
本実施の形態の半導体レーザ装置１００は、同一の半導体基板１０１の上に、分離溝１１０を介して、２つのレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２がその共振器方向（図１において紙面垂直方向、以下同じ。）に垂直な方向（図１において横方向、以下同じ。）へ並置形成された構成を備えている。
【００２４】
これらレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２は互いに同一の構造を有しており、図において、半導体基板１０１の上面に対して垂直な方向に、基板１０１の側からバッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、ＭＱＷ構造の活性層１０４、第１のｐ型クラッド層１０５、光ガイド層１１１、第２のｐ型クラッド層１０６が順次それぞれ積層されることによって構成されている。
【００２５】
バッファ層１０２は、半導体基板１０１とｎ型クラッド層１０３との間の格子定数の相違に起因するｎ型クラッド層１０３の格子ひずみの発生を抑止するために形成されるもので、半導体基板１０１の格子定数とｎ型クラッド層１０３の格子定数との中間の格子定数を有している。
【００２６】
本実施の形態では、半導体基板１０１はｎ型ＧａＡｓ、バッファ層１０２及びｎ型クラッド層１０３はｎ型ＡｌＧａＡｓで構成されている。また、バッファ層１０２の組成比はアルミニウム（Ａｌ）１５％（モル％、以下同じ）、ガリウム（Ｇａ）３５％、ヒ素（Ａｓ）５０％、ｎ型クラッド層１０３の組成比はアルミニウム２３．５％、ガリウム２６．５％、ヒ素５０％である。
【００２７】
第１のｐ型クラッド層１０５及び第２のｐ型クラッド層１０６はそれぞれｐ型ＡｌＧａＡｓで構成されており、その組成比は共にアルミニウム２３．５％、ガリウム２６．５％、ヒ素５０％である。
【００２８】
光ガイド層１１１は、組成比がアルミニウム１５％、ガリウム３５％、ヒ素５０％のｐ型ＡｌＧａＡｓで構成される。光ガイド層１１１を第１，第２のｐ型クラッド層１０５，１０６間に介在させることによって、活性層１０４に閉じ込められた光の強度ピークを、第１のｐ型クラッド層１０５と第２のｐ型クラッド層１０６とが互いに対向する領域へ集約させることができる。
【００２９】
以上のように、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４、第１のｐ型クラッド層１０５、光ガイド層１１１及び第２のｐ型クラッド層１０６によりレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２が構成される。
【００３０】
第２のｐ型クラッド層１０６の形成幅は、第１のｐ型クラッド層１０５の上に積層された電流ブロック層１０８によって規制されている。電流ブロック層１０８は、第２のｐ型クラッド層１０６の上に形成されたｐ側電極１０７と、基板１０１の下面に形成されたｎ側電極１０９との間に電圧が印加された際、第２のｐ型クラッド層１０６へ集中的に給電する作用を果たす。
【００３１】
なお、電流ブロック層１０８はｎ型ＧａＡｓで構成されている。また、ｐ側電極１０７は、第２のｐ型クラッド層１０６の上にＴｉ、Ｐｔ、Ａｕを順に積層して構成され、ｎ側電極１０９は、半導体基板１０１の下面にＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕを順に積層して構成されている。
【００３２】
分離溝１１０は、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の共振器方向全域にわたって形成され、その深さは電流ブロック層１０８の表面からバッファ層１０２に至っている。この分離溝１１０の形成により、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２が電気的に絶縁され、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の同時駆動は勿論、個別の駆動制御が可能となっている。
【００３３】
さて、本実施の形態においては、分離溝１１０の形成領域に、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の各活性層１０４からの漏出光を吸収する光吸収層１１２が形成されている。
【００３４】
光吸収層１１２の構成材料は、分離溝１１０に向かって射出される各活性層１０４からの漏出光を吸収できる材料であれば特に限定されず、漏出光の波長に応じて適当な吸光材を選定できる。
【００３５】
また、光吸収層１１２を黒又は黒褐色等の黒系の色（例えば黒褐色等）で構成するようにすれば、全ての波長領域における漏出光の吸収作用を得ることができる。
本実施の形態では、黒色に着色したポリイミドで光吸収層１１２を構成している。
【００３６】
なお、ポリイミド以外には、エポキシ樹脂や感光性レジスト等の他の合成樹脂材料、ガラス、セラミック、金属材料等、黒に着色した材料であれば全て適用可能である。また、金属材料等の導電性材料で光吸収層１１２を構成する場合には、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２との電気的絶縁を図るために、前もって、分離溝１１０内に絶縁層を形成する必要がある。
【００３７】
光吸収層１１２は、分離溝１１０を介して各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の活性層１０４が互いに対向する全領域に形成されている。すなわち、光吸収層１１２は、分離溝１１０の形成範囲全域にわたって、分離溝１１０の底部から少なくとも活性層１０４が埋没する高さ位置以上に形成されている。
【００３８】
以上のように構成される本実施の形態の半導体レーザ装置１００においては、ｐ側電極１０７とｎ側電極１０９との間に所定の電圧が印加されることにより、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の活性層１０４に電流が注入され、電子−正孔再結合による発光がそれぞれ起こる。レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２において発生した光は、活性層４において図１において紙面垂直方向の各端面間を往復して増幅され、外部に射出される。
【００３９】
このとき、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の活性層１０４から分離溝１１０の方向に光が漏出する。この漏出光が、対向するレーザ発振部の活性層１０４へ入り込むと、当該レーザ発振部の出力が変動し、特に、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の同時駆動においては互いに安定した出力が得られなくなる。
【００４０】
そこで、本実施の形態の半導体レーザ装置１００においては、分離溝１１０の内部に、上記漏出光を吸収する光吸収層１１２が形成されているので、一方の活性層１０４からの漏出光は光吸収層１１２で吸収（あるいは減衰）され、対向する他方の活性層１０４へ到達できなく（あるいは到達しにくく）なる。
【００４１】
これにより、レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の同時駆動の際、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の安定した動作を確保でき、例えばレーザプリンタに適用した場合に色ムラの発生しないレーザを安定して提供することが可能となる。
【００４２】
図２は、光吸収層１１２の形成工程を説明する工程断面図である。
【００４３】
半導体基板１０１上にレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２、分離溝１１０及びｐ側電極１０７を形成した後、スピンコート法により黒系の色に着色した液状のポリイミド樹脂１１２Ａを全面塗布する（図２Ａ）。続いて、形成したポリイミド樹脂層１１２Ａをベーキングして硬化させた後、酸素プラズマを用いた全面エッチング（あるいはアッシング）によって、分離溝１１０の内部を除く基板表面の全てのポリイミド樹脂層１１２Ａを除去する（図２Ｂ，Ｃ）。これにより、分離溝１１０の内部に光吸収層１１２を形成することができる。
【００４４】
その後、基板１０１の裏面（下面）にｎ側電極１０９を形成することによってプロセス終了となる。
【００４５】
図３に、ｎ側電極１０９の形成工程を示す。この工程では、半導体基板１０１の裏面（下面）をラッピングして、例えば４５０μｍ厚から１２０μｍ厚にまで半導体基板１０１を薄厚化する。その後、半導体基板１０１の裏面全面にレジスト１１３Ａを塗布する（図３Ｄ）。次いで、公知のフォトリソ技術を用いてレジスト１１３Ａをパターニングし、レジストパターン１１３を作製する（図３Ｅ）。そして、レジストパターン１１３Ａを含む半導体基板１０１裏面にＡｕＧｅ、Ｎｉ、Ａｕを蒸着等の公知の真空薄膜形成技術を用いて順に成膜した後、リフトオフ、アロイ化することで、目的とするｎ側電極１０９が形成される（図３Ｆ）。
【００４６】
（第２の実施の形態）
図４〜図６は、本発明の第２の実施の形態を示している。
なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００４７】
図４は、本実施の形態の半導体レーザ装置２００の構成を示す断面模式図であり、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２をその共振器構造の長手方向正面側から見た図である。
【００４８】
本実施の形態の半導体レーザ装置２００においては、隣り合う２つのレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の間を分離する分離溝１１０の一側面全域に対して、遮光膜２０１が形成されている。
【００４９】
本実施の形態によっても、一方のレーザ発振部の活性層１０４から他方のレーザ発振部の活性層１０４への漏出光の入射を遮光膜２０１によって確実に防止することができるので、上述の第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００５０】
また、分離溝１１０の一側面にのみ遮光膜２０１を形成するようにしたので、分離溝１１０の両側面に遮光膜２０１を形成する場合に比べて、図４の例ではＣＨ２側の活性層１０４から漏出した光の反射による戻り量を相対的に少なくすることができる。これにより、漏出光の戻りによるＣＨ２側のレーザ発振部における出力変動を極力少なくして、安定したレーザ発振動作を確保することができる。
【００５１】
図示するように、遮光膜２０１は分離溝１１０の内壁面に対して絶縁膜２０２を介して形成されている。遮光膜２０１は、ＡｌやＡｕ等の金属膜で構成され、絶縁膜２０２は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等で構成されている。
【００５２】
図５及び図６に、遮光膜２０１の作製プロセスの一例を示す。
【００５３】
半導体基板１０１上にレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２、分離溝１１０及びｐ側電極１０７を形成した後、絶縁膜２０２Ａを全面に成膜する（図５Ａ）。その後、形成した絶縁膜２０２Ａの上にレジスト２０４Ａを全面塗布しベーキングする（図５Ｂ）。次いで、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて分離溝１１０上にレジストパターン２０４を形成し（図５Ｃ）、形成したレジストパターン２０４をマスクとして絶縁膜２０２Ａをエッチング除去する（図５Ｄ）。
【００５４】
続いて、レジストパターン２０４を有機溶剤を用いて除去した後（図６Ｅ）、形成した絶縁膜２０２を含む基板全面に再度レジスト２０５Ａを全面塗布し、ベーキングする（図６Ｆ）。次いで、分離溝１１０の底面及び一方の側面（図ではレーザ発振部ＣＨ１側の側面）を露出するようにレジストパターン２０５を形成した後（図６Ｇ）、レジストパターン２０５をマスクとしてＡｌやＡｕ等でなる遮光膜２０１を成膜する。そして、レジストパターン２０５を除去することによって、分離溝１０１の一側面に遮光膜２０１が形成された半導体レーザ装置２００を製造することができる（図６Ｈ）。
【００５５】
なお、本実施の形態においては、分離溝１１０の他方側（レーザ発振部ＣＨ２側）の側面にも絶縁膜２０２を形成しているので、遮光膜２０１の形成時に当該他方側の側面に成膜金属が付着したとしてもレーザ発振部ＣＨ２の電気的接続不良を回避することができる。
【００５６】
なおまた、本実施の形態の半導体レーザ装置２００においては、遮光膜２０１によってレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の放熱性の向上をも図ることができる。
すなわち、ジャンクションアップ型の半導体レーザ装置においては、半導体基板１０１側にヒートシンクが接続される構成であるので高い放熱性が望めなかったところ、本実施の形態によって従来のジャンクションアップ型の半導体レーザよりも優れた放熱性を得ることができる。また、遮光膜２０１の上に別途、絶縁膜を形成する必要もないので、生産性にも優れている。
【００５７】
（第３の実施の形態）（参考例）
図７〜図９は、本発明の第３の実施の形態を示している。
なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００５８】
図７は、本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ装置３００の構成を示す断面模式図であり、各レーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２をその共振器構造の長手方向正面側から見た図である。
【００５９】
本実施の形態の半導体レーザ装置３００においては、隣り合う２つのレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２の間を分離する分離溝１１０の各側面１１０ａ，１１０ｂを、一方のレーザ発振部の活性層１０４から他方のレーザ発振部の活性層１０４への漏出光Ｌの入射を制限できる角度の傾斜面（テーパ面）としている。
【００６０】
活性層１０４から分離溝１１０へ射出する漏出光Ｌの出射角は、出射面となる分離溝１１０の各側面１１０ａ，１１０ｂの傾斜角に関係して定まる。そこで、分離溝１１０の側面１１０ａ，１１０ｂの傾斜角θを調整することにより、漏出光Ｌの出射方向を規制でき、対向する活性層１０４への漏出光の入射量を低減することが可能となる。
【００６１】
したがって、本実施の形態によれば、互いに対向関係にある一方のレーザ発振部の活性層１０４から他方のレーザ発振部の活性層１０４への漏出光の入射量を規制することができるので、上述の第１の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００６２】
ここで、分離溝１１０の底部の幅を７μｍ、分離溝１１０の底面から活性層１０４の上層面までの高さを２．９μｍ、活性層１０４の層厚を０．１μｍ、活性層（ＡｌＧａＡｓ）１０４の屈折率を３．６とした場合を例に挙げると、理論上、分離溝１１０の側面１１０ａ、１１０ｂの傾斜角θを約５°に設定すれば、漏出光Ｌの入射光量を低減できる。
なおまた、分離溝１１０の各側面１１０ａ，１１０ｂの傾斜角θは、それぞれ同一である必要はなく、個々に異なっていてもよい。
【００６３】
次に、図８及び図９を参照して、本実施の形態の半導体レーザ装置３００の製造方法について説明する。
【００６４】
基板１０１上に一対のレーザ発振部ＣＨ１，ＣＨ２及びｐ側電極１０７を形成した後、レジスト３０１Ａを全面塗布しベーキングする（図８Ａ）。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて分離溝１１０の形成領域が露出するレジストパターン３０１を形成し（図８Ｂ）、ＲＩＥ（反応性イオンビームエッチング）等により基板表面を加工し、バッファ層１０２の形成領域に到達する深さの分離溝１１０を形成する（図８Ｃ）。
【００６５】
なお、これまでの分離溝１１０の形成工程は、第１，第２の実施の形態における分離溝の形成工程と共通である。
【００６６】
分離溝１１０の形成後、硫酸系エッチャントを使って分離溝１１０の側面１１０ａ，１１０ｂに所定角度の傾斜を設ける（図９Ｄ）。最後にレジストパターン３０１を除去してプロセス完了となる（図９Ｅ）。
【００６７】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００６８】
例えば以上の各実施の形態では、分離溝１１０の内部に光吸収層１１２を形成した構成、分離溝１１０の一側面を遮光膜でコーティングした構成、及び分離溝１１０の各側面を所定角度に傾斜させた構成をそれぞれ説明したが、側面を傾斜させた分離溝１１０内に光吸収層を形成したり、又は遮光膜をコーティングする等、各実施の形態を相互に組み合わせ構成することも可能である。
【００６９】
また、以上の実施の形態では、２ビーム型のマルチレーザを例に挙げて説明したが、勿論これに限らず、４ビーム型のマルチレーザ等にも本発明は適用可能である。
【００７０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、分離溝を介して隣り合うレーザ発振部の各活性層間における漏出光による干渉を効果的に防止できるので、同時駆動の際の各レーザ発振部の出力の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ装置１００の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】半導体レーザ装置１００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図３】半導体レーザ装置１００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ装置２００の構造を模式的に示す断面図である。
【図５】半導体レーザ装置２００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図６】半導体レーザ装置２００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ装置３００の構造を模式的に示す断面図である。
【図８】半導体レーザ装置３００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図９】半導体レーザ装置３００の製造工程を説明する工程断面図である。
【図１０】従来の半導体レーザ装置の構造を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００…半導体レーザ装置、１０１…半導体基板、１０２…バッファ層、１０３…ｎ型クラッド層、１０４…活性層、１０５…第１のｐ型クラッド層、１０６…第２のｐ型クラッド層、１０７…ｐ側電極、１０８…電流ブロック層、１０９…ｎ側電極、１１０…分離溝、１１０ａ，１１０ｂ…傾斜面、１１１…光ガイド層、１１２…光吸収層、２０１…遮光膜、ＣＨ１，ＣＨ２…レーザ発振部、Ｌ…漏出光。

Claims

同一基板上に、共振器を有する複数のレーザ発振部を前記共振器の長手方向と垂直な方向に並置形成する工程と、
隣り合う前記レーザ発振部の間に、前記共振器の長手方向全域にわたって分離溝を形成する工程と、
前記分離溝の底面及び両側面に絶縁膜を形成する工程と、
前記分離溝の底面及び一方の側面を露出し、前記分離溝の他方の側面を被覆するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記分離溝の底面及び前記一方の側面に金属遮光膜を成膜する工程とを有する
半導体レーザ装置の製造方法。